JP2009134244A - Electrophoresis display device and electronic apparatus - Google Patents

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Tetsuro Murayama
哲朗 村山
Hiroshi Maeda
浩 前田
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrophoresis display device wherein a leakage current between pixels is suppressed to enhance reliability, and to provide an electronic apparatus. <P>SOLUTION: The electrophoresis display device has, for every pixel 20, a pixel switching element 24, a diode 10 connected in a forward direction between the pixel switching element 24 and a pixel electrode 21 and a switching transistor 15 connected between the pixel electrode 21 and a low potential power source line 57 (a constant potential wiring line). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気泳動表示装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electrophoretic display device and an electronic apparatus.

アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置として、画素内にスイッチング用トランジスタとメモリ回路とを備えたものが知られている(例えば、特許文献1を参照)。特許文献1記載の表示装置では、画素スイッチング用トランジスタや画素電極が形成された素子基板上に、帯電粒子を内蔵した複数のマイクロカプセルを備えた電気泳動素子が接着されており、対向電極が設けられた対向基板と素子基板との間に電気泳動素子を挟持していた。
そして、マイクロカプセルを挟持する複数の画素電極と対向電極との間に発生させた電界により帯電粒子を制御することで画像を表示していた。
特開2003−84314号公報
As an active matrix type electrophoretic display device, one having a switching transistor and a memory circuit in a pixel is known (see, for example, Patent Document 1). In the display device described in Patent Document 1, an electrophoretic element including a plurality of microcapsules containing charged particles is bonded to an element substrate on which pixel switching transistors and pixel electrodes are formed, and a counter electrode is provided. The electrophoretic element was sandwiched between the counter substrate and the element substrate.
Then, an image is displayed by controlling charged particles by an electric field generated between a plurality of pixel electrodes sandwiching the microcapsule and the counter electrode.
JP 2003-84314 A

しかしながら、従来の電気泳動表示装置では、電気泳動素子が複数の画素電極の上に接着剤層を介して配置されていたため、隣接する画素電極間に電位差が生じると接着剤層を介してリーク電流が発生するという問題があった。このリーク電流は、1経路あたりのリーク電流は小さいが、複数の画素を備えたアクティブマトリクス型電気泳動表示装置などの場合には複数の経路が存在するため、電気泳動表示装置全体としてのリーク電流が大きくなり、消費電力の増大につながっていた。   However, in the conventional electrophoretic display device, since the electrophoretic element is disposed on the plurality of pixel electrodes via the adhesive layer, if a potential difference is generated between the adjacent pixel electrodes, a leakage current is generated via the adhesive layer. There was a problem that occurred. Although this leak current is small per one path, in the case of an active matrix electrophoretic display device having a plurality of pixels, there are a plurality of paths, so that the leak current of the entire electrophoretic display device Increased, leading to an increase in power consumption.

ここで、従来の電気泳動表示装置の画素回路におけるリーク電流の経路について、具体的に説明する。
図19は、従来の電気泳動表示装置における画素1020の回路構成の一態様を示す図である。
図19に示す画素1020には、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とが設けられている。
画素スイッチング素子24のゲート端子に走査線40が接続されている。画素スイッチング素子24のソース端子にデータ線50が接続され、ドレイン端子にはラッチ回路25の入力端子N1が接続されている。ラッチ回路25の出力端子N2は画素電極21と接続されている。高電位電源線58及び低電位電源線57はラッチ回路25に電源電圧を供給する配線である。
なお、これらの構成要素の個別具体的な構成については、後述する実施の形態において図2等を参照して説明しており、図19に示す構成要素のうち、図2と同一符号の構成要素は共通の構成である。
Here, the path of the leakage current in the pixel circuit of the conventional electrophoretic display device will be specifically described.
FIG. 19 is a diagram illustrating one mode of a circuit configuration of a pixel 1020 in a conventional electrophoretic display device.
A pixel switching element 24, a latch circuit 25, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23 are provided in a pixel 1020 illustrated in FIG.
A scanning line 40 is connected to the gate terminal of the pixel switching element 24. The data line 50 is connected to the source terminal of the pixel switching element 24, and the input terminal N1 of the latch circuit 25 is connected to the drain terminal. The output terminal N2 of the latch circuit 25 is connected to the pixel electrode 21. The high potential power supply line 58 and the low potential power supply line 57 are wirings for supplying a power supply voltage to the latch circuit 25.
The individual specific configuration of these components has been described with reference to FIG. 2 and the like in the embodiment described later. Among the components shown in FIG. 19, the components having the same reference numerals as those in FIG. Is a common configuration.

図20は、画素1020を有する電気泳動表示装置における隣接画素間のリーク経路を示す説明図である。図20には、黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wとが隣接している場合におけるリーク経路LPが示されている。
なお、図20における各構成要素の符号に付した「B」「W」の添字は、当該構成要素が黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。
FIG. 20 is an explanatory diagram showing a leak path between adjacent pixels in the electrophoretic display device having the pixel 1020. FIG. 20 shows a leak path LP when the black display pixel 1020B and the white display pixel 1020W are adjacent to each other.
The subscripts “B” and “W” attached to the reference numerals of the components in FIG. 20 clarify whether the component belongs to the black display pixel 1020B or the white display pixel 1020W. There is no other intention.

黒表示画素である画素1020Bでは、ラッチ回路25Bにローレベル(低電位)の画像データが入力されている。したがってラッチ回路25の出力端子N2Bからハイレベル(高電位)が出力されており、画素電極21Bにハイレベルが入力されている。
一方、白表示画素である画素1020Wでは、ラッチ回路25Wにハイレベルの画像データが入力されている。したがってラッチ回路25の出力端子N2Wからローレベルが出力されており、画素電極21Wにローレベルが入力されている。
In the pixel 1020B which is a black display pixel, low level (low potential) image data is input to the latch circuit 25B. Accordingly, a high level (high potential) is output from the output terminal N2B of the latch circuit 25, and a high level is input to the pixel electrode 21B.
On the other hand, in the pixel 1020W that is a white display pixel, high-level image data is input to the latch circuit 25W. Therefore, the low level is output from the output terminal N2W of the latch circuit 25, and the low level is input to the pixel electrode 21W.

図20に示したように、黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wとが隣接していると、画素電極21B、21W間の電位差による横方向の電界が生じ、画素電極21B、21Wと電気泳動素子23とを固着している接着剤層30に含まれるわずかな水分などの影響によって、矢印で示すようなリーク経路LPが形成される。すなわち、高電位電源線58から、ラッチ回路25B(P型トランジスタ52B)、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、ラッチ回路25W(N型トランジスタ51W)、低電位電源線57をリーク経路とするリーク電流が発生する。   As shown in FIG. 20, when the black display pixel 1020B and the white display pixel 1020W are adjacent to each other, a horizontal electric field is generated due to a potential difference between the pixel electrodes 21B and 21W, and the pixel electrodes 21B and 21W are electrically connected. A leak path LP as shown by an arrow is formed by the influence of slight moisture contained in the adhesive layer 30 fixing the electrophoretic element 23. In other words, the latch circuit 25B (P-type transistor 52B), the pixel electrode 21B, the adhesive layer 30, the pixel electrode 21W, the latch circuit 25W (N-type transistor 51W), and the low-potential power line 57 are leaked from the high-potential power line 58. A leak current is generated.

