JP2009192673A - 論理回路、アドレスデコーダ回路、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力信号のバラつきを抑制する。
【解決手段】論理回路(321)は、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタ(3215、3216)を含む第1回路部分と、第1回路部分に直列に接続されると共に、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタ(3213、3214)を含む第2回路部分と、複数の第2型トランジスタの夫々に直列に接続される動作点補償素子(3211、3212)を含む第3回路部分と、第1回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号(Vdd)を出力する第1電圧源と、第3回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号とは異なる第2電位信号(Vss、GND)を出力する第2電源とを備え、動作点補償素子は、第1回路部分の動作点と、第2回路部分及び第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃える
【選択図】図7
【解決手段】論理回路(321)は、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタ(3215、3216)を含む第1回路部分と、第1回路部分に直列に接続されると共に、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタ(3213、3214)を含む第2回路部分と、複数の第2型トランジスタの夫々に直列に接続される動作点補償素子(3211、3212)を含む第3回路部分と、第1回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号(Vdd)を出力する第1電圧源と、第3回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号とは異なる第2電位信号(Vss、GND)を出力する第2電源とを備え、動作点補償素子は、第1回路部分の動作点と、第2回路部分及び第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃える
【選択図】図7
Description
本発明は、例えばNAND回路等の論理回路、このような論理回路を備えるアドレスデコーダ回路、このようなアドレスデコーダ回路を備える液晶装置等の電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器の技術分野に関する。
従来から、携帯電話等の電子機器においては、表示用ディスプレイとして、液晶装置等の電気光学装置が広く利用されている。液晶装置は、複数のマトリクス状に配置された複数の画素部を備え、各画素部の状態を変更する(言い換えれば、書き換える)ことによって、所望の画像を表示することができる。このような電気光学装置においては、表示内容に関係なく、1フレーム毎に各画素部の状態をリフレッシュする必要があるため、各画素部を駆動する駆動回路やその制御回路等による消費電力が多くなり、結果として低消費電力化が阻害されている。
このため、1ビットを保持するスタティック型のメモリ回路を画素部毎に内蔵させると共に、該メモリ回路に保持されたビットに従って画素部をオン又はオフさせる技術が開発されている(例えば、特許文献1及び2参照)。この技術によれば、状態を変更する必要のない画素部に対しては、メモリ回路をリフレッシュする必要がなくなる。このため、静止画を表示する場合であれば、駆動回路等を動作させる必要がなくなる。従って、その分だけ低消費電力化を図ることができる。
このようなメモリ回路が画素部毎に内蔵された液晶装置においては、通常シフトレジスタを含むデータ線駆動回路及び走査線駆動回路の夫々を用いて1ライン毎に順に書き換える構成に代えて、アドレスデコーダ(例えば、XアドレスデコーダやYアドレスデコーダ)を用いて、複数の画素部のうちの所望の画素部を選択すると共に、該選択された画素部に内蔵されているメモリ回路の状態を部分的に変更することが可能な構成を採用している(例えば、特許文献2参照)。
このようなアドレスデコーダには、多数のNAND回路(例えば、正論理論理積否定回路や負論理論理積否定回路)が含まれている。ここで、NAND回路においては、NAND回路を構成するTFT(例えば、nチャネル型TFTやpチャネル型TFT)の特性のバラつきに依存して、NAND回路の出力信号(特に、出力信号の立ち下がりタイミング)にバラつきが生じてしまうという技術的な問題点が生ずる。具体的には、例えば、相互に直列に配列された2個のnチャネル型TFTと、当該nチャネル型TFTに直列に接続されると共に相互に並列に接続された2個のpチャネル型TFTとを含むNAND回路(つまり、正論理論理積否定回路)においては、直列の段数が多い分だけnチャネル型TFTの充電により時間がかかり、結果として、入力に対して出力信号がハイレベルからローレベルへと切り替わる(つまり、立ち下がる)タイミングが相対的に遅れてしまう。これは、nチャネル型TFTの充電速度が相対的に遅い場合又はpチャネル型TFTの充電速度が相対的に速い場合において特に顕著になる。同様に、例えば、相互に並列に配列された2個のnチャネル型TFTと、当該nチャネル型TFTに直列に接続されると共に相互に直列に接続された2個のpチャネル型TFTとを含むNAND回路(つまり、負論理論理積否定回路)においては、直列の段数が多い分だけpチャネル型TFTの充電により時間がかかり、結果として、入力に対して出力信号がローレベルからハイレベルへと切り替わる(つまり、立ち上がる)タイミングが相対的に遅れてしまう。これは、nチャネル型TFTの充電速度が相対的に速い場合又はpチャネル型TFTの充電速度が相対的に遅い場合において特に顕著になる。
また、アドレスデコーダが複数のNAND回路を備えていることを考慮すれば、個々のNAND回路が備える個々のTFTの特性のバラつき次第では、アドレスデコーダが備える複数のNAND回路の夫々の出力信号の間でもバラつきが生じてしまいかねない。その結果、アドレスデコーダとしての出力信号のパルス幅が不安定なものになりかねない。
このような出力信号のバラつき(つまり、出力信号のパルス幅のバラつき)は、画素部(言い換えれば、画素部に内蔵されるメモリ回路)への書込みに必要な時間を確保することができないという不都合を引き起こしかねない。その結果、書込み不良を引き起こしかねず、表示品位のよい液晶装置を提供することができないという技術的な問題点を有している。
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、出力信号のバラつきを抑制する論理回路、このような論理回路を備えるアドレスデコーダ回路、このようなアドレスデコーダ回路を備える電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
(論理回路)
本発明の論理回路は、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタを含む第1回路部分と、前記第1回路部分に直列に接続されると共に、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタを含む第2回路部分と、前記第1回路部分と接続される側とは反対側において前記複数の第2型トランジスタの夫々に直列に接続される動作点補償素子を含む第3回路部分と、前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第1回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号を出力する第1電圧源と、前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第3回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号とは異なる第2電位信号を出力する第2電圧源とを備え、前記動作点補償素子は、前記第1回路部分の動作点と、前記第2回路部分及び前記第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃える。
本発明の論理回路は、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタを含む第1回路部分と、前記第1回路部分に直列に接続されると共に、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタを含む第2回路部分と、前記第1回路部分と接続される側とは反対側において前記複数の第2型トランジスタの夫々に直列に接続される動作点補償素子を含む第3回路部分と、前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第1回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号を出力する第1電圧源と、前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第3回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号とは異なる第2電位信号を出力する第2電圧源とを備え、前記動作点補償素子は、前記第1回路部分の動作点と、前記第2回路部分及び前記第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃える。
本発明の論理回路によれば、第1電圧源、第1回路部分、第2回路部分、第3回路部分及び第2電圧源が、この順に相互に直列に接続されている。そして、論理回路からは、当該論理回路への入力信号(具体的には、第1回路部分、第2回路部分及び第3回路部分へ入力される入力信号)に応じた出力信号が出力される。この出力信号は、例えば第1回路部分に直列に接続される第1電圧源(例えば、高位電圧源及び低位電圧源の一方)から第1回路部分を介して供給される第1電位信号(例えば、高位信号及び低位信号の一方)や、例えば第3回路部分に直列に接続される第2電圧源(例えば、高位電圧源及び低位電圧源の他方)から第2回路部分及び第3回路部分を介して供給される第2電位信号(例えば、高位信号及び低位信号の他方)が一例となる。つまり、当該論理回路への入力信号に応じて、第1電位信号及び第2電位信号のいずれか一方が、出力信号として出力される。
尚、本発明における「第1型トランジスタ」及び「第2型トランジスタ」とは、種類が異なる2種類のトランジスタを示す趣旨であって、典型的には、後に詳述するようにチャネルを構成する半導体の種類に応じて区別される2種類のトランジスタを示す趣旨である。また、「相互に直列に接続される」とは、トランジスタの入力端子(例えば、ソース端子)から出力端子(例えば、ドレイン端子)へ至る電流パスを一構成要素としてみた場合に、当該構成要素が直列に(例えば、電気的に並列に)接続される構成を示す趣旨である。同様に、「相互に並列に接続される」とは、トランジスタの入力端子(例えば、ソース端子)から出力端子(例えば、ドレイン端子)へ至る電流パスを一構成要素としてみた場合に、当該構成要素が並列に(例えば、電気的に並列に)接続される構成を示す趣旨である。
本発明では特に、第2回路部分に含まれる複数の第2型トランジスタの夫々には、動作点補償素子が接続されている。言い換えれば、第2回路部分に含まれる複数の第2型トランジスタのうち対応する第2型トランジスタに直列に接続される動作点補償素子を、第2回路部分に含まれる複数の第2型トランジスタの数だけ含む第3回路部分が、第2回路部分に直列に接続されている。動作点補償素子は、第1回路部分の動作点と、第2回路部分及び第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃えるための回路素子である。
