JP2009295987A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗素子は第1および第2の端間を第1の方向に延び、シリコン等の非強磁性半導電性材料を含むチャネル(8)と、チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリード(121、122、123、124)と、チャネル内に反転層(25)を形成するように第1の方向に実質的に直角な第2の方向へ電場をチャネルに印加するゲート構造(13)と、チャネルの縁が面に沿って走るように構成された第1および第2の方向に実質的に直角である面(5)と、を含む。
【選択図】図2
Description
図31を参照すると、素子1(図1)、101(図12)、201(図15)、301(図21)、401(図26)はハードディスク・ドライブ592内の読取ヘッド591として使用することができる。素子1(図1)、101(図12)、201(図15)、301(図21)、401(図26)の側面5(図1)、105(図12)、205(図15)、305(図21)、405(図26)は図31において下向きに配置される。
2、102、202、302、402 層構造
3、19、55、64、69、103、203、303、403 上面
4、104、204、304、404 基板
5、105、205、305、405 側面
6 平面
7、44、53、107、207、307、407 シリコン層
8、108、208、308、408 チャネル
9、10、109、110、209、210、309、310、409、
410 端
11、111、211、311、411 第1面
121、122、123、124、1121、1122、1123、1124、1171、2121、2122、2123、3122、3123、4122、4123 リード
13、113、213、313、413 ゲート構造
14、114、214、314、414 ゲート電極
15、115、215、315、415 ゲート誘電体
16、45、54、67 二酸化シリコン層
171、172、173、174、1172、1173、1174、1175、2171、2172、2173、2175、3172、3173、3175、4172、4173、4175 ビア
181、182、183、184、1181、1182、1183、1184、1185、2181、2182、2183、2185、3182、3183、3185、4182、4183、4185 導電性トラック
20、220、320、420 分流器
21、221、321、421 回路構成
22、222、322、422 電流源
23、223、323、423 電圧計
24、224、324、424 電圧源
25、125、225、325、425 反転層
26 界面
27 電場
28 伝導帯
29 価電子帯
30 フェルミ準位
31 ポテンシャル・ウェル
321、322、323、341、342、343、2341、2342、2343、3341、3342、3343、4341、4342、4343 電圧−電流特性
33、234 電圧−磁場特性
36、42、47、48、56、62 ウェーハ
37 光レジスト層
38、66、74 非露光領域
39、57 ヒ素イオン
40、50、58、66 マスクされない領域
41 表面
42 注入領域
43 非注入領域
46、61 多結晶シリコン層
49 エッチ・マスク
51、52、77、78、79、80、81、82、83 領域
59 ウェル領域
60 非ドープ領域
63 全面層
65、73 PMMA層
68 アルミニウム層
70 側壁
71 底部
72 金属層
75 不要領域
76 反応性イオン・エッチング
116、216、416 絶縁表層
591 読取ヘッド
593 スライダ
594 書込ヘッド
595 プラテン
596 ビットセル
Claims (21)
- 非強磁性半導電性材料を含む第1および第2の端間を第1の方向へ延びるチャネル(8)と、
チャネルに接続されチャネルに沿って間隔がとられている複数のリード(121、122、123、124)と、
前記チャネル内に反転層(25)を形成するように、前記第1の方向と実質的に直角な第2の方向に前記チャネルに電場を印加するゲート構造(13)と、
実質的に前記第1および第2の方向により画定される平面内にあり、前記チャネルの縁が面に沿って延びるように構成される面(5)と、
を有する磁気抵抗素子。 - 請求項1に記載の素子であって、前記ゲート構造(13)は前記チャネルに電場を印加するゲート誘電体(15)により前記チャネル(8)から分離されたゲート電極(14)を含むゲート構造である素子。
