JP2009186351A - Dut基板冷却装置 - Google Patents

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JP2009186351A JP2008027511A JP2008027511A JP2009186351A JP 2009186351 A JP2009186351 A JP 2009186351A JP 2008027511 A JP2008027511 A JP 2008027511A JP 2008027511 A JP2008027511 A JP 2008027511A JP 2009186351 A JP2009186351 A JP 2009186351A
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dut substrate
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Yoshitake Nishiuchi
嘉猛 西内
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Abstract

【課題】DUT基板を冷却するDUT基板冷却装置を実現する。
【解決手段】テストヘッドに載置されるDUT基板に設けられるDUT基板冷却装置において、前記DUT基板内に設けられた冷却流路と、この冷却流路に連通され前記DUT基板が前記テストヘッドに載置されると前記テストヘッドから前記テストヘッドで使用されている冷却流体の供給を受ける冷却流体供給手段とを具備したことを特徴とするDUT基板冷却装置である。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体試験装置に使用されるDUT基板冷却装置に関するものである。
DUT基板冷却装置に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開2003−028894号公報
図4は従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図、図5は本発明の他の実施例の要部構成説明図、図6は本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図4、図5、図6において、半導体試験装置はテストヘッド1の筐体内にさまざまな測定機器を格納し、これらの入出力をDUT I/F 1a、DUT基板Ib、ICソケット1cを介して被測定部品DUTと電気的に接続することでアナログ・デジタル信号を解析して試験の合否判断を行う。
DUT基板Ibは、DUT I/F 1aと電気的な接続をとるためのポゴピン1dやコネクタなどが存在するコンタクトエリア1eと、図5に示す如き測定補助回路1fやICソケット1cが実装可能なユーザーエリア1gがある。
また、DUT基板Ibには、DUT I/F 1aからDUTを搭載するICソケット1cまでの電気配線を行う役割と、半導体試験装置が保有する測定機能を有効活用するための様々な測定補助回路を測定補助回路1fに搭載する役割がある。
DUT基板Ibには、コンタクトエリア1eと自動部品搬送装置(ハンドラー)によって発生する反力から、DUT基板Ibが反りやねじれを発生することを防止する補強体1hが取り付けられている。
テストヘッド1には、DUT I/F 1aとDUT基板16の接続を保持するための脱着機構1iがあり、この脱着機構1iはテストヘッド1内に格納されている。
ポゴピン1Jは、テストヘッド1に設けられている。
このような装置においては、以下の間題点がある。
半導体試験装置における低コスト化手法ではDUTの半導体内にテストに必要な信号発生・受信を行う回路を予め搭載することで半導体試験時間と半導体検査装置の簡素化を行うBuild In Self Test(BIST)とテストに必要な信号発生・受信を行う回路をDUT基板Ib上に搭載することで半導体試験時間と半導体検査装置の簡素化を行うBuilt Off−chip Self Test(BOST)の2つの測定手法がある。
一般的なDUT基板Ibを図4に、BISTのDUT基板を図5に、BOSTのDUT基板を図6に示す。
Silicon On Chip(SoC)の分野では、DUTの外部インターフェイスの多様化と高速化が進んだことで、BOST手法を適用する場合に、DUT基板Ib上に実装する測定補助回路1fが増加すると共に測定補助回路1fから発生する熱の処理が問題になっている。
従来の半導体試験装置は、テストヘッド1内の測定機器を冷却する機構は有しているが、DUT基板Ib上の測定補助回路1fを冷却する機構は用意されておらず、DUT基板Ib上の測定補助回路1fの冷却は空気の対流を利用した自然空冷であり高い冷却能力は保持していなかった。
半導体試験装置の信号発生・受信を行う測定機器のチャンネル数は、二千チャンネルを越えるほど増大しており、BOST手法を用いることで高価な追加オプションを購入することなく、DUT同時測定数を向上させることが可能であるが、DUT基板Ib上に実装する測定補助回路1fの冷却が出来ないためDUT同時測定数を抑えざるを得ない状況が発生している。