ここで、第1回路部分は相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタを含んでいるため、第1電圧源から供給される第1電位信号が第1回路部分を介して出力されるためには(つまり、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタの全てが充電されるためには)、第1型トランジスタの直列接続の段数に応じた時間を要する。
一方で、第2回路部分は相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタを含んでいるため、第2回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数は第1回路部分における第1型トランジスタの直列接続の段数より少ない。このため、仮に動作点補償素子を含む第3回路部分を備えていなければ、第2電圧源から供給される第2電位信号が第2回路部分を介して出力されるために要する時間(つまり、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタの少なくとも1つが充電されるために要する時間)は、第1電圧源から供給される第1電位信号が第1回路部分を介して出力されるために要する時間よりも短くなってしまいかねない。つまり、論理回路への入力信号に対して、論理回路からの出力信号のバラつき(例えば、出力信号の立ち上がり又は立ち下がりのタイミングのずれ)が発生してしまう。これは、相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタの夫々の充電速度が相対的に遅い場合若しくは相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタの夫々の充電速度が相対的に速い場合、又は相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタの夫々の特性にバラつきがある場合に特に顕著になる。
しかるに、本発明においては、動作点補償素子が第2型トランジスタに直列に接続されているため、第1回路部分の動作点と、第2回路部分及び第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃えることができる。従って、論理回路への入力信号に対して、第1電圧源から供給される第1電位信号が第1回路部分を介して出力されるために要する時間と第2電圧源から供給される第2電位信号が第2回路部分及び第3回路部分を介して出力されるために要する時間とは概ね同一となる。これは、実質的には、動作点補償素子を設けることによって、第2回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数を実質的に増加させた状態と同視することができる状態を実現しているとも言える。これにより、本発明に係る論理回路からの出力信号(特に、そのパルス幅)にバラつきが生ずるという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。これに伴って、複数の論理回路の夫々から出力信号が出力されるタイミングが、個々の論理回路毎にばらついてしまう(例えば、論理積否定回路の出力タイミングと、論理和否定回路の出力タイミングとがずれてしまう)不都合をも相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。言い換えれば、複数の論理回路の夫々の動作点が、個々の論理回路毎にばらついてしまう不都合をも相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。
これにより、当該論理回路を備えるアドレスデコーダ回路(特に、複数の論理回路を備えるアドレスデコーダ回路)を用いたとしても、個々の論理回路の夫々の出力信号の間でもバラつきが生じてしまうという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。このため、当該アドレスデコーダ回路からの出力信号のパルス幅にバラつきが生じてしまうという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。従って、アドレスデコーダ回路からの出力信号に基づいて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択することができる。従って、電気光学装置が備える複数の画素部(つまり、画素部に内蔵されるメモリ回路)への書込み不良が生ずるという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができるため、表示品位のよい電気光学装置を提供することができる。
尚、本発明において「動作点を揃える」とは、動作点を一致させる状態の他に、当該論理回路を用いた装置の正常な動作に対して当該論理回路の出力信号が悪影響を殆ど或いは全く与えない程度に動作点を揃える(つまり、動作点が一致する状態に近づける)状態をも含んだ広い趣旨である。
本発明の論理回路の一の態様では、前記動作点補償素子は、少なくとも1つの前記第2型トランジスタを含む。
この態様によれば、第1回路部分における第1型トランジスタの直列接続の段数と、第2回路部分及び第3回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数とを概ね揃えることができる。従って、上述した各種効果を好適に享受することができる。
上述の如く動作点補償素子が少なくとも1つの第2型トランジスタを含む論理回路の態様では、前記第1回路部分は、k(但し、kは2以上の整数)個の前記第1型トランジスタを含んでおり、前記第2回路部分は、k個の前記第2型トランジスタを含んでおり、前記動作点補償素子は、相互に直列に接続されたk−1個の前記第2型トランジスタを含むように構成してもよい。
このように構成すれば、第1回路部分における第1型トランジスタの直列接続の段数がk段である場合に、第2回路部分及び第3回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数をk段(つまり、第2回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数である1段と、第3回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数であるk−1段との和であるk段)にすることができる。このため、第1回路部分における第1型トランジスタの直列接続の段数と、第2回路部分及び第3回路部分における第2型トランジスタの直列接続の段数とを概ね揃えることができる。従って、上述した各種効果を好適に享受することができる。
上述の如く第1回路部分がk個の第1型トランジスタを含み、第2回路部分がk個の第2型トランジスタを含み且つ動作点補償素子が相互に直列に接続されたk−1個の第2型トランジスタである論理回路の態様では、当該論理回路は、k個の入力端子と1個の出力端子とを備え、当該論理回路のk個の入力端子の夫々は、前記第1回路部分が含む前記k個の第1型トランジスタのうちの対応する第1型トランジスタ、前記第2回路部分が含む前記k個の第2型トランジスタのうちの対応する第2型トランジスタ、及び前記第3回路部分が含む前記動作点補償素子のうちの前記対応する第2型トランジスタに直列に接続される動作点補償素子が含む前記k−1個の第2型トランジスタの夫々のゲート端子に接続され、当該論理回路の1個の出力端子が、前記第1回路部分と前記第2回路部分との接続部分に接続されているように構成してもよい。
このように構成すれば、k個の入力端子と1個の出力端子とを備えるNAND回路(例えば、正論理論理積否定回路や負論理論理積否定回路)を実現することができると共に、当該NAND回路においても上述した各種効果を好適に享受することができる。
本発明の論理回路の他の態様では、前記第1型トランジスタは、pチャネル型トランジスタ及びnチャネル型トランジスタのいずれか一方であり、前記第2型トランジスタは、前記pチャネル型トランジスタ及び前記nチャネル型トランジスタのいずれか他方である。
この態様によれば、pチャネル型トランジスタ及びnチャネル型トランジスタを用いた論理回路を実現することができる共に、当該論理回路においても上述した各種効果を好適に享受することができる。
本発明の論理回路の他の態様では、前記第1型トランジスタ及び前記第2型トランジスタは、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)である。
トランジスタ(特に、TFT素子)においては、通常の半導体を用いたIC(特に、アナログ回路に用いられるIC)と比較して、出力(特に、オン電流)のバラつきが数倍程度のオーダーで大きくなる。また、トランジスタ(特に、TFT素子)は、一般的にガラス基板上に形成されることが多いがゆえにホットキャリアを逃がしにくく、結果として、その出力のバラつきが大きくなりやすい。このようなトランジスタ(特に、TFT素子)の特性を考慮すれば、トランジスタ(特に、TFT素子)を用いて上述した構成の論理回路を構成することは、通常の半導体を用いたICにおける論理回路と比較して、より一層顕著な効果が得られる。
本発明の論理回路の他の態様では、前記論理回路は、複数の画素部が配列されてなる電気光学装置に対して、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を出力するアドレスデコーダ回路に用いられる。
この態様によれば、当該論理回路を備えるアドレスデコーダ回路(特に、複数の論理回路を備えるアドレスデコーダ回路)を用いたとしても、アドレスデコーダ回路からの出力信号に基づいて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択することができる。従って、上述したように、表示品位のよい電気光学装置を提供することができる。
(アドレスデコーダ回路)
本発明のアドレスデコーダ回路は、複数の画素部が配列されてなる電気光学装置に対して、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を出力するアドレスデコーダ回路であって、上述した本発明の論理回路(但し、その各種態様を含む)を複数備える。
本発明のアドレスデコーダ回路は、複数の画素部が配列されてなる電気光学装置に対して、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を出力するアドレスデコーダ回路であって、上述した本発明の論理回路(但し、その各種態様を含む)を複数備える。
本発明のアドレスデコーダ回路によれば、上述したように、複数の論理回路を備えるアドレスデコーダ回路を用いたとしても、アドレスデコーダ回路からの出力信号に基づいて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択することができる。従って、上述したように、表示品位のよい電気光学装置を提供することができる。
本発明のアドレスデコーダ回路の一の態様では、前記複数の画素部は、前記電気光学装置が備える複数のX選択線と複数のY選択線との交差に対応して設けられ、前記アドレスデコーダ回路は、2つの入力端子及び1つの出力端子を備える前記論理回路である2入力1出力論理回路を複数備えると共に、前記所望の位置を指定する位置信号が入力される少なくとも1つのプリデコーダ回路と、4つの入力端子及び1つの出力端子を備える前記論理回路である4入力1出力論理回路を備えると共に、前記プリデコーダ回路の出力を入力信号として、前記複数のX選択線のうちの前記所望の位置に対応するX選択線にX選択信号を出力する、又は前記複数のY選択線のうちの前記所望の位置に対応するY選択線にY選択信号を出力する少なくとも一つのデコーダ回路とを備える。
