JP2009181674A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつ、ヘッド位置決め精度がよく、ＳＮ比が良好な磁気記録媒体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板上に、２層以上の多層構造を有し、少なくとも１層がＣｏＣｒＰｔ合金およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ、ＣｒＯ₂またはＣｏＯ₂を含むグラニュラー構造を有する磁気記録層を成膜し、前記磁気記録層の記録部に対応する領域にマスクを形成し、前記マスクに覆われていない領域の磁気記録層の一部をエッチングガスによりエッチングして磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成し、凹部に残存する磁気記録層のグラニュラー層を改質ガスにより改質し、前記改質反応を促進させて非記録部を形成し、全面に保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【選択図】 図３

Description

本発明は磁気記録媒体の製造方法に関する。

近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気記録媒体において、隣接トラック間の干渉によりトラック密度の向上が妨げられるという問題が顕在化している。特に記録ヘッド磁界のフリンジ効果による書きにじみの低減は重要な技術課題である。

このような問題に対して、記録トラック間を物理的に分離したディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ媒体）や、記録ビット間を物理的に分離したビットパターンド媒体（ＢＰＭ）が提案されている。ＤＴＲ媒体やＢＰＭは、記録時におけるサイドイレース、再生時におけるサイドリードを低減できるため、トラック密度を高めることが可能となり、高密度磁気記録媒体として有望である。

ＤＴＲ媒体のように、表面に凹凸が形成された媒体を浮上ヘッドで記録再生する際には、ヘッドの浮上性が問題になる。たとえば、ＤＴＲ媒体で隣接トラック間を完全に分離しようとすると、厚さ約１５ｎｍの強磁性体からなる磁気記録層および厚さ約５ｎｍの保護層の計２０ｎｍを除去して溝を形成する。一方、浮上ヘッドの浮上設計量は１０ｎｍ程度であるため、溝を非磁性体で充填し、ＤＴＲ媒体の表面を平滑にすることによってヘッドの浮上性を確保することが考えられていた。しかし、この平滑化工程は困難である。

そこで、平滑な磁気記録層を局所的に変質させてパターン化する方法が提案されている（特許文献１〜４）。特許文献１は磁気記録層の一部をハロゲンと反応させて変質させることによりＢＰＭを製造する方法を開示している。特許文献２は磁気記録層の一部に窒素イオン注入を行って変質させることによりＤＴＲ媒体を製造する方法を開示している。特許文献３は磁性層の一部にＡｇイオンを注入してその部位の保磁力を増大させることによりＤＴＲ媒体を製造する方法を開示している。特許文献４は磁性層の一部にＨｅイオンを照射して磁気特性を変質させることによりパターン化する方法を開示している。これらの方法では、媒体表面に凹凸を形成することなく磁性パターンを形成することができ、ヘッドの浮上性が確保されたＤＴＲ媒体やＢＰＭを提供できる。

しかし、特許文献２や特許文献４のような不活性ガスによる磁性層の変質を利用する方法では、記録トラック間の分離が不十分になる。

特許文献１のようにハロゲンとの反応を用いる方法で製造された媒体は高温多湿環境下での信頼性に改善の余地があることがわかってきた。

特許文献３は磁気記録層に重原子を注入した効果で照射部の磁気特性をよくするものであるが、ヘッド位置決め精度が２０ｎｍ程度であり、仕様値の１０ｎｍ以下を満たさない。磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で媒体表面を観察したところ、サーボパターンの磁気的形状が非常に悪いことがわかった。これは、高エネルギーの重原子イオンが拡散して磁気記録層のダメージを与えているためであると考えられる。
特許第３８８６８０２号公報 特開平５−２０５２５７号公報 特開２００５−２２３１７７号公報 特表２００２−５０１３００号公報

本発明の目的は、記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつ、ヘッド位置決め精度がよく、ＳＮ比が良好な磁気記録媒体を製造できる方法を提供することにある。

本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に、２層以上の多層構造を有し、少なくとも１層がＣｏＣｒＰｔ合金およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ、ＣｒＯ₂またはＣｏＯ₂を含むグラニュラー構造を有する磁気記録層を成膜し、前記磁気記録層の記録部に対応する領域にマスクを形成し、前記マスクに覆われていない領域の磁気記録層の一部をエッチングガスによりエッチングして磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成し、凹部に残存する磁気記録層のグラニュラー層を改質ガスにより改質し、前記改質反応を促進させて非記録部を形成し、全面に保護膜を形成することを特徴とする。

