JP2009181662A - 原盤記録装置及び記録方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】対称的なピット形状を持ち且つ再現性良くピットを形成することが可能な原盤記録装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録装置において、前記レジスト膜を無機レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスのレーザーとして出力する手段を具備したたことを特徴とする。
【選択図】 図4
【解決手段】半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録装置において、前記レジスト膜を無機レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスのレーザーとして出力する手段を具備したたことを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
この発明は、光ディスクを製造するために用いられる原盤を製造する原盤記録装置及び記録方法に関するものである。この発明は特に高密度記録媒体としての光ディスクを製造するための原盤の製造する装置に適用して好適である。
従来、光ディスクの原盤は以下の工程で作製されている。まず基盤となるガラス或いはSi円盤に感光型のフォトレジスト材料を均一な膜厚で塗布する。その後デジタル情報を記録するために所望のビーム径を持つレーザーを照射し、情報ピットとなる部分を感光させる。全面が記録された基盤をアルカリ現像液に浸すと感光された部分が溶出し凹形状のピットが形成される。これを光ディスク原盤として用い、以下、スタンパ作製工程、射出成型工程、ディスク製盤工程を経て光ディスクが提供される。
なお、光ディスクは、記録容量で区別すると、CD規格、DVD(デジタル多用途ディスク)規格に分類される。特に、映像および音声(音楽データ)の記録には、DVD規格とDVD規格をさらに発展させたHD DVDおよびBD(ブルーレイディスク)が、記録容量の点で、幅広く使われている。
上記のような方法で作られる光ディスク原盤の最小ピットサイズはフォトレジストを使うがゆえに光源の波長と対物レンズNAに依存する。このためより小さなピットを作って大容量化を目指すためにはより短波長、より高いNAを用いる必要があるが、現行DVD以上の大容量化を図るには波長400nm以下の紫外域レーザーや電子ビームを用いる必要がある。しかしこのような装置は非常に高価になりまた作製マージンも狭く、感光部の微細化に限界が生じるため現実的ではないと考えられている。
近年この光学限界を打破するために感熱型の無機レジスト材料を使ったPTM(Phase Transition Mastering:Ref. ”High resolution Blue Laser Mastering with Inorganic Photo-resist”, Technical Digest of ISOM/ODS2002, p27)が実用化されている。しかしこのPTM技術は記録パワーに対するピット形状マージが狭く、優れた信号特性を有する原盤を再現性良く作製するためには条件出しのための試作が数多く必要となり実用化に際してはなお問題を残している。
原盤の製造装置の技術として特許文献1に上げられるものがある。この文献1の技術では、感熱材料層を形成する工程と、この感熱材料層に対してレーザー光を照射して微細凹凸パターンに応じたパターンの変質部を形成する工程を有する。上記変質部を形成する場合、レーザー光は目的とする微細凹凸パターンに応じて強度変調がなされる。この場合、レーザー光は記録データ信号の周波数よりも高い例えば100MHzの一定の高周波信号を持って変調される。上記変質部は現像により例えば除去され、感熱材料層が微細凹凸パターン化される。
しかしながらこの技術は、低密度記録媒体の製造技術であり、一層の高密度化を得るためにピットの微細化が要望されている。この場合、従来の方法ではピット形状が歪みがちとなり、信号品質が劣化するという課題がある。
特開2001−250279号公報 この発明の目的は、対称的なピット形状を持ち且つ再現性良くピットを形成することが可能な原盤記録装置及び方法を提供するところにある。