この態様によれば、上述したように、複数の2入力1出力論理回路を備えるプリデコーダ回路及び4入力1出力論理回路を備えるデコーダ回路を含むアドレスデコーダ回路を用いたとしても、アドレスデコーダ回路からの出力信号に基づいて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択することができる。従って、上述したように、表示品位のよい電気光学装置を提供することができる。
上述の如くプリデコーダ回路とを備えるアドレスデコーダ回路の態様では、前記プリデコーダ回路は、4つの前記2入力1出力論理回路を備え、前記4つの2入力1出力論理回路の夫々は、相互に直列に配列された2つの前記第1型トランジスタを含む前記第1回路部分及び相互に並列に配列された2つの前記第2型トランジスタを含む前記第2回路部分の夫々を含み、且つ前記第2回路部分に含まれる前記2つの第2型トランジスタの夫々に1つの前記第2型トランジスタが前記第3回路部分として更に直列に接続されるように構成してもよい。
このように構成すれば、上述した各種効果を好適に享受しつつ、複数の2入力1出力論理回路を備えるプリデコーダ回路を用いて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択するための選択信号をデコーダ回路が出力するために必要な信号を、デコーダ回路に対して好適に供給することができる。
尚、この構成では、前記プリデコーダ回路へ入力される第1入力信号が前記4つの2入力1出力論理回路のうちの第1の2入力1出力論理回路及び第2の2入力1出力論理回路の夫々(特に、それらが備える第1型トランジスタ及び第2型トランジスタの夫々のゲート端子、以下同じ)に入力され、前記第1入力信号の反転信号が前記4つの2入力1出力論理回路のうちの第3の2入力1出力論理回路及び第4の2入力1出力論理回路の夫々に入力され、前記プリデコーダ回路へ入力される第2入力信号が前記第1の2入力1出力論理回路及び前記第3の2入力1出力論理回路の夫々に入力され、前記第2入力信号の反転信号が前記第2の2入力1出力論理回路及び前記第4の2入力1出力論理回路の夫々に入力されるように構成してもよい。また、この場合、プリデコーダ回路からの出力は、4つの2入力1出力論理回路の夫々の出力(つまり、4つの2入力1出力論理回路の夫々が備える第1回路部分と第2回路部分との接続部分の出力)となる。
上述の如くデコーダ回路を備えるアドレスデコーダ回路の態様では、前記デコーダ回路は、1つの前記4入力1出力論理回路を備え、前記第2論理回路は、相互に直列に配列された4つの前記第1型トランジスタを含む前記第1回路部分及び相互に並列に配列された4つの前記第2型トランジスタを含む前記第2回路部分の夫々を含み、且つ前記第2回路部分に含まれる前記4つの第2型トランジスタの夫々に3つの前記第2型トランジスタが前記第3回路部分として更に直列に接続されるように構成してもよい。
このように構成すれば、上述した各種効果を好適に享受しつつ、4入力1出力論理回路を備えるデコーダ回路を用いて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択するための選択信号を好適に出力することができる。
(電気光学装置)
本発明の電気光学装置は、複数のX選択線と、複数のY選択線と、前記複数のX選択線と前記複数のY選択線との交差に対応して設けられる複数の画素部と、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を、前記複数のX選択線のうちの前記所望の位置に対応するX選択線及び前記複数のY選択線のうちの前記所望の位置に対応するY選択線の少なくとも一方に出力するアドレスデコーダ回路とを備え、前記アドレスデコーダ回路は、上述した本発明のアドレスデコーダ回路(但し、その各種態様を含む)である。
本発明の電気光学装置は、複数のX選択線と、複数のY選択線と、前記複数のX選択線と前記複数のY選択線との交差に対応して設けられる複数の画素部と、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を、前記複数のX選択線のうちの前記所望の位置に対応するX選択線及び前記複数のY選択線のうちの前記所望の位置に対応するY選択線の少なくとも一方に出力するアドレスデコーダ回路とを備え、前記アドレスデコーダ回路は、上述した本発明のアドレスデコーダ回路(但し、その各種態様を含む)である。
本発明の電気光学装置によれば、アドレスデコーダ回路から、複数のX選択線のうちの所望の位置に対応するX選択線に対して選択信号(具体的には、選択状態であることを示す選択信号であって、例えば、ハイレベルの選択信号)が出力される。同様に、アドレスデコーダ回路から、複数のY選択線のうちの所望の位置に対応するY選択線に対して選択信号が出力される。その結果、選択信号が出力されるX選択線とY選択線との交差位置に対応する画素部(つまり、所望の位置の画素部)が選択される。そして、選択された画素部に対してデータ信号の書込みを行うと共に、適宜選択される画素部を切り替えることで、所望の画像を表示することができる。
特に、本発明の電気光学装置では、上述した本発明のアドレスデコーダ回路を備えているため、上述したように、複数の論理回路を備えるアドレスデコーダ回路を用いたとしても、アドレスデコーダ回路からの出力信号に基づいて、複数の画素部のうちの所望の画素部を好適に選択することができる。従って、上述したように、表示品位のよい電気光学装置を提供することができる。
尚、本発明における「画素部」とは、単一の画素を示す他に、複数の画素を1群として構成される画素ブロックをも示す広い趣旨である。
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記複数の画素部の夫々は、電気光学物質と、前記電気光学物質に対して電界を印加するための画素電極と、夫々の画素部に供給されるデータ信号を保持するメモリ回路と、前記メモリ回路に保持される前記データ信号に基づいて前記電気光学物質を駆動する信号を前記画素電極に選択的に供給する選択回路とを備える。
この態様によれば、メモリ回路に保持されたデータ信号(例えば、データビット)に従って画素部を駆動させることができる。このため、状態を変更する必要のない画素部に対しては、メモリ回路をリフレッシュする必要がなくなる。このため、静止画を表示する場合であれば、駆動回路等を動作させる必要がなくなる。従って、その分だけ低消費電力化を図ることができる。
(電子機器)
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備える。
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備える。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置(或いは、その各種態様)備えているため、上述した本発明の電気光学装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる。つまり、上述した本発明の電気光学装置が享受する各種効果と同様の効果を享受することができる投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現することができる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下では、本発明に係る電気光学装置の一例として、液晶装置を用いて説明を進める。また、このような液晶装置として、各種TFTや画素電極が形成されたTFTアレイ基板と、共通電極が形成された対向基板とが、互いに電極形成面が対向するように且つ一定の間隙を保つように貼り合わせられると共に、この間隙に液晶が挟持された構成を採用する液晶装置を例にあげて説明する。
(1)液晶装置の基本構成
初めに、図1を参照して、本実施形態に係る液晶装置の基本構成(特に、電気的な構成)について説明する。ここに、図1は、本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
初めに、図1を参照して、本実施形態に係る液晶装置の基本構成(特に、電気的な構成)について説明する。ここに、図1は、本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
図1に示すように、本実施形態に係る液晶装置1の表示領域100では、240行のY選択線Y311が、夫々行方向(X方向)に延在するように形成されている。また、120列のX選択線411が、夫々列方向(Y方向)に延在するように形成されている。画素ブロック10は、240行のY選択線311の夫々と120列のX選択線411の夫々との交差に対応して設けられる。このため、本実施形態に係る液晶装置1においては、画素ブロック10は、表示領域100において、縦240行×横120列で配列されている。
Yアドレスデコーダ30は、図示省略した上位制御回路から供給されるYアドレス信号ADYで指定された行のY選択線311に対して、ハイレベルの行選択信号を排他的に出力する。尚、図1においては、便宜的に、表示領域100において、上から数えて1行目、2行目、3行目、・・・、240行目のY選択線311に供給される行選択信号をY1、Y2、Y3、・・・、Y240と表記する。尚、行選択信号について、特に行を特定しないで一般的に説明するときには、Yiと表記する。ここで、iは、0≦i≦240を満たす整数である。
一方、Xアドレスデコーダ40は、図示省略した上位制御回路から供給されるXアドレス信号ADXで指定された列のX選択線411に対して、ハイレベルの列選択信号を排他的に出力する。尚、図1においては、便宜的に、表示領域100において、左から数えて1列目、2列目、3列目、・・・、120列目のX選択線411に供給される列選択信号をX1、X2、X3、・・・、X120と表記する。尚、列選択信号について、特に列を特定しないで一般的に説明するときには、Xjと表記する。ここで、jは、0≦j≦120を満たす整数である。
複数の画素ブロック10の夫々は、構成的には互いに同一であり、X方向に沿って配列する8個の画素回路20から構成される。このため、本実施形態に係る液晶装置1においては、画素回路20は、表示領域100において、縦240行×横960列のマトリクス状に配列されている。
続いて、図2及び図3を参照して、画素回路20の詳細な構成について説明を進める。ここに、図2は、画素回路20の構成を概念的に示す回路図であり、図3は、画素回路20に供給される信号の一部を示すタイミングチャートである。尚、各画素回路20は、構成的には互いに同一であることから、説明の簡略化のために、i行目のY選択線311とj行目のX選択線411との交差に対応する画素ブロック10の中の1列目の画素回路20を代表例として用いて説明を進める。また、例えば、RGBの3つの画素で1つの色を表す場合には、各画素回路20は、1つの色を構成する3つの画素のうちの1つのサブ画素に相当する。
図2に示すように、マトリクス状に配列する画素回路20においては、ビット線421及び相補ビット線422が、Y方向に延在するように且つ画素回路20の列毎に形成されている。上述したように、本実施形態においては、横960列の画素回路20が形成されているため、ビット線421及び相補ビット線422についても960組形成される。
尚、便宜的に、表示領域100において、左から数えて1列目、2列目、3列目、・・・、960列目のビット線421に供給されるデータビットを、D1、D2、D3、・・・、D960と表記する。同様に、便宜的に、表示領域100において、左から数えて1列目、2列目、3列目、・・・、960列目の相補ビット線422に供給されるデータビット(反転データビット)を、/D1、/D2、/D3、・・・、/D960と表記する。このような表記を用いると、j列目の画素ブロック10については、(8j−7)列目から(8j)列目までのビット線421及び相補ビット線422が対応する。従って、j列目の画素ブロック10の中の1列目の画素回路20については、(8j−7)列目のビット線421及び相補ビット線422が対応する。
