JP2009162983A - Electro-optical device, driving circuit, driving method, and electronic device - Google Patents

Electro-optical device, driving circuit, driving method, and electronic device Download PDF

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克則 山崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress display unevenness which occurs in a lateral direction in configuration of changing the voltage of a common electrode 108. <P>SOLUTION: A pixel 110 includes pixel capacity and storage capacity with one end connected to a pixel electrode and with the other end connected to the common electrode 108. The common electrode 108 is provided corresponding to each of 1-320 lines, and has TFT 171 in each of the 1-320 lines. The common electrode 108 in a certain i-th line applies either one of low voltage and high voltage in a second period out of a temporally forward first period and a temporally backward second period of a period of applying selection voltage to a scanning line in the i-th line. When a first voltage is applied in the second period, a third voltage further lower than the first voltage is applied beforehand in the first period, and when a second voltage is applied in the second period, a fourth voltage further higher than the second voltage is applied beforehand in the first period. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。   The present invention relates to a technique for suppressing display unevenness generated in a horizontal direction when a voltage of a common electrode is changed in an electro-optical device such as a liquid crystal.

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量(液晶容量)が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際に、データ線の電圧振幅を抑えるために、コモン電極を走査線毎(行毎)に個別化するとともに、走査線が選択されるときに、当該選択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた2値電圧のいずれかとする技術が知られている(特許文献1参照)。
特開2005−300948号公報参照
In an electro-optical device such as a liquid crystal, a pixel capacitor (liquid crystal capacitor) is provided corresponding to the intersection of a scanning line and a data line. In order to suppress the voltage amplitude of the data line when the pixel capacitor is AC driven. The common electrode is individualized for each scanning line (each row), and when the scanning line is selected, the common electrode corresponding to the selected scanning line is set to one of binary voltages corresponding to the writing polarity. A technique is known (see Patent Document 1).
See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-3000948

しかしながら、この技術では、コモン電極を2値電圧のいずれかとする際に、コモン電極に至るまでの抵抗が大きいと、表示むらの発生原因となる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の1つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
However, in this technique, when the common electrode is set to one of the binary voltages, if the resistance to the common electrode is large, display unevenness is caused.
The present invention has been made in view of such circumstances, and one of its purposes is to provide a technique for suppressing the occurrence of display unevenness in a configuration in which common electrodes are individually driven.

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、一のコモン電極は、画素容量に電圧を書き込むために走査線に選択電圧が印加される期間において、電圧変化方向に過剰に振った第3(第4)電圧が印加された後に、第1(第2)電圧が印加されるので、選択電圧の印加終了時において、コモン電極に至るまでの抵抗が大きくても、第1(第2)電圧に近づけることができる。   In order to achieve the above object, a drive circuit of an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines, Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, each of which is connected to the data line and is in a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line. A pixel switching element, and a pixel including one end connected to the other end of the pixel switching element and the other end connected to a common electrode. A scanning line driving circuit that selects a plurality of scanning lines in a predetermined order and applies a selection voltage to the selected scanning line, and a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, Selection voltage is applied Between the first period closer to the front and the second period closer to the rear, either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage is applied in the second period. In addition, when applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in advance in the first period, and the second voltage is applied in the second period. In the case of applying, a common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance, and a pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gray level of the pixel through the data line. According to the present invention, the third (fourth) voltage that is excessively swung in the voltage change direction is applied to the one common electrode during the period in which the selection voltage is applied to the scanning line in order to write the voltage to the pixel capacitor. After that, since the first (second) voltage is applied, even when the resistance to the common electrode is large at the end of the application of the selection voltage, the first (second) voltage can be approached.

本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される構成が好ましい。
この構成において、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモ
ン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路とをさらに備えるのが好ましい。
選択電圧の印加期間のうち、時間的に前方寄りの第1期間では、コモン電極と検出線との電圧差が大きい場合があるので、検出線の電圧をいきなり第1(第2)電圧となるように制御すると、電流が多く流れたり、発振したりする不具合が発生する可能性がある。この構成では、第1期間では、そのような制御を行わず、バッファリングだけを行って、電圧差が小さくなるようにした上で、その後の第2期間で、上記制御を行うので、上記不具合の発生が抑えられる。
このようなコモン信号出力回路の構成としては、前記第1期間において前記第3または第4電圧となり、前記第2期間において前記第1または第2電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオンし、前記第2期間においてオフする第1スイッチと、前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオフし、前記第2期間においてオンする第2スイッチと、を含むことが考えられる。
また、前記コモン信号出力回路は、一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する構成としても良い。このような構成によれば、補助スイッチがオンしたときに、コモン信号出力回路によって出力されるコモン信号を、給電線およびトランジスタを介した経路とともに、検出線および補助スイッチを介した経路によってもコモン電極に供給することができる。
In the present invention, the common electrode driving circuit has a transistor corresponding to each of the common electrodes, and the transistor corresponding to one common electrode has a scanning line whose gate electrode corresponds to the one common electrode. The common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied is preferably supplied through the power supply line, with the source electrode connected to the power supply line that supplies the common signal.
In this configuration, the common electrode is provided corresponding to each of the common electrodes, and each of the common electrode and the detection line is applied when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection that is turned on in between, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period, and a control that controls the detection line to be the first or second voltage in the second period It is preferable to further include a common signal output circuit that outputs the obtained voltage as the common signal to the feeder line.
Among the selection voltage application periods, in the first period closer to the front in time, the voltage difference between the common electrode and the detection line may be large, so the voltage of the detection line suddenly becomes the first (second) voltage. Such a control may cause a problem that a large amount of current flows or oscillates. In this configuration, since such control is not performed in the first period, only the buffering is performed so that the voltage difference is reduced, and then the control is performed in the second period thereafter, the above-described problem. Occurrence is suppressed.
As a configuration of such a common signal output circuit, a target signal that becomes the third or fourth voltage in the first period and becomes the first or second voltage in the second period is input to a non-inverting input terminal. , An operational amplifier whose output terminal is connected to the power supply line, and an electrical terminal between the output terminal of the operational amplifier and the inverting input terminal of the operational amplifier, and is turned on in the first period, and in the second period. A first switch that is turned off, and a second switch that is electrically inserted between the detection line and the inverting input terminal of the operational amplifier, and is turned off in the first period and turned on in the second period. It is possible.
The common signal output circuit further includes an auxiliary switch that is turned on between the power supply line and the detection line in a temporally forward period in a period in which a selection voltage is applied to one scanning line. It is good also as a structure. According to such a configuration, when the auxiliary switch is turned on, the common signal output by the common signal output circuit is shared not only by the path via the feeder line and the transistor but also by the path via the detection line and the auxiliary switch. The electrode can be supplied.

また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタの組を有し、一のコモン電極に対応する前記第1トランジスタは、ソース電極が第1コモン信号を給電する第1給電線に接続され、前記第2トランジスタは、ソース電極が第2コモン信号を給電する第2給電線に接続され、前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第1ゲート信号が供給される第1信号線に接続され、ドレイン電極が前記第1トランジスタのゲート電極に接続され、前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第2ゲート信号が供給される第2信号線に接続され、ドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に接続され、前記第1および第2ゲート信号は、前記第1および第2トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してするか、前記第2給電線を介してするかについて規定する構成としても良い。この構成によれば、コモン電極が第1または第2給電線に非選択期間でも接続されるので、電位が不確定となる期間をなくす、または、極力少なくすることができる。   In the present invention, the common electrode driving circuit has a set of first to fourth transistors corresponding to each of the common electrodes, and the first transistor corresponding to one common electrode is a source electrode. Is connected to a first feed line that feeds a first common signal, the second transistor has a source electrode connected to a second feed line that feeds a second common signal, and drain electrodes of the first and second transistors Is connected to the one common electrode, the third transistor has a gate electrode connected to the scanning line corresponding to the one common electrode, and a source electrode connected to the first signal line to which the first gate signal is supplied. The drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor; the fourth transistor has a gate electrode connected to the scanning line corresponding to the one common electrode; The second electrode is connected to a second signal line to which a second gate signal is supplied, the drain electrode is connected to the gate electrode of the second transistor, and the first and second gate signals are the first and second The voltage is used to turn on and off the transistors exclusively, and power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the first power supply line or via the second power supply line. It is good also as a structure which prescribes | regulates whether to do. According to this configuration, since the common electrode is connected to the first or second feeder line even in the non-selection period, the period in which the potential is indefinite can be eliminated or minimized.

また、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第1給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第1コモン信号として前記第1給電線に出力する一方、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第2給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第
4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第2コモン信号として前記第2給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する構成としても良い。この構成によれば、電流が多く流れたり、発振したりする不具合の発生が抑えられる。
さらに、前記第1および第2ゲート信号は、一のコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してする場合と、前記第2給電線を介してする場合とで交互とするように決定する構成としても良い。この構成によれば、第1および第2トランジスタのオン期間が短くなるので、特性劣化を防止することができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、駆動方法としても、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
The common electrode is provided corresponding to each of the common electrodes, and each of the common electrodes is provided between the common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the common electrode. In the case where the detection switching element that is turned on and the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied are fed through the first feeding line, the third or fourth in the first period. A voltage obtained by buffering the voltage and controlling the voltage of the detection line to be the first or second voltage in the second period is output to the first power supply line as the first common signal, respectively. On the other hand, when power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the second power supply line, the third or fourth voltage is buffered in the first period. A common signal output circuit that outputs a voltage that is controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period, as the second common signal, respectively, It is good also as a structure which further has. According to this configuration, it is possible to suppress the occurrence of a problem that a large amount of current flows or oscillates.
Further, the first and second gate signals are determined so as to alternate between when power is supplied to one common electrode through the first power supply line and through the second power supply line. It is good also as composition to do. According to this configuration, the ON period of the first and second transistors is shortened, so that characteristic deterioration can be prevented.
The present invention can be conceptualized not only as a driving circuit for an electro-optical device, but also as a driving method, an electro-optical device, and an electronic apparatus having the electro-optical device.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置10は、表示領域100の周辺に、走査線駆動回路140、コモン電極駆動回路170、データ線駆動回路190が配置するとともに、制御回路20が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
<First Embodiment>
First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention.
As shown in this figure, in the electro-optical device 10, a scanning line driving circuit 140, a common electrode driving circuit 170, and a data line driving circuit 190 are arranged around the display region 100, and the control circuit 20 includes these components. Each part is controlled individually.

表示領域100は、画素110が配列する領域であり、本実施形態では、320行の走査線112が行(X)方向に延在するように設けられ、また、240列のデータ線114が列(Y)方向に延在するように設けられている。そして、1〜320行目の走査線112と1〜240列目のデータ線114との交差に対応して、画素110がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素110が表示領域100において縦320行×横240列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、1〜320行目の走査線112に対応して、それぞれコモン電極108がX方向に延在して設けられている。
The display area 100 is an area in which the pixels 110 are arranged. In this embodiment, 320 scanning lines 112 are provided so as to extend in the row (X) direction, and 240 data lines 114 are arranged in the column. It is provided so as to extend in the (Y) direction. The pixels 110 are arranged corresponding to the intersections of the scanning lines 112 in the 1st to 320th rows and the data lines 114 in the 1st to 240th columns. Therefore, in the present embodiment, the pixels 110 are arranged in a matrix of 320 vertical rows × 240 horizontal columns in the display area 100. However, the present invention is not intended to be limited to this arrangement.
Corresponding to the scanning lines 112 in the 1st to 320th rows, the common electrodes 108 are provided extending in the X direction.

画素110の詳細な構成について説明する。図2は、画素110の構成を示す図であり、i行及びこれに下方向で隣接する(i+1)行と、j列及びこれに右方向で隣接する(j+1)列との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
なお、i、(i+1)は、画素110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。
A detailed configuration of the pixel 110 will be described. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the pixel 110, corresponding to the intersection of the i row and the (i + 1) row adjacent thereto in the downward direction and the j column and the (j + 1) column adjacent thereto in the right direction. A 2 × 2 configuration for a total of four pixels is shown.
Note that i and (i + 1) are symbols for generally indicating a row in which the pixels 110 are arranged, and are integers of 1 to 320, and j and (j + 1) are columns in which the pixels 110 are arranged. It is a symbol in the case of showing generally, and is an integer of 1 or more and 240 or less.

図2に示されるように、各画素110は、画素スイッチング素子として機能するnチャネル型の薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下単に「TFT」と略称する)116と、画素容量(液晶容量)120と、蓄積容量130とを有する。各画素110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明すると、当該i行j列の画素110において、TFT116のゲート電極はi行目の走査線112に接続される一方、そのソース電極はj列目のデータ線114に接続され、そのドレイン電極は画素容量120および蓄積容量130の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量120の他端および蓄積容量130の他端は、それぞれコモン電極108に接続されている。
図2において、Yi、Y(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の走査線112に供給される走査信号を示し、また、Ci、C(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目
のコモン電極108の電圧を示している。なお、これらの画素容量120の光学特性等については、後述する。
As shown in FIG. 2, each pixel 110 includes an n-channel thin film transistor (hereinafter simply referred to as “TFT”) 116 that functions as a pixel switching element, a pixel capacitor (liquid crystal capacitor) 120, And a storage capacitor 130. Since each pixel 110 has the same configuration, a description will be given by representatively assuming that the pixel 110 is located in the i row and j column. In the pixel 110 in the i row and j column, the gate electrode of the TFT 116 is connected to the scanning line 112 in the i row. On the other hand, the source electrode is connected to the data line 114 in the j-th column, and the drain electrode is connected to one end of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130, respectively. The other end of the pixel capacitor 120 and the other end of the storage capacitor 130 are connected to the common electrode 108, respectively.
In FIG. 2, Yi and Y (i + 1) indicate scanning signals supplied to the scanning lines 112 of i and (i + 1) rows, respectively, and Ci and C (i + 1) indicate i and (i + 1) rows, respectively. The voltage of the common electrode 108 of the eye is shown. The optical characteristics and the like of these pixel capacitors 120 will be described later.

説明を再び図1に戻すと、制御回路20は、各種制御信号を出力して電気光学装置10における各部の制御等をするとともに、コモン信号Vcを、給電線161を介してコモン
電極駆動回路170に供給する。
Returning again to FIG. 1, the control circuit 20 outputs various control signals to control each part in the electro-optical device 10, and the common signal Vc is supplied to the common electrode driving circuit 170 via the feeder line 161. To supply.

