JP2009186533A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置において高速駆動を図る。
【解決手段】複数の画素電極17を含み複数のサブ表示エリア1A,1B,1Cを含む表
示エリア1が第1の透明基板10に形成され、共通電極21が第2の透明基板20に形成
さている。これらの画素電極17と共通電極21の間には液晶層LCが配置されている。
各サブ表示エリア1A,1B,1Cは、垂直駆動回路101及び水平駆動回路102によ
って順次走査される。制御回路103の制御によって、それに接続された複数のサブ光源
BLA,BLB,BLCを含む光源BLは、各サブ表示エリア1A,1B,1Cの走査が
完了する毎に、各サブフィールドに対応した表示色のバックライトを点灯すると共に、サ
ブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して点灯と消灯を行う。
【選択図】図2
【解決手段】複数の画素電極17を含み複数のサブ表示エリア1A,1B,1Cを含む表
示エリア1が第1の透明基板10に形成され、共通電極21が第2の透明基板20に形成
さている。これらの画素電極17と共通電極21の間には液晶層LCが配置されている。
各サブ表示エリア1A,1B,1Cは、垂直駆動回路101及び水平駆動回路102によ
って順次走査される。制御回路103の制御によって、それに接続された複数のサブ光源
BLA,BLB,BLCを含む光源BLは、各サブ表示エリア1A,1B,1Cの走査が
完了する毎に、各サブフィールドに対応した表示色のバックライトを点灯すると共に、サ
ブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して点灯と消灯を行う。
【選択図】図2
Description
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置
に関する。
に関する。
カラーフィルタを必要とせず、モノクロ表示の場合と同数の画素によってカラー表示を
実現できる液晶表示装置として、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置が知られ
ている。図8に示すように、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置では、1フィ
ールドが、異なる表示色に対応した複数のサブフィールドを含んでいる。この液晶表示装
置のバックライト光源は、各サブフィールドに対応した表示色のバックライトを順次切り
換えて点灯する。
実現できる液晶表示装置として、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置が知られ
ている。図8に示すように、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置では、1フィ
ールドが、異なる表示色に対応した複数のサブフィールドを含んでいる。この液晶表示装
置のバックライト光源は、各サブフィールドに対応した表示色のバックライトを順次切り
換えて点灯する。
例としてR(赤色)表示、G(緑色)表示、B(青色)表示によるカラー表示について
説明する。R表示に対応するサブフィールドでは、まず、書き込み期間tSにおいて、R
表示に対応する表示信号が画素(不図示)に書き込まれ、続く応答期間tLCにおいて、
書き込まれた表示信号に応じて液晶層(不図示)の配向が変化し、その後の表示期間tB
Lにおいて、赤色のバックライトが点灯されてR表示が行われる。同様に、G(緑色)表
示、B(青色)表示を順次繰り返すことによって、カラー表示が実現できる。
説明する。R表示に対応するサブフィールドでは、まず、書き込み期間tSにおいて、R
表示に対応する表示信号が画素(不図示)に書き込まれ、続く応答期間tLCにおいて、
書き込まれた表示信号に応じて液晶層(不図示)の配向が変化し、その後の表示期間tB
Lにおいて、赤色のバックライトが点灯されてR表示が行われる。同様に、G(緑色)表
示、B(青色)表示を順次繰り返すことによって、カラー表示が実現できる。
このフィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置では、1つの画素において複数の表
示色に対応した表示を高速で切り換える必要がある。表示の高速な切換を可能にするもの
として、広視野角かつ高速応答が可能なOCBモード型の液晶層が知られている。
示色に対応した表示を高速で切り換える必要がある。表示の高速な切換を可能にするもの
として、広視野角かつ高速応答が可能なOCBモード型の液晶層が知られている。
以下に、OCBモード型の液晶層を有した液晶表示装置の一例について説明する。図9
(A)、図9(B)、図9(C)の断面図に示すように、光源BLと対向する第1の透明
基板10に配置された画素電極17と、第1の透明基板10と対向する第2の透明基板2
0に配置された共通電極121との間に、正の誘電率異方性Δεを有したOCBモード型
の液晶層LCが挟持されている。第1の透明基板10と第2の透明基板20には、互いに
直交する透過軸を有した不図示の偏光板が配置されている。
(A)、図9(B)、図9(C)の断面図に示すように、光源BLと対向する第1の透明
基板10に配置された画素電極17と、第1の透明基板10と対向する第2の透明基板2
0に配置された共通電極121との間に、正の誘電率異方性Δεを有したOCBモード型
の液晶層LCが挟持されている。第1の透明基板10と第2の透明基板20には、互いに
直交する透過軸を有した不図示の偏光板が配置されている。
図9(A)に示すように、液晶層LCの初期配向はスプレイ配列であるが、表示に先立
って、画素電極17と共通電極121との間に相転移閾値電圧以上の電圧を印加すること
により、図9(B)に示すように液晶層LCをベンド配列に転移させる。
って、画素電極17と共通電極121との間に相転移閾値電圧以上の電圧を印加すること
により、図9(B)に示すように液晶層LCをベンド配列に転移させる。
このベンド配列の液晶層LCは、その厚み方向の中央の領域で第1の透明基板10又は
第2の透明基板20に対して略垂直に配向しており、その中央の領域以外の殆どの領域で
は、第1の透明基板10又は第2の透明基板20に対して略水平に配向している。この状
態では、光源BLから第1の透明基板10を通して液晶層LCに入射した光の複屈折成分
が、第2の透明基板20から出射されて白表示(ノーマリーホワイト)となる。
第2の透明基板20に対して略垂直に配向しており、その中央の領域以外の殆どの領域で
は、第1の透明基板10又は第2の透明基板20に対して略水平に配向している。この状
態では、光源BLから第1の透明基板10を通して液晶層LCに入射した光の複屈折成分
が、第2の透明基板20から出射されて白表示(ノーマリーホワイト)となる。
一方、黒表示に対応する電圧が画素電極17と共通電極121との間に印加されると、
