JPH06331805A - 光プローブ素子、光プローブ素子を用いた記録再生装置、および光プローブ素子の製造方法 - Google Patents

光プローブ素子、光プローブ素子を用いた記録再生装置、および光プローブ素子の製造方法

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JPH06331805A
JPH06331805A JP5121710A JP12171093A JPH06331805A JP H06331805 A JPH06331805 A JP H06331805A JP 5121710 A JP5121710 A JP 5121710A JP 12171093 A JP12171093 A JP 12171093A JP H06331805 A JPH06331805 A JP H06331805A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 透光性材料からなるほぼ円錐形の突起と、突
起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された反射膜
２からなる光プローブ３が、透光性材料からなる平面基
板１の片面に形成されている光プローブ素子２０、この
光プローブ素子２０を用いた記録再生装置、およびこの
光プローブ素子２０の製造方法。 【効果】 半導体プロセス技術を利用して平面基板１上
に光プローブ３を形成することが可能となる。これによ
り、規格のそろった光プローブ素子２０およびこの光プ
ローブ素子２０を用いた記録再生装置を効率よく量産す
ることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光を回折限界以下に絞
り込む光プローブ素子、この光プローブ素子を用いた記
録再生装置、およびこの光プローブ素子の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、物質の表面状態を原子スケールで
直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）が開発
されている。また、ＳＴＭの原理を応用して、走査型原
子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や走査型磁気力顕微鏡（ＭＦ
Ｍ）が開発されている。これらの顕微鏡は、先端を鋭く
尖らせたプローブと物質の表面とを近接して配置し、両
者の間に流れるトンネル電流、または、両者の間に働く
原子間力、磁気力を検出している。
【０００３】さらに、先端を鋭く尖らせた光プローブを
用いるフォトンＳＴＭも開発されている。フォトンＳＴ
Ｍでは、試料の表面より光を入射させ、試料の表面に染
み出すエバネッセント光を検出している。
【０００４】ＳＴＭの原理を利用して、原子スケールの
領域に対して情報の記録再生を行う装置が種々提案され
ている。また、フォトンＳＴＭの原理を利用して、光を
回折限界以下に絞り込み、この絞り込んだ光を用いて情
報の記録再生を行う試みもなされている（例えば、App
l. Phys. Lett. 61(2), 13 July 1992 P.142 ）。
【０００５】図２７に、光プローブを用いた記録再生装
置を示す。
【０００６】光プローブ８０３は、光ファイバー８００
の先端に形成されている。光ファイバー８００は、移動
可能な支持部８２２に取り付けられている。支持部８２
２を移動させる駆動部８２１は、ベース８２０の上に固
定されている。記録媒体８１０も、ベース８２０の上に
固定されている。駆動部８２１で支持部８２２を移動さ
せることにより、光プローブ８０３を記録媒体８１０上
の所望の位置に移動させることができる。
【０００７】記録媒体８１０は、透明基板８１１と、透
明基板８１１の上に形成された記録層８１２から構成さ
れている。光プローブ８０３は、その先端が記録層８１
２に近接するように配置されている。
【０００８】情報を記録する場合、情報に応じて強度変
調した光を光ファイバー８００に導入し、光プローブ８
０３で回折限界以下に絞り込む。これにより、記録層８
１２に情報を高密度記録できる。
【０００９】上記の光プローブ８０３の製造方法を図２
８に示す。
【００１０】まず、同図（ａ）に示すように、光ファイ
バー８００の一部をほぼ溶融するまで加熱する。この状
態で、同図（ｂ）に示すように、光ファイバー８００を
左右に引っ張る。光ファイバー８００の赤熱部８０１は
左右に伸び、同図（ｃ）に示すように、切断される。こ
れにより、先端が鋭く尖った光プローブ８０３が得られ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、光プローブ８０３の先端径を一定にする
ことが困難であり、したがって、規格の揃った光プロー
ブ８０３を量産できないという問題点を有している。
【００１２】さらに、複数の光プローブ８０３…を束ね
て用いて、複数の情報を同時に記録再生する場合、上記
従来の構成では、各光プローブ８０３と記録媒体８１０
との間の距離を同一距離に保つことは困難であるという
問題点を有している。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
プローブ素子は、上記の課題を解決するために、透光性
材料からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除
いて突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プロー
ブが、透光性材料からなる平面基板の片面に形成されて
いることを特徴としている。
【００１４】請求項２の発明に係る光プローブ素子は、
上記の課題を解決するために、請求項１の光プローブ素
子であって、上記の平面基板の片面に凹部が形成されて
おり、この凹部に光プローブが形成されていることを特
徴としている。
【００１５】請求項３の発明に係る光プローブ素子は、
上記の課題を解決するために、請求項１または２の光プ
ローブ素子であって、光プローブに焦点を結ぶ集光手段
が、光プローブが形成されていない側の平面基板面に形
成されていることを特徴としている。
【００１６】請求項４の発明に係る光プローブ素子は、
上記の課題を解決するために、請求項３の光プローブ素
子であって、集光手段は、単レンズまたはフレネルレン
ズのいずれかであることを特徴としている。
【００１７】請求項５の発明に係る光プローブ素子は、
上記の課題を解決するために、請求項１または２の光プ
ローブ素子であって、複数の光プローブが平面基板の片
面に形成されていることを特徴としている。
【００１８】請求項６の発明に係る光プローブ素子は、
上記の課題を解決するために、請求項５の光プローブ素
子であって、各光プローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プ
ローブと同数の集光手段が、光プローブが形成されてい
ない側の平面基板面に形成されていることを特徴として
いる。
【００１９】請求項７の発明に係る記録再生装置は、上
記の課題を解決するために、光源と、光源からの光を回
折限界以下の径の微小光に絞り込む光プローブ素子とを
備え、記録媒体に微小光を照射することにより情報の記
録再生を行う記録再生装置において、上記の光プローブ
素子は、透光性材料からなるほぼ円錐形の突起と、突起
の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された反射膜か
らなる光プローブが、透光性材料からなる平面基板の片
面に形成されていることを特徴としている。
【００２０】請求項８の発明に係る記録再生装置は、上
記の課題を解決するために、請求項７の記録再生装置で
あって、光プローブに焦点を結ぶ集光手段が、光プロー
ブが形成されていない側の平面基板面に形成されている
ことを特徴としている。
【００２１】請求項９の発明に係る記録再生装置は、上
記の課題を解決するために、請求項８の記録再生装置で
あって、複数の光プローブが平面基板の片面に形成され
ており、各光プローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プロー
ブと同数の集光手段が、光プローブが形成されていない
側の平面基板面に形成されていることを特徴としてい
る。
【００２２】請求項１０の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性材料
からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除いて
突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プローブ
が、透光性材料からなる平面基板の片面に形成されてい
る光プローブ素子の製造方法であって、平面基板の片面
の、光プローブを形成しようとする所にフォトレジスト
からなるマスクを形成する工程と、マスクを形成した側
の平面基板を等方性エッチングすることにより、マスク
を除去すると共にほぼ円錐形の突起を形成する工程と、
突起の円錐面に反射膜を形成する工程と、突起の先端部
分の反射膜を除去する工程からなり、上記の工程を順次
行うことを特徴としている。
【００２３】請求項１１の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、請求項１０
の光プローブ素子の製造方法であって、平面基板にマス
クを形成した後、平面基板を等方性エッチングする前
に、マスクを形成した側の平面基板を異方性エッチング
することにより、平面基板にステップを形成することを
特徴としている。
【００２４】請求項１２の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、請求項１０
または１１の光プローブ素子の製造方法であって、平面
基板の片面に、平面基板とマスクとを強く結合させるた
めの密着性強化層を形成した後、密着性強化層の上にフ