上記課題を解決するために、半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録装置において、前記レジスト膜を無機レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスのレーザーとして出力する手段を具備したたことを特徴とする
上記の手段によると、トラック方向に対称的な良質のピット形状を持つ原盤を作製することができる。
以下図面を参照して、この発明の実施の形態を説明する。まずこの発明の概要を説明する。
図4に示す本発明による原盤記録装置では、半導体レーザー照射の熱を利用して光ディスク原盤に情報を記録し、レーザー照射によって情報が記録されるレジスト膜がGe、Sb、Te、Bi、Ga、Inの中から選ばれる1種以上、或いはW、Mo、Ta、Nbの中から選ばれる1種以上から成る酸化物であることを特徴とし、記録時のパルス幅が200ps以上1ns以下の短パルスレーザーを照射して情報を記録することを特徴とする。
再生専用光ディスクの原盤を作製するにあたっては、ガラス基板或いはSi基板上に感熱型の無機レジスト膜を形成する。本発明による原盤記録装置においてはGe、Sb、Te、Bi、Ga、Inの中から選ばれる1種以上、或いはW、Mo、Ta、Nbの中から選ばれる1種以上から成る酸化物を一般的な物理蒸着法(代表的にはRFマグネトロンスパッタ法、DCマグネトロンスパッタ法)で上記基板上に10nm以上200nm以下の膜厚で形成し感熱型のレジスト膜とする。
感熱型のレジスト膜では熱伝導率や熱容量などの熱物性が重要となるため、熱伝導制御のために基板とレジスト膜の間に中間層を挿入してもよい。この場合レジスト膜の熱感度を上げるために低熱伝導率の中間層を挿入するとより効果的である。低熱伝導率の中間層材料としてはSi、各種シリサイド、SiO2、ZnS及びこれらの複合物が挙げられる。中間層の成膜条件や膜厚を変化させることでレジスト膜の熱感度を調整することが可能である。内部応力による基板からの剥離を抑制する観点から中間層膜厚は200nm以下であることが望ましい。このように本発明によるレジスト膜は無機材料からなるトータル膜厚400nm以下の1層或いは2層で構成される。
次に本発明による原盤記録装置における原盤記録方法について説明する。デジタル情報をピットとして記録するために出力数10mW、パルス幅200ps以上1ns以下の短パルスをマルチパルス状にしてレジスト膜にレーザー照射する。
このとき図1に示すように2Tのような短ピットは一つの短パルスで、11Tのような長ピットは複数の短パルスを照射して形成する。2Tは、例えば“1”が2個連続するチャンネルビット長に対応する。より小さなピットを形成して大容量化を図るためには出来るだけ短波長のレーザーと高NAレンズを組み合わせる必要があるが、感熱型レジスト膜を用いれば光学限界を超えた微小ピットを熱的に形成することが出来る。
即ち、図2に示すようにレーザー照射部に対してレジスト膜の転移温度以上に昇温された部分は領域が小さい。このため光学条件(主には波長と対物レンズNA)で決まるビーム径より小さな部分を転移変質させることが出来、ひいては微小ピットの形成に至る。
レジスト膜に記録を終えた後、現行の原盤記録にも用いられているpH12〜pH14程度の一般的なアルカリ現像液で生成品に対する現像を行う。
上記した工程において、上述のレジスト材料のうちGe、Sb、Te、に代表されるカルコゲン系材料を用いた場合、Sb2Te3やBi2Te3など結晶化温度が低い(120℃前後)材料は成膜時に結晶化している。これに記録のためのレーザーを照射するとアモルファス化し未照射部(結晶)のみがアルカリ溶液に対して溶出する。ところがGeTeなど結晶化温度が高い(180℃前後)材料は成膜時にアモルファスとなる。これに記録のためのレーザーを照射すると結晶化し照射部(結晶)のみがアルカリ溶液に対して溶出する。同様にWやMoに代表される遷移金属酸化物を用いた場合も、材料の種類や成膜方法によっても反応が異なる。例えばWO3の場合はビーム照射による変質部がアルカリ溶液に溶出し未照射部は不溶だが、WO2の場合は変質部が不溶で未照射部が溶出する。その他、W酸化物の場合は酸素とアルゴンの混合ガス中で反応性DCスパッタを行った場合と通常のDCスパッタとでアルカリに対する反応が異なる。上述したいずれの材料、成膜方法を用いた場合でも、ビーム照射部と未照射部の対アルカリ可溶性の違いを利用して現像することが出来る。
