JP2009141049A - スルーホールフィリング方法 - Google Patents
スルーホールフィリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009141049A JP2009141049A JP2007314550A JP2007314550A JP2009141049A JP 2009141049 A JP2009141049 A JP 2009141049A JP 2007314550 A JP2007314550 A JP 2007314550A JP 2007314550 A JP2007314550 A JP 2007314550A JP 2009141049 A JP2009141049 A JP 2009141049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- metal
- film
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【課題】 簡便にビアを形成することができるスルーホールフィリング方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面、裏面およびスルーホール内の側面に給電用金属膜を形成した後、基板の表面および裏面を陰極として金属メッキ膜を形成する。その後、表面を陰極として裏面を陽極としてメッキ金属層を形成する工程と、表面を陽極として裏面を陰極としてメッキ金属層を形成する工程とを繰り返し行う。その結果、表面および裏面に比べて相対的に早くスルーホール内にメッキ金属を析出させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板の表面、裏面およびスルーホール内の側面に給電用金属膜を形成した後、基板の表面および裏面を陰極として金属メッキ膜を形成する。その後、表面を陰極として裏面を陽極としてメッキ金属層を形成する工程と、表面を陽極として裏面を陰極としてメッキ金属層を形成する工程とを繰り返し行う。その結果、表面および裏面に比べて相対的に早くスルーホール内にメッキ金属を析出させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板に形成したスルーホールにメッキ金属を充填し、ボイド等のないビアを形成するスルーホールフィリング方法に関する。
プリント基板やセラミック基板などからなる基板に形成されたスルーホールをメッキ金属で充填する方法として、基板表面に導電化処理を施し、その後メッキ法によって、スルーホール内にメッキ金属を充填するスルーホールフィリング方法が種々提案されている。
図3は従来提案されているスルーホールフィリング方法の説明図である。厚さ300μmの基板20に直径が1mm以下のスルーホール21を形成する。この後、基板20表面およびスルーホール21内壁に給電用金属膜22を形成し(図4A)、図5に示すように構成したメッキ浴で、促進剤や抑制剤を含まないメッキ液を用い、基板20の一方の面側の電流密度と他方の面側の電流密度を異ならせて電解メッキを行う。その結果、スルーホール21の高電流密度の面がメッキ金属23で塞がれる(図2B)。その後、開口する面側の電流密度を高くし、メッキ金属23で塞がれた面側の電流密度を低くして、促進剤や抑制剤を含むメッキ液で電解メッキを行う。このようにすることにより、スルーホール21内にメッキ金属23を充填することが可能となる(図2C)(特許文献1参照)。
一般的にこのような電解メッキ法では、図5に示すように、基板1が陰極、その表面および裏面に対置する対向電極が陽極となるように電流源に接続して通電する構成となっている。
特開2001−200386号公報
従来のスルーホールフィリング方法は、2種類のメッキ液を使用する必要があり、簡便な方法ではなかった。本発明はこのような問題点を解消し、簡便にビアを形成することができるスルーホールフィリング方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、前記基板の表面、裏面およびスルーホール内の壁面に給電用金属膜を形成する第1の工程と、前記基板の表面および裏面の前記給電用金属膜それぞれを陰極とし、それぞれに対置する対向電極を陽極として、前記基板の表面、裏面およびスルーホール内の前記給電用金属膜上に金属メッキ膜を形成する第2の工程と、該金属メッキ膜が形成された前記基板の表面および裏面のいずれか一方の面を陽極とし、該一方の面に対置する第1の対向電極を陰極とし、前記基板の表面および裏面の他方の面を陰極とし、該他方の面に対置する第2の対向電極を陽極としてそれぞれ通電し、前記一方の面上の前記金属メッキ膜から該金属メッキ膜を構成する金属を溶出させると共にその表面に前記金属メッキ膜を酸化した酸化膜を形成し、前記他方の面上の前記金属メッキ膜上及び前記スルーホール内に金属メッキ膜を析出させる第3の工程と、前記一方の面を陰極とし、前記第1の対向電極を陽極とし、前記他方の面を陽極とし、前記第