画素回路20は、スタティック型のメモリ回路21と、選択回路22と、液晶素子23とを備えている。
メモリ回路21は、スイッチング素子として機能するnチャネル型の薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下、単位“TFT”と称する)211と、TFT212と、TFT213と、TFT214と、インバータ回路215と、インバータ回路216とを備えている。TFT211については、ソース端子がビット線421に接続され、ドレイン端子がTFT212のソース端子に接続され、ゲート端子がY選択線311に接続されている。TFT212については、ドレイン端子がインバータ回路215の入力端子に接続され、ゲート端子がX選択線411に接続されている。インバータ回路215の出力端子は、インバータ回路216の入力端子に接続され、インバータ回路216の出力端子は、インバータ回路215の入力端子に正帰還されている。
ここで、インバータ回路215の入力端子(言い換えれば、インバータ回路216の出力端子)を、メモリ回路21の正転端子Qとし、インバータ回路216の入力端子(言い換えれば、インバータ回路215の出力端子)を、メモリ回路21の反転端子/Qとする。
尚、メモリ回路21は相補型であるため、TFT213については、ソース端子が相補ビット線422に接続され、ドレイン端子がTFT214のソース端子に接続され、ゲート端子がY選択線311に接続されている。TFT214については、ドレイン端子がインバータ回路215の出力端子に接続され、ゲート端子がX選択線411に接続されている。
このようなメモリ回路21は、Y選択線311に供給される行選択信号Yiがハイレベルになり且つX選択線411に供給される列選択信号Xjがハイレベルになったときに、TFT211、TFT212、TFT213及びTFT214の夫々が同時にオン状態となる。その結果、ビット線421に供給されるデータビットD(8j−7)を端子Qにおいて保持する一方で、当該ビットを論理反転した反転データビット/D(8j−7)を端子/Qにおいて保持する。
選択回路22は、トランスミッションゲート221と、トランスミッションゲート222とを備える。トランスミッションゲート221の入力端子には信号Fが供給される一方で、トランスミッションゲート222の入力端子には信号/Fが供給される。また、トランスミッションゲート221の出力端子及びトランスミッションゲート222の出力端子の夫々は、画素回路20毎に個別に形成される画素電極231に接続されている。また、トランスミッションゲート221の正転制御ゲート及びトランスミッションゲート222の反転制御ゲートの夫々は、メモリ回路21の端子Qに接続される一方で、トランスミッションゲート221の反転制御ゲート及びトランスミッションゲート222の正転制御ゲートの夫々は、メモリ回路21の端子/Qに接続される。ここで、信号F及び信号/Fは、液晶素子23を駆動させるための交流信号であり、不図示の上位制御回路から各画素回路20に対して共通に供給される。また、信号/Fは、信号Fの反転信号に相当する。
トランスミッションゲート221及びトランスミッションゲート222の夫々では、正転制御ゲートがハイレベルであり且つ反転制御ゲートがローレベルであるときに、入力端子と出力端子との間がオン状態(導通状態)となる。従って、メモリ回路21の端子Qがハイレベルである場合には、トランスミッションゲート221がオン状態となり且つトランスミッションゲート222がオフ状態となるため、信号Fが画素電極231に印加される。メモリ回路21の端子Qがローレベルである場合には、トランスミッションゲート221がオフ状態となり且つトランスミッションゲート222がオン状態となるため、信号/Fが画素電極231に印加される。
液晶素子23は、画素回路20毎に個別の画素電極231と、全ての画素回路20に対して共通して形成される共通電極231と、画素電極231と共通電極との間に挟持される液晶233とを備える。
本実施形態においては、共通電極232には、図3に示すように、1フレーム(1F:約16.7ミリ秒)毎に極性反転する信号LCcomが印加されている。信号LCcomは、信号F及び信号/Fと同様に、上位制御回路から各画素回路20に対して共通に供給される。図3に示すように、信号Fは、信号LCcomとは論理レベルを反転した関係にある一方で、信号/Fは、信号LCcomとは論理レベルが同一の関係にある。尚、信号F、信号/F及び信号LCcomの夫々は、ハイレベルのときに電源電圧Vddをとり、ローレベルのときに接地電位Gnd(或いは、電源電圧Vddよりも低い他の電源電圧Vss)をとる。
従って、メモリ回路21の端子Qがハイレベルである場合には、信号Fが画素電極231に印加される。このため、液晶233に印加される電圧VLCは、電源電圧Vddとなるため、ノーマリーホワイトモードであれば、その画素回路20は暗いオン状態となる。
他方、メモリ回路21の端子Qがローレベルである場合には、信号/Fが画素電極231に印加される。このため、液晶233に印加される電圧VLCは、電源電圧0となるため、ノーマリーホワイトモードであれば、その画素回路20は明るいオフ状態となる。
再び図1において、サンプルホールド回路50は、Xアドレスデコーダ40によって選択されたX選択線411に対応する8列のビット線421に、上位制御回路から供給される8個のデータビットDをサンプリングして夫々転送すると共に、当該8個のデータビットDを夫々論理反転して、Xアドレスデコーダ40によって選択されたX選択線411に対応する8列の相補ビット線422に供給する。
尚、本実施形態において、Yアドレスデコーダ30や、Xアドレスデコーダ40や、サンプルホールド回路50及び画素ブロック10における素子構成は、全て低温ポリシリコンプロセスにより同時に形成することができる。
(2)液晶装置の基本動作
続いて、本実施形態に係る液晶装置1の動作について、以下に説明する。
続いて、本実施形態に係る液晶装置1の動作について、以下に説明する。
まず、液晶装置1では、各画素回路のメモリ回路21にデータビットDが保持された状態が前提となるため、このメモリ回路21へのデータビットDの保持動作について説明を進める。
本実施形態では、メモリ回路21に対するデータビットDの保持動作は、画素ブロック10の単位で実行される。ここで、例えば、i行j列の画素ブロック10における8個の画素回路20に対してデータビットD(8j−7)からデータビットD(8j)を保持させる場合、上位制御回路は、i行目を指定するYアドレス信号ADYをYアドレスデコーダ30に供給すると共に、j列目を指定するXアドレス信号ADXをXアドレスデコーダ40に供給する。更に、上位制御回路は、i行j列の画素ブロック10における8個の画素回路20(つまり、i行目の画素ブロック10に属すると共に、(8j−7)列目から8j列目までの8つの画素回路20)に保持されるべきデータビットD(8j−7)からデータビットD(8j)をサンプルホールド回路50へ供給する。
このj列目を指定するXアドレス信号ADXに基づいて、Xアドレスデコーダ40は、列選択信号Xjをハイレベルとする。これに伴い、サンプルホールド回路50は、保持させるべきデータビットD(8j−7)からデータビットD(8j)をサンプリングして、j列目の画素ブロック10に対応する8つのビット線421に供給すると共に、データビットD(8j−7)からデータビットD(8j)の反転データビット/D(8j−7)から反転データビット/D(8j)をj列目の画素ブロック10に対応する8つの相補ビット線422に供給する。尚、サンプルホールド回路50は、j列目の画素ブロック10に対応する8組のビット線421及び相補ビット線422以外のビット線421及び相補ビット線422に対しては、データビットDを何ら供給することはない。
一方、i列目を指定するYアドレス信号ADYに基づいて、Yアドレスデコーダ30は、列選択信号Yiをハイレベルとする。
i行j列の画素ブロック10における8個の画素回路20では、行選択信号Yiがハイレベルとなるため、TFT211及びTFT213がオン状態となり、且つ列選択信号Xjがハイレベルとなるため、TFT212及びTFT214がオン状態となる。このため、ビット線421に供給されたデータビットDが端子Qに書き込まれると共に、相補ビット線422に供給された反転データビット/Dが端子/Qに書き込まれる。
この状態において、行選択信号Yi及び列選択信号Xjの一方又は双方がローレベルになると、i行j列の画素ブロック10における8個の画素回路20では、TFT211及びTFT213並びにTFT212及びTFT214の一方又は双方がオフ状態となる。このため、メモリ回路21において、端子Qがビット線421から電気的に切り離されると共に端子/Qが相補ビット線422から電気的に切り離されることになるが、メモリ回路21は、書き込まれたデータビットD及び反転データビット/Dを端子Q及び端子/Qにおいて保持し続ける。
尚、行選択信号Yjがハイレベルであり且つ列選択信号Xjがハイレベルである場合には、i行j列の画素ブロック10以外の画素ブロック10における画素回路20においては、行選択信号及び列選択信号の一方又は双方がローレベルである。このため、i行j列の画素ブロック10以外の画素ブロック10における画素回路20においては、TFT211及びTFT213並びにTFT212及びTFT214の一方又は双方がオフ状態となる。従って、i行j列の画素ブロック10以外の画素ブロック10における画素回路20のメモリ回路21においては、端子Qがビット線421から電気的に切り離されるか、又は端子/Qが相補ビット線422から電気的に切り離されることになる。このため、i行j列の画素ブロック10以外の画素ブロック10における画素回路20においては、ビット線421及び相補ビット線422の電圧状態とは無関係に、当該画素回路20のメモリ回路21に保持されているデータビットD及び反転データビット/Dを端子Q及び端子/Qにおいて保持し続ける。
液晶装置1の電源投入直後にあっては、このような画素回路20(特に、画素回路20が備えるメモリ回路21)への書込み動作が、全ての画素回路20(言い換えれば、全ての画素ブロック10)に対して実行される。これにより、全ての画素回路20におけるメモリ回路21において、ハイレベル又はローレベルのいずれかのデータビットDが保持される。
また、表示内容が変更されるときにも、変更後の表示内容を規定するデータビットDが8ビット分まとめて、Xアドレス信号ADX及びYアドレス信号ADYと共に、上位制御回路から供給される。その結果、当該Xアドレス信号ADX及びYアドレス信号ADYにて指定される画素ブロック10における8個の画素回路20の夫々が備えるメモリ回路21に保持されたデータビットが書き換えられる。
次に、このような各画素回路20においてデータビットDが保持された場合に、液晶素子23がどのように駆動するかという観点から、液晶装置1の動作について説明する。
まず、画素回路20のメモリ回路21における端子QにハイレベルのデータビットDが保持されている(つまり、端子/Qにローレベルの反転データビット/Dが保持されている)場合について説明する。この場合、トランスミッションゲート221がオン状態となり且つトランスミッションゲート222がオフ状態となるため、共通電極232に供給される信号LCcomと論理反転の関係にある信号Fが画素電極231に印加される。従って、液晶233に印加される電圧VLCが電源電圧Vddとなるため、ノーマリーホワイトモードであれば、その画素回路20は暗いオン状態となる。
他方、画素回路20のメモリ回路21における端子QにローレベルのデータビットDが保持されている(つまり、端子/Qにハイレベルの反転データビット/Dが保持されている)場合について説明する。この場合、トランスミッションゲート221がオフ状態となり且つトランスミッションゲート222がオン状態となるため、共通電極232に供給される信号LCcomと同一論理の関係にある信号/Fが画素電極231に印加される。従って、液晶233に印加される電圧VLCが0となるため、ノーマリーホワイトモードであれば、その画素回路20は明るいオフ状態となる。