また、上述したリーク経路LPは、ラッチ回路25と画素電極21との間にスイッチ回路が設けられた構成の画素においても発生する。
図21は、スイッチ回路である2つのトラスミッションゲートを備えた画素1120の回路構成を示す図である。
図21に示す画素1120は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、トランスミッションゲートTG1、TG2と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。トランスミッションゲートTG1は、第1の制御線S1と画素電極21との間に設けられた電位制御用スイッチ回路であり、ラッチ回路25の入力端子N1及び出力端子N2からの出力に基づいて第1の制御線S1と画素電極21との接続状態をスイッチングする。トランスミッションゲートTG2は、第2の制御線S2と画素電極21との間に設けられた電位制御用スイッチ回路であり、ラッチ回路25の入力端子N1及び出力端子N2からの出力に基づいて第2の制御線S2と画素電極21との接続状態をスイッチングする。
なお、これらの構成要素の個別具体的な構成については、後述する実施の形態において図14等を参照して説明しており、図21に示す構成要素のうち、図14と同一符号の構成要素は共通の構成である。
The above-described leak path LP also occurs in a pixel having a configuration in which a switch circuit is provided between the latch circuit 25 and the pixel electrode 21.
FIG. 21 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel 1120 including two transmission gates that are switch circuits.
A pixel 1120 illustrated in FIG. 21 includes a pixel switching element 24, a latch circuit 25, transmission gates TG1 and TG2, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. The transmission gate TG1 is a potential control switch circuit provided between the first control line S1 and the pixel electrode 21, and is based on outputs from the input terminal N1 and the output terminal N2 of the latch circuit 25. The connection state between the control line S1 and the pixel electrode 21 is switched. The transmission gate TG2 is a potential control switch circuit provided between the second control line S2 and the pixel electrode 21, and is based on outputs from the input terminal N1 and the output terminal N2 of the latch circuit 25. The connection state between the control line S2 and the pixel electrode 21 is switched.
The individual specific configuration of these components has been described with reference to FIG. 14 and the like in the embodiment described later. Among the components shown in FIG. 21, the components having the same reference numerals as those in FIG. Is a common configuration.

図22は、画素1120を有する電気泳動表示装置における隣接画素間のリーク経路を示す説明図である。図22には、隣接して配置された黒表示の画素1120Bと白表示の画素1120Wとの間のリーク経路LPが示されている。
なお、以下の説明では第1の制御線S1にハイレベル(高電位)が入力され、第2の制御線S2にローレベル(低電位)が入力されているものとする。また、図22において構成要素の符号に付した添字「B」「W」は、図20における添字と同様のものである。
FIG. 22 is an explanatory diagram showing a leak path between adjacent pixels in the electrophoretic display device having the pixel 1120. FIG. 22 shows a leak path LP between the black display pixel 1120B and the white display pixel 1120W arranged adjacent to each other.
In the following description, it is assumed that a high level (high potential) is input to the first control line S1, and a low level (low potential) is input to the second control line S2. Also, the suffixes “B” and “W” attached to the reference numerals of the components in FIG. 22 are the same as the suffixes in FIG.

黒表示の画素1120Bでは、ラッチ回路25にローレベルの画像データが入力されている。この場合、ラッチ回路25の入力端子N1がローレベル、出力端子N2がハイレベルとなるので、トランスミッションゲートTG1Bがオンする。これにより、画素電極21に第1の制御線S1からハイレベルが入力されている。
一方、白表示の画素1120Wでは、ラッチ回路25にハイレベルの画像データが入力されている。この場合、ラッチ回路25の入力端子N1がハイレベル、出力端子N2がローレベルとなるので、トランスミッションゲートTG2Wがオンする。これにより、画素電極21に第2の制御線S2からローレベルが入力されている。
In the black display pixel 1120 </ b> B, low-level image data is input to the latch circuit 25. In this case, since the input terminal N1 of the latch circuit 25 is at a low level and the output terminal N2 is at a high level, the transmission gate TG1B is turned on. Thereby, a high level is input to the pixel electrode 21 from the first control line S1.
On the other hand, in the white display pixel 1120 </ b> W, high level image data is input to the latch circuit 25. In this case, since the input terminal N1 of the latch circuit 25 is at a high level and the output terminal N2 is at a low level, the transmission gate TG2W is turned on. Thereby, a low level is inputted to the pixel electrode 21 from the second control line S2.

図22に示すように、ハイレベルの画素電極21Bとローレベルの画素電極21Wとが隣接していると、これらの電位差による横方向の電界が生じ、画素1120B、1120Wの間に矢印で示すリーク経路LPが形成される。すなわち、画素1120B側の第1の制御線S1から、トランスミッションゲートTG1B、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、及びトランスミッションゲートTG2Wを経由して、第2の制御線S2に至る経路のリーク電流が発生する。
なお、第1の制御線S1の電位と第2の制御線S2の電位とを入れ替えると、リーク経路は逆向きになる。
As shown in FIG. 22, when the high-level pixel electrode 21B and the low-level pixel electrode 21W are adjacent to each other, a horizontal electric field is generated due to the potential difference therebetween, and leakage indicated by an arrow between the pixels 1120B and 1120W. A path LP is formed. That is, a path from the first control line S1 on the pixel 1120B side to the second control line S2 via the transmission gate TG1B, the pixel electrode 21B, the adhesive layer 30, the pixel electrode 21W, and the transmission gate TG2W. Leakage current is generated.
Note that when the potential of the first control line S1 and the potential of the second control line S2 are interchanged, the leak path is reversed.

以上説明したように、図19及び図21に示した2種類の画素構成のいずれにおいても接着剤層30を介した画素間のリーク電流が生じる。そして、わずかな水分などの影響によりリーク電流が生じるということは、画素電極21と接着剤層30との間において電気化学的反応が生じる可能性を示す。すなわち、画素電極の信頼性を損なうイオン性マイグレーションや腐食が発生してしまう恐れがあった。画素電極の形成材料に金、白金などの貴金属を用いれば信頼性は向上するが、貴金属を用いることはコストの増大、製造工程の複雑化を招くため、信頼性を高めながら製造コストを抑制することが困難であった。   As described above, in any of the two types of pixel configurations shown in FIGS. 19 and 21, a leak current between pixels is generated via the adhesive layer 30. The fact that a leak current is generated due to the influence of a slight amount of moisture indicates the possibility that an electrochemical reaction occurs between the pixel electrode 21 and the adhesive layer 30. That is, ionic migration or corrosion that impairs the reliability of the pixel electrode may occur. If noble metals such as gold and platinum are used as the material for forming the pixel electrode, the reliability is improved. However, using noble metals increases the cost and complicates the manufacturing process, so that the manufacturing cost is suppressed while increasing the reliability. It was difficult.

本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、画素間のリーク電流を抑え、信頼性を向上させた電気泳動表示装置、及び電子機器を提供することを目的の1つとする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides an electrophoretic display device and an electronic apparatus that can suppress leakage current between pixels and improve reliability.

