JP2009177013A - フレキシブル基材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、酸素含有銅膜２と無酸素銅膜３とを順に成膜するとともに、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層４を形成してなるフレキシブル基材とした。酸素含有銅膜２は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、残部を銅および不可避不純物からなる膜厚５ｎｍ以上のものとした。
【選択図】図１

Description

本発明は、特に、携帯電話やディスプレイ等のプリント配線板として利用される銅配線が形成されたポリイミドフィルムを製造するためのフレキシブル基材及びその製造方法に関するものである。

このフレキシブル基材としては、図３に示すように、ポリイミドフィルム９０の少なくとも片面に、ニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜９１と、この金属蒸着膜９１の上に銅蒸着膜９２とをそれぞれ成膜して、この銅蒸着膜９２の上に銅メッキ層９３を形成したものが知られている（例えば、特許文献１および２参照）。

このフレキシブル基材は、銅蒸着膜９２のポリイミドフィルム９０に対する密着力が低いことから、両者の間に金属蒸着膜９１を成膜することによって、この金属蒸着膜９１が密着力を発揮して、優れた剥離強度を具備している。
そして、このような金属蒸着膜９１、銅蒸着膜９２および銅メッキ層９３による積層膜が形成されたフレキシブル基材は、エッチング等によってパターニングすることによって銅配線が形成されたプリント配線板として用いられる。このプリント配線板は、一般的に、銅配線にＩＣチップ等の外付け部品が固着されて使用される。

ところが、上述のエッチングの際に、金属蒸着膜９１は、銅蒸着膜９２および銅メッキ層９３と成分が異なって、エッチング液によるエッチング速度も異なる。それ故に、銅積層膜は、銅メッキ層９３および銅蒸着膜９２と同一のエッチング液によって金属蒸着膜９１も一度にパターンニングしてしまうと、銅メッキ層９３や銅蒸着膜９２が過度に除去され、或いは金属蒸着膜９１が十分に除去されないため、所望の形状にパターニングすることができない。

このため、上記プリント配線板は、例えば、銅積層膜の上にフォトレジストを塗布して、露光、現像することによりレジストパターンを形成した後に、このレジストパターンをマスクパターンとして、フレキシブル基材をエッチング液に浸すことにより、銅メッキ層９３および銅蒸着膜９２をパターニングする。次いで、フレキシブル基材を異なるエッチング液に浸して、これら銅メッキ層９３および銅蒸着膜９２のパターンをマスクとして金属蒸着層９１をパターニングすることにより得られるものである。

従って、このフレキシブル基材を用いたプリント配線板の製造は、フレキシブル基材をエッチング液に浸す工程が２度必要となって、プリント配線板の生産効率が悪い上に、２種類のエッチング槽の管理が必要となることから作業効率も低下してしまうという問題がある。
これに加えて、上記プリント配線板は、金属蒸着層９１のみ異なるエッチング液に浸してパターンニングしても、エッチング液が銅メッキ層９３および銅蒸着膜９２の下層である金属蒸着膜９１まで浸透し難いことから金属蒸着膜９１の残渣が生じることがある。この金属蒸着膜９１の残渣は、ニッケルおよびクロムを主成分とすることから、マイグレーションの原因ともなって、配線を短絡させてしまう恐れがある。

特開２００４−３０３８６３号公報 特開２００４−２９９３１２号公報

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供することを課題とするものである。

請求項１に記載の発明に係るフレキシブル基材は、プラスチックフィルムの少なくとも片面に、酸素含有銅膜と無酸素銅膜とが順に成膜されるとともに、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層が形成されてなり、かつ上記酸素含有銅膜は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は2種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、残部が銅および不可避不純物からなり、かつその膜厚が５ｎｍ以上であることを特徴としている。

ここで、上記プラスチックフィルムとしては、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂又はポリエーテルエーテルケトン樹脂からなるフィルムが用いられる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のフレキシブル基材において、上記無酸素銅膜が銅および不可避不純物からなることを特徴としている。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のフレキシブル基材において、上記無酸素銅膜の膜厚が５０ｎｍ以上であることを特徴としている。

請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のフレキシブル基材において、上記プラスチックフィルムがポリイミドフィルムであることを特徴としている。

