JP2009163273A - 反射型液晶表示装置の製法 - Google Patents
反射型液晶表示装置の製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009163273A JP2009163273A JP2009105561A JP2009105561A JP2009163273A JP 2009163273 A JP2009163273 A JP 2009163273A JP 2009105561 A JP2009105561 A JP 2009105561A JP 2009105561 A JP2009105561 A JP 2009105561A JP 2009163273 A JP2009163273 A JP 2009163273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- insulating film
- liquid crystal
- reflective
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 95
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 62
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 241000533901 Narcissus papyraceus Species 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 277
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004424 eye movement Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】基板の上にゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第2工程と、ゲート絶縁膜、半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、ソース電極およびソース配線ドレイン電極を形成する第4工程と、層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第5工程と、画素部に反射画素電極を形成する第6工程とを含んでいる。
【選択図】図3
Description
参考例1にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射膜からなる画素電極を有するTFT基板の製法を図1〜3に基づいて説明する。図1〜3は参考例1にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、図4は参考例1にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の平面図である。図1ではゲート端子部、ゲート配線とソース配線の交差部(ゲート/ソース配線交差部)、TFT部、反射膜からなる画素電極が形成される画素部の断面を示している。まず図1に示されるように、ガラス基板などの絶縁性基板1の上にスパッタリングなどの方法で第1の金属薄膜を成膜したのち、第1のフォトリソグラフィを用いてパターニングして、ゲート電極2、ゲート配線3、電気容量を形成するための補助容量電極(配線)4およびゲート端子部5のパターンを形成する。第1の金属薄膜としては、たとえばクロム(Cr)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、銅(Cu)などまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金などを用いることができる。また、これらの金属または合金を積層した積層膜を用いることができる。膜厚は100〜500nmとするのが好ましい。好適な実施例として、ここでは200nmの厚さのCr膜を成膜したのち、公知の硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む薬液を用いてウエットエッチングを行ない、図1(a)に示されるパターンを形成した。
参考例2にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するTFT基板の製法を図9〜10に基づいて説明する。図9〜10は参考例2にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、参考例1と同一部分は同一符号で示されている。参考例2において、前記参考例1における図1〜図2までの製法は同じであるので説明を省略する。
本発明の実施の形態3にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するTFT基板の製法を図11に基づいて説明する。図11は実施の形態3にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、参考例1と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態3において、前記参考例1における図1〜図2までの製法は同じであるので説明を省略する。
本発明の実施の形態4にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するTFT基板の製法を図13〜14に基づいて説明する。図13〜14は実施の形態4にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態3と同一部分は同一符号で示されている。また、本実施の形態4において、前記参考例1における図1〜図2までの製法は同じであるので説明を省略する。
本発明の実施の形態5にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するTFT基板の製法を図15〜16に基づいて説明する。図15〜16は実施の形態5にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態3と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態5において、前記参考例1における図1〜図2までの製法は同じであるので説明を省略する。
本発明の実施の形態6にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するTFT基板の製法を図18に基づいて説明する。図18は実施の形態6にかかわる反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製法を示す断面図であり、参考例1、5とどう一部分は同一符号で示されている。本実施の形態6において、前記実施の形態5における図15までの製法は同じであるので説明を省略する。
前述の本実施の形態5、6では、有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜15に複数形成する凹状くぼみ24の平面形状を円形、楕円形またはこれらに近い多角形となるような構成としたが、これに限らずストライプ状または複数の山と谷をもつ波形状となるように形成してもよい。また、形状や大きさについても1種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。好適な実施例として、ここでは図19〜21に示されるような平面形状の凹状くぼみ24を形成した。X軸方向はLCDの使用状態での水平方向を表す。この場合はLCDの上下方向に異方性をもつ散乱反射特性を実現することができる。反射型LCDにおいては、入射光の方向が上方からの成分が多いため、反射光が下方に向かう傾向があり、この傾向を是正するためには異方性の反射特性が望ましい。このストライプ状の方向や波形状は図19〜21に限定されるものではなく、要求される散乱反射特性に応じて適宜設定することができる。
これまで述べてきた本発明の参考例1〜3および実施の形態4〜7においては、第2のフォトリソグラフィを用いて第1の絶縁膜6の画素領域に形成する第1の凸状パターン7の平面形状を図5(a)、図5(b)に示されるような円形もしくは円形に近い多角形または図6(a)、図6(b)に示されるような楕円もしくは楕円に近い多角形としたが、これに限らずストライプ状または複数の山と谷をもつ波形状となるように形成してもよい。また、形状や大きさについても1種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。好適な実施例として、ここでは図22〜24に示されるような平面形状の第1の凸状パターン7を形成した。第1の凸状パターン7を形成するときのエッチングは、公知のガス組成、たとえばSF6とO2の混合ガスまたはCF4とO2の混合ガスを用いたドライエッチング法を用いた。
2 ゲート電極
3 ゲート配線
4 補助容量配線(電極)
5 ゲート端子部
6 第1の絶縁膜
7 第1の絶縁膜の第1の凸状パターン
8 第2の絶縁膜
9 半導体能動膜
10 オーミックコンタクト膜
11 ソース配線
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14 TFTのチャネル部
15 第1の層間絶縁膜
16 ゲート端子部のコンタクトホール
17 画素/ドレイン電極間のコンタクトホール
18 第1の層間絶縁膜の第2の凸状パターン
19 第1の層間絶縁膜が除去された領域
20 ゲート端子用パッド
21 反射画素電極
22 第2の層間絶縁膜
23 第1の層間絶縁膜に形成された凹状のパターン
24 第1の層間絶縁膜の平坦領域に形成された凹状くぼみ
25 光源
26 直接入射光
27 間接入射光
28 観察者
29 反射光
Claims (18)
- 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第5工程と、
画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第6工程
とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第5工程と、
