JP2009182110A - Exposure system, exposure method and device manufacturing method - Google Patents

Exposure system, exposure method and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2009182110A
JP2009182110A JP2008019134A JP2008019134A JP2009182110A JP 2009182110 A JP2009182110 A JP 2009182110A JP 2008019134 A JP2008019134 A JP 2008019134A JP 2008019134 A JP2008019134 A JP 2008019134A JP 2009182110 A JP2009182110 A JP 2009182110A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
member
state
substrate
liquid
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008019134A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Shibazaki
祐一 柴崎
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp, 株式会社ニコン filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2008019134A priority Critical patent/JP2009182110A/en
Publication of JP2009182110A publication Critical patent/JP2009182110A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure system that can improve throughput. <P>SOLUTION: The exposure system performs exposure to a substrate using exposure light through liquid. The exposure system includes: an optical member having an ejection surface that ejects exposure light; a first member that can hold liquid between the optical member and the first member and can move within a predetermined region; and a control device that controls the movement of the first member so that the movement of speed of a first condition where liquid is held between the optical member and the control device may be different from that of a second condition where liquid is not held. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate with an exposure light through a liquid, the exposure method, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献1、2に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。 In exposure apparatuses used in photolithography, as disclosed in Patent Documents 1 and 2, an immersion exposure apparatus is known for exposing a substrate with exposure light through a liquid. 液浸露光装置においては、投影光学系と基板ステージに保持された基板との間に液体が保持される。 In the immersion exposure apparatus, liquid is held between the substrate held by the projection optical system and the substrate stage.
米国特許出願公開第2004/0211920号明細書 U.S. Patent Application Publication No. 2004/0211920 Pat 米国特許出願公開第2006/0023186号明細書 U.S. Patent Application Publication No. 2006/0023186 Pat

投影光学系と基板ステージ(基板)との間に液体が保持された状態で基板ステージを移動する場合、例えば液体の流出、残留等を抑制するために、その基板ステージの移動速度が制限される可能性がある。 When moving the substrate stage with a liquid being retained, for example, outflow of the liquid, in order to suppress residual like, the moving speed of the substrate stage is restricted between the projection optical system and the substrate stage (substrate) there is a possibility. 露光装置には、スループットの向上が求められる。 The exposure apparatus, improvement in throughput is required. そのため、投影光学系との間で液体を保持した状態の基板ステージの移動速度が制限されても、スループットを向上できる技術の案出が望まれる。 Therefore, even if the moving speed of the substrate stage while holding the liquid is limited by the space between the projection optical system, devised techniques capable of improving the throughput is desired.

本発明の態様は、スループットを向上できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。 Aspect of the present invention has an object to provide an exposure apparatus and an exposure method capable of improving the throughput. また本発明の態様は、生産性を向上できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 Further aspects of the present invention has an object to provide a device manufacturing method which can improve productivity.

本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、光学部材との間で液体を保持可能で且つ所定領域内を移動可能な第1部材と、光学部材との間で液体を保持する第1状態と保持しない第2状態とで移動速度が異なるように第1部材の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention, holding an exposure apparatus which exposes a substrate with an exposure light through a liquid, an optical member having an exit surface through which the exposure light, the liquid between the optical member controlling a first member capable in and movable within a predetermined area, the movement of the first member so that the moving speed and the second state of not holding a first state for holding the liquid is different between the optical member exposure apparatus is provided with a control device.

本発明の第2の態様に従えば、第1の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, the method comprising: exposing a substrate using the exposure apparatus of the first aspect, a device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, is provided.

本発明の第3の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する射出面を有する光学部材との間で液体を保持する第1状態と保持しない第2状態とで変化するように所定領域内で第1部材を移動することを含み、第1状態と第2状態とで、第1部材の移動速度を異ならせる露光方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with an exposure light through a liquid, a first state for holding the liquid between the optical member having a exit surface through which the exposure light the method comprising moving the first member in a predetermined region so as to vary the second state does not hold a, in a first state and a second state, the exposure method of varying the moving speed of the first member is provided that.

本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, the method comprising: exposing a substrate using an exposure method of the third aspect, a device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, is provided.

本発明によれば、露光処理のスループットを向上できる。 According to the present invention, it is possible to improve the throughput of the exposure process. また本発明によれば、デバイスの生産性を向上できる。 According to the present invention can improve device productivity.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Will be explained below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto. 以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。 In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system will be described positional relationship of each member with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. 水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。 X-axis direction is a predetermined direction in a horizontal plane, the direction perpendicular to the X-axis direction Y-axis direction in the horizontal plane, a direction perpendicular to both the X-axis direction and the Y-axis direction (i.e., vertical direction) and the Z-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and rotation about the Z-axis (inclination) directions, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction.

<第1実施形態> <First Embodiment>
第1実施形態について説明する。 A first embodiment will be described. 図1は、第1実施形態に係る露光装置EX1の一例を示す概略構成図である。 Figure 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus EX1 according to a first embodiment. 本実施形態の露光装置EX1は、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。 Exposure apparatus EX1 of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes the substrate P with the exposure light EL through the liquid LQ. また、本実施形態においては、露光装置EX1が、例えば米国特許第6897963号明細書、及び欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器及び計測部材S(S1〜S3)を搭載して移動可能な計測ステージ3とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX1 is, for example, U.S. Patent No. 6,897,963, and European as disclosed in Patent Application Publication No. 1713113 Pat like, which is movable while holding a substrate P a substrate stage 2, without holding the substrate P, the exposure apparatus comprising a movable measurement stage 3 by mounting the exposure can execute a predetermined measurement regarding instrumentation and measurement member S (S1 to S3) It is described with a certain case as an example.

図1において、露光装置EX1は、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器及び計測部材Sを搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動するリニアモータ等のアクチュエータを含む第1駆動システム4と、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するリニアモータ等のアクチュエータを含む第2移動システム5と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材6と、各ステージ1、2、3の位 1, the exposure apparatus EX1 includes a mask stage 1 is movable while holding a mask M, a substrate stage 2 which is movable while holding a substrate P, without holding the substrate P, a predetermined measurement regarding exposure and the measurement stage 3 is movable mounted executable instrument and measuring member S and the first drive system 4 includes an actuator such as a linear motor for moving the mask stage 1, the substrate stage 2 and the measurement stage 3 a second mobile system 5 includes an actuator such as a linear motor for moving, projecting an illumination system IL which illuminates the mask M with the exposure light EL, the image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P projection an optical system PL, at least a portion of the light path of the exposure light EL with the liquid immersion member 6 capable of forming a liquid immersion space LS to be filled with the liquid LQ, position of each stage 1, 2 and 3 情報を計測する干渉計システム7と、露光装置EX1全体の動作を制御する制御装置8とを備えている。 An interferometer system 7 for measuring the information, and a control unit 8 for controlling the exposure apparatus EX1 entire operation.

液浸空間LSは、液体LQで満たされた空間である。 Immersion space LS is a space filled with the liquid LQ. 本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。 In the present embodiment, as the liquid LQ, water (pure water) is used. 本実施形態において、液浸空間LSは、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子9から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。 In the present embodiment, the liquid immersion space LS, among the plurality of optical elements of the projection optical system PL, the optical path of the exposure light EL emitted from the nearest terminal optical element 9 to the image plane of the projection optical system PL with the liquid LQ It is formed to be filled. 終端光学素子9は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面10を有する。 The last optical element 9 has an exit surface 10 that emits the exposure light EL toward the image plane of the projection optical system PL. 基板Pの露光時、液浸空間LSは、終端光学素子9と、その終端光学素子9の射出面10と対向して配置された基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。 During exposure of the substrate P, the liquid immersion space LS is the last optical element 9, the optical path of the exposure light EL is filled with the liquid LQ between the substrate P that is disposed opposite to the exit surface 10 of the last optical element 9 It is formed such that.

マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。 The mask M includes a reticle wherein a device pattern is formed that is projected onto the substrate P. マスクMは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。 The mask M includes a transmission mask in which a predetermined pattern is formed using a light-blocking film such as chromium, for example, on a transparent plate such as a glass plate. なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 As the mask M, it is also possible to use a reflective mask. 基板Pは、デバイスを製造するための基板である。 Substrate P is a substrate for fabricating a device. 基板Pは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材に形成された感光膜とを含む。 Substrate P includes, for example, a substrate such as a semiconductor wafer such as a silicon wafer, a photosensitive layer formed on the substrate. 感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。 Photosensitive film is made of a photosensitive material (photoresist). また、感光膜上に、液体LQから感光膜を保護するためのトップコート膜と呼ばれる保護膜が形成されてもよい。 Also, on the photosensitive layer, the protective film may be formed called topcoat film for protecting the photosensitive layer from the liquid LQ.

照明系ILは、所定の照明領域IRを均一な照度分布の露光光ELで照明する。 The illumination system IL illuminates a prescribed illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. 照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。 The illumination system IL illuminates at least a portion of the mask M arranged on the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. 照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。 As exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) far ultraviolet light such as (DUV light), ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm), and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) is used. 本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 In the present embodiment, as the exposure light EL, an ArF excimer laser beam is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light).

マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部11を有する。 The mask stage 1 has a mask holder 11 for holding the mask M releasably. 本実施形態において、マスク保持部11は、マスクMのパターン形成面(下面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。 In the present embodiment, the mask holder 11, as in the pattern formation surface of the mask M (the lower surface) and the XY plane is substantially parallel holding a mask M. マスクステージ1は、第1駆動システム4の作動により、マスクMを保持してXY平面内を移動可能である。 The mask stage 1, by the operation of the first drive system 4, is movable in the XY plane while holding the mask M. 本実施形態においては、マスクステージ1は、マスク保持部11でマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。 In the present embodiment, the mask stage 1, while holding the mask M with the mask holder 11, X-axis, is movable in three directions of the Y-axis, and θZ directions.

投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。 Projection optical system PL radiates the exposure light EL in a predetermined projection region PR. 投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。 The projection optical system PL, on at least a portion of the substrate P disposed in the projection region PR, to project an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification. 投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒PKで保持される。 A plurality of optical elements of the projection optical system PL is held by a barrel PK. 本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5又は1/8等の縮小系である。 Projection optical system PL of this embodiment is its projection magnification of, for example, 1 / 4,1 / 5 or a reduction system such as 1/8. なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system. 本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。 In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is substantially parallel to the Z axis. また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。 Further, the projection optical system PL, a dioptric system including no catoptric element, a catoptric system that does not include refractive optical element may be either a catadioptric system that includes a reflective optical element and the refractive optical element. また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an upright image.

基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する基板保持部12を有する。 The substrate stage 2 has a substrate holder 12 which holds the substrate P releasably. 本実施形態において、基板保持部12は、基板Pの露光面(表面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。 In this embodiment, the substrate holder 12, as in the exposure surface of the substrate P (the surface) and the XY plane is substantially parallel to hold the substrate P. 基板ステージ2は、基板保持部12の周囲に配置された上面13を有する。 The substrate stage 2 has a top surface 13 disposed around the substrate holder 12. 基板ステージ2の上面13は、XY平面とほぼ平行である。 The upper surface 13 of the substrate stage 2 is substantially parallel to the XY plane. 本実施形態においては、基板保持部12に保持された基板Pの表面と基板ステージ2の上面13とがほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In this embodiment, the upper surface 13 of the surface and the substrate stage of the substrate P held by the substrate holder 12 2 (which is substantially flush) that is being arranged substantially in the same plane. 基板ステージ2は、第2駆動システム5の作動により、基板Pを保持してXY平面内を移動可能である。 The substrate stage 2, by the operation of the second drive system 5, is movable in the XY plane while holding the substrate P. 本実施形態において、基板ステージ2は、基板保持部12で基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 In this embodiment, the substrate stage 2, while holding the substrate P by the substrate holder 12, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and is movable in six directions in the θZ direction.

計測ステージ3は、計測部材Sをリリース可能に保持する計測部材保持部14を有する。 Measurement stage 3 has a measuring member holding portion 14 for holding the measuring member S releasably. 本実施形態において、計測部材保持部14は、計測部材Sの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Sを保持する。 In the present embodiment, the measuring member holding portion 14, so that the surface and the XY plane of the measuring member S is substantially parallel to retain the measuring member S. 計測ステージ3は、計測部材保持部14の周囲に配置された上面15を有する。 Measurement stage 3 has an upper surface 15 which is disposed around the measuring member holding portion 14. 計測ステージ3の上面15は、XY平面とほぼ平行である。 Upper surface 15 of the measurement stage 3 is substantially parallel to the XY plane. 本実施形態においては、計測部材保持部14に保持された計測部材Sの表面と計測ステージ3の上面15とがほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In the present embodiment, the measuring member holding portion 14 is the (are substantially flush) disposed and retained measuring member S of the surface and the upper surface 15 of the measuring stage 3 in substantially the same plane. 計測ステージ3は、第2駆動システム5の作動により、計測部材Sを搭載してXY平面内を移動可能である。 Measurement stage 3, by operation of the second drive system 5, is movable in the XY plane equipped with a measuring member S. 本実施形態において、計測ステージ3は、計測部材保持部14で計測部材Sを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 In the present embodiment, measurement stage 3, while holding a measuring member S with the measuring member holding portion 14, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, is movable [theta] Y, and six directions θZ direction .

干渉計システム7は、XY平面内におけるマスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3のそれぞれの位置情報を計測する。 Interferometer system 7, the mask stage 1 in the XY plane, to measure the respective position information of the substrate stage 2, and the measurement stage 3. 干渉計システム7は、XY平面内におけるマスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計7Aと、XY平面内における基板ステージ2及び計測ステージ3の位置情報を計測するレーザ干渉計7Bとを備えている。 Interferometer system 7 comprises a laser interferometer 7A which measures positional information of the mask stage 1 in the XY plane, and a laser interferometer 7B which measures positional information of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 in the XY plane there. レーザ干渉計7Aは、マスクステージ1に配置された反射面1Rに計測光を照射し、その反射面1Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測する。 Laser interferometer 7A irradiates measurement light to the reflecting surface 1R arranged on the mask stage 1, using the measurement light via the reflection surface 1R, X-axis, Y-axis, and the mask stage 1 relates θZ direction ( It measures positional information of the mask M). レーザ干渉計7Bは、基板ステージ2に配置された反射面2Rに計測光を照射し、その反射面2Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)の位置情報を計測する。 Laser interferometer 7B irradiates measurement light to the reflecting surface 2R disposed on the substrate stage 2, using the measurement light via the reflecting surface 2R, X-axis, Y-axis, and the substrate stage 2 relating θZ direction ( It measures positional information of the substrate P). また、レーザ干渉計7Bは、計測ステージ3に配置された反射面3Rに計測光を照射し、その反射面3Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する計測ステージ3(計測部材S)の位置情報を計測する。 A laser interferometer 7B irradiates measurement light is disposed on the measurement stage 3 reflecting surface 3R, using the measurement light via the reflecting surface 3R, X-axis, Y-axis, and θZ directions about the measurement stage 3 the location information of the (measuring members S) is measured.

また、本実施形態においては、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム(不図示)が配置されている。 In the present embodiment, the focus leveling detection system that detects the position information of the surface of the substrate P held by the substrate stage 2 (not shown) is disposed. フォーカス・レベリング検出システムは、Z軸、θX、及びθY方向に関する基板Pの表面の位置情報を検出する。 Focus leveling detection system, Z axis, .theta.X, and detects the position information of the surface of the substrate P about θY direction.

また、本実施形態においては、第1アライメントシステム51及び第2アライメントシステム52が配置されている。 In the present embodiment, the first alignment system 51 and second alignment system 52 is disposed. 第1アライメントシステム51は、マスクステージ1の近傍に配置されている。 The first alignment system 51 is arranged in the vicinity of the mask stage 1. 第2アライメントシステム52は、投影光学系PLの先端の近傍に配置されている。 The second alignment system 52 is disposed in the vicinity of the end portion of the projection optical system PL. 第1アライメントシステム51は、露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)方式のアライメントシステムであって、マスクM上のアライメントマークと、そのアライメントマークに対応するように計測ステージ3に設けられた第1基準マークFM1の投影光学系PLを介した共役像とを同時に観察する。 The first alignment system 51, a alignment system of TTR (Through The Reticle) method using a light exposure wavelength, and the alignment mark on the mask M, provided on the measurement stage 3 so as to correspond to the alignment marks At the same time observing a conjugate image through the projection optical system PL of the first reference mark FM1 was. 本実施形態の第1アライメントシステム51は、例えば米国特許第5646413号明細書に開示されているような、光をマークに照射し、CCD等の撮像素子で撮像したマークの画像データを画像処理してマークの位置を検出するVRA(Visual Reticle Alignment)方式を採用する。 The first alignment system 51 of the present embodiment, for example, US as disclosed in Patent No. 5,646,413, a light is irradiated on the mark, the image data of the mark imaged by the imaging device such as CCD and image processing detecting the position of the mark Te VRA (Visual Reticle Alignment) employing the method. 第2アライメントシステム52は、オフアクシス方式のアライメントシステムであって、基板P上のアライメントマーク、及び計測ステージ3に設けられた第2基準マークFM2等を検出する。 The second alignment system 52, a alignment system of an off-axis method, detecting the second reference marks FM2 or the like provided in the alignment mark, and the measuring stage 3 on the substrate P. 本実施形態の第2アライメントシステム52は、例えば米国特許第5493403号明細書に開示されているような、基板Pの感光膜を感光させないブロードバンドな光をマークに照射し、そのマークからの反射光によって受光面に結像されたマークの像と指標(第2アライメントシステム52内に設けられた指標板上の指標マーク)の像とをCCD等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するFIA(Field Image Alignment)方式のアライメントシステムを採用する。 The second alignment system 52 of the present embodiment, for example, US as disclosed in Patent No. 5,493,403, and irradiating the mark broadband light which does not expose the photosensitive layer of the substrate P, the reflected light from the mark It imaged using an imaging element such as a CCD and an image of the image and the index of the mark formed on the light receiving surface (the index mark on the second alignment system index plate provided in 52) by their imaging signals the adopted alignment system FIA (Field image alignment) method for measuring the position of the mark by image processing.

液浸部材6は、終端光学素子9の近傍に配置されている。 Liquid immersion member 6 is disposed in the vicinity of the last optical element 9. 液浸部材6は、終端光学素子9の射出面10と対向する位置に配置された物体との間で液体LQを保持可能である。 Liquid immersion member 6 is capable of holding the liquid LQ between the exit surface 10 facing the disposed position an object of the last optical element 9. 射出面10と対向する位置は、射出面10から射出される露光光ELの照射位置を含む。 Position facing the exit surface 10 includes an irradiation position of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10. 本実施形態において、液浸部材6は、下面16を有し、射出面10と対向可能な物体は、下面16と対向可能である。 In the present embodiment, the liquid immersion member 6 has a lower surface 16, capable of opposing object and the exit surface 10, a bottom 16 can face. 物体の表面が射出面10と対向する位置に配置されたとき、下面16の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。 When the surface of the object is disposed at a position facing the exit surface 10, and at least a portion the surface of the object of the lower surface 16 opposing. 射出面10と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子9は、射出面10と物体の表面との間に液体LQを保持できる。 When the emergent surface 10 and the surface of the object are opposed, the last optical element 9, can hold the liquid LQ between the exit surface 10 and the surface of the object. また、下面16と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材6は、下面16と物体の表面との間に液体LQを保持できる。 Further, when the the lower surface 16 and the surface of the object are opposed, the liquid immersion member 6 can hold the liquid LQ between the lower surface 16 and the surface of the object. 液浸部材6は、物体との間で液体LQを保持することによって、終端光学素子9の射出面10と、射出面10と対向する位置に配置された物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。 Liquid immersion member 6, by retaining the liquid LQ between the object and the exit surface 10 of the last optical element 9, the optical path of the exposure light EL between the arranged at a position facing the exit surface 10 object There forms the immersion space LS to be filled with the liquid LQ. すなわち、射出面10及び下面16と物体の表面との間に保持される液体LQによって、液浸空間LSが形成される。 That is, the liquid LQ is held between the exit surface 10 and the lower surface 16 and the surface of the object, the immersion space LS is formed.

本実施形態において、射出面10と対向可能な物体は、露光光ELの照射位置を含む所定面内を移動可能な物体を含む。 In the present embodiment, capable of opposing object and the exit surface 10, including an object capable of moving a predetermined plane including the irradiation position of the exposure light EL. 本実施形態において、その物体は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方を含む。 In the present embodiment, the object includes at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3. また、その物体は、基板ステージ2に保持された基板Pを含む。 Moreover, the object includes a substrate P held by the substrate stage 2. また、その物体は、計測ステージ3に搭載されている計測部材Sを含む。 Moreover, the object includes a measuring member S provided on the measuring stage 3. したがって、液浸部材6は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方との間で液体LQを保持可能である。 Accordingly, the liquid immersion member 6 is capable of holding the liquid LQ between at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3. 基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持可能である。 Each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, can hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6.

