JP2009162983A - Electro-optical device, driving circuit, driving method, and electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。 The present invention relates to a technique for suppressing display unevenness generated in a horizontal direction when a voltage of a common electrode is changed in an electro-optical device such as a liquid crystal.
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量(液晶容量)が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際に、データ線の電圧振幅を抑えるために、コモン電極を走査線毎(行毎)に個別化するとともに、走査線が選択されるときに、当該選択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた2値電圧のいずれかとする技術が知られている(特許文献1参照)。
しかしながら、この技術では、コモン電極を2値電圧のいずれかとする際に、コモン電極に至るまでの抵抗が大きいと、表示むらの発生原因となる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の1つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
However, in this technique, when the common electrode is set to one of the binary voltages, if the resistance to the common electrode is large, display unevenness is caused.
The present invention has been made in view of such circumstances, and one of its purposes is to provide a technique for suppressing the occurrence of display unevenness in a configuration in which common electrodes are individually driven.
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、一のコモン電極は、画素容量に電圧を書き込むために走査線に選択電圧が印加される期間において、電圧変化方向に過剰に振った第3(第4)電圧が印加された後に、第1(第2)電圧が印加されるので、選択電圧の印加終了時において、コモン電極に至るまでの抵抗が大きくても、第1(第2)電圧に近づけることができる。 In order to achieve the above object, a drive circuit of an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines, Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, each of which is connected to the data line and is in a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line. A pixel switching element, and a pixel including one end connected to the other end of the pixel switching element and the other end connected to a common electrode. A scanning line driving circuit that selects a plurality of scanning lines in a predetermined order and applies a selection voltage to the selected scanning line, and a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, Selection voltage is applied Between the first period closer to the front and the second period closer to the rear, either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage is applied in the second period. In addition, when applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in advance in the first period, and the second voltage is applied in the second period. In the case of applying, a common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance, and a pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gray level of the pixel through the data line. According to the present invention, the third (fourth) voltage that is excessively swung in the voltage change direction is applied to the one common electrode during the period in which the selection voltage is applied to the scanning line in order to write the voltage to the pixel capacitor. After that, since the first (second) voltage is applied, even when the resistance to the common electrode is large at the end of the application of the selection voltage, the first (second) voltage can be approached.
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される構成が好ましい。
この構成において、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモ
ン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路とをさらに備えるのが好ましい。
選択電圧の印加期間のうち、時間的に前方寄りの第1期間では、コモン電極と検出線との電圧差が大きい場合があるので、検出線の電圧をいきなり第1(第2)電圧となるように制御すると、電流が多く流れたり、発振したりする不具合が発生する可能性がある。この構成では、第1期間では、そのような制御を行わず、バッファリングだけを行って、電圧差が小さくなるようにした上で、その後の第2期間で、上記制御を行うので、上記不具合の発生が抑えられる。
このようなコモン信号出力回路の構成としては、前記第1期間において前記第3または第4電圧となり、前記第2期間において前記第1または第2電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオンし、前記第2期間においてオフする第1スイッチと、前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオフし、前記第2期間においてオンする第2スイッチと、を含むことが考えられる。
また、前記コモン信号出力回路は、一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する構成としても良い。このような構成によれば、補助スイッチがオンしたときに、コモン信号出力回路によって出力されるコモン信号を、給電線およびトランジスタを介した経路とともに、検出線および補助スイッチを介した経路によってもコモン電極に供給することができる。
In the present invention, the common electrode driving circuit has a transistor corresponding to each of the common electrodes, and the transistor corresponding to one common electrode has a scanning line whose gate electrode corresponds to the one common electrode. The common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied is preferably supplied through the power supply line, with the source electrode connected to the power supply line that supplies the common signal.
In this configuration, the common electrode is provided corresponding to each of the common electrodes, and each of the common electrode and the detection line is applied when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection that is turned on in between, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period, and a control that controls the detection line to be the first or second voltage in the second period It is preferable to further include a common signal output circuit that outputs the obtained voltage as the common signal to the feeder line.
Among the selection voltage application periods, in the first period closer to the front in time, the voltage difference between the common electrode and the detection line may be large, so the voltage of the detection line suddenly becomes the first (second) voltage. Such a control may cause a problem that a large amount of current flows or oscillates. In this configuration, since such control is not performed in the first period, only the buffering is performed so that the voltage difference is reduced, and then the control is performed in the second period thereafter, the above-described problem. Occurrence is suppressed.
As a configuration of such a common signal output circuit, a target signal that becomes the third or fourth voltage in the first period and becomes the first or second voltage in the second period is input to a non-inverting input terminal. , An operational amplifier whose output terminal is connected to the power supply line, and an electrical terminal between the output terminal of the operational amplifier and the inverting input terminal of the operational amplifier, and is turned on in the first period, and in the second period. A first switch that is turned off, and a second switch that is electrically inserted between the detection line and the inverting input terminal of the operational amplifier, and is turned off in the first period and turned on in the second period. It is possible.
The common signal output circuit further includes an auxiliary switch that is turned on between the power supply line and the detection line in a temporally forward period in a period in which a selection voltage is applied to one scanning line. It is good also as a structure. According to such a configuration, when the auxiliary switch is turned on, the common signal output by the common signal output circuit is shared not only by the path via the feeder line and the transistor but also by the path via the detection line and the auxiliary switch. The electrode can be supplied.
また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタの組を有し、一のコモン電極に対応する前記第1トランジスタは、ソース電極が第1コモン信号を給電する第1給電線に接続され、前記第2トランジスタは、ソース電極が第2コモン信号を給電する第2給電線に接続され、前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第1ゲート信号が供給される第1信号線に接続され、ドレイン電極が前記第1トランジスタのゲート電極に接続され、前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第2ゲート信号が供給される第2信号線に接続され、ドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に接続され、前記第1および第2ゲート信号は、前記第1および第2トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してするか、前記第2給電線を介してするかについて規定する構成としても良い。この構成によれば、コモン電極が第1または第2給電線に非選択期間でも接続されるので、電位が不確定となる期間をなくす、または、極力少なくすることができる。 In the present invention, the common electrode driving circuit has a set of first to fourth transistors corresponding to each of the common electrodes, and the first transistor corresponding to one common electrode is a source electrode. Is connected to a first feed line that feeds a first common signal, the second transistor has a source electrode connected to a second feed line that feeds a second common signal, and drain electrodes of the first and second transistors Is connected to the one common electrode, the third transistor has a gate electrode connected to the scanning line corresponding to the one common electrode, and a source electrode connected to the first signal line to which the first gate signal is supplied. The drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor; the fourth transistor has a gate electrode connected to the scanning line corresponding to the one common electrode; The second electrode is connected to a second signal line to which a second gate signal is supplied, the drain electrode is connected to the gate electrode of the second transistor, and the first and second gate signals are the first and second The voltage is used to turn on and off the transistors exclusively, and power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the first power supply line or via the second power supply line. It is good also as a structure which prescribes | regulates whether to do. According to this configuration, since the common electrode is connected to the first or second feeder line even in the non-selection period, the period in which the potential is indefinite can be eliminated or minimized.
また、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第1給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第1コモン信号として前記第1給電線に出力する一方、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第2給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第
4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第2コモン信号として前記第2給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する構成としても良い。この構成によれば、電流が多く流れたり、発振したりする不具合の発生が抑えられる。
さらに、前記第1および第2ゲート信号は、一のコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してする場合と、前記第2給電線を介してする場合とで交互とするように決定する構成としても良い。この構成によれば、第1および第2トランジスタのオン期間が短くなるので、特性劣化を防止することができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、駆動方法としても、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
The common electrode is provided corresponding to each of the common electrodes, and each of the common electrodes is provided between the common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the common electrode. In the case where the detection switching element that is turned on and the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied are fed through the first feeding line, the third or fourth in the first period. A voltage obtained by buffering the voltage and controlling the voltage of the detection line to be the first or second voltage in the second period is output to the first power supply line as the first common signal, respectively. On the other hand, when power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the second power supply line, the third or fourth voltage is buffered in the first period. A common signal output circuit that outputs a voltage that is controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period, as the second common signal, respectively, It is good also as a structure which further has. According to this configuration, it is possible to suppress the occurrence of a problem that a large amount of current flows or oscillates.
Further, the first and second gate signals are determined so as to alternate between when power is supplied to one common electrode through the first power supply line and through the second power supply line. It is good also as composition to do. According to this configuration, the ON period of the first and second transistors is shortened, so that characteristic deterioration can be prevented.
The present invention can be conceptualized not only as a driving circuit for an electro-optical device, but also as a driving method, an electro-optical device, and an electronic apparatus having the electro-optical device.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置10は、表示領域100の周辺に、走査線駆動回路140、コモン電極駆動回路170、データ線駆動回路190が配置するとともに、制御回路20が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
<First Embodiment>
First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention.