本発明の電気泳動表示装置は、上記課題を解決するために、一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなり、一方の前記基板には画素ごとに画素電極が形成され、他方の前記基板には複数の前記画素に共通の共通電極が形成された電気泳動表示装置であって、前記画素ごとに、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に順方向に接続されたダイオードと、前記画素電極と定電位配線との間に接続されたスイッチングトランジスタと、を有することを特徴とする。
この構成によれば、画素電極に向かって順方向のダイオードが設けられているので、画素電極から画素スイッチング素子への逆電流をダイオードによって遮断することができる。なお、この場合には、画素電極から画素スイッチング素子を介して配線等に通じるリーク経路が遮断されるため、リーク経路は、画素電極からスイッチングトランジスタを介して定電位配線に通じる経路となる。しかし、スイッチングトランジスタは画素電極に対する低電位の供給や画素電極からの電荷の引き抜きに用いられるものであるため、高抵抗のものを用いることができる。よって、本発明の構成では、従来の画素回路におけるラッチ回路やトランスミッションゲートを介したリーク経路よりも高抵抗のリーク経路となるので、リーク電流が低減される。また、リーク電流の低減によってリーク電流に起因する画素電極の信頼性低下を防止することができる。
したがって本発明によれば、消費電力を低減でき、信頼性にも優れた電気泳動表示装置を提供することができる。
In order to solve the above problems, an electrophoretic display device according to the present invention includes an electrophoretic element including electrophoretic particles sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode is formed for each pixel on one of the substrates. An electrophoretic display device in which a common electrode common to a plurality of the pixels is formed on the other substrate, wherein each pixel includes a pixel switching element and a gap between the pixel switching element and the pixel electrode. And a switching transistor connected between the pixel electrode and the constant potential wiring.
According to this configuration, since the forward diode is provided toward the pixel electrode, the reverse current from the pixel electrode to the pixel switching element can be blocked by the diode. In this case, since the leak path leading from the pixel electrode to the wiring or the like via the pixel switching element is blocked, the leak path becomes a path leading from the pixel electrode to the constant potential wiring via the switching transistor. However, since the switching transistor is used to supply a low potential to the pixel electrode or to extract charges from the pixel electrode, a switching transistor having a high resistance can be used. Therefore, in the configuration of the present invention, the leakage path is higher in resistance than the leakage path via the latch circuit and the transmission gate in the conventional pixel circuit, so that the leakage current is reduced. In addition, a reduction in leakage current can prevent a decrease in pixel electrode reliability due to the leakage current.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an electrophoretic display device that can reduce power consumption and has high reliability.

前記画素スイッチング素子と前記ダイオードとの間にメモリ回路が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、画素に入力された画像データをメモリ回路に保持することができるので、画素に対するデータ入力を行わなくても画素電極への電位の供給を継続させることができる。また、メモリ回路と画素電極との間にダイオードが配置されるので、画素電極からメモリ回路への逆電流をダイオードによって遮断することができ、逆電流がメモリ回路の保持データに影響するのを防止することができる。
Preferably, a memory circuit is provided between the pixel switching element and the diode.
According to this configuration, since the image data input to the pixel can be held in the memory circuit, the potential supply to the pixel electrode can be continued without performing data input to the pixel. In addition, since a diode is arranged between the memory circuit and the pixel electrode, the reverse current from the pixel electrode to the memory circuit can be blocked by the diode, and the reverse current can be prevented from affecting the data retained in the memory circuit. can do.

前記メモリ回路が複数の電界効果トランジスタを有するラッチ回路であり、前記スイッチングトランジスタのオン抵抗が前記メモリ回路を構成する前記電界効果トランジスタのオン抵抗より大きいことが好ましい。
メモリ回路と画素電極との間にダイオードを備えていない従来の回路構成(図19)では、メモリ回路が隣接画素間のリーク経路となる。これに対して、本発明の電気泳動表示装置では、メモリ回路と画素電極との間のダイオードにより逆電流が遮断されるため、スイッチングトランジスタが隣接画素間のリーク経路となる。
そこで、本構成のように、リセットトランジスタのオン抵抗を、メモリ回路の電界効果トランジスタのオン抵抗より大きくすれば、少なくとも従来の電気泳動表示装置よりもリーク電流は低減される。本発明では、スイッチングトランジスタは、低電位入力又は電荷引き抜きに用いられるため、メモリ回路を構成する電界効果トランジスタよりも設計の自由度が大きく、オン抵抗を大きくしやすいという利点もある。
Preferably, the memory circuit is a latch circuit having a plurality of field effect transistors, and the on-resistance of the switching transistor is larger than the on-resistance of the field effect transistor constituting the memory circuit.
In the conventional circuit configuration (FIG. 19) that does not include a diode between the memory circuit and the pixel electrode, the memory circuit becomes a leak path between adjacent pixels. On the other hand, in the electrophoretic display device of the present invention, since the reverse current is blocked by the diode between the memory circuit and the pixel electrode, the switching transistor becomes a leakage path between adjacent pixels.
Therefore, when the on-resistance of the reset transistor is made larger than the on-resistance of the field effect transistor of the memory circuit as in this configuration, the leakage current is reduced at least as compared with the conventional electrophoretic display device. In the present invention, since the switching transistor is used for low-potential input or charge extraction, there are advantages in that the degree of freedom of design is greater than that of the field effect transistor constituting the memory circuit, and the on-resistance is easily increased.

前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記メモリ回路の入力端子に接続されている構成とすることができる。
メモリ回路としてラッチ回路を備えた構成では、メモリ回路は入力信号の反転信号を出力する。すなわち、メモリ回路の入力端子にローレベルが入力された場合には、出力端子からハイレベルが出力され、ハイレベルが入力された場合にはローレベルが出力される。そこで、本構成のようにスイッチングトランジスタのゲート端子をメモリ回路の入力端子と接続しておくことで、メモリ回路からローレベルが出力されるときにスイッチングトランジスタがオンされ、メモリ回路からハイレベルが出力されるときにはスイッチングトランジスタがオフされるように動作させることができる。
これにより、画素電極にハイレベルを入力する際には、スイッチングトランジスタがオフ状態となるので、メモリ回路の出力端子からダイオードを介して画素電極に確実にハイレベルを入力することができる。一方、画素電極にローレベルを入力する際には、スイッチングトランジスタがオン状態となるので、画素電極と定電位配線とが接続され、画素電極にローレベルを入力することがきる。
したがって本発明によれば、画素スイッチング素子を介してメモリ回路に入力された画像データに基づいた電位を確実に画素電極に入力することができる。
The gate terminal of the switching transistor may be connected to the input terminal of the memory circuit.
In a configuration including a latch circuit as a memory circuit, the memory circuit outputs an inverted signal of the input signal. That is, when a low level is input to the input terminal of the memory circuit, a high level is output from the output terminal, and when a high level is input, a low level is output. Therefore, by connecting the gate terminal of the switching transistor to the input terminal of the memory circuit as in this configuration, the switching transistor is turned on when the low level is output from the memory circuit, and the high level is output from the memory circuit. When it is done, the switching transistor can be operated to be turned off.
Thus, when a high level is input to the pixel electrode, the switching transistor is turned off, so that the high level can be reliably input to the pixel electrode from the output terminal of the memory circuit via the diode. On the other hand, when a low level is input to the pixel electrode, the switching transistor is turned on, so that the pixel electrode and the constant potential wiring are connected and the low level can be input to the pixel electrode.
Therefore, according to the present invention, a potential based on image data input to the memory circuit via the pixel switching element can be reliably input to the pixel electrode.