表示領域100の周辺には、上述したように、走査線駆動回路140や、コモン電極駆動回路170、データ線駆動回路190などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路140は、制御回路20による制御にしたがって、1フレームの期間にわたって走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y320を、それぞれ1、2、3、…、320行目の走査線112に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路140は、走査線112を図1において上から数えて1、2、3、…、320行目という順番で選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Vddに相当するHレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧Vssに相当するLレベルとする。
なお、走査線駆動回路140は、図4に示されるように、制御回路20から供給されるスタートパルスDyを、クロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320を、この順番でHレベルとさせる。
また、本実施形態において1フレームの期間には、同図に示されるように、走査信号Y1がHレベルになってから走査信号Y320がLレベルになるまでの垂直有効走査期間Faのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、1行の走査線112が選択される
期間が水平走査期間Hである。
As described above, peripheral circuits such as the scanning line driving circuit 140, the common electrode driving circuit 170, and the data line driving circuit 190 are provided around the display region 100.
Among these, the scanning line driving circuit 140 scans the scanning signals Y1, Y2, Y3,..., Y320 in the first, second, third,. The line 112 is supplied. Specifically, the scanning line driving circuit 140 selects the scanning lines 112 in the order of the first, second, third,..., 320th rows from the top in FIG. The H level corresponding to the voltage Vdd is set, and the scanning signals to the other scanning lines are set to the L level corresponding to the non-selection voltage Vss.
As shown in FIG. 4, the scanning line driving circuit 140 sequentially shifts the start pulse Dy supplied from the control circuit 20 in accordance with the clock signal Cly.
The scanning signals Y1, Y2, Y3, Y4,..., Y320 are set to the H level in this order.
In this embodiment, in the period of one frame, as shown in the figure, in addition to the vertical effective scanning period Fa from when the scanning signal Y1 becomes H level to when the scanning signal Y320 becomes L level, Other vertical blanking periods are included. A period during which one row of scanning lines 112 is selected is a horizontal scanning period H.

コモン電極駆動回路170は、本実施形態では、1〜320行目のコモン電極108に対応して設けられたnチャネル型のTFT171(トランジスタ)から構成される。ここで、i行目のコモン電極108に対応るするTFT171について説明すると、当該TFT171のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極が給電線161に接続され、そのドレイン電極がi行目のコモン電極108に接続されている。   In the present embodiment, the common electrode driving circuit 170 includes n-channel TFTs 171 (transistors) provided corresponding to the common electrodes 108 in the first to 320th rows. Here, the TFT 171 corresponding to the i-th common electrode 108 will be described. The gate electrode of the TFT 171 is connected to the i-th scanning line 112, its source electrode is connected to the power supply line 161, and its drain The electrode is connected to the i-th common electrode 108.

データ線駆動回路190は、走査線駆動回路140によって選択される走査線(選択走査線)に位置する画素110に対して、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Polで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線114に供給するものである。
ここで、データ線駆動回路190は、縦320行×横240列のマトリクス配列に対応した記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素110の階調値(明るさ)を指定する表示データDaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タDaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路20によって変更後の表示データDaが供給されて記憶領域の内容が書き換えられる。
データ線駆動回路190は、選択走査線に位置する画素110の表示データDaを記憶
領域から1行分読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線114に供給する動作を、選択走査線位置する1〜240列のそれぞれについて実行する。
The data line driving circuit 190 is a voltage corresponding to the gradation for the pixel 110 located on the scanning line (selected scanning line) selected by the scanning line driving circuit 140 and is designated by the polarity instruction signal Pol. A data signal having a voltage corresponding to the polarity is supplied to the data line 114.
Here, the data line driving circuit 190 has storage areas (not shown) corresponding to a matrix arrangement of 320 rows × 240 columns, and each storage area has a gradation value (brightness) of the corresponding pixel 110. Display data Da for designating the data is stored. The display data Da stored in each storage area is supplied with the changed display data Da by the control circuit 20 when the display contents are changed, and the contents of the storage area are rewritten.
The data line driving circuit 190 reads out the display data Da of the pixels 110 located on the selected scanning line for one row from the storage area, and at a voltage corresponding to the gradation specified by the read display data and the specified polarity. The operation of converting to a data signal and supplying it to the data line 114 is executed for each of the 1st to 240th columns positioned at the selected scanning line.

また、制御回路20は、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスLpをデータ線駆動回路190に供給する。上述したように、走査線駆動回
路140は、スタートパルスDyをクロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングとなる。したがって、データ線駆動回路190は、例えばラッチパルスLpを1フレーム
の期間開始からカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのかを知り、
さらに、ラッチパルスLpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知る
ことができる。
Further, the control circuit 20 supplies the latch pulse Lp to the data line driving circuit 190 at the timing when the logic level of the clock signal Cly changes. As described above, the scanning line driving circuit 140 outputs the scanning signals Y1, Y2, Y3, Y4,..., Y320 by sequentially shifting the start pulse Dy according to the clock signal Cly. The start timing of this period is the timing at which the logic level of the clock signal Cly transitions. Therefore, the data line driving circuit 190 knows which scanning line is selected by continuing to count the latch pulse Lp from the start of the period of one frame, for example.
Furthermore, the selection start timing can be known from the supply timing of the latch pulse Lp.

書込極性は、制御回路20によって出力される極性指定信号Polによって指定される。詳細には、極性指定信号Polは、本実施形態では図4に示されるように、ある1フレームの期間(「nフレーム」と表記)において、奇数1、3、5、…、319行への走査信号がHレベルとなる期間においてHレベルとなって正極性書込を指定し、偶数2、4、6、…、320行への走査信号がHレベルとなる期間においてLレベルとなって負極性書込を指定する。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、走査線毎に反転する走査線反転(ライン反転)方式となる。
また、極性指示信号Polは、次の(n+1)フレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる期間においてLレベルとなり、偶数行への走査信号がHレベルとなる期間においてHレベルとなって、nフレームと比較して各行について書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量120に対して電圧を保持させる際に、コモン電極108の電圧よりも画素電極118の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
The write polarity is designated by a polarity designation signal Pol output by the control circuit 20. Specifically, in this embodiment, the polarity designation signal Pol is supplied to odd-numbered 1, 3, 5,..., 319 lines in a period of one frame (denoted as “n frame”) as shown in FIG. In the period when the scanning signal is at the H level, the positive writing is designated, and the scanning signal to even rows 2, 4, 6,. Specifies sex writing. Therefore, in this embodiment, a scanning line inversion (line inversion) method in which the writing polarity to the pixel is inverted for each scanning line is employed.
In addition, in the next (n + 1) frame, the polarity instruction signal Pol becomes L level during a period when the scanning signal to the odd-numbered row is H level, and becomes H level during the period when the scanning signal to the even-numbered row is H level. Thus, the writing polarity is inverted for each row as compared with the n frame. The reason for reversing the writing polarity in this way is to prevent deterioration of the liquid crystal due to application of a DC component.
As for the writing polarity in the present embodiment, when the voltage is held in the pixel capacitor 120, the case where the potential of the pixel electrode 118 is set higher than the voltage of the common electrode 108 is called positive polarity, and the lower level. The case of the side is called negative polarity. As for the voltage, unless otherwise specified, the ground potential of a power source (not shown) is used as a reference for zero voltage.

コモン信号Vcは、極性指示信号Polによって、ある行の画素に対して正極性書込が指
定されていれば、当該行への走査信号がHレベルとなる期間のうち、時間的に前方寄りの期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、残りの期間である時間的に後方寄りの期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該行への走査信号が
Hレベルとなる期間のうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおい
て電圧Vshとなる。
ここで、電圧Vsl、Vshは、(Vss≦)Vsl<Vsh(≦Vdd)という関係にあり、電圧Vsl(第1電圧)が、電圧Vsh(第2電圧)よりも相対的に低い電圧となっている。
If the positive polarity writing is designated for a pixel in a certain row by the polarity instruction signal Pol, the common signal Vc is closer to the front in the period in which the scanning signal to the row is at the H level. In the period Ha, the voltage (Vsl−Va) is reached, and in the remaining period, the time Hb, which is closer to the rear, the voltage Vsl is reached. On the other hand, if negative polarity writing is designated, the scanning signal to the row is H In the period of level, the voltage (Vsh + Va) is obtained in the period Ha, and the voltage Vsh is obtained in the period Hb.
Here, the voltages Vsl and Vsh have a relationship of (Vss ≦) Vsl <Vsh (≦ Vdd), and the voltage Vsl (first voltage) is relatively lower than the voltage Vsh (second voltage). ing.

さて、本実施形態において、表示領域100は、素子基板と対向基板との一対の基板同士を、一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶105を封止した構成となっている。ここで、素子基板には、上述した走査線112や、データ線114、コモン電極108、画素電極118およびTFT116、171が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合わせられる。この構成のうち、表示領域100とコモン電極駆動回路170との境界付近を平面的に示したものが図3である。   In the present embodiment, the display region 100 has a configuration in which a pair of substrates of an element substrate and a counter substrate are bonded to each other while maintaining a certain gap, and the liquid crystal 105 is sealed in the gap. Here, the scanning line 112, the data line 114, the common electrode 108, the pixel electrode 118, and the TFTs 116 and 171 are formed on the element substrate, and are bonded so that the electrode formation surface faces the counter substrate. . FIG. 3 is a plan view showing the vicinity of the boundary between the display region 100 and the common electrode driving circuit 170 in this configuration.

図3からも判るように、表示領域100は、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたIPSモードの変形であるFFS(fringe field switching)モードとしたものである。また、本実施形態では、TFT116、171は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側(紙面奥側)に位置するボトムゲート型である。
詳細には、第1導電層となるゲート電極層のパターニングによって、走査線112や、コモン電極108、接続配線が形成され、その上にゲート絶縁膜(図示省略)が形成され、さらにTFTの半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第2導電層となるITO(indium tin oxide)層のパターニングにより、櫛歯形状の画素電極118が形成され、さらに、第3導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、TFTのソース電極や、ドレイン電極とともに、データ線114、給電線161のほか、各種の接続電極を形成されている。
As can be seen from FIG. 3, the display region 100 is an FFS (fringe field switching) mode, which is a modification of the IPS mode in which the electric field direction applied to the liquid crystal is the substrate surface direction. In this embodiment, the TFTs 116 and 171 are amorphous silicon types, and are bottom gate types in which the gate electrodes are located below the semiconductor layer (the back side of the drawing).
Specifically, the scanning line 112, the common electrode 108, and the connection wiring are formed by patterning the gate electrode layer serving as the first conductive layer, a gate insulating film (not shown) is formed thereon, and the TFT semiconductor is further formed. The layer is formed in an island shape. A comb-shaped pixel electrode 118 is formed on the semiconductor layer by patterning an ITO (indium tin oxide) layer serving as a second conductive layer via a protective layer, and further, aluminum serving as a third conductive layer. In addition to the TFT source electrode and drain electrode, various connection electrodes are formed in addition to the data line 114 and the power supply line 161 by patterning the metal layer.

本実施形態において、蓄積容量130は、画素電極118とコモン電極108とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。また、素子基板と対向基板との間隙
には、液晶も封入されるので、画素電極118とコモン電極108との間には、誘電体たる液晶を介した構造によっても容量成分が生じる。本実施形態では、この液晶を介したことによる容量成分が、画素容量120となっている。
この構成においては、画素容量120と蓄積容量130との並列容量の保持電圧に応じた電界が、素子基板面に沿い、かつ、画素電極118の櫛歯と直交するX方向に発生して、液晶の配向状態を変化させる。これにより、偏光子(図示省略)を通過する光量は、当該保持電圧の実効値に応じた値となる。
なお、本実施形態では、FFSモードとしたが、IPSモードとしても良いし、電気的な等価回路が図2で示されるような回路であれば、他のモードであっても良い。
In the present embodiment, the storage capacitor 130 is a capacitance component generated by a stacked structure in which the pixel electrode 118 and the common electrode 108 are interposed via an insulating layer. In addition, since liquid crystal is also sealed in the gap between the element substrate and the counter substrate, a capacitance component is generated between the pixel electrode 118 and the common electrode 108 due to the structure through the liquid crystal serving as a dielectric. In the present embodiment, the capacitive component resulting from the liquid crystal is a pixel capacitor 120.
In this configuration, an electric field corresponding to the holding voltage of the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 is generated in the X direction along the element substrate surface and orthogonal to the comb teeth of the pixel electrode 118, and the liquid crystal The orientation state of the is changed. Thereby, the amount of light passing through the polarizer (not shown) becomes a value corresponding to the effective value of the holding voltage.
In this embodiment, the FFS mode is used. However, the IPS mode may be used, and other modes may be used as long as the electrical equivalent circuit is a circuit as shown in FIG.

上記並列容量の保持電圧は、画素電極118およびコモン電極108の差電圧であるから、i行j列の画素を目的の階調とするには、走査信号YiをHレベルにして、TFT116を導通(オン)状態とさせるとともに、上記差電圧が画素の階調に応じた値なるような電圧のデータ信号Xjを、j列目のデータ線114と、i行j列でオンしたTFT116とを介して画素電極118に供給すれば良いことになる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
Since the holding voltage of the parallel capacitor is a difference voltage between the pixel electrode 118 and the common electrode 108, the scanning signal Yi is set to the H level and the TFT 116 is turned on in order to set the pixel in i row and j column to the target gradation. The data signal Xj having a voltage such that the difference voltage becomes a value corresponding to the gradation of the pixel is set via the data line 114 in the j-th column and the TFT 116 turned on in the i-th row and j-th column. Thus, it may be supplied to the pixel electrode 118.
In the present embodiment, for convenience of explanation, if the voltage effective value is close to zero, the light transmittance is maximized to display white, while the amount of transmitted light decreases as the voltage effective value increases. Finally, a normally white mode in which the black display with the minimum transmittance is set.

一方、各行の走査線112は、表示領域100においては上述したようにX方向に延在して設けられる。ここで、i行目の走査線112は、コモン電極駆動回路170においてY(下)方向に分岐する部分を有し、この分岐部分がTFT171のゲート電極となっている。
また、TFT171のドレイン電極108aは、上記第3導電層をパターニングしたものであるが、ゲート電極層をパターニングしたコモン電極108との間には絶縁層が介在するので、両者電極同士は、当該絶縁層を貫通するコンタクトホール108b(図において×印で表記)によって接続される。
なお、各行のコモン電極108は、1〜240列目のデータ線114とは絶縁層を介して交差するので、図2において破線で示されるように、寄生容量を介して互いに容量結合することになる。
On the other hand, the scanning lines 112 in each row are provided so as to extend in the X direction in the display region 100 as described above. Here, the i-th scanning line 112 has a portion branched in the Y (down) direction in the common electrode driving circuit 170, and this branched portion is a gate electrode of the TFT 171.
Further, the drain electrode 108a of the TFT 171 is obtained by patterning the third conductive layer. However, since an insulating layer is interposed between the gate electrode layer and the common electrode 108, the two electrodes are insulated from each other. They are connected by contact holes 108b (denoted by x in the figure) penetrating the layers.
Since the common electrode 108 in each row intersects with the data line 114 in the first to 240th columns via an insulating layer, it is capacitively coupled to each other via a parasitic capacitance as shown by a broken line in FIG. Become.

