JP2002123963A

JP2002123963A - 半導体レーザ駆動方法およびこれを用いた光ディスク装置

Info

Publication number: JP2002123963A
Application number: JP2000318234A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Asada; 昭広浅田; Toshimitsu Kaku; 敏光賀来; Takashi Hoshino; 隆司星野; Masaaki Kurebayashi; 正明榑林
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-10-13
Filing date: 2000-10-13
Publication date: 2002-04-26

Abstract

(57)【要約】【課題】記録速度のより高速化にともない、光パルスの
立上り時間Trと立下り時間Tfがチャンネルクロック周期
Twに対し相対的に増加し、記録特性の安定性が劣化す
る。また同時にマークエッジ位置を制御するステップ幅
も微小化（DVD 10倍速時 0.1ns オーダ）し、実用的な
実現性が懸念される。【解決手段】半導体レーザの発振閾値電流Ithより小さ
い電流値の第１の駆動電流Iｂと発振閾値電流Ithより大
きい電流値の第２の駆動電流Iｗを有し、半導体レーザ
の駆動電流を第１の駆動電流Iｂから第２の駆動電流Iｗ
に変化させ、所定時間後、半導体レーザの発振閾値電流
Ithより小さい電流値の第3の駆動電流Ib'に変化させる
ことにより記録用光パルスの立上り、立下り特性を改善
する。また、第１の駆動電流Ibの値を変えることにより
発光パルスの前縁エッジ位置を微小可変する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ駆動方
法およびこれを用いた光ディスク装置に関する。特に、
レーザ光などの照射により情報を記録する光ディスク装
置において高速記録を可能にする半導体レーザ駆動方法
およびこれを用いた光ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク装置はその記憶容量の大容量
化とともに高速記録、高速再生化が要求されている。特
に高速再生および高速記録は年毎にそのスピードを向上
することが要求されている。

【０００３】記録可能な光ディスク媒体には一度だけ記
録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも可能な書換
え型がある。追記型の光ディスクは記録層に色素系材料
等を用いこれを半導体レーザの光パルスで照射部分の温
度を所定温度以上に上昇させ、照射部分の記録層の反射
率を恒久的に変化させることにより情報を記録する。

【０００４】書換え型の光ディスクとしては、光磁気効
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化記録媒体などがある。光磁気記録媒
体では半導体レーザからの光パルスで照射部分の温度を
所定温度以上に上昇させ、照射部分の記録層の磁化の向
きを所定の方向に向かせることによって情報の記録を行
う。相変化記録媒体では、相異なる２つの状態（結晶化
および非晶質化）を実現するために異なる少なくとも２
つのレベルの光パワーを用いる。結晶化は記録層の結晶
化温度より十分に高く、融点よりは低い温度まで照射部
分の記録層を加熱することにより行われる。非晶質化は
融点より高い温度まで照射部分の記録層を過熱し急冷す
ることによって行われる。

【０００５】これらの記録媒体の記録方法は上記したよ
うに半導体レーザからの光パルスで記録層の温度を制御
することにより行われる。実際には熱拡散によるマーク
長の拡大、あるいは相変化媒体の場合、再結晶化による
マーク長の短縮等により必ずしも所望のマーク長が得ら
れない。そこで記録の光パルスを分割し、個々の分割光
パルスの時間幅を短くすることで記録層内の温度分布を
調整することが一般的に行われている。特に相変化媒体
では、分割光パルス毎に高温化と急冷を繰り返すことに
より記録マーク長に対応したマーク（非晶質化）を形成
している。以下この分割光パルス列をマルチパルスとも
称す。

【０００６】上記の熱拡散によるマーク長の拡大あるい
は再結晶化によるマーク長の短縮のマーク長に対する比
率は、ディスク上の最短マーク長（長手方向サイズ）と
光スポットサイズの相対的大きさに強く依存し、高密度
記録化するほど顕著となる。このため３T、４T、５T等
の短いマークを記録する場合はそのマーク長の拡大、縮
小を考慮してマーク長に対応して分割光パルス列の先頭
パルスあるいはラストパルスの時間的位置あるいはパル
ス幅を制御して所望のマーク長となるようにしている。
以下この制御をアダプティブ制御と称す。また前記光パ
ルスの分割方法およびアダプティブ制御を合わせてライ
トストラテジと称す。

【０００７】このような光ディスク媒体の高速記録化を
行う場合、光パルスの時間幅はその記録スピードに反比
例して小さくなる。例えば、DVD-RAMの場合で考えてみ
る。4.7Gbyteの記憶容量をもつDVD-RAM（２倍速）の場
合、チャンネルクロックは５８MHz(周期Tw=17ns)で光パ
ルスの最小幅はTw/2で8.5nsである。これを４倍速にし
た場合、チャンネルクロックは116MHz（周期Tw=8.5ns）
で光パルスの最小幅はTw/2=4.25nsとなる。さらに10倍
速にした場合、チャンネルクロックは292MHz(周期Tw=3.
4ns)で光パルスの最小幅はTw/2=1.7nsとなる。

【０００８】また、アダプティブ制御のステップは、２
倍速時0.5nsステップで制御しているので４倍速時は比
例的に0.25nsステップで、10倍速時は0.1nsステップで
制御する必要がある。

【０００９】一方、現状の光パルスの立上り時間Tr, 立
下り時間Tfは1nsないし2nsである。この値は現状２倍速
時では最小光パルス幅(8.5ns)に対し、Tr、Tf時間(2ns)
は十分小さく、ほぼ矩形波的に出力できることを意味し
ているが、４倍速時には最小光パルス幅(4.3ns)と同等
になり台形波的になり、さらに10倍速時では最小光パル
ス幅(1.7ns)よりTr, Tf時間が大きくなり、三角波的と
なってしまう。光パルスが三角波的になると記録層の高
温化とその急冷動作が行えなくなってしまい、高速記録
が不可能となってしまう。

【００１０】光パルスの立上り時間Tr、立下り時間Tfを
決めている要因の１つは半導体レーザを電流駆動するレ
ーザドライバの駆動電流自身の立上り時間、立下り時間
である。記録の場合は100mAオーダの大電流を扱うため
そのドライバの出力段素子を大きくする必要があり、こ
の素子サイズに比例して浮遊容量も増加する。このため
出力電流の変化もこの容量および出力段素子の内部抵抗
で急激な変化ができない。２つ目は、半導体レーザ自身
が持つ浮遊容量の影響である。一般的に数十pFの容量を
もっている。３つ目はレーザドライバと半導体レーザ間
の配線のインダクタンスおよび浮遊容量である。これら
の容量、インダクタンスの影響で半導体レーザに流れる
電流の変化が妨げられているためである。