2の対向電極を陰極としてそれぞれ通電し、前記一方の面に形成されている酸化膜を還元すると共に前記スルーホール内に金属メッキ膜を析出させ、前記他方の面上の前記金属メッキ膜から前記金属を溶出させると共にその表面に前記酸化膜を形成する第4の工程と、前記一方の面を陽極とし、前記第1の対向電極を陰極とし、前記他方の面を陰極とし、前記第2の対向電極を陽極としてそれぞれ通電し、前記一方の面上の金属メッキ膜から前記金属を溶出させると共にその表面に酸化膜を形成し、前記他方の面上に形成されている酸化膜を還元すると共に前記スルーホール内に前記金属メッキ膜を析出させる第5の工程と、前記第4の工程と、前記第5の工程を繰り返し、前記スルーホール内を金属メッキ膜で充填する第6の工程とを含むことを特徴とする。
本願請求項2に係る発明は、請求項1記載のスルーホールフィリング方法において、前記金属メッキ膜は、銅あるいは銀のいずれかであることを特徴とする。
本発明は、基板表面に形成した金属メッキ膜を陽極として作用させることによって、その表面に酸化膜を形成し、基板表面への金属メッキ膜の形成を抑制させる一方、スルーホール内部への金属メッキ膜の形成は抑制させることなく行うことができる。この方法は、電流源の電極の正極と負極とを交互に交換するだけで良く、非常に簡便な方法である。
また本発明の方法は、メッキ法によりスルーホール内部全体に金属を充填することができるため、スルーホール側壁と充填した金属(メッキ金属)との密着性が良く、熱伝導性の優れたビアホールを形成することができ、サーマルビアとして好適となる。また、導電性に優れているため、接地用ビアとしても好適となる。本発明の方法は、酸化膜を形成する金属の電解メッキ法に適用することができるため、特に、導電性に優れた銅、銀を充填する方法として好適である。
以下、本発明のスルーホールフィリング方法について、銅の充填する方法を例にとり、詳細に説明する。
図1は本発明の実施例の説明図である。まず、スルーホール2が形成されたセラミックスからなる基板1を用意する(図1A)。そして基板1表面、裏面およびスルーホール2の側壁に約0.5μmの銅からなる給電用金属膜3を形成する(図1B)。給電用金属膜3は、スパッタ法により、スルーホール2側壁全面を被覆するように形成する。なお、スルーホール2側壁全面を被覆することができれば、無電解メッキ法、蒸着法などによって形成しても良い。
次に、硫酸銅メッキ法により、従来例同様、図4に示すように電流源に接続すると共に、基板1の表面側と裏面側の電流密度を異ならせて、給電用金属膜3に銅メッキを施す。その結果、基板1の表面、裏面およびスルーホール内に銅からなる金属メッキ膜4が形成される。スルーホール2内の金属メッキ膜4は、図1(C)に示すように、電流密度の高い側のスルーホール2の開口部のメッキ成長が早く進み、スルーホール2にテーパー状の金属メッキ膜4が形成される。
次に、電流源との接続を図2に示すように変更する。即ち、2つの電流源a、bを用意し、電流源aの一方の端子には対向電極aを接続し、他方の端子には金属メッキ膜4が形成された基板1のa面を接続する。また電流源bの一方の端子には対向電極bを接続し、他方の端子には金属メッキ膜4が形成された基板1のb面を接続する。対向電極a、bは銅板で構成する。そして以下に詳述するように、基板1のa面とb面とは、相互に逆の電位となるようにする。
図1(D)において上面をa面、下面をb面として説明すると、基板1のa面が陰極(−)、b面が陽極(+)となるように、電流源a、bをそれぞれ接続する。電流源aから電流を流すと、対向電極aの表面では、対向電極を構成する銅が酸化されメッキ液中に銅イオンが溶出する。また基板1のa面表面では、メッキ液中の銅イオンが還元され、a面表面およびスルーホール2内に金属メッキ膜4が析出する。ここで対向電極aの表面には、酸化銅(CuO)が形成される。これは、ブラックフィルムと呼ばれるものである。同時に電流源bから電流を流すと、対向電極bの表面では、メッキ液中の銅イオンが還元され、対向電極b表面にメッキ銅が析出する。また基板1のb面表面では、先に形成した金属メッキ膜4が酸化されメッキ液中に銅イオンが溶出すると共に、その表面に酸化銅からなる第1の酸化膜5が形成される(図1D)。ここで電流源bから供給する電流より電流源aから供給する電流が大きくなるように電流値を調整すると、スルーホール2の内部に第1の酸化膜5が形成されるのを防ぐことができる。また、メッキ金属層4が基板1のa面表面に析出する膜厚は、メッキ時間と電流密度を調整することにより制御可能である。
次に、基板1をメッキ浴から取り出すことなく、電源の極性を反転させて基板1表面の極性を反転させる。即ち、基板1のa面が陽極(+)で対向電極aが陰極(−)、基板1のb面が陰極(−)で対向電極bが陽極(+)となるように電流源a、bの極性を反転させる。電流源aから電流を流すと、対向電極aの表面では、表面に形成さている酸化銅が還元され、その膜厚が徐々に薄くなる。また基板1のa面表面では、金属メッキ膜4が酸化され、メッキ液中に銅イオンが溶出する。この銅イオンが析出した基板1のa面表面には、酸化銅からなる第2の酸化膜6が形成される。同時に電流源bから電流を流すと、対向電極bの表面では、対向電極を構成する銅が酸化されメッキ液中に銅イオンが溶出する。この銅イオンが析出した対向電極bの表面には酸化銅が形成される。また基板1のb面表面では、第1の酸化膜5が還元され、その膜厚が徐々に薄くなる(図1E)。