図9(C)に示すように、液晶層LCは、第1の透明基板10又は第2の透明基板20と
の界面以外の殆どの領域で、それらの透明基板に対して略垂直に配向する。この状態では
、光源BLから第1の透明基板10を通して液晶層LCに入射した光は、第2の透明基板
20の不図示の偏光板に吸収されるため、黒表示となる。
図9(C)に示すように、液晶層LCは、第1の透明基板10又は第2の透明基板20と
の界面以外の殆どの領域で、それらの透明基板に対して略垂直に配向する。この状態では
、光源BLから第1の透明基板10を通して液晶層LCに入射した光は、第2の透明基板
20の不図示の偏光板に吸収されるため、黒表示となる。
この液晶表示装置では、液晶層LCに印加される電圧が、液晶層LCが転移する閾値電
圧よりも低くなると、ベンド配列の液晶層LCがスプレイ配列に戻ってしまい、所望の透
過率を得ることができなくなる。この問題に対処するためには、例えば、各フィールド期
間において、表示期間tBLが完了した後、液晶層LCに印加される電圧を転移の閾値電
圧より大きくするべく、画素電極17に黒表示に対応する電圧を印加する方法が用いられ
る。
圧よりも低くなると、ベンド配列の液晶層LCがスプレイ配列に戻ってしまい、所望の透
過率を得ることができなくなる。この問題に対処するためには、例えば、各フィールド期
間において、表示期間tBLが完了した後、液晶層LCに印加される電圧を転移の閾値電
圧より大きくするべく、画素電極17に黒表示に対応する電圧を印加する方法が用いられ
る。
なお、ノーマリーホワイト表示を行う液晶表示装置における黒表示に対応する電圧の挿
入については、特許文献1に記載されている。
特開2002−350810号公報
入については、特許文献1に記載されている。
しかしながら、フィールドシーケンシャル方式の各サブフィールドでは、表示エリア全
体の画素への書き込みを1つの書き込み期間tSで行うことから、その書き込み期間tS
が長くなり、サブフィールドが長くなっていた。そのため、フィールドシーケンシャル方
式における高速駆動が制限されていた。
体の画素への書き込みを1つの書き込み期間tSで行うことから、その書き込み期間tS
が長くなり、サブフィールドが長くなっていた。そのため、フィールドシーケンシャル方
式における高速駆動が制限されていた。
本発明の液晶表示装置は、上記課題に鑑みてなされたものであり、1フィールドが、異
なる表示色に対応した複数のサブフィールドを含む液晶表示装置において、複数の画素電
極を含み複数のサブ表示エリアに分割された表示エリアが形成された第1の基板と、共通
電極が形成された第2の基板と、複数の画素電極と共通電極の間に配置された液晶層と、
各サブフィールドに対応した表示色で点灯すると共に、サブ表示エリア毎に点灯と消灯が
可能な光源と、複数のサブ表示エリアを順次走査する走査回路と、各サブフィールドにお
いて、各サブ表示エリアの走査が完了する毎に、各サブフィールドに対応した表示色で光
源を各サブ表示エリアに対応させて点灯するように制御を行う制御回路と、を備えること
を特徴とする。
なる表示色に対応した複数のサブフィールドを含む液晶表示装置において、複数の画素電
極を含み複数のサブ表示エリアに分割された表示エリアが形成された第1の基板と、共通
電極が形成された第2の基板と、複数の画素電極と共通電極の間に配置された液晶層と、
各サブフィールドに対応した表示色で点灯すると共に、サブ表示エリア毎に点灯と消灯が
可能な光源と、複数のサブ表示エリアを順次走査する走査回路と、各サブフィールドにお
いて、各サブ表示エリアの走査が完了する毎に、各サブフィールドに対応した表示色で光
源を各サブ表示エリアに対応させて点灯するように制御を行う制御回路と、を備えること
を特徴とする。
かかる構成によれば、表示エリアを複数のサブ表示エリアに分割して、サブ表示エリア
毎に点灯と消灯が可能な光源としたことにより、サブ表示エリアでのサブフィールドが終
了した後であれば、全ての表示エリアでのサブフィールドの終了を待つことなく、次のサ
ブフィールドを開始できるため、1サブフィールドにかかる時間を短縮することができる
。
毎に点灯と消灯が可能な光源としたことにより、サブ表示エリアでのサブフィールドが終
了した後であれば、全ての表示エリアでのサブフィールドの終了を待つことなく、次のサ
ブフィールドを開始できるため、1サブフィールドにかかる時間を短縮することができる
。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、共通電極は各サブ表示エリアに対
応して互いに電気的に分離された複数のサブ共通電極からなり、各サブ共通電極に所定の
電圧を印加する電圧印加手段を備え、電圧印加手段は、各サブフィールドにおいて、各サ
ブ表示エリアに対応させて点灯した光源が消灯した後に、各サブ共通電極に所定の電圧を
印加することを特徴とする。
応して互いに電気的に分離された複数のサブ共通電極からなり、各サブ共通電極に所定の
電圧を印加する電圧印加手段を備え、電圧印加手段は、各サブフィールドにおいて、各サ
ブ表示エリアに対応させて点灯した光源が消灯した後に、各サブ共通電極に所定の電圧を
印加することを特徴とする。
かかる構成によれば、各サブ表示エリアに対応してサブ共通電極を配置し、各サブ表示
エリアに対応した光源が消灯したあとに、各サブ共通電極に所定の電圧を印加することに
より、サブ表示エリアに分割した構成においてサブ表示エリア毎に短い時間で所定の電圧
を印加することが可能となる。
エリアに対応した光源が消灯したあとに、各サブ共通電極に所定の電圧を印加することに
より、サブ表示エリアに分割した構成においてサブ表示エリア毎に短い時間で所定の電圧
を印加することが可能となる。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、共通電極は各サブ表示エリアに対
応して互いに電気的に分離された複数のサブ共通電極からなり、第1の基板上に形成され
た補助容量線と、画素電極と補助容量線との間に形成され画素電極に印加される表示信号
を保持するための補助容量と、液晶層をベンド配列からスプレイ配列に転移させないよう
に、補助容量線とサブ共通電極の間に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、電
圧印加手段は、各サブフィールドにおいて、各サブ表示エリアに対応させて点灯した光源
が消灯した後に、補助容量線とサブ共通電極の間に所定の電圧を印加することを特徴とす
る。
応して互いに電気的に分離された複数のサブ共通電極からなり、第1の基板上に形成され
た補助容量線と、画素電極と補助容量線との間に形成され画素電極に印加される表示信号
を保持するための補助容量と、液晶層をベンド配列からスプレイ配列に転移させないよう
に、補助容量線とサブ共通電極の間に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、電
圧印加手段は、各サブフィールドにおいて、各サブ表示エリアに対応させて点灯した光源
