JP2009188025A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スーパージャンクション構造を有する半導体装置を安価で且つ歩留良く得られる製造方法を提供する。
【解決手段】n型の第1半導体層10をエピタキシャル成長し、第1半導体層10上にレジスト9によりパターニングする。次に、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより第1半導体層10にトレンチ12を形成する。次に、第1半導体層10の全面に対し垂直に、不純物イオンを高加速エネルギーにて注入する。このとき、スーパージャンクション層の不純物濃度が均一になるように加速エネルギーを切り替え、複数段階に分けてイオン注入を行い、熱処理を施してp型不純物を活性化させてp型の第2半導体層11を形成する。そして、第1半導体層10の表面からトレンチ12の深さと同じかまたは深い位置まで研磨して平坦化することでスーパージャンクション構造が形成される。
【選択図】図1
【解決手段】n型の第1半導体層10をエピタキシャル成長し、第1半導体層10上にレジスト9によりパターニングする。次に、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより第1半導体層10にトレンチ12を形成する。次に、第1半導体層10の全面に対し垂直に、不純物イオンを高加速エネルギーにて注入する。このとき、スーパージャンクション層の不純物濃度が均一になるように加速エネルギーを切り替え、複数段階に分けてイオン注入を行い、熱処理を施してp型不純物を活性化させてp型の第2半導体層11を形成する。そして、第1半導体層10の表面からトレンチ12の深さと同じかまたは深い位置まで研磨して平坦化することでスーパージャンクション構造が形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、スーパージャンクション構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
近年、電源装置に対する消費電力低減の要求から、電源装置を構成するパワー半導体装置の低損失化、即ち半導体装置のオン抵抗低減が望まれている。パワー半導体装置の構造には、半導体層の両面に電極を有する縦型と呼ばれる構造が多く、縦型半導体装置のオン抵抗を低減するためには、オン時にドリフト電流が流れるドリフト層の不純物濃度を高くすることが必要である。しかし、不純物濃度を高くすることで、オフ時の逆バイアス電圧による空乏層の広がりが小さくなり、耐圧が低くなってしまう。このように、パワー半導体装置のオン抵抗と耐圧はトレードオフの関係にあった。
このトレードオフの関係を解決するため、スーパージャンクション構造と呼ばれる半導体層を有する縦型半導体装置が公知である。
図2は、スーパージャンクション構造を有するMOSFETの断面構造を示す図である。
n+型のドレイン層1と、
ドレイン層1上に形成されたドリフト層2と、
ドリフト層2上に島状に形成されたベース層3と、
ベース層3上に島状に形成されたソース層4と、
ドリフト層2およびベース層3およびソース層4上に形成された絶縁膜5と、
ドレイン層1と電気的に接続するドレイン電極6と、
絶縁膜5上に形成されたゲート電極7と、
絶縁膜5の開口部においてソース層4と電気的に接続するソース電極8と、を有し、
ドリフト層2が、n型の第1半導体層10とp型の第2半導体層11とを横方向に交互に形成した構造を有している。
図2は、スーパージャンクション構造を有するMOSFETの断面構造を示す図である。
n+型のドレイン層1と、
ドレイン層1上に形成されたドリフト層2と、
ドリフト層2上に島状に形成されたベース層3と、
ベース層3上に島状に形成されたソース層4と、
ドリフト層2およびベース層3およびソース層4上に形成された絶縁膜5と、
ドレイン層1と電気的に接続するドレイン電極6と、
絶縁膜5上に形成されたゲート電極7と、
絶縁膜5の開口部においてソース層4と電気的に接続するソース電極8と、を有し、
ドリフト層2が、n型の第1半導体層10とp型の第2半導体層11とを横方向に交互に形成した構造を有している。
スーパージャンクション構造を有する半導体装置によると、オフ状態のときに交互に形成された第1半導体層10と第2半導体層11とから成るpn接合から空乏層が横方向に拡張して、ドリフト層2を空乏化させるので、半導体装置の高耐圧化が達成される。さらに、ドリフト電流が流れるn型の第1半導体層10の不純物濃度を高くすることで、オン抵抗が低減できる。
このようなスーパージャンクション構造は、従来の製造方法として、積層エピタキシャル法およびトレンチエピ埋め込み法等が公知である。
図3を参照して従来の積層エピタキシャル法を説明する。
特許文献1に記載される積層エピタキシャル法は、図3(a)のようにエピタキシャル成長したn型の第1半導体層10上に、レジスト9によるパターニングを行い、選択的イオン注入または拡散によりp型の第2半導体層11aを形成し、レジスト9をエッチングにより除去する。上記の工程を複数回繰り返し、図3(b)のように第2半導体層11b〜11dを形成する。そして、図3(c)のように熱処理を施し、複数の第2半導体層11a〜11d同士を縦方向拡散によりつなげる方法である。
特許文献1に記載される積層エピタキシャル法は、図3(a)のようにエピタキシャル成長したn型の第1半導体層10上に、レジスト9によるパターニングを行い、選択的イオン注入または拡散によりp型の第2半導体層11aを形成し、レジスト9をエッチングにより除去する。上記の工程を複数回繰り返し、図3(b)のように第2半導体層11b〜11dを形成する。そして、図3(c)のように熱処理を施し、複数の第2半導体層11a〜11d同士を縦方向拡散によりつなげる方法である。
次に、図4を参照して従来のトレンチエピ埋め込み法を説明する。