前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記画素スイッチング素子のゲート端子と共通の走査線に接続されている構成とすることもできる。
この構成によれば、スイッチングトランジスタと画素スイッチング素子は走査線を介した選択信号の入力によって同期して動作することになる。すなわち、スイッチングトランジスタは、画素スイッチング素子を介して画像データが入力される期間(データ入力期間)以外はオフ状態となる。
したがって、本発明の構成によれば、ダイオードによって画素回路へのリーク経路が遮断されるのに加えて、画素電極から定電位配線に至るリーク経路も、データ入力期間以外はオフ状態に保持されるスイッチングトランジスタによって遮断されることになる。このように本発明によれば、隣接画素間のリーク電流をなくすことができ、消費電力を低減するとともに、信頼性を向上させた電気泳動表示装置を提供することができる。
The gate terminal of the switching transistor may be connected to a common scanning line with the gate terminal of the pixel switching element.
According to this configuration, the switching transistor and the pixel switching element operate in synchronization by the selection signal input via the scanning line. That is, the switching transistor is in an off state except for a period during which image data is input via the pixel switching element (data input period).
Therefore, according to the configuration of the present invention, in addition to blocking the leakage path to the pixel circuit by the diode, the leakage path from the pixel electrode to the constant potential wiring is also kept in the off state except during the data input period. It is interrupted by the switching transistor. As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electrophoretic display device that can eliminate a leakage current between adjacent pixels, reduce power consumption, and improve reliability.

また、前記スイッチングトランジスタのゲート端子と接続されたリセット線を有する構成とすることもできる。
この構成によれば、スイッチングトランジスタは走査線とは独立したリセット線に接続されるため、スイッチングトランジスタを画素スイッチング素子とは独立に制御することができる。したがって、スイッチングトランジスタによって画素電極から電荷を引き抜く動作を確実に実行することができ、入力された画像データに基づく電位を画素電極に対して確実に入力することができる。よって本発明によれば、動作信頼性にも優れた電気泳動表示装置を提供することができる。
Moreover, it can also be set as the structure which has the reset line connected with the gate terminal of the said switching transistor.
According to this configuration, since the switching transistor is connected to the reset line independent of the scanning line, the switching transistor can be controlled independently of the pixel switching element. Therefore, the operation of extracting the charge from the pixel electrode by the switching transistor can be surely executed, and the potential based on the input image data can be reliably input to the pixel electrode. Therefore, according to the present invention, an electrophoretic display device excellent in operation reliability can be provided.

前記メモリ回路と前記ダイオードとの間に、第1及び第2の制御線と接続された電位制御用スイッチ回路が設けられている構成とすることもできる。
この構成によれば、画素スイッチング素子を介して入力された画像データに基づいて電位制御用スイッチ回路を動作させることで、画素電極と電気的に接続する第1の制御線又は第2の制御線を選択できる。これにより、画素電極の電位を容易に制御できる電気泳動表示装置とすることができる。
そして、電位制御用スイッチ回路と画素電極との間にダイオードが配置されるので、画素電極から電位制御用スイッチ回路を経由して第1又は第2の制御線に至る逆電流の経路を遮断することができる。したがって、隣接画素間のリーク電流を低減し、信頼性も向上させた電気泳動表示装置を提供することができる。
A potential control switch circuit connected to the first and second control lines may be provided between the memory circuit and the diode.
According to this configuration, the first control line or the second control line that is electrically connected to the pixel electrode by operating the potential control switch circuit based on the image data input through the pixel switching element. Can be selected. Accordingly, an electrophoretic display device that can easily control the potential of the pixel electrode can be obtained.
Since the diode is arranged between the potential control switch circuit and the pixel electrode, the reverse current path from the pixel electrode to the first or second control line via the potential control switch circuit is cut off. be able to. Therefore, it is possible to provide an electrophoretic display device in which leakage current between adjacent pixels is reduced and reliability is improved.

前記電位制御用スイッチ回路は第1及び第2のトランスミッションゲートを有し、前記第1のトランスミッションゲートに前記第1の制御線が接続され、前記第2のトランスミッションゲートには前記第2の制御線が接続されており、前記第1及び第2のトランスミッションゲートのそれぞれに対応して前記ダイオードが設けられていることが好ましい。
この構成によれば、画素電極に対して接続された第1及び第2のトランスミッションゲートを備える場合に、一方のトランスミッションゲートから他方のトランスミッションゲートへの逆電流を防止することができるので、同一画素内のリーク経路を遮断することができ、消費電力を抑えることができる。
The potential control switch circuit includes first and second transmission gates, the first control line is connected to the first transmission gate, and the second control line is connected to the second transmission gate. Are connected, and the diode is preferably provided corresponding to each of the first and second transmission gates.
According to this configuration, when the first and second transmission gates connected to the pixel electrode are provided, the reverse current from one transmission gate to the other transmission gate can be prevented. The internal leakage path can be cut off and power consumption can be suppressed.

前記画素スイッチング素子を介して前記メモリ回路に画像データを入力するデータ入力期間と、前記メモリ回路の出力に基づき前記電気泳動素子を駆動して画像を表示する画像表示期間とを有しており、前記メモリ回路に電源電圧を供給する高電位電源線と低電位電源線とが接続されており、前記画像表示期間における前記低電位電源線の電位が前記データ入力期間における電位よりも高く設定されていることが好ましい。
本発明に係る電気泳動表示装置では、メモリ回路と画素電極との間にダイオードが設けられているため、メモリ回路から出力される電位がダイオードのしきい電圧以下であるとダイオードが動作せず、画素電極の電位がメモリ回路の出力に応じた電位とならない。そこで、画像表示期間における低電位電源線の電位を上昇させることで、ダイオードが確実に動作するようなるので、メモリ回路に保持されている画像データに対応する電位を画素電極に入力することができる。
A data input period for inputting image data to the memory circuit via the pixel switching element, and an image display period for displaying the image by driving the electrophoretic element based on the output of the memory circuit, A high potential power supply line and a low potential power supply line for supplying a power supply voltage to the memory circuit are connected, and the potential of the low potential power supply line in the image display period is set higher than the potential in the data input period. Preferably it is.
In the electrophoretic display device according to the present invention, since the diode is provided between the memory circuit and the pixel electrode, the diode does not operate when the potential output from the memory circuit is lower than the threshold voltage of the diode, The potential of the pixel electrode does not become a potential corresponding to the output of the memory circuit. Therefore, by raising the potential of the low-potential power supply line during the image display period, the diode operates reliably, so that the potential corresponding to the image data held in the memory circuit can be input to the pixel electrode. .

本発明の電子機器は、前記電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする。かかる構成によれば、消費電力が小さく、信頼性にも優れた表示部を具備した電子機器を提供することができる。   An electronic apparatus according to the present invention includes the electrophoretic display device. According to such a configuration, it is possible to provide an electronic device including a display unit with low power consumption and excellent reliability.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
なお、本実施形態では、アクティブマトリクス方式により駆動される電気泳動表示装置について説明する。また以下の各実施形態は、それぞれ本発明の一態様を示すものであって、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the present embodiment, an electrophoretic display device driven by an active matrix method will be described. Each of the following embodiments shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each configuration easy to understand, the actual structure is different from the scale and number of each structure.