が消灯した後に、補助容量線とサブ共通電極の間に所定の電圧を印加することを特徴とす
る。
かかる構成によれば、所定の電圧を補助容量線とサブ共通電極との間に印加するので、
所定の電圧を印加した時の液晶に印加される電圧をより高い電圧にすることが容易となる
。
所定の電圧を印加した時の液晶に印加される電圧をより高い電圧にすることが容易となる
。
また、本発明の液晶表示装置では、上記構成において、順次走査される複数のサブ表示
エリアのうち少なくとも最初に走査されるサブ表示エリアの面積は、他の前記サブ表示エ
リアの面積よりも大きいことを特徴とする。
エリアのうち少なくとも最初に走査されるサブ表示エリアの面積は、他の前記サブ表示エ
リアの面積よりも大きいことを特徴とする。
かかる構成によれば、最初に走査されるサブ表示エリアによる漏れ光を効率よく抑制す
ることができる。
ることができる。
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、液晶層は相転移させる電圧を印加
した後に前記液晶の構成分子が弓なり状に配列されるベンド配向となることを特徴とする
。
した後に前記液晶の構成分子が弓なり状に配列されるベンド配向となることを特徴とする
。
かかる構成によれば、相転移させる電圧を印加した後に前記液晶の構成分子が弓なり状
に配列されるベンド配向となるOCBモード型とすることにより、液晶の応答時間を短く
することができる。
に配列されるベンド配向となるOCBモード型とすることにより、液晶の応答時間を短く
することができる。
また、本発明の液晶表示装置では、上記構成において、所定の電圧は、液晶層に印加さ
れる電圧の時間的な平均値が、液晶層がベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧
よりも高くなるように設定されたことを特徴とする。
れる電圧の時間的な平均値が、液晶層がベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧
よりも高くなるように設定されたことを特徴とする。
かかる構成によれば、液晶層がベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧より高
い電圧を液晶層に印加することにより、液晶層がスプレイ配列からベンド配列に転移する
ことを抑制することができ、表示電圧範囲の下限を閾値電圧よりも低い電圧まで下げるこ
とができる。
い電圧を液晶層に印加することにより、液晶層がスプレイ配列からベンド配列に転移する
ことを抑制することができ、表示電圧範囲の下限を閾値電圧よりも低い電圧まで下げるこ
とができる。
また、本発明の液晶表示装置では、上記構成において、所定の電圧は、画素電極に印加
される表示信号の最大電圧以上であることを特徴とする。
される表示信号の最大電圧以上であることを特徴とする。
かかる構成によれば、液晶層をベンド配列からスプレイ配列に転移させないために必要
な電圧を液晶層に確実に印加することができる。
な電圧を液晶層に確実に印加することができる。
本発明によれば、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置において高速駆動を図
ることができる。
ることができる。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態による液晶表示装置について説明する。図1は、本実施形態に
よる液晶表示装置の概略の等価回路図である。図1では、液晶表示装置に含まれる複数の
画素の一部のみを示している。図2は、本実施形態による液晶表示装置の表示エリアを示
す概略の平面図である。
本発明の第1の実施形態による液晶表示装置について説明する。図1は、本実施形態に
よる液晶表示装置の概略の等価回路図である。図1では、液晶表示装置に含まれる複数の
画素の一部のみを示している。図2は、本実施形態による液晶表示装置の表示エリアを示
す概略の平面図である。
図1に示すように、垂直駆動回路101から画素選択信号が印加される複数の画素選択
信号線GLと、水平駆動回路102から表示信号が印加される表示信号線DLとの各交差
点に対応して、画素1Pが配置されている。各画素1Pには、ゲートが画素選択信号線G
Lに接続され、ドレインが表示信号線DLに接続された薄膜トランジスタ等の画素トラン
ジスタTRが配置されている。画素トランジスタTRのソースには画素電極(不図示)が
接続され、その画素電極に印加される表示信号と共通電極(不図示)に印加される電圧に
より、液晶層LCに電界が形成される。共通電極に印加される電圧は、通常の表示にかか
る動作においては共通電位COMである。また、画素電極と、補助容量電位SCが印加さ
れる補助容量線SLとの間には、画素電極に印加される表示信号を保持する補助容量Cs
が接続されている。
信号線GLと、水平駆動回路102から表示信号が印加される表示信号線DLとの各交差
点に対応して、画素1Pが配置されている。各画素1Pには、ゲートが画素選択信号線G
Lに接続され、ドレインが表示信号線DLに接続された薄膜トランジスタ等の画素トラン
ジスタTRが配置されている。画素トランジスタTRのソースには画素電極(不図示)が
接続され、その画素電極に印加される表示信号と共通電極(不図示)に印加される電圧に
より、液晶層LCに電界が形成される。共通電極に印加される電圧は、通常の表示にかか
る動作においては共通電位COMである。また、画素電極と、補助容量電位SCが印加さ
れる補助容量線SLとの間には、画素電極に印加される表示信号を保持する補助容量Cs
が接続されている。
この液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式によるカラー表示を行うものであ
り、1フィールドが、異なる表示色に対応した複数のサブフィールドからなる。以下、例
として、1フィールドが、R(赤色)表示、G(緑色)表示、B(青色)表示のそれぞれ
に対応した3つのサブフィールドからなる場合について説明する。なお、これに限定され
ず、1フィールドは上記以外の表示色に対応したサブフィールドからなるものであっても
よい。
り、1フィールドが、異なる表示色に対応した複数のサブフィールドからなる。以下、例
として、1フィールドが、R(赤色)表示、G(緑色)表示、B(青色)表示のそれぞれ
に対応した3つのサブフィールドからなる場合について説明する。なお、これに限定され
ず、1フィールドは上記以外の表示色に対応したサブフィールドからなるものであっても
よい。
さらに、この液晶表示装置の表示エリアは、例えば垂直走査の方向に沿って、複数のサ
ブ表示エリアに分割されている。以下、例として、図2に示すように、第1の基板10に
形成された表示エリア1が3つのサブ表示エリア1A,1B,1Cに分割されている場合
について説明する。図の例では、分割された各サブ表示エリア1A,1B,1Cの面積は
全て同一であるが、互いに異なるものであってもよい。特に、最初に走査されるサブ表示