図3に示した構成は、あくまでも一例であり、TFTの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、コモン電極駆動回路170の素子を表示領域100と同じプロセスで基板上に造り込むのではなく、ICチップを素子基板に実装する構成としても良い。ICチップを素子基板に実装する場合、走査線駆動回路140、コモン電極駆動回路170を、データ線駆動回路190とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。一方で、制御回路20については、素子基板に造り込む構成としても良い。
また、本実施形態については、透過型や、反射型、さらには、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。このため、反射層等については特に言及していない。
The configuration shown in FIG. 3 is merely an example, and the TFT type may be another structure, for example, a top gate type in terms of arrangement of gate electrodes, or a polysilicon type in terms of process. Further, instead of building the elements of the common electrode driving circuit 170 on the substrate by the same process as the display region 100, an IC chip may be mounted on the element substrate. When the IC chip is mounted on the element substrate, the scanning line driving circuit 140 and the common electrode driving circuit 170 may be integrated as a semiconductor chip together with the data line driving circuit 190, or may be separate chips. On the other hand, the control circuit 20 may be configured to be built in the element substrate.
In addition, the present embodiment may be a transmissive type, a reflective type, or a so-called transflective type that combines both a transmissive type and a reflective type. For this reason, no particular reference is made to the reflective layer or the like.

次に、本実施形態に係る電気光学装置10の動作について説明する。
まず、nフレームにおいては、走査線駆動回路140によって最初に走査信号Y1がHレベルになるとともに、極性指定信号PolがHレベルとなって1行目に対しては正極性書込が指定される。
走査信号Y1がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、
データ線駆動回路190は、1行目であって1〜240列目の画素の表示データDaを読
み出すとともに、当該表示データDaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Vslを
基準に高位側とした電圧のデータ信号X1〜X240に変換し、それぞれ1〜240列のデータ線114に供給する。これにより例えば、j列目のデータ線114には、1行j列の画素110に対して指定される階調が暗くなるにつれて電圧Vslよりも高位側とした電圧がデータ信号Xjとして印加される。
走査信号Y1がHレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1〜X240が印加される。
Next, the operation of the electro-optical device 10 according to this embodiment will be described.
First, in the n frame, the scanning signal driving circuit 140 first sets the scanning signal Y1 to the H level, and the polarity designation signal Pol becomes the H level, and the positive writing is designated for the first row. .
When the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y1 becomes H level,
The data line driving circuit 190 reads out the display data Da of the pixels in the first row and the first to 240th columns, and as the gradation specified by the display data Da becomes darker, the data line driving circuit 190 becomes higher with reference to the voltage Vsl. Are converted into data signals X1 to X240 having the voltages as described above, and supplied to the data lines 114 of 1 to 240 columns, respectively. Thereby, for example, a voltage that is higher than the voltage Vsl is applied to the j-th data line 114 as the data signal Xj as the gradation specified for the pixel 110 in the first row and j-th column becomes darker. .
When the scanning signal Y1 becomes H level, the TFTs 116 in the pixels in the 1st row and 1st column to the 1st row and 240th column are turned on, so that the data signals X1 to X240 are applied to these pixel electrodes 118.

一方、走査信号Y1がHレベルになると、コモン電極駆動回路170では、1行目のTFT171がオンするので、1行目のコモン電極108が給電線161に接続される。nフレームにおいて走査信号Y1がHレベルとなる水平走査期間Hでは正極性書込が指定されるので、コモン信号Vcは、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において1行目のコモン電極108は、電圧Vslとなるので、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。   On the other hand, when the scanning signal Y1 becomes the H level, in the common electrode driving circuit 170, the TFT 171 in the first row is turned on, so that the common electrode 108 in the first row is connected to the power supply line 161. In the horizontal scanning period H in which the scanning signal Y1 is at the H level in the n frame, the positive writing is designated, so the common signal Vc becomes the voltage (Vsl−Va) in the period Ha and becomes the voltage Vsl in the period Hb. Accordingly, at the end of the horizontal scanning period, the common electrode 108 in the first row becomes the voltage Vsl. Therefore, the parallel capacitances of the pixel capacitors 120 and the storage capacitors 130 in the first row and first column to the first row and 240 columns are respectively connected to the respective levels. A positive voltage corresponding to the tone is written.

次に走査信号Y1がLレベルになるとともに、走査信号Y2がHレベルになる。走査信号Y1がLレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオフするとともに、コモン電極駆動回路170にあっては、1行目のTFT171もオフする。
このため、1行1列〜1行240列の各画素110にあっては、それぞれ画素電極118が、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態になるが、1行目のコモン電極108も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
Next, the scanning signal Y1 becomes L level and the scanning signal Y2 becomes H level. When the scanning signal Y1 becomes the L level, the TFTs 116 in the pixels in the first row and the first column to the first row and the 240th column are turned off, and in the common electrode driving circuit 170, the TFT 171 in the first row is also turned off.
Therefore, in each pixel 110 in the first row and the first column to the first row and the 240th column, the pixel electrode 118 is in a high impedance state that is not electrically connected to any portion. Similarly, since 108 is in a high impedance state, the voltage state written in the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the 1st row and 1st column to the 1st row and 240th column is maintained as it is.

また、走査信号Y2がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力され
ると、データ線駆動回路190は、2行目であって1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、当該表示データDaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Vshを基準に低位側とした電圧のデータ信号X1〜X240に変換し、それぞれ1〜240列のデータ線114に供給する。これにより例えば、j列目のデータ線114には、2行j列の画素110の表示データDaで指定された電圧だけ電圧Vshよりも低
位側とした電圧がデータ信号Xjとして印加される。
走査信号Y2がHレベルになると、2行1列〜2行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1〜X240が印加される。
一方、走査信号Y2がHレベルになると、コモン電極駆動回路170では、2行目のTFT171がオンするので、2行目のコモン電極108が給電線161に接続される。nフレームにおいて走査信号Y2がHレベルとなる水平走査期間Hでは負極性書込が指定されるので、コモン信号Vcは、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において2行目のコモン電極108は、電圧Vshとなるので、2行1列〜2行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
Further, when the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y2 becomes H level, the data line driving circuit 190 displays the display data of the pixels in the second row and in the first, second, third,. As Da is read out and the gradation specified by the display data Da becomes darker, it is converted into data signals X1 to X240 of voltages set to the lower side with reference to the voltage Vsh, and the data lines 114 of 1 to 240 columns are respectively applied. Supply. Thus, for example, a voltage that is lower than the voltage Vsh by the voltage specified by the display data Da of the pixel 110 in the 2nd row and jth column is applied to the jth data line 114 as the data signal Xj.
When the scanning signal Y2 becomes H level, the TFTs 116 in the pixels in the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 240th column are turned on, so that the data signals X1 to X240 are applied to these pixel electrodes 118.
On the other hand, when the scanning signal Y2 becomes H level, in the common electrode driving circuit 170, the TFT 171 in the second row is turned on, so that the common electrode 108 in the second row is connected to the power supply line 161. Since the negative polarity writing is designated in the horizontal scanning period H in which the scanning signal Y2 is at the H level in the n frame, the common signal Vc becomes the voltage (Vsh + Va) in the period Ha and becomes the voltage Vsh in the period Hb. Therefore, since the common electrode 108 in the second row becomes the voltage Vsh at the end of the horizontal scanning period, the parallel capacitance of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and 240th column has respective levels. A negative voltage corresponding to the tone is written.

次に走査信号Y2がLレベルになるとともに、走査信号Y3がHレベルになる。走査信号Y2がLレベルになると、2行1列〜2行240列の画素におけるTFT116がオフするとともに、2行目のTFT171もオフする。このため、2行1列〜2行240列の各画素110にあっては、それぞれ画素電極118がハイ・インピーダンス状態になるが
、2行目のコモン電極108も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、2行1列〜2行240列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
Next, the scanning signal Y2 becomes L level and the scanning signal Y3 becomes H level. When the scanning signal Y2 becomes L level, the TFTs 116 in the pixels of the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 240th column are turned off and the TFT 171 in the second row is also turned off. Therefore, in each pixel 110 in the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 240th column, the pixel electrode 118 is in a high impedance state, but the common electrode 108 in the second row is also in a high impedance state. Therefore, the voltage state written in the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 of 2 rows and 1 column to 2 rows and 240 columns is maintained as it is.

また、走査信号Y3がHレベルになると、3行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に、走査信号Y4がHレベルになると、4行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
nフレームでは、以下同様な動作が320行目まで繰り返され、これにより、奇数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれる。このように、すべての画素における並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域100において1枚(フレーム)の画像が表示されることになる。
When the scanning signal Y3 becomes H level, a positive voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitance of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the third row. Next, the scanning signal When Y4 becomes H level, a negative voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the fourth row.
In the n-th frame, the same operation is repeated up to the 320th row. As a result, a positive voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitance of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the odd row, In the parallel capacitors of the pixel capacitors 120 and the storage capacitors 130 in even-numbered rows, negative voltages corresponding to the respective gradations are written. In this manner, voltages corresponding to gradations are written in the parallel capacitors in all the pixels, so that one (frame) image is displayed in the display region 100.

次の(n+1)フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転されるので、奇数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。   The same operation is repeated in the next (n + 1) frame. However, since the writing polarity of each row is inverted, the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the odd-numbered row each have a negative electrode corresponding to the gradation. The positive voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the even-numbered row.

このような電圧の書き込みについて図5を参照して説明する。図5は、奇数i行j列の画素電極118における電圧Pix(i,j)と、偶数(i+1)行j列の画素電極118にお
ける電圧Pix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Yi、Y(i+1)との関係において示す
図である。
コモン信号Vcは、nフレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルになる水平走
査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vsl
となる。このため、奇数i行目のコモン電極108の電圧Ciについても、同図に示されるように、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧
(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなるはずである。一方、j列目のデータ線114には、当該電圧Vslよりも、i行j列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧(図において↑で示される)のデータ信号Xjが供給される。走査信号YiがHレベルであると、i行目のTFT116がオンするので、i行j列の画素電極118はデータ信号Xjの電圧となり、これにより、i行j列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、画素電極118の電圧Pix(i,j)とコモン電極108の電圧Vslとの差電
圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。なお、図5において、上記差電圧はハッチングを付した部分に相当する。
Such voltage writing will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows scanning voltages of the voltage Pix (i, j) at the pixel electrode 118 in the odd-numbered i rows and j columns and the voltage Pix (i + 1, j) at the pixel electrode 118 in the even-numbered (i + 1) rows and j columns. It is a figure shown in relation to Yi and Y (i + 1).
The common signal Vc becomes a voltage (Vsl−Va) in the period Ha in the horizontal scanning period H in which the scanning signal to the odd-numbered row is H level in the n frame, and the voltage Vsl in the period Hb.
It becomes. Therefore, the voltage Ci of the odd-numbered i-th common electrode 108 also becomes a voltage (Vsl−Va) in the period Ha in the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level, as shown in FIG. In the period Hb, the voltage Vsl should be obtained. On the other hand, a data signal Xj of a voltage (shown by ↑ in the drawing) higher than the voltage Vsl by a voltage corresponding to the gray level of the pixel in i row and j column is supplied to the data line 114 in the j column. Is done. When the scanning signal Yi is at the H level, the TFT 116 in the i-th row is turned on, so that the pixel electrode 118 in the i-th row and j-th column becomes the voltage of the data signal Xj. In the parallel capacitor 130, a voltage difference between the voltage Pix (i, j) of the pixel electrode 118 and the voltage Vsl of the common electrode 108, that is, a positive voltage corresponding to the gradation is written. In FIG. 5, the difference voltage corresponds to a hatched portion.

走査信号YiがLレベルになると、TFT116、171がオフするので、i行目にあっては各画素電極118とともに、i行目のコモン電極108もハイ・インピーダンス状態になり、i行目の各列において書き込まれた電圧がそのまま保持されることになる。なお、図において、電圧Ciの破線部分は、ハイ・インピーダンス状態にあることを示している。   When the scanning signal Yi becomes the L level, the TFTs 116 and 171 are turned off. Therefore, in the i-th row, the common electrode 108 in the i-th row is also in a high impedance state together with the pixel electrodes 118, and The voltage written in the column is held as it is. In the figure, the broken line portion of the voltage Ci indicates a high impedance state.

1フレームの期間が経過して、再び走査信号YiがHレベルになったときに、負極性書込が指定されるので、奇数i行目のコモン電極108の電圧Ciは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hb
において電圧Vshとなるはずである。一方、j列目のデータ線114には、当該電圧Vshよりも、i行j列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧(図において↓で示される)のデータ信号Xjが供給される。これにより、i行j列の画素容量120および蓄積容量130の並列容量には、階調に応じた負極性電圧が書き込まれることになる。
なお、i行目に対して正極性書込が指定されるnフレームでは、(i+1)行目に対し負極性書込が指定され、i行目に対して負極性書込が指定される(n+1)フレームにおいては、(i+1)行目に対し正極性書込が指定されて、走査線毎に反転することになる。
Since the negative polarity writing is designated when the scanning signal Yi becomes H level again after the lapse of one frame, the voltage Ci of the common electrode 108 in the odd-numbered i-th row is equal to the H level of the scanning signal Yi. In the horizontal scanning period H that becomes the level, the voltage becomes (Vsh + Va) in the period Ha, and the period Hb
At voltage Vsh. On the other hand, a data signal Xj having a voltage (indicated by ↓ in the drawing) lower than the voltage Vsh by a voltage corresponding to the gradation of the pixel in i row and j column is supplied to the data line 114 in the j column. Is done. As a result, the negative voltage corresponding to the gradation is written in the parallel capacitor of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the i row and j column.
In the n frame in which positive polarity writing is designated for the i-th row, negative polarity writing is designated for the (i + 1) th row, and negative polarity writing is designated for the i-th row ( In the (n + 1) th frame, positive writing is designated for the (i + 1) th row, and it is inverted every scanning line.