[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電気泳動表示装置1の概略を示す平面図である。電気泳動表示装置1は、複数の画素20が配列された表示部3と、走査線駆動回路60と、データ線駆動回路70とを備えている。
表示部3には、走査線駆動回路60から延びる複数の走査線40(Y1、Y2、…、Ym)と、データ線駆動回路70から延びる複数のデータ線50(X1、X2、…、Xn)とが形成されている。走査線40とデータ線50との交差部に対応して、これらの配線と接続された画素20が設けられている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a plan view schematically showing an electrophoretic display device 1 according to the first embodiment of the present invention. The electrophoretic display device 1 includes a display unit 3 in which a plurality of pixels 20 are arranged, a scanning line driving circuit 60, and a data line driving circuit 70.
The display unit 3 includes a plurality of scanning lines 40 (Y1, Y2,..., Ym) extending from the scanning line driving circuit 60 and a plurality of data lines 50 (X1, X2,..., Xn) extending from the data line driving circuit 70. And are formed. Corresponding to the intersection of the scanning line 40 and the data line 50, the pixel 20 connected to these wirings is provided.

図2は、画素20の回路構成を示す図である。
図2に示すように、画素20には、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、ダイオード10と、スイッチングトランジスタ15と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とが設けられている。
なお、図19に示した画素1020は、図2に示す画素20からダイオード10とスイッチングトランジスタ15とを省略したものに相当する。
FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel 20.
As shown in FIG. 2, the pixel 20 includes a pixel switching element 24, a latch circuit (memory circuit) 25, a diode 10, a switching transistor 15, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. And are provided.
Note that the pixel 1020 illustrated in FIG. 19 corresponds to the pixel 20 illustrated in FIG. 2 in which the diode 10 and the switching transistor 15 are omitted.

画素スイッチング素子24は、電界効果型のN型トランジスタである。画素スイッチング素子24のゲート端子に走査線40が接続され、ソース端子にデータ線50が接続されている。画素スイッチング素子24のドレイン端子に、ラッチ回路25の入力端子N1が接続されている。   The pixel switching element 24 is a field effect N-type transistor. The scanning line 40 is connected to the gate terminal of the pixel switching element 24, and the data line 50 is connected to the source terminal. The input terminal N1 of the latch circuit 25 is connected to the drain terminal of the pixel switching element 24.

ラッチ回路25は、転送インバータ25aと帰還インバータ25bとを有しており、SRAM(Static Random Access Memory)セルに相当する回路である。すなわち本実施形態に係る画素20は、ラッチ回路25に画像データを電位として保持するSRAM方式の構成である。
転送インバータ25aの出力端子は帰還インバータ25bの入力端子と接続されており、帰還インバータ25bの出力端子は転送インバータ25aの入力端子と接続されている。すなわち、転送インバータ25aと帰還インバータ25bとは、互いの入力端子に他方の出力端子を接続したループ構造になっている。
そして、転送インバータ25aの入力端子(帰還インバータ25bの出力端子)がラッチ回路25の入力端子N1となっており、転送インバータ25aの出力端子(帰還インバータ25bの入力端子)がラッチ回路25の出力端子N2となっている。ラッチ回路25の高電位電源端子N3は高電位電源線58と接続され、低電位電源端子N4は低電位電源線57と接続されている。
The latch circuit 25 includes a transfer inverter 25a and a feedback inverter 25b, and is a circuit corresponding to an SRAM (Static Random Access Memory) cell. That is, the pixel 20 according to the present embodiment has an SRAM configuration in which image data is held in the latch circuit 25 as a potential.
The output terminal of the transfer inverter 25a is connected to the input terminal of the feedback inverter 25b, and the output terminal of the feedback inverter 25b is connected to the input terminal of the transfer inverter 25a. That is, the transfer inverter 25a and the feedback inverter 25b have a loop structure in which the other output terminal is connected to each other's input terminal.
The input terminal of the transfer inverter 25a (the output terminal of the feedback inverter 25b) is the input terminal N1 of the latch circuit 25, and the output terminal of the transfer inverter 25a (the input terminal of the feedback inverter 25b) is the output terminal of the latch circuit 25. N2. The high potential power supply terminal N3 of the latch circuit 25 is connected to the high potential power supply line 58, and the low potential power supply terminal N4 is connected to the low potential power supply line 57.

転送インバータ25aは、N型トランジスタ51とP型トランジスタ52とを有している。N型トランジスタ51及びP型トランジスタ52のゲート端子は、ラッチ回路25の入力端子N1と接続されている。N型トランジスタ51のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は出力端子N2と接続されている。P型トランジスタのソース端子は高電位電源線58と接続され、ドレイン端子は出力端子N2と接続されている。   The transfer inverter 25 a includes an N-type transistor 51 and a P-type transistor 52. The gate terminals of the N-type transistor 51 and the P-type transistor 52 are connected to the input terminal N 1 of the latch circuit 25. The source terminal of the N-type transistor 51 is connected to the low potential power line 57, and the drain terminal is connected to the output terminal N2. The source terminal of the P-type transistor is connected to the high potential power supply line 58, and the drain terminal is connected to the output terminal N2.

帰還インバータ25bは、N型トランジスタ53とP型トランジスタ54とを有している。N型トランジスタ53及びP型トランジスタ54のゲート端子は、ラッチ回路25の出力端子N2(N型トランジスタ51及びP型トランジスタ52のドレイン端子)と接続されている。N型トランジスタ53のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は入力端子N1と接続されている。P型トランジスタ54のソース端子は高電位電源線58と接続され、ドレイン端子は入力端子N1と接続されている。   The feedback inverter 25 b has an N-type transistor 53 and a P-type transistor 54. The gate terminals of the N-type transistor 53 and the P-type transistor 54 are connected to the output terminal N2 of the latch circuit 25 (the drain terminals of the N-type transistor 51 and the P-type transistor 52). The source terminal of the N-type transistor 53 is connected to the low potential power line 57, and the drain terminal is connected to the input terminal N1. The source terminal of the P-type transistor 54 is connected to the high potential power supply line 58, and the drain terminal is connected to the input terminal N1.

ダイオード10は、ラッチ回路25と画素電極21との間に接続されている。具体的には、ラッチ回路25の出力端子N2とダイオード10のアノード端子が接続され、ダイオードのカソード端子と画素電極21とが接続されている。したがってダイオード10は、ラッチ回路25から画素電極21へ順方向に接続されている。   The diode 10 is connected between the latch circuit 25 and the pixel electrode 21. Specifically, the output terminal N2 of the latch circuit 25 and the anode terminal of the diode 10 are connected, and the cathode terminal of the diode and the pixel electrode 21 are connected. Therefore, the diode 10 is connected in the forward direction from the latch circuit 25 to the pixel electrode 21.

スイッチングトランジスタ15は電界効果型のN型トランジスタである。スイッチングトランジスタのソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は画素電極21と接続されている。スイッチングトランジスタ15のゲート端子はラッチ回路25の入力端子N1と接続されている。また本実施形態において、スイッチングトランジスタ15のオン抵抗は、画素電極21の電位制御に支障を生じない範囲で、ラッチ回路25を構成するN型トランジスタ51のオン抵抗よりも大きく設定されている。   The switching transistor 15 is a field effect N-type transistor. The source terminal of the switching transistor is connected to the low potential power supply line 57, and the drain terminal is connected to the pixel electrode 21. The gate terminal of the switching transistor 15 is connected to the input terminal N 1 of the latch circuit 25. In the present embodiment, the on-resistance of the switching transistor 15 is set to be larger than the on-resistance of the N-type transistor 51 constituting the latch circuit 25 within a range that does not hinder the potential control of the pixel electrode 21.