【００１１】この光パルスの立上り、立下り時間を考慮
して、高速記録を可能とする工夫が文献：Optical Data
Storage 14-17 May 2000 Post dead line Papers PD
1:"HighSpeed Rewritable DVD up to 20m/s with Nucle
ation-Free Eutectic Phase-Change Material of Ge (S
b70Te30)+Sb"にて提案されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前記文献では、高速記
録時の最小光パルス幅の短時間化を避けるために記録光
パルスの分割方法を工夫している。具体的には、従来DV
D２倍速時、Tw（チャンネルクロックの周期）単位でマ
ルチパルスを生成（最小パルス幅＝Tw/2=8.5ns）したの
に対し、DVD ４倍速の高速記録時には、２Tｗを単位に
してマルチパルスを形成し、最小パルス幅をTｗ=8.5ns
としている点である。DVDの変調方式の場合、マーク長
は３Twから１１Tｗまである。２Tｗを単位としているた
めマーク長が偶数の場合と奇数の場合でその記録光パル
スの分割方法を変えている。

【００１３】この方法をさらに高速記録のDVD 8倍速に
適用すると、４Tw単位でマルチパルスを生成し、最小光
パルス幅を2Tw=8.5nsにすることはできるが、４Tw単位
とするため、３Twから１１Twの各マーク長でその記録光
パルスの分割方法を変える必要がある。言い換えると３
Twから１１Tｗの９種類のマークに対してそれぞれ分割
方法が異なることになる。

【００１４】この文献の提案方法の第１の問題点は、記
録スピードが高速になるほど、アダプティブ制御の範囲
（対称となるマーク長）が拡大することである。従来の
Twを単位にした記録光パルスの分割方法は、マーク長に
対応して分割光パルスが１つずつ増えることになり、６
Tw以上のマークに関しては、マークの先頭部と尾部の分
割光パルスの列のパターン(パルス幅とその間隔)を同一
にすることができる（熱拡散の状態をほぼ同一にするこ
とができる）ので、アダプティプ制御は６Tw以上のマー
クを１つのグループとして扱うことができる。しかし、
２Tを単位にした場合は分割パルス数が少なくなり熱制
御が粗くなるのでマーク先頭部と尾部の分割光パルス列
パターン、つまり熱的変化が偶数マーク長と奇数マーク
長とで異なり、６T以上のマークを奇数と偶数の２グル
ープに分けてアダプティブ制御する必要がある。さら
に、４Twを単位にした場合は一段と分割光パルス数が少
なくなる（１０Twで最大3個の光パルス）ので9種類全て
分割光パルスパターンが異なり、全てのマークに対して
それぞれ独立にアダプティブ制御する必要がある。この
アダプティブ制御範囲の拡大はアダプティブ制御パラメ
ータの増加、回路規模の増大（アダプティブ制御回路の
複雑さとアダプティブパラメータを学習するために必要
となる各マーク長のエッジ位置検出回路等の複雑さの増
大）となる。さらに光ディスク装置に光ディスクをロー
ディングした時に行うアダプティブ制御パラメータの学
習において、その学習時間の増大を招く。

【００１５】第２の問題点は、CAV (Constant Angler V
elocity)記録の場合、ディスクの内周と外周で記録速度
が約2.5倍の差があり、このため記録速度に対応してラ
イトストラテジをｎT単位からn+1 T単位等に切り替える
必要があり、連続記録ができないことである。

【００１６】また、高速記録化においては以下の点を考
慮する必要がある。

【００１７】１つは、高速記録時に光パルスの立上り、
立下り時間Tr, Tfがチャンネルクロック周期Twに対して
相対的に増加する点である。前記方法で高速記録時でも
最小光パルス幅は一定値以上にすることができるが、高
速記録化によりTw時間が短くなるのに対し、その光パル
スのTr, Tfは従来と同様に1nsないし2nsのままである。
Twに対するTrの比率は、DVD ２倍速時はTr/Tw=2ns/17n
s=0.1であるが、DVD 10倍速時はTr/Tw=2ns/3.4ns=0.6と
なる。Twを基準に考えると高速記録になるほど光パルス
は相対的にだらだらとパワーレベルが上昇および下降す
ることになる。これは、ディスク面上で考えると光パル
スのTr, Tf区間の領域が増大することになり熱的影響の
範囲が拡大（等価的に光スポットサイズの増大）する。
結果的にアダプティブ制御範囲の拡大とともに、形成さ
れるマークのエッジ位置の安定性が劣化する。本来、低
速記録時と同様なTr/Tw比率あるいは、所定値以下のTr/
Tw比率で高速記録することが必要である。

【００１８】１つは、高速記録化に伴いアダプティブ制
御のステップ幅がより微小化する点である。前述のよう
にDVD １０倍速時0.1nsオーダとなる。原理的には10GH
zクロックを用いてそのクロックを計数する方法とか0.1
ns単位の遅延素子をシリーズ接続し、その内の対応する
遅延量のタップを選択する方法等により0.1nsステップ
の光パルス位置制御が考えられる。しかし、超高速動作
およびこれに伴う消費電力等の点から実用的な実現性が
懸念される。

【００１９】本発明の目的は記録用光パルスの立上り時
間Tr, 立下り時間Tfを改善し高速記録を可能にすること
にある。また、これにより同一のライトストラテジでCA
V連続記録を可能にする。

【００２０】また本発明の他の目的は、記録用光パルス
の位置を制御するアダプティブ制御のステップ幅を微小
化し高速記録時のアダプティブ制御を可能にすることで
ある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、半導体レーザの発振閾値電流Ithより小さい電
流値の第１の駆動電流Iｂと発振閾値電流Ithより大きい
電流値の第２の駆動電流Iｗを有し、半導体レーザの駆
動電流を第１の駆動電流Iｂから第２の駆動電流Iｗに変
化させ、その後所定時間後、第１の駆動電流Ibに変化さ
せるようにした。

【００２２】本発明の他の目的を達成するために、光パ
ルスを発光するにあたり、発光前の該第１の駆動電流Ib
の値を記録するマーク長に対応して可変するようにし
た。

【００２３】本発明は駆動電流変化に対する半導体レー
ザの光出力応答特性、特に緩和振動とその発振遅延を利
用したものである。半導体レーザの発振閾値電流Ith以
上の値で駆動電流をパルス的に変化させた場合は、光出
力はその駆動電流に比例した光パワーを出力する。光出
力の立上り時間Tr、立下り時間Tfは、駆動回路(レーザ
ドライバ)から半導体レーザ端までの配線のインダクタ
ンスおよび浮遊容量および半導体レーザ自身が有する浮
遊容量の影響で、レーザドライバ出力の駆動電流の立上
り時間、立下り時間より短くなることはない。具体的に
はレーザドライバの駆動電流のTr, Tfはおよそ1nsない
し1.5nsであり、結果的に光パルスのTr,Tfは2ns前後に
なっている。