このような第1実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Vslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Vshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極108の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路190の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。   According to the first embodiment, a data signal having a voltage higher than the voltage Vsl by a voltage corresponding to the gradation is supplied to the pixels in the row in which the positive writing is designated. Since the data signal having a voltage lower than the voltage Vsh by a voltage corresponding to the gradation is supplied to the pixels in the row in which negative polarity writing is designated, the voltage amplitude of the data signal is equal to the common electrode. Compared with the case where the voltage 108 is constant, the voltage becomes narrower. For this reason, the withstand voltage required for the constituent elements of the data line driving circuit 190 can be kept low, the configuration can be simplified correspondingly, and the power consumed unnecessarily by the voltage change can be suppressed. It becomes.

ところで、本実施形態において、例えばi行目のコモン電極108は、i行目に対し正極性書込が指定されていれば、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、時間的に前方寄りの期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、時間的に後方寄りの期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該水平走査期間のう
ち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなるコモン
信号Vcが、オン状態となったTFT171を介して印加される。
このように走査線への走査信号がHレベルとなる水平走査期間Hにおいて、コモン電極への電圧を2段階に分けて印加する場合の効果を説明する前に、2段階にわけないで電圧Vslまたは電圧Vshの一方のみを印加する構成の問題について説明する。
By the way, in the present embodiment, for example, if the positive electrode writing is designated for the i-th row, the common electrode 108 in the i-th row is temporal in the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi becomes H level. If the negative polarity writing is designated while the voltage Vsl becomes equal to the voltage Vsl-Va in the forward period Ha and the voltage Vsl in the backward period Hb, the period Ha is included in the horizontal scanning period. The common signal Vc, which becomes the voltage (Vsh + Va) in the period Hb and becomes the voltage Vsh in the period Hb, is applied through the TFT 171 which is turned on.
Thus, before describing the effect of applying the voltage to the common electrode in two stages in the horizontal scanning period H in which the scanning signal to the scanning line is at the H level, the voltage Vsl is not divided into two stages. Or the problem of the structure which applies only one side of the voltage Vsh is demonstrated.

走査信号YiがHレベルになってi行目に対応するTFT116がオンしたとき、画素容量120と蓄積容量130とには、それぞれデータ信号に応じた電圧が充電される。このときの充電電流は、i行目のコモン電極108を介して、オンしたTFT171に流れることになる。ここで、各行のコモン電極108には、実際には、様々な容量が寄生するとともに、TFT171のオン抵抗によって、一種の積分回路が形成される。このため、i行目のコモン電極108において、正極性書込が指定されている場合に走査信号がHレベルとなったときの電圧Vshから電圧Vslへの変化は、理想的にパルス的ではなく、図6(a)に示されるように波形鈍りが生じる。   When the scanning signal Yi becomes H level and the TFT 116 corresponding to the i-th row is turned on, the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 are charged with voltages corresponding to the data signals, respectively. The charging current at this time flows to the turned on TFT 171 via the i-th common electrode 108. Here, various capacitances are actually parasitic on the common electrode 108 in each row, and a kind of integration circuit is formed by the on-resistance of the TFT 171. Therefore, in the i-th common electrode 108, when positive writing is designated, the change from the voltage Vsh to the voltage Vsl when the scanning signal becomes H level is not ideally pulsed. As shown in FIG. 6A, the waveform becomes dull.

さらに、1〜320行目のコモン電極108は、それぞれ1〜240列目のデータ線114と電気的な絶縁を保ちつつ交差するので、図2において破線で示されるように、各列のデータ線114と容量を介して結合する。このため、各行のコモン電極108は、データ線114の電圧変化の影響も受けることにもなる。   Further, since the common electrodes 108 in the 1st to 320th rows intersect with the data lines 114 in the 1st to 240th columns, respectively, while maintaining electrical insulation, the data lines in each column are indicated by broken lines in FIG. It couple | bonds with 114 through a capacity | capacitance. Therefore, the common electrode 108 in each row is also affected by the voltage change of the data line 114.

ここで、データ線の電圧変化方向は、表示領域100での表示内容に応じて定まるが、例えばi行目のコモン電極108では、走査信号YiがHレベルとなるときの当該i行目のコモン電極における電圧変化方向がデータ線の電圧変化と反対方向であるときに、i行目のコモン電極108がデータ線114の電圧変化により受ける影響が大きくなる。詳細には、正極性書込が指定された場合に走査信号YiがHレベルとなったとき、i行目のコモン電極108は、電圧Vshから電圧Vslに向かって下降するが、データ線の電圧変化が上昇方向であれば、図6(a)に示されるような正方向の微分パルス(正ノイズ)が当該i行目のコモン電極108に重畳される。
このため、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には同図に示されるように、当該水平走査期間の終了タイミングでみたときに、電圧Vslから電圧ΔVだけずれてしまう状態が発生する。走査信号YiがHレベルとなったときに供給されるデータ信号は、電圧Vslを基準にして定められているので、波形鈍りやノイズによってi行目のコモン電極108が電圧Vslから電圧ΔVだけずれてしまうと、画素容量120および蓄積容量13
0の並列容量には、階調に応じた電圧ではなく、当該階調に応じた電圧からΔVだけシフトした電圧が保持されて、この保持された電圧に応じた光学特性(透過率または反射率)になってしまうことになる。
Here, the voltage change direction of the data line is determined according to the display content in the display region 100. For example, in the common electrode 108 in the i-th row, the common in the i-th row when the scanning signal Yi becomes H level. When the voltage change direction at the electrode is opposite to the voltage change of the data line, the i-th common electrode 108 is greatly affected by the voltage change of the data line 114. Specifically, when the positive polarity writing is designated and the scanning signal Yi becomes H level, the common electrode 108 in the i-th row drops from the voltage Vsh toward the voltage Vsl, but the voltage of the data line If the change is in the upward direction, a differential pulse (positive noise) in the positive direction as shown in FIG. 6A is superimposed on the i-th common electrode 108.
Therefore, the voltage Ci of the i-th common electrode 108 actually deviates from the voltage Vsl by the voltage ΔV when viewed at the end timing of the horizontal scanning period, as shown in FIG. To do. Since the data signal supplied when the scanning signal Yi becomes H level is determined with reference to the voltage Vsl, the i-th common electrode 108 is shifted from the voltage Vsl by the voltage ΔV due to waveform dullness or noise. As a result, the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 13
The parallel capacitor of 0 holds not the voltage corresponding to the gradation but the voltage shifted by ΔV from the voltage corresponding to the gradation, and the optical characteristics (transmittance or reflectance) corresponding to the held voltage. ) Will end up.

この現象は、i行j列だけでなく、i行目のコモン電極108に対応する画素1行分についても同様に発生するので、横方向の表示むらとなって視認されることになる。
ここではi行目に対し正極性書込が指定された場合の波形鈍りと正ノイズとの影響について説明したが、負極性書込が指定された場合にも、方向が異なるだけで、同様な波形鈍りと負ノイズが発生するので、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には図6(b)に示されるように、電圧Vshから電圧ΔVだけずれてしまう状態が発生する。さらに、ここではi行目のコモン電極108の電圧Ciについて説明しているが、隣接する(i+1)行でも同様に、すなわち1〜320行目でも同様に発生する。
This phenomenon occurs not only in i row and j column but also in one row of pixels corresponding to the common electrode 108 in the i row, so that it is visually recognized as uneven display in the horizontal direction.
Here, the influence of waveform dullness and positive noise when positive polarity writing is designated for the i-th row has been described, but even when negative polarity writing is designated, only the direction is different but the same. Since waveform dullness and negative noise occur, the voltage Ci of the i-th common electrode 108 actually deviates from the voltage Vsh by the voltage ΔV, as shown in FIG. 6B. Furthermore, although the voltage Ci of the common electrode 108 in the i-th row has been described here, the same occurs in the adjacent (i + 1) -th row, that is, the same occurs in the 1st to 320th rows.

なお、TFT171のオン抵抗による波形鈍りとデータ線の電圧変化とでは、どちらの影響が支配的であるかについては、パネルの構成や駆動方法などの様々な条件が絡み合うので、一概には言えない。仮に、波形鈍りの影響が大きいのであれば、TFT171のオン抵抗を小さくすれば良いが、TFT171には大きなトランジスタサイズが要求される。TFT171のトランジスタサイズが大きくなると、TFT171を素子基板に内蔵する場合に、表示領域100の外側面積(いわゆる額縁)が拡大してしまう。
いずれにしても各コモン電極108が、水平走査期間の終了時、すなわちTFT171がオフするタイミングまでに、正しく電圧Vslまたは電圧Vshに達していない状態が発生する。
Note that the influence of the blunting due to the on-resistance of the TFT 171 and the voltage change of the data line is dominant because various conditions such as the configuration of the panel and the driving method are entangled. . If the influence of waveform dullness is large, the on-resistance of the TFT 171 may be reduced, but the TFT 171 requires a large transistor size. When the transistor size of the TFT 171 is increased, the outer area (so-called frame) of the display region 100 is enlarged when the TFT 171 is built in the element substrate.
In any case, a state in which each common electrode 108 does not correctly reach the voltage Vsl or the voltage Vsh occurs at the end of the horizontal scanning period, that is, by the timing when the TFT 171 is turned off.

これに対し、本実施形態では、i行目に対し正極性書込が指定されていれば、コモン信号Vcは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、前方寄りの期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、電圧Vshから電圧Vslに変化するに際して電圧Vaだけ過剰に振られる。このため、正ノイズが急速に減衰するので、i行目のコモン電極108の電圧Ciは、実際には、図6(c)に示されるようなものとなる。なお、この時点において、正ノイズは表示内容によっては完全に消失せず、または、コモン電極108の電圧Ciは、目的の電圧Vslを通り超して、さらに低位側に振られてしまう場合もあり得るが、そのような場合であっても、電圧Vslからの差はごくわずかである。そして、後方寄りの期間Hbにてコモン信号Vcは目的の電圧Vslとなるので、正ノイズの影響は無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ciをほぼ電圧Vslに収束させることができる。
なお、i行目に対し負極性書込が指定されていれば、コモン信号Vcは、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、電圧Vslから電圧Vshに変化するに際して電圧Vaだけ過剰に振られるので、図6(d)に示されるように、負ノイズの影響も、無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ciをほぼ電圧Vshに収束させることができる。
On the other hand, in the present embodiment, if positive polarity writing is designated for the i-th row, the common signal Vc is the forward period Ha of the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level. The voltage (Vsl−Va) is obtained at, and when the voltage Vsh changes to the voltage Vsl, the voltage Va is excessively shaken. For this reason, since positive noise attenuates rapidly, the voltage Ci of the i-th common electrode 108 is actually as shown in FIG. At this time, the positive noise may not be completely lost depending on the display content, or the voltage Ci of the common electrode 108 may be swung to the lower side exceeding the target voltage Vsl. Even in such a case, the difference from the voltage Vsl is negligible. Since the common signal Vc becomes the target voltage Vsl in the rearward period Hb, the influence of the positive noise becomes so small that it can be ignored, and the voltage Ci of the common electrode can be converged to almost the voltage Vsl.
If negative polarity writing is designated for the i-th row, the common signal Vc becomes a voltage (Vsh + Va) in the period Ha and is excessively swung by the voltage Va when changing from the voltage Vsl to the voltage Vsh. As shown in FIG. 6D, the influence of negative noise also becomes so small that it can be ignored, and the voltage Ci of the common electrode can be converged to the voltage Vsh.

したがって、本実施形態によれば、選択される行のコモン電極108を、水平走査期間の終了時までに、ほぼ電圧Vslまたは電圧Vshに収束させることができるので、上述したようにデータ線の電圧振幅を狭めつつ、横方向に発生する表示むらの発生を抑えることができる上に、TFT171のオン抵抗等を小さくする必要もないので、額縁を狭くして、表示領域100の面積拡大を図ることも可能となるのである。   Therefore, according to the present embodiment, the common electrode 108 of the selected row can be converged to almost the voltage Vsl or the voltage Vsh by the end of the horizontal scanning period. It is possible to suppress the occurrence of display unevenness that occurs in the horizontal direction while reducing the amplitude, and it is not necessary to reduce the on-resistance of the TFT 171 and the like, so that the frame is narrowed and the area of the display region 100 is increased. Is also possible.

<第1実施形態の応用・変形>
上述した第1実施形態では、次のような応用・変形が可能である。すなわち、上述した第1実施形態では、走査線毎に書込極性を反転させたが、フレーム期間における書込極性を各行にわたって同一とする面反転(フレーム反転)方式としても良い。フレーム反転方式とする場合、極性指定信号Pol、コモン信号Vcについては、例えば図7に示されるよ
うなものとなる。
すなわち、面反転方式とする場合、極性指定信号Polはフレーム期間毎に極性反転し、コモン信号Vcは、正極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間
のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなる一方、
負極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間のうち、期間Haに
て電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vshとなる。
<Application and modification of the first embodiment>
In the first embodiment described above, the following applications and modifications are possible. That is, in the first embodiment described above, the writing polarity is inverted for each scanning line, but a plane inversion (frame inversion) method in which the writing polarity in the frame period is the same over each row may be used. In the case of the frame inversion method, for example, the polarity designation signal Pol and the common signal Vc are as shown in FIG.
That is, in the case of the surface inversion method, the polarity designation signal Pol is inverted every frame period, and the common signal Vc is included in the period during which the selection voltage is applied to the scanning line if positive polarity writing is designated. In the period Ha, the voltage (Vsl−Va) is obtained, and in the period Hb, the voltage Vsl is obtained.
If negative-polarity writing is designated, the voltage (Vsh + Va) is set in the period Ha and the voltage Vsh is set in the period Hb in the period in which the selection voltage is applied to the scanning line.

また、TFT171の特性、特にオン抵抗は周辺温度によって変化する傾向があるので、コモン電極の電圧変化時における波形鈍りの程度が、温度に応じて変化する。このため、期間Haにおいて電圧Vsl、Vshを振らす電圧±Vaを、温度に応じて変化させても良いし、1行の走査線に選択電圧が印加される水平走査期間Hにおいて、期間Ha、Hbの比率を変化させても良いし、電圧±Vaと期間Ha、Hbの比率との両者を変化させても良い。   In addition, since the characteristics of the TFT 171, particularly the on-resistance, tend to change depending on the ambient temperature, the degree of waveform dullness when the voltage of the common electrode changes changes according to the temperature. For this reason, the voltage ± Va that fluctuates the voltages Vsl and Vsh in the period Ha may be changed according to the temperature. In the horizontal scanning period H in which the selection voltage is applied to one scanning line, the period Ha, The ratio of Hb may be changed, or both the voltage ± Va and the ratios of the periods Ha and Hb may be changed.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置について説明する。図8は、第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図8に示す構成が図1に示した第1実施形態と相違する部分は、主に各行に対応してTFT175が設けられている点、検出線185およびコモン信号出力回路31を備える点、並びに、制御回路20が目標信号Vcrefおよび期間指定信号Hsを出力する点である。
そこで以下については、これらの相違点を中心に説明することにする。
Second Embodiment
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described. FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device according to the second embodiment.
8 differs from the first embodiment shown in FIG. 1 mainly in that TFTs 175 are provided corresponding to each row, a detection line 185 and a common signal output circuit 31 are provided, and The control circuit 20 outputs the target signal Vcref and the period specifying signal Hs.
Therefore, the following will be described focusing on these differences.

