JP2009190002A - 多結晶シリコンロッドの破砕装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】加熱した多結晶シリコンロッドの表面が水蒸気膜で覆われた状態となることを防止し、多結晶シリコンロッドを速やかに冷却して確実にクラックを生じさせる。
【解決手段】支持台2に載置した状態で多結晶シリコンロッドRを加熱した後に水槽5内の冷却水W中に浸漬して急冷することによりクラックを発生させて破砕する装置であって、支持台2は、水槽5の内と外との間で往復移動可能に支持されるとともに、水槽5内に支持台2ごと浸漬状態とされた多結晶シリコンロッドRに向けて冷却水を噴出する噴出器25を有する。
【選択図】 図4
【解決手段】支持台2に載置した状態で多結晶シリコンロッドRを加熱した後に水槽5内の冷却水W中に浸漬して急冷することによりクラックを発生させて破砕する装置であって、支持台2は、水槽5の内と外との間で往復移動可能に支持されるとともに、水槽5内に支持台2ごと浸漬状態とされた多結晶シリコンロッドRに向けて冷却水を噴出する噴出器25を有する。
【選択図】 図4
Description
本発明は、多結晶シリコンロッドを塊状に破砕する多結晶シリコンロッドの破砕装置に関する。
半導体用の単結晶シリコンを製造する方法として、いわゆるチョクラルスキー法(CZ法)がある。このチョクラルスキー法は、多結晶シリコンをるつぼ内に入れて溶解し、その溶液から単結晶シリコンを引き上げる方法である。
この多結晶シリコンの製造方法としてシーメンス法があるが、このシーメンス法によって多結晶シリコンを製造する場合、ロッド状に形成されるため、チョクラルスキー法においてこの多結晶シリコンを材料として使用するためには、るつぼ内に装填できる大きさに破砕する必要がある。脆性材料である多結晶シリコンロッドは、ハンマー等で適宜の大きさに破砕されるが、その前処理として、加熱した多結晶シリコンロッドを純水に浸して急冷し、ロッド内部に生じる熱ひずみによってクラックを生じさせる技術が知られている。
この多結晶シリコンの製造方法としてシーメンス法があるが、このシーメンス法によって多結晶シリコンを製造する場合、ロッド状に形成されるため、チョクラルスキー法においてこの多結晶シリコンを材料として使用するためには、るつぼ内に装填できる大きさに破砕する必要がある。脆性材料である多結晶シリコンロッドは、ハンマー等で適宜の大きさに破砕されるが、その前処理として、加熱した多結晶シリコンロッドを純水に浸して急冷し、ロッド内部に生じる熱ひずみによってクラックを生じさせる技術が知られている。
例えば、特許文献1においては、多結晶シリコンを加熱する加熱炉を有する多結晶シリコンロッドの破砕装置が記載されている。この破砕装置は、加熱炉内に多結晶シリコンロッドを載せるための支持台を備えており、この支持台に多結晶シリコンロッドを載せた状態で加熱し、加熱後の多結晶シリコンロッドを水槽に投入してクラックを発生させるようにしている。
特開2005−288332号公報
しかしながら、この特許文献1に示されるような破砕装置は、加熱された多結晶シリコンロッドを水槽内中に浸漬したときに、この多結晶シリコンロッドの表面付近で水槽中の冷却水が沸騰して、表面を覆うように水蒸気の膜が形成されることがある。この水蒸気膜が多結晶シリコンロッドの表面に形成されると、それが断熱層となって冷却効率が大きく損なわれ、クラックが生じにくくなるという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、加熱した多結晶シリコンロッドの表面が水蒸気膜で覆われた状態となることを防止し、多結晶シリコンロッドを速やかに冷却して確実にクラックを生じさせることができる多結晶シリコンロッドの破砕装置を提供することを目的とする。
本発明に係る破砕装置は、支持台に載置した状態で多結晶シリコンロッドを加熱した後に水槽内の冷却水中に浸漬して急冷することによりクラックを発生させて破砕する装置であって、前記支持台は、前記水槽の内と外との間で往復移動可能に支持されるとともに、前記水槽内に前記支持台ごと浸漬状態とされた多結晶シリコンロッドに向けて冷却水を噴出する噴出器を有することを特徴とする。