As shown in this figure, in the electro-
表示領域100は、画素110が配列する領域であり、本実施形態では、320行の走査線112が行(X)方向に延在するように設けられ、また、240列のデータ線114が列(Y)方向に延在するように設けられている。そして、1〜320行目の走査線112と1〜240列目のデータ線114との交差に対応して、画素110がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素110が表示領域100において縦320行×横240列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、1〜320行目の走査線112に対応して、それぞれコモン電極108がX方向に延在して設けられている。
The
Corresponding to the
画素110の詳細な構成について説明する。図2は、画素110の構成を示す図であり、i行及びこれに下方向で隣接する(i+1)行と、j列及びこれに右方向で隣接する(j+1)列との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
なお、i、(i+1)は、画素110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。
A detailed configuration of the
Note that i and (i + 1) are symbols for generally indicating a row in which the
図2に示されるように、各画素110は、画素スイッチング素子として機能するnチャネル型の薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下単に「TFT」と略称する)116と、画素容量(液晶容量)120と、蓄積容量130とを有する。各画素110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明すると、当該i行j列の画素110において、TFT116のゲート電極はi行目の走査線112に接続される一方、そのソース電極はj列目のデータ線114に接続され、そのドレイン電極は画素容量120および蓄積容量130の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量120の他端および蓄積容量130の他端は、それぞれコモン電極108に接続されている。
図2において、Yi、Y(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の走査線112に供給される走査信号を示し、また、Ci、C(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目
のコモン電極108の電圧を示している。なお、これらの画素容量120の光学特性等については、後述する。
As shown in FIG. 2, each
In FIG. 2, Yi and Y (i + 1) indicate scanning signals supplied to the
説明を再び図1に戻すと、制御回路20は、各種制御信号を出力して電気光学装置10における各部の制御等をするとともに、コモン信号Vcを、給電線161を介してコモン
電極駆動回路170に供給する。
Returning again to FIG. 1, the
表示領域100の周辺には、上述したように、走査線駆動回路140や、コモン電極駆動回路170、データ線駆動回路190などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路140は、制御回路20による制御にしたがって、1フレームの期間にわたって走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y320を、それぞれ1、2、3、…、320行目の走査線112に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路140は、走査線112を図1において上から数えて1、2、3、…、320行目という順番で選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Vddに相当するHレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧Vssに相当するLレベルとする。
なお、走査線駆動回路140は、図4に示されるように、制御回路20から供給されるスタートパルスDyを、クロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320を、この順番でHレベルとさせる。
また、本実施形態において1フレームの期間には、同図に示されるように、走査信号Y1がHレベルになってから走査信号Y320がLレベルになるまでの垂直有効走査期間Faのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、1行の走査線112が選択される
期間が水平走査期間Hである。
As described above, peripheral circuits such as the scanning
Among these, the scanning
As shown in FIG. 4, the scanning
The scanning signals Y1, Y2, Y3, Y4,..., Y320 are set to the H level in this order.
In this embodiment, in the period of one frame, as shown in the figure, in addition to the vertical effective scanning period Fa from when the scanning signal Y1 becomes H level to when the scanning signal Y320 becomes L level, Other vertical blanking periods are included. A period during which one row of
コモン電極駆動回路170は、本実施形態では、1〜320行目のコモン電極108に対応して設けられたnチャネル型のTFT171(トランジスタ)から構成される。ここで、i行目のコモン電極108に対応るするTFT171について説明すると、当該TFT171のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極が給電線161に接続され、そのドレイン電極がi行目のコモン電極108に接続されている。
In the present embodiment, the common
データ線駆動回路190は、走査線駆動回路140によって選択される走査線(選択走査線)に位置する画素110に対して、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Polで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線114に供給するものである。
ここで、データ線駆動回路190は、縦320行×横240列のマトリクス配列に対応した記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素110の階調値(明るさ)を指定する表示データDaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タDaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路20によって変更後の表示データDaが供給されて記憶領域の内容が書き換えられる。
データ線駆動回路190は、選択走査線に位置する画素110の表示データDaを記憶
領域から1行分読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線114に供給する動作を、選択走査線位置する1〜240列のそれぞれについて実行する。
The data line driving
Here, the data
The data line driving
また、制御回路20は、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスLpをデータ線駆動回路190に供給する。上述したように、走査線駆動回
路140は、スタートパルスDyをクロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングとなる。したがって、データ線駆動回路190は、例えばラッチパルスLpを1フレーム
の期間開始からカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのかを知り、
さらに、ラッチパルスLpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知る
ことができる。
Further, the
Furthermore, the selection start timing can be known from the supply timing of the latch pulse Lp.
書込極性は、制御回路20によって出力される極性指定信号Polによって指定される。詳細には、極性指定信号Polは、本実施形態では図4に示されるように、ある1フレームの期間(「nフレーム」と表記)において、奇数1、3、5、…、319行への走査信号がHレベルとなる期間においてHレベルとなって正極性書込を指定し、偶数2、4、6、…、320行への走査信号がHレベルとなる期間においてLレベルとなって負極性書込を指定する。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、走査線毎に反転する走査線反転(ライン反転)方式となる。
また、極性指示信号Polは、次の(n+1)フレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる期間においてLレベルとなり、偶数行への走査信号がHレベルとなる期間においてHレベルとなって、nフレームと比較して各行について書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量120に対して電圧を保持させる際に、コモン電極108の電圧よりも画素電極118の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
The write polarity is designated by a polarity designation signal Pol output by the
In addition, in the next (n + 1) frame, the polarity instruction signal Pol becomes L level during a period when the scanning signal to the odd-numbered row is H level, and becomes H level during the period when the scanning signal to the even-numbered row is H level. Thus, the writing polarity is inverted for each row as compared with the n frame. The reason for reversing the writing polarity in this way is to prevent deterioration of the liquid crystal due to application of a DC component.
As for the writing polarity in the present embodiment, when the voltage is held in the
コモン信号Vcは、極性指示信号Polによって、ある行の画素に対して正極性書込が指
定されていれば、当該行への走査信号がHレベルとなる期間のうち、時間的に前方寄りの期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、残りの期間である時間的に後方寄りの期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該行への走査信号が
Hレベルとなる期間のうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおい
て電圧Vshとなる。
ここで、電圧Vsl、Vshは、(Vss≦)Vsl<Vsh(≦Vdd)という関係にあり、電圧Vsl(第1電圧)が、電圧Vsh(第2電圧)よりも相対的に低い電圧となっている。
If the positive polarity writing is designated for a pixel in a certain row by the polarity instruction signal Pol, the common signal Vc is closer to the front in the period in which the scanning signal to the row is at the H level. In the period Ha, the voltage (Vsl−Va) is reached, and in the remaining period, the time Hb, which is closer to the rear, the voltage Vsl is reached. On the other hand, if negative polarity writing is designated, the scanning signal to the row is H In the period of level, the voltage (Vsh + Va) is obtained in the period Ha, and the voltage Vsh is obtained in the period Hb.
Here, the voltages Vsl and Vsh have a relationship of (Vss ≦) Vsl <Vsh (≦ Vdd), and the voltage Vsl (first voltage) is relatively lower than the voltage Vsh (second voltage). ing.
さて、本実施形態において、表示領域100は、素子基板と対向基板との一対の基板同士を、一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶105を封止した構成となっている。ここで、素子基板には、上述した走査線112や、データ線114、コモン電極108、画素電極118およびTFT116、171が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合わせられる。この構成のうち、表示領域100とコモン電極駆動回路170との境界付近を平面的に示したものが図3である。
In the present embodiment, the
図3からも判るように、表示領域100は、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたIPSモードの変形であるFFS(fringe field switching)モードとしたものである。また、本実施形態では、TFT116、171は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側(紙面奥側)に位置するボトムゲート型である。
詳細には、第1導電層となるゲート電極層のパターニングによって、走査線112や、コモン電極108、接続配線が形成され、その上にゲート絶縁膜(図示省略)が形成され、さらにTFTの半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第2導電層となるITO(indium tin oxide)層のパターニングにより、櫛歯形状の画素電極118が形成され、さらに、第3導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、TFTのソース電極や、ドレイン電極とともに、データ線114、給電線161のほか、各種の接続電極を形成されている。
As can be seen from FIG. 3, the
Specifically, the
本実施形態において、蓄積容量130は、画素電極118とコモン電極108とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。また、素子基板と対向基板との間隙
には、液晶も封入されるので、画素電極118とコモン電極108との間には、誘電体たる液晶を介した構造によっても容量成分が生じる。本実施形態では、この液晶を介したことによる容量成分が、画素容量120となっている。
この構成においては、画素容量120と蓄積容量130との並列容量の保持電圧に応じた電界が、素子基板面に沿い、かつ、画素電極118の櫛歯と直交するX方向に発生して、液晶の配向状態を変化させる。これにより、偏光子(図示省略)を通過する光量は、当該保持電圧の実効値に応じた値となる。
なお、本実施形態では、FFSモードとしたが、IPSモードとしても良いし、電気的な等価回路が図2で示されるような回路であれば、他のモードであっても良い。
In the present embodiment, the
In this configuration, an electric field corresponding to the holding voltage of the parallel capacitor of the
In this embodiment, the FFS mode is used. However, the IPS mode may be used, and other modes may be used as long as the electrical equivalent circuit is a circuit as shown in FIG.