本発明によるレジスト材料と記録方法を用いて作製した光ディスク原盤のピットを原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:以下AFM)にて観察した。比較のために従来法による原盤と比較したピット形状の模式図は図3に示す。従来型原盤のピット3bはビーム進行方向にマーク端部が伸び非対称となっているのに対して、本発明による原盤のピット3aはビーム進行方向に対称な形となっている。原盤のピット形状は最終形態である光ディスクのピット形状に反映され、その対称性が光ディスクとしての特性を左右する。本発明による原盤記録装置と記録方法を用いれば対称性に優れたピットを持つ原盤を作製することが可能となる。
図4に本発明による原盤記録装置の概略図を示す。本発明による原盤記録装置は短パルス部4a、レーザー光を対物レンズまで引き込むための光学系4b、対物レンズ4c、回転ステージ4d、スピンドルモーター4e、原盤4f、及びこれらを制御するコンピュータ4gで構成される。コンピュータ4gは、短パルス発生出力制御部4h、X軸制御部4i、回転制御部4jなどを制御する。短パルス発生出力制御部4hは、記録情報に応じてレーザー部4aにパルスを与える。X軸制御部4iは、記録位置(記録トラック)に応じて光学系4bの移動位置を制御する。回転制御部4jはスピンドルモーター4eの回転を安定化し、且つ記録情報に応じて回転するように制御している。
本発明による感熱形レジスト膜を成膜したガラス或いはSi基盤は回転ステージに配置される。感熱型レジストはスパッタ装置などで予め基盤に成膜されている。
半導体レーザーの緩和振動を利用して1ns以下の短パルス発生を可能にしたレーザーを出力制御しながら原盤表面に集光させ、コンピュータからの記録すべき情報を200ps以上1ns未満にパルス化してレジストに記録する。このような原盤記録装置及び記録方法で作製した光ディスク原盤のピット形状は図3のピット3aの如く優れた対称性を示す。
[実施例]以下に、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
直径8インチ、厚さ0.7mmのSiウエハ5aにDCマグネトロンスパッタ法でBi2Te3を80nm感熱型レジスト膜5bとして成膜した(図5参照)。Bi2Te3膜は成膜直後に結晶化しており、これに緩和振動によるパルス幅300ps、ピーク電流120mAから成る短パルスを利用して情報を記録した。このとき記録部はアモルファス化した。例えば任意のマーク長nTに対して(n−1)個の短パルスを照射して記録を行う。記録条件は表1に示すとおり。記録後のウエハをpH12.7の無機系アルカリ現像液槽内に120秒浸した後純水で洗浄した。ウエハ表面をAFMにて監察すると記録ピットが凸部として残る未記録部が溶出したネガ型のエッチング挙動を示していることがわかった。
直径8インチ、厚さ0.7mmのSiウエハ5aにDCマグネトロンスパッタ法でBi2Te3を80nm感熱型レジスト膜5bとして成膜した(図5参照)。Bi2Te3膜は成膜直後に結晶化しており、これに緩和振動によるパルス幅300ps、ピーク電流120mAから成る短パルスを利用して情報を記録した。このとき記録部はアモルファス化した。例えば任意のマーク長nTに対して(n−1)個の短パルスを照射して記録を行う。記録条件は表1に示すとおり。記録後のウエハをpH12.7の無機系アルカリ現像液槽内に120秒浸した後純水で洗浄した。ウエハ表面をAFMにて監察すると記録ピットが凸部として残る未記録部が溶出したネガ型のエッチング挙動を示していることがわかった。
エッチング後のウエハ表面に厚さ40nmのニッケルをDCスパッタし、さらに同ウエハを負極としてスルファミン酸ニッケル水溶液に浸して所定の電流電圧をかけニッケルの析出を待った。約1時間後厚さ250μmのニッケル箔が析出しこれを剥離させた。剥離したニッケルスタンパには記録ピットが凹部として転写されていることがAFM観察で確認された。最もマーク長が長い11Tマークの両端を詳細に観察したところ、両端部とも同じ曲率を持った半円形で深さは65nmであった(図3のピット3a参照)。
このように本発明による原盤記録装置及び方法で作製した原盤から得られたスタンパは対称なピット形状を有することがわかった。このスタンパを用いて厚さ0.6mmのPC基板を成型した後、反射層を成膜して0.6mm厚のPCを貼りあわせて1.2mm厚のHD DVD-ROM準拠の光ディスクとした。記録容量にして約30GBを有する同ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは7.6x10-7、PRSNRは28を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