このようなオン状態及びオフ状態のいずれかの状態が、メモリ回路21におけるデータビットDの保持状態に応じて、全ての画素回路20において実現されることで、所定の画像が表示される。
(3)アドレスデコーダ回路の構成
続いて、図4から図6を参照して、液晶装置1が備える構成要素のうちのYアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40の夫々の詳細な構成について説明する。ここに、図4は、アドレスデコーダの基本構成を概念的に示すブロック図であり、図5は、アドレスデコーダが備えるプリデコーダ回路のより詳細な構成を示す回路図であり、図6は、アドレスデコーダが備えるデコーダ回路のより詳細な構成を示す回路図である。尚、Yアドレスデコーダ30とXアドレスデコーダ40とは、基本的な構成は同一であるため、以下の説明では、Yアドレスデコーダ30をアドレスデコーダの代表例として説明を進める。
続いて、図4から図6を参照して、液晶装置1が備える構成要素のうちのYアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40の夫々の詳細な構成について説明する。ここに、図4は、アドレスデコーダの基本構成を概念的に示すブロック図であり、図5は、アドレスデコーダが備えるプリデコーダ回路のより詳細な構成を示す回路図であり、図6は、アドレスデコーダが備えるデコーダ回路のより詳細な構成を示す回路図である。尚、Yアドレスデコーダ30とXアドレスデコーダ40とは、基本的な構成は同一であるため、以下の説明では、Yアドレスデコーダ30をアドレスデコーダの代表例として説明を進める。
図4に示すようにYアドレスデコーダ30は、Yアドレス信号ADYが入力されるプリデコーダ回路部分32と、プリデコーダ回路部分32の出力に基づいて、Yアドレス信号ADYで指定された行のY選択線311に対してハイレベルの行選択信号を排他的に出力するデコーダ回路部分330とを備えている。
プリデコーダ回路部分32は、複数のプリデコーダ回路320を備えている。Yアドレス信号ADYは、s個のビットを含むビット列{ADY_b(1)、ADY_b(2)、・・・、ADY_b(s)}として、プリデコーダ回路部分32に入力される。そして、このs個のビットを含むビット列は、各プリデコーダ回路320に2ビットずつ入力される。つまり、各プリデコーダ回路320は、2つの入力端子を備えている。また、各プリデコーダ回路320は、4つの出力端子を備えており、入力される2ビットのYアドレス信号を4ビットのYプリデコード信号PDYに変換する。つまり、プリデコーダ回路部分32においては、s個のビットを含むYアドレス信号ADY={ADY_b(1)、ADY_b(2)、・・・、ADY_b(s)}が、2s個のビットを含むYプリデコード信号ADYpd={ADYpd_b(1)、ADYpd_b(2)、・・・、ADYpd_b(2s)}に変換される。Yプリデコード信号ADYpdは、デコーダ回路部分33へ入力される。
図5に示すように、プリデコーダ回路320は、正論理NAND回路321と、正論理NAND回路322と、正論理NAND回路323と、正論理NAND回路324と、インバータ325と、インバータ326と、インバータ327と、インバータ328とを備えている。プリデコーダ回路320の第1入力端子IN1(PD)には、正論理NAND回路321の第1入力端子と、正論理NAND回路322の第1入力端子と、インバータ326の入力端子と、インバータ327の入力端子とが電気的に接続されている。また、プリデコーダ回路320の第2入力端子IN2(PD)には、正論理NAND回路321の第2入力端子と、インバータ325の入力端子と、正論理NAND回路323の第2入力端子と、インバータ328の入力端子とが電気的に接続されている。インバータ325の出力端子には、正論理NAND回路322の第2入力端子が電気的に接続されている。インバータ326の出力端子には、正論理NAND回路323の第1入力端子が電気的に接続されている。インバータ327の出力端子には、正論理NAND回路324の第1入力端子が電気的に接続されている。インバータ328の出力端子には、正論理NAND回路324の第2入力端子が電気的に接続されている。正論理NAND回路321の出力端子は、プリデコーダ回路320の第1出力端子OUT1(PD)となる。正論理NAND回路322の出力端子は、プリデコーダ回路320の第2出力端子OUT2(PD)となる。正論理NAND回路323の出力端子は、プリデコーダ回路320の第3出力端子OUT3(PD)となる。正論理NAND回路324の出力端子は、プリデコーダ回路320の第4出力端子OUT4(PD)となる。
再び図4において、デコーダ回路部分33は、240行のY選択線311の夫々に対応するように240個のデコーダ回路330を備えている。つまり、各デコーダ回路330は、1つの出力端子を備えており、該出力端子が240行のY選択線311のうちの対応する1つのY選択線に接続されている。また、各デコーダ回路330は、4つの入力端子を備えており、プリデコーダ回路32部分より出力されるYプリデコード信号ADYpd={ADYpd_b(1)、ADYpd_b(2)、・・・、ADYpd_b(2s)}のうちの4つのビットが入力される。具体的には、図6に示すように、デコーダ回路330は、4つの入力端子IN1(D)からIN4(D)及び1つの出力端子OUT(D)を備える、正論理NAND回路から構成される。
続いて、図7及び図8を参照して、プリデコーダ回路320が備える正論理NAND回路(2入力1出力NAND回路)321から324及びデコーダ回路330を構成する正論理NAND回路(4入力1出力NAND回路)の夫々の詳細な構成について説明する。ここに、図7は、プリデコーダ回路320が備える正論理NAND回路321の詳細な構成をトランジスタレベルで示す回路図であり、図8は、デコーダ回路330を構成する正論理NAND回路の詳細な構成をトランジスタレベルで示す回路図である。
図7に示すように、正論理NAND回路321は、pチャネル型TFT3211と、pチャネル型TFT3212と、pチャネル型TFT3213と、pチャネル型TFT3214と、nチャネル型TFT3215と、nチャネル型TFT3216とを備えている。
pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212の夫々のソース端子には、電源電圧Vddが供給される。pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212の夫々のドレイン端子には、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の夫々のソース端子が電気的に接続されている。pチャネル型TFT3211のゲート端子には、正論理NAND回路321の第1入力端子IN11が電気的に接続されている。pチャネル型TFT3212のゲート端子には、正論理NAND回路321の第2入力端子IN12が電気的に接続されている。
pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の夫々のドレイン端子には、nチャネル型TFT3215のドレイン端子及び正論理NAND回路321の出力端子OUT11の夫々が電気的に接続されている。pチャネル型TFT3213のゲート端子には、正論理NAND回路321の第1入力端子IN11が電気的に接続されている。pチャネル型TFT3214のゲート端子には、正論理NAND回路321の第2入力端子IN12が電気的に接続されている。
nチャネル型TFT3215のソース端子には、nチャネル型TFT3216のドレイン端子が電気的に接続されている。nチャネル型TFT3215のゲート端子には、正論理NAND回路321の第1入力端子IN11が電気的に接続されている。
nチャネル型TFT3216のソース端子には、電源電圧Vss(但し、電源電圧Vssの電位は、電源電圧Vddの電位よりも低い)又は接地電位GNDが供給されている。nチャネル型TFT3216のゲート端子には、正論理NAND回路321の第2入力端子IN12が電気的に接続されている。
尚、正論理NAND回路322から324についても、図7に示した正論理NAND回路321と同一の回路構成を採用している。また、図7においては、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216を含む回路系が、本発明における「第1回路部分」の一具体例を構成している。pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214を含む回路系が、本発明における「第2回路部分」の一具体例を構成している。pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212を含む回路系が、本発明における「第3回路部分」の一具体例を構成すると共に、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212の夫々が、本発明における「動作点補償素子」の一具体例を構成している。
この正論理NAND回路321は以下のように動作する。
まず、第1入力端子IN11にローレベルの信号が入力し且つ第2入力端子IN12にローレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3211、pチャネル型TFT3212、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の夫々がオン状態になると共に、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の夫々がオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212の少なくとも一方並びにpチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の少なくとも一方の夫々が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vdd(つまり、ハイレベルの信号)が出力端子OUT11より出力される。つまり、直列に接続された2つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
また、第1入力端子IN11にローレベルの信号が入力し且つ第2入力端子IN12にハイレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3213並びにnチャネル型TFT3216の夫々がオン状態になると共に、pチャネル型TFT3212及びpチャネル型TFT3214並びにnチャネル型TFT3215の夫々がオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3213が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vddが出力端子OUT11より出力される。つまり、直列に接続された2つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
また、第1入力端子IN11にハイレベルの信号が入力し且つ第2入力端子IN12にローレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3212及びpチャネル型TFT3214並びにnチャネル型TFT3215の夫々がオン状態になると共に、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3213並びにnチャネル型TFT3216の夫々がオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3212及びpチャネル型TFT3214が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vddが出力端子OUT11より出力される。つまり、直列に接続された2つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