本実施形態において、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、ベース部材(定盤)17のガイド面18上を移動可能である。 In this embodiment, each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is movable over the guide surface 18 of the base member (platen) 17. 本実施形態においては、ガイド面18は、XY平面とほぼ平行である。 In the present embodiment, the guide surface 18 is substantially parallel to the XY plane. 基板ステージ2は、XY平面内で、露光光ELの照射位置を含むガイド面18の所定領域内を移動可能である。 The substrate stage 2, in the XY plane, is movable within a predetermined area of ​​the guide surface 18 which includes an irradiation position of the exposure light EL. 計測ステージ3は、XY平面内で、露光光ELの照射位置を含むガイド面18の所定領域内を移動可能である。 Measurement stage 3 in the XY plane, is movable within a predetermined area of ​​the guide surface 18 which includes an irradiation position of the exposure light EL. 基板ステージ2は、計測ステージ3と独立して移動可能である。 The substrate stage 2 is movable independently of the measurement stage 3.

本実施形態においては、射出面10及び下面16と対向する位置に配置された基板Pの表面の一部の領域(局所的な領域)が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成され、その基板Pの表面と下面16との間に液体LQの界面(メニスカス、エッジ)が形成される。 In the present embodiment, the liquid immersion space LS so that part of the area of ​​the exit surface 10 and the lower surface 16 opposite to disposed in a position that the surface of the substrate P (local area) is covered with the liquid LQ is formed , the interface of the liquid LQ (meniscus, edge) is formed between the surface and the lower surface 16 of the substrate P. すなわち、本実施形態においては、露光装置EX1は、基板Pの露光時に、投影光学系PLの投影領域PRを含む基板P上の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSを形成する局所液浸方式を採用する。 That is, in this embodiment, the exposure apparatus EX1, upon exposure of the substrate P, the liquid immersion space LS so that part of the area on the substrate P including the projection area PR of the projection optical system PL is covered in liquid LQ employing a local liquid immersion method of forming.

図2は、液浸部材6の近傍を示す側断面図である。 Figure 2 is a side sectional view showing the vicinity of the liquid immersion member 6. 本実施形態において、液浸部材6は、環状の部材である。 In the present embodiment, the liquid immersion member 6 is an annular member. 液浸部材6は、終端光学素子9の周囲に配置されている。 Liquid immersion member 6 is disposed around the last optical element 9. 液浸部材6は、射出面10と対向する位置に開口6Kを有する。 Liquid immersion member 6 has an opening 6K at a position facing the exit surface 10. 射出面10から射出された露光光ELは、開口6Kを通過可能である。 The exposure light EL emitted from the exit surface 10 can pass through the opening 6K.

液浸部材6は、液体LQを供給可能な供給口19と、液体LQを回収可能な回収口20とを備えている。 Liquid immersion member 6 includes a supply port 19 capable of supplying the liquid LQ, and a recoverable recovery port 20 of the liquid LQ. 供給口19は、液浸空間LSを形成するために、射出面10から射出される露光光ELの光路に液体LQを供給可能である。 Supply port 19, in order to form a liquid immersion space LS, it is possible to supply the liquid LQ to the optical path of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10. 回収口20は、液浸部材6の下面16と対向する位置に配置された物体上の液体LQを回収可能である。 Recovery port 20 is capable of recovering the liquid LQ on the object placed at a position opposite to the lower surface 16 of the liquid immersion member 6. 上述のように、下面16と対向可能な物体は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方を含み、回収口20は、下面16と対向する基板ステージ2上及び計測ステージ3上の少なくとも一方の液体LQを回収可能である。 As described above, the lower surface 16 capable of opposing the object includes at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the recovery port 20, on the substrate stage 2 and on the measurement stage 3 which faces the lower surface 16 of at least one of the liquid LQ can be recovered.

供給口19は、露光光ELの光路の近傍において、その光路に面する液浸部材6の所定位置に配置されている。 Supply port 19, in the vicinity of the optical path of the exposure light EL, are arranged at a predetermined position of the liquid immersion member 6 facing the optical path. 供給口19は、流路21を介して、液体供給装置22と接続されている。 Supply port 19 via the flow path 21, and is connected to the liquid supply device 22. 液体供給装置22は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。 Liquid supply apparatus 22 is capable of feeding the liquid LQ, which is pure and temperature adjusted. 流路21は、液浸部材6の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置22とを接続する供給管で形成される流路を含む。 Flow path 21 includes a liquid immersion member 6 formed inside the supply channel, and flow path formed by the supply pipe which connects the the supply passage and the liquid supply device 22. 液体供給装置22から送出された液体LQは、流路21を介して供給口19に供給される。 Liquid LQ fed from the liquid supply device 22 is supplied to the supply port 19 via the flow path 21. 供給口19は、液体供給装置22からの液体LQを露光光ELの光路に供給する。 Supply port 19 supplies the liquid LQ from the liquid supply device 22 in the optical path of the exposure light EL.

回収口20は、開口6Kの周囲に配置されている。 Recovery port 20 is disposed around the opening 6K. 回収口20は、物体の表面と対向する液浸部材6の所定位置に配置されている。 Recovery port 20 is disposed at a predetermined position of the liquid immersion member 6 facing the object surface. 本実施形態において、回収口20には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材23が配置されている。 In the present embodiment, the recovery port 20, the plate-shaped porous member 23 that includes a plurality of holes (Openings or pores) are arranged. 多孔部材23は、網目状に多数の小さい孔が形成されたメッシュフィルタを含む。 Porous member 23 includes a mesh filter numerous small holes are formed in a mesh shape. 本実施形態において、液浸部材6の下面16の少なくとも一部が、多孔部材23の下面で構成される。 In the present embodiment, at least a portion of the lower surface 16 of the liquid immersion member 6 is comprised of the lower surface of the porous member 23. 回収口20は、流路24を介して、液体回収装置25と接続されている。 Recovery port 20 via the flow path 24, and is connected to the liquid recovery apparatus 25. 液体回収装置25は、真空システムを含み、液体LQを吸引して回収可能である。 Liquid recovery apparatus 25 includes a vacuum system, it can be recovered by sucking the liquid LQ. 流路24は、液浸部材6の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置25とを接続する回収管で形成される流路を含む。 Flow path 24 includes an immersion recovery flow passage formed in the interior of the member 6, and the recovery flow channel and liquid recovery device 25 and the flow path formed by the recovery pipe that connects. 回収口20(多孔部材23の孔)から回収された液体LQは、流路24を介して、液体回収装置25に回収される。 Liquid LQ recovered via the recovery port 20 (holes of the porous member 23) via the flow path 24, it is recovered by the liquid recovery device 25.

本実施形態においては、制御装置8は、液体供給装置22及び供給口19を用いる液体供給動作と並行して、液体回収装置25及び回収口20を用いる液体回収動作を実行することによって、終端光学素子9及び液浸部材6と、終端光学素子9及び液浸部材6と対向する物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。 In the present embodiment, the control unit 8, by concurrently with the liquid supply operation using the liquid supply apparatus 22 and the supply port 19, to perform the liquid recovery operation using the liquid recovery apparatus 25 and the recovery port 20, the last optical the device 9 and the liquid immersion member 6, it is possible to form the liquid immersion space LS with the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 facing the object. 基板Pの露光時、液浸部材6は、終端光学素子9の射出面10から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、基板Pとの間で液体LQを保持する。 During exposure of the substrate P, the liquid immersion member 6, so that the optical path of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 of the last optical element 9 is filled with the liquid LQ, to hold the liquid LQ between the substrate P.

図3は、基板ステージ2、計測ステージ3、及び第2駆動システム5を上方から見た平面図である。 Figure 3 is a plan view seen substrate stage 2, measurement stage 3, and the second drive system 5 from above. 図3において、第2駆動システム5は、複数のリニアモータ30、31、32、33、34、35を備えている。 3, the second drive system 5 includes a plurality of linear motors 30,31,32,33,34,35. 第2駆動システム5は、Y軸方向に長い一対のY軸ガイド部材36、37を備えている。 The second drive system 5 is provided with a long pair of Y-axis guide members 36 and 37 in the Y-axis direction. Y軸ガイド部材36、37のそれぞれは、複数のコイルを有するコイルユニットを含む。 Each Y axis guide members 36, 37 includes a coil unit having a plurality of coils. 一方のY軸ガイド部材36は、2つのスライド部材38、39をY軸方向に移動可能に支持し、他方のY軸ガイド部材37は、2つのスライド部材40、41をY軸方向に移動可能に支持する。 One of Y-axis guide member 36, the two slide members 38 and 39 and movable in the Y-axis direction, the other of Y-axis guide member 37 can move two slide members 40 and 41 in the Y-axis direction to support to. スライド部材38、39、40、41のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを含む。 Each slide member 38, 39 comprises a magnet unit having a plurality of permanent magnets. すなわち、本実施形態においては、磁石ユニットを含むスライド部材38、39、及びコイルユニットを有するY軸ガイド部材36によって、ムービングマグネット型のY軸リニアモータ30、31が形成される。 That is, in the present embodiment, the Y axis guide member 36 having a slide member 38, 39, and a coil unit including a magnet unit, the Y-axis linear motors 30 and 31 of the moving magnet type is formed. 同様に、磁石ユニットを有するスライド部材40、41、及びコイルユニットを有するY軸ガイド部材37によって、ムービングマグネット型のY軸リニアモータ32、33が形成される。 Similarly, the Y axis guide member 37 having a slide member 40, 41, and a coil unit having a magnet unit, the Y-axis linear motors 32, 33 of the moving magnet type is formed.

また、第2駆動システム5は、X軸方向に長い一対のX軸ガイド部材42、43を備えている。 The second drive system 5 is provided with a long pair of X axis guide members 42, 43 in the X-axis direction. X軸ガイド部材42、43のそれぞれは、複数のコイルを有するコイルユニットを含む。 Each of the X axis guide members 42, 43 includes a coil unit having a plurality of coils. 一方のX軸ガイド部材42は、基板ステージ2に接続されたスライド部材44をX軸方向に移動可能に支持し、他方のX軸ガイド部材43は、計測ステージ3に接続されたスライド部材45をX軸方向に移動可能に支持する。 One of X-axis guide members 42, the slide member 44 connected to the substrate stage 2 and movable in the X-axis direction, the other of X axis guide members 43, the slide member 45 connected to the measurement stage 3 movably supporting the X-axis direction. スライド部材44、45のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを含む。 Each slide member 44, 45 comprises a magnet unit having a plurality of permanent magnets. すなわち、本実施形態においては、基板ステージ2に接続された磁石ユニットを有するスライド部材44、及びコイルユニットを有するX軸ガイド部材42によって、基板ステージ2をX軸方向に駆動するムービングマグネット型のX軸リニアモータ34が形成される。 That is, in the present embodiment, the X axis guide member 42 having a slide member 44, and a coil unit having a magnet unit that is connected to the substrate stage 2, the moving magnet type driving the substrate stage 2 in the X-axis direction X shaft linear motor 34 is formed. 同様に、計測ステージ3に接続された磁石ユニットを有するスライド部材45、及びコイルユニットを有するX軸ガイド部材43によって、計測ステージ3をX軸方向に駆動するムービングマグネット型のX軸リニアモータ35が形成される。 Similarly, the X axis guide members 43 having a slide member 45, and a coil unit having a magnet unit that is connected to the measurement stage 3, the X-axis linear motor 35 of the moving magnet type driving the measurement stage 3 in the X-axis direction It is formed.

スライド部材38、40は、X軸ガイド部材42の一端及び他端のそれぞれに固定され、スライド部材39、41は、X軸ガイド部材43の一端及び他端のそれぞれに固定されている。 Slide members 38, 40 are secured to respective one end and the other end of the X axis guide members 42, the slide member 39 and 41 are respectively fixed to one end and the other end of the X axis guide members 43. したがって、X軸ガイド部材42は、Y軸リニアモータ30、32によってY軸方向に移動可能であり、X軸ガイド部材43は、Y軸リニアモータ31、33によってY軸方向に移動可能である。 Therefore, X-axis guide member 42 is movable by the Y axis linear motors 30 and 32 in the Y-axis direction, X-axis guide member 43, the Y-axis linear motors 31 and 33 can be moved in the Y-axis direction.

また、制御装置8は、一対のY軸リニアモータ30、32のそれぞれが発生する推力を異ならせることによって、基板ステージ2のθZ方向の位置を制御可能であり、一対のY軸リニアモータ31、33のそれぞれが発生する推力を異ならせることによって、計測ステージ3のθZ方向の位置を制御可能である。 Further, the control unit 8, by varying the thrust that each occurrence of the pair of Y-axis linear motors 30 and 32 are capable of controlling the θZ direction of the position of the substrate stage 2, a pair of Y-axis linear motors 31, by varying the thrust that each generation of 33, can control the θZ direction position of the measurement stage 3.

また、詳細な説明は省略するが、本実施形態の基板ステージ2は、リニアモータ30、32、34によって駆動されるステージ本体と、ステージ本体上に搭載された基板テーブルとを含み、ステージ本体と基板テーブルとの間には、ステージ本体に対して基板テーブルをZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な駆動システムが配置されている。 Also, although not a detailed description, the substrate stage 2 of the present embodiment includes a stage main body driven by linear motors 30, 32, and a substrate table mounted on the stage body, a stage body between the substrate table, Z-axis of the substrate table, .theta.X, and θY directions movable drive system are arranged with respect to the stage body. 基板テーブルは、基板保持部12及び上面13を有する。 Substrate table includes a substrate holder 12 and the top surface 13. したがって、制御装置8は、上面13及び基板保持部12に保持された基板Pを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 Accordingly, the control unit 8, the substrate P held on the upper surface 13 and the substrate holder 12, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and is movable in six directions in the θZ direction.

また、本実施形態の計測ステージ3は、リニアモータ31、33、35によって駆動されるステージ本体と、ステージ本体上に搭載された計測テーブルとを含み、ステージ本体と計測テーブルとの間には、ステージ本体に対して計測テーブルをZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な駆動システムが配置されている。 Further, measurement stage 3 of the present embodiment includes a stage main body driven by linear motors 31, 33, and mounted on a measuring table on the stage main body, between the stage main measurement table, Z-axis measurement table relative to the stage main body, .theta.X, and θY directions movable drive system are arranged. 計測テーブルは、計測部材保持部14及び上面15を有する。 Measurement table has a measuring member holding portion 14 and the top surface 15. したがって、制御装置8は、上面15及び計測部材保持部14に保持された計測部材Sを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。 Accordingly, the control device 8, the measuring member S held on the upper surface 15 and the measuring member holding portion 14, X-axis, Y-axis, a Z-axis, .theta.X movable, [theta] Y, and six directions θZ direction.

本実施形態において、計測ステージ3は、上面15に配置された計測部材Sを有する。 In the present embodiment, measurement stage 3 has a measuring member S disposed on the top surface 15. 計測部材Sは、光学部品を含む。 Measuring member S includes an optical component. 本実施形態において、計測部材Sは、3つの計測部材S1〜S3を含む。 In the present embodiment, the measuring member S comprises three measuring member S1 to S3. 本実施形態において、計測部材S1は、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書に開示されているような、投影光学系PLの結像特性を計測する空間像計測システム46の一部を構成する計測部材である。 In the present embodiment, the measuring member S1 is, for example, U.S. Pat., As disclosed in Pat. Application Publication No. 2002/0041377, a part of the spatial image measuring system 46 for measuring the imaging characteristics of the projection optical system PL a measuring member constituting. 計測部材S1には、終端光学素子9から射出された露光光ELが液体LQを介して照射される。 A measuring member S1 is the exposure light EL emitted from the last optical element 9 is irradiated through the liquid LQ. 計測部材S1を通過した露光光ELは、例えば計測ステージ3の内部に配置されている受光素子に受光される。 Exposure light EL having passed through the measuring member S1 is, for example, is received by the light receiving element disposed inside of the measurement stage 3.

計測部材S2は、例えば米国特許第4465368号明細書に開示されているような、照度むら計測システム47の一部を構成する計測部材である。 Measuring member S2 is for example as disclosed in U.S. Patent No. 4,465,368, a measuring member which constitutes a part of the uneven illuminance measuring system 47. 計測部材S2には、終端光学素子9から射出された露光光ELが液体LQを介して照射される。 A measuring member S2 is the exposure light EL emitted from the last optical element 9 is irradiated through the liquid LQ. 計測部材S2を通過した露光光ELは、例えば計測ステージ3の内部に配置されている受光素子に受光される。 Exposure light EL having passed through the measuring member S2 is for example received by the light receiving element disposed inside of the measurement stage 3.

なお、計測ステージ3に配置される計測部材S2が、例えば米国特許第6721039号明細書に開示されているような、投影光学系PLの露光光ELの透過率の変動量を計測するための計測システム、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書に開示されているような、照射量計測システム(照度計測システム)、例えば欧州特許第1079223号明細書に開示されているような、波面収差計測システム等、露光光ELに関する情報を計測する計測システムの一部を構成するものでもよい。 Incidentally, the measuring member S2, which are arranged in measurement stage 3, for example, US as disclosed in Patent No. 6,721,039, measurement for measuring the variation of the transmittance of the exposure light EL in the projection optical system PL system, for example, US as disclosed in Patent application Publication No. 2002/0061469 Pat, dose measuring system (illuminance measurement system), as disclosed for example in EP 1079223, wavefront aberration measurement system or the like, or constitute a part of a measuring system for measuring the information about the exposure light EL.

計測部材S3は、第1アライメントシステム51で計測される第1基準マークFM1と、第2アライメントシステム52で計測される第2基準マークFM2とを有する。 Measuring member S3 is has a first reference mark FM1 which are measured by the first alignment system 51, and a second reference mark FM2 measured by the second alignment system 52. 本実施形態においては、第1基準マークFM1は、投影光学系PLと液浸空間LSの液体LQとを介して第1アライメントシステム51に計測され、第2基準マークFM2は、液体LQを介さずに第2アライメントシステム52に計測される。 In this embodiment, the first reference mark FM1 is measured in the first alignment system 51 via the liquid LQ of the projection optical system PL and immersion space LS, the second reference marks FM2 is not through the liquid LQ It is measured in the second alignment system 52.

本実施形態において、基板保持部12に保持された基板Pの表面、基板ステージ2の上面13、計測部材保持部14に保持された計測部材S(S1〜S3)の表面、及び計測ステージ3の上面15のそれぞれは、終端光学素子9の射出面10及び液浸部材6の下面16と対向可能である。 In the present embodiment, the surface of the substrate P held by the substrate holding portion 12, the upper surface 13 of the substrate stage 2, the surface of the held by the measuring member holding portion 14 a measuring member S (S1 to S3), and the measurement stage 3 each of the upper surface 15, it is possible opposed to the lower 16 of the exit surface 10 and the liquid immersion member 6 of the last optical element 9. また、本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第2006/0023186号明細書等に開示されているように、制御装置8は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持し続けるように、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ2の上面13及び計測ステージ3の上面15の少なくとも一方と終端光学素子9の下面10及び液浸部材6の下面16とを対向させつつ、終端光学素子9及び液浸部材6に対して、基板ステージ2と計測ステージ3とをXY方向に同期移動させることができる。 In the present embodiment, as disclosed for example in US Patent Application Publication No. 2006/0023186 Pat like, the controller 8, at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the last optical element 9 and to continue to hold the liquid LQ between the liquid immersion member 6, while being close to or in contact with the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3, the upper surface 13 and the measuring stage of the substrate stage 2 while opposed to the lower surface 16 of the lower surface 10 and the liquid immersion member 6 at least one and the last optical element 9 of the third upper surface 15, with respect to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, and the substrate stage 2 and the measurement stage 3 thereby synchronously moving in the XY directions. これにより、液体LQの液浸空間LSは、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とで移動可能である。 Accordingly, the liquid immersion space LS of the liquid LQ is movable between the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3. このように、本実施形態においては、終端光学素子9及び液浸部材6に対する基板ステージ2及び計測ステージ3の相対移動によって、終端光学素子9及び液浸部材6との間に保持される液体LQを、基板ステージ2及び計測ステージ3の一方から他方に移動することができる。 Thus, in the present embodiment, the relative movement of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 for the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the liquid LQ held between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and it can be moved from one to the other of the substrate stage 2 and the measurement stage 3.

以下の説明において、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とで液体LQの液浸空間LSを移動するために、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ2の上面13及び計測ステージ3の上面15の少なくとも一方と終端光学素子9の下面10及び液浸部材6の下面16とを対向させつつ、終端光学素子9及び液浸部材6に対して、基板ステージ2と計測ステージ3とをXY方向に同期移動させる動作を適宜、スクラムスイープ動作、と称する。 In the following description, in order to move the liquid immersion space LS of the liquid LQ between the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3, close to the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3 or They kept in contact, while opposed to the lower surface 16 of the lower surface 10 and the liquid immersion member 6 at least one and the last optical element 9 of the upper surface 15 of the upper surface 13 and the measurement stage 3 of the substrate stage 2, the last optical element 9 and the liquid against immersion member 6, the operation of moving synchronize the substrate stage 2 and the measurement stage 3 in the XY direction as appropriate, scrum sweep operation, referred to as.

本実施形態においては、スクラムスイープ動作を実行するとき、制御装置8は、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とがほぼ同一平面内に配置されるように、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15との位置関係を調整する。 In the present embodiment, when performing the scrum sweep operation, the control unit 8, so that the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3 is disposed in substantially the same plane and the upper surface of the substrate stage 2 13 and to adjust the positional relationship between the upper surface 15 of the measurement stage 3.