上記並列容量の保持電圧は、画素電極118およびコモン電極108の差電圧であるから、i行j列の画素を目的の階調とするには、走査信号YiをHレベルにして、TFT116を導通(オン)状態とさせるとともに、上記差電圧が画素の階調に応じた値なるような電圧のデータ信号Xjを、j列目のデータ線114と、i行j列でオンしたTFT116とを介して画素電極118に供給すれば良いことになる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
Since the holding voltage of the parallel capacitor is a difference voltage between the
In the present embodiment, for convenience of explanation, if the voltage effective value is close to zero, the light transmittance is maximized to display white, while the amount of transmitted light decreases as the voltage effective value increases. Finally, a normally white mode in which the black display with the minimum transmittance is set.
一方、各行の走査線112は、表示領域100においては上述したようにX方向に延在して設けられる。ここで、i行目の走査線112は、コモン電極駆動回路170においてY(下)方向に分岐する部分を有し、この分岐部分がTFT171のゲート電極となっている。
また、TFT171のドレイン電極108aは、上記第3導電層をパターニングしたものであるが、ゲート電極層をパターニングしたコモン電極108との間には絶縁層が介在するので、両者電極同士は、当該絶縁層を貫通するコンタクトホール108b(図において×印で表記)によって接続される。
なお、各行のコモン電極108は、1〜240列目のデータ線114とは絶縁層を介して交差するので、図2において破線で示されるように、寄生容量を介して互いに容量結合することになる。
On the other hand, the
Further, the
Since the
図3に示した構成は、あくまでも一例であり、TFTの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、コモン電極駆動回路170の素子を表示領域100と同じプロセスで基板上に造り込むのではなく、ICチップを素子基板に実装する構成としても良い。ICチップを素子基板に実装する場合、走査線駆動回路140、コモン電極駆動回路170を、データ線駆動回路190とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。一方で、制御回路20については、素子基板に造り込む構成としても良い。
また、本実施形態については、透過型や、反射型、さらには、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。このため、反射層等については特に言及していない。
The configuration shown in FIG. 3 is merely an example, and the TFT type may be another structure, for example, a top gate type in terms of arrangement of gate electrodes, or a polysilicon type in terms of process. Further, instead of building the elements of the common
In addition, the present embodiment may be a transmissive type, a reflective type, or a so-called transflective type that combines both a transmissive type and a reflective type. For this reason, no particular reference is made to the reflective layer or the like.
次に、本実施形態に係る電気光学装置10の動作について説明する。
まず、nフレームにおいては、走査線駆動回路140によって最初に走査信号Y1がHレベルになるとともに、極性指定信号PolがHレベルとなって1行目に対しては正極性書込が指定される。
走査信号Y1がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、
データ線駆動回路190は、1行目であって1〜240列目の画素の表示データDaを読
み出すとともに、当該表示データDaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Vslを
基準に高位側とした電圧のデータ信号X1〜X240に変換し、それぞれ1〜240列のデータ線114に供給する。これにより例えば、j列目のデータ線114には、1行j列の画素110に対して指定される階調が暗くなるにつれて電圧Vslよりも高位側とした電圧がデータ信号Xjとして印加される。
走査信号Y1がHレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1〜X240が印加される。
Next, the operation of the electro-
First, in the n frame, the scanning
When the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y1 becomes H level,
The data line driving
When the scanning signal Y1 becomes H level, the
一方、走査信号Y1がHレベルになると、コモン電極駆動回路170では、1行目のTFT171がオンするので、1行目のコモン電極108が給電線161に接続される。nフレームにおいて走査信号Y1がHレベルとなる水平走査期間Hでは正極性書込が指定されるので、コモン信号Vcは、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において1行目のコモン電極108は、電圧Vslとなるので、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
On the other hand, when the scanning signal Y1 becomes the H level, in the common
次に走査信号Y1がLレベルになるとともに、走査信号Y2がHレベルになる。走査信号Y1がLレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオフするとともに、コモン電極駆動回路170にあっては、1行目のTFT171もオフする。
このため、1行1列〜1行240列の各画素110にあっては、それぞれ画素電極118が、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態になるが、1行目のコモン電極108も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
Next, the scanning signal Y1 becomes L level and the scanning signal Y2 becomes H level. When the scanning signal Y1 becomes the L level, the
Therefore, in each
また、走査信号Y2がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力され
ると、データ線駆動回路190は、2行目であって1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、当該表示データDaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Vshを基準に低位側とした電圧のデータ信号X1〜X240に変換し、それぞれ1〜240列のデータ線114に供給する。これにより例えば、j列目のデータ線114には、2行j列の画素110の表示データDaで指定された電圧だけ電圧Vshよりも低
位側とした電圧がデータ信号Xjとして印加される。
走査信号Y2がHレベルになると、2行1列〜2行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1〜X240が印加される。
一方、走査信号Y2がHレベルになると、コモン電極駆動回路170では、2行目のTFT171がオンするので、2行目のコモン電極108が給電線161に接続される。nフレームにおいて走査信号Y2がHレベルとなる水平走査期間Hでは負極性書込が指定されるので、コモン信号Vcは、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において2行目のコモン電極108は、電圧Vshとなるので、2行1列〜2行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
Further, when the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y2 becomes H level, the data
When the scanning signal Y2 becomes H level, the
On the other hand, when the scanning signal Y2 becomes H level, in the common
次に走査信号Y2がLレベルになるとともに、走査信号Y3がHレベルになる。走査信号Y2がLレベルになると、2行1列〜2行240列の画素におけるTFT116がオフするとともに、2行目のTFT171もオフする。このため、2行1列〜2行240列の各画素110にあっては、それぞれ画素電極118がハイ・インピーダンス状態になるが
、2行目のコモン電極108も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、2行1列〜2行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
Next, the scanning signal Y2 becomes L level and the scanning signal Y3 becomes H level. When the scanning signal Y2 becomes L level, the
また、走査信号Y3がHレベルになると、3行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に、走査信号Y4がHレベルになると、4行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
nフレームでは、以下同様な動作が320行目まで繰り返され、これにより、奇数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれる。このように、すべての画素における並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域100において1枚(フレーム)の画像が表示されることになる。
When the scanning signal Y3 becomes H level, a positive voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitance of the
In the n-th frame, the same operation is repeated up to the 320th row. As a result, a positive voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitance of the
次の(n+1)フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転されるので、奇数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
The same operation is repeated in the next (n + 1) frame. However, since the writing polarity of each row is inverted, the
このような電圧の書き込みについて図5を参照して説明する。図5は、奇数i行j列の画素電極118における電圧Pix(i,j)と、偶数(i+1)行j列の画素電極118にお
ける電圧Pix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Yi、Y(i+1)との関係において示す
図である。
コモン信号Vcは、nフレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルになる水平走
査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vsl
となる。このため、奇数i行目のコモン電極108の電圧Ciについても、同図に示されるように、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧
(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなるはずである。一方、j列目のデータ線114には、当該電圧Vslよりも、i行j列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧(図において↑で示される)のデータ信号Xjが供給される。走査信号YiがHレベルであると、i行目のTFT116がオンするので、i行j列の画素電極118はデータ信号Xjの電圧となり、これにより、i行j列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、画素電極118の電圧Pix(i,j)とコモン電極108の電圧Vslとの差電
圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。なお、図5において、上記差電圧はハッチングを付した部分に相当する。
Such voltage writing will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows scanning voltages of the voltage Pix (i, j) at the
The common signal Vc becomes a voltage (Vsl−Va) in the period Ha in the horizontal scanning period H in which the scanning signal to the odd-numbered row is H level in the n frame, and the voltage Vsl in the period Hb.
It becomes. Therefore, the voltage Ci of the odd-numbered i-th
走査信号YiがLレベルになると、TFT116、171がオフするので、i行目にあっては各画素電極118とともに、i行目のコモン電極108もハイ・インピーダンス状態になり、i行目の各列において書き込まれた電圧がそのまま保持されることになる。なお、図において、電圧Ciの破線部分は、ハイ・インピーダンス状態にあることを示している。
When the scanning signal Yi becomes the L level, the
1フレームの期間が経過して、再び走査信号YiがHレベルになったときに、負極性書込が指定されるので、奇数i行目のコモン電極108の電圧Ciは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hb
において電圧Vshとなるはずである。一方、j列目のデータ線114には、当該電圧Vshよりも、i行j列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧(図において↓で示される)のデータ信号Xjが供給される。これにより、i行j列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、階調に応じた負極性電圧が書き込まれることになる。
なお、i行目に対して正極性書込が指定されるnフレームでは、(i+1)行目に対し負極性書込が指定され、i行目に対して負極性書込が指定される(n+1)フレームにおいては、(i+1)行目に対し正極性書込が指定されて、走査線毎に反転することになる。
Since the negative polarity writing is designated when the scanning signal Yi becomes H level again after the lapse of one frame, the voltage Ci of the
At voltage Vsh. On the other hand, a data signal Xj having a voltage (indicated by ↓ in the drawing) lower than the voltage Vsh by a voltage corresponding to the gradation of the pixel in i row and j column is supplied to the
In the n frame in which positive polarity writing is designated for the i-th row, negative polarity writing is designated for the (i + 1) th row, and negative polarity writing is designated for the i-th row ( In the (n + 1) th frame, positive writing is designated for the (i + 1) th row, and it is inverted every scanning line.
