JP2009141653A - 導波管型帯域阻止フィルタ - Google Patents
導波管型帯域阻止フィルタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】中空導波管(1)と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路(5)を具備した1枚の誘電体基板(2)とを備え、前記誘電体基板(2)は、前記中空導波管の内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路(5)が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約1/4管内波長の奇数倍の間隔で配置されてなる導波管型帯域阻止フィルタ。
【選択図】図1
Description
また、中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した複数の誘電体基板とを備え、前記複数の誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約1/4管内波長の奇数倍の間隔で配置されていることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタにある。
図1〜3を用いてこの発明の実施の形態1による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図1は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図2は図1の誘電体基板の斜視図、図3は図1の破線Aで示す断面における断面図である。図1〜3において、導波管型帯域阻止フィルタは、中空導波管1、誘電体基板2、結合用スリット3、スルーホール4、阻止帯域の中心周波数において共振する閉空間であるポスト壁共振キャビティ5、入出力端6を有する。中空導波管1は、導電性金属により構成された一般的な導波管である。誘電体基板2は、表面を導電性の金属でメタライズ(表面全体に薄い金属層2aを形成)し、導電性接着剤等の接着手段(図示省略)により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管1の内壁下面に貼り付けられている。
図5〜7を用いてこの発明の実施の形態2による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図5は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図6は図5の2枚の誘電体基板の斜視図、図7は図5の破線Aで示す断面における断面図である。図5〜7において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、詳細な説明は省略する(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態1による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図2に示したものと同一構造を有する誘電体基板2が、導電性接着剤等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管1の内壁上下面にそれぞれ1枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。
図9〜11を用いてこの発明の実施の形態3による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図9は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図10は図9の誘電体基板の斜視図、図11は図9の破線Aで示す断面における断面図である。図9〜11において、10は誘電体基板、11はストリップ導体、12は先端短絡型マイクロストリップ共振器を示す。中空導波管1は、導電性金属により構成された一般的な導波管である。誘電体基板10は、導電性接着剤2b等の接着手段により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管1の内壁側面の片面に貼り付けられている。
図12〜14を用いてこの発明の実施の形態4による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図12は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図13は図12の2枚の誘電体基板の斜視図、図14は図12の破線Aで示す断面における断面図である。図12〜14において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示す(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態3による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図10で示したものと同一構造を有する誘電体基板10が、導電性接着剤2b等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管1の左右の内壁側面にそれぞれ1枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。
図15〜17を用いてこの発明の実施の形態5による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図15は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図16は図15の誘電体基板の斜視図、図17は図15の破線Aで示す断面における断面図である。図15〜17において、13は両端開放型マイクロストリップ共振器を示す。誘電体基板10は、導電性接着剤2b等の接着手段により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管1の内壁側面の片面に貼り付けられている。
図18〜20を用いてこの発明の実施の形態6による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図18は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図19は図18の2枚の誘電体基板の斜視図、図20は図18の破線Aで示す断面における断面図である。図18〜20において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示す(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態5による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図16で示したものと同一構造を有する誘電体基板10が、導電性接着剤2b等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管1の左右の内壁側面にそれぞれ1枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。
Claims (6)
- 中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路を具備した1枚の誘電体基板とを備え、
前記誘電体基板は、前記中空導波管の内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約1/4管内波長の奇数倍の間隔で配置されていることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ。 - 中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した複数の誘電体基板とを備え、
前記複数の誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約1/4管内波長の奇数倍の間隔で配置されていることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ。 - 前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された導電性の金属層と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面とこれの対向面の間で前記金属層を互いに接続する複数のスルーホールと、前記金属層の一部が取り除かれた箇所からなる結合用スリットとで、阻止帯域の中心周波数にて共振する閉空間であるポスト壁キャビティを構成したものからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
- 前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面と対向するおもて面に配置したストリップ導体と、前記誘電体基板を貫通して前記中空導波管側と前記ストリップ導体とを互いに接続する短絡手段とで、阻止帯域の中心周波数にて共振する先端短絡型マイクロストリップ共振器を構成したものからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
- 前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面と対向するおもて面に配置したストリップ導体とで、阻止帯域の中心周波数にて共振する両端開放型マイクロストリップ共振器を構成したものからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
- 前記ストリップ導体の形状が、円形、方形、リング形のいずれか1つからなることを特徴とする請求項5に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113366698A (zh) * | 2019-03-14 | 2021-09-07 | 株式会社藤仓 | 滤波器及滤波器的制造方法 |
JP7425717B2 (ja) | 2020-12-07 | 2024-01-31 | 株式会社東芝 | フィルタ及び無線送信装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-12-06 JP JP2007315676A patent/JP4959530B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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