本発明の他の態様に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に、２層以上の多層構造を有し、少なくとも１層がＣｏＣｒＰｔ合金およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ、ＣｒＯ₂またはＣｏＯ₂を含むグラニュラー構造を有する磁気記録層を成膜し、前記磁気記録層の記録部に対応する領域にマスクを形成し、前記マスクに覆われていない領域の磁気記録層の一部をエッチングガスと改質ガスとの混合ガスにより処理し、エッチングにより磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成することと凹部に残存する磁気記録層のグラニュラー層を改質することを行い、前記改質反応を促進させて非記録部を形成し、全面に保護膜を形成することを特徴とする。

本発明の方法によれば、記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつ、ヘッド位置決め精度がよく、ＳＮ比が良好な磁気記録媒体を製造できる。また、磁気記録層を改質ガスで改質して非記録部を形成することにより、非記録部の表面に形成されるＤＬＣ保護膜の膜質を向上させることができ、さらなるＳＮ比の向上につながる。

上記課題を解決するために、磁気記録層の表面に１０ｎｍ以下の凹凸を形成したＤＴＲ媒体およびＢＰＭの製造方法を検討した。現在のＨＤＤ媒体は、信号出力を確保するために磁気記録層の膜厚は１５ｎｍ程度必要なため、１０ｎｍ以下の凹凸を形成した状態では凹部の底に５ｎｍ以上の磁気記録層の一部が残る。この状態では、凹部の底に残った磁気記録層に記録能力があるので、サイドイレース現象、サイドリード現象を抑制することができない。そこで、凹部の底に残った５ｎｍ以上の磁気記録層を磁気的に失活させることにより、記録ヘッドの浮上性を確保しつつサイドイレース現象、サイドリード現象を抑制できるＤＴＲ媒体およびＢＰＭを製造するようにした。

凹部の底に残った５ｎｍ以上の磁気記録層を磁気的に失活させるには、ガスによる改質工程と改質反応促進工程とを用いる。改質反応促進工程はＨ₂Ｏ（水）を用いた処理である。この処理は改質反応を促進するとともに試料表面のクリーニングも兼ねており、従来の方法で製造した場合と比較して、ＤＴＲ媒体またはＢＰＭの表面性を向上することができる。

また、ガスによる改質工程と改質反応促進工程を用いることにより、その表面に形成されるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜の膜質が向上することがわかった。保護膜の膜質向上はヘッドの浮上性を良好にするため、さらなるＳ／Ｎ比向上につながる。

本発明は、記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつ、ヘッド位置決め精度がよく、Ｓ／Ｎ比が良好なＤＴＲ媒体またはＢＰＭの製造できる方法を提案するものである。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

図１に、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体）１の周方向に沿う平面図を示す。図１に示すように、媒体１の周方向に沿って、サーボ領域２と、データ領域３が交互に形成されている。サーボ領域２には、プリアンブル部２１、アドレス部２２、バースト部２３が含まれる。データ領域３には互いに分断されたディスクリートトラック３１が含まれる。

図２に、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体（ＢＰＭ）１の周方向に沿う平面図を示す。図２に示すように、サーボ領域２は図１と同様な構成を有する。データ領域３には互いに分断された記録ビット３２が含まれる。

図３（ａ）〜（ｉ）を参照して、本発明に係るＤＴＲ媒体またはＢＰＭの製造方法を説明する。

図３（ａ）に示すように、ガラス基板５１上に、厚さ１２０ｎｍのＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層（図示せず）、厚さ２０ｎｍのＲｕからなる配向制御下地層（図示せず）、厚さ１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂グラニュラー層／厚さ５ｎｍのＣｏＣｒＰｔトップコート層の２層構造を有する磁気記録層５２、厚さ２０ｎｍのカーボンからなるエッチング保護層５３を順次成膜する。図３には、簡略化のために、軟磁性下地層および配向制御層は図示していない。

図５の斜視図を参照して、磁気記録層の構造をより詳細に説明する。図５に示すように、基板（図示せず）の上にＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層（ＣｏＺｒＮｂ）７１およびＲｕからなる配向制御下地層７２が形成され、その上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂グラニュラー層７３およびＣｏＣｒＰｔトップコート層７４の２層構造を有する磁気記録層５２が形成されている。グラニュラー層７３は６〜８ｎｍのサイズを有するＣｏＣｒＰｔの磁性粒子が１〜２ｎｍの間隔で隔てるようにＳｉＯ₂からなる粒界で囲まれた構造になっている。