この破砕装置では、水槽内で噴出器から冷却水を噴出することにより、水槽内の冷却水が攪拌された状態となって、多結晶シリコンロッドの表面に水蒸気膜が形成され難いようになっているとともに、この噴出器からの水流が多結晶シリコンロッドに当たることにより、多結晶シリコンロッドの表面に水蒸気膜が発生したとしても、これを水流によって破壊することができ、もって多結晶シリコンロッドの表面に常に新鮮な冷却水を供給して、多結晶シリコンロッドを速やかに冷却することができる。
また、本発明の破砕装置において、前記支持台は、前記多結晶シリコンロッドを複数本載置可能であるとともに、該支持台の厚さ方向に冷却水が挿通可能であり、前記噴出器は、前記水槽内に浸漬状態とされた前記支持台の下方又は側方から多結晶シリコンロッド相互の間に向けて冷却水を噴出するように配置されていることを特徴とする。
このように複数本の多結晶シリコンロッドを載置した状態で水槽に浸漬すると、水蒸気膜が生成され易いが、その部分に噴出器から冷却水が噴出されることから、冷却水を滞留させないようにして、水蒸気膜の発生を防止することができる。
このように複数本の多結晶シリコンロッドを載置した状態で水槽に浸漬すると、水蒸気膜が生成され易いが、その部分に噴出器から冷却水が噴出されることから、冷却水を滞留させないようにして、水蒸気膜の発生を防止することができる。
さらに、本発明の破砕装置において、前記噴出器は、前記水槽内に浸漬状態とされた支持台上の多結晶シリコンロッドの長さ方向と平行なパイプを有しており、該パイプの長さ方向に間隔をおいて複数の噴出口が設けられていることを特徴とする。多結晶シリコンロッドの長さ方向の複数個所に冷却水が噴出させられ、水蒸気膜の発生を確実に防止して、効率的に冷却することができる。
この場合、前記噴出器から噴出される冷却水の噴出口付近における噴出速度は、平均流速が7m/秒以上25m/秒以下であると好ましい。平均流速を7m/秒以上としたのは、7m/秒未満であると、水蒸気膜を破壊するに足るエネルギーが得られないため、冷却効率の改善効果が少ないからであり、平均流速を25m/秒以下としたのは、25m/秒を超えると、水蒸気膜の破壊には十分なエネルギーであるが、過大な純水供給能力を求められるため設備コストが増加するからである。
本発明に係る破砕装置によれば、噴出器から噴出する冷却水によって水槽内を攪拌状態とすることができ、多結晶シリコンロッド表面の水蒸気膜の発生を抑制することができるとともに、この噴出器からの水流が多結晶シリコンロッドに当たることにより、多結晶シリコンロッドの表面に水蒸気膜が発生したとしても、これを水流によって破壊することができ、もって多結晶シリコンロッドの表面に新鮮な冷却水を供給し得て、多結晶シリコンロッドの冷却効率を向上させ、多結晶シリコンロッド全体に確実にクラックを発生させて破砕することができる。
以下、本発明に係る多結晶シリコンロッドの破砕装置及び破砕方法の実施形態を図面を参照しながら説明する。
この実施形態の破砕装置1は、多結晶シリコンロッドRを載置状態に支持するための支持台2と、この支持台2を吊下げ状態で移動する移載機(図示略)と、支持台2上に載置した状態の多結晶シリコンロッドRを加熱するための加熱器4と、支持台2に載置したまま多結晶シリコンロッドRを冷却水Wに浸漬させて冷却するための冷却手段としての水槽5とを備えている。
この実施形態の破砕装置1は、多結晶シリコンロッドRを載置状態に支持するための支持台2と、この支持台2を吊下げ状態で移動する移載機(図示略)と、支持台2上に載置した状態の多結晶シリコンロッドRを加熱するための加熱器4と、支持台2に載置したまま多結晶シリコンロッドRを冷却水Wに浸漬させて冷却するための冷却手段としての水槽5とを備えている。
支持台2は、複数本のパイプ部材11を相互に間隔をあけて並べて一体化してなり、これらパイプ部材11の両端に、各パイプ部材11に連通するヘッダ部材12が配設され、これらヘッダ部材12が移載機から吊下げ部材13を介して吊下げられた構成とされている。
パイプ部材11は、例えば、ステンレス(SUS)を材料として多結晶シリコンロッドRよりも長尺状に設けられ、その内側には給排管15を経由して外部から送られる冷却水が流れている。この給排管15にパイプ部材11を接続するためのヘッダ部材12は、各パイプ部材11の両端を一括して保持するように設けられており、各ヘッダ部材12の外側に設けた吊下げ部材13によって移載機から支持されている。そして、その移載機によって支持台2を加熱器4と水槽5との間で往復移動させることができるようになっている。