ォトレジストからなるマスクを形成することを特徴とし
ている。
【００２５】請求項１３の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性材料
からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除いて
突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プローブ
が、透光性材料からなる平面基板の片面に形成されてい
る光プローブ素子の製造方法であって、平面基板の片面
の、光プローブを形成しようとする所にフォトレジスト
からなるマスクを形成する工程と、マスクを形成した平
面基板をフォトレジストの変形温度以上の温度でポスト
ベークすることにより、先端部分の尖ったほぼ円錐形に
マスクを変形させる工程と、マスクおよびマスクを形成
した側の平面基板を異方性エッチングすることにより、
ほぼ円錐形の突起を形成する工程と、突起の円錐面に反
射膜を形成する工程と、突起の先端部分の反射膜を除去
する工程からなり、上記の工程を順次行うことを特徴と
している。
【００２６】請求項１４の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性材料
からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除いて
突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プローブ
が、透光性材料からなる平面基板の片面に形成されてい
る光プローブ素子の製造方法であって、平面基板の片面
の、光プローブを形成しようとする所にフォトレジスト
からなるマスクを形成する工程と、マスクを形成した平
面基板をフォトレジストの変形温度以上の温度でポスト
ベークすることにより、先端部分の尖ったほぼ円錐形に
マスクを変形させる工程と、マスクおよびマスクを形成
した側の平面基板を異方性エッチングすることにより、
平面基板にステップを形成する工程と、マスクを形成し
た側の平面基板を等方性エッチングすることにより、マ
スクを除去すると共にほぼ円錐形の突起を形成する工程
と、突起の円錐面に反射膜を形成する工程と、突起の先
端部分の反射膜を除去する工程からなり、上記の工程を
順次行うことを特徴としている。
【００２７】請求項１５の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性材料
からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除いて
突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プローブ
が、透光性材料からなる平面基板の片面の凹部に形成さ
れている光プローブ素子の製造方法であって、平面基板
の片面の、光プローブを形成しようとする所以外にフォ
トレジストからなるマスクを形成する工程と、マスクを
形成した側の平面基板を等方性エッチングすることによ
り、光プローブを形成しようとする所に凹部を形成する
工程と、マスクを形成した側の平面基板に透明誘電体材
料をスパッタリングすることにより、凹部の中に、透明
誘電体材料からなり先端の尖ったほぼ円錐形の突起を形
成する工程と、マスクを除去することにより、マスク上
の透明誘電体材料を除去する工程と、突起の円錐面に反
射膜を形成する工程と、突起の先端部分の反射膜を除去
する工程からなり、上記の工程を順次行うことを特徴と
している。
【００２８】請求項１６の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、請求項１５
の光プローブ素子の製造方法であって、マスクを形成し
た後、平面基板を等方性エッチングする前に、マスクを
形成した側の平面基板を異方性エッチングすることによ
り、平面基板にステップを形成することを特徴としてい
る。
【００２９】請求項１７の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、上記の課題を解決するために、請求項１
０、１３、１４または１５の光プローブ素子の製造方法
であって、突起の先端部分の反射膜を除去する工程は、
強い光を平面基板側から突起に照射することにより、突
起の先端部分の反射膜を蒸発させる方法、突起を導体に
近接して配置し、一時的に電界放出が発生する程度の大
電流を繰り返し流すことにより、突起の先端部分の反射
膜を蒸発させる方法、または、電界エッチングにより、
突起の先端部分の反射膜だけをエッチングする方法の
中、いずれかの方法により行われることを特徴としてい
る。
【００３０】
【作用】請求項１の構成によれば、透光性材料からなる
ほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除いて突起の円
錐面に形成された反射膜からなる光プローブを、透光性
材料からなる平面基板の片面に形成したので、半導体プ
ロセス技術を利用して平面基板上に光プローブを形成す
ることが可能となる。これにより、規格のそろった光プ
ローブ素子を効率よく量産することが可能となる。
【００３１】請求項２の構成によれば、平面基板の片面
に形成された凹部に光プローブを形成したので、請求項
１の作用に加え、接触による光プローブの破壊が起こり
にくくなる。このため、光プローブ素子の取扱いが容易
になる。
【００３２】請求項３の構成によれば、光プローブに焦
点を結ぶ集光手段を、光プローブが形成されていない側
の平面基板面に形成したので、請求項１または２の作用
に加え、外部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて
済む。
【００３３】請求項４の構成によれば、集光手段を、単
レンズまたはフレネルレンズのいずれかにしたので、請
求項３の集光手段を備えた光プローブ素子を容易に実現
できる。
【００３４】請求項５の構成によれば、複数の光プロー
ブを平面基板の片面に形成したので、請求項１または２
の作用に加え、複数の情報を同時に記録再生することが
可能となる。
【００３５】請求項６の構成によれば、各光プローブに
それぞれ焦点を結ぶ、光プローブと同数の集光手段を、
光プローブが形成されていない側の平面基板面に形成し
たので、請求項５の作用に加え、外部に対物レンズ等の
集光手段を設置しなくて済む。
【００３６】請求項７の構成によれば、請求項１の光プ
ローブ素子を備えたので、記録再生装置を効率よく量産
することが可能となる。
【００３７】請求項８の構成によれば、請求項３の光プ
ローブ素子を備えたので、光プローブ素子の外部に対物
レンズ等の集光手段を設置しなくて済む。
【００３８】請求項９の構成によれば、請求項６の光プ
ローブ素子を備えたので、複数の情報を同時に記録再生
することが可能となり、しかも、光プローブ素子の外部
に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済む。
【００３９】請求項１０の構成によれば、請求項１の光
プローブ素子を効率よく量産することができる。
【００４０】請求項１１の構成によれば、請求項１０の
作用に加え、先端の尖った光プローブを有する光プロー
ブ素子を製造できる。
【００４１】請求項１２の構成によれば、平面基板とマ
スクとを強く結合させるための密着性強化層を形成した
ので、請求項１０または１１の作用に加え、平面基板か
らマスクが剥がれにくくなる。
【００４２】請求項１３の構成によれば、請求項１の光
プローブ素子を効率よく量産することができる。
【００４３】請求項１４の構成によれば、請求項１の光
プローブ素子を効率よく量産することができ、かつ、先
端の尖った光プローブが得られる。
【００４４】請求項１５の構成によれば、請求項２の光
プローブ素子を効率よく量産することができる。
【００４５】請求項１６の構成によれば、請求項２の光
プローブ素子を効率よく量産することができ、かつ、先
端の尖った光プローブが得られる。
【００４６】請求項１７の構成によれば、請求項１０、
１３、１４または１５の光プローブ素子の突起の先端部
分の反射膜を除去する工程を容易に実施できる。
【００４７】
【実施例】本発明の第１実施例について図１ないし図１
６に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４８】本実施例の記録再生装置は、図１に示すよ
うに、光源４０２と、光源４０２からの光を平行ビーム
５にするコリメーターレンズ４０１と、光プローブ３を
有する光プローブ素子２０と、光プローブ３に平行ビー
ム５を収斂させる集光レンズ４と、集光レンズ４および
光プローブ素子２０を取り付けた支持部２０２を備えて
いる。
【００４９】記録再生装置は、さらに、支持部２０２を
移動させる駆動部２０１と、駆動部２０１および記録媒
体３００を固定するベース２００と、コリメーターレン
ズ４０１と集光レンズ４との間の光路上に配置され、コ
リメーターレンズ４０１からの平行ビーム５を透過し、
記録媒体３００からの戻り光を反射するビームスプリッ
ター４００と、ビームスプリッター４００で反射された
戻り光を検出する光検出器４０３を備えている。
【００５０】記録媒体３００は、透明基板３０１と、透
明基板３０１の上に形成された記録層３０２から構成さ
れており、記録層３０２を上にして、ベース２００上に
固定されている。光プローブ３は、その先端が記録層３
０２に近接するように配置されている。
【００５１】上記の光プローブ素子２０は、図２に示す
ように、透光性の平面基板１と、平面基板１の片面に突
出するように形成された透光性のほぼ円錐形の光プロー
ブ３と、平面基板１の、光プローブ３が設けられている
面に、光プローブ３の先端を除いて形成された反射膜２
から構成されている。光プローブ３の先端の反射膜２が
形成されていない部分の大きさはｎｍオーダーである。
【００５２】上記の構成において、記録媒体３００に情
報を記録する場合、光源４０２からの光を情報に応じて
強度変調する。変調光はコリメーターレンズ４０１で平