図３（ｂ）に示すように、エッチング保護層５３上に、レジスト５４として厚さ１００ｎｍのスピンオングラス（ＳＯＧ）をスピンコートする。このレジスト５４に対向するようにスタンパ６０を配置する。このスタンパ６０には図１または図２に示した磁性パターンと逆転した凹凸を有するパターンが形成されている。

図３（ｃ）に示すように、スタンパ６０を用いてインプリントを行い、スタンパ６０の凹部に対応してレジスト５４の凸部５４ａを形成する。インプリント後、スタンパ６０を除去する。

図３（ｄ）に示すように、パターン化されたレジスト５４の凹部の底に残っているレジスト残渣を除去する。たとえばＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置を用い、プロセスガスとしてＣＦ₄を導入してチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒとし、コイルのＲＦパワーとプラテンのＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、エッチング時間を３０秒とする。

図３（ｅ）に示すように、レジスト５４のパターンをマスクとして、エッチング保護層５３をパターニングする。たとえば、ＩＣＰエッチング装置を用い、プロセスガスとしてＯ₂を導入してチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒとし、コイルのＲＦパワーとプラテンのＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、エッチング時間を３０秒とする。

図３（ｆ）に示すように、エッチング保護層５３のパターンをマスクとして、磁気記録層５２の一部をたとえば１０ｎｍの深さまでエッチングして磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成する。たとえば、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンガンを用い、プロセスガスとしてＡｒを導入し、マイクロ波パワー８００Ｗ、加速電圧５００Ｖで１分間エッチングする。

図３（ｇ）に示すように、凹部に残存する磁気記録層５２のグラニュラー層を改質ガスにより改質して非記録部５５を形成する。改質ガスとしてはＦ₂、Ｃｌ₂、Ｎ₂、Ｏ₂を用いることができる。フッ素（Ｆ）のソースとしてＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₈、ＣＨＦ₃などのフルオロカーボンを用いてもよい。Ｃｌ（塩素）のソースとしてＢＣｌ₃を用いてもよい。

図６を参照して、この改質工程により非記録部５５の磁性失活が起こるメカニズムを説明する。ここでは、改質ガスとしてＦを用いる場合を例として説明する。磁気記録層は図５に示したような構造を有し、たとえばトップコート層７４はＣｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅合金からなり、グラニュラー層７３は（Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀からなる。ＩＣＰエッチング装置やＥＣＲイオンガンによるプラズマプロセスを用いた改質工程において、Ｆ原子は１０００Ｖ程度までの電圧印加によって加速エネルギーが与えられ、磁気記録層へ侵入する。モンテカルロシミュレーションによりイオン遮蔽能力を計算したところ、トップコート層（およびグラニュラー層の磁性粒子）では１０７．４ｅＶ／Åであり、一方グラニュラー層の粒界のＳｉＯ₂では１７．２ｅＶ／Åである。このため、Ｆ原子が侵入できる深度は、トップコート層で１ｎｍ程度であるが、グラニュラー層のＳｉＯ₂粒界で６ｎｍ程度である。よって、図６に示したように媒体表面をＦガスに曝露した場合、トップコート層７４はハードマスクとなりＦ原子の侵入を防ぐが、凹部で露出したグラニュラー層７３では粒界のＳｉＯ₂へＦ原子が侵入し、残存している約５ｎｍの膜厚を貫通して侵入できる。

凹部に残存する磁気記録層５２は、完全に非磁性化する必要はなく、磁気記録できない状態にすればよい。たとえば、非記録部５５は、磁化（Ｍｓ）を持っているが垂直方向の保磁力（Ｈｃ）が１ｋＯｅ以下というような軟磁性状態でもよいし、常磁性（外部磁場がないときには磁化を持たず、磁場を印加するとその方向に弱く磁化する）状態でもよい。