このような第1実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Vslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Vshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極108の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路190の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。
According to the first embodiment, a data signal having a voltage higher than the voltage Vsl by a voltage corresponding to the gradation is supplied to the pixels in the row in which the positive writing is designated. Since the data signal having a voltage lower than the voltage Vsh by a voltage corresponding to the gradation is supplied to the pixels in the row in which negative polarity writing is designated, the voltage amplitude of the data signal is equal to the common electrode. Compared with the case where the
ところで、本実施形態において、例えばi行目のコモン電極108は、i行目に対し正極性書込が指定されていれば、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、時間的に前方寄りの期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、時間的に後方寄りの期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該水平走査期間のう
ち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなるコモン
信号Vcが、オン状態となったTFT171を介して印加される。
このように走査線への走査信号がHレベルとなる水平走査期間Hにおいて、コモン電極への電圧を2段階に分けて印加する場合の効果を説明する前に、2段階にわけないで電圧Vslまたは電圧Vshの一方のみを印加する構成の問題について説明する。
By the way, in the present embodiment, for example, if the positive electrode writing is designated for the i-th row, the
Thus, before describing the effect of applying the voltage to the common electrode in two stages in the horizontal scanning period H in which the scanning signal to the scanning line is at the H level, the voltage Vsl is not divided into two stages. Or the problem of the structure which applies only one side of the voltage Vsh is demonstrated.
走査信号YiがHレベルになってi行目に対応するTFT116がオンしたとき、画素容量120と蓄積容量130とには、それぞれデータ信号に応じた電圧が充電される。このときの充電電流は、i行目のコモン電極108を介して、オンしたTFT171に流れることになる。ここで、各行のコモン電極108には、実際には、様々な容量が寄生するとともに、TFT171のオン抵抗によって、一種の積分回路が形成される。このため、i行目のコモン電極108において、正極性書込が指定されている場合に走査信号がHレベルとなったときの電圧Vshから電圧Vslへの変化は、理想的にパルス的ではなく、図6(a)に示されるように波形鈍りが生じる。
When the scanning signal Yi becomes H level and the
さらに、1〜320行目のコモン電極108は、それぞれ1〜240列目のデータ線114と電気的な絶縁を保ちつつ交差するので、図2において破線で示されるように、各列のデータ線114と容量を介して結合する。このため、各行のコモン電極108は、データ線114の電圧変化の影響も受けることにもなる。
Further, since the
ここで、データ線の電圧変化方向は、表示領域100での表示内容に応じて定まるが、例えばi行目のコモン電極108では、走査信号YiがHレベルとなるときの当該i行目のコモン電極における電圧変化方向がデータ線の電圧変化と反対方向であるときに、i行目のコモン電極108がデータ線114の電圧変化により受ける影響が大きくなる。詳細には、正極性書込が指定された場合に走査信号YiがHレベルとなったとき、i行目のコモン電極108は、電圧Vshから電圧Vslに向かって下降するが、データ線の電圧変化が上昇方向であれば、図6(a)に示されるような正方向の微分パルス(正ノイズ)が当該i行目のコモン電極108に重畳される。
このため、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には同図に示されるように、当該水平走査期間の終了タイミングでみたときに、電圧Vslから電圧ΔVだけずれてしまう状態が発生する。走査信号YiがHレベルとなったときに供給されるデータ信号は、電圧Vslを基準にして定められているので、波形鈍りやノイズによってi行目のコモン電極108が電圧Vslから電圧ΔVだけずれてしまうと、画素容量120および蓄積容量13
0の並列容量には、階調に応じた電圧ではなく、当該階調に応じた電圧からΔVだけシフトした電圧が保持されて、この保持された電圧に応じた光学特性(透過率または反射率)になってしまうことになる。
Here, the voltage change direction of the data line is determined according to the display content in the
Therefore, the voltage Ci of the i-th
The parallel capacitor of 0 holds not the voltage corresponding to the gradation but the voltage shifted by ΔV from the voltage corresponding to the gradation, and the optical characteristics (transmittance or reflectance) corresponding to the held voltage. ) Will end up.
この現象は、i行j列だけでなく、i行目のコモン電極108に対応する画素1行分についても同様に発生するので、横方向の表示むらとなって視認されることになる。
ここではi行目に対し正極性書込が指定された場合の波形鈍りと正ノイズとの影響について説明したが、負極性書込が指定された場合にも、方向が異なるだけで、同様な波形鈍りと負ノイズが発生するので、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には図6(b)に示されるように、電圧Vshから電圧ΔVだけずれてしまう状態が発生する。さらに、ここではi行目のコモン電極108の電圧Ciについて説明しているが、隣接する(i+1)行でも同様に、すなわち1〜320行目でも同様に発生する。
This phenomenon occurs not only in i row and j column but also in one row of pixels corresponding to the
Here, the influence of waveform dullness and positive noise when positive polarity writing is designated for the i-th row has been described, but even when negative polarity writing is designated, only the direction is different but the same. Since waveform dullness and negative noise occur, the voltage Ci of the i-th
なお、TFT171のオン抵抗による波形鈍りとデータ線の電圧変化とでは、どちらの影響が支配的であるかについては、パネルの構成や駆動方法などの様々な条件が絡み合うので、一概には言えない。仮に、波形鈍りの影響が大きいのであれば、TFT171のオン抵抗を小さくすれば良いが、TFT171には大きなトランジスタサイズが要求される。TFT171のトランジスタサイズが大きくなると、TFT171を素子基板に内蔵する場合に、表示領域100の外側面積(いわゆる額縁)が拡大してしまう。
いずれにしても各コモン電極108が、水平走査期間の終了時、すなわちTFT171がオフするタイミングまでに、正しく電圧Vslまたは電圧Vshに達していない状態が発生する。
Note that the influence of the blunting due to the on-resistance of the
In any case, a state in which each
これに対し、本実施形態では、i行目に対し正極性書込が指定されていれば、コモン信号Vcは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、前方寄りの期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、電圧Vshから電圧Vslに変化するに際して電圧Vaだけ過剰に振られる。このため、正ノイズが急速に減衰するので、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には、図6(c)に示されるようなものとなる。なお、この時点において、正ノイズは表示内容によっては完全に消失せず、または、コモン電極108の電圧Ciは、目的の電圧Vslを通り超して、さらに低位側に振られてしまう場合もあり得るが、そのような場合であっても、電圧Vslからの差はごくわずかである。そして、後方寄りの期間Hbにてコモン信号Vcは目的の電圧Vslとなるので、正ノイズの影響は無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ciをほぼ電圧Vslに収束させることができる。
なお、i行目に対し負極性書込が指定されていれば、コモン信号Vcは、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、電圧Vslから電圧Vshに変化するに際して電圧Vaだけ過剰に振られるので、図6(d)に示されるように、負ノイズの影響も、無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ciをほぼ電圧Vshに収束させることができる。
On the other hand, in the present embodiment, if positive polarity writing is designated for the i-th row, the common signal Vc is the forward period Ha of the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level. The voltage (Vsl−Va) is obtained at, and when the voltage Vsh changes to the voltage Vsl, the voltage Va is excessively shaken. For this reason, since positive noise attenuates rapidly, the voltage Ci of the i-th
If negative polarity writing is designated for the i-th row, the common signal Vc becomes a voltage (Vsh + Va) in the period Ha and is excessively swung by the voltage Va when changing from the voltage Vsl to the voltage Vsh. As shown in FIG. 6D, the influence of negative noise also becomes so small that it can be ignored, and the voltage Ci of the common electrode can be converged to the voltage Vsh.
したがって、本実施形態によれば、選択される行のコモン電極108を、水平走査期間の終了時までに、ほぼ電圧Vslまたは電圧Vshに収束させることができるので、上述したようにデータ線の電圧振幅を狭めつつ、横方向に発生する表示むらの発生を抑えることができる上に、TFT171のオン抵抗等を小さくする必要もないので、額縁を狭くして、表示領域100の面積拡大を図ることも可能となるのである。
Therefore, according to the present embodiment, the
<第1実施形態の応用・変形>
上述した第1実施形態では、次のような応用・変形が可能である。すなわち、上述した第1実施形態では、走査線毎に書込極性を反転させたが、フレーム期間における書込極性を各行にわたって同一とする面反転(フレーム反転)方式としても良い。フレーム反転方式とする場合、極性指定信号Pol、コモン信号Vcについては、例えば図7に示されるよ
うなものとなる。
すなわち、面反転方式とする場合、極性指定信号Polはフレーム期間毎に極性反転し、コモン信号Vcは、正極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間
のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、
負極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間のうち、期間Haに
て電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなる。
<Application and modification of the first embodiment>
In the first embodiment described above, the following applications and modifications are possible. That is, in the first embodiment described above, the writing polarity is inverted for each scanning line, but a plane inversion (frame inversion) method in which the writing polarity in the frame period is the same over each row may be used. In the case of the frame inversion method, for example, the polarity designation signal Pol and the common signal Vc are as shown in FIG.