特許文献2に記載されるトレンチエピ埋め込み法は、図4(a)のようにエピタキシャル成長したn型の第1半導体層10上に、レジスト9によるパターニングを行い、ウェットエッチングまたはドライエッチングによりトレンチ12を形成する。次に、図4(b)のようにトレンチ12を形成した後、トレンチ12の側壁のダメージおよび不純物の除去を行い、エピタキシャル成長にてトレンチ12の内部を充填し、p型の第2半導体層11を形成する。最後に、図4(c)のように研磨等によりドリフト層2の表面を平坦化する方法である。
特開昭2007−311669
特開昭2007−116190
特許文献2に記載されるトレンチエピ埋め込み法は、図4(a)のようにエピタキシャル成長したn型の第1半導体層10上に、レジスト9によるパターニングを行い、ウェットエッチングまたはドライエッチングによりトレンチ12を形成する。次に、図4(b)のようにトレンチ12を形成した後、トレンチ12の側壁のダメージおよび不純物の除去を行い、エピタキシャル成長にてトレンチ12の内部を充填し、p型の第2半導体層11を形成する。最後に、図4(c)のように研磨等によりドリフト層2の表面を平坦化する方法である。
ところで、積層エピタキシャル法は、上記のようにエピタキシャル成長と選択的イオン注入または拡散とを交互に繰り返すため、高コストになるという問題があった。さらに、熱処理を施す際、横方向拡散が起こり、第2半導体層11が幅方向に広がり、電流経路である第1半導体層10層を狭めることでオン抵抗が高くなりやすいという欠点があった。
また、トレンチエピ埋め込み法は、積層エピタキシャル法に比べ微細化に適するという利点があるが、第2半導体層11を充填する際に、トレンチ12の内側にボイド(空隙)が生じ、リーク電流等の特性劣化を起こしやすいため、歩留が低くなる問題があった。さらに、ボイドが発生しやすくなるという懸念から、トレンチ12の幅をあまり狭くできず、第1半導体層10が狭まるため、オン抵抗が高くなりやすいという欠点があった。
また、トレンチエピ埋め込み法は、積層エピタキシャル法に比べ微細化に適するという利点があるが、第2半導体層11を充填する際に、トレンチ12の内側にボイド(空隙)が生じ、リーク電流等の特性劣化を起こしやすいため、歩留が低くなる問題があった。さらに、ボイドが発生しやすくなるという懸念から、トレンチ12の幅をあまり狭くできず、第1半導体層10が狭まるため、オン抵抗が高くなりやすいという欠点があった。
そこで、本発明の目的は、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を安価で且つ歩留良く得られる製造方法を提供することにある。
上記課題を解決し上記目的を達成するために、請求項1に係る本発明の半導体装置の製造方法は、
第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と前記第1および第2半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と、を実施することを特徴とする。
第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と前記第1および第2半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と、を実施することを特徴とする。
上記課題を解決し上記目的を達成するために、請求項2に係る本発明の半導体装置の製造方法は、
第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記第1半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と、を実施することを特徴とする。
第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記第1半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と、を実施することを特徴とする。
上記課題を解決し上記目的を達成するために、請求項3に係る本発明の半導体装置の製造方法は、前記トレンチエッチング工程の前に、第1半導体層上にレジストを形成するパターニング工程を有し、前記レジストが、円形または多角形の開口部を複数有していることを特徴とする。
上記課題を解決し上記目的を達成するために、請求項4に係る本発明の半導体装置の製造方法は、前記イオン注入工程が、イオンの加速エネルギーが異なる複数段階の注入工程を有することを特徴とする。
各請求項の発明によれば、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を安価で且つ歩留良く得られる。
次に、図1を参照して本発明の実施形態に係わる半導体装置の一例を説明する。
図1は本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図1(a)のようにn+型のドレイン層1上にn型の第1半導体層10をエピタキシャル成長し、第1半導体層10上にレジスト9によりパターニングする。このとき、スーパージャンクション構造を形成したい位置のレジスト9を開口する。
次に、図1(b)のようにウェットエッチングまたはドライエッチングにより第1半導体層10にトレンチ12を形成する。
次に、図1(c)のように、所望の不純物濃度および深さのスーパージャンクションが得られるように、注入電流および加速エネルギーを連続的または段階的に変化させ、第1半導体層10の全面に対し垂直にイオン注入を行った後、熱処理を施してp型不純物を活性化させてp型の第2半導体層11を形成する。
そして、図1(d)のように第1半導体層10の表面からトレンチ12の深さと同じかまたは深い位置まで研磨して平坦化することでスーパージャンクション構造が形成される。