この場合、多結晶シリコンロッドRは、2本のパイプ部材11に対して1本が載置され、本実施形態においては、パイプ部材11が4本並べられていることにより、これら4本のパイプ部材11の上に2本の多結晶シリコンロッドRと、この2本の多結晶シリコンロッドRの上に更に1本の多結晶シリコンロッドRを載置して、合わせて3本の多結晶シリコンロッドRを一度に載置した状態とすることができるようになっている。ただし、この実施形態の構造に限るものではなく、パイプ部材11は、4本以外に設定することで一度に取り扱う多結晶シリコンロッドRの本数を変えてもよい。なお、これらパイプ部材11の表面には、チタン(Ti)等のシリコンに対する低熱拡散材料が被覆される。
一方、加熱器4は、パイプ部材11よりも長尺状の2つの半円筒部材21a,21bがヒンジ部を介して開閉自在に繋げられ、横向き姿勢で装置本体(図示略)に支持されており、これら半円筒部材21a,21bの内周面には適宜数のヒータ22が設けられている。そして、これら半円筒部材21a,21bを閉じ合わせて円筒状とし、その内部空間に支持台2を配置することにより、該支持台2の周囲を囲った状態とすることができるようになっている。この場合、下側の半円筒部材21aは装置本体に上方を開放した状態で固定され、図示略の駆動手段によって上側の半円筒部材21bを開閉する構成である。そして、支持台12は、上側の半円筒部材21bを開いて下側の半円筒部材21aの上方が開放状態とされているときに、移載機によって、図1に示すように下側の半円筒部材21aの上に配置された位置と、その前側下方に配置された水槽5に浸漬した位置との間で往復移動させられるようになっている。
水槽5は、加熱した多結晶シリコンロッドRを急冷するための冷却手段として設けられ、冷却水Wとして純水が満たされており、支持台2に載置された状態の多結晶シリコンロッドRを支持台12ごと水没させ得る大きさに形成されている。そして、この水槽5の底部に、冷却水を噴出する噴出器25が設けられている。
この噴出器25は、図3及び図4に示すように、パイプ26の途中に、その長さ方向に間隔をおいて複数の噴出口27を形成してなるもので、水槽5の底部のほぼ中央位置に底面に沿って配置され、矢印で示すように、上方に向けて冷却水を噴出するように噴出口27を上向きに配置した状態としている。この場合、このパイプ26は、図4に示すように、多結晶シリコンロッドRを載置した支持台2を移載機によって水槽5内に浸漬したときに、該支持台2に載置されている3本の多結晶シリコンロッドRのうちの下の段の2本の多結晶シリコンロッドRの間に向けて冷却水を噴出させるように配置されている。また、パイプ26には給水管28が接続され、水槽5の外部から冷却水が供給されるようになっている。尚、パイプ26は、支持台2の動作に干渉しない範囲でパイプ部材11との距離が最小になるような位置に設置されることが望ましい。
次に、このように構成した破砕装置1によって多結晶シリコンロッドRを破砕する方法について説明する。
多結晶シリコンロッドRは、予め純水により洗浄しておく。そして、加熱器4の半円筒部材21a,21bを開いた状態とするとともに、その下側の半円筒部材21aに支持台12を配置し、その支持台12のパイプ部材11に対して前述のように3本の多結晶シリコンロッドRを載置して、図2に示す状態とする。
多結晶シリコンロッドRは、予め純水により洗浄しておく。そして、加熱器4の半円筒部材21a,21bを開いた状態とするとともに、その下側の半円筒部材21aに支持台12を配置し、その支持台12のパイプ部材11に対して前述のように3本の多結晶シリコンロッドRを載置して、図2に示す状態とする。
そして、この支持台2のパイプ部材11の上に載置した状態で多結晶シリコンロッドRの上方から半円筒部材21bを被せて両半円筒部材21a,21bを円筒状に閉じ合わせることにより、多結晶シリコンロッドRをこれら半円筒部材21a,21bにより囲った状態とし、ヒータ22により多結晶シリコンロッドRを表面温度が例えば600〜800℃となるように加熱する。このとき、パイプ部材11の内側には冷却水を流しておく。