That is, in the case of the surface inversion method, the polarity designation signal Pol is inverted every frame period, and the common signal Vc is included in the period during which the selection voltage is applied to the scanning line if positive polarity writing is designated. In the period Ha, the voltage (Vsl−Va) is obtained, and in the period Hb, the voltage Vsl is obtained.
If negative-polarity writing is designated, the voltage (Vsh + Va) is set in the period Ha and the voltage Vsh is set in the period Hb in the period in which the selection voltage is applied to the scanning line.
また、TFT171の特性、特にオン抵抗は周辺温度によって変化する傾向があるので、コモン電極の電圧変化時における波形鈍りの程度が、温度に応じて変化する。このため、期間Haにおいて電圧Vsl、Vshを振らす電圧±Vaを、温度に応じて変化させても良いし、1行の走査線に選択電圧が印加される水平走査期間Hにおいて、期間Ha、Hbの比率を変化させても良いし、電圧±Vaと期間Ha、Hbの比率との両者を変化させても良い。
In addition, since the characteristics of the
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置について説明する。図8は、第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図8に示す構成が図1に示した第1実施形態と相違する部分は、主に各行に対応してTFT175が設けられている点、検出線185およびコモン信号出力回路31を備える点、並びに、制御回路20が目標信号Vcrefおよび期間指定信号Hsを出力する点である。
そこで以下については、これらの相違点を中心に説明することにする。
Second Embodiment
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described. FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device according to the second embodiment.
8 differs from the first embodiment shown in FIG. 1 mainly in that
Therefore, the following will be described focusing on these differences.
まず、コモン電極駆動回路170には、各行のコモン電極108に対応して検出用スイッチング素子として機能するTFT175がそれぞれ設けられている。ここで、i行目のTFT175のゲート電極はi行目の走査線に112に接続され、ソース電極はi行目のコモン電極108に接続され、ドレイン電極は検出線185に接続されている。なお、検出線185は、各行のTFT175のドレイン電極に対して共通接続されている。
First, the common
図9は、第2実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示す構成は、TFT175およびその周辺を除き、図3に示した例とほぼ同様である。i行目のTFT175のゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分である。また、i行目に対応するTFT171のドレイン電極108aは、i行目に対応するTFT175のソース電極を兼用しており、ゲート絶縁膜および保護層を貫通するコンタクトホール108bを介し、i行目のコモン電極108に接続される。また、検出線185の幅広の部分が、TFT175のドレイン電極となっている。
FIG. 9 is a plan view showing the configuration of the common
The configuration shown in this figure is substantially the same as the example shown in FIG. 3 except for the
図10は、コモン信号出力回路31の構成を示す図である。
この図に示されるように、コモン信号出力回路31は、オペアンプ300と、スイッチ311、312と、NOT回路315と、抵抗素子316とを有する。
オペアンプ300の出力端は、給電線161およびスイッチ311の一端に接続され、検出線185がスイッチ312の一端に接続されている。スイッチ311、312の他端は、オペアンプ300の反転入力端(−)にそれぞれ共通接続されている。換言すれば、スイッチ311(第1スイッチ)は、オペアンプ300の出力端(給電線161)と反転入力端(−)との間に電気的に介挿され、スイッチ312(第2スイッチ)は、検出線185と反転入力端(−)との間に電気的に介挿されている。
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of the common
As shown in this figure, the common
The output terminal of the
一方、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの目標信号Vcrefが供給される。オペアンプ300の出力端と反転入力端(−)との間にはスイッチ311のほか、抵抗素子316が挿入されている。
スイッチ311、312は、制御回路20から供給される期間指定信号Hsの論理レベ
ルに応じて互いに排他的にオンオフする。詳細には、スイッチ311、312は、期間指定信号HsがHレベルであれば、それぞれオン、オフし、期間指定信号HsがLレベルであれば、それぞれオフ、オンする。
On the other hand, the target signal Vcref from the
The
ここで、期間指定信号Hsは、図11に示されるように、ある1行の走査線に選択電圧
が印加される水平走査期間Hのうち、前方寄りの期間HaにおいてHレベルとなり、後方
寄りの期間HbにおいてLレベルとなる信号である。一方、制御回路20から供給される
目標信号Vcrefは、同図に示されるように、図4におけるコモン信号Vcと同波形である
。
Here, as shown in FIG. 11, the period designation signal Hs becomes H level in the forward period Ha during the horizontal scanning period H in which the selection voltage is applied to a certain scanning line, and the rearward direction. It is a signal that becomes L level during the period Hb. On the other hand, the target signal Vcref supplied from the
このような構成において、走査信号YiがHレベルであると、i行目のTFT175がオンするので、i行目のコモン電極108は検出線185に接続される。ただし、期間Haではスイッチ312がオフするので、検出線185の電圧はコモン信号出力回路31の
出力に影響を与えない。
また、期間Haでは、スイッチ311がオンするので、オペアンプ300は、ボルテー
ジフォロワ回路となる。このため、期間Haにおいてコモン信号出力回路31は、目標信
号Vcrefの電圧をそのままバッファリングしてコモン信号Vcとして、給電線161に出
力することになる。
ここで、目標信号Vcrefは、期間Haにおいて、i行目に対して正極性書込が指定され
ていれば、電圧(Vsl−Va)となり、負極性書込が指定されていれば、電圧(Vsh+Va)となって、第2実施形態では、この電圧が給電線161にそのまま供給されるので、第1実施形態と同様に、波形鈍りやノイズの影響を急速に減衰させることができる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi is at the H level, the i-
Further, since the
Here, the target signal Vcref becomes the voltage (Vsl−Va) if the positive polarity writing is designated for the i-th row in the period Ha, and the voltage (Vsl−Va) if the negative polarity writing is designated. Vsh + Va), and in the second embodiment, this voltage is supplied to the
次に、期間Hbにおいてスイッチ311、312がそれぞれオフ、オンして、検出線1
85の電圧がオペアンプ300の反転入力端(−)に帰還される。このため、期間Hbに
おいて、コモン信号出力回路31は、検出線185の電圧が目標信号Vcrefの電圧となるように制御したコモン信号Vcを出力することになる。
ここで、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hでは、i行目のTFT175によって検出線185にはi行目のコモン電極108の(実際の)電圧が現れる。一方、目標信号Vcrefは、期間Hbにおいて、i行目に対して正極性書込が指定されていれば、電
圧Vslであり、負極性書込が指定されていれば、電圧Vshである。このため、コモン信号出力回路31は、期間Hbにおいて、i行目のコモン電極108に対して、正極性書込が
指定されていれば、電圧Vslとなるように、負極性書込が指定されていれば、電圧Vshとなるように、それぞれ負帰還制御する。
Next, in the period Hb, the
The voltage 85 is fed back to the inverting input terminal (−) of the
Here, in the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level, the (actual) voltage of the i-th
したがって、第2実施形態によれば、第1実施形態と比較すると、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hの終了時までに、i行目のコモン電極108を、波形鈍りやノイズの程度によらずに、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化させることが可能となる。
このため、第2実施形態によれば、第1実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることができるだけなく、TFT171のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、第1実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
また、例えばi行目のコモン電極108は、正極性書込の指定時に走査信号YiがHレベルとなった直後では電圧Vshに近いので、電圧Vslとの差が大きく、負極性書込の指定時に走査信号YiがHレベルとなった直後では電圧Vslに近いので、電圧Vshとの差が大きい。このため、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってi行目のコモン電極108(検出線185)が電圧Vslまたは電圧Vshとなるように負帰還制御する構成では、走査信号YiがHレベルとなった直後において、オペアンプ300で消費される電流が大きくなったり、オペアンプ300が発振したりする可能性がある。しかしながら
、第2実施形態では、走査信号YiがHレベルとなった直後の期間Haでは、負帰還制御
ではなく、単なるボルテージフォロワ回路として機能するので、そのような可能性は極めて小さい。
なお、ここでは動作説明を、i行目で代表させて説明しているが、1〜320行については同様に、順番に実行される。
Therefore, according to the second embodiment, as compared with the first embodiment, the
Therefore, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the voltage amplitude of the data line can be reduced, the transistor size of the
Further, for example, the
In addition, although operation | movement description is represented and represented here by the i-th line, about 1-320 lines, it is performed in order similarly.
<第2実施形態の応用・変形>
第2実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
詳細には、図12に示されるように、コモン信号出力回路31において、給電線161(オペアンプ300の出力端)と検出線185との間に、例えば期間指定信号HsがHレ
ベルであればオンするスイッチ318(補助スイッチ)を挿入しても良い。
上述したように期間Haにおいて、オペアンプ300は、ボルテージフォロワ回路とな
るので目標信号Vcrefの電圧がそのままコモン信号Vcとして給電線161に出力され、
オン状態にあるTFT171を介してコモン電極108に供給される。当該構成においてスイッチ318がオンしていると、給電線161が検出線185に接続されるので、コモン信号Vcは、スイッチ318、検出線185およびオン状態にあるTFT175という
経路によっても同じコモン電極108に供給される。すなわち、図12に示される構成では、期間Haにおいて、コモン信号Vcをコモン電極108に供給する経路が2通り存在することになる。
したがって、当該構成によれば、期間Haにおいて、オペアンプ300の出力端からコ
モン電極108に至るまでの合成抵抗値を、2つの経路における抵抗値の和を分母とし当該抵抗値の積を分子とした分数にまで減少させることができるので、特に波形鈍りの影響を小さく抑えることが可能となる。
<Application and Modification of Second Embodiment>
In the second embodiment, the following applications and modifications are possible.