また、第1入力端子IN11にハイレベルの信号が入力し且つ第2入力端子IN12にハイレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3211、pチャネル型TFT3212、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の夫々がオフ状態になると共に、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の夫々がオン状態となる。従って、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の夫々が電源電圧Vssにて充電された後、電源電圧Vss又は接地電位GND(つまり、ローレベルの信号)が出力端子OUT11より出力される。つまり、直列に接続された2つのnチャネル型TFTの充電が完了した後に、ローレベルの信号が出力される。
続いて、図8に示すように、正論理NAND回路(デコーダ回路)330は、pチャネル型TFT3301と、pチャネル型TFT3302と、pチャネル型TFT3303と、pチャネル型TFT3304と、pチャネル型TFT3311と、pチャネル型TFT3312と、pチャネル型TFT3313と、pチャネル型TFT3314と、pチャネル型TFT3321と、pチャネル型TFT3322と、pチャネル型TFT3323と、pチャネル型TFT3324と、pチャネル型TFT3331と、pチャネル型TFT3332と、pチャネル型TFT3333と、pチャネル型TFT3334と、nチャネル型TFT3341と、nチャネル型TFT3342と、nチャネル型TFT3343と、nチャネル型TFT3344とを備えている。
正論理NAND回路330の出力端子OUT21と電源電圧Vddとの間には、pチャネル型TFT3301と、pチャネル型TFT3302と、pチャネル型TFT3303と、pチャネル型TFT3304とが、この順に直列接続されている。pチャネル型TFT3311(3321/3331)と、pチャネル型TFT3312(3322/3332)と、pチャネル型TFT3313(3323/3333)と、pチャネル型TFT3314(3324/3334)とについても、同様の態様で、正論理NAND回路330の出力端子OUT21と電源電圧Vddとの間において直列接続されている。
また、正論理NAND回路330の出力端子OUT21と電源電圧Vssとの間には、nチャネル型TFT3341と、nチャネル型TFT3342と、nチャネル型TFT3343と、pチャネル型TFT3344とが、この順に直列接続されている。
正論理NAND回路330の第1入力端子IN21は、pチャネル型TFT3301、pチャネル型TFT3302、pチャネル型TFT3303及びpチャネル型TFT3304並びにnチャネル型TFT3341の夫々のゲート端子と電気的に接続されている。正論理NAND回路330の第2入力端子IN22は、pチャネル型TFT3311、pチャネル型TFT3312、pチャネル型TFT3313及びpチャネル型TFT3314並びにnチャネル型TFT3342の夫々のゲート端子と電気的に接続されている。正論理NAND回路330の第3入力端子IN23は、pチャネル型TFT3321、pチャネル型TFT3322、pチャネル型TFT3323及びpチャネル型TFT3324並びにnチャネル型TFT3343の夫々のゲート端子と電気的に接続されている。正論理NAND回路330の第4入力端子IN24は、pチャネル型TFT3331、pチャネル型TFT3332、pチャネル型TFT3333及びpチャネル型TFT3334並びにnチャネル型TFT3344の夫々のゲート端子と電気的に接続されている。
尚、図8においては、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344を含む回路系が、本発明における「第1回路部分」の一具体例を構成している。pチャネル型TFT3304(3314、3324及び3334)を含む回路系が、本発明における「第2回路部分」の一具体例を構成している。pチャネル型TFT3301(3311、3321及び3331)、pチャネル型TFT3302(3312、3322及び3332)及びpチャネル型TFT3303(3313、3323及び3333)を含む回路系が、本発明における「第3回路部分」の一具体例を構成すると共に、pチャネル型TFT3301(3311、3321及び3331)、pチャネル型TFT3302(3312、3322及び3332)及びpチャネル型TFT3303(3313、3323及び3333)の夫々が、本発明における「動作点補償素子」の一具体例を構成している。
この正論理NAND回路330は以下のように動作する。
まず、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の少なくとも1つにローレベルの信号が入力する場合には、電源電圧Vddと出力端子OUT21との間においては、pチャネル型TFT3301からpチャネル型TFT3304に至る電流パス、pチャネル型TFT3311からpチャネル型TFT3314に至る電流パス、pチャネル型TFT3321からpチャネル型TFT3324に至る電流パス及びpチャネル型TFT3331からpチャネル型TFT3334に至る電流パスの少なくとも1つが形成される。他方で、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344のうちの少なくとも1つがオフ状態となるため、電源電圧Vssと出力端子OUT21との間に電流パスは形成されない。従って、pチャネル型TFT3301からpチャネル型TFT3304に至る電流パスが形成されるとすれば、pチャネル型TFT3301からpチャネル型TFT3304の夫々が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vdd(つまり、ハイレベルの信号)が出力端子OUT21より出力される。つまり、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の少なくとも1つにローレベルの信号が入力する場合には、直列に接続された4つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
また、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の全てにハイレベルの信号が入力する場合には、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344の全てがオン状態となるため、電源電圧Vssと出力端子OUT21との間に電流パスが形成される。他方で、全てのpチャネル型TFT3301(3311、3321、3331)からpチャネル型TFT3304(3314、3324、3334)がオフ状態となるため、電源電圧Vddと出力端子OUT21との間に電流パスは形成されない。従って、nチャネル型TFT3341からnチャネル型TFT3344の夫々が電源電圧Vssにて充電された後、電源電圧Vss又は接地電位GND(つまり、ローレベルの信号)が出力端子OUT21より出力される。つまり、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の全てにハイレベルの信号が入力する場合には、直列に接続された4つのnチャネル型TFTの充電が完了した後に、ローレベルの信号が出力される。
ここで、本実施形態における正論理NAND回路321(330)の技術的効果をより明確に説明するために、図9及び図10を参照して、比較例に係る正論理NAND回路について説明する。ここに、図9は、比較例に係る第1の正論理NAND回路(2入力1出力NAND回路)の詳細な構成をトランジスタレベルで示す回路図であり、図10は、比較例に係る第2の正論理NAND回路(4入力1出力NAND回路)の詳細な構成をトランジスタレベルで示す回路図である。
図9に示すように、比較例に係る第1の正論理NAND回路321aは、上述した正論理NAND回路321から、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212を取り除いた構成を有している。
この正論理NAND回路321aは、以下のように動作する。
まず、第1入力端子IN11及び第2入力端子IN12の少なくとも一方にローレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の少なくとも一方がオン状態になると共に、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の少なくとも一方がオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の少なくとも一方が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vdd(つまり、ハイレベルの信号)が出力端子OUT11より出力される。つまり、1つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
他方で、第1入力端子IN11及び第2入力端子IN12の夫々にハイレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の夫々がオフ状態になると共に、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の夫々がオン状態となる。従って、nチャネル型TFT3215及びnチャネル型TFT3216の夫々が電源電圧Vssにて充電された後、電源電圧Vss(つまり、ローレベルの信号)が出力端子OUT11より出力される。つまり、直列に接続された2つのnチャネル型TFTの充電が完了した後に、ローレベルの信号が出力される。
また、図10に示すように、比較例に係る第2の正論理NAND回路330aは、上述した正論理NAND回路330から、pチャネル型TFT3301と、pチャネル型TFT3302と、pチャネル型TFT3303と、pチャネル型TFT3311と、pチャネル型TFT3312と、pチャネル型TFT3313と、pチャネル型TFT3321と、pチャネル型TFT3322と、pチャネル型TFT3323と、pチャネル型TFT3331と、pチャネル型TFT3332と、pチャネル型TFT3333ととを省いた構成を有している。
この正論理NAND回路330aは、以下のように動作する。
まず、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の少なくとも1つにローレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3304、pチャネル型TFT3314、pチャネル型TFT3324及びpチャネル型TFT3334の少なくとも1つがオン状態となると共に、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344のうちの少なくとも1つがオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3304、pチャネル型TFT3314p、チャネル型TFT3324及びpチャネル型TFT3334の少なくとも1つが電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vdd(つまり、ハイレベルの信号)が出力端子OUT21より出力される。つまり、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の少なくとも1つにローレベルの信号が入力する場合には、1つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