そして、この多結晶シリコンロッドRの加熱後には、移載機を駆動して図2の矢印で示すように支持台2を移動し、該支持台2ごと多結晶シリコンロッドRを水槽5の冷却水W中に浸漬させて急冷する。この急冷時の熱衝撃によって多結晶シリコンロッドRに熱ひずみが生じ、クラックが発生して、その一部は破砕する。
このとき、水槽5内では、噴出器25から冷却水を噴出させておく。この噴出器25によって冷却水が水槽5の底部から上方に向けて噴出されることにより、水槽5内が攪拌された状態となる。そして、移載機によって支持台2を水槽5中に浸漬すると、図3及び図4に示すように噴出器25のパイプ26の真上に支持台2が配置され、前述したように、支持台2の上に載置されている3本の多結晶シリコンロッドRのうちの下段の2本の多結晶シリコンロッドRの間に向けて噴出器25から冷却水が噴出させられることになる。この3本積みの下段の2本の多結晶シリコンロッドRの間は最も冷却水Wが滞留させられ易い部分であり、その部分に向けて冷却水が噴出させられることにより、その部分の冷却水Wが滞留することなく、噴出器25から常に新鮮な冷却水Wが供給される。また、水槽5内の全体が攪拌されることと相まって水蒸気膜Vの発生が防止される。
図4は、理解を容易にするため、多結晶シリコンロッドRの表面を水蒸気膜Vで覆った状態を二点鎖線で示しており、この水蒸気膜Vは冷却水Wが滞留していると生じ易いが、この実施形態の場合は噴出器25からの水流によって冷却水Wの滞留が防止されるので、水蒸気膜Vの発生は防止される。また、わずかに水蒸気膜Vが生じたとしても、下方から噴出される冷却水の水流によって水蒸気膜Vが破壊され、多結晶シリコンロッドRの外周面が水蒸気膜Vによって覆われてしまう現象を防止することができる。
したがって、高温に加熱された多結晶シリコンロッドRの全体を速やかに冷却することができ、クラックを多結晶シリコンロッドR全体に生じさせることができる。そして、多結晶シリコンロッドRにクラックを生じさせた後には、図示しないプレス機やハンマー等の破砕機により機械的に衝撃を加えて破砕する。これにより、多結晶シリコンロッドRを適当な大きさの塊状に破砕することができる。
このように、この破砕装置1では、水槽5内で噴出器25によって冷却水が噴出させられることにより、水槽5内の冷却水Wを攪拌するとともに、多結晶シリコンロッドRを水槽5に浸漬した際に、支持台2上に複数本載置された多結晶シリコンロッドRの間に向けて冷却水を噴出するようにしているから、その部分への冷却水Wの滞留を防止して、多結晶シリコンロッドRの表面が水蒸気膜Vによって覆われた現象となることを防止し、これを速やかに冷却して効率的にクラックを生じさせることができるものである。
このような水蒸気膜Vの破壊を有効に行わせるためには、噴出器25の各噴出口27から噴出される冷却水の噴出口付近の噴出速度は、平均流速が7m/秒以上25m/秒以下であると好ましい。平均流速が7m/秒未満であると、水蒸気膜を破壊するに足るエネルギーが得られないため、冷却効率の改善効果が少ないからであり、25m/秒を超えると、水蒸気膜の破壊には十分なエネルギーであるが、過大な純水供給能力を求められるため設備コストが増加するからである。
図5は多結晶シリコンロッドの破砕装置の他の実施形態を示したものであり、この実施形態の破砕装置31では、噴出器32のパイプ33が水槽34の内側面に沿って配置され、その噴出口35が水槽34内に浸漬状態とされた支持台2の側方から冷却水を噴出するように配置されている。この場合も、支持台2の上に載置されている3本の多結晶シリコンロッドRのうちの下段の2本の多結晶シリコンロッドRに向けて冷却水が噴出させられるようになっている。また、水槽34には、噴出口35とは反対位置の側壁36からオーバーフローさせるように排水口37が設けられている。したがって、噴出器35から噴出された冷却水は多結晶シリコンロッドRに衝突して排水口37に向かう一方向の流れとなって、滞留が抑制される構成である。その他の構成は一実施形態のものと同様であるので、説明を省略する。
なお、本実施形態においては、水槽内に1本のパイプからなる噴出器を配置したが、その個数を増やしてもよく、その場合に、主として水槽内の冷却水の攪拌のための噴出器と、多結晶シリコンロッドの間に向けて冷却水を噴出する噴出器とを別個に配置してもよい。
また、前述の実施形態においては、支持台の上に3本の多結晶シリコンロッドRを載置するようにしたが、この多結晶シリコンロッドRは、3本に限らず適宜数を載置することができる。この多結晶シリコンロッドRの本数をより多くした場合には、近接した多結晶シリコンロッドの各間隙に向けて冷却水を噴出できるように噴出器を増やすとよい。