エリア1Aの面積を他のサブ表示エリア1B,1Cの面積よりも大きくすることにより、
漏れ光を防ぐことが出来る。
ブ表示エリアに分割されている。以下、例として、図2に示すように、第1の基板10に
形成された表示エリア1が3つのサブ表示エリア1A,1B,1Cに分割されている場合
について説明する。図の例では、分割された各サブ表示エリア1A,1B,1Cの面積は
全て同一であるが、互いに異なるものであってもよい。特に、最初に走査されるサブ表示
エリア1Aの面積を他のサブ表示エリア1B,1Cの面積よりも大きくすることにより、
漏れ光を防ぐことが出来る。
垂直駆動回路101及び水平駆動回路102は協同して、各画素1Pへ表示信号の書き
込み、即ち走査を、サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して、垂直走査の方向に沿
って順次行う。図の例では、各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応する走査を、それ
ぞれ第1の走査、第2の走査、第3の走査としている。
込み、即ち走査を、サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して、垂直走査の方向に沿
って順次行う。図の例では、各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応する走査を、それ
ぞれ第1の走査、第2の走査、第3の走査としている。
この液晶表示装置に用いられるバックライトの光源BLは、各サブ表示エリア1A,1
B,1Cに対応して配置された複数のサブ光源BLA,BLB,BLCを含む。各サブ光
源BLA,BLB,BLCは、それらに接続された制御回路103に制御されて、各サブ
フィールドに対応した表示色のバックライトを順次点灯して消灯するものであり、その点
灯と消灯は、サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して、第1の走査、第2の走査、
第3の走査がそれぞれ完了する毎に行われる。
B,1Cに対応して配置された複数のサブ光源BLA,BLB,BLCを含む。各サブ光
源BLA,BLB,BLCは、それらに接続された制御回路103に制御されて、各サブ
フィールドに対応した表示色のバックライトを順次点灯して消灯するものであり、その点
灯と消灯は、サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して、第1の走査、第2の走査、
第3の走査がそれぞれ完了する毎に行われる。
以下に、この液晶表示装置の詳細な構成について図面を参照して説明する。図3は、本
実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図3は、図2のX−X線に沿った断面
図であり、説明の便宜上、複数の画素1Pの中から1つの画素1Pのみを示している。な
お、図3では、図1、2及び図8に示したものと同様の構成要素については同一の符号を
付して参照する。また、図4は、この液晶表示装置の共通電極21を示す平面図であり、
図3の表示エリア1に対応した共通電極21の配置関係を示している。
実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図3は、図2のX−X線に沿った断面
図であり、説明の便宜上、複数の画素1Pの中から1つの画素1Pのみを示している。な
お、図3では、図1、2及び図8に示したものと同様の構成要素については同一の符号を
付して参照する。また、図4は、この液晶表示装置の共通電極21を示す平面図であり、
図3の表示エリア1に対応した共通電極21の配置関係を示している。
図3に示すように、ガラス基板等からなる第1の透明基板10と第2の透明基板20と
の間に、正の誘電率異方性Δεを有したOCBモード型の液晶層LCが挟持されている。
第1の透明基板10は、制御回路103に接続された光源BLと対向している。第1の透
明基板10の光源BLと対向する側には第1の偏光板PL1が配置されており、光源BL
と対向しない側にはポリシリコン等からなる第1の半導体層11A及び第2の半導体層1
1Bが配置されている。第1の半導体層11Aは画素トランジスタTRの能動層であり、
第2の半導体層11Bは画素トランジスタTRに接続される補助容量Csを構成する容量
電極である。第1の半導体層11A及び第2の半導体層11Bはゲート絶縁膜12に覆わ
れている。第1の半導体層11Aと重畳するゲート絶縁膜12上には、ゲート電極として
画素選択信号線GLの一部が延びている。第2の半導体層11Bと重畳するゲート絶縁膜
12上には、補助容量Csを構成するもう1つの容量電極として、補助容量線SLが延び
ている。ここで、第2の半導体層11Bを覆うゲート絶縁膜12は、補助容量Csの容量
絶縁膜として機能する。
の間に、正の誘電率異方性Δεを有したOCBモード型の液晶層LCが挟持されている。
第1の透明基板10は、制御回路103に接続された光源BLと対向している。第1の透
明基板10の光源BLと対向する側には第1の偏光板PL1が配置されており、光源BL
と対向しない側にはポリシリコン等からなる第1の半導体層11A及び第2の半導体層1
1Bが配置されている。第1の半導体層11Aは画素トランジスタTRの能動層であり、
第2の半導体層11Bは画素トランジスタTRに接続される補助容量Csを構成する容量
電極である。第1の半導体層11A及び第2の半導体層11Bはゲート絶縁膜12に覆わ
れている。第1の半導体層11Aと重畳するゲート絶縁膜12上には、ゲート電極として
画素選択信号線GLの一部が延びている。第2の半導体層11Bと重畳するゲート絶縁膜
12上には、補助容量Csを構成するもう1つの容量電極として、補助容量線SLが延び
ている。ここで、第2の半導体層11Bを覆うゲート絶縁膜12は、補助容量Csの容量
絶縁膜として機能する。
ゲート絶縁膜12、画素選択信号線GL、及び補助容量線SLは、パッシベーション膜
14に覆われている。パッシベーション膜14上には、表示信号線DLと電極15が配置
されている。表示信号線DLは、コンタクトホールCH1を通して第1の半導体層11A
のドレイン領域11Dと接続されている。電極15は、コンタクトホールCH2を通して
第1の半導体層11Aのソース領域11Sと接続されると共に、コンタクトホールCH3
を通して第2の半導体層11Bと接続されている。これらは平坦化膜16に覆われており
、平坦化膜16上にはITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料か
らなる画素電極17が配置されている。画素電極17はコンタクトホールCH4を通して
電極15と接続されている。画素電極17は第1の配向膜18に覆われている。
14に覆われている。パッシベーション膜14上には、表示信号線DLと電極15が配置
されている。表示信号線DLは、コンタクトホールCH1を通して第1の半導体層11A
