JP2009134853A - 電界記録再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置及び電界記録再生ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電界効果により強誘電性の記録媒体に/から情報を記録/再生する電界記録再生ヘッドであって、半導体基板と、半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されるリセス部と、そのリセス部内に設けられた記録再生部と、を備える電界記録再生ヘッドである。
【選択図】図2
Description
13 リセス部
20 空気軸受パターン
30 記録再生部
Claims (22)
- 電界効果により強誘電性の記録媒体に/から情報を記録/再生する電界記録再生ヘッドであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、
前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備えることを特徴とする電界記録再生ヘッド。 - 前記半導体基板の上面には、空気軸受パターンが形成されたことを特徴とする請求項1に記載の電界記録再生ヘッド。
- 前記記録再生部は、前記記録媒体の記録面に向かって突出し、少なくとも前記空気軸受パターンより突出していないプローブ形態であることを特徴とする請求項2に記載の電界記録再生ヘッド。
- 前記記録再生部は、低濃度ドーピング領域である抵抗領域と、前記抵抗領域により互いに区分され、高濃度ドーピング領域であるソース領域及びドレイン領域と、を備えることを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載の電界記録再生ヘッド。
- 前記抵抗領域は、前記記録面に向かって突出したプローブ形態であることを特徴とする請求項4に記載の電界記録再生ヘッド。
- 前記記録再生ヘッドは、前記ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ電気的に接触させた第1及び第2コンタクトパッドをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の電界記録再生ヘッド。
- 前記第1及び第2コンタクトパッドは、前記半導体基板の下面から前記ソース領域及びドレイン領域を電気的に接触させることを特徴とする請求項6に記載の電界記録再生ヘッド。
- 強誘電性の記録媒体と、
前記記録媒体上で浮き上がって、電界効果により前記記録媒体に/から情報を記録/再生する電界記録再生ヘッドと、を備え、
前記電界記録再生ヘッドは、
半導体基板と、
前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、
前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備えることを特徴とする電界記録再生装置。 - 前記半導体基板の上面には、空気軸受パターンが形成されたことを特徴とする請求項8に記載の電界記録再生装置。
- 前記記録再生部は、前記記録媒体の記録面に向かって突出し、少なくとも空気軸受パターンよりは突出していないプローブ形態であることを特徴とする請求項9に記載の電界記録再生装置。
- 前記記録再生部は、低濃度ドーピング領域である抵抗領域と、前記抵抗領域により互いに区分され、高濃度ドーピング領域であるソース領域及びドレイン領域と、を備えることを特徴とする請求項8ないし10のうちいずれか一項に記載の電界記録再生装置。
- 前記抵抗領域は、前記記録面に向かって突出したプローブ形態であることを特徴とする請求項11に記載の電界記録再生装置。
- 前記記録再生ヘッドは、前記ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ電気的に接触させた第1及び第2コンタクトパッドをさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の電界記録再生装置。
- 前記第1及び第2コンタクトパッドは、前記半導体基板の下面から前記ソース領域及びドレイン領域を電気的に接触させることを特徴とする請求項13に記載の電界記録再生装置。
- 半導体基板上にマスクをパターニングして、前記半導体基板の上面が露出された第1及び第2領域と、前記第1領域と第2領域との間に位置し、前記マスクにより覆われた第3領域とを定義する工程と、
前記第1及び第2領域に不純物を注入して拡散させて、前記第1及び第2領域に低抵抗の半導体領域を、前記第3領域に高抵抗の半導体領域を形成する工程と、
前記第3領域を覆った前記マスクのうち一部を除去する工程と、
前記第1、第2領域及び前記第3領域の露出された部分を異方性エッチング工程によりエッチングして、前記半導体基板の上面から引き込ませる工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とする電界記録再生ヘッドの製造方法。 - 前記第1及び第2領域を電気的に接触させる第1及び第2コンタクトパッドを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
- 第1及び第2コンタクトパッドを形成する工程は、
前記半導体基板の一部をその下面からエッチングして、前記第1及び第2領域を露出させる第1及び第2コンタクトホールを形成する工程と、
前記第1及び第2コンタクトホールに金属物質を堆積させる工程と、を含むことを特徴とする請求項16に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。 - 前記半導体基板の上面に空気軸受パターンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項15ないし17のうちいずれか一項に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
- 基板と、
前記基板の上面に位置する第1部材と、
前記第1部材の端部に設けられた開口と、
前記開口に設けられた記録再生ユニットと、を備えることを特徴とする記録再生装置。 - 前記開口に該当する位置に前記基板の上面から下方に引き込んで形成されたリセス部をさらに備え、前記記録再生ユニットは、前記リセス部に形成されたことを特徴とする請求項19に記載の記録再生装置。
- 前記第1部材は、空気軸受面であることを特徴とする請求項19または20に記載の記録再生装置。
- 前記開口は、空気軸受面により覆われていることを特徴とする請求項21に記載の記録再生装置。
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