以上の構成を有する画素20において、ラッチ回路25にローレベルが入力されると、入力端子N1はローレベル、出力端子N2はハイレベルとなる。出力端子N2と接続されたダイオード10は、出力端子N2から画素電極21に向かって順方向に接続されているので、ダイオード10に電流が流れて画素電極21にハイレベルが入力される。
このとき、スイッチングトランジスタ15のゲート端子には、入力端子N1からローレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15はオフ状態となっている。したがって、画素電極21と低電位電源線57が接続されることはなく、画素電極21の電位はハイレベルに保持される。
In the pixel 20 having the above configuration, when a low level is input to the latch circuit 25, the input terminal N1 is at a low level and the output terminal N2 is at a high level. Since the diode 10 connected to the output terminal N2 is connected in the forward direction from the output terminal N2 toward the pixel electrode 21, a current flows through the diode 10 and a high level is input to the pixel electrode 21.
At this time, since the low level is input to the gate terminal of the switching transistor 15 from the input terminal N1, the switching transistor 15 is in an OFF state. Therefore, the pixel electrode 21 and the low-potential power supply line 57 are not connected, and the potential of the pixel electrode 21 is held at a high level.

一方、ラッチ回路25にハイレベルが入力されると、入力端子N1はハイレベル、出力端子N2はローレベルとなる。したがって、出力端子N2と接続されたダイオード10のアノード端子にローレベルが入力され、カソード端子との電位差が生じない状態となるので、ダイオード10はオフ状態となる。その一方で、スイッチングトランジスタ15のゲート端子には、出力端子N2からハイレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15がオン状態となる。したがって、画素電極21には、スイッチングトランジスタ15を介して低電位電源線57からローレベルが入力される。
以上説明したように、画素電極21には、ラッチ回路25に入力された画像データに基づいた電位が入力される。
On the other hand, when a high level is input to the latch circuit 25, the input terminal N1 is at a high level and the output terminal N2 is at a low level. Accordingly, a low level is input to the anode terminal of the diode 10 connected to the output terminal N2, and no potential difference from the cathode terminal occurs, so the diode 10 is turned off. On the other hand, since the high level is input to the gate terminal of the switching transistor 15 from the output terminal N2, the switching transistor 15 is turned on. Therefore, a low level is input to the pixel electrode 21 from the low potential power supply line 57 via the switching transistor 15.
As described above, the potential based on the image data input to the latch circuit 25 is input to the pixel electrode 21.

図3は、表示部3における電気泳動表示装置1の部分断面図である。電気泳動表示装置1は、素子基板28と対向基板29との間に、複数のマイクロカプセル80を配列してなる電気泳動素子23を挟持した構成を備えている。
表示部3において、素子基板28の電気泳動素子23側には複数の画素電極21が配列形成されており、電気泳動素子23は接着剤層30を介して画素電極21と接着されている。対向基板29の電気泳動素子23側には複数の画素電極21と対向する平面形状の共通電極22が形成されており、共通電極22上に電気泳動素子23が設けられている。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the electrophoretic display device 1 in the display unit 3. The electrophoretic display device 1 has a configuration in which an electrophoretic element 23 formed by arranging a plurality of microcapsules 80 is sandwiched between an element substrate 28 and a counter substrate 29.
In the display unit 3, a plurality of pixel electrodes 21 are arrayed on the electrophoretic element 23 side of the element substrate 28, and the electrophoretic elements 23 are bonded to the pixel electrodes 21 through an adhesive layer 30. A common electrode 22 having a planar shape facing the plurality of pixel electrodes 21 is formed on the counter substrate 29 on the electrophoretic element 23 side, and the electrophoretic element 23 is provided on the common electrode 22.

素子基板28は、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示面とは反対側に配置されるため透明なものでなくてもよい。図示は省略しているが、画素電極21と素子基板28との間には、図1、図2に示した走査線40、データ線50、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、ダイオード10、及びスイッチングトランジスタ15などが形成されている。   The element substrate 28 is a substrate made of glass, plastic, or the like, and is not necessarily transparent because it is disposed on the side opposite to the image display surface. Although not shown, between the pixel electrode 21 and the element substrate 28, the scanning line 40, the data line 50, the pixel switching element 24, the latch circuit 25, the diode 10, and the like shown in FIGS. A switching transistor 15 and the like are formed.

対向基板29はガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示側に配置されるため透明基板とされる。対向基板29上に形成された共通電極22は、MgAg(マグネシウム銀)、ITO(インジウム・スズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)等の透明導電材料を用いて形成されている。
なお、電気泳動素子23は、あらかじめ対向基板29側に形成され、接着剤層30までを含めた電気泳動シートとして取り扱われるのが一般的である。また、接着剤層30側には、保護用の剥離紙が貼り付けられている。
製造工程においては、別途製造された、画素電極21や前記回路などが形成された素子基板28に対して、剥離紙を剥がした当該電気泳動シートを貼り付けることによって、表示部3を形成している。このため、接着剤層30は画素電極21側のみに存在することになる。
The counter substrate 29 is a substrate made of glass, plastic, or the like, and is a transparent substrate because it is disposed on the image display side. The common electrode 22 formed on the counter substrate 29 is formed using a transparent conductive material such as MgAg (magnesium silver), ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide) or the like.
The electrophoretic element 23 is generally formed in advance on the counter substrate 29 side and is handled as an electrophoretic sheet including the adhesive layer 30. A protective release paper is attached to the adhesive layer 30 side.
In the manufacturing process, the display unit 3 is formed by attaching the electrophoretic sheet from which the release paper is peeled off to the separately manufactured element substrate 28 on which the pixel electrode 21 and the circuit are formed. Yes. For this reason, the adhesive layer 30 exists only on the pixel electrode 21 side.

図4は、マイクロカプセル80の模式断面図である。マイクロカプセル80は、例えば50μm程度の粒径を有しており、内部に分散媒81と、複数の白色粒子(電気泳動粒子)82と、複数の黒色粒子(電気泳動粒子)83とを封入した球状体である。マイクロカプセル80は、図3に示すように共通電極22と画素電極21とで挟持され、1つの画素20内に1つ又は複数のマイクロカプセル80が配置される。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the microcapsule 80. The microcapsule 80 has a particle size of about 50 μm, for example, and encloses therein a dispersion medium 81, a plurality of white particles (electrophoretic particles) 82, and a plurality of black particles (electrophoretic particles) 83. It is a spherical body. As shown in FIG. 3, the microcapsule 80 is sandwiched between the common electrode 22 and the pixel electrode 21, and one or a plurality of microcapsules 80 are arranged in one pixel 20.

マイクロカプセル80の外殻部(壁膜)は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成される。   The outer shell (wall film) of the microcapsule 80 is formed using a transparent polymer resin such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate or polyethyl methacrylate, urea resin, or gum arabic.