基板Pの露光時、基板ステージ2に保持された基板Pが、終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と基板Pとの間の光路が液体LQで満たされる。 During exposure of the substrate P, the substrate P held by the substrate stage 2 is disposed opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the optical path between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate P There is filled with the liquid LQ. また、基板Pの露光時、マスクステージ1の位置情報がレーザ干渉計7Aで計測され、基板ステージ2の位置情報がレーザ干渉計7Bで計測され、基板Pの表面の位置情報がフォーカス・レベリング検出システムで検出される。 Also, during exposure of the substrate P, the position information of the mask stage 1 is measured by the laser interferometer 7A, the position information of the substrate stage 2 is measured by the laser interferometer 7B, position information of the surface of the substrate P is focus leveling detection It is detected by the system. 制御装置8は、レーザ干渉計7Aの計測結果に基づいて、第1駆動システム4を作動し、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置制御を実行する。 Control device 8, based on the measurement results of the laser interferometer 7A, a first drive system 4 operates to perform the position control of the mask M held on the mask stage 1. また、制御装置8は、レーザ干渉計7Bの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム5を作動し、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置制御を実行する。 Further, the control unit 8 based on the detection result of the measurement results of the laser interferometer 7B and focus leveling detection system, the second drive system 5 operates, the position control of the substrate P held by the substrate stage 2 Run.

また、計測部材Sを用いる計測時、計測ステージ3に搭載された計測部材Sが、終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と計測部材Sとの間の光路が液体LQで満たされる。 Furthermore, the measuring member when measuring using a S, onboard measuring member S on the measurement stage 3 is disposed opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, a measuring member last optical element 9 and the liquid immersion member 6 the optical path between the S is filled with the liquid LQ. また、計測部材Sを用いる計測時、計測ステージ3の位置情報がレーザ干渉計7Bで計測され、計測部材Sの表面の位置情報がフォーカス・レベリング検出システムで検出される。 Furthermore, during measurement using the measuring member S, the position information of the measurement stage 3 is measured by the laser interferometer 7B, position information of the surface of the measuring member S is detected by the focus leveling detection system. 制御装置8は、レーザ干渉計7Bの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム5を作動し、計測ステージ3に搭載されている計測部材Sの位置制御を実行する。 The controller 8 based on the detection result of the measurement results of the laser interferometer 7B and focus leveling detection system, the second drive system 5 operates, executes the position control of the measuring member S provided on the measuring stage 3 to.

本実施形態においては、基板ステージ2は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態と、液体LQを保持しない第2状態とで変化する。 In the present embodiment, the substrate stage 2 varies between a first state for holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, a second state that does not hold the liquid LQ. 同様に、計測ステージ3は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態と、液体LQを保持しない第2状態とで変化する。 Similarly, measurement stage 3 is changed in a first state for holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, a second state that does not hold the liquid LQ.

本実施形態において、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、射出面10及び下面16と対向する位置に配置されたときに、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持可能である。 In this embodiment, each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, when placed in a position facing the exit surface 10 and bottom surface 16, retaining the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 possible it is. 本実施形態において、基板ステージ2の第1状態は、基板ステージ2が終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置される状態を含み、計測ステージ3の第1状態は、計測ステージ3が終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置される状態を含む。 In this embodiment, the first state of the substrate stage 2 includes a state in which the substrate stage 2 is arranged opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the first state of measurement stage 3, measurement stage 3 There comprising a state of being disposed opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6. すなわち、本実施形態において、第1状態は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が、終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置される状態を含む。 That is, in the present embodiment, the first state, at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 includes a state of being disposed opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6.

具体的には、基板ステージ2の第1状態は、液体LQを介して露光光ELで基板ステージ2上の基板Pを露光するために、基板ステージ2が終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置される状態を含む。 Specifically, the first state of the substrate stage 2, in order to expose the substrate P on the substrate stage 2 in the exposure light EL through the liquid LQ, the substrate stage 2 and the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 It includes states which are oppositely disposed. また、計測ステージ3の第1状態は、液体LQを介して露光光ELを計測ステージ3上の計測部材Sに照射するために、計測ステージ3が終端光学素子9及び液浸部材6と対向して配置される状態を含む。 The first state of measurement stage 3, in order to irradiate the exposure light EL in the measuring member S on the measurement stage 3 through the liquid LQ, is measurement stage 3 opposite to the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 It includes states which are arranged Te.

また、本実施形態において、第1状態は、終端光学素子9及び液浸部材6との間に保持される液浸空間LSの液体LQを、基板ステージ2及び計測ステージ3の一方から他方に移動するために、基板ステージ2と計測ステージ3とを接近又は接触させた状態を含む。 The mobile in this embodiment, the first state, the liquid LQ of the immersion space LS is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, from one to the other of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 to include a state of being close to or in contact with the substrate stage 2 and the measurement stage 3. 具体的には、第1状態は、スクラムスイープ動作時において、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が、液浸空間LSの液体LQを、終端光学素子9及び液浸部材6との間で保持している状態を含む。 Specifically, the first state, at the time of scram sweep operation, at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the liquid LQ of the immersion space LS, between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 including the state that holds. 換言すれば、第1状態は、スクラムスイープ動作時において、液浸空間LSの液体LQが、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方に接触している状態を含む。 In other words, the first state, at the time of scram sweep operation, the liquid LQ of the immersion space LS includes a state in contact with at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3.

また、基板ステージ2の第2状態は、射出面10及び下面16と対向しない位置に配置された状態を含み、計測ステージ3の第2状態は、射出面10及び下面16と対向しない位置に配置された状態を含む。 The second state of the substrate stage 2 includes a state of being arranged in a position not facing the exit surface 10 and bottom surface 16, a second state of measurement stage 3 is arranged at a position not opposed to the exit surface 10 and the lower surface 16 including the state.

具体的には、基板ステージ2の第2状態は、基板ステージ2が射出面10及び下面16と対向しない位置に配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持された状態を含む。 More specifically, the second state of the substrate stage 2 is arranged at a position the substrate stage 2 is not opposed to the exit surface 10 and bottom surface 16, the liquid between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 a state in which an LQ is held. また、計測ステージ3の第2状態は、計測ステージ3が射出面10及び下面16と対向しない位置に配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持された状態を含む。 The second state of measurement stage 3 is disposed at a position where the measurement stage 3 is not opposed to the exit surface 10 and bottom surface 16, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 including the state.

本実施形態においては、制御装置8は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持し続けるようにスクラムスイープ動作を実行することによって、基板ステージ2及び計測ステージ3の一方を第1状態から第2状態へ変化させ、他方を第2状態から第1状態へ変化させることができる。 In the present embodiment, the control unit 8, that at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 performs a scrum sweep operation to continue to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 Accordingly, one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is changed from the first state to the second state, it is possible to change the other from the second state to the first state.

本実施形態においては、制御装置8は、第1状態と第2状態とで移動速度が異なるように、基板ステージ2の移動を制御する。 In the present embodiment, the control unit 8, as the moving speed between the first and second states are different, to control the movement of the substrate stage 2. 本実施形態において、制御装置8は、第2状態における移動速度が、第1状態における移動速度より高くなるように、基板ステージ2の移動を制御する。 In the present embodiment, the control unit 8, the moving speed in the second state, to be higher than the moving speed in the first state, to control the movement of the substrate stage 2.

また、本実施形態においては、制御装置8は、第1状態と第2状態とで移動速度が異なるように、計測ステージ3の移動を制御する。 In the present embodiment, the control unit 8, as the moving speed between the first and second states are different, to control the movement of measurement stage 3. 本実施形態において、制御装置8は、第2状態における移動速度が、第1状態における移動速度より高くなるように、計測ステージ3の移動を制御する。 In the present embodiment, the control unit 8, the moving speed in the second state, to be higher than the moving speed in the first state, to control the movement of measurement stage 3.

このように、本実施形態においては、第2状態における移動速度は、第1状態における移動速度より高い。 Thus, in the present embodiment, the moving speed in the second state is higher than the moving speed in the first state. すなわち、第1状態における移動速度は、第2状態における移動速度より低い。 That is, the moving speed in the first state is lower than the moving speed in the second state.

基板ステージ2の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度を含む。 Travel speed in the first state of the substrate stage 2, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, including a maximum speed of outflow of the liquid LQ, the residual can be suppressed.

終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持された状態で基板ステージ2を高速で移動した場合、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQを良好に保持し続けることが困難となり、例えば液体LQが流出したり、基板ステージ2上に残留したりする等、不具合が生じる可能性がある。 If the substrate stage 2 in the state in which the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 is moved at a high speed, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 it is difficult to keep good retention of the liquid LQ between, for example, or the liquid LQ flows out, etc. or remaining on the substrate stage 2, there is a possibility that problems will be caused. そのため、基板ステージ2の第1状態における移動速度(最高速度)は、液体LQの流出、残留を抑制できる値に定められる。 Therefore, the moving speed in the first state of the substrate stage 2 (maximum speed), the outflow of the liquid LQ, is determined to a value that the residual can be suppressed.

本実施形態において、基板ステージ2の第1状態における移動速度(最高速度)は、液体LQと接触する基板ステージ2の上面13の状態に応じて定められる。 In the present embodiment, the moving speed in the first state of the substrate stage 2 (maximum speed) is determined in accordance with the state of the upper surface 13 of the substrate stage 2 in contact with the liquid LQ. 上面13の状態は、液体LQとの接触角を含む。 State of the top surface 13 comprises a contact angle with a liquid LQ. 例えば、上面13と液体LQとの接触角が高い場合、接触角が低い場合より、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、基板ステージ2の移動速度(最高速度)を高めることができる。 For example, if the contact angle between the top surface 13 and the liquid LQ higher than if the contact angle is low, outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, it is possible to increase the moving speed of the substrate stage 2 (maximum speed) . なお、最高速度は、例えば実験又はシミュレーションによって予め求めることができる。 The maximum rate can be obtained in advance by, for example, experiments or simulations.

同様に、計測ステージ3の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度を含み、液体LQと接触する計測ステージ3の上面15の状態(液体LQとの接触角)に応じて定めることができる。 Similarly, the moving speed in the first state of measurement stage 3, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 includes a top speed of outflow of the liquid LQ, the residual is suppressed it can be determined according to the state of the upper surface 15 of the measuring stage 3 in contact with the liquid LQ (contact angle with a liquid LQ).

また、上述のように、本実施形態においては、基板ステージ2は、計測ステージ3とのスクラムスイープ動作によって、第1状態と第2状態とで変化することができる。 Further, as described above, in the present embodiment, the substrate stage 2, by the scrum sweep operation of the measurement stage 3 can be varied between the first and second states. 基板ステージ2の第1状態における移動速度は、第2状態から第1状態へ変化した直後における移動速度を含む。 Travel speed in the first state of the substrate stage 2 includes a moving speed immediately after changing from the second state to the first state. また、基板ステージ2の第2状態における移動速度は、第1状態から第2状態へ変化した直後における移動速度を含む。 Further, the moving speed in the second state of the substrate stage 2 includes a moving speed immediately after changing from the first state to the second state.

同様に、計測ステージ3の第1状態における移動速度は、第2状態から第1状態へ変化した直後における移動速度を含む。 Similarly, the moving speed in the first state of measurement stage 3 includes a moving speed immediately after changing from the second state to the first state. また、計測ステージ3の第2状態における移動速度は、第1状態から第2状態へ変化した直後における移動速度を含む。 Further, the moving speed in the second state of measurement stage 3 includes a moving speed immediately after changing from the first state to the second state.

次に、上述の構成を有する露光装置EX1の動作の一例について、図4〜図12の模式図を参照して説明する。 Next, an example of operation of the exposure apparatus EX1 having the above-described configuration, will be described with reference to the schematic diagram of FIGS. 4-12. 本実施形態においては、複数の基板Pが基板保持部12に順次ロード(搬入)され、所定の処理が実行される。 In the present embodiment, a plurality of substrates P are successively loaded (loading) in the substrate holding section 12, predetermined processing is executed. 本実施形態においては、制御装置8は、基板Pを基板保持部12にロード(搬入)するとき、又は基板Pを基板保持部12からアンロード(搬出)するとき、基板ステージ2を基板交換位置に移動する。 In the present embodiment, the control unit 8, when loading (carrying) substrate P on the substrate holder 12, or when the substrate P is unloaded (unloading) from the substrate holding portion 12, the substrate stage 2 substrate exchange position to move to. 本実施形態において、基板交換位置に移動した基板ステージ2の基板保持部12に対して、基板Pのロード及びアンロードの少なくとも一方を実行可能な搬送システム48が配置されている。 In this embodiment, the substrate holder 12 of the substrate stage 2 is moved to the substrate exchange position, viable delivery system 48 at least one of loading and unloading of the substrate P is placed. 制御装置8は、搬送システム48を用いて、基板交換位置に移動した基板ステージ2(基板保持部12)より、露光後の基板Pをアンロード(搬出)する動作、及び次に露光されるべき露光前の基板Pを基板ステージ2(基板保持部12)にロード(搬入)する動作を含む基板交換処理を実行可能である。 Controller 8, using the transfer system 48, from the substrate was moved to the substrate exchange position stage 2 (substrate holding section 12), the operation to unload the substrate P after the exposure (out), and to be exposed to the following load the unexposed substrate P onto the substrate stage 2 (substrate holder 12) is capable of executing the substrate replacement process comprising (loading) it operates.

以下の説明において、終端光学素子9の射出面10と対向する位置、すなわち、射出面10から射出される露光光ELの照射位置を適宜、第1位置PJ1、と称し、基板交換位置を適宜、第2位置PJ2、と称する。 In the following description, the exit surface 10 facing the position of the last optical element 9, i.e., appropriate irradiation position of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10, a first position PJ1, and referred, the substrate exchange position as appropriate, second position PJ2, as referred. 第1位置PJ1と第2位置PJ2とは異なる位置である。 A first position PJ1 and the second position PJ2 are different positions.

また、以下の説明においては、スクラムスイープ動作時において、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接触させる場合を例にして説明する。 In the following description, during the scram sweep operation, it will be described as an example case of contacting the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3. なお、例えば液体LQの表面張力により、上面13と上面15との間への液体LQの浸入、あるいは上面13と上面15との間からの液体LQの漏出等が抑制される場合、上面13と上面15との間に所定のギャップを形成した状態で、スクラムスイープ動作を実行してもよい。 Incidentally, for example, by the surface tension of the liquid LQ, when the penetration of the liquid LQ into between the upper surface 13 and the upper surface 15, or leakage, etc. of the liquid LQ from between the upper surface 13 and the upper surface 15 is suppressed, the upper surface 13 while forming a predetermined gap between the upper surface 15, it may perform the scrum sweep operation.

図4に示すように、制御装置8は、露光前の基板Pを基板ステージ2にロード(搬入)するために、基板ステージ2を第2位置PJ2へ移動する。 As shown in FIG. 4, the control unit 8, the substrate P before exposure to load (loading) on ​​the substrate stage 2, which moves the substrate stage 2 to the second position PJ2. 制御装置8は、搬送システム48を用いて、露光前の基板Pを基板ステージ2の基板保持部12にロードする。 Controller 8, using the transfer system 48 to load the substrate P before being exposed to the substrate holder 12 of the substrate stage 2. 基板保持部12にロードされた基板Pは、基板保持部12に保持される。 Substrate P loaded on the substrate holder 12 is held by the substrate holder 12.

基板ステージ2が第2位置PJ2に配置されているとき、第1位置PJ1には計測ステージ3が配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持される。 When the substrate stage 2 is disposed in the second position PJ2, the first position PJ1 is disposed measurement stage 3, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 that. 制御装置8は、必要に応じて、計測ステージ3に搭載されている計測部材S(計測器)の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。 The controller 8, optionally using at least one of the installed measuring member S (meter) the measurement stage 3 performs various measurements. 例えば、制御装置8は、レーザ干渉計7Bを含む干渉計システム7を用いて、計測ステージ3の位置情報を計測しつつ、射出面10から射出される露光光ELの照射位置(投影光学系PLの投影位置)を空間像計測システム46を用いて計測し、第2基準マークFM2の位置を第2アライメントシステム52を用いて計測する。 For example, the control unit 8, using the interferometer system 7 including a laser interferometer 7B, while measuring the position information of the measurement stage 3, the irradiation position (the projection optical system PL of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 the projection position) is measured using the aerial image measurement system 46 measures the position of the second reference marks FM2 using the second alignment system 52. 制御装置8は、空間像計測システム46の計測結果と第2アライメントシステム52の計測結果とに基づいて、露光光ELの照射位置と第2アライメントシステム52の検出基準位置との位置関係に関する情報、すなわち、ベースライン情報を取得する。 Control device 8, the measurement results of the spatial image-measuring system 46 and based on the measurement result of the second alignment system 52, information about the positional relationship between the irradiation position of the exposure light EL and the detection reference position of the second alignment system 52, In other words, to obtain baseline information. 空間像計測システム46を用いる計測を実行する際、終端光学素子9と計測部材S1との間に液体LQが保持される。 When performing measurement using the spatial image measuring system 46, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the measuring member S1. また、制御装置8は、空間像計測システム46を用いて、投影光学系PLの結像特性を計測した後、その計測結果に基づいて、各種調整(キャリブレーション)を行うことができる。 Further, the control unit 8, using the spatial image measuring system 46, after measuring the imaging characteristics of the projection optical system PL, and based on the measurement result, it is possible to perform the various adjustments (calibration). 例えば、空間像計測システム46の計測結果に基づいて、投影光学系PLの結像特性の調整が実行される。 For example, based on the measurement result of the aerial image measurement system 46, the adjustment of the imaging characteristic of the projection optical system PL is performed.

図4に示すように、計測ステージ3が第1位置PJ1に配置され、基板ステージ2が第2位置PJ2に配置されている状態は、基板ステージ2の第2状態であり、計測ステージ3の第1状態である。 As shown in FIG. 4, the measurement stage 3 is placed at the first position PJ1, while the substrate stage 2 is arranged in the second position PJ2 is the second state of the substrate stage 2, the measurement stage 3 the 1 state.

計測ステージ3の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm13以下に定められる。 Travel speed in the first state of measurement stage 3, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, the outflow of the liquid LQ, defined below maximum speed Vm13 residual is inhibited . 計測ステージ3の第1状態における移動速度(最高速度)Vm13は、上面15の状態に応じて定められる。 Moving speed (maximum speed) VM13 in the first state of measurement stage 3 is determined according to the state of the top surface 15. 最高速度Vm13は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm13 the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, it is preferable as high as possible.

一方、基板ステージ2の第2状態における移動速度(最高速度)Vm22は、例えば第2駆動システム5の駆動能力等に応じて定められる。 On the other hand, the moving speed (the maximum speed) Vm22 in a second state of the substrate stage 2 is determined according to, for example, driving capability, etc. of the second drive system 5. 最高速度Vm22は、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm22, it is desirable as high as possible.

計測ステージ3を用いる計測が終了し、基板ステージ2に対する基板Pのロードが終了した後、制御装置8は、計測ステージ3を第1位置PJ1に配置した状態で、計測ステージ3の上面15と基板ステージ2の上面13とを接触させる。 Exit measurement using measurement stage 3, after the loading of the substrate P is completed for the substrate stage 2, the control device 8, in the state in which the measurement stage 3 in the first position PJ1, and the upper surface 15 of the measurement stage 3 substrate contacting the upper surface 13 of the stage 2. すなわち、制御装置8は、第1状態の計測ステージ3の上面15に、第2状態の基板ステージ2の上面13を接触させるために、第2位置PJ2から、上面15と上面13とが接触する位置まで、第2状態の基板ステージ2を第1速度V1で移動する。 That is, the control unit 8, the upper surface 15 of the measurement stage 3 in the first state, to contact the upper surface 13 of the substrate stage 2 in the second state, the second position PJ2, contact between the upper surface 15 and the upper surface 13 position to move the substrate stage 2 in the second state at a first speed V1. これにより、図5に示すように、第1状態の計測ステージ3の上面15と、第2状態の基板ステージ2の上面13とが接触する。 Thus, as shown in FIG. 5, the upper surface 15 of the measurement stage 3 in the first state, and the upper surface 13 of the substrate stage 2 in the second state in contact.

本実施形態においては、第1速度V1は、最高速度Vm22を含む。 In this embodiment, the first speed V1 includes the maximum speed Vm22. これにより、計測ステージ3の上面15と基板ステージ2の上面13とを素早く接触させることができる。 Thus, it is possible to quickly contact with the upper surface 13 of the upper surface 15 and the substrate stage 2 of the measurement stage 3.

また、本実施形態においては、制御装置8は、上面15と上面13とが接触する直前に、基板ステージ2の移動速度を、第1速度V1から、第1速度V1より低い第2速度V2へ変化させる。 In the present embodiment, the control device 8, just prior to contact with the upper surface 15 and upper surface 13, the movement speed of the substrate stage 2, the first speed V1, the lower than the first speed V1 second speed V2 changing. すなわち、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持せず且つ、計測ステージ3と接触していない状態から、計測ステージ3と接触する状態へ変化する直前に、基板ステージ2の移動速度を低くする。 That is, immediately before the controller 8, and does not hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, which changes from a state not in contact with the measurement stage 3, to the state in contact with the measurement stage 3 , the lower the moving speed of the substrate stage 2.