- 請求項2に記載の素子であって、前記ゲート構造(13)は前記ゲート誘電体(15)が前記チャネル(8)上に配置され、前記ゲート電極(14)が前記ゲート誘電体(15)上に配置されるトップ・ゲート構造である素子。
- 請求項2または3記載の素子であって、前記ゲート電極は半導電性材料を含み、随意的に前記ゲート電極(14)はシリコンを含む素子。
- 請求項1から4のいずれかの項に記載の素子であって、前記チャネル(8)はシリコンまたはシリコン・ゲルマニウムを含む素子。
- 請求項1から5のいずれかの項に記載の素子であって、前記チャネル(8)は非ドープであるか、あるいはおよそ1×1016cm−3までの濃度の不純物でドープされる素子。
- 請求項1から6のいずれかの項に記載の素子であって、基板(4)上に配置された非強磁性半導電性材料の層(7)を含み、前記チャネル(8)は非強磁性半導電性材料の層内に形成される素子。
- 請求項1から6のいずれかの項に記載の素子であって、非強磁性半導電性材料の領域を有する基板を含み、前記チャネルは前記基板内に形成される素子。
- 請求項1から8のいずれかの項に記載の素子であって、さらに、
前記チャネル(8)よりも高い導電率を有する非強磁性材料を含み、前記チャネルの少なくとも2つの区間を接続する導電性領域(20)を含む素子。 - 請求項9に記載の素子であって、前記導電性領域(20)は半導電性材料を含み、随意的に前記導電性領域はシリコンを含む素子。
- 請求項10に記載の素子であって、前記導電性領域(20)は少なくともおよそ1×1019cm−3の濃度の不純物でドープされる素子。
- 請求項9から11のいずれかの項に記載の素子であって、前記導電性領域(20)は前記チャネル(8)の下にある素子。
- 請求項12記載の素子であって、前記導電性領域は前記基板の領域内に形成される素子。
- 請求項1から13のいずれかの項に記載の素子であって、前記面(5)は側面である素子。
- 請求項1から14のいずれかの項に記載の素子であって、ハードディスク・ドライブ用読取ヘッドである素子。
- 請求項1から15のいずれかの項に記載の素子と、
磁場源と、
を含む装置であって、
前記磁場源および素子は、前記素子に磁場が印加されると磁場が実質的に直角に前記面を貫通するように配列されている装置。 - 第1および第2の端間を第1の方向に延びる非強磁性半導電性材料を含むチャネル(8)と、前記チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリード(121、122、123、124)と、前記チャネル内に反転層(25)を形成するように前記第1の方向に実質的に直角な第2の方向に電場を前記チャネルに印加するゲート構造(13)と、実質的に前記第1および第2の方向により画定される平面内にあり、前記チャネルの縁がそれに沿って走るように構成されている面(5)と、を含む磁気抵抗素子の作動方法であって、前記方法は、
2本のリード(121、123)間で電流を駆動するステップと、
2本のリード(122、124)間に現われる電圧を測定するステップと、
を含む方法。 - 請求項17に記載の方法であって、前記ゲート構造は前記チャネルに電場を印加するゲート誘電体(15)により前記チャネル(8)から分離されているゲート電極(14)を含み、前記方法は、
前記チャネル内に反転層を形成するように適切な極性で十分な大きさのバイアスを印加するステップを含む方法。 - 磁気抵抗素子の作製方法であって、前記方法は、
第1および第2の端間を第1の方向に延びる非強磁性半導電性材料を含むチャネルと、前記チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリードと、前記チャネル内に反転層(25)を形成するように第1の方向に実質的に直角な第2の方向に電場を前記チャネルに印加するゲート構造(13)と、を設けるステップと、
実質的に第1および第2の方向により画定される平面内にあり、前記チャネルの縁が面に沿って走るように構成されている面を画定するステップと、
を含む方法。 - 請求項19に記載の方法であって、さらに、
前記チャネルよりも高い導電率を有する非強磁性材料を含み、前記チャネルの少なくとも2つの区間を接続する導電性領域(20)を形成するステップを含む方法。 - 請求項20に記載の方法であって、前記導電性領域(20)を形成するステップは、
基板(4)の領域内にイオンを注入するステップと、
前記導電性領域上に前記チャネルを形成するステップと、
を含む方法。
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