さらに電流源aから電流を流し続けると、対向電極aの表面の酸化銅がすべて還元され、対向電極を構成する銅が露出する。また基板1のa面表面では、酸化銅からなる第2の酸化膜6の厚さが厚くなっていく。同時に電流源bから電流を流し続けると、対向電極bの表面では、銅イオンの溶出とともに酸化銅の厚さが厚くなる。また基板1のb面表面では、第1の酸化膜5が消失し、金属メッキ膜4が露出する。このとき、スルーホール2内部にも金属メッキ膜4が析出する(図1F)。ここで電流源aから供給する電流より電流源bから供給する電流が大きくなるように電流値を設定すると、スルーホール2の内部に第2の酸化膜5が形成されるのを防ぐことができる。
このように基板1のa面では銅イオンが溶出し、基板1のb面では、第1の酸化膜5が還元された後金属メッキ膜が析出するため、基板表面の金属メッキ膜の析出速度は非常に遅くなる。それに比べて、スルーホール2内では、酸化膜が形成されないため、先にスルーホール内で金属メッキ膜の析出が始まる。その結果、スルーホール内の金属メッキ膜の析出速度が相対的に早くなる。なお、基板の一方の面と他方の面の極性を異ならせるとともに、陰極側の基板の電流密度を陽極側の基板の電流密度より高くすることによって、スルーホール2内に酸化膜を形成しない構成とすることができる。これは、陰極側の基板表面に対置する対向電極(陽極)の電界が基板を回り込んでスルーホール2内にかかるため、陽極となっている基板側であっても、スルーホール2内の金属メッキ膜4は、陰極として作用するためと考えられる。
引き続き、基板1をメッキ浴から取り出すことなく、電源の極性を反転させて基板1表面の極性を反転させる。即ち、基板1のa面が陰極(−)で対向電極aが陽極(+)、基板1のb面が陽極(+)で対向電極bが陰極(−)となるように電流源a、bの極性を反転させる。電流源aから電流を流すと、対向電極aの表面では、表面に析出した金属メッキ膜及び対向電極を構成する銅が酸化され、メッキ液中に銅イオンを溶出する。また基板1のa面表面では、表面に形成されている第2の酸化銅6が還元され、その膜厚が徐々に薄くなる。同時に電流源bから電流を流すと、対向電極bの表面では、酸化膜が還元され、その膜厚が徐々に薄くなる。また基板1のb面表面では、金属メッキ膜4が酸化され、メッキ液中に銅イオンが溶出する。前述同様、銅イオンが析出した基板1のb面表面には、酸化銅からなる第3の酸化膜7が形成される(図1G)。
さらに電流源aから電流を流し続けると、対向電極aの表面では酸化銅の厚さが厚くなる。また基板1のa面表面では、第2の酸化膜6が消失し、金属メッキ膜4が露出する。そして、この露出した金属メッキ膜4が酸化されメッキ液中に銅イオンを溶出する。同時に電流源bから電流を流し続けると、対向電極bの表面の表面の酸化膜がすべて還元され、対向電極を構成する銅が露出し、露出した銅が酸化され、メッキ液中に銅イオンを溶出する。また、基板1のb面表面では、第3の酸化膜7の厚さが厚くなる(図1H)。ここで電流源bから供給する電流より電流源aから供給する電流が大きくなるように電流値を調整すると、スルーホール2の内部に第3の酸化膜7が形成されずに、スルーホール2内部に金属メッキ膜4を析出させることができる。
引き続き、基板1をメッキ浴から取り出すことなく、電源の極性を反転させて基板1表面の極性を反転させる。即ち、基板1のa面が陽極(+)で対向電極aが陰極(−)、基板1のb面が陰極(−)で対向電極bが陽極(+)となるように電流源a、bの極性を反転させる。電流源aから電流を流すと、対向電極aの表面では、表面に形成されている酸化銅が還元され、その膜厚が除去に薄くなる。また基板1のa面表面では、金属メッキ膜4が酸化され、メッキ液中に銅イオンが溶出する。この銅イオンが析出した基板1のa面表面には、酸化銅からなる第4の酸化膜8が形成される。同時に電流源bから電流を流すと、対向電極bの表面では、表面に析出した銅及び対向電極を構成する銅が酸化され、メッキ液中に銅イオンが溶出する。また基板1のb面表面では、第3の酸化膜7が還元され、その膜厚が徐々に薄くなる(図1I)。この工程は、前述の図1(E)の工程と同一である。
さらに電流源aから電流を流し続けると、対向電極aの表面の酸化膜がすべて還元され、対向電極を構成する銅が露出する。また基板1のa面表面では、第4の酸化膜8の厚さが厚くなっていく。同時に電流源bから電流を流し続けると、対向電極bの表面では、銅イオンの溶出とともに酸化銅の厚さが厚くなる。また基板1のb面表面では、第3の酸化膜6が消失し、金属メッキ膜4が露出する。このとき、スルーホール2内部にも金属メッキ膜4が析出する(図1H)。ここで電流源aから供給する電流より電流源bから供給する電流が大きくなるように電流値を調整すると、スルーホール2の内部に第4の酸化膜8が形成されるのを防ぐことができる(図1J)。この工程は、前述の図1(F)の工程と同一である。