行ビーム５に変換され、ビームスプリッター４００を透
過し、集光レンズ４で光プローブ３に収斂される。
【００５３】収斂光は、光プローブ素子２０の平面基板
１を透過して光プローブ３に入射し、回折限界以下の径
に絞り込まれる。つまり、光プローブ３の先端の反射膜
２が形成されていない開口部の大きさ程度（ｎｍオーダ
ー）にまで絞り込まれる。
【００５４】光プローブ３で得られた微小光６は、記録
媒体３００の記録層３０２に照射される。照射された部
分は、微小光６の強度に応じ温度上昇する。
【００５５】記録層３０２が相変化型の材料で作られて
おれば、情報に応じて構造が変化する。記録層３０２
が、磁性材料で作られておれば、情報に応じて磁化状態
が変化する。このようにして、記録層３０２に情報が記
録される。
【００５６】記録媒体３００から情報を再生する場合、
情報を記録する場合よりも強度が弱く、かつ、一定の光
を光源４０２から出射させる。上記と同様にして、光プ
ローブ３で得られた微小光６は、記録媒体３００の記録
層３０２に照射される。
【００５７】記録層３０２からの戻り光は、光プローブ
３で取り込まれて発散光になり、集光レンズ４で集光さ
れる。集光された光は、ビームスプリッター４００で反
射され、光検出器４０３に導かれる。光検出器４０３
は、記録層３０２からの戻り光の強度あるいは偏光面の
回転を検出し、電気信号に変換する。この電気信号に基
づいて情報が再生される。
【００５８】以上のように、本実施例の記録再生装置で
は、光プローブ３からの微小光６を用いているので、ｎ
ｍオーダーの領域に対して情報の記録再生を行うことが
できる。
【００５９】次に、上記の記録再生装置（Ａ1 ）のバリ
エーションについて説明する。なお、添字付きの英文字
で各バリエーションを区別する。
【００６０】記録再生装置（Ａ2 ）は、図３に示すよう
に、光検出器４０３を記録媒体３００の平面基板１側に
配置した構成になっており、記録媒体３００を透過した
光に基づいて情報を再生する。これによれば、記録再生
装置（Ａ1 ）では必要なビームスプリッター４００を省
略できるので、構成が簡素化する。
【００６１】記録再生装置（Ａ3 ）は、図４に示すよう
に、光源４０２からの光の代わりに、光ファイバー４０
４からの光を集光レンズ４に直接導く構成になってい
る。これによれば、記録再生装置（Ａ2 ）で必要なコリ
メーターレンズ４０１を省略できるので、構成がさらに
簡素化する。
【００６２】記録再生装置（Ａ4 ）は、図５に示すよう
に、ベース２００を透光性の材料で作り、ベース２００
側から記録媒体３００の全面に均一な光４０５を照射す
る構成になっている。光検出器４０３は集光レンズ４の
光プローブ素子２０側とは反対側に配置されており、記
録媒体３００の透過光を光プローブ３でピックアップす
ることにより情報を再生する。これによれば、記録媒体
３００に微小光６を入射させる記録再生装置（Ａ1 ）〜
（Ａ3 ）と比較して、簡素な構成の再生装置を実現でき
る。
【００６３】記録再生装置（Ａ5 ）は、図６に示すよう
に、記録媒体３００に入射する均一な光４０５が記録媒
体３００で全反射するように入射角度を設定し、記録媒
体３００から漏れ出すエバネッセント光を検出すること
により、情報を再生する構成になっている。これによ
り、再生装置（Ａ4 ）と同様に、簡素な構成の再生装置
を実現できる。
【００６４】記録再生装置（Ａ6 ）は、図７に示すよう
に、記録再生装置（Ａ4 、Ａ5 ）に複数の光プローブ３
…を有する光プローブ素子２０を設けた構成になってい
る。この光プローブ素子２０には、図８に示すように、
光プローブ３…が２次元配置されている。これによれ
ば、記録媒体３００上のアクセスしたい部分に最も近い
光プローブ３…を用いて情報の記録再生を行うことが可
能になるので、高速記録再生を行うことができる。ま
た、記録媒体３００上の複数の部分に対して同時記録、
同時再生あるいは、同時記録および同時再生を行うこと
が可能になるので、さらに高速の記録再生を行うことが
できる。
【００６５】次に、上記の光プローブ素子２０の製造方
法について説明する。なお、製造方法にはバリエーショ
ンがあり、これらを添字付きの英文字で区別する。
【００６６】製造方法（Ｐ11）では、図９に示すよう
に、まず、平面基板１上の光プローブ３を形成したい位
置に、フォトレジストからなるマスク１０を形成する
（同図（ａ））。マスク１０の径は、後述するように、
４〜２０μｍである。次に、平面基板１を等方性エッチ
ングする（同図（ｂ）および（ｃ））。マスク１０の下
の平面基板１がアンダーエッチングされ、マスク１０が
離脱する。これにより、先端が鋭く尖ったほぼ円錐形の
突起２１が平面基板１に形成される。
【００６７】次に、平面基板１の、突起２１が形成され
た面に反射膜２を形成する（同図（ｄ））。それから、
突起２１の先端部分の反射膜２を除去する（同図
（ｅ））。
【００６８】これにより、平面基板１に光プローブ３が
形成される。
【００６９】突起２１の先端部分の反射膜２の除去は、
次の３つの方法のいずれか、あるいは、これらの組み合
わせにより行うことができる。
【００７０】除去方法（Ｅ1 ）では、強い光を平面基板
１側から突起２１に照射する。これにより、突起２１の
先端部分の反射膜２を蒸発させる。
【００７１】除去方法（Ｅ2 ）では、突起２１を導体に
近接して配置する。それから、突起２１と導体との間の
トンネル電流を検出することにより突起２１と導体との
間の距離を制御しながら、一時的に電界放出が発生する
程度の大電流を繰り返し流す。これにより、突起２１の
先端部分の反射膜２を蒸発させる。
【００７２】除去方法（Ｅ3 ）では、電界エッチングを
行う。突起２１の先端部分に電界が集中するので、ここ
でのみエッチングが行われる。
【００７３】上記の製造方法（Ｐ11）において、光プロ
ーブ３が光をより効率的に絞り込むようにするため、マ
スク１０の形状は円形であることが好ましい。また、光
プローブ３が集光レンズ４により絞り込まれた光を全て
受け入れるようにするため、マスク１０の径は４〜２０
μｍであることが好ましい。
【００７４】平面基板１に石英ガラス、アルミノ珪酸ガ
ラス等のガラスを用いた場合、フッ酸とフッ化アンモニ
ウムを混合した緩衝フッ酸を用いたウエットエッチング
により、等方性エッチングを行うことが好ましい。
【００７５】なお、反射膜２の代わりに、導電性の金属
膜（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗを用いる）を形成
し、突起２１の先端部分の金属膜を除去しないようにす
ると、ＳＴＭ用のプローブ、または、ＡＦＭ用のプロー
ブとして使用できる。また、反射膜２の代わりに、磁性
膜（例えば、ＦｅＮｉ、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＴｉを用い
る）を形成し、突起２１の先端部分の磁性膜を除去しな
いようにすると、ＭＦＭ用のプローブとして使用でき
る。
【００７６】次に、上記の製造方法（Ｐ11）の具体例を
示す。
【００７７】アルミノ珪酸ガラスからなる平面基板１の
片面に、厚さが１μｍ、直径が１０μｍの円形のフォト
レジストからなるマスク１０を形成し、フッ酸とフッ化
アンモニウムを混合した緩衝フッ酸を用いたウエットエ
ッチングにより、等方性エッチングを行って、突起２１
を形成した。それから、Ｗの反射膜２を形成し、ＫＯＨ
溶液中で反射膜２に電圧を印加して電界エッチングを行
うことにより、突起２１の先端部分の反射膜２を除去し
た。これにより、突起２１の先端に直径が１０ｎｍ程度
の開口部を有する光プローブ３を形成できた。
【００７８】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図１）にセットして、記録再生テストを行った。
【００７９】記録媒体３００の記録層３０２には、膜厚
が４０ｎｍの非晶質のＩｎＳｂＴｅを用いた。光プロー
ブ３を駆動部２０１で移動させながら、半導体レーザー
からなる光源４０２から、５ｍＷのレーザー光のパルス
を光プローブ３に導き、記録媒体３００に照射した。こ
れにより、記録層３０２には、結晶化した領域が飛び飛
びに形成された。結晶化した各領域の大きさは１０ｎｍ
程度であった。つまり、各領域の大きさは光プローブ３
の開口部の大きさにほぼ等しかった。この結果から、光
プローブ３により情報を高密度記録できることが分かっ
た。
【００８０】次に、１ｍＷの一定のレーザー光を光プロ
ーブ３に導き、前記結晶化した領域に沿って走査した。
これにより、光検出器４０３からパルス状の信号が得ら
れた。つまり、非晶質領域と結晶領域とでは、反射率が
異なるため、パルス状の信号が得られた。この結果か
ら、光プローブ３により高密度記録された情報を再生で
きることが分かった。
【００８１】製造方法（Ｐ12）では、図１０に示すよう
に、平面基板１上の光プローブ３を形成したい位置に、
フォトレジストからなるマスク１０を形成した後、フォ
トレジストの変形温度以上の温度でポストベークする。
フォトレジストと平面基板１との間に働く表面張力のた
め、マスク１０は先端部分の尖ったほぼ円錐形のマスク
１１になる（同図（ａ））。
【００８２】それから、マスク１１が無くなるまで、異
方性エッチングを行う（同図（ｂ）および（ｃ））。こ
れにより、マスク１１と同様の、先端が尖ったほぼ円錐
形の突起２１が形成される。
【００８３】これに続くプロセス（同図（ｄ）〜
（ｅ））は、製造方法（Ｐ11）のプロセス（図９（ｄ）
〜（ｅ））と同じである。
【００８４】平面基板１に石英ガラス、アルミノ珪酸ガ
ラス等のガラスを用いた場合、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のエ
ッチングガスを用いたドライエッチングにより、異方性
エッチングを行うことが好ましい。
【００８５】次に、上記の製造方法（Ｐ12）の具体例を
示す。
【００８６】石英ガラスからなる平面基板１の片面に、
厚さが５μｍ、直径が５μｍの円形のフォトレジストか
らなるマスク１０を形成し、フォトレジストの変形温度
以上の温度である１５０℃まで昇温して３０分間ベーキ