改質ガスによる処理は、ＩＣＰエッチング装置を用いてもよいし、ＥＣＲイオンガンを用いてもよい。ＩＣＰエッチング装置を用いる場合、改質ガスプラズマ中に試料を設置するので磁性を失活させる効果は高いが、基板バイアスによるダメージを発生させる可能性がある。ＥＣＲイオンガンを用いる場合には約２ｋｅＶまで改質ガスイオンを加速して試料に曝露できるため、深さ方向に精度よく改質ガスを注入することができるので好適である。ガスの磁性失活効果は化学反応と、ガス種の侵入性で決まる。ガスの注入深さはプロセス時間ではなく、ガス原子の運動エネルギーに依存し、ＥＣＲイオンガンの場合は加速電圧、ＩＣＰエッチング装置の場合は基板バイアスパワーで決まる。化学反応による磁性失活効果は、反応種濃度に依存するため、プロセス時間で決まる。

図３（ｈ）に示すように、エッチング保護層（カーボン）５３のパターンを除去する。たとえば、酸素ガスを用い、１００ｍＴｏｒｒ、１００Ｗの条件でＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行う。通常、エッチング保護層５３のパターン上に残存するレジスト（ＳＯＧ）もリフトオフされる。ただし、最初にＣＦ₄ガスを用いたＲＩＥにより残存しているＳＯＧを剥離した後、酸素ガスを用いたＲＩＥでカーボンを剥離してもよい。

図３（ｉ）に示すように、Ｈ₂Ｏ（水）を用いた改質反応促進工程を行う。用いる水は、蒸留水（純水）でもよいし、オゾン水や超音波水を用いてもよい。減圧下で媒体を水蒸気に曝してもよい。媒体を水に曝すには、一般的な水洗装置を用いてもよいが、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置やＩＣＰエッチング装置に微量の水を噴射してプラズマ放電を行うことにより生成した水蒸気プラズマを用いてもよい。

図３（ｊ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積法）にカーボンからなる表面保護膜５６を形成する。表面保護膜５６上に潤滑剤を塗布することにより本発明に係る磁気記録媒体を得る。

図４（ａ）〜（ｈ）に、本発明に係るＤＴＲ媒体またはＢＰＭの他の製造方法を示す。この方法では、図４（ｆ）において、エッチングマスクに覆われていない領域（非記録部）の磁気記録層５２の一部をエッチングガス（たとえばＡｒ）と改質ガス（たとえばＦ₂）との混合ガスにより処理してエッチングおよび改質を同時に行い、磁気記録層５２に凹凸を形成するとともに凹部に非記録部５５を形成している。すなわち、図３（ｆ）および（ｇ）の工程を一工程で行っている。

次に、本発明の実施形態において用いられる好適な材料について説明する。

［基板］
基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラスおよび結晶化ガラスが用いられる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが挙げられる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが挙げられる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが挙げられる。基板としては、上述した金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。

［軟磁性下地層］
軟磁性下地層（ＳＵＬ）は、垂直磁磁気記録層を磁化するための単磁極ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。軟磁性下地層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。Ｃｏ合金には８０ａｔ％以上のＣｏが含まれることが好ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示すとともに、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂおよびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。

軟磁性下地層の下に、軟磁性下地層の結晶性の向上または基板との密着性の向上のために、さらに下地層を設けてもよい。こうした下地層の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。軟磁性下地層と記録層との間に、非磁性体からなる中間層を設けてもよい。中間層は、軟磁性下地層と記録層との交換結合相互作用を遮断し、記録層の結晶性を制御する、という２つの作用を有する。中間層の材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。

スパイクノイズ防止のために軟磁性下地層を複数の層に分け、０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させてもよい。また、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持つ硬磁性膜またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させてもよい。交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に磁性膜（たとえばＣｏ）または非磁性膜（たとえばＰｔ）を積層してもよい。

［磁気記録層］
垂直磁気記録層としては、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含む材料を用いることが好ましい。垂直磁気記録層は、必要に応じて、Ｃｒを含んでいてもよい。酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号ノイズ比（ＳＮ比）を得ることができる。このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。

垂直磁気記録層の酸化物含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましく、５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。垂直磁気記録層の酸化物含有量として上記範囲が好ましいのは、垂直磁気記録層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を分離させ、微細化させることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号ノイズ比（ＳＮ比）が得られなくなるため好ましくない。

垂直磁気記録層のＣｒ含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましく、１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ含有量として上記範囲が好ましいのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるためである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。

垂直磁気記録層のＰｔ含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量として上記範囲が好ましいのは、垂直磁性層に必要なＫｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるためである。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性に十分なＫｕが得られないため好ましくない。

垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進し、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。

垂直磁気記録層としては、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ならびにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することもできる。

垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは５ないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置を作製することができる。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。