このように、電源の極性を反転させることを繰り返し、銅メッキを行うと、図1(K)に示すようにスルーホール2内を金属メッキ膜4で充填することができる。
このように形成した基板は、必要に応じて、表面及び裏面を研磨し、基板表面を露出させて使用する。表面及び裏面に析出したメッキ銅は、所定のパターニングを施すことによって、配線金属として使用することもできる。
本発明は、メッキ法によりスルーホール内部を充填する構成となっているため、スルーホール側壁と充填した金属との接着性が良く、熱伝導性の優れたビアホールを形成することができ、サーマルビアとして好適である。また、導電性に優れているため、接地用ビアとして好適である。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではないことはいうまでもない。例えば、硫酸銅メッキ方法に限らず、メッキ工程で金属酸化膜が形成される電解メッキ方法、例えば銀メッキ方法に適用することができる。また、基板はセラミック基板に限らず、誘電体基板を用いることができるし、使用する基板との接着性がよく、銅メッキを行うことができる金属は適宜選択することができる。
また、図1(C)に示す金属メッキ膜4を形成する工程は、図2に示すように2つの電源に基板1の表面をそれぞれ接続し、その表面が陰極(−)となるように設定すれば、図1に示す工程を、メッキ浴から基板1を取り出すことなく、電源の極性を変更するだけで連続して行うことができ、好適である。
1;基板、2;スルーホール、3;給電用金属膜、4;金属メッキ膜、5;第1の酸化膜、6;第2の酸化膜、7;第3の酸化膜、8;第4の酸化膜
Claims (2)
- 基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、
前記基板の表面、裏面およびスルーホール内の壁面に給電用金属膜を形成する第1の工程と、
前記基板の表面および裏面の前記給電用金属膜それぞれを陰極とし、それぞれに対置する対向電極を陽極として、前記基板の表面、裏面およびスルーホール内の前記給電用金属膜上に金属メッキ膜を形成する第2の工程と、
該金属メッキ膜が形成された前記基板の表面および裏面のいずれか一方の面を陽極とし、該一方の面に対置する第1の対向電極を陰極とし、前記基板の表面および裏面の他方の面を陰極とし、該他方の面に対置する第2の対向電極を陽極としてそれぞれ通電し、前記一方の面上の前記金属メッキ膜から該金属メッキ膜を構成する金属を溶出させると共にその表面に前記金属メッキ膜を酸化した酸化膜を形成し、前記他方の面上の前記金属メッキ膜上及び前記スルーホール内に金属メッキ膜を析出させる第3の工程と、
前記一方の面を陰極とし、前記第1の対向電極を陽極とし、前記他方の面を陽極とし、前記第2の対向電極を陰極としてそれぞれ通電し、前記一方の面に形成されている酸化膜を還元すると共に前記スルーホール内に金属メッキ膜を析出させ、前記他方の面上の前記金属メッキ膜から前記金属を溶出させると共にその表面に前記酸化膜を形成する第4の工程と、
前記一方の面を陽極とし、前記第1の対向電極を陰極とし、前記他方の面を陰極とし、前記第2の対向電極を陽極としてそれぞれ通電し、前記一方の面上の前記金属メッキ膜から前記金属を溶出させると共にその表面に酸化膜を形成し、前記他方の面上に形成されている前記酸化膜を還元すると共に前記スルーホール内に金属メッキ膜を析出させる第5の工程と、
前記第4の工程と、前記第5の工程を繰り返し、前記スルーホール内を金属メッキ膜で充填する第6の工程とを含むことを特徴とするスルーホールフィリング方法。 - 請求項1記載のスルーホールフィリング方法において、
前記金属メッキ膜は、銅あるいは銀のいずれかであることを特徴とするスルーホールフィリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007314550A JP2009141049A (ja) | 2007-12-05 | 2007-12-05 | スルーホールフィリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007314550A JP2009141049A (ja) | 2007-12-05 | 2007-12-05 | スルーホールフィリング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009141049A true JP2009141049A (ja) | 2009-06-25 |
Family
ID=40871409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007314550A Pending JP2009141049A (ja) | 2007-12-05 | 2007-12-05 | スルーホールフィリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009141049A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019023352A (ja) * | 2016-02-15 | 2019-02-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | スルーホールを充填してボイド及び他の欠陥を低減する方法 |
US10609823B2 (en) | 2015-04-08 | 2020-03-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing multilayer wiring board |
-
2007
- 2007-12-05 JP JP2007314550A patent/JP2009141049A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10609823B2 (en) | 2015-04-08 | 2020-03-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing multilayer wiring board |
JP2019023352A (ja) * | 2016-02-15 | 2019-02-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | スルーホールを充填してボイド及び他の欠陥を低減する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4764718B2 (ja) | スルーホールの充填方法 | |
US6783654B2 (en) | Electrolytic plating method and device for a wiring board | |
KR100596992B1 (ko) | 무연 주석합금을 피복하는 방법 | |
HK1039683A1 (en) | Method for galvancially forming conductor structures of high-purity copper in the production of integrated circuits. | |
JP2005093934A (ja) | スルーホールの充填方法 | |
KR20030061692A (ko) | 비어 충전법 | |
TW569390B (en) | Via filling method | |
US20040011654A1 (en) | Method of copper plating small diameter hole | |
JP5191331B2 (ja) | スルーホールフィリング方法 | |
JP2009228124A (ja) | スルーホールの充填方法 | |
JP2009141049A (ja) | スルーホールフィリング方法 | |
CN114554727A (zh) | 一种实现高纵横比通盲孔的电镀方法及pcb | |
WO2015065150A1 (ko) | 합금 도금액과 펄스전류를 이용한 다층 도금 박막 제조방법 | |
GB2070647A (en) | Selective chemical deposition and/or electrodeposition of metal coatings, especially for the production of printed circuits | |
JP2003253454A (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 | |
US6358390B1 (en) | Method for forming electrode | |
SE446197B (sv) | Forfarande for framstellning av metallkomplexlosningar, lempad att anvendas vid stromlos metallavskiljning | |
CN1468050A (zh) | 印刷线路板的制造方法及利用该制造方法所制成的印刷线路板 | |
JPH118469A (ja) | ビアフィリング方法 | |
KR101420865B1 (ko) | 금속 도금장치 | |
TW200305661A (en) | Electroplating method | |
KR101146740B1 (ko) | 주석 도금 장치 | |
JP2001237511A (ja) | めっきバンプ付き基板およびその製造方法 | |
CN1537971A (zh) | 电镀预处理溶液和电镀预处理方法 | |
US4882233A (en) | Selectively deposited electrodes onto a substrate |