【００２４】しかし、駆動電流を発振閾値電流Ith以下
からIth以上に変化した場合は、光出力の応答は前述と
は異なる挙動を示す。図１にその様子を示す。図１の
(1)に示すように、駆動電流をIthより小さい駆動電流Ib
からIthより大きい駆動電流Iwに変化させた場合（ここ
ではその変化を理想的に矩形的に変化するとしている。
また配線の影響および半導体レーザ自身の浮遊容量等の
影響もないものとしている）、図１の(2)に示すよう
に、半導体レーザの発振に寄与するキャリア密度Nは、
駆動電流Ibに対応したキャリア密度Nbから駆動電流変化
に対応して半導体レーザ固有の時定数で上昇し、発振閾
値のキャリア密度Nthに達する。発振閾値のキャリア密
度Nthに達すると発光を開始するが、１）キャリア密度
の増加、２）これによる光子密度と誘導放出の増加、
３）誘導放出に伴うキャリア密度の減少、４）キャリア
密度減少による光子密度と誘導放出の減少がそれぞれ時
間遅れを伴って繰り返されるため、いわゆる緩和振動を
起こす。この緩和振動の周波数はおよそ2GHzから4GHzで
ある。この緩和振動は数nsで減衰し、光出力パワーは駆
動電流Iwに対応する値Pwに漸近する。この光出力の様子
を図１の（３）に示している。

【００２５】緩和振動周波数を2GHz（周期0.5ns）とす
ると、発振開始後、緩和振動周期Treの1/2以下の時間0.
25nsで光出力Pwに達する。別の言い方をすれば、緩和振
動を利用することにより光パルスの立上り時間Trはおよ
そ0.25nsになると言える。緩和振動周波数が４GHzの半
導体レーザを用いれば、光パルスの立上り時間Trを0.12
5nsにすることが可能となる。

【００２６】この値は従来のIth以上の電流で駆動電流
を変化させた場合のTr値（およそ2ns前後）に比べ約1桁
の改善を行うことができる。

【００２７】再生時に光出力の戻り光による雑音増加を
抑圧するいわゆる高周波重畳は上記の緩和振動を利用し
たものである。駆動電流のパルス幅を重畳する周波数を
200MHzから500MHzオーダに上げることで狭くし、緩和振
動の1周期あるいは２周期で発光を停止するようにして
いる。駆動電流は矩形はではなく、正弦波を重畳し、そ
の電流値がIth以下値からIth以上の値の間を変化させて
いる。緩和振動は駆動電流のTr, Tfには直接的には依存
せず、非発振状態から発振状態に至るとき発生する。

【００２８】駆動電流の注入から発振に至るまでの時間
を発振遅延Tdと称す。この発振遅延Tdは、Ith以下の駆
動電流Ibの値に依存する。Ibの値が小さいほど発振遅延
Tdが大きくなる。この様子を図２に示す。駆動電流Ibを
Ib(L)とこれより大きいIb(H)の場合で比較する。Ib(L)
の場合はキャリア密度がNb(L)の状態から発振閾値キャ
リア密度Nthに至って発光を開始する。Ib(H)の場合はキ
ャリア密度Nb(H)＞Nb(L)から発振閾値キャリア密度Nth
に至って発光を開始する。図２の（２）に示す様に、発
光開始前のキャリア密度Nに比例して発振遅延Tdは小さ
くなっていく。この結果、光出力は図２の（３）に示す
様に、Ibの値によって光パルスの立上りエッジ位置が変
化することになる。この発振遅延TdはIb=0のとき1nsオ
ーダである。よって、Ibの値を0からIthの間で可変する
ことにより0nsから1nsオーダの光パルスの立上りエッジ
位置を制御するこが可能である。Ibの可変ステップをよ
り細かくすれば、0.1nsステップオーダの制御が可能と
なる。図３および図４に、より現実的な駆動電流波形
（Tr, Tf=１ないし2ns。半導体レーザの浮遊容量等を考
慮し、実質的に発光に寄与する注入電流波形）に対する
光出力の様子を示している。図３は駆動電流をIth以上
で変化（Ib'からIwその後Ib'）させた場合（図中(a)）
とIth以下からIth以上に変化(IbからIwその後Ib)させた
場合(図中(b))を示している。(a)の駆動電流がIth以上
で変化した場合は、半導体レーザは常に発振状態にあ
り、そのキャリア密度は発振閾値キャリア密度Nthに保
持しれており、光出力は駆動電流波形に線形的に対応す
る。駆動電流波形の立上り、立下り時間をTrc, Tfcとす
ると光出力の立上り、立下り時間Ir, TfはTr=Trc, Tf=T
fcとなる。（ｂ）の駆動電流をIth以下からIth以上に変
化させた場合は、前述と同様に発振遅延Td（駆動電流の
立上り時間Tfcの影響で図１の場合より多少大きくなる
が）後、緩和振動を開始し発光パルスの立上り時間Trを
改善できる。

【００２９】発光パルスの立下り時間TfもIth以上の駆
動電流からIth以下の駆動電流にすることによって改善
できる。駆動電流の立上り時間Trc、立下り時間Tfcは駆
動回路（レーザドライバ）自身の内部抵抗および浮遊容
量、駆動回路から半導体レーザ端までの配線のインダク
タンスおよび浮遊容量とさらに半導体レーザ自身が有す
る浮遊容量の影響による。よってこれらは使用する駆動
回路、配線、半導体レーザの組み合わせで決まり、一定
の時定数で電流変化をする。よって、図３の（１）に示
すように、IwからIb'（Ith以上）に変化する場合とIwか
らIb(Ith以下)に変化する場合は、電流変化に対する10%
から90%に要する時間は同じであるが。IwからIb(Ith以
下)に変化する場合は、Ib'(Ith以上)に変化する場合よ
り早くIb'値を通過し立下り時間Tfc後にIb(Ith以下)に
なる。よって、光出力は図３の（３）に示すように立下
り時間も改善される。Ib(Ith以下)の値をよりセロにす
るほど立下り時間Tfを改善することができる。

【００３０】図４は図３と同様な駆動電流波形の場合
で、発振遅延Tdを駆動電流Ib(Ith以下)を変えることに
より変化させる様子を示している。前記した図２の場合
と同様にIbの値により発振遅延Tdを変え、光パルスの立
上り位置を制御することができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。