まず、図1(a)のようにn+型のドレイン層1上にn型の第1半導体層10をエピタキシャル成長し、第1半導体層10上にレジスト9によりパターニングする。このとき、スーパージャンクション構造を形成したい位置のレジスト9を開口する。
次に、図1(b)のようにウェットエッチングまたはドライエッチングにより第1半導体層10にトレンチ12を形成する。
次に、図1(c)のように、所望の不純物濃度および深さのスーパージャンクションが得られるように、注入電流および加速エネルギーを連続的または段階的に変化させ、第1半導体層10の全面に対し垂直にイオン注入を行った後、熱処理を施してp型不純物を活性化させてp型の第2半導体層11を形成する。
そして、図1(d)のように第1半導体層10の表面からトレンチ12の深さと同じかまたは深い位置まで研磨して平坦化することでスーパージャンクション構造が形成される。
本実施例の半導体装置によれば、次の作用効果が得られる。
(1) 複数の工程を繰り返すことなくイオン注入のみを繰り返すので、スーパージャンクション構造を安価に形成することができる。
(2) 第1半導体層10にトレンチ12を形成した後、エッチングによるトレンチ側壁のダメージおよび不純物を除去する工程が不要なので、スーパージャンクション構造を安価に形成することができる。
(3) ボイドの発生を抑制できるので、スーパージャンクション構造を歩留良く形成できる。
(4) 熱処理を施したときに第2半導体層11がほとんど横方向に広がらないため、電流経路である第1半導体層10を広く確保でき、オン抵抗を低くできる。
(1) 複数の工程を繰り返すことなくイオン注入のみを繰り返すので、スーパージャンクション構造を安価に形成することができる。
(2) 第1半導体層10にトレンチ12を形成した後、エッチングによるトレンチ側壁のダメージおよび不純物を除去する工程が不要なので、スーパージャンクション構造を安価に形成することができる。
(3) ボイドの発生を抑制できるので、スーパージャンクション構造を歩留良く形成できる。
(4) 熱処理を施したときに第2半導体層11がほとんど横方向に広がらないため、電流経路である第1半導体層10を広く確保でき、オン抵抗を低くできる。
本発明のトランジスタは、上記の実施例に限定されず、様々な変形が可能なものである。例えば、イオン注入工程における注入電流および加速エネルギーは一定でも良い。また、ドレイン層1の導電型と第1半導体層10の導電型とは異なっても良い。さらに、熱処理工程と研磨工程とを行う順序は、上記の実施例の逆でも良い。
1 ドレイン層
2 ドリフト層
3 ベース層
4 ソース層
5 絶縁膜
6 ドレイン電極
7 ゲート電極
8 ソース電極
9 レジスト
10 第1半導体層
11,11a〜11d 第2半導体層
12 トレンチ
2 ドリフト層
3 ベース層
4 ソース層
5 絶縁膜
6 ドレイン電極
7 ゲート電極
8 ソース電極
9 レジスト
10 第1半導体層
11,11a〜11d 第2半導体層
12 トレンチ
Claims (4)
- 第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と前記第1および第2半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と、を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とを横方向に交互に形成する構造から成り、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すとともに、オフ状態で空乏化するドリフト層を有する半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の形成方法が、
第1半導体層を形成するエピタキシャル成長工程と、
第1半導体層上にトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記トレンチエッチング工程の後、第1半導体層に前記第2導電型の不純物を導入するイオン注入工程と、を有し、
前記イオン注入工程の後、前記第1半導体層の表面の凹凸を除去する平坦化工程と前記不純物を活性化させて第2半導体層を形成する熱処理工程と、を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチエッチング工程の前に、第1半導体層上にレジストを形成するパターニング工程を有し、前記レジストが、円形または多角形の開口部を複数有していることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イオン注入工程が、イオンの注入電流および/または加速エネルギーが異なる複数段階の注入工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008023891A JP2009188025A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114649406A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-06-21 | 浙江大学 | 多级超级结结构及其自对准制备方法 |
-
2008
- 2008-02-04 JP JP2008023891A patent/JP2009188025A/ja active Pending
Cited By (1)
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CN114649406A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-06-21 | 浙江大学 | 多级超级结结构及其自对准制备方法 |
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