請求項５に記載の発明に係るフレキシブル基材の製造方法は、プラスチックフィルムの少なくとも片面に、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有し、かつ残部が銅および不可避不純物からなる膜厚５ｎｍ以上の酸素含有銅膜を成膜する第１の工程と、この酸素含有銅膜の上に無酸素銅膜を成膜する第２の工程と、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層を形成する第３の工程とを有することを特徴としている。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のフレキシブル基材の製造方法において、上記第１の工程は、上記Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を含有する銅をターゲットとして用いて、酸素含有アルゴン雰囲気下でスパッタすることにより上記酸素含有銅膜を成膜するとともに、上記第２の工程は、上記銅をターゲットとして用いて、アルゴン雰囲気下でスパッタすることにより上記無酸素銅膜を成膜することを特徴としている。

請求項１〜６に記載の発明によれば、プラスチックフィルムの少なくとも片面に、酸素含有銅膜、無酸素銅膜および銅メッキ層を形成したため、これら酸素含有銅膜等によって銅からなる銅積層膜が形成されることから、この銅積層膜の上にフォトレジスト等によってマスクパターンを形成して、フレキシブル基材をエッチング液に浸すことにより、銅積層膜を一度にパターニングすることができる。
このため、銅積層膜をパターニングしてプリント配線板を製造する際に、エッチング液に浸す工程が２度必要となることもなく、生産効率を上げることができるとともに、２種類のエッチング槽の管理が必要となることもなく、作業効率の低下も防止することができる。

加えて、プラスチックフィルムに、直接、酸素含有銅膜を成膜するため、銅積層膜をパターニングしてプリント配線板を製造した際にも、ニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜のエッチング残渣によるマイグレーションを防止できる。

さらに、フレキシブル基材は、酸素含有銅膜が酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有することによって、プラスチックフィルムと密着して、優れた常態ピール強度および耐熱ピール強度を発揮することができる。

また、この酸素含有銅膜の上に無酸素銅膜を成膜することによって、銅メッキ層を形成するために硫酸銅メッキ液に浸しても、酸素含有銅膜が露出されている場合と異なって硫酸銅メッキ液に溶解してしまうこともないため、効率的に良好な銅メッキ層を形成することができる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、この無酸素銅膜として、銅および不可避不純物からなる、所謂、純銅膜を用いることによって、請求項６に記載の発明によれば、銅をターゲットとして用いてアルゴン雰囲気下にてスパッタすることにより、純銅膜を蒸着させることによって、さらに硫酸銅メッキ液に対する耐食性を向上させることができるとともに、Ｍｏ等を含有していないことから、銅メッキ層との密着性も向上させることができる。

さらに、この無酸素銅膜は、請求項３に記載の発明のように、５０ｎｍ以上の膜厚を有することによって、確実に酸素含有銅膜の硫酸銅メッキ液への溶解を防止することができる。

また、プラスチックフィルムとしては、請求項４に記載の発明のように、耐熱安定性や耐薬品性に優れ、配線材料として好適なポリイミドフィルムを用いることができる。

以下、本発明に係るフレキシブル基材について図１を用いて説明し、次いで、このフレキシブル基材の製造方法について説明する。

まず、本実施形態のフレキシブル基材は、厚さ２０〜５０μｍの帯状のポリイミドフィルム（プラスチックフィルム）１の片面に、厚さ５〜２００ｎｍの酸素含有銅膜２が、この酸素含有銅膜２の上に厚さ５０〜２００ｎｍの無酸素銅膜３とがスパッタリングによって蒸着されている。そして、この無酸素銅膜３の上に、硫酸銅メッキ液による電解銅メッキによって５〜１０μｍ銅メッキ層４が形成されて構成されている。

この酸素含有銅膜２は、酸素を５〜２０ａｔ％含有するとともに、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％含有し、かつ残部が銅および不可避不純物からなるものである。すなわち、この酸素含有銅膜２は、酸素を含有する銅合金膜である。

これは、銅とともに合金を構成するＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅが０．２ａｔ％未満の場合に、酸素含有銅膜２のポリイミドフィルム１に対する密着力が低下して、所望の常態ピール強度や耐熱ピール強度が得られないためである。他方、８ａｔ％を超えた場合には、エッチング性が低下し、残渣を生じやすくなることから、マイグレーションの原因ともなって、配線を短絡させてしまう恐れがあるためである。
また、銅とともに合金を構成する金属としては、好ましくはＭｏ又はＭｇが用いられる。

さらに、酸素が５ａｔ％未満の場合には、酸素含有銅膜２のポリイミドフィルム１に対する密着力が低下して、所望の常態ピール強度や耐熱ピール強度が得られない。他方、酸素が２０ａｔ％を超えた場合には、比抵抗が大きくなって、メッキ不良の原因となってしまう。