［保護膜］
保護膜は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。保護膜の材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂を含むものが挙げられる。保護膜の厚さは１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、ｓｐ²結合炭素（グラファイト）とｓｐ³結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ³結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ²結合炭素とｓｐ³結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ³結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護膜として利用されている。ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ³結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。

次に、本発明の実施形態における各工程の好適な製造条件について説明する。

［インプリント］
基板の表面にレジストをスピンコート法で塗布し、スタンパを押し付けることにより、レジストにスタンパのパターンを転写する。レジストとしては、たとえば一般的なノボラック系のフォトレジストや、スピンオングラス（ＳＯＧ）を用いることができる。サーボ情報と記録トラックに対応する凹凸パターンが形成されたスタンパの凹凸面を、基板のレジストに対向させる。このとき、ダイセットの下板にスタンパ、基板、バッファ層を積層し、ダイセットの上板で挟み、たとえば２０００ｂａｒで６０秒間プレスする。インプリントによってレジストに形成されるパターンの凹凸高さはたとえば６０〜７０ｎｍである。この状態で約６０秒間保持することにより、排除すべきレジストを移動させる。また、スタンパにフッ素系の剥離材を塗布することで、スタンパをレジストから良好に剥離することができる。

［残渣除去］
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、レジストの凹部の底に残存している残渣を除去する。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマを生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）が好適であるが、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置を用いてもよい。レジストにＳＯＧを用いた場合には、フッ素ガスＲＩＥを用いる。レジストにノボラック系フォトレジストを用いた場合には、酸素ＲＩＥを用いる。

［磁気記録層エッチング］
残渣を除去した後、レジストパターンをエッチングマスクとして用い、磁気記録層を加工する。磁気記録層の加工には、Ａｒイオンビームを用いたエッチング（Ａｒイオンミリング）が好適であるが、Ｃｌガス、またはＣＯとＮＨ₃の混合ガスを用いたＲＩＥでもよい。ＣＯとＮＨ₃の混合ガスを用いたＲＩＥの場合、エッチングマスクにはＴｉ、Ｔａ、Ｗなどのハードマスクを用いる。ＲＩＥを用いた場合、凸状の磁性パターンの側壁にテーパが付きにくい。いかなる材料でもエッチング可能なＡｒイオンミリングで磁気記録層を加工する場合、たとえば加速電圧を４００Ｖとし、イオン入射角度を３０°から７０°まで変化させてエッチングを行うと、凸状の磁性パターンの側壁にテーパが付きにくい。ＥＣＲイオンガンを用いたミリングにおいては、静止対向型（イオン入射角９０°）でエッチングすると、凸状の磁性パターンの側壁にテーパが付きにくい。

［レジスト剥離］
磁気記録層をエッチングした後、レジストを剥離する。レジストとして一般的なフォトレジストを用いた場合、酸素プラズマ処理を行うことによって容易に剥離することができる。このとき、磁気記録層の表面にあるカーボン保護層も剥離される。レジストとしてＳＯＧを用いた場合、フッ素系ガスを用いたＲＩＥでＳＯＧを剥離する。フッ素系ガスとしてはＣＦ₄やＳＦ₆が好適である。なお、フッ素系ガスが大気中の水と反応してＨＦ、Ｈ₂ＳＯ₄などの酸が生じることがあるため、水洗を行うことが好ましい。

［保護膜形成および後処理］
最後にカーボン保護膜を形成する。カーボン保護膜は、凹凸へのカバレッジをよくするためにＣＶＤで成膜することが望ましいが、スパッタ法または真空蒸着法でもよい。ＣＶＤ法によれば、ｓｐ³結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。カーボン保護膜の膜厚が２ｎｍ未満だとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍを超えると記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。保護膜上に潤滑剤を塗布する。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。

実施例１
図１に示したようなサーボパターン（プリアンブル、アドレス、バースト）と記録トラックの凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて、図３に示した方法で、厚さ１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂グラニュラー層／厚さ５ｎｍのＣｏＣｒＰｔトップコート層の２層構造を有する磁気記録層を加工して、深さ１０ｎｍの凹部を形成した。図３（ｇ）の改質工程では、ＩＣＰエッチング装置を用いてＣＦ₄ガスを導入し、試料をＦガスに曝露した。条件はチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒ、コイルＲＦパワーとプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、曝露時間を１２０秒とした。図３（ｉ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いて純水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＤＴＲ媒体を製造した。