次に、制御装置8は、計測ステージ3の上面15から基板ステージ2の上面13へ液浸空間LSを移動するために、スクラムスイープ動作を実行する。 Next, the control unit 8, in order to move the liquid immersion space LS from the upper surface 15 of the measurement stage 3 to the upper surface 13 of the substrate stage 2, to perform the scrum sweep operation. 制御装置8は、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接触させた状態で、基板ステージ2と計測ステージ3とを、+Y方向へ同期移動する。 Control device 8, in a state of being contact between the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3, the substrate stage 2 and the measurement stage 3, synchronously moved in the + Y direction.

これにより、図5に示したように、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態から、図6に示すように、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3及び基板ステージ2との間に液体LQが保持されている状態を経て、図7に示すように、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持される状態へ変化する。 Thus, as shown in FIG. 5, from a state in which the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3, as shown in FIG. 6, the last optical element 9 and via the state in which the liquid LQ is held between the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 and the substrate stage 2, as shown in FIG. 7, between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 the liquid LQ is changed to the state held in the. すなわち、液体LQと基板ステージ2とが接触せず且つ、液体LQと計測ステージ3とが接触している状態から、液体LQと計測ステージ3及び基板ステージ2の両方とが接触している状態を経て、液体LQと計測ステージ3とが接触せず且つ、液体LQと基板ステージ2とが接触する状態へ変化する。 That, and without contact between the liquid LQ and the substrate stage 2, a state in which the liquid LQ and the measurement stage 3 are in contact, the state of the liquid LQ and the both measurement stage 3 and the substrate stage 2 is in contact after it, and without contact between the liquid LQ and the measurement stage 3 is changed to the state of contact between the liquid LQ and the substrate stage 2.

これにより、計測ステージ3は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態から、液体LQを保持しない第2状態へ変化し、基板ステージ2は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持しない第2状態から、液体LQを保持する第1状態へ変化する。 Thus, measurement stage 3, from a first state to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, changes to a second state that does not hold the liquid LQ, the substrate stage 2, the terminal optical a second state that does not hold the liquid LQ between the elements 9 and the liquid immersion member 6, changes to the first state to hold the liquid LQ.

計測ステージ3の上面15から基板ステージ2の上面13へ液浸空間LSを移動するためのスクラムスイープ動作時において、制御装置8は、第1速度V1より低い第3速度V3で、計測ステージ3及び基板ステージ2を同期移動する。 In scrum sweep operation for the upper surface 15 of the measurement stage 3 to move the liquid immersion space LS to the upper surface 13 of the substrate stage 2, the control device 8, lower than the first speed V1 third speed V3, the measurement stage 3 and the substrate stage 2 to move synchronization. また、本実施形態においては、第3速度V3は、第2速度V2とほぼ同じ速度である。 In the present embodiment, the third speed V3 is approximately the same speed as the second speed V2. なお、第3速度V3が、第2速度V2より低くてもよい。 The third speed V3 may be lower than the second speed V2. なお、第3速度V3が、第1速度V1より低く且つ、第2速度V2より高くてもよい。 The third speed V3 is and lower than the first speed V1, it may be higher than the second speed V2.

第3速度V3は、液体LQと接触する計測ステージ3の上面15及び基板ステージ2の上面13に応じて定められる。 The third speed V3 is determined according to the upper surface 15 and upper surface 13 of the substrate stage 2 of the measurement stage 3 in contact with the liquid LQ. 上述のように、上面13、15の状態は、液体LQとの接触角を含む。 As described above, the state of the top surface 13 and 15 includes a contact angle with a liquid LQ. 制御装置8は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、第3速度V3を設定し、その第3速度V3で計測ステージ3と基板ステージ2とを同期移動する。 Control device 8, the outflow of the liquid LQ, in a range capable of suppressing the residual, so that the higher the moving speed as possible, to set the third speed V3, the third speed V3 at measurement stage 3 and the substrate stage 2 bet the move synchronization.

本実施形態において、計測ステージ3の上面15から基板ステージ2の上面13へ液浸空間LSを移動するためのスクラムスイープ動作時において、第3速度V3は、ほぼ一定である。 In the present embodiment, in scrum sweep operation for the upper surface 15 of the measurement stage 3 to move the liquid immersion space LS to the upper surface 13 of the substrate stage 2, a third speed V3 is approximately constant. なお、スクラムスイープ動作時において、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V3 と、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3及び基板ステージ2との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V3 と、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V3 とが異なっていてもよい。 At the time of scram sweep operation, the moving speed V3 1 in a state where the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 the liquid LQ is held between the moving speed V3 2 in a state in which the liquid LQ is held between the measurement stage 3 and the substrate stage 2, and the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 the moving speed V3 3 in it which states may be different. 例えば、移動速度V3 は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、上面15の状態に応じて定めることができる。 For example, the moving speed V3 1 is outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, so that high moving speed as possible, can be determined according to the state of the top surface 15. また、移動速度V3 は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、上面13及び上面15の状態に応じて定めることができる。 Further, the moving speed V3 2 is outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, so that high moving speed as possible, can be determined according to the state of the top surface 13 and top surface 15. また、移動速度V3 は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、上面13の状態に応じて定めることができる。 Further, the moving speed V3 3 is the outflow of the liquid LQ, as to the extent that the remaining can be suppressed, so long as a high moving speed possible, can be determined according to the state of the top surface 13.

スクラムスイープ動作によって、基板ステージ2が終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態へ変化し、計測ステージ3が終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持しない第2状態へ変化した後、制御装置8は、計測ステージ3の移動速度を、第3速度V3から、第3速度V3より高い第4速度V4へ変化させる。 The scrum sweep operation, between the first change to the state, measurement stage 3 is the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 in which the substrate stage 2 holds the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 in after changing to a second state that does not hold the liquid LQ, the control device 8, the movement speed of the measurement stage 3, the third speed V3, changing to a higher than the third speed V3 fourth speed V4. 制御装置8は、計測ステージ3が第1状態から第2状態へ変化した直後、その計測ステージ3の移動速度を、第3速度V3から第4速度V4へ高める。 Control device 8, immediately after the measurement stage 3 is changed from the first state to the second state, the moving speed of the measurement stage 3, increase from the third speed V3 to the fourth speed V4.

本実施形態においては、制御装置8は、基板ステージ2と計測ステージ3とを第3速度V3で同期移動して、計測ステージ3を第1状態から第2状態へ変化させ、基板ステージ2を第2状態から第1状態へ変化させた後、基板ステージ2と計測ステージ3とを離し、基板ステージ2を第1状態に維持した状態で、計測ステージ3の加速を開始し、計測ステージ3の移動速度を第4速度V4にする。 In the present embodiment, the control unit 8, the substrate stage 2 and the measurement stage 3 moves synchronously with the third speed V3, to change the measurement stage 3 from the first state to the second state, the substrate stage 2 a after changing from the second state to the first state, releasing the substrate stage 2 and the measurement stage 3, while maintaining the substrate stage 2 in the first state, to start the acceleration of the measurement stage 3, the movement of measurement stage 3 the speed to the fourth speed V4.

これにより、図8に示すように、基板ステージ2が第1位置PJ1に配置されて、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持される。 Thus, as shown in FIG. 8, the substrate stage 2 is arranged in a first position PJ1, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2. また、計測ステージ3は、基板ステージ2と離れた所定の待機位置に配置される。 Further, measurement stage 3 is disposed at a predetermined waiting position apart from the substrate stage 2. 以下の説明において、計測ステージ3の所定の待機位置を適宜、第3位置PJ3、と称する。 In the following description, the predetermined standby position of the measurement stage 3 as appropriate, third position PJ3, and referred.

計測ステージ3が第3位置PJ3に配置され、基板ステージ2が第1位置PJ1に配置されている状態は、基板ステージ2の第1状態であり、計測ステージ3の第2状態である。 State where measurement stage 3 is disposed in the third position PJ3, the substrate stage 2 is arranged in the first position PJ1 is a first state of the substrate stage 2, a second state of measurement stage 3.

基板ステージ2の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm12以下に定められる。 Travel speed in the first state of the substrate stage 2, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, the outflow of the liquid LQ, defined below maximum speed Vm12 residual is inhibited . 基板ステージ2の第1状態における移動速度(最高速度)Vm12は、上面13の状態に応じて定められる。 Moving speed (maximum speed) VM 12 in the first state of the substrate stage 2 is determined in accordance with the state of the top surface 13. また、最高速度Vm12は、基板Pの表面の状態に応じて定められる。 Further, the maximum speed Vm12 is determined according to the state of the surface of the substrate P. 基板Pの表面の状態は、液体LQとの接触角を含む。 State of the surface of the substrate P includes the contact angle of the liquid LQ. 最高速度Vm12は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm12 the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, it is preferable as high as possible.

本実施形態においては、基板ステージ2の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6と上面13の間で液体LQを保持したとき、及び終端光学素子9及び液浸部材6と基板Pの表面との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制されるように、最高速度Vm12以下に定められる。 In the present embodiment, the moving speed in the first state of the substrate stage 2, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the upper surface 13, and the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and when holding the liquid LQ between the the front surface of the substrate P, the outflow of the liquid LQ, as residual is inhibited, is defined below the maximum speed VM 12. なお、終端光学素子9及び液浸部材6と上面13の間で液体LQが保持されているときの最高速度Vm12 と、終端光学素子9及び液浸部材6と基板Pの表面との間で液体LQが保持されているときの最高速度Vm12 とは、同じ速度でもよいし、異なる速度でもよい。 Note that the maximum speed VM 12 1 when the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the upper surface 13 is held, with the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the front surface of the substrate P the maximum speed VM 12 2 when the liquid LQ is held, may be at the same rate, or at different rates.

一方、計測ステージ3の第2状態における移動速度(最高速度)Vm23は、例えば第2駆動システム5の駆動能力等に応じて定められる。 On the other hand, the moving speed (the maximum speed) Vm23 in a second state of measurement stage 3 is determined according to, for example, driving capability, etc. of the second drive system 5. 最高速度Vm23は、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm23, it is desirable as high as possible.

本実施形態において、第2状態での基板ステージ2の最高速度Vm22は、第1状態での基板ステージ2の最高速度Vm12より高い。 In the present embodiment, the maximum speed Vm22 of the substrate stage 2 in the second state is higher than the maximum speed Vm12 of the substrate stage 2 in the first state. また、第2状態での計測ステージ3の最高速度Vm23は、第1状態での計測ステージ3の最高速度Vm13より高い。 Further, the maximum speed Vm23 of the measurement stage 3 in the second state is higher than the maximum speed Vm13 of the measurement stage 3 in the first state.

終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持された後、制御装置8は、基板Pの液浸露光を開始する。 After the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2, the controller 8 starts the liquid immersion exposure for the substrate P. 制御装置8は、基板保持部12に保持されている基板Pに対するアライメント処理を開始する。 The controller 8 starts the alignment process for the substrate P held by the substrate holder 12. 制御装置8は、基板ステージ2をXY方向に移動し、第2アライメントシステム52の検出領域に、基板P上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のアライメントマークを順次配置する。 The controller 8 moves the substrate stage 2 in the XY directions, the detection region of the second alignment system 52, sequentially disposing a plurality of alignment marks are provided so as to correspond to each shot region on the substrate P. そして、制御装置8は、レーザ干渉計7Bを含む干渉計システム7を用いて、基板ステージ2の位置情報を計測しつつ、第2アライメントシステム52を用いて、基板P上の複数のアライメントマークを、液体LQを介さずに順次検出する。 Then, the control unit 8, using the interferometer system 7 including a laser interferometer 7B, while measuring the position information of the substrate stage 2, by using the second alignment system 52, a plurality of alignment marks on the substrate P It is sequentially detected not through the liquid LQ. これにより、制御装置8は、干渉計システム7によって規定される座標系内での基板P上のアライメントマークの位置情報を求めることができる。 Thus, the control unit 8 can obtain the positional information of the alignment marks on the substrate P in the coordinate system defined by the interferometer system 7.

また、所定のタイミングで、基板保持部12に保持されている基板Pの表面の位置情報が、フォーカス・レベリング検出システムによって検出される。 Further, at a predetermined timing, the position information of the surface of the substrate P held by the substrate holding section 12 is detected by the focus leveling detection system.

そして、制御装置8は、基板Pの表面の位置情報及び基板Pのアライメントマークの位置情報に基づいて、基板ステージ2上の基板Pの位置を制御し、基板P上の複数のショット領域に対する液浸露光を実行する。 Then, the control unit 8, based on the position information of the alignment mark position information and the substrate P on the surface of the substrate P, to control the position of the substrate P on the substrate stage 2, the liquid to a plurality of shot areas on the substrate P to perform the immersion exposure. 制御装置8は、基板P上のショット領域を露光するために、照明系ILより露光光ELを射出する。 Control device 8, in order to expose the shot areas on the substrate P, and emits the exposure light EL from the illumination system IL. 照明系ILより射出された露光光ELは、マスクMを照明する。 The exposure light EL emitted from the illumination system IL illuminates the mask M. マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して、基板Pに照射される。 Exposure light EL through the mask M travels through the liquid LQ of the projection optical system PL and the liquid immersion space LS, is irradiated onto the substrate P. これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。 Thereby, the image of the pattern of the mask M is projected onto the substrate P, the substrate P is exposed with the exposure light EL.

本実施形態の露光装置EX1は、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。 Exposure apparatus EX1 of the present embodiment, while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction, a scanning exposure apparatus for projecting an image of the pattern of the mask M onto the substrate P (so-called scanning stepper). 基板Pの露光時、制御装置8は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、露光光ELの光路(光軸AX)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。 During exposure of the substrate P, the control unit 8 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2, the mask M and the substrate P, a predetermined scanning the XY plane intersects the optical path of the exposure light EL (optical axis AX) It moves in the direction. 本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。 In the present embodiment, the scanning direction of the substrate P (synchronous movement direction) is the Y-axis direction, the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y axis direction. 制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。 The controller 8 is configured to move the substrate P in the Y axis direction with respect to the projection area PR of the projection optical system PL, and in synchronization with the movement of the Y-axis direction of the substrate P, the illumination region IR of the illumination system IL while moving the mask M in the Y-axis direction against irradiates the exposure light EL onto the substrate P via the liquid LQ of the immersion space LS on the projection optical system PL and the substrate P.

なお、制御装置8は、第2アライメントシステム52を用いる基板P上のアライメントマークの計測中、あるいは基板Pの露光中、基板ステージ2と計測ステージ3とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ2と計測ステージ3とをXY方向に同期移動させることができる。 The control device 8, in the measurement of the alignment mark on the substrate P using the second alignment system 52, or during exposure of the substrate P, in a state of being close to or in contact with the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the substrate stage and 2 and the measurement stage 3 can be moved synchronously in the XY direction.

基板Pの液浸露光が終了した後、制御装置8は、基板ステージ2を第1位置PJ1に配置した状態で、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接触させる。 After the immersion exposure of the substrate P is completed, the control device 8, in the state in which the substrate stage 2 in the first position PJ1, contacting the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3. すなわち、制御装置8は、第1状態の基板ステージ2の上面13に、第2状態の計測ステージ3の上面15を接触させるために、第3位置PJ3から、上面13と上面15とが接触する位置まで、第2状態の計測ステージ3を第5速度V5で移動する。 That is, the control unit 8, the upper surface 13 of the substrate stage 2 in the first state, to contact the upper surface 15 of the measurement stage 3 in the second state, from the third position PJ3, contact between the upper surface 13 and the upper surface 15 position to move the measurement stage 3 in the second state at a fifth speed V5. これにより、図9に示すように、第1状態の基板ステージ2の上面13と、第2状態の計測ステージ3の上面15とが接触する。 Thus, as shown in FIG. 9, the upper surface 13 of the substrate stage 2 in the first state, and the upper surface 15 of the measurement stage 3 of the second state in contact.

本実施形態においては、第5速度V5は、最高速度Vm23を含む。 In the present embodiment, the fifth speed V5 includes the maximum speed Vm23. これにより、計測ステージ3の上面15と基板ステージ2の上面13とを素早く接触させることができる。 Thus, it is possible to quickly contact with the upper surface 13 of the upper surface 15 and the substrate stage 2 of the measurement stage 3.

また、本実施形態においては、制御装置8は、上面15と上面13とが接触する直前に、計測ステージ3の移動速度を、第5速度V5から、第5速度V5より低い第6速度V6へ変化させる。 In the present embodiment, the control device 8, just prior to contact with the upper surface 15 and upper surface 13, the movement speed of the measurement stage 3, the fifth speed V5, the lower than the fifth speed V5 sixth speed V6 changing. すなわち、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持せず且つ、基板ステージ2と接触していない状態から、基板ステージ2と接触する状態へ変化する直前に、計測ステージ3の移動速度を低くする。 That is, immediately before the controller 8, which changes and without retaining the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, from a state not in contact with the substrate stage 2, to a state in contact with the substrate stage 2 , the lower the moving speed of the measurement stage 3.

次に、制御装置8は、基板ステージ2の上面13から計測ステージ3の上面15へ液浸空間LSを移動するために、スクラムスイープ動作を実行する。 Next, the control unit 8, in order to move the liquid immersion space LS from the upper surface 13 of the substrate stage 2 to the upper surface 15 of the measuring stage 3 performs a scrum sweep operation. 制御装置8は、基板ステージ2の上面13と計測ステージ3の上面15とを接触させた状態で、基板ステージ2と計測ステージ3とを、−Y方向へ同期移動する。 Control device 8, in a state of being contact between the upper surface 13 of the substrate stage 2 and the upper surface 15 of the measurement stage 3, the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is moved synchronously in the -Y direction.

これにより、図9に示したように、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持されている状態から、図10に示すように、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2及び計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態を経て、図11に示すように、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態へ変化する。 Thus, as shown in FIG. 9, a state in which the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2, as shown in FIG. 10, the last optical element 9 and via the state in which the liquid LQ is held between the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2 and the measurement stage 3, as shown in FIG. 11, between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 the liquid LQ is changed to the state held in. すなわち、液体LQと計測ステージ3とが接触せず且つ、液体LQと基板ステージ2とが接触している状態から、液体LQと基板ステージ2及び計測ステージ3の両方とが接触している状態を経て、液体LQと基板ステージ2とが接触せず且つ、液体LQと計測ステージ3とが接触する状態へ変化する。 That, and not in contact with the liquid LQ and the measurement stage 3, a state in which the liquid LQ and the substrate stage 2 are in contact, a state where the both of the liquid LQ and the substrate stage 2 and the measurement stage 3 are in contact after it, and without contact between the liquid LQ and the substrate stage 2 is changed to a state in which the liquid LQ and the measurement stage 3 are in contact.

これにより、基板ステージ2は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態から、液体LQを保持しない第2状態へ変化し、計測ステージ3は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持しない第2状態から、液体LQを保持する第1状態へ変化する。 Thus, the substrate stage 2, from a first state to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, changes to a second state that does not hold the liquid LQ, the measurement stage 3, the last optical a second state that does not hold the liquid LQ between the elements 9 and the liquid immersion member 6, changes to the first state to hold the liquid LQ.

基板ステージ2の上面13から計測ステージ3の上面15へ液浸空間LSを移動するためのスクラムスイープ動作時において、制御装置8は、第5速度V5より低い第7速度V7で、基板ステージ2及び計測ステージ3を同期移動する。 In scrum sweep operation for moving from the upper surface 13 of the substrate stage 2 of the liquid immersion space LS to the upper surface 15 of the measurement stage 3, the control unit 8, lower than the fifth speed V5 seventh speed V7, the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is moved synchronization. また、本実施形態においては、第7速度V7は、第6速度V6とほぼ同じ速度である。 In the present embodiment, the seventh speed V7 is approximately the same speed as the sixth speed V6. なお、第7速度V7が、第6速度V6より低くてもよい。 Note that the seventh speed V7 may be lower than the sixth speed V6. なお、第7速度V7が、第5速度V5より低く且つ、第6速度V6より高くてもよい。 Note that the seventh speed V7 is and lower than the fifth speed V5, it may be higher than the sixth speed V6.

第7速度V7は、液体LQと接触する基板ステージ2の上面13及び計測ステージ3の上面15に応じて定められる。 The seventh speed V7 is determined according to the upper surface 15 of the upper surface 13 and the measurement stage 3 of the substrate stage 2 in contact with the liquid LQ. 上述のように、上面13、15の状態は、液体LQとの接触角を含む。 As described above, the state of the top surface 13 and 15 includes a contact angle with a liquid LQ. 制御装置8は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、第7速度V7を設定し、その第7速度V7で基板ステージ2と計測ステージ3とを同期移動する。 Control device 8, the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, so that high moving speed as possible, to set the seventh speed V7, and the measurement stage 3 the substrate stage 2 in the seventh speed V7 bet the move synchronization.