ングを行った。これにより、マスク１０は先端部分の尖
ったほぼ円錐形のマスク１１になった。ＣＦ4 を用いた
ドライエッチングを、マスク１１が無くなるまで行っ
て、突起２１を形成した。それから、Ｗの反射膜２を形
成し、ＫＯＨ溶液中で電界エッチングすることにより、
突起２１の先端に直径が２０ｎｍ程度の開口部を有する
光プローブ３を形成できた。
【００８７】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図３）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである。その結果、２０ｎｍ程度の
結晶化した領域を形成でき、再生も良好にできた。
【００８８】製造方法（Ｐ13）では、図１１に示すよう
に、平面基板１上の光プローブ３を形成したい位置に、
フォトレジストからなるマスク１０を形成した（同図
（ａ））後、まず、異方性エッチングを行う（同図
（ｂ））点で前記製造方法（Ｐ11）と異なっている。マ
スク１０の下の平面基板１を除いて、平面基板１がエッ
チングされるため、平面基板１にステップ４０が形成さ
れる。
【００８９】これに続くプロセス（同図（ｃ）〜
（ｆ））は、製造方法（Ｐ11）のプロセス（図９（ｂ）
〜（ｅ））と同じである。
【００９０】本製造方法（Ｐ13）では、ステップ４０に
突起２１が形成されるので、製造方法（Ｐ11）と比較し
て、突起２１が鋭くなる。これにより、光プローブ３の
先端の開口部をより小さくすることができる。
【００９１】次に、上記の製造方法（Ｐ13）の具体例を
示す。
【００９２】石英ガラスからなる平面基板１の片面に、
厚さが５μｍ、直径が５μｍの円形のフォトレジストか
らなるマスク１０を形成し、露出した平面基板１をＣＦ
4 を用いたドライエッチングを行って、段差が約４μｍ
のステップ４０を形成した。次に、緩衝フッ酸を用いた
ウエットエッチングにより、等方性エッチングを行っ
て、突起２１を形成した。それから、Ｗの反射膜２を形
成し、反射膜２に電圧を印加してＫＯＨ溶液中で電界エ
ッチングすることにより、突起２１の先端部分の反射膜
２を除去した。これにより、突起２１の先端に直径が５
ｎｍ程度の開口部を有する光プローブ３を形成できた。
【００９３】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図１）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである（ただし、記録層３０２の膜
厚は２０ｎｍ）。その結果、５ｎｍ程度の結晶化した領
域を形成でき、再生も良好にできた。
【００９４】製造方法（Ｐ14）では、図１２に示すよう
に、前記製造方法（Ｐ12）と同様にして、平面基板１上
の光プローブ３を形成したい位置に、先端部分の尖った
ほぼ円錐形のマスク１１を形成する（同図（ａ））。
【００９５】これに続くプロセス（同図（ｂ）〜
（ｅ））は、製造方法（Ｐ13）のプロセス（図１１
（ｄ）〜（ｆ））と同じである。
【００９６】本製造方法（Ｐ14）では、ほぼ円錐台形の
ステップ４１に突起２１が形成されるので、前記製造方
法（Ｐ13）と比較して、円錐面が滑らかな突起２１が得
られる。これにより、より効率的に光を光プローブ３の
先端に導くことができる。
【００９７】次に、上記の製造方法（Ｐ14）の具体例を
示す。
【００９８】石英ガラスからなる平面基板１の片面に、
厚さが５μｍ、直径が５μｍの円形のフォトレジストか
らなるマスク１０を形成し、フォトレジストの変形温度
以上の温度である１５０℃まで昇温して３０分間ベーキ
ングを行った。これにより、マスク１０は先端部分の尖
ったほぼ円錐形のマスク１１になった。ＣＦ4 を用いた
ドライエッチングを行って、段差が約４μｍのステップ
４１を形成した。次に、緩衝フッ酸を用いたウエットエ
ッチングにより、等方性エッチングを行って、突起２１
を形成した。それから、Ｗの反射膜２を形成し、反射膜
２に電圧を印加してＫＯＨ溶液中で電界エッチングする
ことにより、突起２１の先端部分の反射膜２を除去し
た。これにより、突起２１の先端に直径が５ｎｍ程度の
開口部を有する光プローブ３を形成できた。
【００９９】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図３）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである（ただし、記録層３０２の膜
厚が２０ｎｍ）。その結果、５ｎｍ程度の結晶化した領
域を形成でき、再生も良好にできた。
【０１００】製造方法（Ｐ15）では、図１３に示すよう
に、まず、平面基板１上に密着性強化層７を形成してか
ら、光プローブ３を形成したい位置に、フォトレジスト
からなるマスク１０を形成する（同図（ａ））点で、前
記製造方法（Ｐ11）と異なっている。
【０１０１】この後、エッチングにより、露出した密着
性強化層７を除去する（同図（ｂ））。これに続くプロ
セス（同図（ｃ）〜（ｆ））は、製造方法（Ｐ11）のプ
ロセス（図９（ｂ）〜（ｅ））と同じである。
【０１０２】本製造方法（Ｐ15）では、平面基板１とマ
スク１０との間に密着性強化層７を設けたので、マスク
１０が平面基板１から剥がれにくくなる。これにより、
確実に突起２１を形成できる。
【０１０３】密着性強化層７には、平面基板１の等方性
エッチングのプロセス（同図（ｃ））において、エッチ
ングされない材料を使用することが好ましい。例えば、
平面基板１にガラスを採用して、緩衝フッ酸を用いたウ
エットエッチングにより、等方性エッチングを行う場
合、密着性強化層７には、緩衝フッ酸でエッチングされ
ないＴａ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料を用いることが好まし
い。しかしながら、平面基板１よりエッチングされにく
い材料であれば、特に限定されるものではない。
【０１０４】次に、上記の製造方法（Ｐ15）の具体例を
示す。
【０１０５】アルミノ珪酸ガラスからなる平面基板１の
片面に、厚さが５０ｎｍのＴａからなる密着性強化層７
を形成した後、厚さが１μｍ、直径が１０μｍの円形の
フォトレジストからなるマスク１０を形成し、露出した
密着性強化層７をＣＦ4 を用いたドライエッチングで除
去した。次に、緩衝フッ酸を用いたウエットエッチング
により、等方性エッチングを行って、突起２１を形成し
た。それから、Ｗの反射膜２を形成し、反射膜２に電圧
を印加してＫＯＨ溶液中で電界エッチングすることによ
り、突起２１の先端部分の反射膜２を除去した。これに
より、突起２１の先端に直径が１０ｎｍ程度の開口部を
有する光プローブ３を形成できた。
【０１０６】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図４）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである。その結果、１０ｎｍ程度の
結晶化した領域を形成でき、再生も良好にできた。
【０１０７】次に、光プローブ素子２０のバリエーショ
ンについて説明する。
【０１０８】光プローブ素子２０（Ｐ2 ）は、図１４に
示すように、光プローブ３を平面基板１の凹部１ａに形
成した構成になっている。これに対し、前記の光プロー
ブ素子２０（Ｐ1 ）は、光プローブ３を平面基板１の片
面に突出するように形成した構成になっている。
【０１０９】以下、光プローブ素子２０（Ｐ2 ）の製造
方法について説明する。
【０１１０】製造方法（Ｐ21）では、図１５に示すよう
に、まず、平面基板１上の光プローブ３を形成したい位
置を除いて、フォトレジストからなるマスク１２を形成
する（同図（ａ））。マスク１２のない平面基板１の部
分６０の径は、後述するように、１〜５μｍである。次
に、平面基板１を等方性エッチングすることにより、凹
部１ａを形成する（同図（ｂ））。このとき、平面基板
１の部分６０がエッチングされるだけでなく、マスク１
０の下の平面基板１の、部分６０の近傍もアンダーエッ
チングされる。
【０１１１】次に、透明誘電体材料をスパッタリングす
る。これにより、マスク１２の上に透明誘電体材料から
なる透明膜８が形成されるとともに、凹部１ａの中に、
透明誘電体材料からなり先端の尖ったほぼ円錐形の突起
２１が形成される（同図（ｃ））。つまり、凹部１ａの
中には、透明誘電体材料の粒子が種々な方向からデポジ
ットされるため、突起２１が形成される。
【０１１２】次に、マスク１２と共に透明膜８を除去し
た後、平面基板１の、突起２１が形成された面に反射膜
２を形成する（同図（ｄ））。それから、突起２１の先
端部分の反射膜２を除去する（同図（ｅ））。これによ
り、平面基板１に光プローブ３が形成される。
【０１１３】上記の製造方法（Ｐ21）において、光プロ
ーブ３が光をより効率的に絞り込むため、部分６０の形
状は円形であることが好ましい。また、先端の尖ったほ
ぼ円錐形の突起２１を形成するために、部分６０の径は
１〜５μｍであることが好ましい。
【０１１４】透明誘電体材料は、平面基板１と同じ材料
（例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ）であることが好ましい。
しかしながら、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＯ2 等も用い
ることができる。
【０１１５】次に、上記の製造方法（Ｐ21）の具体例を
示す。
【０１１６】石英ガラスからなる平面基板１の片面に、
直径が２μｍの円形の平面基板１の部分６０を除いて、
厚さが１μｍのフォトレジストからなるマスク１２を形
成し、緩衝フッ酸を用いたウエットエッチングにより、
等方性エッチングを行って、凹部１ａを形成した。次
に、ＳｉＯ2 をスパッタリングし、マスク１２の上に厚
さが５μｍの透明膜８を形成するとともに、凹部１ａの
中に突起２１を形成した。それから、マスク１２ととも
に透明膜８を除去し、Ｗの反射膜２を形成し、電界エッ
チングすることにより、突起２１の先端部分の反射膜２
を除去した。これにより、突起２１の先端に直径が５ｎ
ｍ程度の開口部を有する光プローブ３を形成できた。
【０１１７】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図１）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである（ただし、記録層３０２の膜
厚は２０ｎｍ）。その結果、５ｎｍ程度の結晶化した領
域を形成でき、再生も良好にできた。
【０１１８】製造方法（Ｐ22）では、図１６に示すよう
に、マスク１２を形成した後（同図（ａ））、まず、異
方性エッチングを行う（同図（ｂ））点で、前記製造方
法（Ｐ21）と異なっている。
【０１１９】これに続くプロセス（同図（ｃ）〜
（ｆ））は、製造方法（Ｐ21）のプロセス（図１５
（ｂ）〜（ｅ））と同じである。
【０１２０】本製造方法（Ｐ22）では、異方性エッチン
グを行ってから、等方性エッチングを行うことにより、
凹部１ａを形成しているので、製造方法（Ｐ21）と比較
して、凹部１ａを精度良く形成できる。
【０１２１】次に、上記の製造方法（Ｐ22）の具体例を
示す。
【０１２２】石英ガラスからなる平面基板１の片面に、
直径が３μｍの円形の平面基板１の部分６０を除いて、
厚さが４μｍのフォトレジストからなるマスク１２を形
成し、ＣＦ4 を用いたドライエッチングにより、３μｍ
の深さまで異方性エッチングを行った後、緩衝フッ酸を
用いたウエットエッチングにより、等方性エッチングを
行って、深さが５μｍの凹部１ａを形成した。次に、Ｓ
ｉＯ2 をスパッタリングし、マスク１２の上に厚さが５
μｍの透明膜８を形成するとともに、凹部１ａの中に突
起２１を形成した。それから、マスク１２とともに透明
膜８を除去し、Ｗの反射膜２を形成し、電界エッチング
することにより、突起２１の先端部分の反射膜２を除去
した。これにより、突起２１の先端に直径が５ｎｍ程度
の開口部を有する光プローブ３を形成できた。
【０１２３】この光プローブ素子２０を記録再生装置
（図３）にセットして、記録再生テストを行った。テス
ト条件は前記の通りである（ただし、記録層３０２の膜
厚は２０ｎｍ）。その結果、５ｎｍ程度の結晶化した領
域を形成でき、再生も良好にできた。
【０１２４】本発明の第２実施例について図１７ないし
図２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。
【０１２５】本実施例の記録再生装置は、図１７に示す
ように、マイクロレンズ１００を有する光プローブ素子
２０を備えている点で、前記実施例とは異なっている。
比較のために、マイクロレンズ１００がない光プローブ
素子２０に代えた記録再生装置を図１８に示す。
【０１２６】本実施例の記録再生装置では、マイクロレ
ンズ１００が集光レンズ４の役割を果たすので、外付け
の集光レンズ４が不要になり、構成が簡素化する。
【０１２７】光プローブ素子２０は、図１９に示すよう
に、透光性の平面基板１と、平面基板１の片面に突出す
るように形成された透光性のほぼ円錐形の光プローブ３
と、平面基板１の、光プローブ３が設けられている面
に、光プローブ３の先端を除いて形成された反射膜２
と、平面基板１の、光プローブ３が設けられている面と
は反対側の面の、光プローブ３に対向する位置に形成さ
れたマイクロレンズ１００から構成されている。光プロ
ーブ３の先端の反射膜２が形成されていない部分の大き
さはｎｍオーダーである。マイクロレンズ１００は、光
プローブ３からの光を効率良く集光できるように、その
焦点に光プローブ３が位置するように形成されている。
【０１２８】図２０に示す記録再生装置は、上記の記録
再生装置のバリエーションであり、複数の光プローブ３
…および、これに対応する複数のマイクロレンズ１００
…を有する光プローブ素子２０を備えている。この光プ
ローブ素子２０には、図２１に示すように、光プローブ
３…およびマイクロレンズ１００…が２次元配置されて
いる。これによれば、簡素な構成で高速の記録再生を行
うことができる。
【０１２９】上記の光プローブ素子２０を製造する場
合、図２２に示すように、まず、平面基板１の片面にマ
イクロレンズ１００を形成する（同図（ａ））。それか
ら、平面基板１の、マイクロレンズ１００が形成されて
いない側の面に光プローブ３を形成する。光プローブ３
の形成プロセス（同図（ｂ）〜（ｆ））は、前記実施例
の製造方法（Ｐ11）のプロセス（図９（ａ）〜（ｅ））
と同じである。
【０１３０】図２３に示す光プローブ素子２０は、上記
の光プローブ素子２０のバリエーションであり、光プロ
ーブ３を平面基板１の凹部１ａに形成した構成になって
いる。
【０１３１】この光プローブ素子２０を製造する場合、
図２４に示すように、まず、平面基板１の片面にマイク
ロレンズ１００を形成する（同図（ａ））。それから、
平面基板１の、マイクロレンズ１００が形成されていな
い側の面に光プローブ３を形成する。光プローブ３の形
成プロセス（同図（ｂ）〜（ｆ））は、前記実施例の製
造方法（Ｐ21）のプロセス（図１５（ａ）〜（ｅ））と
同じである。
【０１３２】上記の光プローブ素子２０のマイクロレン
ズ１００を、図２５および図２６に示すように、フレネ
ルレンズ１１０に代えてもよい。フレネルレンズ１１０
は、マイクロレンズ１００と同様に、光プローブ３から
の光を効率良く集光できるように、その焦点に光プロー
ブ３が位置するように形成されている。
【０１３３】なお、本実施例の光プローブ素子２０の製
造方法において、平面基板１にマイクロレンズ１００ま
たはフレネルレンズ１１０を形成した後のプロセスは、
前記実施例の製造方法と同じであるので、それらをすべ
て利用できる。
【０１３４】上記の光プローブ素子２０を記録再生装置
（図１７）にセットして、記録再生テストを行った。テ
スト条件は前記実施例と同じである。その結果、光プロ
ーブ３の開口部の大きさ（１０ｎｍ程度）にほぼ等しい
結晶化した領域を記録層３０２に形成でき、再生も良好
にできた。
【０１３５】また、上記の複数の光プローブ３…を有す
る光プローブ素子２０を記録再生装置（図２０）にセッ
トして、記録再生テストを行った。テスト条件は前記実
施例と同じである。その結果、光プローブ３の開口部の
大きさ（１０ｎｍ程度）にほぼ等しい結晶化した領域を
記録層３０２に形成でき、再生も良好にできた。さら
に、各光プローブ３に対応する光検出器４０３を設ける
ことにより、情報を同時再生できた。
【０１３６】以上の実施例において、光プローブ素子２
０よりも大きな平面基板１上に多数の光プローブ３を形
成してから、必要な数の光プローブ３…を有する平面基
板１を切り出すようにすれば、効率的に光プローブ素子
２０を製造できる。
【０１３７】請求項１の発明に対応する光プローブ素子
２０は、透光性材料からなるほぼ円錐形の突起２１と、
突起２１の先端部分を除いて突起２１の円錐面に形成さ
れた反射膜４からなる光プローブ３が、透光性材料から
なる平面基板１の片面に形成されている構成である。
【０１３８】このため、半導体プロセス技術を利用して
平面基板１上に光プローブ３を形成することが可能とな
る。これにより、規格のそろった光プローブ素子２０を
効率よく量産することが可能となる。
【０１３９】請求項２の発明に対応する光プローブ素子
２０は、上記の平面基板１の片面に凹部１ａが形成され
ており、この凹部１ａに光プローブ３が形成されている
構成である。
【０１４０】このため、請求項１の作用効果に加え、接
触による光プローブ３の破壊が起こりにくくなる。これ
により、光プローブ素子２０の取扱いが容易になる。
【０１４１】請求項３の発明に対応する光プローブ素子
２０は、請求項１または２の光プローブ素子２０であっ
て、光プローブ３に焦点を結ぶ集光手段が、光プローブ
３が形成されていない側の平面基板１面に形成されてい
る構成である。
【０１４２】このため、請求項１または２の作用効果に
加え、外部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済
む。
【０１４３】請求項４の発明に対応する光プローブ素子
２０は、請求項３の光プローブ素子２０であって、集光
手段は、単レンズ１００またはフレネルレンズ１１０の
いずれかである構成である。
【０１４４】このため、請求項３の集光手段を備えた光
プローブ素子２０を容易に実現できる。
【０１４５】請求項５の発明に対応する光プローブ素子
２０は、請求項１または２の光プローブ素子２０であっ
て、複数の光プローブ３…が平面基板１の片面に形成さ
れている構成である。
【０１４６】このため、請求項１または２の作用効果に
加え、複数の情報を同時に記録再生することが可能とな
る。
【０１４７】請求項６の発明に対応する光プローブ素子
２０は、請求項５の光プローブ素子２０であって、各光
プローブ３にそれぞれ焦点を結ぶ、光プローブ３と同数
の集光手段が、光プローブ３が形成されていない側の平
面基板１面に形成されている構成である。
【０１４８】このため、請求項５の作用効果に加え、外
部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済む。
【０１４９】請求項７の発明に対応する記録再生装置
は、光源４０２と、光源４０２からの光を回折限界以下
の径の微小光６に絞り込む光プローブ素子２０とを備
え、記録媒体３００に微小光６を照射することにより情
報の記録再生を行う記録再生装置において、上記の光プ
ローブ素子２０は、透光性材料からなるほぼ円錐形の突
起２１と、突起２１の先端部分を除いて突起２１の円錐
面に形成された反射膜２からなる光プローブ３が、透光
性材料からなる平面基板１の片面に形成されている構成
である。
【０１５０】このため、記録再生装置を効率よく量産す
ることが可能となる。
【０１５１】請求項８の発明に対応する記録再生装置
は、請求項７の記録再生装置であって、光プローブ３に
焦点を結ぶ集光手段が、光プローブ３が形成されていな
い側の平面基板１面に形成されている構成である。
【０１５２】このため、光プローブ素子２０の外部に対
物レンズ等の集光手段を設置しなくて済む。
【０１５３】請求項９の発明に対応する記録再生装置