得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが１５個程度であった。

得られたＤＴＲ媒体をドライブへ組み込み、オントラックでＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定したところ、−５．０乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。また、以下のようにして、サイドリードおよびサイドイレースの指標となるフリンジ試験を行った。すなわち、中央トラックに記録を行った後にＢＥＲを測定し、次に隣接トラックに１０万回記録し、中央トラックのＢＥＲを再び測定し、ＢＥＲの低下を調べた。その結果、ＢＥＲ劣化は見られず、良好なフリンジ耐性を示した。

本実施例の方法で製造したＤＴＲ媒体は、ヘッドの浮上性がよく、ヘッド位置決め精度もよく、フリンジ耐性にも優れることがわかった。

比較例１
図３（ｉ）の改質反応促進工程を省略した以外は実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を製造した。得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが３０個程度であった。得られたＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、オントラックでＢＥＲを測定したところ、−５．０乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。フリンジ試験を行ったところ、隣接トラックに５０回記録した時点ではＢＥＲ劣化が見られなかったが、隣接トラックに１０００回記録するとＢＥＲが−３．０乗まで低下した。

改質反応促進工程を実施しない場合、フリンジ耐性以外の特性は良好であるが、フリンジ耐性が悪化することがわかった。これは、Ｆガスによる改質工程だけでは凹部の磁気記録層の磁性を十分に失活できないことが原因である。

次に、図３（ｇ）の改質工程および図３（ｉ）の改質反応促進工程の両方を省略した以外は実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、１０ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験は通過したが、８ｎｍ浮上ヘッドではノイズが発生してグライド試験に不合格であった。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが５０個程度であった。

ドライブへ組み込みオントラックＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定したところ、−４．５乗を得た。フリンジ試験は、隣接記録５０回でＢＥＲが−３．０乗まで低下した。得られたＤＴＲ媒体をドライブへ組み込み、オントラックでＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定したところ、−４．５乗を得た。フリンジ試験を行ったところ、隣接トラックに５０回記録した時点でＢＥＲが−３．０乗まで低下した。

図３（ｇ）の改質工程および図３（ｉ）の改質反応促進工程の両方を省略すると、ＤＴＲ媒体の特性が劣るのは以下のような理由によると考えられる。すなわち、この場合には図８に示すように、凹部の磁気記録層５２の表面にＡｒイオンによって形成されたダメージ層５２ａが残る。このようにダメージ層５２ａが残っていると、その上に形成されるＤＬＣからなる保護膜５６の膜質を劣化させ、さらにその上に塗布される潤滑剤の表面状態を悪化させる。このため、オントラックＢＥＲが低下すると考えられる。また、フリンジ耐性が劣るのは、凹部に残存している磁気記録層５２に記録がなされる磁化が生じるため、サイドイレースおよびサイドリードが抑えられないことによる。

これに対して、実施例１のＤＴＲ媒体では、図７に示すように凹部に非記録部５５を形成する際に、表面のダメージ層も改質されるため、その上に形成されるＤＬＣからなる保護膜５６との密着性を良好にするという効果があり、さらにその上に塗布される潤滑剤の表面状態を良好にする。このため、オントラックＢＥＲも良好である。

比較例２
厚さ３ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂グラニュラー層／厚さ１２ｎｍのＣｏＣｒＰｔトップコート層の２層構造を有する磁気記録層を加工して、深さ１０ｎｍの凹部を形成した以外は実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが１５個程度であった。得られたＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、オントラックでＢＥＲを測定したところ、−４．３乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。フリンジ試験を行ったところ、隣接トラックに５０回記録した時点でＢＥＲが−３．０乗まで低下した。

オントラックＢＥＲが悪いのは磁気記録層の構成が不適切なためである。フリンジ耐性が悪いのは、磁気記録層のグラニュラー層が露出せずにトップコート層が残っているため、改質が不十分なためである。これに対して、本発明の方法では、グラニュラー層が露出しているため改質が十分に行われ、良好な特性が得られる。

実施例２
図３（ｇ）の改質工程で用いるガスをＣｌ₂、Ｎ₂、またはＯ₂に代えた以外は実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。改質工程では、ＩＣＰエッチング装置を用いてＣＦ₄ガスを導入し、試料をＦガスに曝露した。条件はチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒ、コイルＲＦパワーとプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗとした。曝露時間はＣｌガスで最も短く３０秒、Ｎ₂ガスで１６０秒、Ｏ₂ガスで１３０秒とした。図３（ｉ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いて純水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＤＴＲ媒体を製造した。