分散媒81は、白色粒子82と黒色粒子83とをマイクロカプセル80内に分散させる液体である。分散媒81としては、水、アルコール系溶媒(メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど)、脂肪族炭化水素(ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど)、脂環式炭化水素(シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類(キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど))、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンなど)、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独又は混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。   The dispersion medium 81 is a liquid that disperses the white particles 82 and the black particles 83 in the microcapsules 80. Examples of the dispersion medium 81 include water, alcohol solvents (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, octanol, methyl cellosolve, etc.), esters (ethyl acetate, butyl acetate, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc.) ), Aliphatic hydrocarbons (pentane, hexane, octane, etc.), alicyclic hydrocarbons (cyclohexane, methylcyclohexane, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, toluene, benzenes having a long-chain alkyl group ( Xylene, hexylbenzene, hebutylbenzene, octylbenzene, nonylbenzene, decylbenzene, undecylbenzene, dodecylbenzene, tridecylbenzene, tetradecylbenzene)), halogenated hydrocarbons (methylene chloride, chloroform, tetrachloride) Element, and 1,2-dichloroethane), can be exemplified a carboxylate, it may be other oils. These substances can be used alone or as a mixture, and a surfactant or the like may be further blended.

白色粒子82は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば負に帯電されて用いられる。黒色粒子83は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば正に帯電されて用いられる。
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
The white particles 82 are particles (polymer or colloid) made of a white pigment such as titanium dioxide, zinc white, and antimony trioxide, and are used, for example, by being negatively charged. The black particles 83 are particles (polymer or colloid) made of a black pigment such as aniline black or carbon black, and are used by being charged positively, for example.
These pigments include electrolytes, surfactants, metal soaps, resins, rubbers, oils, varnishes, compound charge control agents, titanium-based coupling agents, aluminum-based coupling agents, silanes as necessary. A dispersant such as a system coupling agent, a lubricant, a stabilizer, and the like can be added.

次に、本発明の電気泳動表示装置1の駆動方法と、電気泳動素子23の動作について説明する。
図5は、電気泳動表示装置1の駆動方法を示すタイミングチャートである。図6は、図5に示した駆動方法における白色粒子82、黒色粒子83の具体的動作を説明する図である。
Next, the driving method of the electrophoretic display device 1 of the present invention and the operation of the electrophoretic element 23 will be described.
FIG. 5 is a timing chart showing a driving method of the electrophoretic display device 1. FIG. 6 is a diagram for explaining specific operations of the white particles 82 and the black particles 83 in the driving method shown in FIG.

なお、以下の説明では、表示部3に配列された画素20のうち、黒表示される画素20Bと、白表示される画素20Wとについて説明する。したがって、図5及び図6では、説明の都合上、各符号に「B」「W」の添字を付して示すが、これらの添字は、当該構成要素が画素20B、20Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。   In the following description, among the pixels 20 arranged in the display unit 3, the pixel 20B that is displayed in black and the pixel 20W that is displayed in white will be described. Therefore, in FIG. 5 and FIG. 6, for convenience of explanation, each symbol is indicated by subscripts “B” and “W”, and these subscripts indicate whether the constituent element belongs to the pixel 20B or 20W. There is no other intention.

図5には、図2に示した走査線40、データ線50、高電位電源線58、低電位電源線57、共通電極22、画素20Bの画素電極21B、及び、画素20Wの画素電極21Wの経時的な電位変化を示している。図5における「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態となっていることを表している。
また図6には、黒表示の画素20Bと白表示の画素20Wのそれぞれにおける白色粒子82及び黒色粒子83の運動態様を示している。
なお、以下ではハイレベル及びローレベルの電位を具体的に示しつつ説明するが、これらの電位値は一例であり、適宜変更することができる。
FIG. 5 shows the scanning line 40, the data line 50, the high potential power supply line 58, the low potential power supply line 57, the common electrode 22, the pixel electrode 21B of the pixel 20B, and the pixel electrode 21W of the pixel 20W shown in FIG. It shows the potential change over time. “HiZ” in FIG. 5 represents a high impedance state that is electrically disconnected.
Further, FIG. 6 shows the movement mode of the white particles 82 and the black particles 83 in the black display pixel 20B and the white display pixel 20W, respectively.
In the following description, the high-level potential and the low-level potential will be described in detail, but these potential values are examples and can be changed as appropriate.

まず、図5に示すステップS11において、画素20の各配線を駆動回路と電気的に接続し、信号入力可能な状態とする。具体的には、走査線40にローレベル(0V)が入力され、高電位電源線58にハイレベル(5V)、低電位電源線57にローレベル(0V)がそれぞれ供給される。これにより、ラッチ回路25W、25Bが電源オン状態となり、データ線50から入力される画像データを記憶できる状態となる。   First, in step S11 shown in FIG. 5, each wiring of the pixel 20 is electrically connected to the drive circuit so that a signal can be input. Specifically, a low level (0 V) is input to the scanning line 40, a high level (5 V) is supplied to the high potential power supply line 58, and a low level (0 V) is supplied to the low potential power supply line 57. As a result, the latch circuits 25W and 25B are turned on, and the image data input from the data line 50 can be stored.

次に、ステップS12において、走査線40に選択信号(7Vのハイレベル)を入力する。これにより、画素スイッチング素子24がオンされ、データ線50からラッチ回路25に画像データが入力され、ラッチ回路25は入力された画像データを記憶する。
黒表示される画素20Bでは、画像データとしてローレベルが入力され、ラッチ回路25の出力端子N2Bから画素電極21Bにハイレベル(5V)が入力される。一方、白表示される画素20Wでは、画像データとしてハイレベルが入力され、ラッチ回路25の出力端子N2Wから画素電極21Wにローレベル(0V)が入力される。
なお、出力端子N2Wから出力されるローレベルの電位が、画素電極21Wの電位と同電位、あるいは画素電極21Wよりも低い電位である場合、リセットトランジスタ15がオフ状態となって出力端子N2Wからの出力がリセットトランジスタ15により遮断される場合がある。しかしこの場合にも、ラッチ回路25の入力端子N1Wから出力されるハイレベルの信号によってリセットトランジスタ15がオン状態となり、画素電極21Wと低電位電源線57とが同電位となるため、画素電極21Wはローレベルの電位となる。
Next, in step S12, a selection signal (high level of 7V) is input to the scanning line 40. As a result, the pixel switching element 24 is turned on, image data is input from the data line 50 to the latch circuit 25, and the latch circuit 25 stores the input image data.
In the pixel 20B displayed in black, a low level is input as image data, and a high level (5 V) is input from the output terminal N2B of the latch circuit 25 to the pixel electrode 21B. On the other hand, in the pixel 20W displayed in white, a high level is input as image data, and a low level (0 V) is input from the output terminal N2W of the latch circuit 25 to the pixel electrode 21W.
When the low level potential output from the output terminal N2W is the same potential as the potential of the pixel electrode 21W or lower than the pixel electrode 21W, the reset transistor 15 is turned off and the potential from the output terminal N2W is reduced. The output may be interrupted by the reset transistor 15. However, in this case as well, the reset transistor 15 is turned on by a high level signal output from the input terminal N1W of the latch circuit 25, and the pixel electrode 21W and the low-potential power supply line 57 have the same potential. Becomes a low level potential.

その後、ステップS13において、高電位電源線58の電位を5Vから15Vに引き上げる。低電位電源線57の電位は0Vのままである。これにより、黒表示される画素20Bにおいて、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力される電位がハイレベル(15V)に上昇するので、画素電極21Bの電位も5Vから15Vのハイレベルに上昇する。なお、白表示される画素20Wにおいて電位の変動は生じない。   Thereafter, in step S13, the potential of the high potential power supply line 58 is raised from 5V to 15V. The potential of the low potential power line 57 remains 0V. Thereby, in the pixel 20B displayed in black, the potential output from the output terminal N2B of the latch circuit 25B rises to a high level (15V), so the potential of the pixel electrode 21B also rises from 5V to 15V. Note that the potential does not vary in the pixel 20W that is displayed in white.