また、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の全てにハイレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3304、pチャネル型TFT3314、pチャネル型TFT3324及びpチャネル型TFT3334の全てがオフ状態となると共に、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344の全てがオン状態となる。従って、nチャネル型TFT3341、nチャネル型TFT3342、nチャネル型TFT3343及びnチャネル型TFT3344の夫々が電源電圧Vssにて充電された後、電源電圧Vss(つまり、ローレベルの信号)が出力端子OUT21より出力される。つまり、第1入力端子IN21から第4入力端子IN24の全てにハイレベルの信号が入力する場合には、直列に接続された4つのnチャネル型TFTの充電が完了した後に、ローレベルの信号が出力される。
このように、比較例に係る第1の正論理NAND回路321a及び第2の正論理NAND回路330aによれば、pチャネル型TFTの直列接続の段数と、nチャネル型TFTの直列接続の段数とが等しくないため、電源電圧Vddが出力端子に出力されるまでに充電される必要があるpチャネル型TFTの数と、電源電圧Vssが出力端子に出力されるまでに充電される必要があるnチャネル型TFTの数とが等しくない。このため、任意の入力に対して、電源電圧Vddが出力されるタイミングと電源電圧Vssが出力されるタイミングとの間にずれが生じてしまう。具体的には、任意の入力がなされてから電源電圧Vssが出力端子に出力されるまでの時間は、任意の入力がなされてから電源電圧Vddが出力端子に出力されるまでの時間よりも長くなってしまう。このずれは、pチャネル型TFTの充電速度が相対的に速い場合若しくはnチャネル型TFTの充電速度が相対的に遅い場合、又は各nチャネル型TFTの特性にばらつきがある場合等において特に顕著になる。このような状態は、安定的な信号の出力という観点からは好ましくない。
しかるに、本実施形態に係る正論理NAND回路321(330)では、pチャネル型TFTの直列接続の段数と、nチャネル型TFTの直列接続の段数とが等しくなっている。その結果、電源電圧Vddが出力端子に出力されるまでに充電される必要があるpチャネル型TFTの数と、電源電圧Vssが出力端子に出力されるまでに充電される必要があるnチャネル型TFTの数とが等しくなる。このため、任意の入力に対して、電源電圧Vddが出力されるタイミングと電源電圧Vssが出力されるタイミングとが概ね一致する。これにより、本実施形態に係る正論理NAND回路321(330)からの出力信号(特に、そのパルス幅)にバラつきが生ずるという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。これに伴って、複数の正論理NAND回路321(330)の夫々から出力信号が出力されるタイミングや該出力信号のパルス幅が、個々の正論理NAND回路321(330)毎にばらついてしまう不都合をも相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。言い換えれば、複数の正論理NAND回路321(330)の夫々の動作点が、個々の正論理NAND回路321(330)毎にばらついてしまう不都合をも相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。
これにより、正論理NAND回路321(330)を多数備えるYアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40においても、Yアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40に含まれる多数の正論理NAND回路321(330)の夫々の出力信号が本来意図したタイミングで出力されない(個々の正論理NAND回路321(330)毎にばらばらのタイミングで出力されてしまう)又は出力信号のパルス幅がバラついてしまうという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。このため、Yアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40からの出力信号のパルス幅が、Y選択線311毎に或いはX選択線411毎にバラついてしまうという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができる。従って、Yアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40から、適切なパルス幅を有する行選択信号Yi及び列選択信号Xjを、各Y選択線311に或いは各X選択線411に対して供給することができる。これにより、画素ブロック10が選択されている期間(つまり、画素ブロック10に対して書込みが行われる期間)が、画素ブロック10毎にバラついてしまうという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができると共に、書込みが行われている間は確実に画素ブロック10が選択されている状態を維持することができる。従って、液晶装置1が備える複数の画素部20(つまり、画素部20に内蔵されるメモリ回路21)への書込み不良が生ずるという不都合を相応に減らす又は殆ど若しくは全くなくすことができるため、表示品位のよい液晶装置1を提供することができる。
尚、上述した説明では、正論理NAND回路の例について説明したが、負論理NAND回路においても同様の構成を採用してもよいことは言うまでもない。ここで、図11を参照して、負論理NAND回路についても簡単に説明を進める。ここに、図11は、本実施形態に係る負論理NAND回路の詳細な構成をトランジスタレベルで示す回路図である。
図11に示すように、負論理NAND回路329は、pチャネル型TFT3291と、pチャネル型TFT3292と、nチャネル型TFT3295と、nチャネル型TFT3296と、nチャネル型TFT3297と、nチャネル型TFT3298とを備えている。
nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298の夫々のソース端子には、電源電圧Vss又は接地電位GNDが供給される。nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298の夫々のドレイン端子には、nチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3296の夫々のソース端子が電気的に接続されている。nチャネル型TFT3297のゲート端子には、負論理NAND回路329の第1入力端子IN91が電気的に接続されている。nチャネル型TFT3298のゲート端子には、負論理NAND回路329の第2入力端子IN92が電気的に接続されている。
nチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3296の夫々のドレイン端子には、pチャネル型TFT3292のドレイン端子及び負論理NAND回路329の出力端子OUT91の夫々が電気的に接続されている。nチャネル型TFT3295のゲート端子には、負論理NAND回路329の第1入力端子IN91が電気的に接続されている。nチャネル型TFT3296のゲート端子には、負論理NAND回路329の第2入力端子IN92が電気的に接続されている。
pチャネル型TFT3292のソース端子には、pチャネル型TFT3291のドレイン端子が電気的に接続されている。pチャネル型TFT3292のゲート端子には、負論理NAND回路329の第1入力端子IN91が電気的に接続されている。
pチャネル型TFT3291のソース端子には、電源電圧Vddが供給されている。pチャネル型TFT3291のゲート端子には、負論理NAND回路329の第2入力端子IN92が電気的に接続されている。
尚、図11においては、pチャネル型TFT3291及びpチャネル型TFT3292を含む回路系が、本発明における「第1回路部分」の一具体例を構成している。nチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3296を含む回路系が、本発明における「第2回路部分」の一具体例を構成している。nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298を含む回路系が、本発明における「第3回路部分」の一具体例を構成すると共に、nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298の夫々が、本発明における「動作点補償素子」の一具体例を構成している。
この負論理NAND回路329は以下のように動作する。
まず、第1入力端子IN11及び第2入力端子IN12の夫々にローレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3291及びpチャネル型TFT3292の夫々がオン状態になると共に、nチャネル型TFT3295、nチャネル型TFT3296、nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298の夫々がオフ状態となる。従って、pチャネル型TFT3291及びpチャネル型TFT3292の夫々が電源電圧Vddにて充電された後、電源電圧Vdd(つまり、ハイレベルの信号)が出力端子OUT91より出力される。つまり、直列に接続された2つのpチャネル型TFTの充電が完了した後に、ハイレベルの信号が出力される。
他方、第1入力端子IN11及び第2入力端子IN12の少なくとも一方にハイレベルの信号が入力する場合には、pチャネル型TFT3291及びpチャネル型TFT3292の少なくとも一方がオフ状態になると共に、nチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3297並びにnチャネル型TFT3296及びnチャネル型TFT3298の少なくとも一方がオン状態となる。従って、nチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3297並びにnチャネル型TFT3296及びnチャネル型TFT3298の少なくとも一方が電源電圧Vssにて充電された後、電源電圧Vss(つまり、ローレベルの信号)が出力端子OUT91より出力される。つまり、直列に接続された2つのnチャネル型TFTの充電が完了した後に、ローレベルの信号が出力される。
このように、負論理NAND回路329においても、pチャネル型TFTの直列接続の段数とnチャネル型TFTの直列接続の段数とを等しくすることで、上述した各種効果を好適に享受することができる。もちろん、負論理NAND回路329においても、正論理NAND回路330と同様に、他入力(具体的には、3入力以上)を受け付ける構成を採用しても良いことは言うまでもない。