まず、コモン電極駆動回路170には、各行のコモン電極108に対応して検出用スイッチング素子として機能するTFT175がそれぞれ設けられている。ここで、i行目のTFT175のゲート電極はi行目の走査線に112に接続され、ソース電極はi行目のコモン電極108に接続され、ドレイン電極は検出線185に接続されている。なお、検出線185は、各行のTFT175のドレイン電極に対して共通接続されている。   First, the common electrode driving circuit 170 is provided with TFTs 175 that function as switching elements for detection corresponding to the common electrodes 108 in each row. Here, the gate electrode of the i-th TFT 175 is connected to the i-th scanning line 112, the source electrode is connected to the i-th common electrode 108, and the drain electrode is connected to the detection line 185. The detection line 185 is commonly connected to the drain electrode of the TFT 175 in each row.

図9は、第2実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示す構成は、TFT175およびその周辺を除き、図3に示した例とほぼ同様である。i行目のTFT175のゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分である。また、i行目に対応するTFT171のドレイン電極108aは、i行目に対応するTFT175のソース電極を兼用しており、ゲート絶縁膜および保護層を貫通するコンタクトホール108bを介し、i行目のコモン電極108に接続される。また、検出線185の幅広の部分が、TFT175のドレイン電極となっている。
FIG. 9 is a plan view showing the configuration of the common electrode driving circuit 170 and the vicinity of the display area 100 in the element substrate according to the second embodiment.
The configuration shown in this figure is substantially the same as the example shown in FIG. 3 except for the TFT 175 and its periphery. The gate electrode of the i-th TFT 175 is a portion branched from the i-th scanning line 112 in a T-shape in the Y (downward) direction. Further, the drain electrode 108a of the TFT 171 corresponding to the i-th row also serves as the source electrode of the TFT 175 corresponding to the i-th row, and the contact of the i-th row through the contact hole 108b penetrating the gate insulating film and the protective layer. Connected to the common electrode 108. Further, the wide portion of the detection line 185 is the drain electrode of the TFT 175.

図10は、コモン信号出力回路31の構成を示す図である。
この図に示されるように、コモン信号出力回路31は、オペアンプ300と、スイッチ311、312と、NOT回路315と、抵抗素子316とを有する。
オペアンプ300の出力端は、給電線161およびスイッチ311の一端に接続され、検出線185がスイッチ312の一端に接続されている。スイッチ311、312の他端は、オペアンプ300の反転入力端(−)にそれぞれ共通接続されている。換言すれば、スイッチ311(第1スイッチ)は、オペアンプ300の出力端(給電線161)と反転入力端(−)との間に電気的に介挿され、スイッチ312(第2スイッチ)は、検出線185と反転入力端(−)との間に電気的に介挿されている。
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of the common signal output circuit 31.
As shown in this figure, the common signal output circuit 31 includes an operational amplifier 300, switches 311 and 312, a NOT circuit 315, and a resistance element 316.
The output terminal of the operational amplifier 300 is connected to one end of the power supply line 161 and the switch 311, and the detection line 185 is connected to one end of the switch 312. The other ends of the switches 311 and 312 are commonly connected to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 300. In other words, the switch 311 (first switch) is electrically inserted between the output terminal (feed line 161) and the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 300, and the switch 312 (second switch) is It is electrically inserted between the detection line 185 and the inverting input terminal (−).

一方、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの目標信号Vcrefが供給される。オペアンプ300の出力端と反転入力端(−)との間にはスイッチ311のほか、抵抗素子316が挿入されている。
スイッチ311、312は、制御回路20から供給される期間指定信号Hsの論理レベ
ルに応じて互いに排他的にオンオフする。詳細には、スイッチ311、312は、期間指定信号HsがHレベルであれば、それぞれオン、オフし、期間指定信号HsがLレベルであれば、それぞれオフ、オンする。
On the other hand, the target signal Vcref from the control circuit 20 is supplied to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 300. In addition to the switch 311, a resistance element 316 is inserted between the output terminal and the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 300.
The switches 311 and 312 are exclusively turned on / off according to the logic level of the period specifying signal Hs supplied from the control circuit 20. Specifically, the switches 311 and 312 are turned on and off when the period designation signal Hs is at the H level, and are turned off and on when the period designation signal Hs is at the L level.

ここで、期間指定信号Hsは、図11に示されるように、ある1行の走査線に選択電圧
が印加される水平走査期間Hのうち、前方寄りの期間HaにおいてHレベルとなり、後方
寄りの期間HbにおいてLレベルとなる信号である。一方、制御回路20から供給される
目標信号Vcrefは、同図に示されるように、図4におけるコモン信号Vcと同波形である
Here, as shown in FIG. 11, the period designation signal Hs becomes H level in the forward period Ha during the horizontal scanning period H in which the selection voltage is applied to a certain scanning line, and the rearward direction. It is a signal that becomes L level during the period Hb. On the other hand, the target signal Vcref supplied from the control circuit 20 has the same waveform as the common signal Vc in FIG. 4 as shown in FIG.

このような構成において、走査信号YiがHレベルであると、i行目のTFT175がオンするので、i行目のコモン電極108は検出線185に接続される。ただし、期間Haではスイッチ312がオフするので、検出線185の電圧はコモン信号出力回路31の
出力に影響を与えない。
また、期間Haでは、スイッチ311がオンするので、オペアンプ300は、ボルテー
ジフォロワ回路となる。このため、期間Haにおいてコモン信号出力回路31は、目標信
号Vcrefの電圧をそのままバッファリングしてコモン信号Vcとして、給電線161に出
力することになる。
ここで、目標信号Vcrefは、期間Haにおいて、i行目に対して正極性書込が指定され
ていれば、電圧(Vsl−Va)となり、負極性書込が指定されていれば、電圧(Vsh+Va)となって、第2実施形態では、この電圧が給電線161にそのまま供給されるので、第1実施形態と同様に、波形鈍りやノイズの影響を急速に減衰させることができる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi is at the H level, the i-th TFT 175 is turned on, so that the i-th common electrode 108 is connected to the detection line 185. However, since the switch 312 is turned off in the period Ha, the voltage of the detection line 185 does not affect the output of the common signal output circuit 31.
Further, since the switch 311 is turned on in the period Ha, the operational amplifier 300 becomes a voltage follower circuit. For this reason, in the period Ha, the common signal output circuit 31 buffers the voltage of the target signal Vcref as it is and outputs it to the feeder line 161 as the common signal Vc.
Here, the target signal Vcref becomes the voltage (Vsl−Va) if the positive polarity writing is designated for the i-th row in the period Ha, and the voltage (Vsl−Va) if the negative polarity writing is designated. Vsh + Va), and in the second embodiment, this voltage is supplied to the power supply line 161 as it is, so that the influence of the waveform dullness and noise can be rapidly attenuated as in the first embodiment.

次に、期間Hbにおいてスイッチ311、312がそれぞれオフ、オンして、検出線1
85の電圧がオペアンプ300の反転入力端(−)に帰還される。このため、期間Hbに
おいて、コモン信号出力回路31は、検出線185の電圧が目標信号Vcrefの電圧となるように制御したコモン信号Vcを出力することになる。
ここで、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hでは、i行目のTFT175によって検出線185にはi行目のコモン電極108の(実際の)電圧が現れる。一方、目標信号Vcrefは、期間Hbにおいて、i行目に対して正極性書込が指定されていれば、電
圧Vslであり、負極性書込が指定されていれば、電圧Vshである。このため、コモン信号出力回路31は、期間Hbにおいて、i行目のコモン電極108に対して、正極性書込が
指定されていれば、電圧Vslとなるように、負極性書込が指定されていれば、電圧Vshとなるように、それぞれ負帰還制御する。
Next, in the period Hb, the switches 311 and 312 are turned off and on, respectively, and the detection line 1
The voltage 85 is fed back to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 300. Therefore, in the period Hb, the common signal output circuit 31 outputs the common signal Vc controlled so that the voltage of the detection line 185 becomes the voltage of the target signal Vcref.
Here, in the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level, the (actual) voltage of the i-th common electrode 108 appears on the detection line 185 by the i-th TFT 175. On the other hand, the target signal Vcref is the voltage Vsl if positive polarity writing is designated for the i-th row in the period Hb, and is the voltage Vsh if negative polarity writing is designated. For this reason, in the period Hb, if the positive polarity writing is designated for the i-th common electrode 108 in the period Hb, the negative polarity writing is designated so as to be the voltage Vsl. If so, negative feedback control is performed so that the voltage Vsh is obtained.

したがって、第2実施形態によれば、第1実施形態と比較すると、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hの終了時までに、i行目のコモン電極108を、波形鈍りやノイズの程度によらずに、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化させることが可能となる。
このため、第2実施形態によれば、第1実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることができるだけなく、TFT171のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、第1実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
また、例えばi行目のコモン電極108は、正極性書込の指定時に走査信号YiがHレベルとなった直後では電圧Vshに近いので、電圧Vslとの差が大きく、負極性書込の指定時に走査信号YiがHレベルとなった直後では電圧Vslに近いので、電圧Vshとの差が大きい。このため、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってi行目のコモン電極108(検出線185)が電圧Vslまたは電圧Vshとなるように負帰還制御する構成では、走査信号YiがHレベルとなった直後において、オペアンプ300で消費される電流が大きくなったり、オペアンプ300が発振したりする可能性がある。しかしながら
、第2実施形態では、走査信号YiがHレベルとなった直後の期間Haでは、負帰還制御
ではなく、単なるボルテージフォロワ回路として機能するので、そのような可能性は極めて小さい。
なお、ここでは動作説明を、i行目で代表させて説明しているが、1〜320行については同様に、順番に実行される。
Therefore, according to the second embodiment, as compared with the first embodiment, the common electrode 108 in the i-th row is connected to the waveform dullness or noise by the end of the horizontal scanning period H when the scanning signal Yi becomes H level. Regardless of the degree, the voltage Vsl or the voltage Vsh can be stabilized more accurately.
Therefore, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the voltage amplitude of the data line can be reduced, the transistor size of the TFT 171 does not need to be increased as necessary, and the first embodiment is performed. Compared with the form, it is possible to more reliably suppress the occurrence of display unevenness that occurs in the horizontal direction.
Further, for example, the common electrode 108 in the i-th row is close to the voltage Vsh immediately after the scanning signal Yi becomes the H level when the positive polarity writing is designated, so that the difference from the voltage Vsl is large and the negative polarity writing is designated. Sometimes, immediately after the scanning signal Yi becomes H level, it is close to the voltage Vsl, so the difference from the voltage Vsh is large. Therefore, in a configuration in which negative feedback control is performed so that the common electrode 108 (detection line 185) in the i-th row becomes the voltage Vsl or the voltage Vsh over the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi is at the H level, the scanning signal Yi is H Immediately after reaching the level, the current consumed by the operational amplifier 300 may increase or the operational amplifier 300 may oscillate. However, in the second embodiment, in the period Ha immediately after the scanning signal Yi becomes the H level, it functions as a simple voltage follower circuit, not as a negative feedback control, so such a possibility is extremely small.
In addition, although operation | movement description is represented and represented here by the i-th line, about 1-320 lines, it is performed in order similarly.

<第2実施形態の応用・変形>
第2実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
詳細には、図12に示されるように、コモン信号出力回路31において、給電線161(オペアンプ300の出力端)と検出線185との間に、例えば期間指定信号HsがHレ
ベルであればオンするスイッチ318(補助スイッチ)を挿入しても良い。
上述したように期間Haにおいて、オペアンプ300は、ボルテージフォロワ回路とな
るので目標信号Vcrefの電圧がそのままコモン信号Vcとして給電線161に出力され、
オン状態にあるTFT171を介してコモン電極108に供給される。当該構成においてスイッチ318がオンしていると、給電線161が検出線185に接続されるので、コモン信号Vcは、スイッチ318、検出線185およびオン状態にあるTFT175という
経路によっても同じコモン電極108に供給される。すなわち、図12に示される構成では、期間Haにおいて、コモン信号Vcをコモン電極108に供給する経路が2通り存在することになる。
したがって、当該構成によれば、期間Haにおいて、オペアンプ300の出力端からコ
モン電極108に至るまでの合成抵抗値を、2つの経路における抵抗値の和を分母とし当該抵抗値の積を分子とした分数にまで減少させることができるので、特に波形鈍りの影響を小さく抑えることが可能となる。
<Application and Modification of Second Embodiment>
In the second embodiment, the following applications and modifications are possible.
Specifically, as shown in FIG. 12, in the common signal output circuit 31, between the power supply line 161 (the output terminal of the operational amplifier 300) and the detection line 185, for example, if the period specifying signal Hs is H level, the signal is turned on. A switch 318 (auxiliary switch) may be inserted.
As described above, in the period Ha, the operational amplifier 300 becomes a voltage follower circuit, so that the voltage of the target signal Vcref is directly output to the feeder line 161 as the common signal Vc.
It is supplied to the common electrode 108 via the TFT 171 in the on state. In this configuration, when the switch 318 is turned on, the power supply line 161 is connected to the detection line 185. Therefore, the common signal Vc is also supplied to the common electrode 108 through the path of the switch 318, the detection line 185, and the TFT 175 in the on state. To be supplied. That is, in the configuration shown in FIG. 12, there are two paths for supplying the common signal Vc to the common electrode 108 in the period Ha.
Therefore, according to the configuration, in the period Ha, the combined resistance value from the output terminal of the operational amplifier 300 to the common electrode 108 is the denominator of the sum of the resistance values in the two paths, and the product of the resistance values is the numerator. Since it can be reduced to a fraction, the influence of waveform dullness can be particularly suppressed.