画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第2の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第6工程と、
画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第7工程
とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 前記第5工程において有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の画素部に凹状の複数のパターンを形成するために該第1の層間絶縁膜が除去された部分には、前記第2工程における、SiNまたはSiO2からなる絶縁膜の画素領域に設けた複数の凸パターンが存在する複数の領域がある請求項1または2記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 前記SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンが円形、円形に近い多角形、楕円形または楕円形に近い多角形である請求項1、2または3記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 前記SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンがストライプ形状である請求項1、2または3記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凹状の複数のパターンを形成する第5工程と、
さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の凹状パターン以外の表面の平坦な領域に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第6工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第7工程とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凹状の複数のパターンを形成する第5工程と、
さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の凹状パターン以外の表面の平坦な領域に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第6工程と、
画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第2の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第7工程と、
画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第8工程
とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 前記有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の凹状パターン以外の表面の平坦な領域に形成する複数の凹状のくぼみがストライプ形状である請求項6または7記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンを形成する第5工程と、
さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の凹状の複数のパターン以外の表面の平坦な領域に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第6工程と、
画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第7工程
とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第1工程と、
SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第2工程と、
SiNまたはSiO2などからなるゲート絶縁膜、Siなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第3工程と、
導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第4工程と、
有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンを形成する第5工程と、
さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の凹状の複数のパターン以外の表面の平坦な領域に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第6工程と、
画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第2の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第7工程と、
画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第8工程とを含む反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。 - 前記第5工程において、有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の画素部に複数の凹状のパターンを形成するために、該層間絶縁膜が除去された部分には、第2工程における、SiNまたはSiO2からなる絶縁膜の画素領域に設けた複数の凸パターンが存在する複数の領域がある請求項9または10記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 前記SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンが円形もしくは円形に近い多角形、または楕円形もしくは楕円形に近い多角形である請求項9、10または11記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 前記SiNまたはSiO2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンがストライプ形状である請求項9、10または11記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜の前記複数の凹状パターン以外の表面の平坦な領域に形成する複数の凹状のくぼみがストライプ形状である請求項9、10、11、12または13記載の反射型表示部を有する液晶表示装置の製法。
- 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含み、前記一対の基板のうち、一方の基板上には画素部の表面に凹凸形状を有する絶縁層と該絶縁層の該凹凸形状を覆い、光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置であって、前記一方の基板上に形成される導電膜からなるゲート電極とゲート配線と、
前記一方の基板上に形成されるSiNまたはSiO2からなる第1の凸状パターンと、
前記ゲート電極と前記ゲート配線と前記第1の凸状パターンを覆うように形成されたSiNまたはSiO2からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように形成されて、Siからなる半導体能動膜と、
前記半導体能動膜上に形成されるオーミックコンタクト膜と、
前記オーミックコンタクト膜を介して前記半導体能動膜と接続するように形成された導電膜からなるソース電極、ソース配線、ドレイン電極と、それらを覆うように形成されて、画素部において凹状の複数のパターンと、
前記ドレイン電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールとを有する有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜と、
前記第1の凸状パターンと前記凹状の複数のパターンとによる前記凹凸形状を覆うようにして、前記第1の層間絶縁膜上に形成される反射膜からなる反射画素電極とを備えた
ことを特徴とする反射型表示部を有する液晶表示装置。 - 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含み、前記一対の基板のうち、一方の基板上には画素部の表面に凹凸形状を有する絶縁層と該絶縁層の該凹凸形状を覆い、光を反射する画素電極とが形成されている反射型表示部を有する液晶表示装置であって、前記一方の基板上に形成される導電膜からなるゲート電極とゲート配線と、
前記一方の基板上に形成されるSiNまたはSiO2からなる第1の凸状パターンと、
前記ゲート電極と前記ゲート配線と前記第1の凸状パターンを覆うように形成されたSiNまたはSiO2からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように形成されて、Siからなる半導体能動膜と、
前記半導体能動膜上に形成されるオーミックコンタクト膜と、
前記オーミックコンタクト膜を介して前記半導体能動膜と接続するように形成された導電膜からなるソース電極、ソース配線、ドレイン電極と、それらを覆うように形成されて、画素部において複数の凹状の複数のパターンと、
前記ドレイン電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールとを有する有機樹脂からなる第1の層間絶縁膜と、
前記第1の凸状パターンと前記凹状の複数のパターンとによる前記凹凸形状を覆うようにして、前記第1の層間絶縁膜上に形成される反射膜からなる反射画素電極とを備えた
ことを特徴とする反射型表示部を有する液晶表示装置。 - 前記第1層間絶縁膜において、前記凹状の複数のパターン以外の表面の平坦な領域に、凹状のくぼみを形成したことを特徴とする請求項15または16に記載の反射型表示部を有する液晶表示装置。