のドレイン領域11Dと接続されている。電極15は、コンタクトホールCH2を通して
第1の半導体層11Aのソース領域11Sと接続されると共に、コンタクトホールCH3
を通して第2の半導体層11Bと接続されている。これらは平坦化膜16に覆われており
、平坦化膜16上にはITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料か
らなる画素電極17が配置されている。画素電極17はコンタクトホールCH4を通して
電極15と接続されている。画素電極17は第1の配向膜18に覆われている。
一方、第2の透明基板20には、第1の透明基板10と対向しない側に、第1の偏光板
PL1と直交する透過軸を有した第2の偏光板PL2が配置されている。第2の透明基板
20上であって液晶層LCと対応する側には、ITO等の透明導電材料からなる共通電極
21が配置されている。この共通電極21は、図4に示すように、各サブ表示エリア1A
,1B,1Cに対応して互いに電気的に分離して配置された複数のサブ共通電極21A,
21B,21Cからなる。
PL1と直交する透過軸を有した第2の偏光板PL2が配置されている。第2の透明基板
20上であって液晶層LCと対応する側には、ITO等の透明導電材料からなる共通電極
21が配置されている。この共通電極21は、図4に示すように、各サブ表示エリア1A
,1B,1Cに対応して互いに電気的に分離して配置された複数のサブ共通電極21A,
21B,21Cからなる。
図3に示すように、共通電極21は、第1の配向膜18と同一方向のラビング方向を有
した第2の配向膜22に覆われている。このラビング方向に応じて、液晶層LCの初期配
向はスプレイ配列となり、図9に示したOCBモード型の液晶層LCと同様に、表示信号
に応じた表示に先立って、画素電極17と共通電極21との間に電圧を印加することによ
り、液晶層LCはベンド配列に転移する。また、液晶層LCの表示にかかる動作について
は、図9に示した液晶層LCと同様であるため、その説明を省略する。
した第2の配向膜22に覆われている。このラビング方向に応じて、液晶層LCの初期配
向はスプレイ配列となり、図9に示したOCBモード型の液晶層LCと同様に、表示信号
に応じた表示に先立って、画素電極17と共通電極21との間に電圧を印加することによ
り、液晶層LCはベンド配列に転移する。また、液晶層LCの表示にかかる動作について
は、図9に示した液晶層LCと同様であるため、その説明を省略する。
また、共通電極21には、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層LCを再
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように共通電極21に所定の電圧VBを印
加する電圧印加手段104が接続されている。電圧印加手段104は、電圧発生回路、又
は外部から上記所定の電圧VBが印加される電圧印加端子である。
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように共通電極21に所定の電圧VBを印
加する電圧印加手段104が接続されている。電圧印加手段104は、電圧発生回路、又
は外部から上記所定の電圧VBが印加される電圧印加端子である。
以下に、この液晶表示装置におけるフィールドシーケンシャル方式のカラー表示につい
て図面を参照して説明する。図5は、この液晶表示装置のフィールドを示すタイミング図
である。なお、図5のタイミング図にかかる説明では、表示信号に応じた表示が可能な状
態として、一旦、液晶層LCがスプレイ配列からベンド配列に転移されているものとする
。
て図面を参照して説明する。図5は、この液晶表示装置のフィールドを示すタイミング図
である。なお、図5のタイミング図にかかる説明では、表示信号に応じた表示が可能な状
態として、一旦、液晶層LCがスプレイ配列からベンド配列に転移されているものとする
。
また、図6は、本実施形態による液晶表示装置の液晶層LCに印加される電圧と透過率
の関係を示すグラフであり、その横軸は液晶層LCに印加される電圧に対応し、縦軸は透
過率に対応している。図中では、液晶層LCにおけるスプレイ配列−ベンド配列間の転移
の閾値電圧をVC(例えば約2.3V)で示している。また、表示信号に応じて液晶層L
Cに印加される電圧として、黒表示に対応した黒表示電圧をV1(例えば約5〜7V)と
し、白表示に対応した白表示電圧をV2(例えば約1〜1.5V)として示している。
の関係を示すグラフであり、その横軸は液晶層LCに印加される電圧に対応し、縦軸は透
過率に対応している。図中では、液晶層LCにおけるスプレイ配列−ベンド配列間の転移
の閾値電圧をVC(例えば約2.3V)で示している。また、表示信号に応じて液晶層L
Cに印加される電圧として、黒表示に対応した黒表示電圧をV1(例えば約5〜7V)と
し、白表示に対応した白表示電圧をV2(例えば約1〜1.5V)として示している。
最初に、R(赤色)表示に対応するサブフィールドについて説明する。図5に示すよう
に、まず、第1の走査として、サブ表示エリア1Aでは、書き込み期間tSAにおいて、
R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれる(即ち画素電極17に印加される)
。続く液晶層LCの応答期間tLCでは、第1の走査、即ち書き込み期間tSAで書き込
まれた表示信号に応じて液晶層LCの配向が変化する。そして、その後の表示期間tBL
において、制御回路103の制御により、サブ光源1Aから赤色のバックライトが点灯さ
れてサブ表示エリア1AのR表示が行われる。
に、まず、第1の走査として、サブ表示エリア1Aでは、書き込み期間tSAにおいて、
R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれる(即ち画素電極17に印加される)
。続く液晶層LCの応答期間tLCでは、第1の走査、即ち書き込み期間tSAで書き込
まれた表示信号に応じて液晶層LCの配向が変化する。そして、その後の表示期間tBL
において、制御回路103の制御により、サブ光源1Aから赤色のバックライトが点灯さ
れてサブ表示エリア1AのR表示が行われる。
これと一部並行して、サブ表示エリア1Aに続くサブ表示エリア1Bでは、第1の走査
、即ち書き込み期間tSAが完了した時点で、第2の走査として、書き込み期間tSBに
おいて、R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれる。続く液晶層LCの応答期
間tLCでは、第2の走査、即ち書き込み期間tSBで書き込まれた表示信号に応じて液
晶層LCの配向が変化する。そして、その後の表示期間tBLにおいて、制御回路103
の制御により、サブ光源2Aから赤色のバックライトが点灯されてサブ表示エリア1Bの
R表示が行われる。さらに、これと一部並行して、サブ表示エリア1Bに続くサブ表示エ
リア1Cでは、第2の走査、即ち書き込み期間tSBが完了した時点で、第3の走査とし