尚、上述した実施形態においては、pチャネル型TFTの直列接続の段数とnチャネル型TFTの直列接続の段数とを等しくする構成を例にあげて説明を進めている。しかしながらpチャネル型TFTの直列接続の段数とnチャネル型TFTの直列接続の段数とを等しくすることに代えて、電源電圧Vdd又は電源電圧Vssの出力を所定時間遅らせるための素子を用いても良い。例えば、図7において示した正論理NAND回路321においては、pチャネル型TFT3211及びpチャネル型TFT3212に代えて、入力端子IN11及び入力端子IN12の少なくとも一方にローレベルの信号が入力されてから所定時間(例えば、1つのpチャネル型TFTの充電に要する時間)経過した後に電源電圧Vddをpチャネル型TFT3213及びpチャネル型TFT3214の少なくとも一方に供給する素子を設けてもよい。同様に、図8において示した正論理NAND回路330においては、pチャネル型TFT3301、pチャネル型TFT3302及びpチャネル型TFT3303に代えて、入力端子IN21にローレベルの信号が入力されてから所定時間(例えば、3つのpチャネル型TFTの充電に要する時間)経過した後に電源電圧Vddをpチャネル型TFT3304に供給する素子を設けてもよい。pチャネル型TFT3311(3321、3331)、pチャネル型TFT3312(3322、3332)及びpチャネル型TFT3313(3323、3333)においても同様である。同様に、図11において示した負論理NAND回路329においては、nチャネル型TFT3297及びnチャネル型TFT3298に代えて、入力端子IN91及び入力端子IN92の少なくとも一方にハイレベルの信号が入力されてから所定時間(例えば、1つのnチャネル型TFTの充電に要する時間)経過した後に電源電圧Vssをnチャネル型TFT3295及びnチャネル型TFT3296の少なくとも一方に供給する素子を設けてもよい。このように構成しても、上述した各種効果を享受することができる。
或いは、これらの素子に代えて、正論理NAND回路321(330)や負論理NAND回路329における動作点を揃えることが可能な素子を設けても、上述した各種効果を享受することができる。
尚、上述したプリデコーダ回路部分320及びデコーダ回路部分330の夫々の構成はあくまで一例であり、液晶装置1の仕様(或いは、アドレス指定に係る構成の仕様)に合わせた任意の構成を採用しても良いことは言うまでもない。どのような構成を採用しても、上述した正論理NAND回路321(330)や負論理NAND回路329を用いていれば、上述した各種効果を享受することができる。
また、上述した実施形態においては、正論理NAND回路321(330)や負論理NAND回路329を、液晶装置1に用いられるYアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40に用いる例について説明を進めている。しかしながら、液晶装置1に用いられるYアドレスデコーダ30及びXアドレスデコーダ40に限らず、任意の機器(例えば、任意のデジタル回路等)に正論理NAND回路321(330)や負論理NAND回路329を用いてもよい。このように構成しても、上述した効果を相応に教授することができる。
(4)電子機器
続いて、図12及び図13を参照しながら、上述の液晶装置1を具備してなる電子機器の例を説明する。
続いて、図12及び図13を参照しながら、上述の液晶装置1を具備してなる電子機器の例を説明する。
図12は、上述した液晶装置1が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図12において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、上述した液晶装置100を含んでなる液晶表示ユニット1206とから構成されている。液晶表示ユニット1206は、液晶装置1から構成されている。
次に、上述した液晶装置1を携帯電話に適用した例について説明する。図13は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図13において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置1と同様の構成を有する液晶装置1005を備えている。
これらの電子機器においても、上述した液晶装置1を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
尚、図12及び図13を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた直視型の表示装置や、液晶プロジェクタ等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう論理回路、アドレスデコーダ回路、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1…液晶装置、10…画素ブロック、20…画素回路、21…メモリ回路、22…選択回路、23…液晶素子、30…Yアドレスデコーダ、311…Y選択線、32…プリデコーダ回路部分、320…プリデコーダ、321…正論理NAND回路(2入力1出力NAND回路)、3211〜3214…pチャネル型TFT、3215〜3216…nチャネル型TFT、330…正論理NAND回路(4入力1出力NAND回路)、3301〜3304、3311〜3314、3321〜3324、3331〜3334…pチャネル型TFT、3341〜3344…nチャネル型TFT、
Claims (14)
- 相互に直列に接続された複数の第1型トランジスタを含む第1回路部分と、
前記第1回路部分に直列に接続されると共に、相互に並列に接続された複数の第2型トランジスタを含む第2回路部分と、
前記第1回路部分と接続される側とは反対側において前記複数の第2型トランジスタの夫々に直列に接続される動作点補償素子を含む第3回路部分と、
前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第1回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号を出力する第1電圧源と、
前記第2回路部分と接続される側とは反対側において前記第3回路部分に直列に接続されると共に、第1電位信号とは異なる第2電位信号を出力する第2電圧源と
を備え、
前記動作点補償素子は、前記第1回路部分の動作点と、前記第2回路部分及び前記第3回路部分を含む回路部分の動作点とを相互に揃えることを特徴とする論理回路。 - 前記動作点補償素子は、少なくとも1つの前記第2型トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の論理回路。
- 前記第1回路部分は、k(但し、kは2以上の整数)個の前記第1型トランジスタを含んでおり、
前記第2回路部分は、k個の前記第2型トランジスタを含んでおり、
前記動作点補償素子は、相互に直列に接続されたk−1個の前記第2型トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記載の論理回路。 - 前記論理回路は、k個の入力端子と1個の出力端子とを備え、
当該論理回路のk個の入力端子の夫々は、前記第1回路部分が含む前記k個の第1型トランジスタのうちの対応する第1型トランジスタ、前記第2回路部分が含む前記k個の第2型トランジスタのうちの対応する第2型トランジスタ、及び前記第3回路部分が含む前記動作点補償素子のうちの前記対応する第2型トランジスタに直列に接続される動作点補償素子が含む前記k−1個の第2型トランジスタの夫々のゲート端子に接続され、
当該論理回路の1個の出力端子が、前記第1回路部分と前記第2回路部分との接続部分に接続されていることを特徴とする請求項3のいずれか一項に記載の論理回路。 - 前記第1型トランジスタは、pチャネル型トランジスタ及びnチャネル型トランジスタのいずれか一方であり、
前記第2型トランジスタは、前記pチャネル型トランジスタ及び前記nチャネル型トランジスタのいずれか他方であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の論理回路。 - 前記第1型トランジスタ及び前記第2型トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の論理回路。
- 前記論理回路は、複数の画素部が配列されてなる電気光学装置に対して、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を出力するアドレスデコーダ回路に用いられることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の論理回路。
- 複数の画素部が配列されてなる電気光学装置に対して、所望の位置の画素部を選択するための選択信号を出力するアドレスデコーダ回路であって、
請求項1から7のいずれか一項に記載の論理回路を複数備えることを特徴とするアドレスデコーダ回路。 - 前記複数の画素部は、前記電気光学装置が備える複数のX選択線と複数のY選択線との交差に対応して設けられ、
前記アドレスデコーダ回路は、
2つの入力端子及び1つの出力端子を備える前記論理回路である2入力1出力論理回路を複数備えると共に、前記所望の位置を指定する位置信号が入力される少なくとも1つのプリデコーダ回路と、
4つの入力端子及び1つの出力端子を備える前記論理回路である4入力1出力論理回路を備えると共に、前記プリデコーダ回路の出力を入力信号として、前記複数のX選択線のうちの前記所望の位置に対応するX選択線にX選択信号を出力する、又は前記複数のY選択線のうちの前記所望の位置に対応するY選択線にY選択信号を出力する少なくとも一つのデコーダ回路とを備えることを特徴とする請求項8に記載のアドレスデコーダ回路。 - 前記プリデコーダ回路は、4つの前記2入力1出力論理回路を備え、
前記4つの2入力1出力論理回路の夫々は、相互に直列に配列された2つの前記第1型トランジスタを含む前記第1回路部分及び相互に並列に配列された2つの前記第2型トランジスタを含む前記第2回路部分の夫々を含み、且つ前記第2回路部分に含まれる前記2つの第2型トランジスタの夫々に1つの前記第2型トランジスタが前記第3回路部分として更に直列に接続されることを特徴とする請求項9に記載のアドレスデコーダ回路。 - 前記デコーダ回路は、1つの前記4入力1出力論理回路を備え、
前記4入力1出力論理回路は、相互に直列に配列された4つの前記第1型トランジスタを含む前記第1回路部分及び相互に並列に配列された4つの前記第2型トランジスタを含む前記第2回路部分の夫々を含み、且つ前記第2回路部分に含まれる前記4つの第2型トランジスタの夫々に3つの前記第2型トランジスタが前記第3回路部分として更に直列に接続されることを特徴とする請求項9又は10に記載のアドレスデコーダ回路。 - 複数のX選択線と、
複数のY選択線と、
前記複数のX選択線と前記複数のY選択線との交差に対応して設けられる複数の画素部と、
所望の位置の画素部を選択するための選択信号を、前記複数のX選択線のうちの前記所望の位置に対応するX選択線及び前記複数のY選択線のうちの前記所望の位置に対応するY選択線の少なくとも一方に出力するアドレスデコーダ回路と
を備え、
前記アドレスデコーダ回路は、請求項9から11のいずれか一項に記載のアドレスデコーダ回路であることを特徴とする電気光学装置。 - 前記複数の画素部の夫々は、電気光学物質と、前記電気光学物質に対して電界を印加するための画素電極と、夫々の画素部に供給されるデータ信号を保持するメモリ回路と、前記メモリ回路に保持される前記データ信号に基づいて前記電気光学物質を駆動する信号を前記画素電極に選択的に供給する選択回路とを備えることを特徴とする請求項12に記載の電気光学装置。
- 請求項12又は13に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|
JP2008031444A JP2009192673A (ja) | 2008-02-13 | 2008-02-13 | 論理回路、アドレスデコーダ回路、電気光学装置及び電子機器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5838488B1 (ja) * | 2014-04-22 | 2016-01-06 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | 半導体装置 |
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2008
- 2008-02-13 JP JP2008031444A patent/JP2009192673A/ja active Pending
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