本実施形態において、基板ステージ2の上面13から計測ステージ3の上面15へ液浸空間LSを移動するためのスクラムスイープ動作時において、第7速度V7は、ほぼ一定である。 In the present embodiment, in scrum sweep operation for moving the liquid immersion space LS to the upper surface 15 of the measurement stage 3 from the upper surface 13 of the substrate stage 2, seventh speed V7 is approximately constant. なお、スクラムスイープ動作時において、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V7 と、終端光学素子9及び液浸部材6と基板ステージ2及び計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V7 と、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持されている状態での移動速度V7 とが異なっていてもよい。 At the time of scram sweep operation, the moving speed V7 1 in a state where the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the substrate stage 2, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 the liquid LQ is held between the moving speed V7 2 in a state in which the liquid LQ is held between the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 and the movement speed V7 3 in in that state may be different.

また、本実施形態においては、制御装置8は、計測ステージ3を第1状態から第2状態へ変化させるときの移動速度である第3速度V3と、基板ステージ2を第1状態から第2状態へ変化させるときの移動速度である第7速度V7とを異ならせる。 In the present embodiment, the control unit 8, third and speed V3, the second state of the substrate stage 2 from the first state is the moving speed when changing the measurement stage 3 from the first state to the second state made different from the seventh speed V7 is a moving speed when changing to. 換言すれば、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6との間に保持される液体LQの、計測ステージ3から基板ステージ2への移動と、基板ステージ2から計測ステージ3への移動とで、基板ステージ2及び計測ステージ3の移動速度(同期移動速度)を異ならせる。 In other words, the control unit 8, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the movement of the substrate stage 2 from the measurement stage 3, from the substrate stage 2 to the measurement stage 3 in move, varying the speed of movement of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 (synchronous movement speed). 第3速度V3及び第7速度V7は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、上面13、15の状態に応じて定めることができる。 The third velocity V3 and the seventh speed V7, the outflow of the liquid LQ, as to the extent that the remaining can be suppressed, so long as a high moving speed possible, can be determined according to the state of the upper surface 13, 15.

なお、第3速度V3と、第7速度V7とが同じ速度でもよい。 Incidentally, the third speed V3, and the seventh speed V7 may be the same speed.

スクラムスイープ動作によって、計測ステージ3が終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態へ変化し、基板ステージ2が終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持しない第2状態へ変化した後、制御装置8は、基板ステージ2の移動速度を、第7速度V7から、第7速度V7より高い第8速度V8へ変化させる。 The scrum sweep operation, the measurement stage 3 changes to the first state to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, between the substrate stage 2 of the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 in after changing to a second state that does not hold the liquid LQ, the control device 8, the movement speed of the substrate stage 2, the seventh speed V7, changing to a higher than seventh speed V7 eighth speed V8. 制御装置8は、基板ステージ2が第1状態から第2状態へ変化した直後、その基板ステージ2の移動速度を、第7速度V7から第8速度V8へ高める。 Control device 8, immediately after the substrate stage 2 is changed from the first state to the second state, the movement speed of the substrate stage 2, increasing from the seventh speed V7 to an eighth speed V8.

本実施形態においては、制御装置8は、基板ステージ2と計測ステージ3とを第7速度V7で同期移動して、基板ステージ2を第1状態から第2状態へ変化させ、計測ステージ3を第2状態から第1状態へ変化させた後、基板ステージ2と計測ステージ3とを離し、計測ステージ3を第1状態に維持した状態で、基板ステージ2の加速を開始し、基板ステージ2の移動速度を第8速度V8にする。 In the present embodiment, the control unit 8, the substrate stage 2 and the measurement stage 3 by synchronously moving in the seventh speed V7, alter the substrate stage 2 from a first state to a second state, the measurement stage 3 the after changing from the second state to the first state, releasing the substrate stage 2 and the measurement stage 3, while maintaining the measurement stage 3 in the first state, to start the acceleration of the substrate stage 2, movement of the substrate stage 2 the speed to eighth speed V8.

これにより、計測ステージ3が第1位置PJ1に配置されて、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持される。 Thus, the measurement stage 3 is placed in the first position PJ1, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3. また、基板ステージ2は、露光後の基板Pをアンロードするために、第2位置PJ2へ移動する。 Furthermore, the substrate stage 2, in order to unload the substrate P after the exposure, is moved to the second position PJ2. 第2位置PJ2へ移動するときの基板ステージ2の移動速度である第8速度V8は、最高速度Vm22を含む。 Eighth speed V8 is a speed of movement of the substrate stage 2 when moving to the second position PJ2 includes the maximum speed Vm22.

基板ステージ2が第2位置PJ2に配置され、計測ステージ3が第1位置PJ1に配置されている状態は、計測ステージ3の第1状態であり、基板ステージ2の第2状態である。 While the substrate stage 2 is arranged in the second position PJ2, is measurement stage 3 is disposed in the first position PJ1 is a first state of measurement stage 3, a second state of the substrate stage 2.

第2位置PJ2に移動された基板ステージ2の基板保持部12に保持されている露光後の基板Pは、搬送システム48によって、基板保持部12からアンロードされる。 Exposed substrate P held by the substrate holding portion 12 of the moved substrate stage 2 to the second position PJ2 is by the transport system 48, is unloaded from the substrate holder 12. 基板保持部12からアンロードされた基板Pは、現像処理等、所定の処理を実行される。 Substrate P unloaded from the substrate holder 12, a developing process, etc., is performed a predetermined processing.

露光後の基板Pのアンロードが終了した後、制御装置8は、搬送システム48を用いて、露光前の基板Pを基板ステージ2の基板保持部12にロードする。 After unloading of the substrate P after the exposure is finished, the control unit 8, using the transfer system 48 to load the substrate P before being exposed to the substrate holder 12 of the substrate stage 2. 基板保持部12にロードされた基板Pは、基板保持部12に保持される。 Substrate P loaded on the substrate holder 12 is held by the substrate holder 12. また、基板ステージ2が第2位置PJ2に配置されているとき、第1位置PJ1には計測ステージ3が配置され、終端光学素子9及び液浸部材6と計測ステージ3との間に液体LQが保持される。 Further, when the substrate stage 2 is disposed in the second position PJ2, the first position PJ1 is disposed measurement stage 3, the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the measurement stage 3 It is held. 制御装置8は、必要に応じて、計測ステージ3に搭載されている計測部材S(計測器)の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。 The controller 8, optionally using at least one of the installed measuring member S (meter) the measurement stage 3 performs various measurements. 以下、同様の処理を繰り返す。 Below, the same process is repeated.

以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態の基板ステージ2を移動する場合、例えば液体LQの流出、残留等を抑制するために、その基板ステージ2の第1状態における移動速度(最高速度)Vm12が制限される場合でも、液体LQを保持しない第2状態の基板ステージ2の移動速度を、最高速度Vm12より高くすることで、スループットの向上を図ることができる。 As described above, according to this embodiment, when moving the last optical element 9 and the substrate stage 2 in the first state to hold the liquid LQ between the liquid immersion member 6, for example, outflow of the liquid LQ, residual like in order to suppress, even when the moving speed (the maximum speed) VM 12 in the first state of the substrate stage 2 is restricted, the movement speed of the substrate stage 2 of the second state of not holding the liquid LQ, the maximum speed VM 12 by higher, it is possible to improve the throughput. したがって、デバイスの生産性を向上することができる。 Therefore, it is possible to improve the productivity of devices.

同様に、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態の計測ステージ3を移動する場合、例えば液体LQの流出、残留等を抑制するために、その計測ステージ3の第1状態における移動速度(最高速度)Vm13が制限される場合でも、液体LQを保持しない第2状態の計測ステージ3の移動速度を、最高速度Vm13より高くすることで、スループットの向上を図ることができる。 Similarly, when moving a first state of measurement stage 3 for holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, for example, outflow of the liquid LQ, in order to suppress residual like, the measurement stage even if the moving speed in the first state of 3 (maximum speed) VM13 is limited, the movement speed of the measurement stage 3 of the second state of not holding the liquid LQ, is made higher than the maximum speed VM13, the improvement in throughput it is possible to achieve. したがって、デバイスの生産性を向上することができる。 Therefore, it is possible to improve the productivity of devices.

なお、本実施形態においては、基板ステージ2(又は計測ステージ3)の第2状態での移動速度を、第1状態での移動速度より高める場合を例にして説明したが、第2状態での移動速度の少なくとも一部が、第1状態での移動速度より低くてもよい。 In the present embodiment, the moving speed in the second state of the substrate stage 2 (or measurement stage 3), although the case of increasing than the moving speed in the first state described as an example, in the second state at least a portion of the moving speed may be lower than the moving speed in the first state.

<第2実施形態> <Second Embodiment>
次に、第2実施形態について説明する。 Next, a second embodiment will be described. 以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 In the following description, the same reference numerals for the embodiment identical or similar to those of the aforementioned, simplified or omitted.

第2実施形態においては、露光装置EX2が、例えば米国特許第6341007号明細書、米国特許第6400441号明細書、米国特許第6549269号明細書、米国特許第6590634号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、基板Pを保持して移動可能な複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置である場合を例にして説明する。 In the second embodiment, the exposure apparatus EX2, for example U.S. Pat. No. 6,341,007, U.S. Patent No. 6,400,441, U.S. Pat. No. 6,549,269, U.S. Pat. No. 6,590,634, U.S. Pat. No. 6,208,407 herein, such as disclosed in U.S. Patent No. 6262796 Pat etc., will be described as an example when a twin-stage type exposure apparatus equipped with a plurality of substrate stage which is movable while holding the substrate P .

図13は、露光装置EX2を模式的に示す平面図である。 Figure 13 is a plan view schematically showing an exposure apparatus EX2. 図13において、露光装置EX2は、基板Pの露光処理を実行する露光ステーションST1と、基板Pの露光に関する所定の計測処理及び基板交換処理を実行する計測ステーションST2とを備えている。 13, the exposure apparatus EX2 includes an exposure station ST1 to perform exposure processing of the substrate P, and the measurement station ST2 to perform predetermined measurement process and the substrate replacement process in relation to the exposure of the substrate P.

詳細な図示は省略するが、露光ステーションST1には、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1、マスクMを露光光ELで照明する照明系IL、及び露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PL等が配置されている。 Detailed illustration is omitted, the exposure station ST1, the illumination system IL, and the mask M illuminated with the exposure light EL to illuminate the mask stage 1 is movable while holding a mask M, a mask M with the exposure light EL projection optical system PL or the like is arranged for projecting the pattern image of the substrate P. 本実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子9の射出面10と対向する第1位置PJ1は、露光ステーションST1に配置されている。 In the present embodiment, the first position PJ1 facing the exit surface 10 of the last optical element 9 of the projection optical system PL is arranged in the exposure station ST1. また、上述の第1実施形態と同様、終端光学素子9の近傍には、射出面10から射出される露光光ELの光路を液体LQで満たすように液浸空間LSを形成可能な液浸部材6が配置されている。 Further, similarly to the first embodiment described above, in the vicinity of the last optical element 9, capable of forming liquid immersion member immersion space LS so as to satisfy the optical path of the exposure light EL that emerges from the emergent surface 10 in the liquid LQ 6 is disposed. なお、液浸部材6として、例えば米国特許出願公開第2004/0165159号明細書等に開示されているようなシール部材を用いることができる。 Incidentally, as the immersion member 6, it can be used a sealing member as disclosed for example in US Patent Application Publication No. 2004/0165159 Pat like.

計測ステーションST2には、基板Pの位置情報(X軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報)を取得するためのアライメントシステム、及び基板Pの表面の位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム等、基板Pの露光に関する計測処理を実行可能な各種計測システムが配置されている。 The measurement station ST2, the position information of the substrate P (X-axis, Y-axis, and θZ positional information related to the direction) alignment system for acquiring, and position information of the surface of the substrate P (Z-axis, .theta.X, and θY directions such detectable focus leveling detection system, the various measurement system capable of performing the measurement process in relation to the exposure of the substrate P is disposed position information) about the. 基板交換処理が実行される第2位置(基板交換位置)PJ2は、計測ステーションST2に配置されている。 Second position (substrate exchange position) PJ2 to the substrate replacement process is executed is placed in the measurement station ST2.

また、露光装置EX2は、基板Pを保持して移動可能な第1基板ステージ61と、第1基板ステージ61と独立して、基板Pを保持して移動可能な第2基板ステージ62とを備えている。 The exposure apparatus EX2 includes a first substrate stage 61 which is movable while holding a substrate P, independently of the first substrate stage 61 and a second substrate stage 62 which is movable while holding a substrate P ing. 第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれは、基板Pを保持しながら、露光ステーションST1と計測ステーションST2との間を移動可能である。 Each of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, while holding the substrate P, it is movable between the exposure station ST1 and the measurement station ST2.

また、第1基板ステージ61は、基板Pをリリース可能に保持する第1基板保持部61Hを有する。 The first substrate stage 61 has a first substrate holding portion 61H for holding the substrate P releasably. 第1基板保持部61Hは、基板Pの露光面(表面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。 The first substrate holder 61H, like exposure surface of the substrate P (the surface) and the XY plane is substantially parallel to hold the substrate P. 第1基板ステージ61は、第1基板保持部61Hの周囲に配置された上面63を有する。 The first substrate stage 61 has a top surface 63 disposed around the first substrate holding portion 61H. 上面63は、XY平面とほぼ平行である。 Top 63 is substantially parallel to the XY plane. 本実施形態においては、第1基板保持部61Hに保持された基板Pの表面と上面63とがほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In this embodiment, the surface and the upper surface 63 of the substrate P held on the first substrate holding portion 61H is (are substantially flush), which is arranged substantially in the same plane.

また、第2基板ステージ62は、基板Pをリリース可能に保持する第2基板保持部62Hを有する。 Further, the second substrate stage 62 includes a second substrate holding portion 62H for holding the substrate P releasably. 第2基板保持部62Hは、基板Pの露光面(表面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。 Second substrate holder 62H, like exposure surface of the substrate P (the surface) and the XY plane is substantially parallel to hold the substrate P. 第2基板ステージ62は、第2基板保持部62Hの周囲に配置された上面64を有する。 The second substrate stage 62 has a top surface 64 disposed around the second substrate holder 62H. 上面64は、XY平面とほぼ平行である。 Top 64 is substantially parallel to the XY plane. 本実施形態においては、第2基板保持部62Hに保持された基板Pの表面と上面64とがほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。 In this embodiment, the surface and the upper surface 64 of the substrate P held by the second substrate holder 62H is (are substantially flush), which is arranged substantially in the same plane.

また、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれは、基板Pを保持しながら、射出面10と対向する第1位置PJ1を含むXY平面(ガイド面)の所定領域内を移動可能である。 Further, each of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, while holding the substrate P, movable within a predetermined area of ​​the XY plane including the first position PJ1 facing the exit surface 10 (the guide surface) is there. 第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれは、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持可能である。 Each of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 can hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6.

上述の第1実施形態と同様、露光装置EX2は、マスクステージ1を移動可能な第1駆動システム4を備えている。 Similarly to the first embodiment described above, the exposure apparatus EX2 includes a first driving system 4 capable of moving the mask stage 1. また、露光装置EX2は、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれを移動可能な第2駆動システム65を備えている。 The exposure apparatus EX2 includes a second driving system 65 which can move each of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62.

図13に示すように、第2駆動システム65は、X軸リニアモータ73、74、76、77、及びY軸リニアモータ75、78を含む。 As shown in FIG. 13, the second driving system 65 includes an X-axis linear motors 73,74,76,77, and Y-axis linear motors 75 and 78. X軸リニアモータ73は、コイルユニットを含むX軸ガイド部材66、及びX軸ガイド部材66に対してX軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材83を含む。 X-axis linear motor 73 includes an X-axis guide member 66 slide member 83 comprising a magnet unit movable, and the X-axis direction with respect to the X axis guide member 66 includes a coil unit. X軸リニアモータ74は、コイルユニットを含むX軸ガイド部材67、及びX軸ガイド部材67に対してX軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材84を含む。 X-axis linear motor 74 includes an X-axis guide member 67 slide member 84 which includes a movable magnet unit in the X-axis direction and the X axis guide member 67 includes a coil unit. X軸リニアモータ76は、コイルユニットを含むX軸ガイド部材68、及びX軸ガイド部材68に対してX軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材86を含む。 X-axis linear motor 76 includes an X-axis guide member 68 slide member 86 comprising a magnet unit which can be moved in the X-axis direction and the X axis guide member 68 includes a coil unit. X軸リニアモータ77は、コイルユニットを含むX軸ガイド部材69、及びX軸ガイド部材69に対してX軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材87を含む。 X-axis linear motor 77 includes an X-axis guide member 69 slide member 87 which includes a movable magnet unit in the X-axis direction and the X axis guide member 69 includes a coil unit. Y軸リニアモータ75は、コイルユニットを含むY軸ガイド部材71、及びY軸ガイド部材71に対してY軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材85を含む。 Y-axis linear motors 75 includes a Y-axis guide member 71 slide member 85 comprising a magnet unit movable, and the Y-axis direction with respect to Y axis guide member 71 includes a coil unit. Y軸リニアモータ78は、コイルユニットを含むY軸ガイド部材72、及びY軸ガイド部材72に対してY軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材88を含む。 Y-axis linear motors 78 includes a Y-axis guide member 72 slide member 88 comprising a magnet unit movable, and the Y-axis direction with respect to Y axis guide member 72 includes a coil unit. Y軸ガイド部材71の両端は、スライド部材83、84に接続されている。 Both ends of the Y axis guide member 71 is connected to the slide member 83, 84. Y軸ガイド部材72の両端は、スライド部材86、87に接続されている。 Both ends of the Y axis guide member 72 is connected to the slide member 86 and 87.

第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれは、例えば米国特許出願公開第2001/0004105号明細書に開示されているような継手を介して、スライド部材85、88にリリース可能に接続される。 Each of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, for example, US Patent via a joint as disclosed in Pat. Application Publication No. 2001/0004105, releasably connected to the slide member 85, 88 that.

リニアモータ73、74、75は、スライド部材85に接続された第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62の少なくとも一方を、露光ステーションST1において移動する。 Linear motors 73, 74, 75 is, at least one of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 connected to the slide member 85 moves in the exposure station ST1. リニアモータ76、77、78は、スライド部材88に接続された第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62の少なくとも一方を、計測ステーションST2において移動する。 Linear motors 76, 77 and 78 is at least one of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 connected to the slide member 88 moves in the measurement station ST2. 例えば、継手を介してスライド部材85に接続された第1基板ステージ61は、リニアモータ73、74、75の作動により、露光ステーションST1内を移動可能である。 For example, the first substrate stage 61 connected to the slide member 85 via a joint, by the operation of the linear motor 73, 74, 75, it is movable in the exposure station ST1. また、継手を介してスライド部材85に接続された第2基板ステージ62は、リニアモータ73、74、75の作動により、露光ステーションST1内を移動可能である。 Further, the second substrate stage 62 connected to the slide member 85 via a joint, by the operation of the linear motor 73, 74, 75, it is movable in the exposure station ST1. また、継手を介してスライド部材88に接続された第1基板ステージ61は、リニアモータ76、77、78の作動により、計測ステーションST2内を移動可能である。 Also, the first substrate stage 61 connected to the slide member 88 via a joint, by the operation of the linear motor 76, 77 and 78, it is movable in the measuring station ST2. また、継手を介してスライド部材88に接続された第2基板ステージ62は、リニアモータ76、77、78の作動により、計測ステーションST2内を移動可能である。 Further, the second substrate stage 62 connected to the slide member 88 via a joint, by the operation of the linear motor 76, 77 and 78, it is movable in the measuring station ST2.

本実施形態において、スライド部材85には、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62がリリース可能に順次接続され、スライド部材88には、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62がリリース可能に順次接続される。 In this embodiment, the slide member 85, the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 is successively connected releasably, to the slide member 88, the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 can be released It is sequentially connected to. また、制御装置8は、所定のタイミングで、スライド部材85と第1基板ステージ61(又は第2基板ステージ62)との接続の解除、及びスライド部材88と第2基板ステージ62(又は第1基板ステージ61)との接続の解除と、スライド部材88と第2基板ステージ62(又は第1基板ステージ61)との接続、及びスライド部材85と第1基板ステージ61(又は第2基板ステージ62)との接続とを実行する。 Further, the control device 8 at a predetermined timing, releases the connection between the slide member 85 and the first substrate stage 61 (or the second substrate stage 62), and the slide member 88 and the second substrate stage 62 (or the first substrate and releasing the connection between the stage 61), the connection between the slide member 88 and the second substrate stage 62 (or the first substrate stage 61), and a slide member 85 and the first substrate stage 61 (or the second substrate stage 62) to run and of connection. すなわち、制御装置8は、所定のタイミングで、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とに対するスライド部材85とスライド部材88との交換動作を実行する。 That is, the control device 8 at a predetermined timing, executes the exchange operation of the slide member 85 and the slide member 88 relative to the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62. 以下の説明において、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とに対するスライド部材85とスライド部材88との交換動作を適宜、スイッチング動作、と称する。 In the following description, appropriately exchanging operation of the slide member 85 and the slide member 88 relative to the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, the switching operation, referred to as.

次に、上述の構成を有する露光装置EX2の動作の一例について、図14〜図19の模式図を参照して説明する。 Next, an example of operation of the exposure apparatus EX2 having the above-described configuration, will be described with reference to the schematic diagram of FIGS. 14 to 19.