また、支持台は4本のパイプによって構成したが、水槽内に浸漬されたときに下方から噴出される冷却水を挿通させることができるものであれば、例えばメッシュ状のものでもよい。
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
また、前述の実施形態においては、支持台の上に3本の多結晶シリコンロッドRを載置するようにしたが、この多結晶シリコンロッドRは、3本に限らず適宜数を載置することができる。この多結晶シリコンロッドRの本数をより多くした場合には、近接した多結晶シリコンロッドの各間隙に向けて冷却水を噴出できるように噴出器を増やすとよい。
また、支持台は4本のパイプによって構成したが、水槽内に浸漬されたときに下方から噴出される冷却水を挿通させることができるものであれば、例えばメッシュ状のものでもよい。
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
1 破砕装置
2 支持台
4 加熱器
5 水槽
11 パイプ部材
12 ヘッダ部材
13 吊下げ部材
25 噴出器
26 パイプ
27 噴出口
28 給水管
31 破砕装置
32 噴出器
33 パイプ
34 水槽
35 噴出口
36 側壁
37 排水口
R 多結晶シリコンロッド
W 冷却水
V 水蒸気膜
2 支持台
4 加熱器
5 水槽
11 パイプ部材
12 ヘッダ部材
13 吊下げ部材
25 噴出器
26 パイプ
27 噴出口
28 給水管
31 破砕装置
32 噴出器
33 パイプ
34 水槽
35 噴出口
36 側壁
37 排水口
R 多結晶シリコンロッド
W 冷却水
V 水蒸気膜
Claims (4)
- 支持台に載置した状態で多結晶シリコンロッドを加熱した後に水槽内の冷却水中に浸漬して急冷することによりクラックを発生させて破砕する装置であって、前記支持台は、前記水槽の内と外との間で往復移動可能に支持されるとともに、前記水槽内に前記支持台ごと浸漬状態とされた多結晶シリコンロッドに向けて冷却水を噴出する噴出器を有することを特徴とする多結晶シリコンロッドの破砕装置。
- 前記支持台は、前記多結晶シリコンロッドを複数本載置可能であるとともに、該支持台の厚さ方向に冷却水が挿通可能であり、前記噴出器は、前記水槽内に浸漬状態とされた前記支持台の下方又は側方から多結晶シリコンロッド相互の間に向けて冷却水を噴出するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンロッドの破砕装置。
- 前記噴出器は、前記水槽内に浸漬状態とされた支持台上の多結晶シリコンロッドの長さ方向と平行なパイプを有しており、該パイプの長さ方向に間隔をおいて複数の噴出口が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の多結晶シリコンロッドの破砕装置。
- 前記噴出器から噴出される冷却水の噴出口付近における噴出速度は、平均流速が7m/秒以上25m/秒以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンロッドの破砕装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102600948A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-25 | 北京德高洁清洁设备有限公司 | 一种全自动机械化多晶硅破碎机 |
CN108602070A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-09-28 | 瓦克化学股份公司 | 用于研磨含硅固体的方法 |
-
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CN108602070A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-09-28 | 瓦克化学股份公司 | 用于研磨含硅固体的方法 |
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