て、書き込み期間tSCにおいて、R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれ、
上記と同様に、サブ表示エリア1CのR表示が行われる。
、即ち書き込み期間tSAが完了した時点で、第2の走査として、書き込み期間tSBに
おいて、R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれる。続く液晶層LCの応答期
間tLCでは、第2の走査、即ち書き込み期間tSBで書き込まれた表示信号に応じて液
晶層LCの配向が変化する。そして、その後の表示期間tBLにおいて、制御回路103
の制御により、サブ光源2Aから赤色のバックライトが点灯されてサブ表示エリア1Bの
R表示が行われる。さらに、これと一部並行して、サブ表示エリア1Bに続くサブ表示エ
リア1Cでは、第2の走査、即ち書き込み期間tSBが完了した時点で、第3の走査とし
て、書き込み期間tSCにおいて、R表示に対応する表示信号が画素1Pに書き込まれ、
上記と同様に、サブ表示エリア1CのR表示が行われる。
このR表示に対応するサブフィールドに続いて、各サブ表示エリア1A,1B,1Cで
は、上記と同様に、G(緑色)表示、B(青色)表示が順次行われ、それらのサブフィー
ルドが1フィールドとなって繰り返されることにより、カラー表示が実現される。
は、上記と同様に、G(緑色)表示、B(青色)表示が順次行われ、それらのサブフィー
ルドが1フィールドとなって繰り返されることにより、カラー表示が実現される。
このカラー表示では、先に行われたサブフィールドの表示期間tBLの終了を待たずに
、それに続く次のサブフィールドの走査、即ち書き込み期間を開始することができる。例
えば、先にR表示に対応するサブフィールドが行われる場合について説明すると、R表示
に対応するサブフィールドにおいて、第3の走査、即ち最後のサブ表示エリア1Cでの書
き込み期間tSCが完了した時点で、そのサブ表示エリア1Cでの応答期間tLC及び表
示期間tBLの終了を待つことなく、続いて連続するG表示に対応するサブフィールドの
第1の走査、即ち最初のサブ表示エリア1Aでの書き込み期間tSAが再び開始される。
、それに続く次のサブフィールドの走査、即ち書き込み期間を開始することができる。例
えば、先にR表示に対応するサブフィールドが行われる場合について説明すると、R表示
に対応するサブフィールドにおいて、第3の走査、即ち最後のサブ表示エリア1Cでの書
き込み期間tSCが完了した時点で、そのサブ表示エリア1Cでの応答期間tLC及び表
示期間tBLの終了を待つことなく、続いて連続するG表示に対応するサブフィールドの
第1の走査、即ち最初のサブ表示エリア1Aでの書き込み期間tSAが再び開始される。
そのため、従来例と同一の周波数によって走査が行われると仮定すれば、1フィールド
の長さが従来例に比して短縮されて、高速な駆動を実現することができる。
の長さが従来例に比して短縮されて、高速な駆動を実現することができる。
ところで、OCBモード型の液晶層LCでは、それに印加される電圧が、転移の閾値電
圧よりも低くなると、表示に先立ってベンド配列されていた液晶層LCの配列がスプレイ
配列に戻ってしまい、所望の透過率を得られなくなることが知られていた。
圧よりも低くなると、表示に先立ってベンド配列されていた液晶層LCの配列がスプレイ
配列に戻ってしまい、所望の透過率を得られなくなることが知られていた。
ベンド配列からスプレイ配列に転移することを抑止するためには、液晶層LCに、転移
の閾値電圧より高い電圧を印加する方法が考えられる。しかし、その高い電圧を液晶層L
Cに印加するために、画素電極17を通して所定の電圧を印加すると、その上限値は、画
素電極17に印加される表示信号の最大電圧によって制限される。このため、液晶層LC
の転移の制御が十分に行われない場合があり、ベンド配列からスプレイ配列への転移を抑
止できない場合がある。
の閾値電圧より高い電圧を印加する方法が考えられる。しかし、その高い電圧を液晶層L
Cに印加するために、画素電極17を通して所定の電圧を印加すると、その上限値は、画
素電極17に印加される表示信号の最大電圧によって制限される。このため、液晶層LC
の転移の制御が十分に行われない場合があり、ベンド配列からスプレイ配列への転移を抑
止できない場合がある。
そこで、本発明では、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層LCを再びベ
ンド配列からスプレイ配列に転移させないように印加される所定の電圧VBを、より高い
電圧(即ちその絶対値の大きな電圧)にするため、電圧印加手段104によって、画素電
極17ではなく、共通電極21に印加している。なお、所定の電圧VBが印加される電圧
印加期間tVB以外の期間、即ち書き込み期間tSA,tSB,tSC、応答期間tLC
、表示期間tBLにおいては、共通電極21には共通電位COMを印加している。
ンド配列からスプレイ配列に転移させないように印加される所定の電圧VBを、より高い
電圧(即ちその絶対値の大きな電圧)にするため、電圧印加手段104によって、画素電
極17ではなく、共通電極21に印加している。なお、所定の電圧VBが印加される電圧
印加期間tVB以外の期間、即ち書き込み期間tSA,tSB,tSC、応答期間tLC
、表示期間tBLにおいては、共通電極21には共通電位COMを印加している。
共通電極21に対する所定の電圧VBの印加は、各サブ共通電極21A,21B,21
Cを通して、各サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して行われる。即ち、1つのサ
ブフィールドにおいて、各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応して点灯した各サブ光
源BLA,BLB,BLCが消灯した後、即ち各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応
した表示期間tBLの後に、電圧印加期間tVBにわたって行われる。
Cを通して、各サブ表示エリア1A,1B,1C毎に独立して行われる。即ち、1つのサ
ブフィールドにおいて、各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応して点灯した各サブ光
源BLA,BLB,BLCが消灯した後、即ち各サブ表示エリア1A,1B,1Cに対応
した表示期間tBLの後に、電圧印加期間tVBにわたって行われる。
この所定の電圧VBは、1サブフィールドにおいて液晶層LCに印加される電圧の時間
的な平均値が、液晶層LCがベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧VCよりも
高くなるように設定されている。所定の電圧VBは、例えば約5〜約7Vである。
的な平均値が、液晶層LCがベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧VCよりも
高くなるように設定されている。所定の電圧VBは、例えば約5〜約7Vである。
この電圧VBの印加により、図6の曲線C1に示すように、書き込み期間tSA,tS
B,tSCにおいて、白表示電圧V1(閾値電圧VCよりも低い電圧)が液晶層LCに印
加されていても、液晶層LCのベンド配列は維持され、高い透過率を得ることができる。
B,tSCにおいて、白表示電圧V1(閾値電圧VCよりも低い電圧)が液晶層LCに印
加されていても、液晶層LCのベンド配列は維持され、高い透過率を得ることができる。
仮に、上記電圧VBの印加が行われないと、液晶層LCに印加される電圧の時間的な平
均は閾値電圧VCよりも低くなり、液晶層LCはベンド配列からスプレイ配列に戻るよう
に転移してしまう。この場合、曲線C2に示すように、書き込み期間tSA,tSB,t
SCにおいて、白表示電圧V1が液晶層LCに印加されていると、透過率が低下してしま
い、表示品位の低下が生じてしまう。
均は閾値電圧VCよりも低くなり、液晶層LCはベンド配列からスプレイ配列に戻るよう
に転移してしまう。この場合、曲線C2に示すように、書き込み期間tSA,tSB,t
SCにおいて、白表示電圧V1が液晶層LCに印加されていると、透過率が低下してしま
い、表示品位の低下が生じてしまう。
さらに本実施形態では、液晶層LCの転移を抑止するための電圧が画素電極17を通し
て液晶層LCに印加される場合に比して、より高い電圧(即ちその絶対値の大きな電圧)
VBを液晶層LCに印加できるため、確実に、液晶層LCがベンド配列からスプレイ配列
に戻ることを抑止することができる。即ち、確実に高い透過率を得ることができる。ある
いは、電圧VBを印加する電圧印加期間tVBを短縮することが可能となる。
て液晶層LCに印加される場合に比して、より高い電圧(即ちその絶対値の大きな電圧)
VBを液晶層LCに印加できるため、確実に、液晶層LCがベンド配列からスプレイ配列
に戻ることを抑止することができる。即ち、確実に高い透過率を得ることができる。ある
いは、電圧VBを印加する電圧印加期間tVBを短縮することが可能となる。
[第2の実施形態]
以下に、本発明の第2の実施形態について図7を参照して説明する。本実施形態では、
第1の実施形態における共通電極21に接続された電圧印加手段104の替わりに、補助
容量線SLと共通電極21に接続された電圧印加手段105が設けられている。その他の
構成については第1の実施形態と同様である。
以下に、本発明の第2の実施形態について図7を参照して説明する。本実施形態では、
第1の実施形態における共通電極21に接続された電圧印加手段104の替わりに、補助
容量線SLと共通電極21に接続された電圧印加手段105が設けられている。その他の
構成については第1の実施形態と同様である。
電圧印加手段105は、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層LCを、再
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように、複数の共通電極21とそれに対応
して配置された複数の補助容量線SLとの間に、第1の実施形態と同じ条件を満たす所定
の電圧VBを電圧印加期間tVBにわたって印加する。ただし、この所定の電圧VBを、
補助容量線SLと共通電極21の2つの電極の間に印加する。この場合は、共通電極21
と画素電極1Pとの間の液晶容量と補助容量との分圧比によって、液晶層LCにかかる電
圧が決まり、同じ所定の電圧VBを印加した場合に、共通電極21のみに電圧を印加する
第1の実施形態よりも液晶層LCに印加される電圧を高くすることができる。さらに、第
1実施形態では、所定の電圧VBを印加する前の画素電極1Pに書き込まれた表示信号電
圧が異なる場合には、所定の電圧VBが印加された時に液晶層LCに印加される電圧が異
なるが、本実施形態では、液晶層LCに一定の電圧が印加されることになる。これにより
、第1の実施形態と同様の効果を、より確実に得ることができる。
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように、複数の共通電極21とそれに対応
して配置された複数の補助容量線SLとの間に、第1の実施形態と同じ条件を満たす所定
の電圧VBを電圧印加期間tVBにわたって印加する。ただし、この所定の電圧VBを、
補助容量線SLと共通電極21の2つの電極の間に印加する。この場合は、共通電極21
と画素電極1Pとの間の液晶容量と補助容量との分圧比によって、液晶層LCにかかる電
圧が決まり、同じ所定の電圧VBを印加した場合に、共通電極21のみに電圧を印加する
第1の実施形態よりも液晶層LCに印加される電圧を高くすることができる。さらに、第
1実施形態では、所定の電圧VBを印加する前の画素電極1Pに書き込まれた表示信号電
圧が異なる場合には、所定の電圧VBが印加された時に液晶層LCに印加される電圧が異
なるが、本実施形態では、液晶層LCに一定の電圧が印加されることになる。これにより
、第1の実施形態と同様の効果を、より確実に得ることができる。
なお、上記第1の実施形態及び第2の実施形態による液晶表示装置の液晶層LCは、必
ずしもOCBモード型である必要はなく、本発明は、それ以外の液晶層、例えばTNモー
ド型やVAモード型の液晶層を用いた場合についても適用される。その場合、所望の表示
品位が得られるのであれば、所定の電圧VBを印加する電圧印加手段104、105は必
ずしも設けられなくともよく、共通電極21は複数のサブ共通電極21A,21B,21
Cに分割されてなくてもよい。
ずしもOCBモード型である必要はなく、本発明は、それ以外の液晶層、例えばTNモー
ド型やVAモード型の液晶層を用いた場合についても適用される。その場合、所望の表示
品位が得られるのであれば、所定の電圧VBを印加する電圧印加手段104、105は必
ずしも設けられなくともよく、共通電極21は複数のサブ共通電極21A,21B,21
Cに分割されてなくてもよい。
1 表示エリア 1A,1B,1C サブ表示エリア
1P 画素 10 第1の透明基板
11A 第1の半導体層 11B 第2の半導体層
11D ドレイン領域 11S ソース領域
12 ゲート絶縁膜 14 パッシベーション層
15 電極 16 平坦化膜
17 画素電極 18 第1の配向膜
20 第2の透明基板 21 共通電極
21A,21B,21C サブ共通電極 22 第2の配向膜
101 垂直駆動回路 102 水平駆動回路
103 制御回路 104,105 電圧印加手段
BL 光源 BLA,BLB,BLC サブ光源
GL 画素選択信号線 DL 表示信号線
PL1 第1の偏光板 PL2 第2の偏光板
SL 補助容量線 TR 画素トランジスタ
LC 液晶層
1P 画素 10 第1の透明基板
11A 第1の半導体層 11B 第2の半導体層
11D ドレイン領域 11S ソース領域
12 ゲート絶縁膜 14 パッシベーション層
15 電極 16 平坦化膜
17 画素電極 18 第1の配向膜