- 前記画素部において、前記第1層間絶縁膜が除去された部分には、複数の前記第1の凸状パターンが存在する複数の領域があることを特徴とする請求項15、16および17のいずれかに記載の反射型表示部を有する液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105561A JP4824096B2 (ja) | 2009-04-23 | 2009-04-23 | 反射型液晶表示装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105561A JP4824096B2 (ja) | 2009-04-23 | 2009-04-23 | 反射型液晶表示装置およびその製法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003288799A Division JP4319872B2 (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 反射型液晶表示装置の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009163273A true JP2009163273A (ja) | 2009-07-23 |
JP4824096B2 JP4824096B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=40965875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009105561A Expired - Lifetime JP4824096B2 (ja) | 2009-04-23 | 2009-04-23 | 反射型液晶表示装置およびその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4824096B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011070866A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20170109154A (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11337961A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000098375A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000111899A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002107750A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルとその駆動方法 |
JP2003015158A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Nec Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2005055808A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Advanced Display Inc | 反射型液晶表示装置の製法 |
-
2009
- 2009-04-23 JP JP2009105561A patent/JP4824096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11337961A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000098375A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000111899A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002107750A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルとその駆動方法 |
JP2003015158A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Nec Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2005055808A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Advanced Display Inc | 反射型液晶表示装置の製法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011070866A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN102667587A (zh) * | 2009-12-08 | 2012-09-12 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
US20120281171A1 (en) * | 2009-12-08 | 2012-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP5425935B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-02-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN102667587B (zh) * | 2009-12-08 | 2015-05-20 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
KR20170109154A (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102529614B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2023-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4824096B2 (ja) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3768367B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3600531B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI584032B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
US8659726B2 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display | |
JP5245028B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP5284106B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
JP4606822B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置の製造方法 | |
KR100652997B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 전자기기 | |
KR100438164B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP4319872B2 (ja) | 反射型液晶表示装置の製法 | |
US20030053016A1 (en) | Formed body, reflecting plate, reflection display device, and method for fabricating reflecting plate | |
TW200424603A (en) | Liquid crystal display | |
JP4541815B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR20080040304A (ko) | 프린지 필드 스위칭 액정 표시 소자 | |
JP2009139853A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4390595B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4875702B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP2003177407A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5036678B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4824096B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製法 | |
WO2010061555A1 (ja) | 液晶表示装置、及び液晶表示装置のtft基板の製造方法 | |
US9244322B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP4079199B2 (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
JP4420698B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2006154585A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090423 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4824096 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |