JP2009139823A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ表示装置において、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈのバラつきを短時間で補償し、かつ、画面の輝度傾斜を無くす。
【解決手段】図１（ａ）において、リセットＴＦＴスイッチ５と点灯ＴＦＴスイッチ２によるＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈをリセットする動作をする前に、プリチャージＴＦＴスイッチ７からプリチャージ電圧を供給して、リセット時間を短縮する。電源線５１の抵抗による電源電位の変化による影響を補償するように、プリチャージ電圧を場所によって変調する。これによって輝度傾斜を対策する。
【選択図】図１

Description

本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に画素間の階調表示のばらつきが小さく、かつ、輝度の不均一が生じない有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置は、液晶と比較して、自発光型であるのでバックライトが不要である、応答時間が数マイクロ秒と短く、動画特性がすぐれている、発光に必要な電圧が１０Ｖ以下と低く、消費電力を小さくできる可能性がある等の特徴がある。また、プラズマ表示装置やＦＥＤ表示装置と比較して、真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適している、等の特徴がある。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いる有機ＥＬ表示装置はコントラスト等、画質の面で優れているが、階調表示をする際は、各ＴＦＴの特性のばらつきに影響されて、表示特性にばらつきが出る。これを対策する従来技術の一例として、図１８および図１９に示す技術がある。なお、本明細書ではＴＦＴを電界効果トランジスタと呼ぶ場合もある。

図１８は従来例１の画素部分の駆動回路である。図１８において、電源線５１からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、有機ＥＬ発光素子（ＯＬＥＤ素子１）が直列に接続され、ＯＬＥＤ素子１の一端は基準電位に接続されている。ここで、基準電位は表示装置の基準となる電位であり、アース電位を含んだ広い概念である。ＯＬＥＤ素子１に流れる電流を制御することによってＯＬＥＤ素子１の発光を制御し、画像が形成される。ＯＬＥＤ素子１に電流を流すか否かは点灯ＴＦＴスイッチ２によって制御される。

ＯＬＥＤ素子１からの発光強度の階調は信号線５４からの信号に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３によって制御される。すなわち、信号線５４からの信号はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートと接続する保持容量４に蓄えられ、この保持容量４の電位に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に流れる電流が制御されることによって階調表示を行う。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は製造ばらつきによってスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきが大きい。このＶｔｈのばらつきを補償するために、短期間ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流を流すとともに、リセットＴＦＴスイッチ５をＯＮする。そうすると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈを加味した値に設定され、ＯＬＥＤ素子は画像信号に忠実な発光を行う。

図１９は図１８の駆動回路を駆動するタイミングチャートである。この駆動回路は図１９の上部に示すように、１フレームを前半の書き込み動作期間と後半の発光期間とに分けている。書き込み動作期間は各画素に階調信号を書き込む。図１９における書き込み動作位置は、走査線順にデータが書き込まれていく様子を示す。図１９の下部は一画素の書き込みのタイミングを示す。図１９において、まずリセットＴＦＴスイッチ５をＯＮして図１８に示すＶ１０とＶ１２を強制的にショートさせる。次に点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮするとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流が流れる。点灯ＴＦＴスイッチ２とリセットＴＦＴスイッチ５が同時にＯＮする時間は図１９に示すｔｃ４である。ｔｃ４が十分長ければＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０とドレイン電圧１２の特性曲線とＶ１０＝Ｖ１２の直線の交点の値に収束する。

階調表示のばらつきを補償する従来例２として図２０および図２１について説明する。図２０は一画素の駆動回路である。図２０において、電源線５１からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２とＯＬＥＤ素子１とが直列に接続されている。点灯ＴＦＴスイッチ２によって、ＯＬＥＤ素子１の発光可否を制御する。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は第１保持容量４１に蓄積された電荷によって決まる電圧で階調表示を行う。この場合もＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈのばらつきによってＯＬＥＤ素子１に発光特性にばらつきが生ずることを抑制するために、リセットＴＦＴスイッチ５を用いている。

図２１を用いて図２０の駆動回路の動作を説明する。図２０で使用しているＴＦＴはＰ型なので、ＴＦＴは負の信号が来たときにＯＮとなる。従来例２では、各画素に階調電圧を書き込むと１フレーム期間、その階調電圧が維持されてＯＬＥＤ素子１を発光させる。図２１の初期状態において、点灯ＴＦＴスイッチ２はＯＮされた状態となっている。この状態でセレクトスイッチ６をＯＮする。これによって、信号線５４からのデータを画素に入力することが可能になる。次にリセットＴＦＴスイッチ５をＯＮすると図２０に示すＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレイン電圧Ｖ１５とＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１３が強制的にショートされる。続いて点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＦＦすると図２０に示すＶ１３は電源電圧よりＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のソース電圧よりもＶｔｈだけ低い値に収束する。その後、リセットＴＦＴスイッチ５をＯＦＦして信号線５４から信号電圧を書き込むと第２保持容量４２および第１保持容量４１にはＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈのばらつきに関係なく、信号電圧を反映した電荷が蓄積され、正確な階調表示が可能になる。

以上のような技術を記載したものとして「特許文献１」、「特許文献２」、および「非特許文献１」があげられる。

特開２００３−５７０９号公報 特開２００３−１２２３０１号公報 Digest of Technical Papers, SID98 p.p.11-14

以上のような従来技術はいずれもリセットＴＦＴスイッチ５を用いてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきをキャンセルするものである。図１８の電圧Ｖ１０を所定の電圧に、または図２０のＶ１３を電源電圧からＶｔｈ引いた値に収束させるためには一定時間ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流が流れることが必要である。

さらに、図１８のＶ１０または図２０のＶ１３の初期値は前のフレームの表示状態に依存するため、不定である。すなわち、電源電圧以上の電圧からアース電位までのいずれかの値を取りうる。したがって、十分なリセット動作時間がなければ、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位が一定の値に収束しないという現象を生ずる。ここで、リセット動作時間は、図１８の回路については図１９のｔｃ４を、図２０の回路では、図２１のｔｃ５をいう。

時間が十分でなくなる場合というのは、低電源電圧で動作させたという条件下で、収束させるために必要な電流量が不足した時や、高精細という条件下で、各画素あたりに割り当てられる書き込み時間が少なくなった時である。このように、従来技術においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧を所定の値に集束するための時間、リセット時の電流が十分でなければ、所期の目的は達成することは出来ず、正確な階調表示ができなくなる。

有機ＥＬ表示装置の他の問題は、同じ信号を加えても場所によって輝度が異なってくるという問題である。有機ＥＬ表示装置では、ＯＬＥＤ素子をアノードとカソードでサンドイッチし、電流をＯＬＥＤ素子に流して発光させる。このとき、例えば、ＯＬＥＤ素子には電源線を通して電流が流れ込むが、電源線は抵抗を持っているために、電圧降下が生ずる。そうすると、同じ信号を加えても、電源から近い所と遠い所では、ＯＬＥＤ素子に印加される電圧は異なったものとなる。この様子を図２２に示す。

図２２（ａ）において、有機ＥＬ表示装置の表示画面の下側からグランド線GNDが延び、グランド電位が供給される。ＯＬＥＤ素子には電流が流れるために、グランド線ＧＮＤの電位は画面の下側から上側に向かうにつれて上昇してくる。この状態を図２２（ｂ）に示す。図２２（ｂ）において、横軸は画面下からの距離Xで、縦軸はグランド線の電位Vである。画面上部に行くにしたがって、グランド線の電位Vは上昇している。

したがって、画面の上部においては、ＯＬＥＤ素子に印加される電圧は実質的に小さくなり、同じ信号を加えても、画面下部よりも画面上部において輝度は小さくなる。図２２（ｃ）は画面の下側で明るく、上側にいくに従って、暗くなるような輝度傾斜が生じている状態を示している。

本発明の課題は、リセットのための時間、電流が十分でなくとも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧を所定の値に集束させ、正確な階調表示を行うとともに、画面内の輝度傾斜を小さくすることである。

本発明は以上のべた課題を解決するものであり、プリチャージ信号を加えることにより、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧のリセット動作前の初期電位を一定値とし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのリセット動作を短時間でばらつき無く行うものである。さらにプリチャージ信号を画面の場所によって変化させることによって、電源の抵抗による電圧降下を補償するようにして、画面の輝度傾斜を対策する。具体的な手段は次の通りである。

（１）自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と、前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、前記ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、容量が接続され、前記ゲート電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方には、自発光素子への画像データ信号に基づく電流の供給を制御する第3のスイッチ手段が接続され、前記自発光素子は陽極と陰極を有し、前記陽極または前記陰極には前記第3のスイッチ手段と、外部からの電圧を印加するための第2のスイッチ手段が接続されており、前記外部からの電圧は、前記画素が存在する前記表示部の位置によって変調されていることを特徴とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（２）前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は基準電位に接続されており、前記自発光素子の陰極が前記第２のスイッチ手段と前記第３のスイッチ手段と接続していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（３）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（４）前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されており、前記自発光素子の陽極が前記第２のスイッチ手段と前記第３のスイッチ手段と接続していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（５）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする（４）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（６）前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（７）前記第２のスイッチ手段は前記信号線とは別な線に接続することを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（８）自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と、前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、前記ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、容量が接続され、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方には、外部からの所定の電圧を印加するための第２のスイッチ手段が接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（９）前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は前記基準電位に接続されていることを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１０）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする（９）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１１）前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されていることを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１２）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする（１１）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１３）前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１４）前記第２のスイッチ手段は前記信号線とは別な線に接続することを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１５）自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、外部からの所定の電圧を印加するための第２のスイッチ手段と、容量が接続されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（１６）前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極またはドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は前記基準電位に接続されていることを特徴とする（１５）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１７）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする（１６）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１８）前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されていることを特徴とする（１５）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（１９）前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする（１８）に記載の有機ＥＬ表示装置。

（２０）前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする（１５）に記載の有機ＥＬ表示装置。

本発明を用いることによってリセット動作の時間が十分でなくとも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈのバラつきによる階調表示への影響を小さくすることが出来、動画表示時等においても、残像の発生しない均一な発光が可能となる。さらに、本発明を用いることによって、電源線の抵抗による電源電圧あるいは、基準電圧の変化に起因する画面の輝度傾斜を対策することが出来る。

実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。

図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の画素構造を示す回路図である。図１（ａ）〜（ｄ）は、いずれも、背景技術に記載した従来例１に対応する回路の問題点を対策する発明である。なお、図１（ａ）〜（ｄ）で用いられているＯＬＥＤ駆動ＴＦＴはＮ型である。図１（ａ）〜（ｄ）は画素回路のバリエーションであり、いずれの回路においても本発明の目的を達成することが出来る。すなわち、従来技術において、リセット時間がＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位が所定の値に集束しない現象を対策するものである。また、図１（ａ）〜（ｄ）のいずれの回路においても、プリチャージ供給線６０の入力を変調することによって、輝度傾斜の問題を対策することが出来る。

先ず、図１（ａ）について説明する。図１（ａ）において、電源線５１に対してＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１が直列に接続されている。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきによる輝度階調特性を改善するためにリセットＴＦＴスイッチ５が設けられている。このリセットＴＦＴスイッチ５を動作させることによってＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈによるばらつきを補償する。

このリセット動作はリセットＴＦＴスイッチ５と点灯ＴＦＴスイッチ２を同時にＯＮして、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流を流して行う必要がある。動作時間と電流量には限りがある。リセットＴＦＴスイッチ５と点灯ＴＦＴスイッチ２を同時にＯＮしている時間が十分あればＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の特性曲線とＶ１＝Ｖ３の直線との交点で決まる電圧に収束するが、動作条件によっては十分な電流と時間を確保することが出来ない。

一方、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧のリセット動作前の初期値は、前のフレームの表示状態に依存するため、不定である。すなわち、電源電圧以上の電圧からアース電位までばらつくために、収束すべき電圧の上下にセットされる場合があり、この点でもばらつきが生ずる。以上で説明した図１（ａ）の動作および解決しようとする課題は図１（ｂ）〜図１（ｄ）についても同様である。
本発明では、図１（ａ）に示す回路を用いた場合には、プリチャージＴＦＴスイッチ７をとおして、ＯＬＥＤ素子１の端子にプリチャージ電圧を供給する。図１（ｂ）に示す回路を用いた場合には、プリチャージＴＦＴスイッチ７をとおして、リセットＴＦＴスイッチ５と点灯ＴＦＴスイッチ２の交点に、プリチャージ電圧を供給する。また、図１（ｃ）に示す回路を用いた場合には、プリチャージＴＦＴスイッチ７をとおして、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート3にプリチャージ電圧を供給する。図１（ｄ）に示す回路を用いた場合には、図１（ａ）と同様に、プリチャージＴＦＴスイッチ７をとおして、ＯＬＥＤ素子１の端子にプリチャージ電圧を供給するが、図１（ｄ）においては、プリチャージ電圧はデータ信号線とは別に、プリチャージ供給線６０から供給される。

図１（ｄ）のように、プリチャージ電圧を信号線からではなく、プリチャージ供給線６０から印加することによって、信号線から映像信号を読み込んでいるときでも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートにプリチャージをすることが出来る。したがって、プリチャージに使える時間が増えるために、プリチャージの動作の収束がより高速になる。なお、図示しないが、図１（ｂ）および図１（ｃ）の回路においても、プリチャージ電圧は、信号線とは別にプリチャージ供給線を設けることによって、供給することが出来る。

このプリチャージ電圧の印加を上記したリセット動作前に行うことによってＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３および点灯ＴＦＴスイッチ２によって構成されるＯＬＥＤインバータの点灯ＴＦＴスイッチ２側の電位を一定に保つ。こうすると、リセット前のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位Ｖ１も一定値にセットされる。これによってリセット動作時間が十分で無い場合も、前フレームの表示状態に関係なく、Ｖｔｈのばらつきを補償することができる。

図２は表示装置全体の構成を示す回路図である。多くの画素によって画面が形成されるが、図２では４個の画素のみ表示している。図２において、画面横方向にはゲート駆動回路２００が設置されている。ゲート駆動回路２００からはリセット線５２と走査出力線１５１が延在している。リセット線５２はリセットＴＦＴスイッチ５のゲートに接続し、走査出力線１５１は点灯スイッチＯＲゲート１５０に入力する。点灯スイッチＯＲゲート１５０には点灯制御線１０５が入力し、点灯スイッチＯＲゲート１５０からは走査出力線１５１からの信号または点灯制御線１０５からの信号のいずれかによって点灯ＴＦＴスイッチ２のゲートに信号が出力される。

画面上方には信号駆動回路１００が設置されている。信号駆動回路には外部から信号入力線１００１を通して画像信号が供給される。信号駆動回路１００と画面の間にはプリチャージ信号となるアース電位を供給するプリチャージ供給線６０、三角波入力線１０１、プリチャージ信号選択線１０２、三角波選択スイッチ制御線１０３、信号線選択スイッチ制御線１０４が延在している。信号駆動回路１００から延びる信号線５４にはこれらの出力がスイッチングＴＦＴによって時間差で印加される。信号線５４には保持容量４の一端とプリチャージＴＦＴスイッチ７のソースが接続される。

図３は、図１（ｄ）の画素回路を駆動させるための回路である。図３が図２と異なるところは、プリチャージ供給線６０は、信号線とは分離して、独立している。そして、プリチャージ電圧はプリチャージ供給線６０から供給される。その他の回路構成は図２と同様である。

図４は図１（ａ）および図２、または、図１（ｄ）および図３の動作を示すタイミングチャートである。図５は図１（ｂ）および図２の動作を示すタイミングチャートである。また、図６は図１（ｃ）および図２の動作を示すタイミングチャートである。

図４〜図６の上側に示すように、この回路の動作は１フレームの前半は各画素に信号電圧を書き込み、後半で全画素を点灯させて表示を行う。このように１フレームの前半は実質黒表示であり、後半で画像を表示することになる。書き込みは走査線毎に行なわれる。

図４〜図６の下側は各画素への書き込みのタイミングチャートである。信号線／三角波書き込み動作期間にはデータ信号が入力され、発光期間中には三角波が入力される。本実施例では、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はＮ型であるため、三角波は正に凸の波形である。ここで、ＴＦＴがＰ型であるとは、ＴＦＴのキャリアがホールであることを意味し、ＴＦＴがＮ型であるとは、ＴＦＴのキャリアが電子であることを意味する。

図４においては、リセットスイッチ５がＯＮするとともに、点灯スイッチ2がＯＮする。点灯スイッチがＯＮしている間にプリチャージＴＦＴスイッチ７をＯＮする。プリチャージ電位をアース付近に設定した場合、ＯＬＥＤの陽極側は強制的にアース電位付近にセットされる。さらに点灯ＴＦＴスイッチ２もＯＮしているので点灯ＴＦＴスイッチ２とリセットスイッチ５の節点電位Ｖ３もアース電位近くとなる。また、リセットＴＦＴスイッチ５もＯＮしているのでＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧であるＶ１もアース近くの電位となる。つまり、リセット動作の初期でＶ１の初期電圧はアース電位近くになる。その後点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＦＦし、データ信号の書き込みを行い、点灯ＴＦＴスイッチ２を再びＯＮしてリセット動作を行う。
図５においては、点灯スイッチ2をＯFFしたまま、リセットスイッチ５をＯＮし、プリチャージＴＦＴスイッチ７をＯＮする。プリチャージ電位をアース付近に設定した場合、点灯ＴＦＴスイッチ２とリセットスイッチ５とプリチャージＴＦＴスイッチ７の節点電位Ｖ３もアース電位付近にセットされる。また、リセットＴＦＴスイッチ５もＯＮしているのでＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧であるＶ１もアース近くの電位となる。つまり、リセット動作の初期でＶ１の初期電圧はアース電位近くなる。その後点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＦＦし、データ信号の書き込みを行い、点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮしてリセット動作を行う。

図６においては、点灯スイッチ2とリセットスイッチ５をＯFFにしたまま、プリチャージＴＦＴスイッチ７をＯＮする。プリチャージ電位をアース付近に設定した場合、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧であるＶ１もアース近くの電位となる。つまり、リセット動作の初期でＶ１の初期電圧はアース電位近くなる。その後点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＦＦし、データ信号の書き込みを行い、点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮしてリセット動作を行う。

従来技術でＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈが補償できずにＶ１がばらついたのは、Ｖ１の初期電圧が、前のフレームの表示状態に依存し、不定となり、電源電圧以上の電圧からアース電位まで取り得るため、初期電圧の値によって収束する電圧値が変化してしまうことが大きな原因である。これに対して本発明ではＶ１の初期値をアース電位近くにセットするために、たとえＴＦＴのＶｔｈにばらつきがあり、また、図３におけるｔｃ１の時間が十分にとれなくとも、Ｖｔｈの補償残りの差は小さなものとすることが出来る。

図１（ａ）〜（ｄ）および図４〜図６において、リセット動作の間に信号線５４から保持容量４にデータ信号が書き込まれる。その後、リセットＴＦＴスイッチ５、点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＦＦすると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の特性曲線とＶ１＝Ｖ３の直線の交点に向かう。この交点に向かっている電位を基準に保持容量４を通して信号電圧が書き込まれることとなる。

書き込み期間が終わると、点灯ＴＦＴスイッチ２がＯＮとなり、発光期間となる。信号線５４には図４〜図６に示すような三角波が加えられる。三角波は保持容量４の保持していた電圧によってＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＯＮになる時期を決める。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＯＮの期間が長いほど輝度が大きくなる。これによって階調表示が可能となる。

以上説明したように、本発明によって、リセット時間が短い場合でも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧を所定の値に収束させることが出来、正確な階調表示が可能になる。本発明ではさらに、プリチャージ電圧を場所によって変調することによって、場所による輝度傾斜を防止する。

図７はプリチャージ電圧を場所によって変調せず、一定の電圧とした場合の例である。図７（ａ）における表示画面の番号（１）、（２）、（３）は位置を示す。図７（ｂ）〜図７（ｄ）は、各々、画面（１）、（２）、（３）の位置における動作を示す。図７（ｂ）〜図７（ｄ）において、縦軸はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧を、横軸は時間を示す。なお、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧は図１に示すＶ１である。図７（ｂ）〜図７（ｄ）において、左半分は書込み期間で、右半部は発光期間を示す。図７（ａ）において、書込みのための走査は上から行なわれるので、書込みの時間は、図７（ｂ）〜図７（ｄ）において、右方向に移動している。

図７（ｂ）〜図７（ｄ）において、左側に示す斜線丸は、プリチャージ電圧がそのまま、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに印加された場合を示す。プリチャージ電圧がＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに印加されるとともに、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈをキャンセルするためのリセット動作が始まる。このリセット動作が終わった後のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位を白丸で示す。

図７（ｂ）〜図７（ｄ）においては、画面の位置によらず、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧には一定の電圧が印加されるので、発光の期間は一定である。すなわち、図７（ｂ）〜図７（ｄ）においては、プリチャージ電圧としては一定の電圧が印加されるので、白表示の場合のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧も一定となる。

この場合の画面輝度の様子を図８に示す。図８（ａ）はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴによる発光期間による輝度分布を示す。図７（ｂ）〜図７（ｄ）においては、場所によらず、発光期間は一定であるので、図８（ａ）に示すように、発光時間による輝度分布は生じないことを示している。一方、電源線等の抵抗による電圧変化は生ずる。電源は有機ＥＬ表示装置の下側に形成されているので、電源線の電圧降下の影響は画面の上に行くにしたがって、大きくなり、画面の上側ほど輝度は低下する。画面の輝度はＯＬＥＤ素子に印加される電圧と発光時間の積であるから、図８（ｃ）に示すように、画面上側が下側に比べて暗くなる。

本発明は、プリチャージ電圧を画面の下側と上側とで変化させることによって、抵抗線の電位の変化による輝度の変化を補償するものである。図９はこの動作を示すグラフである。図９において、縦軸はプリチャージ電圧Ｖ２であり、横軸は時間である。プリチャージ電圧は図１（ａ）〜図１（ｃ）においては、Ｖ２であるが、図１（ｄ）においては、Ｖ２１である。

図９において、左側は書込み期間であり、右側は発光期間である。書込みは画面上側から行なわれる。図９は画面上側から下側に移るにしたがって、プリチャージ電圧を低下させることを示している。プリチャージ電圧が低下すると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに書き込まれる電圧も小さくなる。したがって、同じ白信号を印加した場合であっても、画面下側のほうが暗くなるように変調される。

図１０はこの様子を示したものである。図１０（ａ）は有機ＥＬ表示装置の画面の位置を示す。図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）は画面の各位置における書込み動作を示すものである。図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）の縦軸はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電圧Ｖ１で、横軸は時間である。

図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）において、左側に示す斜線丸は、プリチャージ電圧がそのまま、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに印加された場合を示す。プリチャージ電圧がＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに印加されるとともに、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈをキャンセルするためのリセット動作が始まる。このリセット動作が終わった後のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位を白丸で示す。
図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す画面（１）付近の動作を、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示す画面（２）付近の動作を、図１０（ｄ）は画面（３）付近の動作を示す。プリチャージ電圧が変調されているために、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに書き込まれた信号は画面下側ほど小さくなり、したがって、発光期間における発光時間は画面下側ほど小さくなる。

この結果、図１１（ａ）に示すように、発光期間による輝度は、上側ほど明るくなる。一方、電源線の抵抗による電圧降下の影響は画面１１（ｂ）に示すように、画面上側の方に行くにしたがって生ずるため、画面の上側で暗くなる。したがって、プリチャージの変調による輝度傾斜の効果と電源線の抵抗による電圧変化による効果が相殺して、図１１（ｃ）に示すように、画面全体としては輝度傾斜の無い画像を得ることが出来る。

図１２（ａ）〜（ｄ）に本発明の第２の実施例の画素回路を示す。実施例１の図１（ａ）〜（ｄ）と異なるところは、ＯＬＥＤ素子１がアース側に接続されており、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は電源線と接続している点である。また、本実施例ではＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はＰ型ＴＦＴを用いている。ＯＬＥＤ素子１を電源線側に設置し、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３をアース側に設置することによって、関連する素子を移動したことを除けば、基本的な動作は図１（ａ）〜（ｄ）の場合と同じである。

すなわち、図１２（ａ）の動作は図１（ａ）の動作に対応し、図１２（ｂ）の動作は図１（ｂ）の動作に対応し、図１２（ｃ）の動作は図１（ｃ）の動作に対応し、図１２（ｄ）の動作は図１（ｄ）の動作に対応する。ただし、図１２の回路においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴはＰ型であるから、ゲート電圧が負になる場合に、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴがＯＮになる。

図１２（ｄ）に示す回路は基本的には図１２（ａ）と同様であるが、図１２（ｄ）の回路では、プリチャージ電圧は、信号線でなう、プリチャージ供給線６０を通して印加される点が１２（ａ）の回路と異なっている。図１２（ｂ）および図１２（ｃ）の回路についても、プリチャージ電圧は、別途設けたプリチャージ供給線６０から供給しても良い。

図１３は図１２の画素回路に対する書込みと発光の動作を示す図である。図１３において、縦軸は図１２におけるプリチャージ電圧Ｖ５である。横軸は時間であり、１フレームの前半は書込みのみ行なわれ、後半は発光のみ行なわれる。図１２においては、信号線には電圧Ｖ５が印加されている。信号線には、時間によって、映像信号が印加されたり、プリチャージ電圧が印加されたりする。ここでのＶ５はプリチャージ電圧を言う。なお、図１２（ｄ）では、プリチャージ供給線６０は別途形成されているので、プリチャージ供給線６０におけるプリチャージ電圧はＶ５１としている。

図１３において、書込みは画面の上方から行なわれる。走査が画面下側に移動するに従って、プリチャージ電圧は上昇する。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴはＰ型であるから、画面下側に行くに従い、発光期間が短くなるように、プリチャージ電圧を変調していくことになる。

後半の発光期間においては、三角波は下に凸の三角波である。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴがＰ型であることに対応している。書込み期間において、同じ信号に対しては、画面下側において、発光期間が短くなるように書き込まれているので、電源線の抵抗による電位の変化を補償して、輝度傾斜の無い画面を得ることが出来ることは実施例１と同様である。

図１４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施例の画素回路である。リセット動作に関して、従来例２の問題点はリセットＴＦＴスイッチ５によってリセット動作をおこなっても、リセットの時間が十分でなければＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈが十分にキャンセルされず、正確な階調表示が行えないということである。この大きな原因は、従来例２で述べたように、電源立上げ時など、キャンセル前のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位が不定で、電源電圧以上の値からアース電位のいずれかの電位となっているために、リセット時間が十分でなければリセット後の電位がばらつくということである。

実施例３ではこれを対策するため、図１４（ａ）〜（ｄ）に画素回路の例を示す。図１４（ａ）では、プリチャージＴＦＴスイッチ７を介してプリチャージ電圧をＯＬＥＤ素子１の陽極側に印加し、リセット動作前にＯＬＥＤ陽極に一定電位であるプリチャージ電位を与え、ゲート電位Ｖ７のリセット前の初期電位を一定値にセットする。図１４（ｂ）では、プリチャージＴＦＴスイッチ７を介してプリチャージ電圧をＯＬＥＤ素子１の陽極側に印加し、リセット動作前にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのドレインに一定電位であるプリチャージ電位を与え、ゲート電位Ｖ７のリセット前の初期電位を一定値にセットする。

図１４（ｃ）では、プリチャージＴＦＴスイッチ７を介してプリチャージ電圧をＯＬＥＤ素子１のゲートに印加し、リセット動作前にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのドレインに一定電位であるプリチャージ電位を与え、ゲート電位Ｖ７のリセット前の初期電位を一定値にセットする。図１４（ｄ）の動作は図１４（ａ）の動作と同様であるが、プリチャージ電圧は、信号線とは別途設けたプリチャージ供給線６０を通して印加される。なお、プリチャージ供給線６０を信号線と別途設けることは、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）の回路に適用することも出来る。

図１５は実施例３の図１４（ａ）〜（ｃ）の画素回路を使用した場合の表示装置全体の構成を示す回路図である。画面は多くの画素によって形成されるが、図１５では４個の画素のみ表示している。また、図１５で使用する画素回路は図１４（ａ）の回路であるが、図１４（ｂ）および（ｃ）に示す回路が使用される場合も同様である。図１５において、画面横方向にはゲート駆動回路２００が設置されている。ゲート駆動回路２００からはセレクトスイッチ線５５、点灯スイッチ線５３、リセット線５２、プリチャージ制御線５６が出力している。セレクトスイッチ線５５はセレクトスイッチ６のゲートに接続し、点灯スイッチ線５３は点灯ＴＦＴスイッチ２のゲートに接続し、リセット線５２はリセットＴＦＴスイッチ５のゲートに接続し、プリチャージ制御線５６はプリチャージＴＦＴスイッチ７のゲートに接続する。

画面上方には信号駆動回路１００が設置されている。信号駆動回路１００と画面の間にはプリチャージ電位となるアース電位を供給するプリチャージ供給線６０、プリチャージ信号選択線１０２、信号線選択スイッチ制御線１０４が延在している。アース電位は動作を説明するための例であり、本発明では、後で説明するように、プリチャージ電圧は画面の場所によって異なるように変調して印加される。信号駆動回路１００から延びる信号線５４にはこれらの出力がスイッチングＴＦＴによって時間差で印加される。信号線５４にはセレクトスイッチ６のソースとプリチャージＴＦＴのソースが接続される。

図１６は、図１４（ｄ）の画素回路が使用された場合の、表示装置全体の構成を示す回路図である。画面は多くの画素によって形成されるが、図１６では４個の画素のみ表示している。図１６が図１５と異なる点は、プリチャージ電圧は、信号線から供給されるのではなく、プリチャージ供給線６０から供給される。その他の点は図１５と同様である。

図１７は、図１４、図１５、および、図１６に示す回路の動作を示すタイミングチャートである。この回路は実施例１および実施例２とは異なり、信号を書き込むとただちにＯＬＥＤ素子１の発光を開始し、その状態が１フレーム期間維持される。図１７の上側の図はこの動作を示している。また、図１７の上側の図は書き込む動作が走査ごとに行われることを示している。

図１７の下側は各画素のリセット動作および書き込み動作のタイミングチャートである。図１４、図１５、および、図１６において、特定のセレクト線が選択されるまで点灯スイッチはＯＮしている。セレクトスイッチ６がＯＮすると、特定のセレクトスイッチ線５５が選択される。ここでプリチャージＴＦＴスイッチ７をＯＮするとともに、リセットＴＦＴスイッチ５をＯＮするとＯＬＥＤ素子１に電流が流れ、ＯＬＥＤ素子１の陽極はリセット線５２の電位であるアース電位近くにセットされる。同時にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位Ｖ７もアース電位近くにセットされる。その後、点灯スイッチをＯＦＦすると電流は第１保持容量４１を充電するように流れ、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３にゲート電圧は電源電圧からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈを引いた電位にセットされる。この状態で信号線５４から信号が書き込まれる。すなわち、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートには電源電圧からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈを引いた電位を基準に信号電位が上乗せされるので、Ｖｔｈのばらつきの影響を補償することが出来る。

従来例では図１７に示すｔｃ、すなわち、点灯スイッチがＯＮになる時間とリセットスイッチがＯＮになる時間の重なりが十分でないとリセット動作期間にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧が電源電圧からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈを引いた電位に収束しなかった。この原因はリセット動作前にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位Ｖ７が不定で、電源電位からアース電位まで取りうるからである。本実施例ではリセット動作前に、プリチャージ制御線５６によってアース電位をＯＬＥＤ素子１の陽極に供給することによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位Ｖ７もアース電位付近に設定するものである。このプリチャージ動作によって、リセット時間ｔｃが短くともＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位のバラつきを抑えることが出来る。

以上のようにして、実施例３においては、リセット時間が短いことによって階調表示がばらつくという問題点は解決することが出来る。一方、画面における輝度傾斜については、次のようにして解決する。すなわち、図１４（ａ）〜（ｃ）における、プリチャージ電圧Ｖ８、あるいは、図１４（ｄ）おけるＶ８１はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位に反映される。

図１４において、信号線には、Ｖ８なる電圧が印加されているが、時間によって、映像信号が供給されたり、プリチャージ電圧が印加されたりする。図１４（ｄ）では、プリチャージ供給線６０が信号線とは別途設けられているので、このプリチャージ電圧はＶ８１として区別している。

以上のようなプリチャージ電圧Ｖ８あるいはＶ８１を画面の上部から下部に走査されるに従って上げるように変調する。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴはＰ型であるから、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに書き込まれる電圧は、同じ映像信号に対しては、画面の下部程、ＯＬＥＤ素子に流す電流を小さくすることになる。これによって、電源線の抵抗による電圧変化に起因する輝度傾斜を図１１に示したのと同様な原理によって補償することが出来る。

図２３（ａ）は、モバイル用電子機器３０１の画像表示部に、本発明による画像表示装置３００を用いることによって、低消費で残像のない均一性の高い表示を実現することができる例である。

図２３（ｂ）は、テレビジョン３０３の画像表示部に、本発明による画像表示装置３０２を用いることによって、低消費で残像のない均一性の高い表示を実現することができる例である。

図２４（ａ）は、デジタル携帯端末ＰＤＡ３０５の画像表示部に、本発明による画像表示装置３０４を用いることによって、低消費で残像のない均一性の高い表示を実現することができる例である。

図２４（ｂ）は、ビデオカメラＣＡＭのヴューファインダ３０７の画像表示部に、本発明による画像表示装置３０６を用いることによって、低消費で残像のない均一性の高い表示を実現することができる例である。

実施例１の画素部駆動回路である。 実施例１の表示装置駆動回路である。 実施例１の表示装置駆動回路の他の例である。 図１（ａ）および図１（ｄ）のタイミングチャートである。 図１（ｂ）のタイミングチャートである。 図１（ｂ）のタイミングチャートである。 プリチャージ電圧を変調しない場合の動作である。 プリチャージ電圧を変調しない場合の画面である。 プリチャージ電圧を変調した書込み動作である。 プリチャージ電圧を変調した場合の発光時間の差である。 プリチャージ電圧を変調しない場合の画面である。 実施例２の画素部駆動回路である。 実施例２でプリチャージ電圧を変調した書込み動作である。 実施例３の画素部駆動回路である。 実施例３の表示装置駆動回路である。 実施例３の表示装置駆動回路の他の例である。 実施例３のタイミングチャートである。 Ｖｔｈのばらつきを対策した従来例による画素回路である。 図１８のタイミングチャートである。 Ｖｔｈのばらつきを対策した他の従来例による画素回路である。 図２０のタイミングチャートである。。 輝度傾斜の例である。 本発明が実施される製品の例である。 本発明が実施される製品の他の例である。

符号の説明

１…ＯＬＥＤ素子、２…点灯ＴＦＴスイッチ、 ３…ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ、 ４…保持容量、 ５…リセットＴＦＴスイッチ、 ６…セレクトスイッチ、 ７…プリチャージＴＦＴスイッチ、 ４１…第１保持容量、 ４２…第２保持容量、 ５１…電源線、 ５２…リセット線、 ５３…点灯スイッチ線、 ５４…信号線、 ５５…セレクトスイッチ線、５６…プリチャージ制御線、６０…プリチャージ供給線、 １００…信号駆動回路、 ２００…ゲート駆動回路。

Claims (20)

1. 自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と、前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、
   前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、前記ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、容量が接続され、前記ゲート電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方には、自発光素子への画像データ信号に基づく電流の供給を制御する第3のスイッチ手段が接続され、
   前記自発光素子は陽極と陰極を有し、前記陽極または前記陰極には前記第3のスイッチ手段と、外部からの電圧を印加するための第2のスイッチ手段が接続されており、
   前記外部からの電圧は、前記画素が存在する前記表示部の位置によって変調されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は基準電位に接続されており、
   前記自発光素子の陰極が前記第２のスイッチ手段と前記第３のスイッチ手段と接続していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されており、
   前記自発光素子の陽極が前記第２のスイッチ手段と前記第３のスイッチ手段と接続していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記第２のスイッチ手段は前記信号線とは別な線に接続することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と、前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、
   前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、前記ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、容量が接続され、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方には、外部からの所定の電圧を印加するための第２のスイッチ手段が接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
9. 前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は前記基準電位に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
13. 前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 前記第２のスイッチ手段は前記信号線とは別な線に接続することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
15. 自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力する信号線と前記信号線を介して前記画素に入力された画像データ信号を基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、
    前記電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、
    前記電界効果トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方には、基準電位または電源電位が印加され、前記ゲート電極には、ゲート電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を接続するための第１のスイッチ手段と、外部からの所定の電圧を印加するための第２のスイッチ手段と、容量が接続されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
16. 前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記ソース電極またはドレイン電極の前記一方はドレイン電極であり、前記ドレイン電極は前記基準電位に接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。
17. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、増加することを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置。
18. 前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方はソース電極であり、前記ソース電極は前記電源電位に接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。
19. 前記外部からの電圧は、前記表示装置の電源から遠ざかるにしたがって、減少することを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
20. 前記第２のスイッチ手段は前記信号線と接続することを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。

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