【００３２】（１）実施例の構成（１．１）全体構成図５に本発明の１実施例の構成を示す。１はチャンネル
クロック信号chCLKに同期して供給される記録２値化信
号NRZおよびWrite/Readの動作モードを制御する信号/WR
をもとに駆動電流波形（いわゆるライトストラテジ）を
生成するための各種制御信号を出力するライトストラテ
ジ部、２は記録光パワーPw (Write power)に対応する駆
動電流値Iwwの指示値を記憶するレジスタ、３は消去光
パワーPe(erase power)に対応する駆動電流Iewの指示値
を記憶するレジスタ、４は先行スペース長と記録マーク
長の組み合わせに対応した駆動電流Ib_sfp値群を記憶す
るメモリ、５は記録マーク長と後続スペース長の組み合
わせに対応した駆動電流Ib_ecp値群を記憶するメモリ、
６は予め定められた駆動電流Ib_fixed値を記憶するレジ
スタ、７は駆動電流値がゼロなるIb_zeroを記憶するレ
ジスタ、８は２から７のレジスタおよびメモリからの出
力値の内、ライトストラテジ部１からのIwrite select
信号をもとに１つの値を選択し、Write DAC 10に供給す
るセレクタである。１０はセレクタ８の出力値に対応し
た電流を出力するDAC (Digital to Analog Converter)
である。９は高周波重畳を行うために高周波電流信号を
出力するHFM (High Frequency Module)、１２は半導体
レーザ、１３は半導体レーザ１２の出力パワーをモニタ
するフォトディテクタ、１４はフォトディテクタ１３の
出力電流を電圧に変換するI-V amp、１５はI-V amp 14
の出力より記録時の発光パワー（平均値）を検出し、記
録発光パワーの基準値との差に対応した電流IrefをWrit
e DAC 10の基準電流として、またHFM 9の出力電流の基
準電流として供給するWrite-APC部、１６はI-V amp 14
の出力より再生時あるいは記録中のスペース時の発光パ
ワーを検出し、再生発光パワーの基準値との差に対応し
た電流Iapc（以下これをRead-APC電流Iapcと称す）を出
力するRead-APC部である。１１はWrite DAC １０からの
出力電流IwriteとHFM ９からの出力電流IhfおよびRead
-APC部の出力電流Iapcを加算し半導体レーザ１２に供給
する加算部である。この加算部は実際には各電流源の出
力電流をワイヤード加算する構成である。

【００３３】（１．２）駆動電流 Iw, Ie,およびボト
ム駆動電流Ib群 Iwwレジスタ２がセレクタ８で選択されたとき、駆動電
流Iww指示値はWrite DAC１０で電流変換され記録電流Iw
riteとしてIapc電流に加算され、半導体レーザ１２の駆
動電流ILDはILD＝Iapc + Iww=Iwになる。このとき半導
体レーザ１２はWrite Power Pwを発光する。Iewレジス
タ３がセレクタ８で選択されたときは、同様に駆動電流
Iew指示値はWrite DAC 10で電流変換されIapc電流に加
算され、半導体レーザ１２の駆動電流ILDはILD=Iapc +
Iew=Ieになり、Erase power Peを発光する。

【００３４】駆動電流Ib_sfp群は、ファーストパルス生
成の駆動電流Iwwを駆動する直前の駆動電流を設定する
電流指示値であり、駆動電流Ib_ecp群は、ラストパルス
生成後、駆動電流Iewを駆動する直前の駆動電流指示値
である。Ib_fixedは上記のタイミング以外の駆動電流Iw
wを駆動する前後の駆動電流指示値である。またIb_zero
は再生時にWrite DAC 10の出力電流Iwriteをゼロにする
ための電流指示値である。これら、Ib_sfp、Ib_ecp、Ib
_fixed、Ib_zeroのいずれがセレクタ８によって選択さ
れた場合でも半導体レーザ１２の駆動電流ILD値が発振
閾値電流Ith以下となるように予め設定しておく。例え
ば、メモリ4のIb_sfpが選択された場合、駆動電流ILD
は、ILD=Iapc + Ib_sfp = IbとなるがIb＜Ithとなるよ
うにIb_sfpを設定しておく。Ib_sfp、Ib_ecp、Ib_fixe
d、Ib_zero選択時の半導体レーザ１２の駆動電流ILDを
ボトム駆動電流Ibとする。前述のようにIb＜Ithとして
いるので、この時半導体レーザ１２は非発振状態にあ
る。この状態から半導体レーザ１２の駆動電流ILDをIw
（Wirte power Pw対応）や、Ie(Erase power Pe対応)に
変化させると、前述図１、図３で示したように発振遅延
Td後、緩和振動を伴い発光し、高速の立上り時間Trの光
パルスを得る。

【００３５】（１．３）adaptive parameter memory Ib
_sfp, Ib_ecp 図６の（１）にIb_sfp値群を記憶するメモリ４のアドレ
スと対応する記憶値Ib_sfpの様子を示す。この実施例で
は先行Space長と記録Mark長をそれぞれ３Tw、４Tw、５T
ｗおよび６Tw以上の４つのグループに分け、先行Space
長と記録Mark長の組み合わせで、１６通りのIb_sfpの値
を記憶している。このIb_sfpの値を変えることにより、
半導体レーザ１２のボトム駆動電流Ib(Ith以下)が、先
行Space長と記録Mark長の組み合わせで変えることでそ
の後Iwに駆動電流が変化するときの発振遅延Tdが変化
し、発光パルスの立上りエッジ位置を制御する。図６の
（２）にIb_ecp値群を記憶するメモリ５のアドレスと対
応する記憶値Ib_ecpの様子を示す。メモリ４と同様に記
録Mark長と後続Space長の組み合わせで、１６通りのIb_
ecpの値を記憶している。Ib_sfpと同様に、このIb_ecp
の値を変えることにより、ボトム駆動電流Ib（Ith以
下）に対応して、その後Ieに駆動電流が変化するときの
発振遅延Tdが変化し、Erase発光パルスの立上りエッジ
位置を制御する。

【００３６】（１．４）High Frequency Module 図７にHFM ９の構成およびその動作を説明する。９_1
はHFM 9の出力振幅を設定するHF_AMPレジスタ、9_2はHF
_AMPレジスタ9_1の出力値に対応した電流を出力するHF_
AMP DAC(Digital to Analog Converter) 、9_3はHF_AMP
DAC 9_2の出力電流をHFM 9の出力電流Ihfとして出力す
るスイッチ、9_4は高周波で発振する発振器、9_5はライ
トストラテジ部１からのHFM制御信号HF_on/offがon状態
のとき、発振器9_4の周期でスイッチ9_3をon/offし、HF
_on/offがoff状態のとき、HFM0の出力電流がゼロになる
ようにスイッチ9_3を制御するHF control回路である。H
F_AMP DAC 9-2の出力電流をIhfとすると、HF_on/offがo
n状態のとき、HFM 9の出力電流はゼロとIhf値を発振器9
_4の発振周期で繰り返す。つまり、HFM 9は振幅Ihfで最
小値ゼロ、最大値Ihfの高周波信号を出力する。