図14に示すように、露光ステーションST1に、基板Pを保持した第1基板ステージ61が配置され、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する。 As shown in FIG. 14, the exposure station ST1, the first substrate stage 61 which holds the substrate P is arranged to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6. なお、図14において、露光ステーションST1に配置されている第1基板ステージ61に保持されている基板Pは、露光ステーションST1に配置される前に、計測ステーションST2における所定の計測処理を終了している。 In FIG. 14, the substrate P held by the first substrate stage 61 which is arranged in the exposure station ST1, before being placed in the exposure station ST1, and finishes the predetermined measurement process in the measurement station ST2 there. 制御装置8は、露光ステーションST1において、第1基板ステージ61に保持されている基板Pの液浸露光を実行する。 Control device 8, in the exposure station ST1, performing the liquid immersion exposure for the substrate P held by the first substrate stage 61.

第1基板ステージ61が露光ステーションST1に配置されているとき、計測ステーションST2には第2基板ステージ62が配置される。 When the first substrate stage 61 is disposed in the exposure station ST1, the measurement station ST2 is disposed second substrate stage 62. 制御装置8は、第2基板ステージ62を第2位置PJ2に移動して、次に露光されるべき露光前の基板Pを第2基板ステージ62にロードする。 Control device 8, the second substrate stage 62 moves to the second position PJ2, then loads the substrate P before the exposure to be exposed to the second substrate stage 62. また、制御装置8は、計測ステーションST2において、第2基板ステージ62に保持された基板Pに関する計測処理を実行する。 Further, the control unit 8, in the measurement station ST2, executes the measurement process to a substrate P held on the second substrate stage 62.

図14に示すように、第1基板ステージ61が露光ステーションST1の第1位置PJ1に配置され、第2基板ステージ62が計測ステーションST2に配置されている状態は、第1基板ステージ61の第1状態であり、第2基板ステージ62の第2状態である。 As shown in FIG. 14, when the first substrate stage 61 is disposed in a first position PJ1 exposure station ST1, the second substrate stage 62 is disposed in the measurement station ST2, the first of the first substrate stage 61 a state, a second state of the second substrate stage 62.

第1基板ステージ61の第1状態における移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm161以下に定められる。 Travel speed in the first state of the first substrate stage 61, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, the outflow of the liquid LQ, the following maximum speed Vm161 residual is inhibited It is determined. 第1基板ステージ61の第1状態における移動速度(最高速度)Vm161は、上面63の状態に応じて定められる。 Moving speed (maximum speed) Vm161 in the first state of the first substrate stage 61 is determined in accordance with the state of the top surface 63. 上面63の状態は、第1基板ステージ61に保持されている基板Pの表面の状態を含む。 State of the top surface 63 includes a state of the surface of the substrate P held by the first substrate stage 61. 最高速度Vm161は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm161 the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, it is preferable as high as possible.

一方、第2基板ステージ62の第2状態における移動速度(最高速度)Vm262は、例えば第2駆動システム65の駆動能力等に応じて定められる。 On the other hand, the moving speed (the maximum speed) Vm262 in a second state of the second substrate stage 62 is determined according to, for example, driving capability, etc. of the second drive system 65. 最高速度Vm262は、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm262, it is desirable as high as possible.

計測ステーションST2における計測が終了し、露光ステーションST1における露光が終了した後、制御装置8は、第2基板ステージ62に保持されている基板Pの液浸露光を開始するために、第2基板ステージ62を計測ステーションST2から露光ステーションST1へ移動する動作を開始する。 Measurement is finished at the measuring station ST2, after exposure in the exposure station ST1 is completed, the control unit 8, in order to start liquid immersion exposure of the substrate P held by the second substrate stage 62, the second substrate stage 62 starts an operation of moving from the measurement station ST2 to the exposure station ST1. 本実施形態においては、図15に示すように、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6と第1基板ステージ61との間に液体LQを保持した状態で、第2駆動システム65を用いて、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62のそれぞれを、露光ステーションST1と計測ステーションST2との間の中間領域ST3に移動する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 15, the control unit 8, while retaining the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the first substrate stage 61, the second driving system 65 with, the respective first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 is moved to the intermediate region ST3 between the exposure station ST1 and the measurement station ST2. 本実施形態においては、中間領域ST3において、第1基板ステージ61は、第2基板ステージ62の−Y側に配置される。 In the present embodiment, in the intermediate region ST3, the first substrate stage 61 is disposed on the -Y side of the second substrate stage 62.

第1基板ステージ61が、露光ステーションST1から中間領域ST3へ移動するときの移動速度は、最高速度Vm161以下である。 The first substrate stage 61, the moving speed when moving from the exposure station ST1 to the middle region ST3 is less than the maximum speed Vm161.

また、第2基板ステージ62が、計測ステーションST2から中間領域ST3へ移動するときの移動速度は、第1速度V1である。 Further, the second substrate stage 62, the moving speed when moving from the measurement station ST2 to the middle region ST3 is the first speed V1. 第1速度V1は、最高速度Vm262を含む。 The first speed V1 includes the maximum speed Vm262.

制御装置8は、中間領域ST3において、第1状態の第1基板ステージ61の上面63と、第2状態の第2基板ステージ62の上面64とを接触させる。 Control device 8, in the intermediate region ST3, the upper surface 63 of the first substrate stage 61 in the first state, is contacted with the upper surface 64 of the second substrate stage 62 in the second state. 本実施形態においては、制御装置8は、上面63と上面64とが接触する直前に、第2基板ステージ62の移動速度を、第1速度V1から、第1速度V1より低い第2速度V2へ変化させる。 In the present embodiment, the control device 8, just prior to contact with the upper surface 63 and upper surface 64, the moving speed of the second substrate stage 62, the first speed V1, the lower than the first speed V1 second speed V2 changing.

次に、制御装置8は、第1基板ステージ61の上面63から第2基板ステージ62の上面64へ液浸空間LSを移動するために、スクラムスイープ動作を実行する。 Next, the control unit 8, in order from the upper surface 63 of the first substrate stage 61 to move the liquid immersion space LS to the upper surface 64 of the second substrate stage 62, to perform the scrum sweep operation. 本実施形態において、スクラムスイープ動作は、第1基板ステージ61の上面63と第2基板ステージ62の上面64とで液体LQの液浸空間LSを移動するために、第1基板ステージ61の上面63と第2基板ステージ62の上面64とを接近又は接触させた状態で、第1基板ステージ61の上面63及び第2基板ステージ62の上面64の少なくとも一方と終端光学素子9の下面10及び液浸部材6の下面16とを対向させつつ、終端光学素子9及び液浸部材6に対して、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とをXY方向に同期移動させる動作を含む。 In the present embodiment, scrum sweep operation is to move the liquid immersion space LS of the liquid LQ between the upper surface 63 of the first substrate stage 61 and the upper surface 64 of the second substrate stage 62, the upper surface 63 of the first substrate stage 61 When in a state where the upper surface 64 is brought close to or in contact of the second substrate stage 62, at least one of the lower surface 10 and the immersion of the last optical element 9 of the upper surface 64 of the upper surface 63 and the second substrate stage 62 of the first substrate stage 61 while opposed to the lower surface 16 of the member 6 for the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 includes an act of moving synchronously with the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 in the XY direction.

本実施形態においては、制御装置8は、第1基板ステージ61の上面63と第2基板ステージ62の上面64とを接触させた状態で、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とを、−Y方向へ同期移動する。 In the present embodiment, the control device 8, in a state where the upper surface 63 of the first substrate stage 61 is brought into contact with the upper surface 64 of the second substrate stage 62, the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, synchronously moved in the -Y direction.

これにより、図15に示したように、終端光学素子9及び液浸部材6と第1基板ステージ62との間に液体LQが保持されている状態から、終端光学素子9及び液浸部材6と第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62との間に液体LQが保持されている状態を経て、図16に示すように、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQが保持される状態へ変化する。 Thus, as shown in FIG. 15, from the state in which the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the first substrate stage 62, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 via the state in which the liquid LQ is held between the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62, as shown in FIG. 16, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62 the liquid LQ is changed to a state of being held between.

これにより、第1基板ステージ61は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持する第1状態から、液体LQを保持しない第2状態へ変化し、第2基板ステージ62は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持しない第2状態から、液体LQを保持する第1状態へ変化する。 Thus, the first substrate stage 61 from the first state to hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, changes to a second state that does not hold the liquid LQ, the second substrate stage 62 from the second state of not holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 is changed to the first state to hold the liquid LQ.

第1基板ステージ61の上面63から第2基板ステージ62の上面64へ液浸空間LSを移動するためのスクラムスイープ動作時において、制御装置8は、第1速度V1より低い第3速度V3で、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62を同期移動する。 In scrum sweep operation for the upper surface 63 of the first substrate stage 61 to move the liquid immersion space LS to the upper surface 64 of the second substrate stage 62, the control unit 8, lower than the first speed V1 third speed V3, a first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 moves synchronously.

第3速度V3は、液体LQと接触する第1基板ステージ61の上面63及び第2基板ステージ62の上面64に応じて定められる。 The third speed V3 is determined depending on the top surface 64 of the upper surface 63 and the second substrate stage 62 of the first substrate stage 61 in contact with the liquid LQ. 上面63、64の状態は、液体LQとの接触角を含む。 State of the top surface 63 and 64 includes a contact angle with a liquid LQ. 制御装置8は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、第3速度V3を設定し、その第3速度V3で第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とを同期移動する。 Control device 8, the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, so long as a high moving speed possible, set the third speed V3, the first substrate stage 61 at the third speed V3 first a second substrate stage 62 moves synchronously.

次に、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQを保持した状態で、スイッチング動作を実行する。 Next, the control unit 8, while retaining the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62, to perform the switching operation. 図17に示すように、制御装置8は、スライド部材85と第1基板ステージ61との接続の解除、及びスライド部材88と第2基板ステージ62との接続の解除を実行する。 As shown in FIG. 17, the control device 8, the release of the connection between the slide member 85 and the first substrate stage 61, and executes a release of the connection between the slide member 88 and the second substrate stage 62. その後、図18に示すように、制御装置8は、第1基板ステージ61とスライド部材88とが対向し、第2基板ステージ62とスライド部材88とが対向するように、スライド部材85、88を移動する。 Thereafter, as shown in FIG. 18, the controller 8 includes a first substrate stage 61 and the slide member 88 is opposed, so that the second substrate stage 62 and the slide member 88 is opposed, the slide member 85, 88 Moving. そして、制御装置8は、スライド部材88と第2基板ステージ62との接続、及びスライド部材85と第1基板ステージ61との接続を実行する。 Then, the control unit 8, the connection between the slide member 88 and the second substrate stage 62, and executes the connection with the slide member 85 and the first substrate stage 61.

制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQを保持した状態で、第2基板ステージ62を露光ステーションST1へ移動し、第1基板ステージ61を計測ステーションST2へ移動する。 Control device 8, while retaining the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62, to move the second substrate stage 62 to the exposure station ST1, the first substrate stage 61 the move to the measuring station ST2.

第1状態における第2基板ステージ62の移動速度は、終端光学素子9及び液浸部材6との間で液体LQを保持したときに、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm162以下に定められる。 The moving speed of the second substrate stage 62 in the first state, when holding the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6, the outflow of the liquid LQ, the following maximum speed Vm162 residual is inhibited It is determined. 第2基板ステージ62の第1状態における移動速度(最高速度)Vm162は、上面64の状態に応じて定められる。 Moving speed (maximum speed) VM 162 in the first state of the second substrate stage 62 is determined in accordance with the state of the top surface 64. 上面64の状態は、第2基板ステージ62に保持されている基板Pの表面の状態を含む。 State of the top surface 64 includes a state of the surface of the substrate P held by the second substrate stage 62. 最高速度Vm162は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm162 the outflow of the liquid LQ, to the extent that the remaining can be suppressed, it is preferable as high as possible.

また、制御装置8は、第1基板ステージ61の移動速度を、第3速度V3から、第3速度V3より高い第4速度V4へ変化させて、その第1基板ステージ61を計測ステーションST2へ移動する。 The movement, the control device 8, the moving speed of the first substrate stage 61, a third speed V3, is varied high to fourth speed V4 than the third speed V3, the first substrate stage 61 thereof to the measuring station ST2 to. 制御装置8は、第1基板ステージ61が第1状態から第2状態へ変化した直後、その第1基板ステージ61の移動速度を、第3速度V3から第4速度V4へ高める。 Control device 8, immediately after the first substrate stage 61 is changed from the first state to the second state, the movement speed of the first substrate stage 61, increase from the third speed V3 to the fourth speed V4. 制御装置8は、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とを第3速度V3で同期移動して、第1基板ステージ61を第1状態から第2状態へ変化させ、第2基板ステージ62を第2状態から第1状態へ変化させた後、第1基板ステージ61と第2基板ステージ62とを離し、第2基板ステージ62を第1状態に維持した状態で、第1基板ステージ61の加速を開始し、第1基板ステージ61の移動速度を第4速度V4にして、その第1基板ステージ61を、計測ステーションST2へ移動する。 Control device 8, the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 moves synchronously with the third speed V3, to change the first substrate stage 61 from a first state to a second state, the second substrate stage 62 after the changing from the second state to the first state, the first substrate stage 61 releases the second substrate stage 62, while maintaining the second substrate stage 62 in the first state, the first substrate stage 61 acceleration starts, the moving speed of the first substrate stage 61 and the fourth speed V4, the first substrate stage 61 that moves to the measurement station ST2.

第4速度V4は、第1基板ステージ61の第2状態における最高速度Vm261を含む。 The fourth speed V4 includes the maximum speed Vm261 in a second state of the first substrate stage 61. 第1基板ステージ61の第2状態における移動速度(最高速度)Vm261は、例えば第2駆動システム65の駆動能力等に応じて定められる。 Moving speed (maximum speed) Vm261 in a second state of the first substrate stage 61 is determined according to, for example, driving capability, etc. of the second drive system 65. 最高速度Vm261は、可能な限り高いことが望ましい。 Maximum speed Vm261, it is desirable as high as possible.

これにより、図19に示すように、第2基板ステージ62が第1位置PJ1に配置されて、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQが保持される。 Thus, as shown in FIG. 19, the second substrate stage 62 is disposed in a first position PJ1, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62 . また、第1基板ステージ61は、計測ステーションST2に配置される。 The first substrate stage 61 is disposed in the measurement station ST2.

第2基板ステージ62が第1位置PJ1に配置され、第1基板ステージ61が計測ステーションST2に配置されている状態は、第2基板ステージ62の第1状態であり、第1基板ステージ61の第2状態である。 The second substrate stage 62 is disposed in a first position PJ1, when the first substrate stage 61 is disposed in the measurement station ST2 is a first state of the second substrate stage 62, the first substrate stage 61 first it is a two-state.

制御装置8は、第2基板ステージ62に保持された基板Pを露光するために、その基板Pを第1位置PJ1へ移動し、その基板Pの液浸露光を実行する。 Control device 8, in order to expose the substrate P held on the second substrate stage 62, to move the substrate P to the first position PJ1, performing immersion exposure of the substrate P. 露光ステーションST1においては、第2基板ステージ62上の基板Pの液浸露光が実行され、計測ステーションST2においては、第1基板ステージ61に対する基板交換処理、及び基板Pを保持した第1基板ステージ61の計測処理等が行われる。 In the exposure station ST1, the liquid immersion exposure for the substrate P on the second substrate stage 62 is executed, in the measurement station ST2, the first substrate stage and held substrate exchange process for the first substrate stage 61 and the substrate P 61 of the measurement process or the like is performed.

本実施形態において、第1基板ステージ61の第2状態における最高速度Vm261は、第1状態における最高速度Vm161より高い。 In the present embodiment, the maximum speed Vm261 in a second state of the first substrate stage 61 is higher than the maximum velocity Vm161 in the first state. また、第2基板ステージ62の第2状態における最高速度Vm262は、第1状態における最高速度Vm162より高い。 The maximum speed Vm262 in a second state of the second substrate stage 62 is higher than the maximum velocity Vm162 in the first state.

以下、同様の処理が繰り返される。 The same process is repeated. すなわち、第2基板ステージ62上の基板Pの液浸露光が終了した後、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQを保持した状態で、中間領域ST3に、露光前の基板Pを保持した第1基板ステージ61と、露光後の基板Pを保持した第2基板ステージ62とを配置する。 State, that, after the liquid immersion exposure for the substrate P on the second substrate stage 62 is completed, the control unit 8, and hold the liquid LQ between the final optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62 in the intermediate region ST3, placing the first substrate stage 61 which holds the substrate P before the exposure, and the second substrate stage 62 which holds the substrate P after the exposure. そして、制御装置8は、スクラムスイープ動作を実行して、終端光学素子9及び液浸部材6と第2基板ステージ62との間に液体LQが保持されている状態から、終端光学素子9及び液浸部材6と第1基板ステージ61との間に液体LQが保持されている状態へ変化させる。 Then, the controller 8 executes the scrum sweep operation, from a state in which the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6 and the second substrate stage 62, the last optical element 9 and the liquid and immersion member 6 liquid LQ alters the state of being held between the first substrate stage 61. そして、制御装置8は、スイッチング動作を実行した後、第1基板ステージ61を露光ステーションST1へ移動し、第2基板ステージ62を計測ステーションST2へ移動する。 Then, the control unit 8, after performing the switching operation, the first substrate stage 61 moves to the exposure station ST1, moves the second substrate stage 62 to the measuring station ST2.

また、本実施形態においても、制御装置8は、第1基板ステージ61を第1状態から第2状態へ変化させるときの移動速度と、第2基板ステージ62を第1状態から第2状態へ変化させるときの移動速度とを異ならせることができる。 Also in this embodiment, the control unit 8, the moving speed when changing the first substrate stage 61 from a first state to a second state, changing the second substrate stage 62 from the first state to the second state can be made different from the moving speed at which. すなわち、制御装置8は、終端光学素子9及び液浸部材6との間に保持される液体LQの、第1基板ステージ61から第2基板ステージ62への移動と、第2基板ステージ62から第1基板ステージ61への移動とで、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62の移動速度(同期移動速度)を異ならせることができる。 That is, the control device 8, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the movement and the first substrate stage 61 to the second substrate stage 62, the second substrate stage 62 in a move to first substrate stage 61, it is possible to vary the moving speed of the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 (synchronous movement speed). 制御装置8は、液体LQの流出、残留を抑制できる範囲内で、可能な限り高い移動速度となるように、上面63、64の状態に応じて、第1基板ステージ61及び第2基板ステージ62の移動速度(同期移動速度)を定めることができる。 Control device 8, the outflow of the liquid LQ, in a range capable of suppressing the residual, so that the higher the moving speed as possible, depending on the state of the upper surface 63 and 64, the first substrate stage 61 and the second substrate stage 62 it can be determined the speed of movement (synchronous movement speed).

以上説明したように、本実施形態においても、第1、第2基板ステージ61、62の第2状態における移動速度を、第1状態における移動速度(最高速度)より高くすることで、スループットの向上を図ることができる。 As described above, in the present embodiment, first, the moving speed in the second state of the second substrate stage 61 and 62, is made higher than the moving speed (the maximum speed) in the first state, improvement in throughput it can be achieved.

なお、上述の第1、第2実施形態においては、液浸空間LSが、終端光学素子9及び液浸部材6と、射出面10及び下面16と対向する物体との間に保持される液体LQによって形成される場合を例にして説明したが、液浸部材6を省略することも可能である。 The first described above, in the second embodiment, the liquid immersion space LS, the last optical element 9 and the liquid immersion member 6, the liquid LQ held between the object facing the exit surface 10 and the lower surface 16 It has been described as an example the case where they are formed by, but it is also possible to omit the liquid immersion member 6. この場合、第1状態は、終端光学素子9と、その終端光学素子9の射出面10と対向する物体との間で液体LQを保持する状態である。 In this case, the first state, the last optical element 9 is a state for holding the liquid LQ between the object facing the exit surface 10 of the last optical element 9.

<第3実施形態> <Third Embodiment>
次に、第3実施形態について説明する。 Next, a third embodiment will be described. 以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 In the following description, the same reference numerals for the embodiment identical or similar to those of the aforementioned, simplified or omitted.

上述の第2実施形態の露光装置EX2と同様、第3実施形態の露光装置EX3は、基板Pを保持して移動可能な複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置である。 Similar to the exposure apparatus EX2 of the second embodiment described above, the exposure apparatus EX3 of the third embodiment is a twin stage type exposure apparatus equipped with a plurality of substrate stage which is movable while holding the substrate P.

また、本実施形態の露光装置EX3は、例えば米国特許出願公開第2004/0211920号明細書に開示されているような、終端光学素子9との間に液体LQを保持する空間を形成可能なカバー部材Cを備えている。 The exposure apparatus EX3 of the present embodiment, for example, US as disclosed in Patent Application Publication No. 2004/0211920 Pat, covers capable of forming a space for holding the liquid LQ between the final optical element 9 and a member C. また、本実施形態において、液浸部材6Cは、例えば米国特許出願公開第2004/0165159号明細書、米国特許出願公開第2004/0211920号明細書等に開示されているようなシール部材を含み、カバー部材Cをリリース可能に保持することができる。 Further, in the present embodiment, the liquid immersion member 6C includes for example U.S. Patent Application Publication No. 2004/0165159, a seal member as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2004/0211920 Pat like, it is possible to hold the cover member C releasably. 液浸部材6Cは、第1位置PJ1に配置されるカバー部材Cとの間で液体LQを保持して液浸空間LSを形成可能である。 Immersion member 6C is capable of forming the liquid immersion space LS to hold the liquid LQ between the cover member C disposed in a first position PJ1.