実施例2
実施例1と同様の条件、方法でGeTeを80nm感熱型レジスト膜としてSiウエハに成膜した。成膜後のGeTeはアモルファスで実施例1と同じ記録条件で記録すると、記録部はアモルファス化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、記録部が溶出して凹型のピットが残るポジ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凸型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは5.2x10-7、PRSNRは30を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてGeTeを用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
実施例1と同様の条件、方法でGeTeを80nm感熱型レジスト膜としてSiウエハに成膜した。成膜後のGeTeはアモルファスで実施例1と同じ記録条件で記録すると、記録部はアモルファス化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、記録部が溶出して凹型のピットが残るポジ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凸型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは5.2x10-7、PRSNRは30を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてGeTeを用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
実施例3
ウエハ6a上に実施例1と同様の条件、方法でSi層6bを80nmとWO2層6cを80nmを順次成膜し形成し、感熱型レジスト膜6dをSiウエハ上に設けた(図6)。成膜後のWO2はアモルファスで緩和振動によるパルス幅990ps、ピーク電流105mAから成る短パルスを利用して情報を記録したところ結晶化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、記録部が溶出して凹型のピットが残るポジ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凸型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは1.4x10-6、PRSNRは24を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてSi/WO2を用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
ウエハ6a上に実施例1と同様の条件、方法でSi層6bを80nmとWO2層6cを80nmを順次成膜し形成し、感熱型レジスト膜6dをSiウエハ上に設けた(図6)。成膜後のWO2はアモルファスで緩和振動によるパルス幅990ps、ピーク電流105mAから成る短パルスを利用して情報を記録したところ結晶化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、記録部が溶出して凹型のピットが残るポジ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凸型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは1.4x10-6、PRSNRは24を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてSi/WO2を用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
実施例4