は、請求項８の記録再生装置であって、複数の光プロー
ブ３…が平面基板１の片面に形成されており、各光プロ
ーブ３にそれぞれ焦点を結ぶ、光プローブ３と同数の集
光手段…が、光プローブ３…が形成されていない側の平
面基板１面に形成されている構成である。
【０１５４】このため、複数の情報を同時に記録再生す
ることが可能となり、しかも、光プローブ素子２０の外
部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済む。
【０１５５】請求項１０の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、透光性材料からなるほぼ円錐形の
突起２１と、突起２１の先端部分を除いて突起２１の円
錐面に形成された反射膜２からなる光プローブ３が、透
光性材料からなる平面基板１の片面に形成されている光
プローブ素子２０の製造方法であって、平面基板１の片
面の、光プローブ３を形成しようとする所にフォトレジ
ストからなるマスク１０を形成する工程と、マスク１０
を形成した側の平面基板１を等方性エッチングすること
により、マスク１０を除去すると共にほぼ円錐形の突起
２１を形成する工程と、突起２１の円錐面に反射膜２を
形成する工程と、突起２１の先端部分の反射膜２を除去
する工程からなり、上記の工程を順次行う構成である。
【０１５６】このため、請求項１の光プローブ素子２０
を効率よく量産できる。
【０１５７】請求項１１の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、請求項１０の光プローブ素子２０
の製造方法であって、平面基板１にマスク１０を形成し
た後、平面基板１を等方性エッチングする前に、マスク
１０を形成した側の平面基板１を異方性エッチングする
ことにより、平面基板１にステップを形成する構成であ
る。
【０１５８】このため、先端の尖った光プローブ３を有
する光プローブ素子２０を製造できる。
【０１５９】請求項１２の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、請求項１０または１１の光プロー
ブ素子２０の製造方法であって、平面基板１の片面に、
平面基板１とマスク１０とを強く結合させるための密着
性強化層７を形成した後、密着性強化層７の上に、フォ
トレジストからなるマスク１０を形成する構成である。
【０１６０】このため、請求項１０または１１の作用効
果に加え、平面基板１からマスク１０が剥がれにくくな
る。
【０１６１】請求項１３の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、透光性材料からなるほぼ円錐形の
突起２１と、突起２１の先端部分を除いて突起２１の円
錐面に形成された反射膜２からなる光プローブ３が、透
光性材料からなる平面基板１の片面に形成されている光
プローブ素子２０の製造方法であって、平面基板１の片
面の、光プローブ３を形成しようとする所にフォトレジ
ストからなるマスク１０を形成する工程と、マスク１０
を形成した平面基板１をフォトレジストの変形温度以上
の温度でポストベークすることにより、先端部分の尖っ
たほぼ円錐形にマスク１０を変形させる工程と、変形し
たマスク１１およびマスク１１を形成した側の平面基板
１を異方性エッチングすることにより、ほぼ円錐形の突
起２１を形成する工程と、突起２１の円錐面に反射膜２
を形成する工程と、突起２１の先端部分の反射膜２を除
去する工程からなり、上記の工程を順次行う構成であ
る。
【０１６２】このため、請求項１の光プローブ素子２０
を効率よく量産できる。
【０１６３】請求項１４の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、透光性材料からなるほぼ円錐形の
突起２１と、突起２１の先端部分を除いて突起２１の円
錐面に形成された反射膜２からなる光プローブ３が、透
光性材料からなる平面基板１の片面に形成されている光
プローブ素子２０の製造方法であって、平面基板１の片
面の、光プローブ３を形成しようとする所にフォトレジ
ストからなるマスク１０を形成する工程と、マスク１０
を形成した平面基板１をフォトレジストの変形温度以上
の温度でポストベークすることにより、先端部分の尖っ
たほぼ円錐形にマスク１０を変形させる工程と、変形し
たマスク１１およびマスク１１を形成した側の平面基板
１を異方性エッチングすることにより、平面基板１にス
テップを形成する工程と、マスク１１を形成した側の平
面基板１を等方性エッチングすることにより、マスク１
１を除去すると共にほぼ円錐形の突起２１を形成する工
程と、突起２１の円錐面に反射膜２を形成する工程と、
突起２１の先端部分の反射膜２を除去する工程からな
り、上記の工程を順次行う構成である。
【０１６４】このため、請求項１の光プローブ素子２０
を効率よく量産することができ、かつ、先端の尖った光
プローブが得られる。
【０１６５】請求項１５の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、透光性材料からなるほぼ円錐形の
突起２１と、突起２１の先端部分を除いて突起２１の円
錐面に形成された反射膜２からなる光プローブ３が、透
光性材料からなる平面基板１の片面の凹部１ａに形成さ
れている光プローブ素子２０の製造方法であって、平面
基板１の片面の、光プローブ３を形成しようとする所以
外にフォトレジストからなるマスク１２を形成する工程
と、マスク１２を形成した側の平面基板１を等方性エッ
チングすることにより、光プローブ３を形成しようとす
る所に凹部１ａを形成する工程と、マスク１２を形成し
た側の平面基板１に透明誘電体材料をスパッタリングす
ることにより、凹部１ａの中に、透明誘電体材料からな
り先端の尖ったほぼ円錐形の突起２１を形成する工程
と、マスク１２を除去することにより、マスク１２上の
透明誘電体材料を除去する工程と、突起２１の円錐面に
反射膜２を形成する工程と、突起２１の先端部分の反射
膜２を除去する工程からなり、上記の工程を順次行う構
成である。
【０１６６】このため、請求項２の光プローブ素子２０
を効率よく量産できる。
【０１６７】請求項１６の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、請求項１５の光プローブ素子２０
の製造方法であって、マスク１２を形成した後、平面基
板１を等方性エッチングする前に、マスク１２を形成し
た側の平面基板１を異方性エッチングすることにより、
平面基板１にステップを形成する構成である。
【０１６８】このため、請求項２の光プローブ素子２０
を効率よく量産することができ、かつ、先端の尖った光
プローブ３が得られる。
【０１６９】請求項１７の発明に対応する光プローブ素
子２０の製造方法は、請求項１０、１３、１４または１
５の光プローブ素子２０の製造方法であって、突起２１
の先端部分の反射膜２を除去する工程は、強い光を平面
基板１側から突起２１に照射することにより、突起２１
の先端部分の反射膜２を蒸発させる方法、突起２１を導
体に近接して配置し、一時的に電界放出が発生する程度
の大電流を繰り返し流すことにより、突起２１の先端部
分の反射膜２を蒸発させる方法、または、電界エッチン
グにより、突起２１の先端部分の反射膜２だけをエッチ
ングする方法の中、いずれかの方法により行われる構成
である。
【０１７０】このため、請求項１０、１３、１４または
１５の光プローブ素子２０の突起２１の先端部分の反射
膜２を除去する工程を容易に実施できる。
【０１７１】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光プローブ素子
は、以上のように、透光性材料からなるほぼ円錐形の突
起と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成され
た反射膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平
面基板の片面に形成されているので、半導体プロセス技
術を利用して平面基板上に光プローブを形成することが
可能となる。これにより、規格のそろった光プローブ素
子を効率よく量産することが可能となるという効果を奏
する。
【０１７２】請求項２の発明に係る光プローブ素子は、
以上のように、請求項１の光プローブ素子であって、上
記の平面基板の片面に凹部が形成されており、この凹部
に光プローブが形成されているので、請求項１の効果に
加え、接触による光プローブの破壊が起こりにくくな
る。このため、光プローブ素子の取扱いが容易になると
いう効果を奏する。
【０１７３】請求項３の発明に係る光プローブ素子は、
以上のように、請求項１または２の光プローブ素子であ
って、光プローブに焦点を結ぶ集光手段が、光プローブ
が形成されていない側の平面基板面に形成されているの
で、請求項１または２の効果に加え、外部に対物レンズ
等の集光手段を設置しなくて済むという効果を奏する。
【０１７４】請求項４の発明に係る光プローブ素子は、
以上のように、請求項３の光プローブ素子であって、集
光手段は、単レンズまたはフレネルレンズのいずれかで
あるので、請求項３の集光手段を備えた光プローブ素子
を容易に実現できるという効果を奏する。
【０１７５】請求項５の発明に係る光プローブ素子は、
以上のように、請求項１または２の光プローブ素子であ
って、複数の光プローブが平面基板の片面に形成されて
いるので、請求項１または２の効果に加え、複数の情報
を同時に記録再生することが可能となるという効果を奏
する。
【０１７６】請求項６の発明に係る光プローブ素子は、
以上のように、請求項５の光プローブ素子であって、各
光プローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プローブと同数の
集光手段が、光プローブが形成されていない側の平面基
板面に形成されているので、請求項５の効果に加え、外
部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済むという