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、冷却流路と冷却流体供給手段とを組み込み込んだ補強体をDUT基板と一体化させ、DUT基板のテストヘッドへの取り付けの際に、テストヘッド側からテストヘッドで使用されている冷却流体の供給を受け、半導体試験装置のテストヘッド内の測定機器だけでなくDUT基板に搭載される測定補助回路を冷却するDUT基板冷却装置を提供することにある。
このような課題を達成するために、本発明では、請求項1のDUT基板冷却装置においては、
テストヘッドに載置されるDUT基板に設けられるDUT基板冷却装置において、前記DUT基板内に設けられた冷却流路と、この冷却流路に連通され前記DUT基板が前記テストヘッドに載置されると前記テストヘッドから前記テストヘッドで使用されている冷却流体の供給を受ける冷却流体供給手段とを具備したことを特徴とする。
本発明の請求項2のDUT基板冷却装置においては、請求項1記載のDUT基板冷却装置において、
前記冷却流体供給手段は、前記テストヘッドと前記DUT基板が接続されると同時に前記冷却流路に前記テストヘッドの冷却流体が供給されることを特徴とする。
本発明の請求項3のDUT基板冷却装置においては、請求項1又は請求項2記載のDUT基板冷却装置において、
前記冷却流体供給封入手段は、カプラが使用されたことを特徴とする。
本発明の請求項4のDUT基板冷却装置においては、請求項1乃至請求項3の何れかに記載のDUT基板冷却装置において、
前記冷却流路は、複数の小冷却流路を有することを特徴とする。
本発明の請求項5のDUT基板冷却装置においては、請求項1乃至請求項4の何れかに記載のDUT基板冷却装置において、
前記冷却流路は、所要箇所が多重流路を有することを特徴とする。
本発明の請求項6のDUT基板冷却装置においては、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のDUT基板冷却装置において、
前記DUT基板は、DUT基板本体と補強体とからなることを特徴とする。
本発明の請求項7のDUT基板冷却装置においては、請求項6記載のDUT基板冷却装置において、
前記DUT基板本体と前記補強体との間に熱伝導シートが設けられたことを特徴とする。
本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。
DUT基板1b上に実装する測定補助回路を効果的に冷却することが可能となり、半導体試験におけるDUT同時測定数は半導体試験装置側のテストヘッド内に保有する測定機器送信・受信チャンネル数まで拡張可能となるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板上に実装する測定補助回路を熱的に安定した状態とすることで、測定補助回路の温度変化による性能変化を回避することで安定した試験が実施できるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板上に実装する測定補助回路を熱的に安定した状態とすることで、測定補助回路に動作保証温度の低い部品を使うことが可能となりDUT基板のコスト低減が可能となるDUT基板冷却装置が得られる。
テストヘッドで使用されている冷却流体の供給を受ける冷却流体供給手段が設けられたので、簡潔に構成でき、安価確実なDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。
冷却流体供給手段は、テストヘッドとDUT基板が接続されると同時に、冷却流路にテストヘッドの冷却流体が供給されるので、操作ミスが回避できて確実にDUT基板の冷却ができるDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。
冷却流体供給封入手段は、カプラが使用されたので、安価に自動的に確実に冷却流路にテストヘッドの冷却流体が供給されるDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。
冷却流路は、複数の小冷却流路を有するので、冷却に必要な箇所に細かく冷却流体を配分できるDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項5によれば、次のような効果がある。
冷却流路は、所要箇所が多重流路を有するので、冷却必要箇所を重点的に冷却できるDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項6によれば、次のような効果がある。
DUT基板は、DUT基板本体と補強体とからなるので、DUT基板本体と補強体とを容易に分離できるDUT基板冷却装置が得られる。
本発明の請求項7によれば、次のような効果がある。