Specifically, as shown in FIG. 12, in the common
As described above, in the period Ha, the
It is supplied to the
Therefore, according to the configuration, in the period Ha, the combined resistance value from the output terminal of the
なお、この構成において、TFT175における信号の流れは、期間Hbでは、コモン
電極108から検出線185に向かう方向であったのが、期間Haでは、検出線185か
らコモン電極108に向かう方向となるので、TFT175を片チャネルとするのではなく、p型およびn型の双方を組み合わせたトランスミッションゲート(アナログスイッチ)とするのが好ましい。
また、この構成では、スイッチ318のオン期間と、スイッチ311のオン期間(スイッチ312のオフ期間)とを互いに一致させたが、一致させずに、いずれか一方を先にオフとするように独立して制御しても良い。なお。スイッチ318を、スイッチ311、312と独立して制御させると、制御信号が増えることになる。
In this configuration, the signal flow in the
Further, in this configuration, the ON period of the
<第3実施形態>
上述した第1、第2実施形態においてi行目のコモン電極108は、走査信号Y(i+1)がHレベルからLレベルになると、以後1フレームの期間経過して、再び走査信号YiがHレベルになるまで、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態(フローティング状態)となる。各行のコモン電極108は、交差する(または、近接する)他の配線と寄生容量を介して結合するので、これらの配線における電圧変動の影響を受けやすい。
そこで、各行のコモン電極108をハイ・インピーダンス状態とさせずに、電圧を確定させた第3実施形態について説明することにする。
<Third Embodiment>
In the first and second embodiments described above, when the scanning signal Y (i + 1) is changed from the H level to the L level, the scanning electrode Yi is again set to the H level after a period of one frame has elapsed. Until it becomes, it will be in the high impedance state (floating state) which is not electrically connected to any part. Since the
Therefore, a third embodiment in which the voltage is determined without setting the
図13は、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第3実施形態におけるコモン電極駆動回路170は、1〜320行目のコモン電極108に対し、TFT171a、171b、172a、172、175の組から構成される。
ここで、i行目について説明すると、TFT171a(第1トランジスタ)のソース電極は、第1給電線161aに接続され、ゲート電極は、TFT172aのドレイン電極に
接続されている。TFT171b(第2トランジスタ)のソース電極は、第2給電線161bに接続され、ゲート電極は、TFT172bのドレイン電極に接続されている。一方、TFT171a、171bのドレイン電極同士がi行目のコモン電極108に共通接続されている。
また、TFT172a(第3トランジスタ)のソース電極は、第1信号線163aに接続され、TFT172b(第4トランジスタ)のソース電極は、第2信号線163bに接続され、TFT172a、172bのゲート電極は、いずれもi行目の走査線112に共通接続されている。
なお、TFT175については、第2実施形態と同様である。
FIG. 13 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the third embodiment of the invention.
As shown in this figure, the common
Here, the i-th row will be described. The source electrode of the
The source electrode of the
The
第1信号線163aおよび第2信号線163bには、制御回路20からそれぞれゲート信号Vg1、Vg2が供給されている。このうち、ゲート信号Vg1は、図16に示されるように、極性指定信号Polと同一波形であり、ゲート信号Vg 2は、ゲート信号Vg1の論理レ
ベルを反転した信号である。すなわち、ゲート信号Vg1、Vg2の論理レベルは互いに排他的な関係にある。
ここで、ゲート信号Vg1、Vg2の論理レベルのうち、Lレベルは、それがTFT171a、171bのゲート電極に印加されたとしても、当該TFTをオフ(ソース・ドレイン間が非導通)状態とさせる電圧であり、また、Hレベルは、それがTFT171a、171bのゲート電極に印加されたときに、当該TFTをオン(ソース・ドレイン間が導通)状態とさせる電圧である。
また、第1給電線161aには、第1コモン信号出力回路33による第1コモン信号Vc1が供給され、第2給電線161bには、第2コモン信号出力回路35による第2コモン信号Vc2が供給される。
Gate signals Vg1 and Vg2 are supplied from the
Here, among the logic levels of the gate signals Vg1 and Vg2, the L level is a voltage that turns the TFT off (the source and the drain are not conducting) even if it is applied to the gate electrodes of the
The first
一方、スイッチ40は、制御回路20から供給される信号Sel-aの論理レベルにしたがって検出線185を信号線187、188のいずれかに振り分けるものである。詳細には、スイッチ40は、検出線185を、信号Sel-aがHレベルである場合に信号線187に接続し、信号Sel-aがLレベルである場合に信号線188に接続する。ここで、信号Sel- aは、図16に示されるように、極性指定信号Polと同一波形である。このため、スイ
ッチ40は、検出線185を、正極性書込が指定される場合には信号線187に接続し、負極性書込が指定される場合には信号線188に接続することになる。
On the other hand, the
図14は、第3実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図について、i行目で説明すると、TFT172a、172bのゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分が共用されている。このうち、TFT172aのソース電極は、ゲート電極層をパターニングした接続配線によって第2信号線163bをアンダークロスし、第1信号線163aに接続される一方、TFT172aのドレイン電極は、TFT171aのゲート電極に接続されている。TFT172bのソース電極は、第2信号線163bの幅広となる部分であり、TFT172bのドレイン電極は、TFT171bのゲート電極に接続されている。
また、TFT171aのソース電極は、第1給電線161aの幅広となる部分であり、同様に、TFT171bのソース電極は、第2給電線161bの幅広となる部分である。そして、TFT171a、171bの共通ドレイン電極が、i行目のコモン電極108に接続されている。
FIG. 14 is a plan view showing a configuration of the common
This figure will be described in the i-th row. The gate electrodes of the
Further, the source electrode of the
第1コモン信号出力回路33は、図15(a)の実線に示されるように、図10に示した構成と同様であるが、スイッチ312の一端に信号線187が接続され、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの第1目標信号Vc1refが供給され、
オペアンプ300の出力端が第1給電線161aに接続されている。第2コモン信号出力
回路35は、図15(b)の実線に示されるように、図10に示した構成と同様であるが、スイッチ312の一端に信号線188が接続され、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの第2目標信号Vc2refが供給され、オペアンプ300の出
力端が第2給電線161bに接続されている。
The first common
The output terminal of the
ここで、図16に示されるように、第1目標信号Vc1refは、正極性書込が指定される
水平走査期間(信号Sel-aおよびゲート信号Vg1がHレベルであって、ゲート信号Vg2がLレベルとなる期間)のうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにお
いて電圧Vslとなる。また、第2目標信号Vc2refは、負極性書込が指定される水平走査
期間(信号Sel-aおよびゲート信号Vg1がLレベルであって、ゲート信号Vg2がHレベルとなる期間)のうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧
Vshとなる。
Here, as shown in FIG. 16, the first target signal Vc1ref has a horizontal scanning period in which positive polarity writing is designated (the signal Sel-a and the gate signal Vg1 are at the H level, and the gate signal Vg2 is at the L level. Of the level), the voltage (Vsl−Va) is obtained in the period Ha, and the voltage Vsl is obtained in the period Hb. The second target signal Vc2ref is a period of a horizontal scanning period (period in which the signal Sel-a and the gate signal Vg1 are at L level and the gate signal Vg2 is at H level) in which negative polarity writing is specified. In Ha, the voltage is (Vsh + Va), and in period Hb, the voltage is Vsh.
第3実施形態の動作について説明する。
第3実施形態において、走査信号YiがHレベルとなると、i行目のTFT172a、172bがオンになる。i行目に対して正極性書込が指定される場合、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってゲート信号Vg1がHレベルとなり、ゲート信号Vg2がLレベルとなるので、TFT171a、171bがそれぞれオン、オフする。このため、i行目に対して正極性書込が指定される場合に、当該i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHレベルとなったきに第1給電線161aに接続される。
また、走査信号YiがHレベルとなると、i行目のTFT175もオンになるので、i行目のコモン電極108は、検出線185に接続される。i行目に対して正極性書込が指定される場合、スイッチ40は、検出線185を信号線187に接続するので、さらに、第1目標信号Vc1refは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなるので、第1コモン信号出力回路33は、第2実施形態におけるコモン信号出力回路31と同様に動作する。すなわち、第1コモン信号出力回路33は、期間Haでは、電圧(Vsl−Va)をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Hbでは、検出線185が電圧Vsl
となるように制御した第1コモン信号Vc1を第1給電線161aに出力することになる。
The operation of the third embodiment will be described.