図20は、露光装置EX3を模式的に示す平面図である。 Figure 20 is a plan view schematically showing an exposure apparatus EX3. 図20に示すように、露光装置EX3は、基板Pを保持して移動可能な第1基板ステージ61Cと、第1基板ステージ61Cと独立して、基板Pを保持して移動可能な第2基板ステージ62Cと、第1基板ステージ61C及び第2基板ステージ62Cのそれぞれを移動可能な第2駆動システム65とを備えている。 As shown in FIG. 20, the exposure apparatus EX3 includes a first substrate stage 61C which is movable while holding a substrate P, independently of the first substrate stage 61C, a second substrate which is movable while holding a substrate P It comprises a stage 62C, and a second driving system 65 which can move each of the first substrate stage 61C and the second substrate stage 62C. 本実施形態の第2駆動システム65は、上述の第2実施形態の第2駆動システム65と同様の構成である。 The second drive system 65 of this embodiment has the same configuration as the second driving system 65 of the second embodiment described above. 上述の第2実施形態と同様、本実施形態の第2駆動システム65、第1、第2基板ステージ61C、62Cは、スイッチング動作を実行可能である。 Similar to the second embodiment described above, the second driving system 65 of the present embodiment, first, second substrate stage 61C, 62C is capable of executing a switching operation.

カバー部材Cは、終端光学素子9との間で液体LQを保持可能な部材である。 The cover member C is a member capable of holding the liquid LQ between the final optical element 9. カバー部材Cは、シール部材によって形成される液浸空間LSの大きさ及び形状に応じて形成されている。 The cover member C is formed in accordance with the size and shape of the liquid immersion space LS is formed by a seal member. 本実施形態においては、カバー部材Cは、基板Pとほぼ同じ厚さで、XY平面内において略円形状のプレート状の部材である。 In the present embodiment, the cover member C is approximately the same thickness as the substrate P, is a substantially circular plate-shaped member in the XY plane.

第1基板ステージ61Cは、カバー部材Cをリリース可能に保持する第1カバー部材保持部111を有する。 The first substrate stage 61C includes a first cover member holding portion 111 for holding the cover member C releasably. 第2基板ステージ62Cは、カバー部材Cをリリース可能に保持する第2カバー部材保持部112を有する。 The second substrate stage 62C includes a second cover member holding portion 112 for holding the cover member C releasably.

液浸部材(シール部材)6Cは、その液浸部材6Cの下面と対向する物体(基板P、カバー部材Cを含む)との間にガスベアリングを形成可能である。 The liquid immersion member (seal member) 6C can form the gas bearing between the lower surface facing the object of the liquid immersion member 6C (including substrate P, and a cover member C). 液浸部材6Cの下面と物体の表面との間には、与圧真空型のガスベアリングが形成される。 Between the lower surface and the object surface of the liquid immersion member 6C, pressurizing vacuum type gas bearing is formed. ガスベアリングにより、液浸部材6Cの下面と物体の表面(基板Pの表面、カバー部材Cの表面)とのギャップが維持される。 The gas bearing, the lower surface and the object surface (the front surface of the substrate P, the surface of the cover member C) of the liquid immersion member 6C is a gap to be maintained.

液浸部材6Cは、カバー部材Cをリリース可能に保持する。 Immersion member 6C is releasably holding the cover member C. 液浸部材6Cは、カバー部材Cとの間にガスベアリングを形成することによって生じる吸着作用を利用して、液浸部材6Cの下面とカバー部材Cの上面との間に所定のギャップを維持した状態で、そのカバー部材Cを保持することができる。 Immersion member 6C, using the adsorbing action caused by forming a gas bearing between the cover member C, and maintaining a predetermined gap between the lower surface and the upper surface of the cover member C of the liquid immersion member 6C state, it is possible to hold the cover member C. 液浸部材6Cは、終端光学素子9の射出面10と対向する位置にカバー部材Cが配置されるように、そのカバー部材Cをリリース可能に保持することができる。 Immersion member 6C, as the cover member C at a position facing the exit surface 10 of the last optical element 9 is disposed, it is possible to hold the cover member C releasably. 液浸部材6Cは、第1基板ステージ61C及び第2基板ステージ62Cのそれぞれが第1位置PJ1から離れているときに、射出面10と対向する位置にカバー部材Cが配置されるように、カバー部材Cを保持する。 Immersion member 6C, as each of the first substrate stage 61C and the second substrate stage 62C is when you are away from the first position PJ1, is placed a cover member C at a position facing the exit surface 10, the cover holding the member C.

本実施形態において、露光装置EX3は、カバー部材Cを1つ備えている。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX3 includes one cover member C. したがって、カバー部材Cが第1カバー部材保持部111に保持されているとき、第2カバー部材保持部112はカバー部材Cを保持せず、第2カバー部材保持部112には何も無い状態となる。 Therefore, when the cover member C is held by the first cover member holding portion 111, the second cover member holding unit 112 does not hold the cover member C, and the state nothing second cover member holding portion 112 Become. 同様に、カバー部材Cが第2カバー部材保持部112に保持されているとき、第1カバー部材保持部111はカバー部材Cを保持せず、第1カバー部材保持部111には何も無い状態となる。 Similarly, when the cover member C is held by the second cover member holding unit 112, the first cover member holding portion 111 without holding the cover member C, the first cover member holding portion 111 nothing state to become.

本実施形態においては、カバー部材Cは、第1基板ステージ61Cに保持されている基板Pの露光中に、第1カバー部材保持部111に保持される。 In the present embodiment, the cover member C, during exposure of the substrate P held by the first substrate stage 61C, held in the first cover member holding portion 111. また、カバー部材Cは、第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pの露光中に、第2カバー部材保持部112に保持される。 The cover member C, during exposure of the substrate P held by the second substrate stage 62C, is held in the second cover member holding portion 112.

次に、上述の構成を有する露光装置EX3の動作の一例について、図21〜図25の模式図を参照して説明する。 Next, an example of operation of the exposure apparatus EX3 having the above-described configuration, will be described with reference to the schematic diagram of FIGS. 21 25.

露光ステーションST1において、第1基板ステージ61Cに保持されている基板Pが、第1位置PJ1に配置され、液浸露光される。 In the exposure station ST1, a substrate P held by the first substrate stage 61C is disposed in a first position PJ1, is immersion exposure. 第1基板ステージ61Cに保持されている基板Pの露光中、カバー部材Cは、第1カバー部材保持部111に保持されている。 During exposure of the substrate P held by the first substrate stage 61C, the cover member C is held by the first cover member holding portion 111. 第1基板ステージ61Cの第1状態における移動速度は、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm161以下に定められる。 Travel speed in the first state of the first substrate stage 61C is outflow of the liquid LQ, defined below maximum speed Vm161 residual is suppressed.

第1基板ステージ61C上の基板Pの液浸露光が終了した後、図21に示すように、制御装置8は、第2駆動システム65を用いて、終端光学素子9の射出面10と、第1カバー部材保持部111に保持されているカバー部材Cの上面とが対向するように、第1基板ステージ61CをXY方向に移動する。 After the immersion exposure of the substrate P on the first substrate stage 61C is finished, as shown in FIG. 21, the control unit 8, using the second driving system 65, the exit surface 10 of the last optical element 9, the and the upper surface of the cover member C held by the first cover member holding unit 111 so as to face, to move the first substrate stage 61C in the XY directions. これにより、終端光学素子9の射出面10と第1カバー部材保持部111に保持されているカバー部材Cの上面との間に液体LQが保持される。 Accordingly, the liquid LQ is held between the upper surface of the cover member C and the exit surface 10 of the last optical element 9 is held by the first cover member holding portion 111.

次いで、制御装置8は、第1カバー部材保持部111によるカバー部材Cの保持を解除して、第1カバー部材保持部111からカバー部材Cをリリースするとともに、ガスベアリングの吸着作用を利用して、そのカバー部材Cを液浸部材6Cで保持する。 Then, the controller 8 releases the holding of the cover member C by the first cover member holding section 111, together with the release cover member C from the first cover member holding unit 111, by using the adsorbing action of the gas bearing retains its cover member C with an immersion member 6C. 液浸部材6Cに保持されたカバー部材Cは、射出面10と対向する位置に配置され、終端光学素子9とカバー部材Cとの間に液体LQが保持される。 Cover member C held by the liquid immersion member 6C is disposed at a position facing the exit surface 10, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the cover member C.

露光ステーションST1において、第1基板ステージ61Cに保持されている基板Pの露光処理が実行されている間、計測ステーションST2において、第2基板ステージ62Cに対する基板交換処理、及び第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pに関する計測処理が実行される。 Holding in the exposure station ST1, during the exposure processing of the substrate P held by the first substrate stage 61C is running, in the measurement station ST2, the substrate replacement process according to the second substrate stage 62C, and the second substrate stage 62C measurement process to a substrate P, which is is executed. 計測ステーションST2において、第2基板ステージ62Cは、第2状態である。 In the measuring station ST2, the second substrate stage 62C is a second state. 第2基板ステージ62Cは、最高速度Vm262を含む移動速度で、計測ステーションST2内を移動可能である。 The second substrate stage 62C is a moving velocity including a maximum speed Vm262, it is movable in the measurement station ST2.

制御装置8は、第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pの液浸露光を開始するために、第2基板ステージ62Cを計測ステーションST2から露光ステーションST1へ移動する動作を開始する。 Control device 8, in order to start liquid immersion exposure of the substrate P held by the second substrate stage 62C, starts the operation of moving to the exposure station ST1 and the second substrate stage 62C from the measuring station ST2. 本実施形態においては、制御装置8は、図22に示すように、終端光学素子9と液浸部材6Cに保持されているカバー部材Cとの間に液体LQが保持された状態で、第2駆動システム65を用いて、第1基板ステージ61C及び第2基板ステージ62Cのそれぞれを、中間領域ST3に移動する。 In the present embodiment, the control unit 8, as shown in FIG. 22, in a state in which the liquid LQ is held between the cover member C held by the last optical element 9 and the liquid immersion member 6C, the second using the drive system 65, each of the first substrate stage 61C and the second substrate stage 62C, it moves the intermediate region ST3. 本実施形態においては、中間領域ST3において、第1基板ステージ61Cは、第2基板ステージ62Cの−Y側に配置される。 In the present embodiment, in the intermediate region ST3, the first substrate stage 61C is disposed on the -Y side of the second substrate stage 62C.

カバー部材Cが液浸部材6Cに保持された後、露光ステーションST1から中間領域ST3へ移動するときの第1基板ステージ61Cは、第2状態である。 After the cover member C is held by the liquid immersion member 6C, the first substrate stage 61C when moving from the exposure station ST1 to the middle region ST3 is the second state. 第1基板ステージ61Cの第2状態における移動速度は、最高速度Vm261を含む。 Moving speed in the second state of the first substrate stage 61C includes the maximum speed Vm261. また、計測ステーションST2から中間領域ST3へ移動するときの第2基板ステージ62Cは、第2状態である。 Further, the second substrate stage 62C when moving from the measurement station ST2 to the middle region ST3 is the second state. 第2基板ステージ62Cは、最高速度Vm262を含む移動速度で、計測ステーションST2から中間領域ST3へ移動する。 The second substrate stage 62C is a moving velocity including a maximum speed Vm262, moves from the measurement station ST2 to the middle region ST3.

次に、制御装置8は、スイッチング動作を実行する。 Next, the control unit 8 performs a switching operation. 制御装置8は、スライド部材85と第1基板ステージ61Cとの接続の解除、及びスライド部材88と第2基板ステージ62Cとの接続の解除を実行する。 Control device 8, the release of the connection between the slide member 85 and the first substrate stage 61C, and executes the release of the connection between the slide member 88 and the second substrate stage 62C. そして、制御装置8は、図23に示すように、スライド部材88と第2基板ステージ62Cとの接続、及びスライド部材85と第1基板ステージ61Cとの接続を実行する。 Then, the control unit 8, as shown in FIG. 23, the connection between the slide member 88 and the second substrate stage 62C, and executes the slide member 85 the connection between the first substrate stage 61C.

制御装置8は、第2基板ステージ62Cを露光ステーションST1へ移動し、第1基板ステージ61Cを計測ステーションST2へ移動する。 Control device 8, the second substrate stage 62C moves to the exposure station ST1, moves the first substrate stage 61C to the measurement station ST2. 第2基板ステージ62Cは、最高速度Vm262を含む移動速度で、中間領域ST3から露光ステーションST1へ移動する。 The second substrate stage 62C is a moving velocity including a maximum speed Vm262, moves from the intermediate region ST3 to the exposure station ST1. また、第1基板ステージ61Cの第2状態における移動速度は、最高速度Vm261を含む移動速度で、中間領域ST3から計測ステーションST2へ移動する。 Further, the moving speed in the second state of the first substrate stage 61C is a moving velocity including a maximum speed Vm261, moves from the intermediate region ST3 to measurement station ST2.

図24に示すように、制御装置8は、液浸部材6Cに保持されているカバー部材Cと、第2カバー部材保持部112とが対向するように、第2基板ステージ62Cを移動する。 As shown in FIG. 24, the controller 8 moves the cover member C held by the liquid immersion member 6C, so that the second cover member holding portion 112 is opposed, the second substrate stage 62C. 次いで、制御装置8は、液浸部材6Cに保持されていたカバー部材Cを、その液浸部材6Cからリリースするととともに、第2カバー部材保持部112でカバー部材Cを保持する。 Then, the control unit 8, the cover member C held in the liquid immersion member 6C, with the release from the liquid immersion member 6C, to hold the cover member C in the second cover member holding portion 112.

そして、図25に示すように、カバー部材Cが第2カバー部材保持部112に保持された後、制御装置8は、第2駆動システム65を用いて、終端光学素子9の射出面10と、第2カバー部材保持部112に保持されているカバー部材Cの上面とが対向する状態から、終端光学素子9の射出面10と、第2基板ステージ62Cの上面(又は第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pの表面)とが対向する状態に変化するように、第2基板ステージ62CをXY方向に移動する。 Then, as shown in FIG. 25, after the cover member C is held by the second cover member holding unit 112, the control unit 8, using the second driving system 65, the exit surface 10 of the last optical element 9, holding the state in which the upper surface of the cover member C held by the second cover member holding portion 112 is opposed, the emergent surface 10 of the last optical element 9, the upper surface of the second substrate stage 62C (or second substrate stage 62C surface) and the substrate P, which is the so changes to the state of opposing to move the second substrate stage 62C in the XY directions. これにより、終端光学素子9及び液浸部材6Cと第2基板ステージ62Cの上面(又は第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pの表面)との間に液体LQが保持される。 Accordingly, the liquid LQ is held between the last optical element 9 and the liquid immersion member 6C and the upper surface of the second substrate stage 62C (or the second surface of the substrate P held by the substrate stage 62C). そして、制御装置8は、第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pを第1位置PJ1に移動し、その基板Pの液浸露光を実行する。 Then, the control unit 8, the substrate P held by the second substrate stage 62C moved to the first position PJ1, performing immersion exposure of the substrate P.

カバー部材Cが第2カバー部材保持部112に保持された後、射出面10とカバー部材Cの上面とが対向する状態から、射出面10と第2基板ステージ62Cの上面(基板Pの表面)とが対向する状態に変化することによって、第2基板ステージ62Cは、第2状態から第1状態へ変化する。 After the cover member C is held by the second cover member holding portion 112, from the state where the upper surface of the exit surface 10 and the cover member C is opposed, the emergent surface 10 top surface of the second substrate stage 62C (the surface of the substrate P) taken by changing the state of opposing, second substrate stage 62C is changed from the second state to the first state. 第2基板ステージ62Cの第1状態における移動速度は、液体LQの流出、残留が抑制される最高速度Vm162以下に定められる。 Travel speed in the first state of the second substrate stage 62C is outflow of the liquid LQ, defined below maximum speed Vm162 residual is suppressed.

露光ステーションST1においては、第2基板ステージ62C上の基板Pの液浸露光が行われ、計測ステーションST2においては、第1基板ステージ61Cに対する基板交換処理、及び基板Pを保持した第1基板ステージ61Cの計測処理等が行われる。 In the exposure station ST1, the liquid immersion exposure for the substrate P on the second substrate stage 62C is performed, in the measurement station ST2, the substrate exchange process for the first substrate stage 61C, and the first substrate stage 61C holding the substrate P of the measurement process or the like is performed. 第2基板ステージ62Cに保持されている基板Pの露光中、カバー部材Cは、第2カバー部材保持部112に保持される。 During exposure of the substrate P held by the second substrate stage 62C, the cover member C is held by the second cover member holding portion 112. 計測ステーションST2において、第1基板ステージ61Cは、第2状態である。 In the measuring station ST2, the first substrate stage 61C is a second state. 第1基板ステージ61Cは、最高速度Vm261を含む移動速度で、計測ステーションST2内を移動可能である。 The first substrate stage 61C is a moving velocity including a maximum speed Vm261, it is movable in the measurement station ST2.

以下、同様の処理が繰り返される。 The same process is repeated. すなわち、第2基板ステージ62C上の基板Pの液浸露光が終了した後、制御装置8は、第2カバー部材保持部112からカバー部材Cをリリースするとともに、そのカバー部材Cを液浸部材6Cで保持する。 That is, after the liquid immersion exposure for the substrate P on the second substrate stage 62C is finished, the controller 8 is configured to release the cover member C from the second cover member holding unit 112, the liquid immersion member 6C and the cover member C in holding. 液浸部材6Cに保持されたカバー部材Cは、終端光学素子9との間に液体LQを保持する。 Cover member C held by the liquid immersion member 6C holds the liquid LQ between the final optical element 9. また、露光後の基板Pを保持した第2基板ステージ62Cは、露光ステーションST1から計測ステーションST2へ移動され、基板交換処理等を実行される。 Further, the second substrate stage 62C which holds the substrate P after the exposure is moved from the exposure station ST1 to the measurement station ST2, is performed to the substrate replacement process or the like.

以上説明したように、本実施形態においても、第1、第2基板ステージ61C、62Cの第2状態における移動速度を、第1状態における移動速度(最高速度)より高くすることで、スループットの向上を図ることができる。 As described above, in the present embodiment, first, second substrate stage 61C, the moving speed in the second state of 62C, is made higher than the moving speed (the maximum speed) in the first state, improvement in throughput it can be achieved.

なお、上述の各実施形態において、投影光学系PLは、終端光学素子の射出側(像面側)の光路を液体で満たしているが、米国特許出願公開第2005/0248856号明細書に開示されているように、終端光学素子の入射側(物体面側)の光路も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 In each embodiment described above, the projection optical system PL is an optical path on the exit side of the final optical element (image plane side) are filled with the liquid, it is disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2005/0248856 and as, it is also possible to employ a light path also filled with the liquid projection optical system on the entrance side of the last optical element (object plane side).

なお、上述の実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。 The liquid LQ of the embodiments discussed above is water, it may be a liquid other than water. 液体LQとしては、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材(フォトレジスト)の膜に対して安定なものが好ましい。 The liquid LQ, there is a transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, is preferably stable with respect to the film of the projection optical system, or a photosensitive material for forming the surface of the substrate (photoresist). 例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。 For example, as the liquid LQ, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), Fomblin oil, it is also possible to use cedar oil and the like. また、液体LQとして、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。 Further, as the liquid LQ, the refractive index may be used of about 1.6 to 1.8. 更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で、液体LQと接触する投影光学系PLの光学素子(終端光学素子など)を形成してもよい。 Furthermore, quartz and a higher refractive index than the fluorite (e.g. 1.6 or more) materials, (such as the last optical element) The optical element of the projection optical system PL which is in contact with the liquid LQ may be formed. また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 Further, as the liquid LQ, various fluids, for example, it is also possible to use a supercritical fluid.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the embodiments discussed above, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a glass substrate, an original mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head for a display device (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置としては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus, in addition to the scanning exposure apparatus of step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed in a static state, it can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper).

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。 Further, in the exposure step-and-repeat method, in a state wherein the first pattern and the substrate P are substantially stationary, after a reduced image of a first pattern by using the projection optical system and transferred onto the substrate P, the second pattern almost stationary state, batch exposure apparatus of the second pattern may be a full-field exposure of the substrate P a reduced image first pattern partially superposes the of (stitch method using a projection optical system and the substrate P and ). また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Also, the stitching type exposure apparatus, and transferring at least two patterns are partially overlaid and the substrate P, it is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch type and the substrate P is successively moved.

また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。 Further, for example, as disclosed in U.S. Patent No. 6611316, a pattern of two masks, synthesized on the substrate via a projection optical system, one shot region on the substrate using a single scanning exposure it can be applied to even present invention substantially simultaneously, double exposure to exposure apparatus.