なお、この構成において、TFT175における信号の流れは、期間Hbでは、コモン
電極108から検出線185に向かう方向であったのが、期間Haでは、検出線185か
らコモン電極108に向かう方向となるので、TFT175を片チャネルとするのではなく、p型およびn型の双方を組み合わせたトランスミッションゲート(アナログスイッチ)とするのが好ましい。
また、この構成では、スイッチ318のオン期間と、スイッチ311のオン期間(スイッチ312のオフ期間)とを互いに一致させたが、一致させずに、いずれか一方を先にオフとするように独立して制御しても良い。なお。スイッチ318を、スイッチ311、312と独立して制御させると、制御信号が増えることになる。
In this configuration, the signal flow in the TFT 175 is in the direction from the common electrode 108 to the detection line 185 in the period Hb, but is in the direction from the detection line 185 to the common electrode 108 in the period Ha. The TFT 175 is preferably not a single channel, but a transmission gate (analog switch) combining both p-type and n-type.
Further, in this configuration, the ON period of the switch 318 and the ON period of the switch 311 (the OFF period of the switch 312) are matched with each other, but without being matched, either one is turned off first. And may be controlled. Note that. When the switch 318 is controlled independently of the switches 311 and 312, the control signal increases.

<第3実施形態>
上述した第1、第2実施形態においてi行目のコモン電極108は、走査信号Y(i+1)がHレベルからLレベルになると、以後1フレームの期間経過して、再び走査信号YiがHレベルになるまで、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態(フローティング状態)となる。各行のコモン電極108は、交差する(または、近接する)他の配線と寄生容量を介して結合するので、これらの配線における電圧変動の影響を受けやすい。
そこで、各行のコモン電極108をハイ・インピーダンス状態とさせずに、電圧を確定させた第3実施形態について説明することにする。
<Third Embodiment>
In the first and second embodiments described above, when the scanning signal Y (i + 1) is changed from the H level to the L level, the scanning electrode Yi is again set to the H level after a period of one frame has elapsed. Until it becomes, it will be in the high impedance state (floating state) which is not electrically connected to any part. Since the common electrode 108 in each row is coupled to other wirings that intersect (or are close to each other) via parasitic capacitance, the common electrodes 108 are easily affected by voltage fluctuations in these wirings.
Therefore, a third embodiment in which the voltage is determined without setting the common electrode 108 in each row to a high impedance state will be described.

図13は、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第3実施形態におけるコモン電極駆動回路170は、1〜320行目のコモン電極108に対し、TFT171a、171b、172a、172、175の組から構成される。
ここで、i行目について説明すると、TFT171a(第1トランジスタ)のソース電極は、第1給電線161aに接続され、ゲート電極は、TFT172aのドレイン電極に
接続されている。TFT171b(第2トランジスタ)のソース電極は、第2給電線161bに接続され、ゲート電極は、TFT172bのドレイン電極に接続されている。一方、TFT171a、171bのドレイン電極同士がi行目のコモン電極108に共通接続されている。
また、TFT172a(第3トランジスタ)のソース電極は、第1信号線163aに接続され、TFT172b(第4トランジスタ)のソース電極は、第2信号線163bに接続され、TFT172a、172bのゲート電極は、いずれもi行目の走査線112に共通接続されている。
なお、TFT175については、第2実施形態と同様である。
FIG. 13 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the third embodiment of the invention.
As shown in this figure, the common electrode driving circuit 170 in the third embodiment is composed of a set of TFTs 171a, 171b, 172a, 172, 175 with respect to the common electrodes 108 in the first to 320th rows.
Here, the i-th row will be described. The source electrode of the TFT 171a (first transistor) is connected to the first power supply line 161a, and the gate electrode is connected to the drain electrode of the TFT 172a. The source electrode of the TFT 171b (second transistor) is connected to the second power supply line 161b, and the gate electrode is connected to the drain electrode of the TFT 172b. On the other hand, the drain electrodes of the TFTs 171a and 171b are commonly connected to the i-th common electrode 108.
The source electrode of the TFT 172a (third transistor) is connected to the first signal line 163a, the source electrode of the TFT 172b (fourth transistor) is connected to the second signal line 163b, and the gate electrodes of the TFTs 172a and 172b are Both are commonly connected to the i-th scanning line 112.
The TFT 175 is the same as that in the second embodiment.

第1信号線163aおよび第2信号線163bには、制御回路20からそれぞれゲート信号Vg1、Vg2が供給されている。このうち、ゲート信号Vg1は、図16に示されるように、極性指定信号Polと同一波形であり、ゲート信号Vg 2は、ゲート信号Vg1の論理レ
ベルを反転した信号である。すなわち、ゲート信号Vg1、Vg2の論理レベルは互いに排他的な関係にある。
ここで、ゲート信号Vg1、Vg2の論理レベルのうち、Lレベルは、それがTFT171a、171bのゲート電極に印加されたとしても、当該TFTをオフ(ソース・ドレイン間が非導通)状態とさせる電圧であり、また、Hレベルは、それがTFT171a、171bのゲート電極に印加されたときに、当該TFTをオン(ソース・ドレイン間が導通)状態とさせる電圧である。
また、第1給電線161aには、第1コモン信号出力回路33による第1コモン信号Vc1が供給され、第2給電線161bには、第2コモン信号出力回路35による第2コモン信号Vc2が供給される。
Gate signals Vg1 and Vg2 are supplied from the control circuit 20 to the first signal line 163a and the second signal line 163b, respectively. Among these, as shown in FIG. 16, the gate signal Vg1 has the same waveform as the polarity designation signal Pol, and the gate signal Vg2 is a signal obtained by inverting the logic level of the gate signal Vg1. That is, the logic levels of the gate signals Vg1 and Vg2 are mutually exclusive.
Here, among the logic levels of the gate signals Vg1 and Vg2, the L level is a voltage that turns the TFT off (the source and the drain are not conducting) even if it is applied to the gate electrodes of the TFTs 171a and 171b. Further, the H level is a voltage that turns on the TFT (the source and drain are conductive) when it is applied to the gate electrodes of the TFTs 171a and 171b.
The first power supply line 161a is supplied with the first common signal Vc1 from the first common signal output circuit 33, and the second power supply line 161b is supplied with the second common signal Vc2 from the second common signal output circuit 35. Is done.

一方、スイッチ40は、制御回路20から供給される信号Sel-aの論理レベルにしたがって検出線185を信号線187、188のいずれかに振り分けるものである。詳細には、スイッチ40は、検出線185を、信号Sel-aがHレベルである場合に信号線187に接続し、信号Sel-aがLレベルである場合に信号線188に接続する。ここで、信号Sel- aは、図16に示されるように、極性指定信号Polと同一波形である。このため、スイ
ッチ40は、検出線185を、正極性書込が指定される場合には信号線187に接続し、負極性書込が指定される場合には信号線188に接続することになる。
On the other hand, the switch 40 distributes the detection line 185 to one of the signal lines 187 and 188 according to the logic level of the signal Sel-a supplied from the control circuit 20. Specifically, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 187 when the signal Sel-a is at the H level, and connects to the signal line 188 when the signal Sel-a is at the L level. Here, the signal Sel-a has the same waveform as the polarity designation signal Pol, as shown in FIG. Therefore, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 187 when positive polarity writing is designated, and to the signal line 188 when negative polarity writing is designated. .

図14は、第3実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図について、i行目で説明すると、TFT172a、172bのゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分が共用されている。このうち、TFT172aのソース電極は、ゲート電極層をパターニングした接続配線によって第2信号線163bをアンダークロスし、第1信号線163aに接続される一方、TFT172aのドレイン電極は、TFT171aのゲート電極に接続されている。TFT172bのソース電極は、第2信号線163bの幅広となる部分であり、TFT172bのドレイン電極は、TFT171bのゲート電極に接続されている。
また、TFT171aのソース電極は、第1給電線161aの幅広となる部分であり、同様に、TFT171bのソース電極は、第2給電線161bの幅広となる部分である。そして、TFT171a、171bの共通ドレイン電極が、i行目のコモン電極108に接続されている。
FIG. 14 is a plan view showing a configuration of the common electrode driving circuit 170 and the vicinity of the display area 100 in the element substrate according to the third embodiment.
This figure will be described in the i-th row. The gate electrodes of the TFTs 172a and 172b share a portion branched in a T shape from the i-th scanning line 112 in the Y (downward) direction. Among these, the source electrode of the TFT 172a undercrosses the second signal line 163b by a connection wiring in which the gate electrode layer is patterned and is connected to the first signal line 163a, while the drain electrode of the TFT 172a is connected to the gate electrode of the TFT 171a. It is connected. The source electrode of the TFT 172b is a portion where the second signal line 163b is widened, and the drain electrode of the TFT 172b is connected to the gate electrode of the TFT 171b.
Further, the source electrode of the TFT 171a is a portion where the first power supply line 161a is wide, and similarly, the source electrode of the TFT 171b is a portion where the second power supply line 161b is wide. The common drain electrodes of the TFTs 171a and 171b are connected to the i-th common electrode 108.

第1コモン信号出力回路33は、図15(a)の実線に示されるように、図10に示した構成と同様であるが、スイッチ312の一端に信号線187が接続され、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの第1目標信号Vc1refが供給され、
オペアンプ300の出力端が第1給電線161aに接続されている。第2コモン信号出力
回路35は、図15(b)の実線に示されるように、図10に示した構成と同様であるが、スイッチ312の一端に信号線188が接続され、オペアンプ300の非反転入力端(+)には、制御回路20からの第2目標信号Vc2refが供給され、オペアンプ300の出
力端が第2給電線161bに接続されている。
The first common signal output circuit 33 has the same configuration as that shown in FIG. 10 as indicated by the solid line in FIG. 15A, but the signal line 187 is connected to one end of the switch 312 and the non-operational amplifier 300 is not connected. The first target signal Vc1ref from the control circuit 20 is supplied to the inverting input terminal (+),
The output terminal of the operational amplifier 300 is connected to the first feeder line 161a. The second common signal output circuit 35 has the same configuration as that shown in FIG. 10 as shown by the solid line in FIG. 15B, but the signal line 188 is connected to one end of the switch 312 and the operational amplifier 300 is not connected. The second target signal Vc2ref from the control circuit 20 is supplied to the inverting input terminal (+), and the output terminal of the operational amplifier 300 is connected to the second power supply line 161b.

ここで、図16に示されるように、第1目標信号Vc1refは、正極性書込が指定される
水平走査期間(信号Sel-aおよびゲート信号Vg1がHレベルであって、ゲート信号Vg2がLレベルとなる期間)のうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにお
いて電圧Vslとなる。また、第2目標信号Vc2refは、負極性書込が指定される水平走査
期間(信号Sel-aおよびゲート信号Vg1がLレベルであって、ゲート信号Vg2がHレベルとなる期間)のうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbにおいて電圧
Vshとなる。
Here, as shown in FIG. 16, the first target signal Vc1ref has a horizontal scanning period in which positive polarity writing is designated (the signal Sel-a and the gate signal Vg1 are at the H level, and the gate signal Vg2 is at the L level. Of the level), the voltage (Vsl−Va) is obtained in the period Ha, and the voltage Vsl is obtained in the period Hb. The second target signal Vc2ref is a period of a horizontal scanning period (period in which the signal Sel-a and the gate signal Vg1 are at L level and the gate signal Vg2 is at H level) in which negative polarity writing is specified. In Ha, the voltage is (Vsh + Va), and in period Hb, the voltage is Vsh.

第3実施形態の動作について説明する。
第3実施形態において、走査信号YiがHレベルとなると、i行目のTFT172a、172bがオンになる。i行目に対して正極性書込が指定される場合、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってゲート信号Vg1がHレベルとなり、ゲート信号Vg2がLレベルとなるので、TFT171a、171bがそれぞれオン、オフする。このため、i行目に対して正極性書込が指定される場合に、当該i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHレベルとなったきに第1給電線161aに接続される。
また、走査信号YiがHレベルとなると、i行目のTFT175もオンになるので、i行目のコモン電極108は、検出線185に接続される。i行目に対して正極性書込が指定される場合、スイッチ40は、検出線185を信号線187に接続するので、さらに、第1目標信号Vc1refは、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsl−Va)となり、期間Hbにおいて電圧Vslとなるので、第1コモン信号出力回路33は、第2実施形態におけるコモン信号出力回路31と同様に動作する。すなわち、第1コモン信号出力回路33は、期間Haでは、電圧(Vsl−Va)をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Hbでは、検出線185が電圧Vsl
となるように制御した第1コモン信号Vc1を第1給電線161aに出力することになる。
The operation of the third embodiment will be described.
In the third embodiment, when the scanning signal Yi becomes H level, the TFTs 172a and 172b in the i-th row are turned on. When positive polarity writing is designated for the i-th row, the gate signal Vg1 becomes H level and the gate signal Vg2 becomes L level over the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi becomes H level, so that the TFTs 171a and 171b Turns on and off respectively. Therefore, when positive polarity writing is designated for the i-th row, the common electrode 108 of the i-th row is connected to the first power supply line 161a when the scanning signal Yi becomes the H level.
When the scanning signal Yi becomes H level, the i-th TFT 175 is also turned on, so that the i-th common electrode 108 is connected to the detection line 185. When positive polarity writing is designated for the i-th row, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 187, so that the first target signal Vc1ref is a horizontal signal at which the scanning signal Yi is at the H level. In the scanning period H, the voltage (Vsl−Va) is obtained in the period Ha and the voltage Vsl is obtained in the period Hb. Therefore, the first common signal output circuit 33 operates in the same manner as the common signal output circuit 31 in the second embodiment. . That is, the first common signal output circuit 33 buffers the voltage (Vsl−Va) as it is by the voltage follower circuit in the period Ha, and the detection line 185 is set to the voltage Vsl in the period Hb.
The first common signal Vc1 controlled so as to be output to the first feeder line 161a.

次に、走査信号Y(i+1)がHレベルとなると、走査信号YiがLレベルになるので、i行目のTFT172a、172bはそれぞれオフする。このため、TFT171a、171bのゲート電極は、いずれもハイ・インピーダンス状態となるが、その寄生容量によって、それぞれ直前状態であるHレベル、Lレベルに保持される。このため、TFT171aのオン状態、TFT171bのオフ状態がそれぞれ継続されるので、i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHからLレベルとなっても、第1給電線161aに接続された状態を維持して、第1コモン信号Vc1の電圧となる。   Next, when the scanning signal Y (i + 1) becomes H level, the scanning signal Yi becomes L level, so that the i-th TFTs 172a and 172b are turned off. For this reason, the gate electrodes of the TFTs 171a and 171b are both in a high impedance state, but are held at the H level and the L level, which are the immediately preceding states, by the parasitic capacitance, respectively. Therefore, since the TFT 171a is kept on and the TFT 171b is kept off, the i-th common electrode 108 is connected to the first power supply line 161a even when the scanning signal Yi changes from H to L level. The state is maintained and becomes the voltage of the first common signal Vc1.