20 第2の透明基板 21 共通電極
21A,21B,21C サブ共通電極 22 第2の配向膜
101 垂直駆動回路 102 水平駆動回路
103 制御回路 104,105 電圧印加手段
BL 光源 BLA,BLB,BLC サブ光源
GL 画素選択信号線 DL 表示信号線
PL1 第1の偏光板 PL2 第2の偏光板
SL 補助容量線 TR 画素トランジスタ
LC 液晶層
Claims (7)
- 1フィールドが、異なる表示色に対応した複数のサブフィールドを含む液晶表示装置に
おいて、
複数の画素電極を含み複数のサブ表示エリアに分割された表示エリアが形成された第1
の基板と、
共通電極が形成された第2の基板と、
前記複数の画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶層と、
前記各サブフィールドに対応した表示色で点灯すると共に、前記サブ表示エリア毎に点
灯と消灯が可能な光源と、
前記複数のサブ表示エリアを順次走査する走査回路と、
前記各サブフィールドにおいて、前記各サブ表示エリアの走査が完了する毎に、前記各
サブフィールドに対応した表示色で前記光源を前記各サブ表示エリアに対応させて点灯す
るように制御を行う制御回路と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記共通電極は前記各サブ表示エリアに対応して互いに電気的に分離された複数のサブ
共通電極からなり、
前記各サブ共通電極に所定の電圧を印加する電圧印加手段を備え、
前記電圧印加手段は、前記各サブフィールドにおいて、前記各サブ表示エリアに対応さ
せて点灯した前記光源が消灯した後に、前記各サブ共通電極に前記所定の電圧を印加する
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記共通電極は前記各サブ表示エリアに対応して互いに電気的に分離された複数のサブ
共通電極からなり、
前記第1の基板上に形成された補助容量線と、
前記画素電極と前記補助容量線との間に形成され前記画素電極に印加される表示信号を
保持するための補助容量と、
前記補助容量線と前記サブ共通電極の間に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備
え、
前記電圧印加手段は、前記各サブフィールドにおいて、前記各サブ表示エリアに対応さ
せて点灯した前記光源が消灯した後に、前記補助容量線と前記サブ共通電極の間に前記所
定の電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 順次走査される前記複数のサブ表示エリアのうち少なくとも最初に走査されるサブ表示
エリアの面積は、他の前記サブ表示エリアの面積よりも大きいことを特徴とする請求項1
乃至請求項3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記液晶層は相転移させる電圧を印加した後に前記液晶の構成分子が弓なり状に配列さ
れるベンド配向となることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示
装置。 - 前記所定の電圧は、前記液晶層に印加される電圧の時間的な平均値が、前記液晶層が前
記ベンド配列から前記スプレイ配列へ転移する閾値電圧よりも高くなるように設定された
ことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。 - 前記所定の電圧は、前記画素電極に印加される表示信号の最大電圧以上であることを特
徴とする請求項5または請求項6に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008023555A JP2009186533A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008023555A JP2009186533A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009186533A true JP2009186533A (ja) | 2009-08-20 |
Family
ID=41069871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008023555A Withdrawn JP2009186533A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009186533A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012014686A1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
WO2015113186A1 (zh) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扫描式背光模组及显示装置 |
CN111965881A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-11-20 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2008
- 2008-02-04 JP JP2008023555A patent/JP2009186533A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012014686A1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
US9172946B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device displaying stereoscopic images |
WO2015113186A1 (zh) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扫描式背光模组及显示装置 |
US9678263B2 (en) | 2014-01-29 | 2017-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Scanning type backlight module and display device |
CN111965881A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-11-20 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN111965881B (zh) * | 2020-09-08 | 2022-08-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110405 |