In the third embodiment, when the scanning signal Yi becomes H level, the
When the scanning signal Yi becomes H level, the i-
The first common signal Vc1 controlled so as to be output to the
次に、走査信号Y(i+1)がHレベルとなると、走査信号YiがLレベルになるので、i行目のTFT172a、172bはそれぞれオフする。このため、TFT171a、171bのゲート電極は、いずれもハイ・インピーダンス状態となるが、その寄生容量によって、それぞれ直前状態であるHレベル、Lレベルに保持される。このため、TFT171aのオン状態、TFT171bのオフ状態がそれぞれ継続されるので、i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHからLレベルとなっても、第1給電線161aに接続された状態を維持して、第1コモン信号Vc1の電圧となる。
Next, when the scanning signal Y (i + 1) becomes H level, the scanning signal Yi becomes L level, so that the i-
なお、第1コモン信号Vc1は、正極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、負極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ40が検出線185を信号線188に接続するので、信号線187がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Vsl(正極性書込が指定される水平走査期間の期間Hbにおいて制御し
た電圧Vsl)を保持している。このため、第1コモン信号Vc1は、負極性書込が指定される水平走査期間では電圧Vslで一定であると考えて良い。
The first common signal Vc1 is a signal as described above in the horizontal scanning period in which the positive polarity writing is designated. In the horizontal scanning period in which negative polarity writing is specified, the
一方、i行目に対して負極性書込が指定される場合、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってゲート信号Vg1がLレベルとなり、ゲート信号Vg2がHレベルとなるので、正極性書込が指定されたときとは反対にTFT171a、171bがそれぞれオフ、オンする。このため、i行目に対して負極性書込が指定される場合に、i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHレベルとなったきに第2給電線161bに接続され
る。
また、i行目に対して負極性書込が指定される場合、スイッチ40は、検出線185を信号線188に接続するので、さらに、第2目標信号Vc2refは、走査信号YiがHレベ
ルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbに
おいて電圧Vshとなるので、第2コモン信号出力回路35は、期間Haでは、電圧(Vsh
+Va)をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Hbでは、検出線185が電圧Vshとなるように制御した第2コモン信号Vc2を第2給電線161bに出力する。
次に、走査信号YiがLレベルになっても、TFT171a、171bのゲート電極は、それぞれ直前状態であるLレベル、Hレベルに保持されるので、i行目のコモン電極108は、第2給電線161bに接続された状態を維持して、第2コモン信号Vc2の電圧となる。
On the other hand, when negative polarity writing is designated for the i-th row, the gate signal Vg1 becomes L level and the gate signal Vg2 becomes H level over the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi becomes H level. The
Further, when negative polarity writing is designated for the i-th row, the
+ Va) is buffered as it is by the voltage follower circuit, and in the period Hb, the second common signal Vc2 controlled so that the
Next, even if the scanning signal Yi becomes the L level, the gate electrodes of the
なお、第2コモン信号Vc2は、負極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、正極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ40が検出線185を信号線187に接続するので、信号線188がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Vsh(負極性書込が指定される水平走査期間の期間Hbにおいて制御し
た電圧Vsh)を保持している。このため、第2コモン信号Vc2は、正極性書込が指定される水平走査期間では電圧Vshで一定であると考えて良い。
The second common signal Vc2 is a signal as described above in the horizontal scanning period in which negative polarity writing is designated. In the horizontal scanning period in which positive polarity writing is designated, the
第3実施形態において、i行目でみたときに、走査信号YiがLレベルとなる期間でもi行目のコモン電極108は電圧変化することになるが、走査信号YiがLレベルであれば、i行目のTFT116もオフ状態であり、画素電極118がハイ・インピーダンス状態である。このため、図17に示されるように、画素電極118は、コモン電極108の電圧に追従して変化するので、画素容量120の差電圧が変動することはない。
このため、第3実施形態によれば、各行のコモン電極108がハイ・インピーダンス状態とならず、電位が確定しているので、第2実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生を、なお一層、確実に抑えることが可能となる。
In the third embodiment, when viewed in the i-th row, the voltage of the
For this reason, according to the third embodiment, since the
ここで、TFTでは、特にアモルファスシリコン型では、トランジスタの電流特性が変化する傾向、詳細には、当該TFTがオンするための閾値電圧がオンした累計時間のが長くなるにつれて高くなる傾向がある。このため、1行のコモン電極の電位を1つのTFTのオンによってのみ確定させる構成を採用すると、長期使用によって当該TFTの閾値電圧が高くなって、上述した駆動が正常に実行できなくなる、または、誤動作の可能性がある。
これに対して、第3実施形態では、各行において、正極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でTFT171aがオンし、負極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でTFT171bがオンする構成、すなわち、1行のコモン電極の電位を確定するにあたって、2つのTFT171a、171bを交互にオンする構成となっている。このため、第3実施形態によれば、TFT171a、171bがオンする期間は、1行のコモン電極の電位を1つのTFTのオンによってのみ確定させる構成と比較して半分になるので、長期使用による誤動作等の可能性を低く抑えることが可能となる。
Here, in the TFT, particularly in the amorphous silicon type, the current characteristics of the transistor tend to change. Specifically, the threshold voltage for turning on the TFT tends to increase as the cumulative time during which the TFT is turned on becomes longer. For this reason, if a configuration in which the potential of the common electrode in one row is determined only by turning on one TFT, the threshold voltage of the TFT becomes high due to long-term use, and the above-described driving cannot be performed normally, or There is a possibility of malfunction.
On the other hand, in the third embodiment, in each row, the selection period when the positive voltage is written and the selection period when the
なお、第3実施形態においても、第1コモン信号出力回路33、第2コモン信号出力回路35について、図15(a)、図15(b)のみならず、図12に示した構成を採用することができる。
また、信号線187、188は、配線が短いことから、寄生容量が小さく、電圧Vsl、Vshを保持できない可能性がある。このため、第1コモン信号出力回路33にあっては、図15(a)に示されるように、信号Sel-aがLレベルであるために振り分けられなかっ
たときにオンして、信号線187を電圧Vslに確定させるスイッチ321を設け、第2コモン信号出力回路35にあっては、図15(b)に示されるように、信号Sel-aがHレベルであるために振り分けられなかったときにオンして、信号線188を電圧Vshに確定させるスイッチ322を設けても良い。
あるいは、これらの図に示されるように、一端をそれぞれ信号線187、188に接続し、他端を定電位とした容量素子を積極的に設けた構成としても良い。
Also in the third embodiment, the first common
Further, since the
Alternatively, as shown in these figures, a configuration in which one end is connected to each of the
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置について説明する。図18は、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示される構成では、コモン電極駆動回路170の各行のうち、奇数行のTFT171のソース電極が第1給電線165aに接続され、奇数行のTFT171のソース電極が第2給電線165bに接続されている。また、各行においてTFT175の代わりとして検出容量176が設けられている。詳細には、奇数行に対応する検出容量176は、その一端が当該行のコモン電極108に接続され、その他端が第1検出線185aに接続される一方、偶数行に対応する検出容量176は、その一端が当該行のコモン電極108に接続され、その他端が第2検出線185bに接続されている。
<Fourth embodiment>
Next, an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention will be described. FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the fourth embodiment of the invention.
In the configuration shown in this figure, among the rows of the common
第1給電線165aには、第1コモン信号出力回路37による第1コモン信号Vc1が供給され、第2給電線165bには、第2コモン信号出力回路39による第2コモン信号Vc2が供給される。
第1コモン信号出力回路37および第2コモン信号出力回路39は、それぞれ図10に示した構成と同様であるが、第1コモン信号出力回路37におけるオペアンプ300の非反転入力端(+)には、第1目標信号Vc1refが供給され、第2コモン信号出力回路39
におけるオペアンプ300の非反転入力端(+)には、第2目標信号Vc2refが供給され
る。
The first common signal Vc1 from the first common signal output circuit 37 is supplied to the first
The first common signal output circuit 37 and the second common signal output circuit 39 have the same configuration as that shown in FIG. 10, but the non-inverting input terminal (+) of the
The second target signal Vc2ref is supplied to the non-inverting input terminal (+) of the
ここで、第4実施形態における第1目標信号Vc1refは、図20に示されるように、奇
数行に対し正極性書込が指定され、偶数行に対し負極性書込が指定されるnフレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、他の期間において電圧Vslとなる一方、奇数行に対し負極性書込が指定され、偶数行に対し正極性書込が指定される(n+1)フレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、他の期間において電圧Vshとなる。
また、第2目標信号Vc2refは、同図に示されるように、nフレームにおいて、偶数行
への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、他の期間において電圧Vshとなる一方、(n+1)フレームにおいて、偶数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、他の期間において電圧Vslとなる。
Here, as shown in FIG. 20, the first target signal Vc1ref in the fourth embodiment is an n frame in which positive writing is specified for odd rows and negative writing is specified for even rows. In the horizontal scanning period in which the scanning signal for the odd-numbered rows is at the H level, the voltage (Vsl-Va) is obtained in the period Ha and the voltage Vsl is designated in the other periods, while negative polarity writing is designated for the odd-numbered rows In the (n + 1) frame in which positive polarity writing is specified for even rows, the voltage (Vsh + Va) becomes the voltage (Vsh + Va) in the period Ha during the horizontal scanning period in which the scanning signal to the odd rows is at the H level. At voltage Vsh.
Further, as shown in the figure, the second target signal Vc2ref becomes a voltage (Vsh + Va) in the period Ha in the horizontal scanning period in which the scanning signal to the even-numbered row is at the H level in the n frame. During the period, the voltage Vsh becomes the voltage (Vsl−Va) in the period Ha of the horizontal scanning period in which the scanning signal to the even-numbered row becomes the H level in the (n + 1) frame, and the voltage Vsl in the other periods. Become.