直径8インチ、厚さ0.7mmのSiウエハにDCマグネトロンスパッタ法でSiを70nm、W(タングステン)ターゲットを用いてアルゴンと酸素の混合ガスを用いた反応性DCスパッタ法によりWO2.5を95nm順次成膜した。成膜後のWO2.5は結晶で緩和振動によるパルス幅990ps、ピーク電流105mAから成る短パルスを利用して情報を記録したところアモルファス化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、未記録部が溶出して凸型のピットが残るネガ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凹型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは2.3x10-6、PRSNRは21を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてSi/ WO2.5を用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
直径8インチ、厚さ0.7mmのSiウエハにDCマグネトロンスパッタ法でSiを70nm、W(タングステン)ターゲットを用いてアルゴンと酸素の混合ガスを用いた反応性DCスパッタ法によりWO2.5を95nm順次成膜した。成膜後のWO2.5は結晶で緩和振動によるパルス幅990ps、ピーク電流105mAから成る短パルスを利用して情報を記録したところアモルファス化した。実施例1と同じ条件で現像したところ、未記録部が溶出して凸型のピットが残るネガ型のエッチング挙動を示した。その後も実施例1と同じ条件で、スタンパ作製工程からディスク製盤まで行った。スタンパに転写された凹型ピットをAFMで観察したところ実施例1と同様対照的な形をしたピットが観察された。得られた光ディスクを評価装置ODU-1000にて評価した結果、HD DVDの評価指標であるSbERは2.3x10-6、PRSNRは21を示した。いずれもHD DVD規格であるSbER<5x10-5、PRSNR>15を満たしている。以上のように感熱型レジスト材としてSi/ WO2.5を用いた場合でも本発明による原盤記録装置及び記録方法を使えば波長とNAによる光学限界に依らず記録容量30GBの光ディスクを作製可能なことが明らかになった。
次に原盤に対して情報を記録する場合、緩和振動を利用して、原盤へのビーム照射(情報記録処理)を行なう情報記録系に関してさらに追加説明する。この装置はDVD, HD DVD記録再生装置の一部構成と同じように理解することができる。したがって、記録再生装置の制御方法を一部示しながら説明する。
図7は、原盤記録装置の短パルス発生出力制御部4hの構成を示すブロック図である。光源には上記した短波長のレーザー部4aが用いられる。その出射光の波長は、例えば400nm〜410nmの範囲の紫色波長帯のものである。
レーザー部4aからの出射光は、光学系4bの例えばコリメートレンズにより平行光となり偏光ビームスプリッタ、λ/4板を透過する。そして、対物レンズ4cに入射する。その後、原盤4fのレジスト膜に集光される。
対物レンズ4cはアクチュエータにて上下方向、ディスクラジアル方向に駆動可能であり、サーボドライバによって原盤上のトラックに追従するように制御される。
レーザー部4aは短パルス発生出力制御部4hにより、出射光の光量が制御可能であり、原盤への情報記録時にはレーザー部4aから緩和振動パルスが出射されるように制御される。短パルス発生出力制御部4hはコンピュータ4gによって制御される。原盤への情報記録時の記録パルスについては後に詳しく述べる。
短パルス発生出力制御部4hは、コンピュータ4gから制御信号を受け、ピーク電流値やパルス幅等の記録処理の際に用いられるライトストラテジ情報を格納したライトストラテジ部41と、コンピュータ4gから制御信号を受けるI/F部42を含む。またこの短パルス発生出力制御部4hは、デジタル信号でピーク電流指令値を与えられるピークD/Aコンバータ43と、デジタル信号でイレーズ電流指令値を与えられるイレーズD/Aコンバータ44と、デジタル信号でリード電流指令値を与えられるリードD/Aコンバータ4と、デジタル信号でバイアス電流指令値を与えられるバイアスD/Aコンバータ46を有している。
更に、短パルス発生出力制御部4hは、ピークD/Aコンバータ43からのピーク電流指令値に応じてピーク電流を供給するピーク電流源47と、イレーズD/Aコンバータ44からのイレーズ電流指令値に応じてイレーズ電流を出力するイレーズ電流源48と、リードD/Aコンバータ45からのリード電流指令値に応じてリード電流を出力するリード電流源49と、バイアスピークD/Aコンバータ46からのバイアス電流指令値に応じてバイアス電流を出力するバイアス電流源50を有する。セレクタ51は、各電流源からの各電流を供給されたタイミング信号に応じて一つを選択し後段のレーザー部4aに供給する。
なお、これら各部の構成は、データを送受信するための内部バスBにそれぞれが接続されている。