【００３７】（１．５）Write_APC, Read_APC部図８にWrite_APC部15とRead_APC部16の構成を示す。ま
ず、Read_APC部16の構成およびその動作を説明する。16
_1はLPF（Low Pass Filter）、16_2はSample/Hold回
路、16_3はSample/Hold回路16_2の出力とRead Power基
準電圧16_4を比較し、その差に対応した電圧を出力する
差動アンプ、16_5は差動アンプ16_3の出力電圧を電流に
変換する抵抗、16_6は入力電流を電流増幅する電流アン
プである。Sample/Hold回路16_2はライトストラテジ部
１より出力されるタイミング信号R-APCtimingで制御さ
れる。通常Read mode時にSample状態となるように制御
される。CD-RやDVD-Rの追記型の場合は、Write mode中
においてもマーク記録時以外のタイミング（Spaceタイ
ミング）でSample状態となるように制御される。このR-
APC部16はRead時および上記Spaceタイミングでの半導体
レーザ１２の発光PowerがRead Power基準電圧に対応す
るPowerとなるように出力電流Iapcを制御する。通常Rea
d Powerは1mW前後に設定される。

【００３８】Write_APC部15はRead_APC部16と同様な要
素で構成される。15_1はLPF、15_2はSmaple/Hold回路、
1５_3はSample/Hold回路15_2の出力とWrite Power基準
電圧15_4を比較し、その差に対応した電圧を出力する差
動アンプ、15_5は差動アンプ15_3の出力電圧を電流に変
換するテイク尾、15_6は入力電流を電流増幅する電流ア
ンプである。Sample/Hold回路15_2はライトストラテジ
部1より出力されるタイミング信号W-APC timingで制御
される。このWrite_APC部15は、マーク記録時の半導体
レーザ１２の出力Powerを所定値Pwにするための回路で
あり、マーク記録中あるいは記録中にSample状態とし、
この間の平均出力光パワーを検出することにより所定値
光パワーPwを推定し、この値が所定値となるように、そ
の出力電流Irefを制御する。

【００３９】（２）実施例の動作以上、本発明の各構成要素について説明した。以下本発
明の全体動作および詳細動作を各種ライトストラテジに
対応して説明して行く。

【００４０】（２．１）書換え型媒体に適用した場合図９に書換え型媒体に適用した場合の本発明の動作を示
している。図９の(1)はチャンネルクロック信号chCLK、
（２）は2値化記録信号NRZ (delayed)。ライトストラテ
ジ部１に入力されるNRZ信号はこのNRZ (delayed)信号よ
りマーク、スペース長を検出するための時間分(例えば1
2Tw)先行している。ここでは、２値化記録信号と記録電
流波形との関係(いわゆるライトストラテジ)を示してい
る。（３）は半導体レーザ１２を駆動する駆動電流ILD
(ここでは説明の煩雑さを避けるため、駆動電流の立上
り、立下り時間は省略し、矩形上で示している。実際に
は図3、図４で示したように立上り、立下り時間Trc, Tf
cを有している)、(４)は光出力波形、（５）はWrite/Re
ad modeを制御するる信号/WRを示している。

【００４１】（２．１．１）各電流値と発振閾値電流It
hとの大小関係まず、Iapc電流、Ihf電流および記録電流Iwriteの電流
値関係を明らかにしておく。

【００４２】Read時の場合（/WR信号がwrite状態=Lo
w）、HF_on/off信号がon状態となり、HFM9より振幅Ihf
で最小値ゼロ、最大値Ihfの高周波電流とRead_APC 16の
出力電流Iapcの加算値が半導体レーザ12を駆動する。こ
のときFront Monitorに受光した半導体レーザ12の光パ
ワーがRead Power基準電圧16_4に対応する基準光パワー
より小さい場合は、Read_APC部16はIapc電流を増加さ
る。逆に大きい場合はIapc電流を減少させる。このフィ
ードバックループにより発光パワーが基準パワーに一致
するように動作する。

【００４３】Iapc、IhfとIthの関係を Iapc ＜ Ith ＜ Iapc + Ihf のように、Iapc電流は発振閾値電流Ithより小さく、Iap
c + Ihf電流はIthより大きくすることにより緩和振動を
発生させる。そして高周波で駆動することにより緩和振
動周期の１ないし２周期間で駆動電流をIth以下にして
短い光パルスを発生させ出力光と戻り光の干渉および発
振開始時の戻り光の影響をなくしRead時の戻り光による
雑音増加を抑圧する。

【００４４】HFM 9からの高周波電流は、スイッチ9_3で
on/offして発生しているが、記録電流が立上り、立下り
時間を持つっているのと同様に、Write DAC 10、Read_A
PCの出力段浮遊容量、半導体レーザ端までの配線のイン
ダクタンス、浮遊容量および半導体レーザ１２自身の有
する容量等により電流変化が高周波になるほど三角波的
から正弦波的になる。この結果、Ihfを大きくするほ
ど、Iapcは小さくなり、駆動電流Ihf+IapcがIthを超え
る期間が短くなりより短期間の光パルスを出力する。装
置の小型化に伴い半導体レーザ12から光ディクスまでの
光路長が短くなるにつれ、一般的によりIhfを大きくし
て光パルスの期間を短くするようにしている。

【００４５】記録時には、HFM 9の出力電流はゼロとな
るように制御されるが、Read時のIapc電流は、Sample/H
old回路16_2でホールドされた状態になる。DVD-RAM(2倍
速)の場合、記録セクタ単位ごとにその先頭部に予め記
録されているセクタアドレス等をReadするためにwrite/
read modeを切替える。その周期は約0.75msである。こ
のホールドされたIacp電流にセレクタ8により選択した
記録電流Iwriteが加算され半導体レーザ12を駆動する。

【００４６】Write Power Pwに対応する電流Iwwを選択
した時の半導体レーザ12の駆動電流をIw、Erase Power
Peに対応する電流Iewを選択したときの半導体レーザ12
の駆動電流をIe、同様にIb_sfp選択時、Ib_ecp選択時、
Ib_fixed選択時およびIb_zero選択時の半導体レーザ12
の駆動電流をIb(sfp)、 Ib(ecp)、Ib(fixed)およびIb(z
ero)とすると、 Iw = Iapc + Iww Ie = Iapc + Iew Ib(sfp)=Iapc + Ib_sfp Ib(ecp)=Iapc + Ib_exp Ib(fixed)=Iapc + Ib_fixed Ib(zero)=Iapc + Ib_zero = Iapc なんとなれば Ib_ze
ro = 0であり、かつIthとの大小関係は Iapc = Ib(zero)≦ Ib(sfp), Ib(ecp), Ib(fixed) ＜ I
th ＜ Ie ＜Iw のようにボトム駆動電流Ib(zero), Ib(sfp), Ib(ecp),
Ib(fixed)を設定する。この電流値関係を図９の（３）
に縦軸として示している。