効果を奏する。
【０１７７】請求項７の発明に係る記録再生装置は、以
上のように、光源と、光源からの光を回折限界以下の径
の微小光に絞り込む光プローブ素子とを備え、記録媒体
に微小光を照射することにより情報の記録再生を行う記
録再生装置において、上記の光プローブ素子は、透光性
材料からなるほぼ円錐形の突起と、突起の先端部分を除
いて突起の円錐面に形成された反射膜からなる光プロー
ブが、透光性材料からなる平面基板の片面に形成されて
いるので、記録再生装置を効率よく量産することが可能
となるという効果を奏する。
【０１７８】請求項８の発明に係る記録再生装置は、以
上のように、請求項７の記録再生装置であって、光プロ
ーブに焦点を結ぶ集光手段が、光プローブが形成されて
いない側の平面基板面に形成されているので、光プロー
ブ素子の外部に対物レンズ等の集光手段を設置しなくて
済むという効果を奏する。
【０１７９】請求項９の発明に係る記録再生装置は、以
上のように、請求項８の記録再生装置であって、複数の
光プローブが平面基板の片面に形成されており、各光プ
ローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プローブと同数の集光
手段が、光プローブが形成されていない側の平面基板面
に形成されているので、複数の情報を同時に記録再生す
ることが可能となり、しかも、光プローブ素子の外部に
対物レンズ等の集光手段を設置しなくて済むという効果
を奏する。
【０１８０】請求項１０の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、平面基板の片面の、光プロ
ーブを形成しようとする所にフォトレジストからなるマ
スクを形成する工程と、マスクを形成した側の平面基板
を等方性エッチングすることにより、マスクを除去する
と共にほぼ円錐形の突起を形成する工程と、突起の円錐
面に反射膜を形成する工程と、突起の先端部分の反射膜
を除去する工程からなり、上記の工程を順次行うので、
請求項１の光プローブ素子を効率よく量産することがで
きるという効果を奏する。
【０１８１】請求項１１の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、請求項１０の光プローブ素
子の製造方法であって、平面基板にマスクを形成した
後、平面基板を等方性エッチングする前に、マスクを形
成した側の平面基板を異方性エッチングすることによ
り、平面基板にステップを形成するので、請求項１０の
効果に加え、先端の尖った光プローブを有する光プロー
ブ素子を製造できるという効果を奏する。
【０１８２】請求項１２の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、請求項１０または１１の光
プローブ素子の製造方法であって、平面基板の片面に、
平面基板とマスクとを強く結合させるための密着性強化
層を形成した後、密着性強化層の上にフォトレジストか
らなるマスクを形成するので、請求項１０または１１の
効果に加え、平面基板からマスクが剥がれにくくなると
いう効果を奏する。
【０１８３】請求項１３の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、平面基板の片面の、光プロ
ーブを形成しようとする所にフォトレジストからなるマ
スクを形成する工程と、マスクを形成した平面基板をフ
ォトレジストの変形温度以上の温度でポストベークする
ことにより、先端部分の尖ったほぼ円錐形にマスクを変
形させる工程と、マスクおよびマスクを形成した側の平
面基板を異方性エッチングすることにより、ほぼ円錐形
の突起を形成する工程と、突起の円錐面に反射膜を形成
する工程と、突起の先端部分の反射膜を除去する工程か
らなり、上記の工程を順次行うので、請求項１の光プロ
ーブ素子を効率よく量産することができるという効果を
奏する。
【０１８４】請求項１４の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、平面基板の片面の、光プロ
ーブを形成しようとする所にフォトレジストからなるマ
スクを形成する工程と、マスクを形成した平面基板をフ
ォトレジストの変形温度以上の温度でポストベークする
ことにより、先端部分の尖ったほぼ円錐形にマスクを変
形させる工程と、マスクおよびマスクを形成した側の平
面基板を異方性エッチングすることにより、平面基板に
ステップを形成する工程と、マスクを形成した側の平面
基板を等方性エッチングすることにより、マスクを除去
すると共にほぼ円錐形の突起を形成する工程と、突起の
円錐面に反射膜を形成する工程と、突起の先端部分の反
射膜を除去する工程からなり、上記の工程を順次行うの
で、請求項１の光プローブ素子を効率よく量産すること
ができ、かつ、先端の尖った光プローブが得られるとい
う効果を奏する。
【０１８５】請求項１５の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、平面基板の片面の、光プロ
ーブを形成しようとする所以外にフォトレジストからな
るマスクを形成する工程と、マスクを形成した側の平面
基板を等方性エッチングすることにより、光プローブを
形成しようとする所に凹部を形成する工程と、マスクを
形成した側の平面基板に透明誘電体材料をスパッタリン
グすることにより、凹部の中に、透明誘電体材料からな
り先端の尖ったほぼ円錐形の突起を形成する工程と、マ
スクを除去することにより、マスク上の透明誘電体材料
を除去する工程と、突起の円錐面に反射膜を形成する工
程と、突起の先端部分の反射膜を除去する工程からな
り、上記の工程を順次行うので、請求項２の光プローブ
素子を効率よく量産することができるという効果を奏す
る。
【０１８６】請求項１６の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、請求項１５の光プローブ素
子の製造方法であって、マスクを形成した後、平面基板
を等方性エッチングする前に、マスクを形成した側の平
面基板を異方性エッチングすることにより、平面基板に
ステップを形成するので、請求項２の光プローブ素子を
効率よく量産することができ、かつ、先端の尖った光プ
ローブが得られるという効果を奏する。
【０１８７】請求項１７の発明に係る光プローブ素子の
製造方法は、以上のように、請求項１０、１３、１４ま
たは１５の光プローブ素子の製造方法であって、突起の
先端部分の反射膜を除去する工程は、強い光を平面基板
側から突起に照射することにより、突起の先端部分の反
射膜を蒸発させる方法、突起を導体に近接して配置し、
一時的に電界放出が発生する程度の大電流を繰り返し流
すことにより、突起の先端部分の反射膜を蒸発させる方
法、または、電界エッチングにより、突起の先端部分の
反射膜だけをエッチングする方法の中、いずれかの方法
により行われるので、請求項１０、１３、１４または１
５の光プローブ素子の突起の先端部分の反射膜を除去す
る工程を容易に実施できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すものであり、記録再
生装置の概略の構成を示す説明図である。
【図２】図１の記録再生装置における、光プローブ素子
の概略の構成を示す説明図である。
【図３】図１の記録再生装置のバリエーションを示す説
明図である。
【図４】図１の記録再生装置の他のバリエーションを示
す説明図である。
【図５】図１の記録再生装置のその他のバリエーション
を示す説明図である。
【図６】図１の記録再生装置のその他のバリエーション
を示す説明図である。
【図７】図１の記録再生装置のその他のバリエーション
を示す説明図であり、複数の光プローブからなる光プロ
ーブ素子を備えた記録再生装置を示している。
【図８】図７の記録再生装置における、光プローブ素子
の概略の構成を示す説明図であり、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は正面図である。
【図９】図２の光プローブ素子の製造方法を示す説明図
であり、同図（ａ）ないし（ｅ）は各プロセスを示して
いる。
【図１０】図２の光プローブ素子の他の製造方法を示す
説明図であり、同図（ａ）ないし（ｅ）は各プロセスを
示している。
【図１１】図２の光プローブ素子のその他の製造方法を
示す説明図であり、同図（ａ）ないし（ｆ）は各プロセ
スを示している。
【図１２】図２の光プローブ素子のその他の製造方法を
示す説明図であり、同図（ａ）ないし（ｅ）は各プロセ
スを示している。
【図１３】図２の光プローブ素子のその他の製造方法を
示す説明図であり、同図（ａ）ないし（ｆ）は各プロセ
スを示している。
【図１４】図１の記録再生装置における、他の光プロー
ブ素子の概略の構成を示す説明図である。
【図１５】図１４の光プローブ素子の製造方法を示す説
明図であり、同図（ａ）ないし（ｅ）は各プロセスを示
している。
【図１６】図１４の光プローブ素子の他の製造方法を示
す説明図であり、同図（ａ）ないし（ｆ）は各プロセス
を示している。
【図１７】本発明の第２実施例を示すものであり、記録
再生装置の概略の構成を示す説明図である。
【図１８】図１７の記録再生装置の比較例を示すもので
あり、記録再生装置の概略の構成を示す説明図である。
【図１９】図１７の記録再生装置における、光プローブ
素子の概略の構成を示す説明図である。
【図２０】図１７の記録再生装置のバリエーションを示
す説明図であり、複数の光プローブからなる光プローブ
素子を備えた記録再生装置を示している。
【図２１】図２０の記録再生装置における、光プローブ
素子の概略の構成を示す正面図である。
【図２２】図１９の光プローブ素子の製造方法を示す説
明図であり、同図（ａ）ないし（ｆ）は各プロセスを示
している。
【図２３】図１７の記録再生装置における、他の光プロ
ーブ素子の概略の構成を示す説明図である。
【図２４】図２３の光プローブ素子の製造方法を示す説
明図であり、同図（ａ）ないし（ｆ）は各プロセスを示
している。
【図２５】図１７の記録再生装置における、他の光プロ
ーブ素子の概略の構成を示す説明図である。