図19は、第4実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示されるように、奇数i行の検出容量176は、i行目のコモン電極108を幅広とした部分に、第1検出線185aを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。同様に、偶数(i+1)行の検出容量176は、(i+1)行目のコモン電極108を幅広とした部分に、第2検出線185bを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。
FIG. 19 is a plan view showing configurations of the common
As shown in this figure, the odd-numbered i-
第4実施形態によれば、走査信号がHレベルとなる走査線112が奇数行である場合に、当該選択された奇数行のコモン電極108にノイズが発生したとき、そのノイズは、当
該選択された行の検出容量176を介して第1検出線185aに伝搬して、第1コモン信号出力回路37に供給される。第1コモン信号出力回路37は、次のような電圧の第1コモン信号Vc1を第1給電線165aに出力する。すなわち、第1コモン信号出力回路37は、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間の期間Haにおいて、電圧変化方
向に対し電圧Vaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Hbにおいては第1検出線185aの電圧が第1目標信号Vc1refの電圧となるように制御して出力する
。このため、当該水平走査期間の終了時に、当該選択された奇数行のコモン電極108は、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化する。
一方、走査信号がHレベルとなる走査線112が偶数行である場合に、当該選択された偶薄行のコモン電極108にノイズが発生したとき、そのノイズは、当該選択された行の検出容量176を介して第2検出線185bに伝搬して、第2コモン信号出力回路39に供給される。第2コモン信号出力回路39は、次のような電圧の第2コモン信号Vc2を第2給電線165bに出力する。すなわち、第2コモン信号出力回路39は、偶数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間の期間Haにおいて、電圧変化方向に対し電圧Vaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Hbにおいては第2検出線185
bの電圧が第2目標信号Vc2refの電圧となるように制御して出力する。このため、当該
水平走査期間の終了時に、当該選択された偶数行のコモン電極108は、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化する。
これにより、第4実施形態においても、第2実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることはできるだけなく、TFT171のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
According to the fourth embodiment, when noise is generated in the selected
On the other hand, when the
The voltage b is controlled and output so as to be the voltage of the second target signal Vc2ref. Therefore, at the end of the horizontal scanning period, the selected even-numbered
As a result, in the fourth embodiment, as in the second embodiment, the voltage amplitude of the data line can not be reduced, and the transistor size of the
なお、第4実施形態では、コモン電極108と第1検出線185aまたは第2検出線185bとを結ぶ素子は、直流成分を流さない検出容量176である。このため、第1コモン信号出力回路37、または、第2コモン信号出力回路39として図12に示した構成を用いることができない。
また、第4実施形態においても、第3実施形態のように、各行にTFT171a、171b、172a、172bの組を設けて、非選択期間において、コモン電極108の電位を確定させる構成としても良い。
In the fourth embodiment, the element connecting the
Also in the fourth embodiment, as in the third embodiment, a set of TFTs 171a, 171b, 172a, and 172b may be provided in each row, and the potential of the
<第1〜第4実施形態の関連事項>
上述した各実施形態では、走査線駆動回路140において、走査線112を1、2、3、…、320行目という順番で選択電圧を印加したが、320、319、318、…、1行目という順番で選択しても良い。また、垂直帰線期間においては書込極性を指定することは無意味であるので、期間指定信号Haなどの論理信号を一定のレベルに固定しても良
いし、このような垂直帰線期間を省いても良い。
さらに、画素容量120はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばGを、YG(黄緑)およびEG(エメラルドグリーン)に分けて、これらの4色の画素で1ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
<Related matters of the first to fourth embodiments>
In each of the embodiments described above, in the scanning
Furthermore, although the
<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として有する電子機器について説明する。図21は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置10を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置10を備えるものである。なお、電気光学装置10のうち、表示領域100に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus having the electro-
As shown in this figure, a
なお、電気光学装置10が適用される電子機器としては、図21に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置10が適用可能であることは言うまでもない。
As an electronic apparatus to which the electro-
10…電気光学装置、20…制御回路、31…コモン信号出力回路、100…表示領域、108…コモン電極、110…画素、112…走査線、114…データ線、116…TFT、120…画素容量、130…蓄積容量、140…走査線駆動回路、161…給電線、170…コモン電極駆動回路、171、171a、171b、172a、172b、175…TFT、176…検出容量、185…検出線、300…オペアンプ、311、312、318…スイッチ、1200…携帯電話
DESCRIPTION OF
Claims (12)
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。 A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A drive circuit for an electro-optical device having:
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
A common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance when applying the second voltage in the second period;
A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, via the data line;
A drive circuit for an electro-optical device, comprising:
前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 The common electrode drive circuit is
A transistor is provided for each of the common electrodes,
In the transistor corresponding to one common electrode, a gate electrode is connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, and a source electrode is connected to a power supply line that supplies a common signal.
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied is fed through the feeding line.
前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、
前記第2期間において前記検出線が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路。 Provided corresponding to each of the common electrodes, and each is turned on between the one common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection;
A voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period;
A voltage controlled so that the detection line becomes the first or second voltage in the second period,
A common signal output circuit that outputs the common signal to the feeder line,
The drive circuit for the electro-optical device according to claim 2, further comprising:
前記第1期間において前記第3または第4電圧となり、前記第2期間において前記第1または第2電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオンし、前記第2期間においてオフする第1スイッチと、
前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間に
おいてオフし、前記第2期間においてオンする第2スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置の駆動回路。 The common signal output circuit is:
An operational amplifier in which the target signal that becomes the third or fourth voltage in the first period and becomes the first or second voltage in the second period is input to the non-inverting input terminal, and the output terminal is connected to the feeder line When,
A first switch electrically inserted between an output terminal of the operational amplifier and an inverting input terminal of the operational amplifier, turned on in the first period, and turned off in the second period;
A second switch electrically interposed between the detection line and the inverting input terminal of the operational amplifier, and turned off in the first period and turned on in the second period;
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 3, comprising:
一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する
ことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 The common signal output circuit is:
5. The apparatus according to claim 4, further comprising an auxiliary switch that is turned on between the power supply line and the detection line in a period that is temporally forward in a period in which the selection voltage is applied to one scanning line. The electro-optical device described.
前記コモン電極の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタの組を有し、
一のコモン電極に対応する前記第1トランジスタのソース電極が第1コモン信号を給電する第1給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ソース電極が第2コモン信号を給電する第2給電線に接続され、
前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、
前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第1ゲート信号が供給される第1信号線に接続され、ドレイン電極が前記第1トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第2ゲート信号が供給される第2信号線に接続され、ドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1および第2ゲート信号は、前記第1および第2トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してするか、前記第2給電線を介してするかについて規定する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 The common electrode drive circuit is
Corresponding to each of the common electrodes, it has a set of first to fourth transistors,
A source electrode of the first transistor corresponding to one common electrode is connected to a first feeder line that feeds a first common signal;
The second transistor has a source electrode connected to a second feed line that feeds a second common signal,
The drain electrodes of the first and second transistors are connected to the one common electrode;
The third transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, a source electrode connected to a first signal line to which a first gate signal is supplied, and a drain electrode connected to the first transistor. Connected to the gate electrode of
The fourth transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, a source electrode connected to a second signal line to which a second gate signal is supplied, and a drain electrode connected to the second transistor. Connected to the gate electrode of
The first and second gate signals are voltages for turning on and off the first and second transistors exclusively, and supply power to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied. The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the drive circuit is defined as being via a feeder line or via the second feeder line.
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第1給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第1コモン信号として前記第1給電線に出力する一方、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第2給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第2コモン信号として前記第2給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の駆動回路。 Provided corresponding to each of the common electrodes, and each is turned on between the one common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection;
When power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the first power supply line, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period is While the voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period, respectively, the first common signal is output to the first feeder line,
When power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the second power supply line, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period, A common signal output circuit that outputs a voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period as the second common signal to the second feeder line, respectively. The drive circuit for an electro-optical device according to claim 6.
一のコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してする場合と、前記第2給電線を介してする場合とで交互とするように決定する
ことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の駆動回路。 The first and second gate signals are:
The power supply to one common electrode is determined so as to alternate between a case where the power supply is performed via the first power supply line and a case where the power supply is performed via the second power supply line. Drive circuit for electro-optical device.
前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、
前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御し
た電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路。 Corresponding to each of the common electrodes, a detection capacitor electrically inserted between the one common electrode and the detection line,
A voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period;
The voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period,
A common signal output circuit that outputs the common signal to the feeder line,
The drive circuit for the electro-optical device according to claim 2, further comprising:
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加し、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加し、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A driving method of an electro-optical device having:
Selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order, and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
When applying the second voltage in the second period, a fourth voltage higher than the second voltage is applied in the first period in advance,
A driving method of an electro-optical device, characterized in that a data signal having a voltage corresponding to a gradation of the pixel is supplied to each pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the data line.
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。 A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
A common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance when applying the second voltage in the second period;
A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, via the data line;
An electro-optical device comprising:
ことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11.
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