なお、酸素含有銅膜２は、無酸素銅膜３の下に蒸着することによるポリイミドフィルム１に対する密着性向上の作用を得るために上述のように厚さ５ｎｍ以上に形成される。

この無酸素銅膜３は、厚さ５０ｎｍ以上の純銅膜又は銅合金膜のいずれであってもよく、硫酸銅メッキ液に浸漬しても溶解しない程度に微量の酸素を含有している銅膜も含まれるものである。また、より好ましくは、銅メッキ層４との密着性向上および比抵抗低下を目的として純銅膜が用いられている。
なお、この無酸素銅膜３は、銅メッキ層４を形成する際に、酸素含有銅膜２の硫酸銅メッキ液に対する溶解を防止する作用を得るために、上述のように厚さ５０ｎｍ以上に形成される。

次いで、上述のフレキシブル基材の製造方法について説明する。
本実施形態のフレキシブル基材の製造方法は、厚さ２０〜５０μｍポリイミドフィルム１の片面に、厚さ５〜２００ｎｍの酸素含有銅膜２を成膜する第１の工程と、この酸素含有銅膜２の上に厚さ５０〜２００ｎｍ無酸素銅膜３を成膜する第２の工程と、この無酸素銅膜３の上に銅メッキ層４を形成する第３の工程とを有している。

この第１の工程と第２の工程は、ＤＣマグネトロンスパッタ装置５によって、ポリイミドフィルム１の片面に酸素含有銅膜２を蒸着した後に、無酸素銅膜３を蒸着する。従って、まず、このＤＣマグネトロンスパッタ装置５について図２を用いて説明する。

ＤＣマグネトロンスパッタ装置５は、横断面略円状に構成されるとともに、その中心部に外観視円柱状の回転ドラム５０が軸方向を上下方向に向けて設置されている。そして、この回転ドラム５０の外周面に沿って、ポリイミドフィルム１の搬送方向の上流側から下流側に向けてＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を含有する複数（本実施形態において２基）の銅合金ターゲット６１と複数（本実施形態において５基）の純銅ターゲット６２とが順に設置されている。
これらの銅合金ターゲット６１と純銅ターゲット６２とがそれぞれ取り外し可能に設けられて、ターゲット６１、６２の設置数が調整可能であり、各ターゲット６１、６２の間には、隔壁部材５５が設けられている。

各ターゲット６１、６２は、それぞれ隔壁部材５５によって隣接するターゲット６１、６２との間が遮られており、ターゲット６１、６２が設置された隔壁部材５５間の各成膜室は、それぞれ内部雰囲気を調節可能である。また、ＤＣマグネトロンスパッタ装置５は、その内部を真空状態に近づける内圧調節手段と、その内部全体をアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気に調節する内部雰囲気調節手段と、各成膜室の酸素量を個別に調節する成膜室調節手段とを有している。
これにより、ターゲット６１が設置された成膜室は、それぞれ酸素を含有するアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気に保たれるようになっており、ターゲット６２が設置された成膜室は、それぞれ不活性ガス雰囲気に保たれるようになっている。

加えて、ＤＣマグネトロンスパッタ装置５の内部には、ポリイミドフィルム１の搬送方向の上流側に、ポリイミドフィルム１を巻き出す巻出しロール５１が備えられているとともに、同下流側に、酸素含有銅膜２および無酸素銅膜３が成膜されたポリイミドフィルム１を巻き取る巻き取りロール５２が備えられている。

これによって、上記第１の工程は、巻きだしロール５１から巻き出された帯状のポリイミドフィルム１を、帯幅方向を上下方向に向けて回転ドラム５０の外周壁面周りに沿わせた状態で搬送しつつ、このポリイミドフィルム１に銅合金ターゲット６１によって酸素含有の不活性ガス雰囲気下で酸素含有銅膜２を蒸着させる。
また、上記第２の工程は、この回転ドラム５０の外周壁面周り沿わせた状態のポリイミドフィルム１上の酸素含有銅膜２に、純銅ターゲット６２によって不活性ガス雰囲気下で無酸素銅膜３を蒸着させる。

そして、第１の工程および第２の工程によって酸素含有銅膜２および無酸素銅膜３が蒸着されたポリイミドフィルム１を、巻き取りロール５２に巻き取った後に、この巻き取りロール５２をメッキ装置に設置する。
ここで、このメッキ装置は、このポリイミドフィルム１の酸素含有銅膜２および無酸素銅膜３に電気を流す電力供給手段と、ポリイミドフィルム１を帯幅方向を上下方向に向けた状態で搬入させて、硫酸銅メッキ液に浸漬させることにより、無酸素銅膜３に銅メッキを施す電解メッキ槽とを有している。

これにより、上記第３の工程は、この巻き取りロール５２から巻き出したポリイミドフィルム１を、電解メッキ槽の硫酸銅メッキ液に浸漬させて、無酸素銅膜３に銅メッキを施す。

上述の実施形態におけるフレキシブル基材又はその製造方法によれば、ポリイミドフィルム１の片面に、酸素含有銅膜２、無酸素銅膜３および銅メッキ層４を形成したため、これらによって銅のみからなる銅積層膜が形成されることから、この銅メッキ層４の上にフォトレジスト等によってマスクパターンを形成して、フレキシブル基材をエッチング液に浸すことにより、銅積層膜を一度にパターニングすることができる。
このため、プリント配線板を製造する際に、エッチング液に浸す工程が２度必要となることもなく、生産効率を上げることができ、かつ２種類のエッチング槽の管理が必要となることもなく、作業効率の低下も防止することができる。

加えて、ポリイミドフィルム１に、直接、酸素含有銅膜２を成膜するため、銅積層膜をパターニングしてプリント配線板を製造した際にも、ニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜のエッチング残渣によるマイグレーションを防止できる。

さらに、酸素含有銅膜２は、酸素を５ａｔ％以上、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２ａｔ％以上それぞれ含有し、かつ膜厚が５ｎｍ以上であるため、ポリイミドフィルム１との密着力が良好であり、この酸素含有銅膜２を成膜したフレキシブル基材は、プリント配線板に要求される４００Ｎ／ｍ以上の常態ピール強度および耐熱ピール強度を得ることができる。

他方、酸素含有銅膜２は、酸素を２０ａｔ％以下、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で８ａｔ％以下としたため、比抵抗の上昇が抑えられており、この酸素含有銅膜２を成膜したポリイミドフィルム１に対する電解銅メッキによる銅メッキ層４の形成の際には、電圧の上昇を抑えて、メッキ不良の発生を阻止することができる。さらには、パターニングの際のエッチング性の低下による配線の短絡を防止することができる。

また、この酸素含有銅膜２の上に膜厚５０ｎｍ以上の無酸素銅膜３を成膜したため、銅メッキ層４を形成するために硫酸銅メッキ液に浸しても硫酸銅メッキ液に溶解することなく、効率的に良好な銅メッキ層を形成することができる。

なお、本発明は、上述の実施形態に何ら限定されるものでなく、例えば、ポリイミドフィルム１の両面に酸素含有銅膜２と無酸素銅膜３とが成膜されていてもよいものである。

［実験例１］
まず、２２枚のポリイミドフィルム片を、順次ＤＣマグネトロンスパッタ装置に配置して、次々に表１に示す実施例１〜１６および比較例１〜６の酸素含有銅膜を成膜したポリイミドフィルムを得た。
その際、ＤＣマグネトロンスパッタ装置におけるスパッタパワーを６００Ｗに、内圧調節手段によって到達真空度を５×１０^-5Ｐａにそれぞれ調節するとともに、内部雰囲気調節手段によって内部雰囲気をガス圧０．１５Ｐａの酸素含有アルゴンガス雰囲気に調節した。

次いで、この実施例１〜１６および比較例１〜６の酸素含有銅膜を成膜したポリイミドフィルムを、再度、ＤＣマグネトロンスパッタ装置に配置した。そして、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を、内部雰囲気調節手段によってガス圧０．１５Ｐａのアルゴンガス雰囲気にした以外は酸素含有銅膜の際と同一の条件に調節して、酸素含有銅膜の上に膜厚１００ｎｍの純銅からなる無酸素銅膜を成膜して、実施例１〜１６および比較例１〜６のフレキシブル基材を得た。

次いで、これらのフレキシブル基材のピール強度を、エッチングによって作製したライン巾１００μｍのテストパターンを試料として、ＪＩＳＣ５０１６に従って測定し、表１に示した。なお、耐熱ピール強度は、15０℃で１６８時間大気中で加熱した後のピール強度である。

表１から判るように、酸素を５〜２０ａｔ％含有するとともに、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％含有する酸素含有銅膜が成膜された実施例１〜１６のフレキシブル基材は、常態ピール強度および耐熱ピール強度がいずれも４００Ｎ／ｍを超えて、優れた剥離強度を有している。

他方、Ｍｏ等の合金を構成する元素を含有していない比較例１のフレキシブル基材は、常態ピール強度が６３．７Ｎ／ｍであって、耐熱ピール強度が４６．４Ｎ／ｍであり、著しく剥離強度が低下していることが判る。
さらには、酸素を４ａｔ％含有する比較例２およびＭｎを０．１ａｔ％含有する比較例４のフレキシブル基材も、常態ピール強度および耐熱ピール強度がともにプリント配線板に要求される４００Ｎ／ｍを下回っている上に、著しく耐熱ピール強度が低下している。

加えて、酸素含有銅膜の膜厚が４ｎｍである比較例６のフレキシブル基材も、常態ピール強度および耐熱ピール強度がともに４００Ｎ／ｍを下回っている。
なお、酸素を２２ａｔ％含有する比較例３およびＭｎを９ａｔ％含有する比較例５のフレキシブル基材は、いずれも常態ピール強度および耐熱ピール強度ともに優れているが、比較例３のフレキシブル基材は、比抵抗が高くなってしまう。また、比較例５のフレキシブル基材は、エッチング性が低下してしまう。
従って、酸素含有銅膜は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、５ｎｍ以上の膜厚を有することが剥離強度、比抵抗およびエッチング性の観点から好ましい。

[実験例２]
３枚のポリイミドフィルム片を、順次ＤＣマグネトロンスパッタ装置に配置して、次々に表２に示す実施例１７および比較例７〜８の酸素含有銅膜を成膜したポリイミドフィルムを得た。なお、ＤＣマグネトロンスパッタ装置は、実験例１と同一の条件に設定した。

次いで、この実施例１７および比較例８の酸素含有銅膜を成膜したポリイミドフィルムを、再度、ＤＣマグネトロンスパッタ装置に配置した。そして、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を、内部雰囲気調節手段によってガス圧０．１５Ｐａのアルゴンガス雰囲気にした以外は酸素含有銅膜の際と同一の条件に調節して、酸素含有銅膜の上に表２に示す膜厚の純銅からなる無酸素銅膜を成膜して、フレキシブル基材を得た。

次いで、この実施例１７および比較例７〜８のフレキシブル基材を、酸洗浄後、電解メッキ槽の硫酸銅メッキ液に浸漬させた。このメッキ処理の際の酸素含有銅膜や無酸素銅膜の溶解の有無について表２に示した。

表２に示すように、無酸素銅膜が成膜されていない比較例７のフレキシブル基材は、酸洗浄中に酸素含有銅膜が完全に溶解してしまったため、銅メッキが施されなかった。
比較例８の膜厚４０ｎｍの無酸素銅膜が成膜されたフレキシブル基材は、無酸素銅膜や酸素含有銅膜がメッキ液中で一部溶解してしまったため、銅メッキを施すことができたものの、銅メッキが容易にポリイミドフィルムから剥離してしまった。
これに対して、実施例１７の膜厚５０ｎｍの無酸素銅膜が成膜されたフレキシブル基材は、無酸素銅膜や酸素含有銅膜がメッキ液中で溶解することなく、所望膜厚の銅メッキを施すことができた。

本発明に係るフレキシブル基材を示す模式図である。 本発明に係るフレキシブル基材を製造する際に用いられるＤＣマグネトロンスパッタ装置５の横断面模式図である。 従来のフレキシブル基材を示す模式図である。

符号の説明

１ ポリイミドフィルム（プラスチックフィルム）
２ 酸素含有銅膜
３ 無酸素銅膜
４ 銅メッキ層

Claims (6)

1. プラスチックフィルムの少なくとも片面に、酸素含有銅膜と無酸素銅膜とが順に成膜されるとともに、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層が形成されてなり、かつ
   上記酸素含有銅膜は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は2種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、残部が銅および不可避不純物からなり、かつその膜厚が５ｎｍ以上であることを特徴とするフレキシブル基材。
2. 上記無酸素銅膜は、銅および不可避不純物からなることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基材。
3. 上記無酸素銅膜は、その膜厚が５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル基材。
4. 上記プラスチックフィルムは、ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のフレキシブル基材。
5. プラスチックフィルムの少なくとも片面に、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は2種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有し、かつ残部が銅および不可避不純物からなる膜厚５ｎｍ以上の酸素含有銅膜を成膜する第１の工程と、この酸素含有銅膜の上に無酸素銅膜を成膜する第２の工程と、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層を形成する第３の工程とを有することを特徴とするフレキシブル基材の製造方法。
6. 上記第１の工程は、上記Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は2種以上を含有する銅をターゲットとして用いて、酸素含有アルゴン雰囲気下でスパッタすることにより上記酸素含有銅膜を成膜するとともに、
   上記第２の工程は、上記銅をターゲットとして用いて、アルゴン雰囲気下でスパッタすることにより上記無酸素銅膜を成膜することを特徴とする請求項５に記載のフレキシブル基材の製造方法。

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