(緩和振動による記録処理と記録マーク長(感熱記録部)に応じたパルス数)
次に、原盤記録装置において、記録マーク長nTに応じた適切な緩和振動による短パルス数について、以下に図面を用いて説明する。図8は、記録マーク長に応じたパルス数の一例を示す説明図である。図9は、2Tマーク及び3Tマークを形成する場合の各信号の一形態を示すタイミングチャート、図10は、同じく原盤記録装置の4Tマークを形成する場合の一形態を示すタイミングチャートである。
次に、原盤記録装置において、記録マーク長nTに応じた適切な緩和振動による短パルス数について、以下に図面を用いて説明する。図8は、記録マーク長に応じたパルス数の一例を示す説明図である。図9は、2Tマーク及び3Tマークを形成する場合の各信号の一形態を示すタイミングチャート、図10は、同じく原盤記録装置の4Tマークを形成する場合の一形態を示すタイミングチャートである。
図9(B)、図9(E)に示す2Tマークを形成する場合、短パルス発生出力制御部4hから図9(C)に示す一つのパルスをレーザー部4aに供給する。ここでパルス幅WT、ピーク電流IP、バイアス電流IB、イレーズ電流IEが示されている。
この時の記録用パルスの数は、図7のライトストラテジ部41で決定される。図8の説明図に示すように、光ディスクに記録しようとする記録マーク長nT(n:整数、T:チャンネルクロック)に対して、パルス数は、
N(n−1)個(Nは整数)
で表される。
N(n−1)個(Nは整数)
で表される。
マーク長が「2T」の場合、パルス数が「1」個である。しかし、倍速数、材料などの諸条件によっては、2(n−1)=2個、又は3(n−1)=3個、又は4(n−1)=4個が適切な場合もある。
また、図9(B)、図9(E)に示す3Tマークを形成するためには、短パルス発生出力制御部4hから二つのパルスをレーザー部4aに供給する。レーザー部4aから照射されるレーザー光は、図9(D)に示すようにパルス状に非常に急峻なパワーを示しており、緩和振動を持つレーザー光が2回出力される。
マーク長が「3T」の場合、ライトストラテジ部41で決定されるパルス数が「2」個である。しかし、図8に示すように、倍速数、材料などの諸条件によっては、4個、又は6)個、又は8個が適切な場合もある。上記したようなルールに従って記録用のパルス数が決定される。
図10(A)−図10(H)は、ほぼ4Tマーク長(図10(F))を形成するために短パルス発生出力制御部4hから従来の記録パルス(駆動電流)を供給して、レーザー光を発光させ場合(図10(G))と、本発明における急峻な記録パルス(駆動電流)を供給して、緩和振動を伴うレーザー光を発光させた場合(図10(F))を対比させている。
この時のパルスの数は、N=2であって、パルス数は、(4−1)×2=6個の場合を示している。
この波形からわかるように、緩和振動方式は、消費電力について従来方法と比べると、略5分の1という非常に少ないエネルギーによって同等の記録処理が可能となることである。
また、記録マーク長nTに対して、所定の記録変調方式に基づく最短記録マーク長をnminT(nminは整数)とすると、レーザー部4aのレーザー光の波長λと、レーザー光を集光するための対物レンズ4cの開口数NAの関係は、
λ/(4×NA)≦nminT≦λ/(2.5×NA)
であることが好適である。
λ/(4×NA)≦nminT≦λ/(2.5×NA)
であることが好適である。
また光ディスクに設けられるトラックピッチTPが
λ/(2×NA)≦TP≦λ/(1.3×NA)
の条件を満たすことが好適である。すなわち、利用できるビームスポット径に対し十分に高密度化した場合に、より効果を発揮する。
λ/(2×NA)≦TP≦λ/(1.3×NA)
の条件を満たすことが好適である。すなわち、利用できるビームスポット径に対し十分に高密度化した場合に、より効果を発揮する。
(半導体レーザー部4aに用いられる半導体チップ部)
次に、原盤記録装置にて使用される光源の一部である半導体チップ部について説明する。図11に図示されているのは、半導体レーザーの発光体となる半導体チップ部10のみであり、通常はこの半導体チップ部10がヒートシンクとなる金属ブロックに固定され、更に基材およびガラス窓付キャップ等により構成される。
次に、原盤記録装置にて使用される光源の一部である半導体チップ部について説明する。図11に図示されているのは、半導体レーザーの発光体となる半導体チップ部10のみであり、通常はこの半導体チップ部10がヒートシンクとなる金属ブロックに固定され、更に基材およびガラス窓付キャップ等により構成される。