なお、第1コモン信号Vc1は、正極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、負極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ40が検出線185を信号線188に接続するので、信号線187がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Vsl(正極性書込が指定される水平走査期間の期間Hbにおいて制御し
た電圧Vsl)を保持している。このため、第1コモン信号Vc1は、負極性書込が指定される水平走査期間では電圧Vslで一定であると考えて良い。
The first common signal Vc1 is a signal as described above in the horizontal scanning period in which the positive polarity writing is designated. In the horizontal scanning period in which negative polarity writing is specified, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 188, so that the signal line 187 is in a high impedance state, but the previous voltage Vsl (positive polarity writing). The controlled voltage Vsl) is held in the horizontal scanning period Hb in which the scanning is specified. Therefore, the first common signal Vc1 may be considered to be constant at the voltage Vsl during the horizontal scanning period in which negative polarity writing is designated.

一方、i行目に対して負極性書込が指定される場合、走査信号YiがHレベルとなる水平走査期間Hにわたってゲート信号Vg1がLレベルとなり、ゲート信号Vg2がHレベルとなるので、正極性書込が指定されたときとは反対にTFT171a、171bがそれぞれオフ、オンする。このため、i行目に対して負極性書込が指定される場合に、i行目のコモン電極108は、走査信号YiがHレベルとなったきに第2給電線161bに接続され
る。
また、i行目に対して負極性書込が指定される場合、スイッチ40は、検出線185を信号線188に接続するので、さらに、第2目標信号Vc2refは、走査信号YiがHレベ
ルとなる水平走査期間Hのうち、期間Haにおいて電圧(Vsh+Va)となり、期間Hbに
おいて電圧Vshとなるので、第2コモン信号出力回路35は、期間Haでは、電圧(Vsh
+Va)をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Hbでは、検出線185が電圧Vshとなるように制御した第2コモン信号Vc2を第2給電線161bに出力する。
次に、走査信号YiがLレベルになっても、TFT171a、171bのゲート電極は、それぞれ直前状態であるLレベル、Hレベルに保持されるので、i行目のコモン電極108は、第2給電線161bに接続された状態を維持して、第2コモン信号Vc2の電圧となる。
On the other hand, when negative polarity writing is designated for the i-th row, the gate signal Vg1 becomes L level and the gate signal Vg2 becomes H level over the horizontal scanning period H in which the scanning signal Yi becomes H level. The TFTs 171a and 171b are turned off and on, respectively, contrary to the case where the sexual writing is designated. Therefore, when negative polarity writing is designated for the i-th row, the i-th common electrode 108 is connected to the second feeder 161b when the scanning signal Yi becomes the H level.
Further, when negative polarity writing is designated for the i-th row, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 188, and therefore, the second target signal Vc2ref further indicates that the scanning signal Yi is at the H level. In the horizontal scanning period H, the voltage (Vsh + Va) is obtained in the period Ha, and the voltage Vsh is obtained in the period Hb. Therefore, the second common signal output circuit 35 has the voltage (Vsh in the period Ha.
+ Va) is buffered as it is by the voltage follower circuit, and in the period Hb, the second common signal Vc2 controlled so that the detection line 185 becomes the voltage Vsh is output to the second feeder line 161b.
Next, even if the scanning signal Yi becomes the L level, the gate electrodes of the TFTs 171a and 171b are held at the L level and the H level, respectively, which are in the immediately preceding state. The voltage of the second common signal Vc2 is maintained while maintaining the state connected to the electric wire 161b.

なお、第2コモン信号Vc2は、負極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、正極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ40が検出線185を信号線187に接続するので、信号線188がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Vsh(負極性書込が指定される水平走査期間の期間Hbにおいて制御し
た電圧Vsh)を保持している。このため、第2コモン信号Vc2は、正極性書込が指定される水平走査期間では電圧Vshで一定であると考えて良い。
The second common signal Vc2 is a signal as described above in the horizontal scanning period in which negative polarity writing is designated. In the horizontal scanning period in which positive polarity writing is designated, the switch 40 connects the detection line 185 to the signal line 187, so that the signal line 188 is in a high impedance state, but the voltage Vsh (negative polarity The voltage Vsh controlled in the horizontal scanning period Hb in which the data is specified is held. Therefore, the second common signal Vc2 may be considered to be constant at the voltage Vsh during the horizontal scanning period in which positive polarity writing is specified.

第3実施形態において、i行目でみたときに、走査信号YiがLレベルとなる期間でもi行目のコモン電極108は電圧変化することになるが、走査信号YiがLレベルであれば、i行目のTFT116もオフ状態であり、画素電極118がハイ・インピーダンス状態である。このため、図17に示されるように、画素電極118は、コモン電極108の電圧に追従して変化するので、画素容量120の差電圧が変動することはない。
このため、第3実施形態によれば、各行のコモン電極108がハイ・インピーダンス状態とならず、電位が確定しているので、第2実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生を、なお一層、確実に抑えることが可能となる。
In the third embodiment, when viewed in the i-th row, the voltage of the common electrode 108 in the i-th row also changes during the period in which the scanning signal Yi is at the L level. However, if the scanning signal Yi is at the L level, The TFT 116 in the i-th row is also in an off state, and the pixel electrode 118 is in a high impedance state. For this reason, as shown in FIG. 17, since the pixel electrode 118 changes following the voltage of the common electrode 108, the differential voltage of the pixel capacitor 120 does not fluctuate.
For this reason, according to the third embodiment, since the common electrode 108 in each row is not in a high impedance state and the potential is fixed, the display unevenness that occurs in the horizontal direction compared to the second embodiment is reduced. Occurrence can be suppressed even more reliably.

ここで、TFTでは、特にアモルファスシリコン型では、トランジスタの電流特性が変化する傾向、詳細には、当該TFTがオンするための閾値電圧がオンした累計時間のが長くなるにつれて高くなる傾向がある。このため、1行のコモン電極の電位を1つのTFTのオンによってのみ確定させる構成を採用すると、長期使用によって当該TFTの閾値電圧が高くなって、上述した駆動が正常に実行できなくなる、または、誤動作の可能性がある。
これに対して、第3実施形態では、各行において、正極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でTFT171aがオンし、負極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でTFT171bがオンする構成、すなわち、1行のコモン電極の電位を確定するにあたって、2つのTFT171a、171bを交互にオンする構成となっている。このため、第3実施形態によれば、TFT171a、171bがオンする期間は、1行のコモン電極の電位を1つのTFTのオンによってのみ確定させる構成と比較して半分になるので、長期使用による誤動作等の可能性を低く抑えることが可能となる。
Here, in the TFT, particularly in the amorphous silicon type, the current characteristics of the transistor tend to change. Specifically, the threshold voltage for turning on the TFT tends to increase as the cumulative time during which the TFT is turned on becomes longer. For this reason, if a configuration in which the potential of the common electrode in one row is determined only by turning on one TFT, the threshold voltage of the TFT becomes high due to long-term use, and the above-described driving cannot be performed normally, or There is a possibility of malfunction.
On the other hand, in the third embodiment, in each row, the selection period when the positive voltage is written and the selection period when the TFT 171a is turned on in the subsequent non-selection period and the negative voltage is written. The TFT 171b is turned on in the subsequent non-selection period, that is, the two TFTs 171a and 171b are alternately turned on to determine the potential of the common electrode in one row. For this reason, according to the third embodiment, the period during which the TFTs 171a and 171b are turned on is halved compared to the configuration in which the potential of the common electrode in one row is determined only by turning on one TFT. It is possible to suppress the possibility of malfunction and the like.

なお、第3実施形態においても、第1コモン信号出力回路33、第2コモン信号出力回路35について、図15(a)、図15(b)のみならず、図12に示した構成を採用することができる。
また、信号線187、188は、配線が短いことから、寄生容量が小さく、電圧Vsl、Vshを保持できない可能性がある。このため、第1コモン信号出力回路33にあっては、図15(a)に示されるように、信号Sel-aがLレベルであるために振り分けられなかっ
たときにオンして、信号線187を電圧Vslに確定させるスイッチ321を設け、第2コモン信号出力回路35にあっては、図15(b)に示されるように、信号Sel-aがHレベルであるために振り分けられなかったときにオンして、信号線188を電圧Vshに確定させるスイッチ322を設けても良い。
あるいは、これらの図に示されるように、一端をそれぞれ信号線187、188に接続し、他端を定電位とした容量素子を積極的に設けた構成としても良い。
Also in the third embodiment, the first common signal output circuit 33 and the second common signal output circuit 35 are configured not only in FIGS. 15A and 15B but also in the configuration shown in FIG. be able to.
Further, since the signal lines 187 and 188 are short in wiring, there is a possibility that the parasitic capacitance is small and the voltages Vsl and Vsh cannot be held. Therefore, the first common signal output circuit 33 is turned on when the signal Sel-a is not distributed because the signal Sel-a is at the L level as shown in FIG. When the switch 321 for determining the voltage Vsl is provided and the second common signal output circuit 35 is not distributed because the signal Sel-a is at the H level as shown in FIG. A switch 322 that turns on the signal line 188 to determine the voltage Vsh may be provided.
Alternatively, as shown in these figures, a configuration in which one end is connected to each of the signal lines 187 and 188 and a capacitive element having the other end at a constant potential may be positively provided.

<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置について説明する。図18は、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示される構成では、コモン電極駆動回路170の各行のうち、奇数行のTFT171のソース電極が第1給電線165aに接続され、奇数行のTFT171のソース電極が第2給電線165bに接続されている。また、各行においてTFT175の代わりとして検出容量176が設けられている。詳細には、奇数行に対応する検出容量176は、その一端が当該行のコモン電極108に接続され、その他端が第1検出線185aに接続される一方、偶数行に対応する検出容量176は、その一端が当該行のコモン電極108に接続され、その他端が第2検出線185bに接続されている。
<Fourth embodiment>
Next, an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention will be described. FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the fourth embodiment of the invention.
In the configuration shown in this figure, among the rows of the common electrode driving circuit 170, the source electrodes of the odd-numbered TFTs 171 are connected to the first feed line 165a, and the source electrodes of the odd-numbered TFTs 171 are connected to the second feed line 165b. Has been. In each row, a detection capacitor 176 is provided instead of the TFT 175. Specifically, the detection capacitor 176 corresponding to the odd-numbered row has one end connected to the common electrode 108 of the row and the other end connected to the first detection line 185a, while the detection capacitor 176 corresponding to the even-numbered row has , One end thereof is connected to the common electrode 108 of the row, and the other end is connected to the second detection line 185b.

第1給電線165aには、第1コモン信号出力回路37による第1コモン信号Vc1が供給され、第2給電線165bには、第2コモン信号出力回路39による第2コモン信号Vc2が供給される。
第1コモン信号出力回路37および第2コモン信号出力回路39は、それぞれ図10に示した構成と同様であるが、第1コモン信号出力回路37におけるオペアンプ300の非反転入力端(+)には、第1目標信号Vc1refが供給され、第2コモン信号出力回路39
におけるオペアンプ300の非反転入力端(+)には、第2目標信号Vc2refが供給され
る。
The first common signal Vc1 from the first common signal output circuit 37 is supplied to the first power supply line 165a, and the second common signal Vc2 from the second common signal output circuit 39 is supplied to the second power supply line 165b. .
The first common signal output circuit 37 and the second common signal output circuit 39 have the same configuration as that shown in FIG. 10, but the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 300 in the first common signal output circuit 37 has The first target signal Vc1ref is supplied and the second common signal output circuit 39 is supplied.
The second target signal Vc2ref is supplied to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 300 in FIG.

ここで、第4実施形態における第1目標信号Vc1refは、図20に示されるように、奇
数行に対し正極性書込が指定され、偶数行に対し負極性書込が指定されるnフレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、他の期間において電圧Vslとなる一方、奇数行に対し負極性書込が指定され、偶数行に対し正極性書込が指定される(n+1)フレームにおいて、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、他の期間において電圧Vshとなる。
また、第2目標信号Vc2refは、同図に示されるように、nフレームにおいて、偶数行
への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsh+Va)となり、他の期間において電圧Vshとなる一方、(n+1)フレームにおいて、偶数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間のうち、期間Haにて電圧(Vsl−Va)となり、他の期間において電圧Vslとなる。
Here, as shown in FIG. 20, the first target signal Vc1ref in the fourth embodiment is an n frame in which positive writing is specified for odd rows and negative writing is specified for even rows. In the horizontal scanning period in which the scanning signal for the odd-numbered rows is at the H level, the voltage (Vsl-Va) is obtained in the period Ha and the voltage Vsl is designated in the other periods, while negative polarity writing is designated for the odd-numbered rows In the (n + 1) frame in which positive polarity writing is specified for even rows, the voltage (Vsh + Va) becomes the voltage (Vsh + Va) in the period Ha during the horizontal scanning period in which the scanning signal to the odd rows is at the H level. At voltage Vsh.
Further, as shown in the figure, the second target signal Vc2ref becomes a voltage (Vsh + Va) in the period Ha in the horizontal scanning period in which the scanning signal to the even-numbered row is at the H level in the n frame. During the period, the voltage Vsh becomes the voltage (Vsl−Va) in the period Ha of the horizontal scanning period in which the scanning signal to the even-numbered row becomes the H level in the (n + 1) frame, and the voltage Vsl in the other periods. Become.

図19は、第4実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路170と表示領域100の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示されるように、奇数i行の検出容量176は、i行目のコモン電極108を幅広とした部分に、第1検出線185aを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。同様に、偶数(i+1)行の検出容量176は、(i+1)行目のコモン電極108を幅広とした部分に、第2検出線185bを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。
FIG. 19 is a plan view showing configurations of the common electrode driving circuit 170 and the vicinity of the display area 100 in the element substrate according to the fourth embodiment.
As shown in this figure, the odd-numbered i-row detection capacitors 176 are formed by overlapping the widened portion of the first detection line 185a via the insulating layer with the widened portion of the i-th common electrode 108. It is configured. Similarly, the detection capacitors 176 in the even (i + 1) th row are configured by overlapping the widened portion of the common electrode 108 in the (i + 1) th row via the insulating layer with the widened portion of the second detection line 185b. Has been.