得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが１５個程度であった。得られたＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、オントラックでＢＥＲを測定したところ、−５．０乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。フリンジ試験を行ったところ、良好なフリンジ耐性を得た。

改質工程で用いるガスをＣｌにした場合、改質反応促進工程で供給された純水と反応してＨＣｌ（塩酸）が生じ、磁性失活がより促進されたものと思われる。Ｎ₂ガスの場合にはＨＮＯ₃（硝酸）、Ｏ₂ガスの場合にはＨ₂Ｏ₂（過酸化水素）が生じていると思われる。

実施例３
図３（ｉ）の改質反応促進工程で用いる薬液をオゾン水または超音波水に代えた以外は実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。改質工程では、ＩＣＰエッチング装置を用いてＣＦ₄ガスを導入し、試料をＦガスに曝露した。条件はチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒ、コイルＲＦパワーとプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗとした。図３（ｉ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いてオゾン水または超音波水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＤＴＲ媒体を製造した。

得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントはゼロであった。得られたＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、オントラックでＢＥＲを測定したところ、−５．０乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。フリンジ試験を行ったところ、良好なフリンジ耐性を得た。

改質反応促進工程で用いる薬液を、基板洗浄で一般的に用いられている洗浄液（オゾン水または超音波水）に代えたことにより、改質反応促進作用とともに試料表面のクリーニングもできたため、表面にパーティクルがなくなったと思われる。

実施例４
図４に示した方法でＤＴＲ媒体を製造した。すなわち、図４（ｆ）の工程で、ＡｒとＣＦ₄との混合ガスを用い、磁気記録層のエッチングと改質を同時に行った。ガスの混合比をＡｒ８０％、ＣＦ₄２０％（流量比でＡｒ２０ｓｃｃｍ、ＣＦ₄５ｓｃｃｍ）とし、ＥＣＲイオンガンを用い加速電圧１０００Ｖで４５秒間処理を行い、凹部の深さが１０ｎｍになるように調整した。図４（ｈ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いて純水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＤＴＲ媒体を製造した。

得られたＤＴＲ媒体についてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが１５個程度であった。得られたＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、オントラックでＢＥＲを測定したところ、−５．０乗を得た。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。フリンジ試験を行ったところ、良好なフリンジ耐性を得た。

また、図４（ｆ）の工程で用いるＡｒとＣＦ₄の混合比を変えて上記と同様の検討を行った。ＣＦ₄単独でもエッチングにより深さ１０ｎｍの凹部を形成することができたが、少なくとも５％程度のＡｒを混合しないとエッチングに時間がかかることが判った。深さ１０ｎｍの凹部を形成するのに現実的なプロセス時間（５分以内）で、凹部のグラニュラー層の磁性を失活させるにはＣＦ₄の混合比は１０〜５０％が好適である。ただし、改質反応促進工程を実施しているため、ガスの混合比に応じて媒体特性が変化することはなかった。エッチング時間を考慮しなければ、ＣＦ₄単独でも同等の特性のＤＴＲ媒体を作製できる。

次に、図４（ｆ）の工程で、ＡｒとＮ₂との混合ガスを用い、磁気記録層のエッチングと改質を同時に行った。ガスの混合比をＡｒ８０％、Ｎ₂２０％（流量比でＡｒ２０ｓｃｃｍ、Ｎ₂５ｓｃｃｍ）とし、ＥＣＲイオンガンを用い加速電圧１０００Ｖで６０秒間処理を行い、凹部の深さが１０ｎｍになるように調整した。図４（ｈ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いて純水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＤＴＲ媒体を製造した。

得られたＤＴＲ媒体の特性は、ＡｒとＣＦ₄の混合ガスを用いて製造されたものと同等であった。ＣＦ₄ガスは環境汚染ガスであるが、Ｎ₂ガスは無害であるため、同等の特性を有するＤＴＲ媒体が得られるのであればＮ₂ガスの方が好ましい。ただし、ＡｒとＮ₂との混合ガスを用いた場合には、ＡｒとＣＦ₄の混合ガスを用いた場合よりも、プロセス時間が長くかかる。