半導体チップ部10は、一例として厚さ(図の面内上下方向)が0.15mm、長さ(図中L)が0.5mm、横幅(図中奥行き方向)が0.2mm程度の微小ブロックである。レーザーチップは、上端電極11および下端電極12をもっており、上端電極11が−(マイナス)電極、下端電極12が+(プラス)電極である。
レーザー光を発光するのは中央の活性層13であり、これを挟んで上下に上側クラッド層14および下側クラッド層15が形成されている。上側クラッド層14は電子が多数存在するn型クラッド層、下側クラッド層15は正孔が多数存在するp型クラッド層である。
下端電極12と上端電極11間に下端電極12から上端電極11に対して順方向に電圧を印可する、すなわち、下端電極12から上端電極11に向かって電流を流すと、活性層13内で励起した多数の正孔と電子が再結合し、その際に失うエネルギーに相当する光を放出することになる。上側クラッド層14および下側クラッド層15の屈折率は活性層13の屈折率に対して低くなるよう材料選択されており(一例として5%低下)、活性層13にて発生した光は上下のクラッド層14、15との境界を反射しながら活性層13内を図中左右に進行する光波となる。
図中左右の端面は鏡面Mとなっており、活性層13はそれ自体で光共振器を形成するものとなる。活性層13内を左右に進行し、かつ左右両端の鏡面にて反射した光波は活性層13内で増幅され、最終的にレーザー光として図の右端(および左端)から放出される。この際、レーザー部4aの共振器長とは図中の左右方向の長さLである。
レーザー部4aは短パルス発生出力制御部4hにより生成される駆動電流によって、出射波形が制御される。短パルス発生出力制御部4hの駆動電流により、原盤の記録に用いる記録パルスを生成する様子を説明する。
図12(A)、および図12(B)が通常の半導体レーザー駆動電流と半導体レーザー出射波形を表し、図12(C、および図12(D)が緩和振動パルスを生成する際の半導体レーザー駆動電流と半導体レーザー出射波形を表す。
駆動電流は、図12(A)および図12(C)に示すバイアス電流Ibiとピーク電流Ipeの2レベルに制御されている。なお、バイアス電流が更に2つのレベル、あるいは、3つのレベルに細分化されて制御される場合もあるがここでは、説明の簡易化のため、バイアス電流Ibiとピーク電流Ipeがそれぞれ1レベルずつの場合を用いて説明する。
通常の記録パルス生成の場合、短パルス発生出力制御部4hは、図12(A)に示すように、レーザー部4aがレーザー発振を開始する閾値電流Ithよりもやや高いレベルに設定されたバイアス電流Ibiをまず生成し、レーザー部4aを駆動する。その後、時刻Aにて、所望のピークパワーを得るためのピーク電流Ipeが印可され、一定時間、ピーク電流Ipeが印可されたのち、時刻Bにて再度、バイアス電流Ibiへと引き下げられる。このときの、レーザー部4aの出射光強度の時間変化を図12(B)に示す。
図12(B)に示すように、バイアス電流Ibiにより駆動されている時刻Aまでは出射光強度は原盤へデータ記録が不可能な極く低いパワーであるが、ピーク電流Ipeが印可されるとともに、記録パワーまで強度が引き上げられ、時刻Bにて駆動電流がバイアス電流Ibiレベルまで引き下げられるまでこのレベルを維持する。時刻B以降は出射光強度は再び低パワーとなる。こうして時刻AからBまでの期間に記録パルスが出射されるようにレーザー部4aは制御されることとなる。
より詳細に出射光強度を観測すると、時刻Aにおいて強度が記録パワーまで引き上げられた際に、定常の記録パワーに安定するまでに、強度が瞬間的に上昇して低下する様子が伺える(図中の破線円部分)。これが、レーザー部4aの緩和振動によるものであり、通常の記録パルス生成においては、この緩和振動がなるべく小さくなるように制御を行なう。
緩和振動とは、このように半導体レーザーにおいて、駆動電流があるレベルから、閾値電流を大きく超える一定のレベルまで急激に上昇した際に生ずる、過渡的な振動現象である。緩和振動は、振動を繰り返す毎に小さくなり、やがて振動は収まる。
本実施形態に係る原盤記録装置においては、この緩和振動を積極的に記録に利用するものである。緩和振動を記録パルスとして用いる場合には、図12(C)に示すように、短パルス発生出力制御部4hはレーザー部4aの閾値電流Ithより低いレベルに設定されたバイアス電流Ibiをまず生成し、レーザー部4aを駆動する。