【図２６】図１７の記録再生装置における、その他の光
プローブ素子の概略の構成を示す説明図である。
【図２７】従来の記録再生装置の概略の構成を示す説明
図である。
【図２８】図２７の光プローブの製造方法を示す説明図
であり、同図（ａ）ないし（ｃ）は各プロセスを示して
いる。
【符号の説明】
１ 平面基板 １ａ 凹部 ２ 反射膜 ３ 光プローブ ６ 微小光 ７ 密着強化層 ８ 透明膜 １０ マスク １１ マスク １２ マスク ２０ 光プローブ素子 ２１ 突起 １００ マイクロレンズ １１０ フレネルレンズ ３００ 記録媒体 ３０２ 記録媒体層 ４０２ 光源

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透光性材料からなるほぼ円錐形の突起と、
    突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された反射
    膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平面基板
    の片面に形成されていることを特徴とする光プローブ素
    子。
  2. 【請求項２】平面基板の片面に凹部が形成されており、
    この凹部に光プローブが形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載の光プローブ素子。
  3. 【請求項３】光プローブに焦点を結ぶ集光手段が、光プ
    ローブが形成されていない側の平面基板面に形成されて
    いることを特徴とする請求項１または２記載の光プロー
    ブ素子。
  4. 【請求項４】集光手段は、単レンズまたはフレネルレン
    ズのいずれかであることを特徴とする請求項３記載の光
    プローブ素子。
  5. 【請求項５】複数の光プローブが平面基板の片面に形成
    されていることを特徴とする請求項１または２記載の光
    プローブ素子。
  6. 【請求項６】各光プローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プ
    ローブと同数の集光手段が、光プローブが形成されてい
    ない側の平面基板面に形成されていることを特徴とする
    請求項５記載の光プローブ素子。
  7. 【請求項７】光源と、光源からの光を回折限界以下の径
    の微小光に絞り込む光プローブ素子とを備え、記録媒体
    に微小光を照射することにより情報の記録再生を行う記
    録再生装置において、 上記の光プローブ素子は、透光性材料からなるほぼ円錐
    形の突起と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形
    成された反射膜からなる光プローブが、透光性材料から
    なる平面基板の片面に形成されていることを特徴とする
    記録再生装置。
  8. 【請求項８】光プローブに焦点を結ぶ集光手段が、光プ
    ローブが形成されていない側の平面基板面に形成されて
    いることを特徴とする請求項７記載の記録再生装置。
  9. 【請求項９】複数の光プローブが平面基板の片面に形成
    されており、各光プローブにそれぞれ焦点を結ぶ、光プ
    ローブと同数の集光手段が、光プローブが形成されてい
    ない側の平面基板面に形成されていることを特徴とする
    請求項８記載の記録再生装置。
  10. 【請求項１０】透光性材料からなるほぼ円錐形の突起
    と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された
    反射膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平面
    基板の片面に形成されている光プローブ素子の製造方法
    であって、 平面基板の片面の、光プローブを形成しようとする所に
    フォトレジストからなるマスクを形成する工程と、マス
    クを形成した側の平面基板を等方性エッチングすること
    により、マスクを除去すると共にほぼ円錐形の突起を形
    成する工程と、突起の円錐面に反射膜を形成する工程
    と、突起の先端部分の反射膜を除去する工程からなり、
    上記の工程を順次行うことを特徴とする光プローブ素子
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】平面基板にマスクを形成した後、平面基
    板を等方性エッチングする前に、マスクを形成した側の
    平面基板を異方性エッチングすることにより、平面基板
    にステップを形成することを特徴とする請求項１０記載
    の光プローブ素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】平面基板の片面に、平面基板とマスクと
    を強く結合させるための密着性強化層を形成した後、密
    着性強化層の上にフォトレジストからなるマスクを形成
    することを特徴とする請求項１０または１１記載の光プ
    ローブ素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】透光性材料からなるほぼ円錐形の突起
    と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された
    反射膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平面
    基板の片面に形成されている光プローブ素子の製造方法
    であって、 平面基板の片面の、光プローブを形成しようとする所に
    フォトレジストからなるマスクを形成する工程と、マス
    クを形成した平面基板をフォトレジストの変形温度以上
    の温度でポストベークすることにより、先端部分の尖っ
    たほぼ円錐形にマスクを変形させる工程と、マスクおよ
    びマスクを形成した側の平面基板を異方性エッチングす
    ることにより、ほぼ円錐形の突起を形成する工程と、突
    起の円錐面に反射膜を形成する工程と、突起の先端部分
    の反射膜を除去する工程からなり、上記の工程を順次行
    うことを特徴とする光プローブ素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】透光性材料からなるほぼ円錐形の突起
    と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された
    反射膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平面
    基板の片面に形成されている光プローブ素子の製造方法
    であって、 平面基板の片面の、光プローブを形成しようとする所に
    フォトレジストからなるマスクを形成する工程と、マス
    クを形成した平面基板をフォトレジストの変形温度以上
    の温度でポストベークすることにより、先端部分の尖っ
    たほぼ円錐形にマスクを変形させる工程と、マスクおよ
    びマスクを形成した側の平面基板を異方性エッチングす
    ることにより、平面基板にステップを形成する工程と、
    マスクを形成した側の平面基板を等方性エッチングする
    ことにより、マスクを除去すると共にほぼ円錐形の突起
    を形成する工程と、突起の円錐面に反射膜を形成する工
    程と、突起の先端部分の反射膜を除去する工程からな
    り、上記の工程を順次行うことを特徴とする光プローブ
    素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】透光性材料からなるほぼ円錐形の突起
    と、突起の先端部分を除いて突起の円錐面に形成された
    反射膜からなる光プローブが、透光性材料からなる平面
    基板の片面の凹部に形成されている光プローブ素子の製
    造方法であって、 平面基板の片面の、光プローブを形成しようとする所以
    外にフォトレジストからなるマスクを形成する工程と、
    マスクを形成した側の平面基板を等方性エッチングする
    ことにより、光プローブを形成しようとする所に凹部を
    形成する工程と、マスクを形成した側の平面基板に透明
    誘電体材料をスパッタリングすることにより、凹部の中
    に、透明誘電体材料からなり先端の尖ったほぼ円錐形の
    突起を形成する工程と、マスクを除去することにより、
    マスク上の透明誘電体材料を除去する工程と、突起の円
    錐面に反射膜を形成する工程と、突起の先端部分の反射
    膜を除去する工程からなり、上記の工程を順次行うこと
    を特徴とする光プローブ素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】マスクを形成した後、平面基板を等方性
    エッチングする前に、マスクを形成した側の平面基板を
    異方性エッチングすることにより、平面基板にステップ
    を形成することを特徴とする請求項１５記載の光プロー
    ブ素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】突起の先端部分の反射膜を除去する工程
    は、強い光を平面基板側から突起に照射することによ
    り、突起の先端部分の反射膜を蒸発させる方法、突起を
    導体に近接して配置し、一時的に電界放出が発生する程
    度の大電流を繰り返し流すことにより、突起の先端部分
    の反射膜を蒸発させる方法、または、電界エッチングに
    より、突起の先端部分の反射膜だけをエッチングする方
    法の中、いずれかの方法により行われることを特徴とす
    る請求項１０、１３、１４または１５記載の光プローブ
    素子の製造方法。
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