露光装置の種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of exposure apparatus are not limited to exposure apparatuses for semiconductor element manufacture that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD) , micromachines, MEMS, DNA chips, or widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。 Furthermore, in each of the embodiments described above, was to be measured with the position information of each stage using an interferometer system that includes a laser interferometer, not limited to this, for example, the scale provided in each stage (diffraction grating ) may use an encoder system for detecting the. また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いて、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。 Further, by using by switching between the interferometer system and the encoder system or using both of the it may be to control the position of the stage.

また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。 Also, as in the embodiments described above, as a light source device for generating the ArF excimer laser light as exposure light EL, may be used ArF excimer laser, but for example, disclosed in U.S. Patent 7,023,610 Pat, solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or fiber laser, optical amplifier having such fiber amplifiers, and includes such wavelength conversion unit may use a harmonic generator for outputting a pulse light having a wavelength of 193 nm. さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 Furthermore, in the above embodiment, both the illumination area described above, although projection area are rectangular respectively, other shapes, may be, for example, arcuate.

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。 Furthermore, in each of the embodiments described above, a light transmitting type mask is used to form a predetermined light shielding pattern (or a phase pattern or a light attenuation pattern) on a transparent substrate, in place of the mask, for example, U.S. as disclosed in Patent No. 6778257, transmission pattern or reflection pattern based on electronic data of the pattern to be exposed, or variable shaped mask (electronic mask for forming a light-emitting pattern, active mask or an image generator both it may be used referred to). 可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。 Variable shaped mask includes a DMD (Digital Micro-mirror Device) or the like which is a kind of example a non-emission type image display device (spatial light modulator).

また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。 In addition, instead of a variable shaped mask comprising a non-emission type image display device, it may be a pattern forming apparatus that comprises a self-luminous type image display device. この場合、照明系は不要となる。 In this case, the illumination system is not required. ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。 Here, as the self-luminous type image display device, for example, CRT (Cathode Ray Tube), an inorganic EL display, an organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD displays, field emission displays (FED: Field Emission display), plasma displays (PDP: plasma display Panel), and the like.

上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。 In the embodiments described above, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example, it is possible to apply the present invention to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。 Even when thus do not use the projection optical system PL, the exposure light is radiated onto the substrate via an optical member such as a lens, is immersion space in a predetermined space between such an optical member and the substrate It is formed.

また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in WO 2001/035168 pamphlet, by forming on the substrate P interference fringes, an exposure apparatus that exposes a line-and-space pattern on the substrate P (lithography system) also possible to apply the present invention to.

以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application, so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy, assembling It is produced by. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図26に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 26, a step 201 that performs microdevice function and performance design, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate step 203 producing, according to the above embodiment, a substrate processing step 204 that includes exposing a substrate with exposure light by using a pattern of the mask, and a substrate processing including the exposed substrate that develops the (exposure process) , a device assembly step (dicing, bonding, including processed processes such as packaging step) 205, and an inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。 Furthermore, the features of each of the embodiments discussed above can be combined as appropriate. また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Moreover, the are incorporated herein by reference the disclosures of all publications and U.S. patents relating to such cited in the above respective embodiments and modified examples exposure apparatus.

第1実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 Is a schematic diagram showing an example of an exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。 It is a side sectional view showing the vicinity of the liquid immersion member according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。 Is a plan view showing a part of an exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。 Is a plan view showing a part of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the second embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。 Is a plan view showing a part of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining an example of the operation of an exposure apparatus according to the third embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 Is a flowchart showing an example of a process of fabricating a microdevice.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…マスクステージ、2…基板ステージ、3…計測ステージ、5…第2駆動システム、6…液浸部材、8…制御装置、9…終端光学素子、10…射出面、13…上面、15…上面、61…第1基板ステージ、62…第2基板ステージ、63…上面、64…上面、65…第2駆動システム、111…第1カバー部材保持部、112…第2カバー部材保持部、C…カバー部材、EL…露光光、EX1、EX2、EX3…露光装置、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板、PJ1…第1位置、PJ2…第2位置、PL…投影光学系 1 ... mask stage, 2 ... substrate stage, 3 ... measurement stage, 5 ... second driving system, 6 ... liquid immersion member, 8 ... controller 9 ... terminal optical element, 10 ... exit plane, 13 ... upper surface 15 ... top, 61 ... first substrate stage, 62 ... second substrate stage, 63 ... upper surface 64 ... upper surface 65 ... second driving system, 111 ... first cover member holding unit, 112 ... second cover member holding unit, C ... cover member, EL ... exposure light, EX1, EX2, EX3 ... exposure apparatus, LQ ... liquid, LS ... immersion space, P ... substrate, PJ1 ... first position, PJ2 ... second position, PL ... projection optical system

Claims (40)

  1. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、 An exposure apparatus which exposes a substrate with an exposure light through a liquid,
    前記露光光を射出する射出面を有する光学部材と、 An optical member having an exit surface through which the exposure light,
    前記光学部材との間で液体を保持可能で且つ所定領域内を移動可能な第1部材と、 A first member capable of moving and predetermined area capable of retaining the liquid between the optical member,
    前記光学部材との間で液体を保持する第1状態と保持しない第2状態とで移動速度が異なるように前記第1部材の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device and a control device for moving speed controls the movement of differently the first member and the second state of not holding a first state for holding the liquid between the optical member.
  2. 前記第2状態における移動速度は、前記第1状態における移動速度より高い請求項1記載の露光装置。 The moving speed in the second state, the exposure apparatus of the moving speed higher claim 1, wherein in said first state.
  3. 前記第1部材は、前記基板を保持可能である請求項1又は2記載の露光装置。 Said first member, an exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein is capable of holding the substrate.
  4. 前記第1状態は、前記液体を介して前記露光光で前記第1部材上の基板を露光するために前記第1部材が前記光学部材と対向して配置される状態を含む請求項3記載の露光装置。 Said first state, according to claim 3, further comprising a state where the first member is arranged opposite to the optical member in order to expose the substrate on the first member by the exposure light through the liquid exposure apparatus.
  5. 前記光学部材との間で液体を保持可能な第2部材を更に備え、 Further comprising a second member capable of holding the liquid between the optical member,
    前記第2状態は、前記光学部材と前記第2部材との間に液体が保持される状態を含む請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。 The second state, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4 including a state where the liquid is held between the optical member and the second member.
  6. 前記第2部材は、前記所定領域内を移動可能であり、前記光学部材に対する前記第1部材及び前記第2部材の相対移動によって、前記光学部材との間に保持される液体を、前記第1部材及び前記第2部材の一方から他方に移動する請求項5記載の露光装置。 Said second member is movable said predetermined area, by the relative movement of the first member and the second member relative to the optical member, the liquid retained between the optical member, the first member and one exposure apparatus according to claim 5, wherein the moving to the other from the second member.
  7. 前記第1状態は、前記光学部材との間に保持される液体を、前記第1部材及び前記第2部材の一方から他方に移動するために、前記第1部材と前記第2部材とを接近又は接触させた状態を含む請求項6記載の露光装置。 The first state, the liquid to be held between the optical member, in order to move from one to the other of said first member and said second member, closer to said second member and said first member or exposure apparatus of claim 6, further comprising a the contacted state.
  8. 前記光学部材との間に保持される液体の、前記第1部材及び前記第2部材の一方から他方への移動と他方から一方への移動とで、前記第1部材及び前記第2部材の移動速度を異ならせる請求項6又は7記載の露光装置。 Movement of the liquid that is held between the optical member, the first member and with the transfer from one of said second member to one from a mobile and the other to the other, said first member and said second member the exposure apparatus according to claim 6 or 7, wherein varying the speed.
  9. 前記光学部材との間で液体を保持可能で且つ前記所定領域内を移動可能な第2部材を更に備え、 Further comprising a second member movable with possible and the predetermined region holding the liquid between the optical member,
    前記制御装置は、前記第1状態と前記第2状態とで移動速度が異なるように前記第1部材及び前記第2部材の移動を制御する請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。 Said control device, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8, moving speed and said second state and said first state to control the movement of differently the first member and the second member .
  10. 前記第1状態は、前記第1部材及び前記第2部材の少なくとも一方が前記光学部材と対向して配置される状態を含む請求項9記載の露光装置。 The first state is an exposure apparatus according to claim 9, further comprising a state in which at least one of the first member and the second member is disposed opposite to the optical member.
  11. 前記第1状態における移動速度は、前記第2状態における移動速度より低い請求項9又は10記載の露光装置。 The moving velocity in the first state, the exposure apparatus of the moving speed lower claim 9 or 10, wherein in said second state.
  12. 前記制御装置は、前記第1部材及び前記第2部材の少なくとも一方が前記光学部材との間で液体を保持し続けるように、前記第1部材及び前記第2部材の一方を前記第1状態から前記第2状態へ変化させ、他方を前記第2状態から前記第1状態へ変化させる請求項5〜11のいずれか一項記載の露光装置。 The control device such that said at least one of the first member and the second member continues to hold the liquid between the optical member, one of said first member and said second member from said first state the changing to the second state, the exposure apparatus according to any one of claims 5-11 for changing the other from the second state to the first state.
  13. 前記制御装置は、前記光学部材の射出面と対向可能な前記第1部材の上面と前記第2部材の上面とを接近又は接触させた状態で、前記第1部材の上面及び前記第2部材の上面の少なくとも一方と前記光学部材の射出面とを対向させつつ、前記光学部材に対して、前記第1部材と前記第2部材とを同期移動する請求項12記載の露光装置。 Wherein the control device, wherein in a state in which a top surface is brought close to or in contact of the top surface and the second member of the exit surface can face the first member of the optical member, the upper surface and the second member of the first member while facing the exit surface of at least one said optical member of the upper surface, the relative optical member, an exposure apparatus according to claim 12 wherein the synchronously moving the first member and the second member.
  14. 前記第1状態における移動速度は、前記第2状態から前記第1状態へ変化した直後における移動速度を含む請求項5〜13のいずれか一項記載の露光装置。 The moving velocity in the first state, the exposure apparatus according to any one of claims 5 to 13, including a moving speed immediately after changed to the first state from said second state.
  15. 前記第2状態における移動速度は、前記第1状態から前記第2状態へ変化した直後における移動速度を含む請求項5〜14のいずれか一項記載の露光装置。 The moving speed in the second state, the exposure apparatus according to any one of claims 5 to 14, including a moving speed immediately after changed to the second state from the first state.
  16. 前記第1状態における移動速度は、前記光学部材との間で液体を保持したときに、前記液体の流出が抑制される最高速度を含む請求項5〜15のいずれか一項記載の露光装置。 The moving velocity in the first state, when holding the liquid between the optical member, an exposure apparatus according to any one of claims 5-15 comprising a maximum speed of outflow of the liquid is suppressed.
  17. 前記第1状態における移動速度は、前記液体と接触する前記第1部材及び前記第2部材の液体接触面の状態に応じて定められる請求項5〜16のいずれか一項記載の露光装置。 The moving velocity in the first state, the exposure apparatus according to any one of claims 5 to 16 determined according to the state of the liquid contact surface of the first member and the second member in contact with the liquid.
  18. 前記液体接触面の状態は、前記液体との接触角を含む請求項17記載の露光装置。 State of the liquid contact surface, the exposure apparatus according to claim 17 further comprising a contact angle with the liquid.
  19. 前記制御装置は、前記第2状態から前記第1状態へ変化する直前に、移動速度を低くする請求項5〜18のいずれか一項記載の露光装置。 Wherein the controller, immediately before the change from the second state to the first state, the exposure apparatus according to any one of claims 5 to 18 to lower the moving speed.
  20. 前記制御装置は、前記第1状態から前記第2状態へ変化した直後、移動速度を高める請求項5〜19のいずれか一項記載の露光装置。 The control device immediately after the change from the first state to the second state, the exposure apparatus according to any one of claims 5 to 19 to increase the moving speed.
  21. 前記制御装置は、前記第1部材及び前記第2部材の一方を前記第1状態から前記第2状態へ変化させ、他方を前記第2状態から前記第1状態へ変化させた後、前記第1部材と前記第2部材とを離し、その後、前記第2状態の前記一方の部材の加速を開始する請求項20記載の露光装置。 The control device, after the one of the first member and the second member is changed from said first state to said second state, changing the other from the second state to the first state, the first release the said the member second member, then, an exposure apparatus according to claim 20, wherein initiating the acceleration of said one member of said second state.
  22. 前記制御装置は、前記光学部材の射出面と対向可能な前記第1部材の上面と前記第2部材の上面とを接近又は接触させた状態で、前記第1部材の上面及び前記第2部材の上面の少なくとも一方と前記光学部材の射出面とを対向させつつ、前記光学部材に対して、前記第1部材と前記第2部材とを同期移動し、 Wherein the control device, wherein in a state in which a top surface is brought close to or in contact of the top surface and the second member of the exit surface can face the first member of the optical member, the upper surface and the second member of the first member while facing the exit surface of at least one said optical member of the upper surface, with respect to the optical member, synchronously moving the second member and the first member,
    前記第1部材を前記第1状態から前記第2状態へ変化させるときの移動速度と、前記第2部材を前記第1状態から前記第2状態へ変化させるときの移動速度とを異ならせる請求項12記載の露光装置。 Claim made different and the moving speed when varying the first member to the second state from the first state, a moving speed when changing the second member from the first state to the second state 12 An apparatus according.
  23. 前記移動速度は、前記液体と接触する前記第1部材及び前記第2部材の液体接触面の状態に応じて定められる請求項22記載の露光装置。 The moving speed, the exposure apparatus according to claim 22, wherein the determined in accordance with the state of the liquid contact surface of the first member and the second member in contact with the liquid.
  24. 前記液体接触面の状態は、前記液体との接触角を含む請求項23記載の露光装置。 State of the liquid contact surface, the exposure apparatus according to claim 23, further comprising a contact angle with the liquid.
  25. 前記第1部材は、前記第2部材と独立して移動可能である請求項5〜24のいずれか一項記載の露光装置。 Said first member, an exposure apparatus according to any one of claims 5 to 24 is movable independently of the second member.
  26. 前記第1部材は、前記基板を保持し、前記第2部材は、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載する請求項25記載の露光装置。 Wherein the first member is to hold the substrate, said second member, an exposure apparatus according to claim 25, wherein for mounting the possible instrument executes the measurement in relation to the exposure.
  27. 前記第1部材及び前記第2部材のそれぞれは、前記基板を保持する請求項25記載の露光装置。 Wherein each of the first member and the second member, an exposure apparatus according to claim 25, wherein for holding the substrate.
  28. 前記第2部材は、前記第1部材にリリース可能に保持され、前記光学部材との間で液体を保持可能なカバー部材を含む請求項5、9〜12のいずれか一項記載の露光装置。 It said second member, said first member releasably held in the exposure apparatus according to any one of claims 5,9~12 including cover member capable of holding the liquid between the optical member.
  29. 前記光学部材の周囲に配置され、前記第1部材及び前記第2部材の少なくとも一方との間で液体を保持可能な液浸部材を備える請求項1〜28のいずれか一項記載の露光装置。 Disposed around the optical element, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 28 comprising a can immersion member holds the liquid between at least one of said first member and said second member.
  30. 前記液浸部材は、前記射出面から射出される前記露光光の光路に液体を供給する供給口を備える請求項20記載の露光装置。 Said immersion member, an exposure apparatus according to claim 20, further comprising a supply port for supplying the liquid to the optical path of the exposure light emitted from the exit surface.
  31. 前記液浸部材は、前記第1部材上及び前記第2部材上の少なくとも一方の液体を回収可能な回収口を備える請求項29又は30記載の露光装置。 Said immersion member, an exposure apparatus according to claim 29 or 30, wherein comprising a recoverable recovery port at least one of the liquid on the first member and on the second member.
  32. 請求項1〜31のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、 And exposing a substrate using an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 31,
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 A device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, the.
  33. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、 Through liquid there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light,
    前記露光光を射出する射出面を有する光学部材との間で液体を保持する第1状態と保持しない第2状態とで変化するように所定領域内で第1部材を移動することを含み、 Comprises moving the first member in a predetermined region so as to vary the second state of not holding a first state for holding the liquid between the optical member having a exit surface through which the exposure light,
    前記第1状態と前記第2状態とで、前記第1部材の移動速度を異ならせる露光方法。 Wherein in the first state and said second state, an exposure method to vary the speed of movement of the first member.
  34. 前記第1状態における移動速度を、前記第2状態における移動速度より低くする請求項33記載の露光方法。 Wherein the moving speed in the first state, the exposure method of claim 33 wherein the lower than the moving speed in the second state.
  35. 前記第1部材は、前記基板を保持可能である請求項33又は34記載の露光方法。 It said first member, exposure method according to claim 33 or 34, wherein is capable of holding the substrate.
  36. 前記第1状態は、前記液体を介して前記露光光で前記第1部材上の基板を露光するために前記第1部材が前記光学部材と対向して配置される状態を含む請求項35記載の露光方法。 It said first state, according to claim 35, further comprising a state where the first member is arranged opposite to the optical member in order to expose the substrate on the first member by the exposure light through the liquid exposure method.
  37. 前記所定領域内で第2部材を移動することを含み、 Comprises moving the second member in the predetermined region,
    前記第2状態は、前記光学部材と前記第2部材との間に液体が保持される状態を含む請求項33〜36のいずれか一項記載の露光方法。 The second state, the exposure method of any one of claims 33 to 36, including a state where the liquid is held between the second member and the optical member.
  38. 前記第1部材及び前記第2部材の少なくとも一方が前記光学部材との間で液体を保持し続けるように、前記第1部材及び前記第2部材の一方を前記第1状態から前記第2状態へ変化させ、他方を前記第2状態から前記第1状態へ変化させる請求項37記載の露光方法。 So that at least one of the first member and the second member continues to hold the liquid between the optical member, one of said first member and said second member from said first state to said second state varied, exposure method according to claim 37, wherein changing the other from the second state to the first state.
  39. 前記光学部材の射出面と対向可能な前記第1部材の上面と前記第2部材の上面とを接近又は接触させた状態で、前記第1部材の上面及び前記第2部材の上面の少なくとも一方と前記光学部材の射出面とを対向させつつ、前記光学部材に対して、前記第1部材と前記第2部材とを同期移動する請求項38記載の露光方法。 In a state in which a top surface is brought close to or in contact of the top surface and the second member of the exit surface can face the first member of the optical member, at least one of the upper surface of the upper surface and the second member of the first member DOO wherein while facing the exit surface of the optical member with respect to the optical member, an exposure method according to claim 38 wherein the synchronously moving the second member and the first member.
  40. 請求項33〜39のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、 And exposing a substrate using the exposure method of any one of claims 33 to 39,
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 A device manufacturing method comprising the method comprising developing the exposed substrate, the.
JP2008019134A 2008-01-30 2008-01-30 Exposure system, exposure method and device manufacturing method Pending JP2009182110A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008019134A JP2009182110A (en) 2008-01-30 2008-01-30 Exposure system, exposure method and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008019134A JP2009182110A (en) 2008-01-30 2008-01-30 Exposure system, exposure method and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009182110A true JP2009182110A (en) 2009-08-13

Family

ID=41035858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008019134A Pending JP2009182110A (en) 2008-01-30 2008-01-30 Exposure system, exposure method and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009182110A (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211920A1 (en) * 2002-11-12 2004-10-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060023186A1 (en) * 2003-04-11 2006-02-02 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP2006049644A (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Canon Inc Immersion exposure apparatus, control method thereof and method for manufacturing device
JP2006135165A (en) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2007194484A (en) * 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp Liquid immersion exposure method
WO2007135990A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
JP2008124194A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc Liquid-immersion exposure method and liquid-immersion exposure apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211920A1 (en) * 2002-11-12 2004-10-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060023186A1 (en) * 2003-04-11 2006-02-02 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP2006049644A (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Canon Inc Immersion exposure apparatus, control method thereof and method for manufacturing device
JP2006135165A (en) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2007194484A (en) * 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp Liquid immersion exposure method
WO2007135990A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
JP2008124194A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc Liquid-immersion exposure method and liquid-immersion exposure apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2023378B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US9964860B2 (en) Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US9341959B2 (en) Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5245477B2 (en) The liquid immersion member, an immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
JP5804301B2 (en) Exposure apparatus and an exposure method, and device manufacturing method
JP5534169B2 (en) Exposure apparatus and an exposure method, a device manufacturing method, and transfer method
JP5146323B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005119742A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US9229333B2 (en) Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20080316446A1 (en) Stage apparatus and exposure apparatus
JP4572896B2 (en) Manufacturing method for an exposure apparatus and device
KR101563447B1 (en) Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JPWO2010018825A1 (en) Exposure apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
EP3046135B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
CN1950929B (en) Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method
JP5055579B2 (en) Exposure apparatus and an exposure method, and device manufacturing method
US20080239256A1 (en) Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP4968076B2 (en) Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5226750B2 (en) Exposure apparatus and a substrate end seal
US8721803B2 (en) Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US9618854B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8358401B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US20120013871A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007251152A (en) Exposure apparatus, exposure method and method of manufacturing device
JP5273163B2 (en) Exposure apparatus and an exposure method, a device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110318

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120723

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121016