その後、時刻Aにて、通常の記録パルス生成よりも、早い立ち上がり時間で、急激に駆動電流をピーク電流レベルIpeまで引き上げ、通常の記録パルス生成よりも短い時間ののち、時刻Cにて再度、バイアス電流Ibiへと引き下げられる。このときの、レーザー部4aの出射光強度の時間変化を図12(D)に示す。
図12(D)に示すように、閾値電流Ithより低いバイアス電流Ibiにより駆動されている時刻Aまでは、レーザー部4aはレーザー発振を開始しておらず、無視レベル程度の発光ダイオードとしての光出射がある程度である。その後、時刻Aにて急激な電流印可に伴い、緩和振動が開始され、出射光強度は急激に上昇する。その後、印可電流が再度閾値電流以下に戻される時刻Cまでの間、緩和振動による光出射が持続する。この例の場合、緩和振動の2周期目のパルスが生成されたタイミングで時刻Cに到達し、記録パルス生成が終了している。
このように、緩和振動によるパルスは、通常の記録パルスに比べて、非常に短い時間で出射光強度が上昇し、半導体レーザーの構造によって決まる一定の周期で出射光強度が低下するという特徴を持っている。従って、緩和振動によるパルスを記録パルスに用いることにより、通常の記録パルスでは得られない、短い立ち上がり・立下り時間を持ち、かつ強いピーク強度を持った短パルスを得ることが可能となるのである。
一般的に知られた関係として、共振器長Lと緩和振動周期Tには以下の関係がある。
T=k・{2nL/c}…(1)
ここで、kは定数、nは半導体レーザーの活性層の屈折率、cは光速(3.0×108(m/s))である。従って、共振器長Lと緩和振動周期T、ひいては、緩和振動パルス幅は、比例関係にあることが分かる。
ここで、kは定数、nは半導体レーザーの活性層の屈折率、cは光速(3.0×108(m/s))である。従って、共振器長Lと緩和振動周期T、ひいては、緩和振動パルス幅は、比例関係にあることが分かる。
このことから、緩和振動パルス幅を長くしたい場合は、共振器長Lを長く、緩和振動パルス幅を短くしたい場合には、共振器長Lを短くすればよいことになる。すなわち、緩和振動パルス幅は共振器長Lによって制御可能であると言える。
図13は、共振器長Lが650μmの半導体レーザーによる緩和振動波形の計測結果である。緩和振動パルス幅は半値全幅でおよそ81psであることが分かる。上述の式(1)から、共振器長Lと緩和振動パルス幅は比例関係にあることが判っていることから、半導体レーザーの共振器長Lと得られる緩和振動パルス幅(FWHM)Wrの変換式として以下の関係が得られる。
Wr(ps)=L(μm)/8.0(μm/ps)…(2)
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
4a・・・短パルス発生出力制御部,4b・・・光学系,4c・・・対物レンズ,4d・・・回転ステージ,4e・・・スピンドルモーター,4f・・・原盤,4g・・・コンピュータ,4h・・・短パルス発生出力制御部,4i・・・X軸制御部,4j・・・回転制御部、5a,6a・・・Siウエハ,5b,6d・・・感熱型レジスト膜。
Claims (6)
- 半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録装置において、
前記レジスト膜を無機熱レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスレーザーとして出力する手段を具備したたことを特徴とする原盤記録装置。 - 前記レジスト膜がGe、Sb、Te、Bi、Ga、Inから選ばれる1種以上の材料からなることを特徴とする請求項1記載の原盤記録装置。
- 前記レジスト膜がW、Mo、Ta、Nbの中から選ばれる1種以上から成る酸化物であることを特徴とする請求項1の原盤記録装置。
- 半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録方法において、
前記レジスト膜を無機熱レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスレーザーとして出力することを特徴とする原盤記録方法。 - 前記レジスト膜としてGe、Sb、Te、Bi、Ga、Inから選ばれた1種以上の材料を用いることを特徴とする請求項4記載の原盤記録方法。
- 前記レジスト膜としてW、Mo、Ta、Nbの中から選ばれた1種以上から成る酸化物を用いることを特徴とする請求項4の原盤記録方法。
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