【００４７】（２．１．２）動作および動作タイミング Write mode時、ライトストラテジ部1は、チャンネルク
ロックchCLKと２値化記録信号NRZより、マーク長、スペ
ース長を検出し、予め定められたタイミングでセレクタ
８を制御して記録電流Iwrite切替え記録電流波形を生成
する。図９の例では、(a)First Pulse、(b)multi-pulse
chain、と(c)Last Pulseでマークを記録する記録電流
波形を構成している。

【００４８】検出したマーク長に対応して、multi-puls
e chainを構成するpulseの数を変えて各マーク長に対す
る記録電流波形を生成する。スペース部では、電流Iew
を選択し、Erase電流Ieで、ディスク上にスペースを形
成する。

【００４９】NRZ signal (delayed)の立上り時点で電流
Iewの選択から電流Ib_sfpの選択に切替える。ここで、
先行スペース長を３Tw、記録マーク長を８Twとするとラ
イトストラテジ部１はIb_sfp address値として3S-6M値
（ここでは6Tw以上を１つのアダプティブ制御グループ
としているので）をNTZ signal (delayed)の立上り時点
より先行して出力する。Ib_sfp parameters memory 4は
このアドレス値に対応して予め記憶しているIb_sfp(3S-
6M)値を出力する。この値がIb_sfpとしてセレクタ８で
選択されWrite DAC 10に供給される。NRZ signal(delay
ed)の立上り時点からTsfp_fixed時間後、ライトストラ
テジ部１は電流Iwwを選択する。その後Tfp時間後、電流
Ib_fixedを選択する。このTfp時間がFirst Pulseのパル
ス幅になる。図中区間(3)から(6)の各Tw区間がmulti-pu
lse chain区間で、各Tw区間ごとに、電流Iwwの選択とTm
p時間後電流Ib_fixedの選択を繰り返す。Tmp時間がmult
i-pulseのパルス幅になる。図中区間(7)の開始時点で電
流Iwwを選択し、その後Tlp時間後電流Ib_ecpを選択す
る。Tlp時間がLast Pulseのパルス幅になる。ここで後
続のスペース長を４Twとすると、ライトストラテジ部１
は、Ib_ecp address値として6M-4S値をLast pulseの立
下りエッジより先行して出力する。Ib_ecp parameters
memory 5はこのアドレス値に対応して予め記憶している
Ib_ecp (6M-3S)値を出力する。この値たIb_ecpとしてセ
レクタ８で選択されWrite DAC 10に供給される。NRZ si
gnal (delayed)の立下り時点でライトストラテジ部１は
電流Iewを選択し、Erase電流Ieでディスク上にスペース
を形成する。Read mode時は、ライトストラテジ部１はI
b_zeroを選択し、Write DAC 10の出力電流をゼロにす
る。

【００５０】（２．１．３）光出力波形図９の(4)に、上記した半導体レーザ１２の駆動電流波
形ILDに対応した光出力波形を示している。前述したよ
うにボトム駆動電流Ibを発振閾値電流Ithより小さくし
ているので、各光出力パルスは緩和振動を伴い急峻に立
ち上がる。緩和振動周期を0.5ns(2GHz)とすると約0.25n
sの急峻な立上り時間Trが得られる。Firstpulseの電流
立上りエッジ前の駆動電流Ib_sfpを先行スペース長と記
録マーク長に対応して可変することにより、発振遅延時
間Tdを可変する。これにより光出力のFirst pulseの立
上りエッジ位置Tsfpをアダプティブに微小制御すること
ができる。同様に、Erase pulseの電流立上りエッジ前
の駆動電流Ib_ecpを記録マーク長と後続スペース長に対
応して可変することにより、光出力のErase pulseの立
上りエッジ位置Tecpをアダプティブに微小制御すること
ができる。このアダプティブ制御により高速記録時のデ
ィスク上のマークエッジを所望の位置にすることができ
る。

【００５１】（２．１．４）Write APC制御半導体レーザ１２の発振閾値電流Ithと発光のスロープ
効率ｎは温度依存性がある。温度が高くなるほど、Ith
は増加し、スロープ効率ｎは低下する。Ithの増加に対
しては、Read_APC部16が、Read Powerが所定値になるよ
うにIapc電流を増加させる。スロープ効率ｎの低下に対
してはWrite_APC部15が所定のWrite Powerとなるように
Iref電流を増加させる。Iref電流はWrite DAC 10の基準
電流となっているのでIrefの増加に対応してWrite DAC
10の出力電流Iwriteが増加する。このそれぞれのフィー
ドバックループによりRead PowerおよびWrite Powerが
一定化される。本実施例では、Write_APC部15の出力電
流IrefをHFM 9にも供給しHFMAMP DACの基準電流にして
いる。これはスロープ効率ｎの低下に対応して高周波電
流の振幅Ihfを増加させる。記録電流Iwriteと高周波電
流の振幅IhfをWrite_APCのIrefで同一の比率で制御する
ことにより、スロープ効率ｎが変化しても記録電流Iwri
teと高周波電流の振幅Ihfの電流比率を常に一定にして
いる。この結果、温度変化に対しても発振閾値電流Ith
とwrite電流Iw、Erase電流Ie、各種ボトム駆動電流Ibの
大小関係および比率が変化せず、同一の光出力波形を得
ることができる。

【００５２】（２．２）追記型媒体(DVD-R)に適用した
場合図１０に追記型媒体、例えばDVD-Rに適用した場合の動
作を示している。図９と同様に、図１０の(1)はチャン
ネルクロック信号chLCK、(2)はNRZ signal(delayed)、
(3)は半導体レーザ１２を駆動する駆動電流ILD、(4)は
光出力波形、(5)はWrite/Read modeを制御する信号/WR
を示している。各電流値と発振閾値電流Ithの関係は前
述と同じである。

【００５３】書換え型媒体の場合と大きく異なる点は、
スペース期間の半導体レーザ１２の駆動電流である。書
換え型媒体の場合はErase電流Ieで駆動するが、追記型
媒体の場合はRead Powerと同等の電流で駆動する。図１
０の例ではスペース期間も高周波重畳を行いRead mode
と同じ状態にしている。よって、ライトストラテジ部１
は、追記型媒体の場合は、Read mode時とともに、Write
mode時でのSpace期間においてもHF_on/off信号をHF o
n状態にする。また同時にIb_zeroをセレクタ８で選択し
記録電流Iwriteをゼロにする。