本実施例では、図４（ｆ）の工程において実施例１の製造プロセスの（ｆ）工程と（ｇ）工程を同時に行い、一工程を省略したのにもかかわらず同様の特性を有するＤＴＲ媒体が得られた。量産性を考えてタクト時間を重視するのであればＡｒ＋フッ素系ガス、Ａｒ＋Ｎ₂ガス、Ａｒ＋Ｏ₂ガス、Ａｒ＋Ｃｌ₂ガスのように混合ガスを用いた方がよい。一方、装置構成上、混合ガスの使用が困難であれば、フッ素系ガス、Ｎ₂ガス、Ｏ₂ガス、Ｃｌ₂ガスを単独で用いて図４（ｆ）の工程を行ってもよい。

実施例５
図２に示したようなサーボパターン（プリアンブル、アドレス、バースト）と記録ビットの凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて、図３に示した方法で磁気記録層を加工した。図３（ｇ）の改質工程では、ＩＣＰエッチング装置を用いてＣＦ₄ガスを導入し、試料をＦガスに曝露した。条件はチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒ、コイルＲＦパワーとプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、曝露時間を１２０秒とした。図３（ｉ）の改質反応促進工程では、スピン洗浄機を用いて純水を３分間噴霧した。磁気記録層を加工した後、ＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗付して、ＢＰＭを製造した。

得られたＢＰＭについてグライド試験を行ったところ、８ｎｍ浮上ヘッドによるグライド試験を通過した。媒体表面をＯＳＡ（光学表面検査機）で観察したところ、パーティクルカウントが１５個程度であった。

ＢＰＭは、ＢＥＲを定義できないため、信号振幅強度で評価した。磁気記録層を一方向に着磁した状態でＢＰＭをドライブへ組み込み、再生波形を観察したところ、２００ｍＶの信号振幅強度が得られた。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。

以上説明したように、本発明の方法で製造したＤＴＲ媒体やＢＰＭは、記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつ、ヘッド位置決め精度がよく、Ｓ／Ｎ比が良好で、高温多湿環境下でも安定して使用できる。さらに、ＤＬＣ保護膜の膜質がよくなる結果、ＢＥＲを向上することができる。

ディスクリートトラック媒体を示す平面図。 ビットパターンド媒体を示す平面図。 本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。 本発明の他の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。 本発明のＤＴＲ媒体の磁気記録層の構造を示す斜視図。 改質工程により非記録部の磁性失活が起こるメカニズムを説明する図。 本発明の方法で製造されたＤＴＲ媒体の断面図。 比較例の方法で製造されたＤＴＲ媒体の断面図。

符号の説明

１…磁気記録媒体、２…サーボ領域、２１…プリアンブル部、２２…アドレス部、２３…バースト部、３…データ領域、３１…ディスクリートトラック、３２…記録ビット、５１…ガラス基板、５２…磁気記録層、５３…エッチング保護層、５４…レジスト、５５…非記録部、５６…表面保護膜、６０…スタンパ、７１…軟磁性下地層、７２…配向制御下地層、７３…グラニュラー層、７４…トップコート層。

Claims (4)

1. 基板上に、２層以上の多層構造を有し、少なくとも１層がＣｏＣｒＰｔ合金およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ、ＣｒＯ₂またはＣｏＯ₂を含むグラニュラー構造を有する磁気記録層を成膜し、
   前記磁気記録層の記録部に対応する領域にマスクを形成し、
   前記マスクに覆われていない領域の磁気記録層の一部をエッチングガスによりエッチングして磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成し、
   凹部に残存する磁気記録層のグラニュラー層を改質ガスにより改質し、
   前記改質反応を促進させて非記録部を形成し、
   全面に保護膜を形成する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 基板上に、２層以上の多層構造を有し、少なくとも１層がＣｏＣｒＰｔ合金およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ、ＣｒＯ₂またはＣｏＯ₂を含むグラニュラー構造を有する磁気記録層を成膜し、
   前記磁気記録層の記録部に対応する領域にマスクを形成し、
   前記マスクに覆われていない領域の磁気記録層の一部をエッチングガスと改質ガスとの混合ガスにより処理し、エッチングにより磁気記録層のグラニュラー層を露出させて凹凸を形成することと凹部に残存する磁気記録層のグラニュラー層を改質することを行い、
   前記改質反応を促進させて非記録部を形成し、
   全面に保護膜を形成する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記改質ガスが、Ｆ₂、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₈、ＣＨＦ₃、Ｃｌ₂、Ｎ₂およびＯ₂からなる群より選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記改質反応の促進を、水、オゾン水または超音波水を用いて行うことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。

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