DUT基板本体と補強体との間に熱伝導シートが設けられたので、DUT基板と補強体との間の微細な空気層を排除でき、熱伝導率が向上されたDUT基板冷却装置が得られる。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2は図1の要部構成説明図である。
図において、図6と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図6との相違部分のみ説明する。
図1において、冷却流路12は、DUT基板13の補強体14内に設けられている。
DUT基板13は、DUT基板本体13aと補強体14とよりなる。
この場合は、冷却流路12は、複数の小冷却流路121を有する。この例では、3個の小冷却流路121,122,123を有する。
補強体14は金属材から構成されている。
冷却流体供給手段15は、冷却流路12に連通され、補強体14がテストヘッド11に載置されると、テストヘッド11から、テストヘッド11で使用されている冷却流体の供給を受ける。
この場合は、冷却流路12の出入り口にはDUT基板13の着脱時の冷却材の漏れ防止の為にカプラ15が取り付けられている。
金属体の補強体14に冷却流路12を構成する技術には、摩擦攪拌溶接、真空ロウ付け、押出し加工、パイプ拡管など様々な工法があるが、本発明は冷却材流路の構成方法について制限を設けるものではなく、単に、カプラ15により開閉が行われる密閉された冷却流路12が補強体14内に構成できればよい。
テストヘッド11には、DUT基板13にテストヘッド11内の測定機器で発信・受信する信号を伝えるDUT I/F16があり、DUT基板13との電気的な接続には、ポゴピン17やコネクタが用いられるが、図1では、代表例としてポゴピン17をあげている。
テストヘッド11には、DUT I/F16とDUT基板13の接続を保持するための脱着機構18があり、この脱着機構18はテストヘッド11内に格納されている。
テストヘッド11上でDUT基板13を所定の位置に設置すると、着脱機構18がDUT I/F16とDUT基板本体13aまたはDUT基板13の補強体14とのアライメントを取りながら電気的な接続が得られる位置までDUT基板13とポゴピン17の位置を変化させる。
脱着機構18が収められているテストヘッド11には、DUT基板13の補強体14に取り付けられたカプラ15と接続されるカプラ19が取り付けられているため、DUT基板13のテストヘッド11への装着と同時に、冷却材流路がテストヘッド11側と接続される。
以上の構成において、DUT基板13上の測定補助回路21から発生する熱は、DUT基板本体13aに接続された補強体14を経由して内部の冷却流路12を流れる冷却材に吸熱されて半導体試験装置の熱交換器により外部に廃熱される。
この結果、
DUT基板13上に実装する測定補助回路21を効果的に冷却することが可能となり、半導体試験におけるDUT同時測定数は半導体試験装置側のテストヘッド内に保有する測定機器送信・受信チャンネル数まで拡張可能となるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板13上に実装する測定補助回路21を熱的に安定した状態とすることで、測定補助回路21の温度変化による性能変化を回避することで安定した試験が実施できるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板13上に実装する測定補助回路21を熱的に安定した状態とすることで、測定補助回路24に動作保証温度の低い部品を使うことが可能となりDUT基板13のコスト低減が可能となるDUT基板冷却装置が得られる。
テストヘッド11で使用されている冷却流体の供給を受ける冷却流体供給手段15が設けられたので、簡潔に構成でき、安価確実なDUT基板冷却装置が得られる。
冷却流体供給手段15は、テストヘッド11とDUT基板13が接続されると同時に、冷却流路12にテストヘッド11の冷却流体が供給されるので、操作ミスが回避できて確実にDUT基板の冷却ができるDUT基板冷却装置が得られる。
冷却流体供給封入手段15は、カプラが使用されたので、安価に自動的に確実に冷却流路12にテストヘッド11の冷却流体が供給されるDUT基板冷却装置が得られる。
冷却流路12は、複数の小冷却流路121を有するので、冷却に必要な箇所に細かく冷却流体を配分できるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板13は、DUT基板本体13と補強体14とからなるので、DUT基板本体13と補強体14とを容易に分離できるDUT基板冷却装置が得られる。
図3は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図3において、DUT I/F16や測定補助回路21と干渉しない程度に補強体14に金属板31,32を追加して、DUT基板本体13aとの接触面積を増すことで冷却能力は向上し、補強体14に金属板33の追加したうえで多重冷却流路34を導入すればさらに冷却能力は向上できる。
この結果、冷却流路12は、所要箇所が多重流路34を有するので、冷却必要箇所を重点的に冷却できるDUT基板冷却装置が得られる。