第4実施形態によれば、走査信号がHレベルとなる走査線112が奇数行である場合に、当該選択された奇数行のコモン電極108にノイズが発生したとき、そのノイズは、当
該選択された行の検出容量176を介して第1検出線185aに伝搬して、第1コモン信号出力回路37に供給される。第1コモン信号出力回路37は、次のような電圧の第1コモン信号Vc1を第1給電線165aに出力する。すなわち、第1コモン信号出力回路37は、奇数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間の期間Haにおいて、電圧変化方
向に対し電圧Vaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Hbにおいては第1検出線185aの電圧が第1目標信号Vc1refの電圧となるように制御して出力する
。このため、当該水平走査期間の終了時に、当該選択された奇数行のコモン電極108は、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化する。
一方、走査信号がHレベルとなる走査線112が偶数行である場合に、当該選択された偶薄行のコモン電極108にノイズが発生したとき、そのノイズは、当該選択された行の検出容量176を介して第2検出線185bに伝搬して、第2コモン信号出力回路39に供給される。第2コモン信号出力回路39は、次のような電圧の第2コモン信号Vc2を第2給電線165bに出力する。すなわち、第2コモン信号出力回路39は、偶数行への走査信号がHレベルとなる水平走査期間の期間Haにおいて、電圧変化方向に対し電圧Vaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Hbにおいては第2検出線185
bの電圧が第2目標信号Vc2refの電圧となるように制御して出力する。このため、当該
水平走査期間の終了時に、当該選択された偶数行のコモン電極108は、電圧Vslまたは電圧Vshの一方に、より正確に安定化する。
これにより、第4実施形態においても、第2実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることはできるだけなく、TFT171のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
According to the fourth embodiment, when noise is generated in the selected common electrode 108 in the odd-numbered row when the scanning line 112 whose scanning signal is at the H level is an odd-numbered row, the noise is selected. The signal is propagated to the first detection line 185 a via the detection capacitor 176 in the first row and supplied to the first common signal output circuit 37. The first common signal output circuit 37 outputs a first common signal Vc1 having the following voltage to the first feed line 165a. That is, the first common signal output circuit 37 buffers and outputs a voltage that is excessively shifted by the voltage Va in the voltage change direction in the period Ha of the horizontal scanning period in which the scanning signal to the odd-numbered row is at the H level. In the period Hb, control is performed so that the voltage of the first detection line 185a becomes the voltage of the first target signal Vc1ref. For this reason, at the end of the horizontal scanning period, the selected common electrode 108 in the odd-numbered row is more accurately stabilized to one of the voltage Vsl and the voltage Vsh.
On the other hand, when the scanning line 112 where the scanning signal is at the H level is an even number row, when noise is generated in the common electrode 108 of the selected even thin row, the noise is detected capacitance of the selected row. The signal is propagated to the second detection line 185 b via 176 and supplied to the second common signal output circuit 39. The second common signal output circuit 39 outputs a second common signal Vc2 having the following voltage to the second feeder 165b. That is, the second common signal output circuit 39 buffers and outputs a voltage that is excessively shifted by the voltage Va with respect to the voltage change direction in the period Ha of the horizontal scanning period in which the scanning signal to the even-numbered row is at the H level. In the period Hb, the second detection line 185
The voltage b is controlled and output so as to be the voltage of the second target signal Vc2ref. Therefore, at the end of the horizontal scanning period, the selected even-numbered common electrode 108 is more accurately stabilized at one of the voltage Vsl and the voltage Vsh.
As a result, in the fourth embodiment, as in the second embodiment, the voltage amplitude of the data line can not be reduced, and the transistor size of the TFT 171 does not need to be increased as necessary, and is generated in the lateral direction. It is possible to more reliably suppress the occurrence of display unevenness.

なお、第4実施形態では、コモン電極108と第1検出線185aまたは第2検出線185bとを結ぶ素子は、直流成分を流さない検出容量176である。このため、第1コモン信号出力回路37、または、第2コモン信号出力回路39として図12に示した構成を用いることができない。
また、第4実施形態においても、第3実施形態のように、各行にTFT171a、171b、172a、172bの組を設けて、非選択期間において、コモン電極108の電位を確定させる構成としても良い。
In the fourth embodiment, the element connecting the common electrode 108 and the first detection line 185a or the second detection line 185b is the detection capacitor 176 that does not allow a direct current component to flow. For this reason, the configuration shown in FIG. 12 cannot be used as the first common signal output circuit 37 or the second common signal output circuit 39.
Also in the fourth embodiment, as in the third embodiment, a set of TFTs 171a, 171b, 172a, and 172b may be provided in each row, and the potential of the common electrode 108 may be determined in the non-selection period.

<第1〜第4実施形態の関連事項>
上述した各実施形態では、走査線駆動回路140において、走査線112を1、2、3、…、320行目という順番で選択電圧を印加したが、320、319、318、…、1行目という順番で選択しても良い。また、垂直帰線期間においては書込極性を指定することは無意味であるので、期間指定信号Haなどの論理信号を一定のレベルに固定しても良
いし、このような垂直帰線期間を省いても良い。
さらに、画素容量120はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばGを、YG(黄緑)およびEG(エメラルドグリーン)に分けて、これらの4色の画素で1ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
<Related matters of the first to fourth embodiments>
In each of the embodiments described above, in the scanning line driving circuit 140, the selection voltage is applied to the scanning line 112 in the order of the first, second, third,..., 320th rows, but the 320th, 319, 318,. You may select in order. In addition, since it is meaningless to specify the writing polarity in the vertical blanking period, a logic signal such as the period designation signal Ha may be fixed at a certain level. You can omit it.
Furthermore, although the pixel capacitor 120 is in the normally white mode, it may be in a normally black mode in which the pixel capacitor 120 becomes dark when no voltage is applied. In addition, one dot may be formed by three pixels of R (red), G (green), and B (blue), and color display may be performed. Further, for example, G is changed to YG (yellowish green) and EG ( It is also possible to make a wide color band by forming one dot with these four color pixels.

<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として有する電子機器について説明する。図21は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置10を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置10を備えるものである。なお、電気光学装置10のうち、表示領域100に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus having the electro-optical device 10 according to the above-described embodiment as a display device will be described. FIG. 21 is a diagram illustrating a configuration of a mobile phone 1200 using the electro-optical device 10 according to any of the embodiments.
As shown in this figure, a mobile phone 1200 includes the electro-optical device 10 described above, together with a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206. Note that the components of the electro-optical device 10 corresponding to the display region 100 do not appear as appearance.

なお、電気光学装置10が適用される電子機器としては、図21に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置10が適用可能であることは言うまでもない。   As an electronic apparatus to which the electro-optical device 10 is applied, in addition to the mobile phone shown in FIG. 21, a digital still camera, a notebook computer, a liquid crystal television, a viewfinder type (or a monitor direct view type) video recorder. And car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, photo storage viewers, devices equipped with touch panels, and the like. Needless to say, the electro-optical device 10 described above can be applied as a display device of these various electronic devices.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel in the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a peripheral configuration of a display area of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。FIG. 6 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the same electro-optical device. 同電気光学装置におけるコモン電極の波形鈍りやノイズ等の影響を示す図である。It is a figure which shows the influence of the waveform blunt of a common electrode, noise, etc. in the same electro-optical device. 同電気光学装置の別動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining another operation of the electro-optical device. 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. 同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a peripheral configuration of a display area of the electro-optical device. 同電気光学装置におけるコモン信号出力回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the common signal output circuit in the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. コモン信号出力回路の別構成を示す図である。It is a figure which shows another structure of a common signal output circuit. 本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a peripheral configuration of a display area of the electro-optical device. 同電気光学装置におけるコモン信号出力回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the common signal output circuit in the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。FIG. 6 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the same electro-optical device. 本発明の第4実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention. 同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a peripheral configuration of a display area of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。It is a figure which shows the mobile telephone using the electro-optical apparatus which concerns on embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…電気光学装置、20…制御回路、31…コモン信号出力回路、100…表示領域、108…コモン電極、110…画素、112…走査線、114…データ線、116…TFT、120…画素容量、130…蓄積容量、140…走査線駆動回路、161…給電線、170…コモン電極駆動回路、171、171a、171b、172a、172b、175…TFT、176…検出容量、185…検出線、300…オペアンプ、311、312、318…スイッチ、1200…携帯電話 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electro-optical apparatus, 20 ... Control circuit, 31 ... Common signal output circuit, 100 ... Display area, 108 ... Common electrode, 110 ... Pixel, 112 ... Scan line, 114 ... Data line, 116 ... TFT, 120 ... Pixel capacity , 130: Storage capacitor, 140: Scanning line drive circuit, 161 ... Feed line, 170 ... Common electrode drive circuit, 171, 171a, 171b, 172a, 172b, 175 ... TFT, 176 ... Detection capacity, 185 ... Detection line, 300 ... operational amplifiers, 311, 312, 318 ... switches, 1200 ... mobile phones

Claims (12)

複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A drive circuit for an electro-optical device having:
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
A common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance when applying the second voltage in the second period;
A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, via the data line;
A drive circuit for an electro-optical device, comprising:
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。
The common electrode drive circuit is
A transistor is provided for each of the common electrodes,
In the transistor corresponding to one common electrode, a gate electrode is connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, and a source electrode is connected to a power supply line that supplies a common signal.
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied is fed through the feeding line.
前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、
前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、
前記第2期間において前記検出線が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路。
Provided corresponding to each of the common electrodes, and each is turned on between the one common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection;
A voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period;
A voltage controlled so that the detection line becomes the first or second voltage in the second period,
A common signal output circuit that outputs the common signal to the feeder line,
The drive circuit for the electro-optical device according to claim 2, further comprising:
前記コモン信号出力回路は、
前記第1期間において前記第3または第4電圧となり、前記第2期間において前記第1または第2電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間においてオンし、前記第2期間においてオフする第1スイッチと、
前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第1期間に
おいてオフし、前記第2期間においてオンする第2スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置の駆動回路。
The common signal output circuit is:
An operational amplifier in which the target signal that becomes the third or fourth voltage in the first period and becomes the first or second voltage in the second period is input to the non-inverting input terminal, and the output terminal is connected to the feeder line When,
A first switch electrically inserted between an output terminal of the operational amplifier and an inverting input terminal of the operational amplifier, turned on in the first period, and turned off in the second period;
A second switch electrically interposed between the detection line and the inverting input terminal of the operational amplifier, and turned off in the first period and turned on in the second period;
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 3, comprising:
前記コモン信号出力回路は、
一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する
ことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
The common signal output circuit is:
5. The apparatus according to claim 4, further comprising an auxiliary switch that is turned on between the power supply line and the detection line in a period that is temporally forward in a period in which the selection voltage is applied to one scanning line. The electro-optical device described.
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタの組を有し、
一のコモン電極に対応する前記第1トランジスタのソース電極が第1コモン信号を給電する第1給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ソース電極が第2コモン信号を給電する第2給電線に接続され、
前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、
前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第1ゲート信号が供給される第1信号線に接続され、ドレイン電極が前記第1トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第2ゲート信号が供給される第2信号線に接続され、ドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1および第2ゲート信号は、前記第1および第2トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してするか、前記第2給電線を介してするかについて規定する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。
The common electrode drive circuit is
Corresponding to each of the common electrodes, it has a set of first to fourth transistors,
A source electrode of the first transistor corresponding to one common electrode is connected to a first feeder line that feeds a first common signal;
The second transistor has a source electrode connected to a second feed line that feeds a second common signal,
The drain electrodes of the first and second transistors are connected to the one common electrode;
The third transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, a source electrode connected to a first signal line to which a first gate signal is supplied, and a drain electrode connected to the first transistor. Connected to the gate electrode of
The fourth transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one common electrode, a source electrode connected to a second signal line to which a second gate signal is supplied, and a drain electrode connected to the second transistor. Connected to the gate electrode of
The first and second gate signals are voltages for turning on and off the first and second transistors exclusively, and supply power to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied. The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1, wherein the drive circuit is defined as being via a feeder line or via the second feeder line.
前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第1給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第1コモン信号として前記第1給電線に出力する一方、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第2給電線を介してする場合に、前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第2コモン信号として前記第2給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の駆動回路。
Provided corresponding to each of the common electrodes, and each is turned on between the one common electrode and the detection line when the selection voltage is applied to the scanning line corresponding to the one common electrode. A switching element for detection;
When power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the first power supply line, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period is While the voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period, respectively, the first common signal is output to the first feeder line,
When power is supplied to the common electrode corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the second power supply line, a voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period, A common signal output circuit that outputs a voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period as the second common signal to the second feeder line, respectively. The drive circuit for an electro-optical device according to claim 6.
前記第1および第2ゲート信号は、
一のコモン電極に対する給電を、前記第1給電線を介してする場合と、前記第2給電線を介してする場合とで交互とするように決定する
ことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の駆動回路。
The first and second gate signals are:
The power supply to one common electrode is determined so as to alternate between a case where the power supply is performed via the first power supply line and a case where the power supply is performed via the second power supply line. Drive circuit for electro-optical device.
前記コモン電極の各々に対応して、当該一のコモン電極と検出線との間に電気的に介挿された検出容量と、
前記第1期間において前記第3または第4電圧をバッファリングした電圧を、
前記第2期間において前記検出線の電圧が前記第1または第2電圧となるように制御し
た電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路。
Corresponding to each of the common electrodes, a detection capacitor electrically inserted between the one common electrode and the detection line,
A voltage obtained by buffering the third or fourth voltage in the first period;
The voltage controlled so that the voltage of the detection line becomes the first or second voltage in the second period,
A common signal output circuit that outputs the common signal to the feeder line,
The drive circuit for the electro-optical device according to claim 2, further comprising:
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加し、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加し、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A driving method of an electro-optical device having:
Selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order, and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
When applying the second voltage in the second period, a fourth voltage higher than the second voltage is applied in the first period in advance,
A driving method of an electro-optical device, characterized in that a data signal having a voltage corresponding to a gradation of the pixel is supplied to each pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied via the data line.
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第1期間と後方寄りの第2期間とのうち、前記第2期間において第1電圧または前記第1電圧よりも高位側の第2電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第2期間において前記第1電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第1電圧よりもさらに低位の第3電圧を印加し、
前記第2期間において前記第2電圧を印加する場合には、予め前記第1期間において前記第2電圧よりもさらに高位の第4電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
A plurality of common electrodes provided corresponding to the plurality of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
Each has one end connected to the data line and a conductive state when a selection voltage is applied to the scanning line, and one end connected to the other end of the pixel switching element. A pixel capacitor connected to the common electrode;
A pixel containing
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying a selection voltage to the selected scanning lines;
For a common electrode provided corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, a first period closer to the front and a second period closer to the rear of the period in which the selection voltage is applied, While applying either the first voltage or the second voltage higher than the first voltage in the second period,
When applying the first voltage in the second period, a third voltage lower than the first voltage is applied in the first period in advance,
A common electrode driving circuit that applies a fourth voltage higher than the second voltage in the first period in advance when applying the second voltage in the second period;
A data line driving circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the scanning line to which the selection voltage is applied, via the data line;
An electro-optical device comprising:
請求項11に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11.
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