【００５４】記録駆動電流波形は前述と同様に、NRZ si
gnal (delayed)の立上り時点で電流Ib_zeroの選択から
電流Ib_sfpの選択に切替える。Ib_sfpの値は先行スペー
ス長と記録マーク長に対応した値がIb_sfp parameter m
emory 4より供給される。NRZsignal(delayed)の立上り
時点からTsfp_fixed時間後、電流Iwwを選択して駆動電
流を立上げ、その後Tfp時間後Ib_fixedを選択する。図
中(3)から(7)の各Tw区間はmulti-pulse区間で各Tw区間
ごとに、電流Iwwの選択とTmp時間後電流Ib_fixedの選択
を繰り返す。図中区間(8)の開始時点で電流Iwwを選択
し、その後Tlp時間後電流Ib_zeroを選択する。この例の
場合は、電流のFirst pulseの立上前の電流Ib_sfpを先
行スペース長と記録マーク長で可変し、光出力のFirst
pulseの立上りエッジ位置Tsfpをアダプティブ制御して
いる。

【００５５】図１０の(4)に上記駆動電流による光出力
波形を示している。図９の例と同様に各光出力パルスは
緩和振動を伴い急峻に立ち上がる。また、First pulse
の電流立上りエッジ前の駆動電流Ib_sfpを先行スペース
長と記録マーク長に対応して可変することにより、発振
遅延時間Tdを可変する。これにより光出力のFirst puls
eの立上りエッジ位置Tsfpをアダプティブに微小制御す
ることができる。

【００５６】（２．３）追記型媒体(CD-R)に適用した場
合図１１に追記型媒体、例えばCD-Rに適用した場合の動作
を示している。前図と同様に、図１１の(1)はチャンネ
ルクロック信号chCLK、(2)はNRZ signal(delayed) 、
(3)は半導体レーザ１２を駆動する駆動電流ILD、(4)は
光出力波形、(5)はWrite/Read modeを制御する信号/WR
を示している。各電流値と発振閾値電流Ithの関係は前
述と同じである。

【００５７】図１０のDVD-Rの場合と大きく異なる点
は、マークを形成する記録電流波形が１つの電流パルス
で形成されている点である。NRZ signal(delayed)の立
上り時点で電流Ib_zeroの選択から電流Ib_sfpの選択に
切替える。Ib_sfpの値は先行スペース長と記録マーク長
に対応した値Ib_sfp parameter memory 4より供給され
る。NRZ signal(delayed)の立上り時点からTspf_fixed
時間後、電流Iwwを選択した駆動電流を立上げる。その
後、NRZ signal(delayed)の立下り時点から１Tw前に電
流Ib_fixedを選択する。DVD-Rの場合と同様に、電流Fir
st pulseの立上前の電流Ib_sfpを先行スペース長と記録
マーク長で可変し、光出力のFirst pulseの立上りエッ
ジ位置Tsfpをアダプティブ制御している。

【００５８】図１１の(4)に上記駆動電流による光出力
波形を示している。光出力パルスは緩和振動を伴い急峻
に立ち上がる。また、駆動電流の立上りエッジ前の駆動
電流Ib_sfpを先行スペース長と記録マーク長に対応して
可変することにより、発振遅延時間Tdを可変する。これ
により光出力の立上りエッジ位置Tspfをアダプティブに
微小制御することができる。

【００５９】（２．４）高速CAV記録への適用例図１２に高速CAV記録へ適用した場合の動作を示してい
る。図中(1)はCAV内周記録のタイミングを、図中(2)はC
AV外周記録のタイミングを示している。この例は、記録
電流波形をmulti-pulse chainで構成し、１つのパルス
幅は内周記録の場合も外周記録の場合も同じパルス幅Tw
dhとしている。外周ほど記録パルスのdutyが上がり、記
録速度に対応して単位時間当りのディスクへの供給エネ
ルギーを高めている。各電流パルスは発振閾値電流Ith
以下のボトム駆動電流Ibからwrite電流Iw(＞Ith)に変化
させTwdh時間後再びボトム駆動電流Ibにすることによ
り、光パルスの立上り時間Tr、立下り時間Tfを前述と同
様に改善している。このTr,Tfの改善により高速でもmul
ti-pulseが生成できるので内周と同じライトストラテジ
（駆動電流波形）で高速の外周も記録が可能となる。ま
た、先頭の駆動電流パルスの立上りエッジ前の電流をIb
_sfpにすることにより、先行スペース長と記録マーク長
に対応して光パルスの立上りエッジを制御することがで
きる。

【００６０】（２．５）駆動電流の時間軸制御と発振遅
延制御の組み合わせ今まで説明した例では、光パルスのエッジ位置制御をボ
トム駆動電流Ibの電流値を変え、発振遅延時間Tdを変え
ることにより行う例を示したが、従来行われている記録
電流パルスのエッジ位置を制御する方法と発振遅延時間
Td制御する方法を組み合わせ、光パルスエッジ位置の制
御範囲の拡大と伴に制御ステップの微小化を図ることが
できる。

【００６１】図１３に上記組合せの動作の様子を示して
いる。図中(1)は半導体レーザ１２の駆動電流ILD、図中
(2)は駆動電流ILD対応する光出力を示している。ここで
は記録電流パルスエッジ制御の最小ステップをΔTとし
ている。図中は時刻t0で電流Ib1(＜Ith)からWrite電
流Iw(＞Ith)に変化させ、図中は同じ時刻t0で電流Ib2
(＜Ib1＜Ith)からWrite電流Iwに変化させた場合であ
る。図中は前記ΔT後の時刻t1で電流Ib1からWrite電
流Iwに変化させ、図中は同じ時刻t1で電流Ib2からWri
te電流Iwに変化させた場合である。記録電流に対応す
る光出力はに対応する光出力に対して、ボトム電流Ib
は伴に同じIb1であるのでΔT遅延して発光する。記録電
流に対応する光出力はに対応する光出力に対して、
ボトム電流のIb1とIb2に対応して発振遅延Tdが異なり、
この差に対応して遅延して出力する。この図ではIb1とI
b2の発振遅延時間の差ΔTdをΔT/2とした例である。Ib
をより細かく制御することにより従来の最小ステップΔ
Tを細かく分割できる。

【００６２】この組合せにより高速記録時、記録電流パ
ルスエッジ位置を微小制御する遅延素子群の超高速動作
およびこれに伴う消費電力の増加等を緩和することがで
き、実用化が可能となる。