DUT基板本体13aと補強体14との間に熱伝導シート31,32,33が設けられたので、DUT基板本体13aと補強体14との間の微細な空気層を排除でき、熱伝導率が向上されたDUT基板冷却装置が得られる。
なお、前述の実施例においては、冷却流路12は代表例であり、個数や冷却流路12の位置121,122,123は、DUT基板13の発熱量分布により変更することが可能である。例えば、DUTの同時測定数が2個であれば、中央部の冷却流路122とカプラ15を補強体14に組み込めばよい。
また、図1実施例では、着脱機構18とカプラ19がDUT I/F16内に格納されているが、カプラ19がDUT I/F16上にあり、手動で接続する形態でも運用上の支障はなく、DUT基板13上の測定補助回路21の冷却効果に影響はない。
また、図1実施例では、補強体14がDUT I/F16側にあり、DUT基板本体13aを通して測定補助回路21の熱を吸収している。
しかし、DUT基板本体13aの一部に切り欠きをいれて、測定補助回路21の部品と接する熱伝導材を直接、補強体14と接触させて、冷却材までの熱伝導率を上げることで、より低い温度に測定補助回路21を保つことも可能である。
また、DUT基板本体13aの電気伝導用金属に一端が接し他端が補強体14に接する電気伝導用スルーホールを設ければ、サーマルビアが構成でき、DUT基板13の熱伝導率が向上できるDUT基板冷却装置が得られる。
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
本発明の一実施例の要部構成説明図である。 図1の要部構成説明図である。 本発明の他の実施例の要部構成説明図である。 従来より一般に使用されている従来例の構成説明図である。 従来より一般に使用されている他の従来例の構成説明図である。 従来より一般に使用されている他の従来例の構成説明図である。
符号の説明
1 テストヘッド
1a DUT I/F
Ib DUT基板
1c ICソケット
1e コンタクトエリア
1f 測定補助回路
1g ユーザーエリア
1h 補強体
1i 脱着機構
1J ポゴピン
11 テストヘッド
12 冷却流路
121 小冷却流路
122 小冷却流路
123 小冷却流路
13 DUT基板
13a DUT基板本体
14 補強体
15 冷却流体供給手段
15 カプラ
16 DUT I/F
17 ポゴピン
18 脱着機構
19 カプラ
21 測定補助回路
31 金属板
32 金属板
33 金属板
34 多重冷却流路
DUT 被測定部品

Claims (7)

  1. テストヘッドに載置されるDUT基板に設けられるDUT基板冷却装置において、
    前記DUT基板内に設けられた冷却流路と、
    この冷却流路に連通され前記DUT基板が前記テストヘッドに載置されると前記テストヘッドから前記テストヘッドで使用されている冷却流体の供給を受ける冷却流体供給手段と
    を具備したことを特徴とするDUT基板冷却装置。
  2. 前記冷却流体供給手段は、前記テストヘッドと前記DUT基板が接続されると同時に前記冷却流路に前記テストヘッドの冷却流体が供給されること
    を特徴とする請求項1記載のDUT基板冷却装置。
  3. 前記冷却流体供給封入手段は、カプラが使用されたこと
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載のDUT基板冷却装置。
  4. 前記冷却流路は、複数の小冷却流路を有すること
    を特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載のDUT基板冷却装置。
  5. 前記冷却流路は、所要箇所が多重流路を有すること
    を特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載のDUT基板冷却装置。
  6. 前記DUT基板は、DUT基板本体と補強体とからなること
    を特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のDUT基板冷却装置。
  7. 前記DUT基板本体と前記補強体との間に熱伝導シートが設けられたこと
    を特徴とする請求項6記載のDUT基板冷却装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011220924A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Advantest Corp 試験装置および接続装置
US8681497B2 (en) 2010-12-03 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Board coolant jacket jig system and method of separating board coolant jacket

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