【００６３】（２．６）光磁気記録媒体への適用光記録パルス幅を緩和振動周期の複数周期としたが、駆
動電流のパルス幅をより小さくすることにより光記録パ
ルス幅を緩和振動周期の１周期分とした極微小のパルス
を生成できる。これを利用することにより、より微細な
マークを高速で記録することが可能となる。

【００６４】

【発明の効果】本発明により記録用光パルスの立上り特
性および立下り特性を改善でき高速記録化が可能とな
る。これにより低速から高速まで同一のライトストラテ
ジとすることができCAVの連続記録が可能となる。また
記録用光パルスの前縁エッジ位置を微小に制御すること
ができるので高速記録時のマークエッジ位置の制御が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体レーザの緩和振動を説明する図

【図２】半導体レーザの発振遅延を説明する図

【図３】ボトム電流Ibの値による光出力応答差を示す図

【図４】ボトム電流Ibにより光パルスエッジを可変する
様子を示す図

【図５】本発明の実施例の構成図

【図６】ボトム電流パラメータを記憶するメモリの内容
を示す図

【図７】HFM (High Frequency Module)の構成図

【図８】Write APCおよびRead APC部の構成図

【図９】本発明を書換え型媒体に適用した場合の動作説
明図

【図１０】本発明を追記型媒体(DVD-R)に適用した場合
の動作説明図

【図１１】本発明を追記型媒体(CD-R)に適用した場合の
動作説明図

【図１２】本発明をCAV記録に適用した場合の動作説明
図

【図１３】本発明の発振遅延と従来の記録電流パルスエ
ッジ位置制御との組合せを説明する図

【符号の説明】

１・・・・ライトストラテジ部２・・・・記録電流Iwwレジスタ３・・・・記録電流Iewレジスタ４・・・・ボトム駆動電流Ib_sfp parameters memory ５・・・・ボトム駆動電流Ib_ecp parameters memory ６・・・・ボトム駆動電流Ib_fixedレジスタ７・・・・ボトム駆動電流Ib_zeroレジスタ８・・・・セレクタ９・・・・HFM (High Frequency Module) １０・・・Write DAC １１・・・電流加算部１２・・・半導体レーザ１３・・・Front monitor Photo detector 14・・・I-V amp １５・・・Write APC部１６・・・Read APC部 9_2・・・HFM AMP DAC 9_4・・・発振器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者星野隆司茨城県ひたちなか市稲田1410番地株式会社日立製作所デジタルメディア製品事業部内 (72)発明者榑林正明神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所デジタルメディア開発本部内Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB04 CC01 EE02 KK05 5D119 AA23 BA01 DA01 FA05 HA56 5F073 BA05 EA14 GA12 GA24 GA25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザより出力される光パルスを用
いてディスク上に情報を記録する光ディスク装置におい
て、半導体レーザの発振閾値電流より小さい電流値の第
１の駆動電流と発振閾値電流より大きい電流値の第２の
駆動電流を有し、半導体レーザの駆動電流を第１の駆動
電流から第２の駆動電流に変化させることによりディス
ク上に情報を記録するための光パルスを生成することを
特徴とする半導体レーザ駆動方法。
【請求項２】前記半導体レーザの駆動電流を、前記第１
の駆動電流から前記第２の駆動電流に変化させ、所定時
間後、該半導体レーザの発振閾値電流より小さい電流値
の第３の駆動電流に変化させることにより１つの光パル
スを生成し、ディスク上に記録するマーク長に対応した
数の光パルスの列をディスクに照射することによりディ
スク上にマークを形成することを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザ駆動方法。
【請求項３】前記半導体レーザの駆動電流を、前記第１
の駆動電流から前記第２の駆動電流に変化させ、ディス
ク上に記録するマーク長に対応した時間経過後、該半導
体レーザの発振閾値電流より小さい電流値の第３の駆動
電流に変化させることによりマーク長に対応した光パル
スを生成し、これを光ディスクに照射することによりデ
ィスク上にマークを形成することを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ駆動方法。
【請求項４】前記光パルス列を形成する光パルスのうち
少なくとも１つの光パルスを発光するにあたり、発光前
の前記第１の駆動電流の値を記録するマーク長に対応し
て可変することを特徴とする請求項２記載の半導体レー
ザ駆動方法。
【請求項５】前記光パルスの発光前の前記第１の駆動電
流の値を記録するマーク長に対応して可変することを特
徴とする請求項３記載の半導体レーザ駆動方法。
【請求項６】前記第３の駆動電流の値を記録するマーク
長に対応して可変することを特徴とする請求項２または
４記載の半導体レーザ駆動方法。
【請求項７】前記半導体レーザの発振閾値電流よりも大
きく、かつ前記第２の駆動電流より小さい第４の駆動電
流を有し、前記光パルス列の最後の光パルスの発光後、
所定時間経過後半導体レーザの駆動電流を該第１の駆動
電流から第４の駆動電流に変化させることを特徴とする
請求項２または４記載の半導体レーザ駆動方法。
【請求項８】半導体レーザより出力される光パルスを用
いてディスク上に情報を記録する光ディスク装置におい
て、記録すべき情報に対応した記録２値化信号を発生す
る記録２値化信号発生手段と、該記録２値化信号に対応
して、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段と
を有し、該半導体レーザ駆動手段は、半導体レーザの発
振閾値電流より小さい電流値の第１の駆動電流と該発振
閾値電流より大きい電流値の第２の駆動電流を有し、半
導体レーザの駆動電流を第１の駆動電流から第２の駆動
電流に変化させることにより半導体レーザを駆動し、該
半導体レーザより出力される光パルスを用いて光ディス
ク上に情報を記録することを特徴とする光ディスク装
置。
【請求項９】半導体レーザを駆動する駆動電流により半
導体レーザから出力される光パルスを用いてディスク上
に情報を記録する光ディスク装置において、前記半導体
レーザを駆動する駆動電流は、少なくとも、半導体レー
ザの発振閾値電流より小さい第１の駆動電流から、該発
振閾値電流より大きい第２の駆動電流に変化し、前記第
１の駆動電流値を変化させることにより、前記光パルス
の立ち上がり特性を制御することを特徴とする半導体レ
ーザ駆動方法。
【請求項１０】請求項９記載の半導体レーザ駆動方法で
あって、前記半導体レーザを駆動する駆動電流は、少な
くとも、半導体レーザの発振閾値電流より小さい第１の
駆動電流から、該発振閾値電流より大きい第２の駆動電
流に変化し、さらに、半導体レーザの発振閾値電流より
小さい第３の駆動電流に変化するパルス状の駆動電流か
らなり、前記第３の駆動電流値を変化させることによ
り、前記光パルスの立ち下がり特性を制御することを特
徴とする半導体レーザ駆動方法。