次に、ステップS14において、共通電極22には、ローレベル(0V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状の基準パルスを複数周期分(図では4周期分)入力する。
このような駆動方法を本願においては「コモン振り駆動」と呼ぶ。また、コモン振り駆動の定義としては、表示画像を書き替える期間において、共通電極22にハイレベル(H)の期間とローレベル(L)の期間とを繰り返すパルスが少なくとも1周期以上印加される駆動方法のことである。
このコモン振り駆動方法によれば、画素電極と共通電極とに印加する電位をハイレベル(H)とローレベル(L)との2値により制御可能であるため、低電圧化が図れるとともに、回路構成をシンプルにすることができる。また、各画素電極21(21B、21W)のスイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor)を用いた場合には、低電圧駆動によりTFTの信頼性を確保することができるというメリットがある。
Next, in step S14, a rectangular reference pulse that repeats a low level (0V) period and a high level (15V) period is input to the common electrode 22 for a plurality of periods (four periods in the figure).
This driving method is referred to as “common swing driving” in the present application. The common swing drive is defined as a drive in which at least one cycle of a pulse that repeats a high level (H) period and a low level (L) period is applied to the common electrode 22 in a period during which the display image is rewritten. It is a method.
According to this common swing driving method, the potential applied to the pixel electrode and the common electrode can be controlled by binary values of a high level (H) and a low level (L). The configuration can be simplified. Further, when a TFT (Thin Film Transistor) is used as the switching element of each pixel electrode 21 (21B, 21W), there is an advantage that the reliability of the TFT can be secured by low voltage driving.

ここで、図6を参照してコモン振り駆動における画素20B、20Wの動作について説明する。
図6(a)は、共通電極22にコモン振り駆動における一周期目のパルスのローレベル(L;0V)が印加されたときの態様を示している。
画素20Bにおいて、画素電極21Bにはハイレベル(H;15V)が印加され、共通電極22にローレベル(L;0V)が印加されている。したがって、画素電極21Bと共通電極22との間に縦方向の電界が形成され、正に帯電した黒色粒子83が共通電極22に引き寄せられる。その一方で、負に帯電した白色粒子82は画素電極21Bに引き寄せられる。
このとき、画素20Wでは、共通電極22と画素電極21Wがともにローレベル(L;0V)であるため、これらの電極間に電界は形成されず、したがって各粒子は移動しない。
Here, the operation of the pixels 20B and 20W in the common swing drive will be described with reference to FIG.
FIG. 6A shows a mode when the low level (L; 0 V) of the first cycle pulse in the common swing drive is applied to the common electrode 22.
In the pixel 20B, a high level (H; 15V) is applied to the pixel electrode 21B, and a low level (L; 0V) is applied to the common electrode 22. Therefore, a vertical electric field is formed between the pixel electrode 21 </ b> B and the common electrode 22, and the positively charged black particles 83 are attracted to the common electrode 22. On the other hand, the negatively charged white particles 82 are attracted to the pixel electrode 21B.
At this time, in the pixel 20W, since the common electrode 22 and the pixel electrode 21W are both at a low level (L; 0V), an electric field is not formed between these electrodes, and thus each particle does not move.

図6(b)は、共通電極22に一周期目のパルスにおけるハイレベル(H;15V)が印加されたときの態様を示している。
画素20Wにおいて、画素電極21Wにはローレベル(0V)が印加され、共通電極22にハイレベル(15V)が印加されている。したがって、画素電極21Wと共通電極22との間に縦方向の電界が形成され、負に帯電した白色粒子82が共通電極22に引き寄せられる。その一方で、正に帯電した黒色粒子83は画素電極21Wに引き寄せられる。
このとき、画素20Bでは、共通電極22と画素電極21Bがともにハイレベル(15V)であるため、これらの電極間に電界は形成されず、したがって各粒子は移動しない。
FIG. 6B shows a mode when a high level (H; 15 V) in the first cycle pulse is applied to the common electrode 22.
In the pixel 20 </ b> W, a low level (0 V) is applied to the pixel electrode 21 </ b> W, and a high level (15 V) is applied to the common electrode 22. Accordingly, a vertical electric field is formed between the pixel electrode 21 </ b> W and the common electrode 22, and the negatively charged white particles 82 are attracted to the common electrode 22. On the other hand, the positively charged black particles 83 are attracted to the pixel electrode 21W.
At this time, in the pixel 20B, since both the common electrode 22 and the pixel electrode 21B are at a high level (15 V), an electric field is not formed between these electrodes, and thus each particle does not move.

図6(c)は、コモン振り駆動における一周期のパルスが印加された直後の態様を示している。
画素20Bにおいては、共通電極22側に黒色粒子83が集まり、画素電極21B側に白色粒子82が集まっているため、表示面となる共通電極22側の黒表示が観察される。
画素20Wにおいては、共通電極22側に白色粒子82が集まり、画素電極21W側に黒色粒子83が集まっているため、表示面となる共通電極22側の白表示が観察される。
以上が、一周期のパルスにおける駆動態様であるが、これを複数周期行なうことにより、白色粒子82、および黒色粒子83の移動が、より確実になされるため、コントラストを高めることができる。なお、コモン振り駆動の周期数、および周波数は、電気泳動素子の仕様や特性に応じて適宜定めることが好ましい。
FIG. 6C shows a mode immediately after a pulse of one period in the common swing drive is applied.
In the pixel 20B, the black particles 83 gather on the common electrode 22 side and the white particles 82 gather on the pixel electrode 21B side, so that a black display on the common electrode 22 side serving as a display surface is observed.
In the pixel 20W, the white particles 82 are gathered on the common electrode 22 side and the black particles 83 are gathered on the pixel electrode 21W side. Therefore, white display on the common electrode 22 side serving as a display surface is observed.
The above is the driving mode in one cycle pulse. By performing this for a plurality of cycles, the movement of the white particles 82 and the black particles 83 can be performed more reliably, so that the contrast can be increased. Note that the number and frequency of the common swing drive are preferably determined as appropriate according to the specifications and characteristics of the electrophoretic element.

なお、白色粒子82、黒色粒子83に用いる顔料を、例えば赤色、緑色、青色などの顔料に代えることで、表示部3に赤色、緑色、青色などを表示することができる。   In addition, red, green, blue, etc. can be displayed on the display part 3 by replacing the pigment used for the white particle 82 and the black particle 83 with pigments, such as red, green, and blue, for example.

以上のステップS14における画像表示動作が終了すると、図5に示すように、ステップS15に移行する。ステップS15では、高電位電源線58と、低電位電源線57と、走査線40とがハイインピーダンス状態となって、各回路がオフ状態となる。したがって、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態となる。   When the image display operation in step S14 is completed, the process proceeds to step S15 as shown in FIG. In step S15, the high potential power supply line 58, the low potential power supply line 57, and the scanning line 40 are in a high impedance state, and each circuit is in an off state. Accordingly, the pixel electrodes 21W and 21B are also in a high impedance state.

以上のステップS11からS15により、各画素20における白表示及び黒表示を行うことができる。そして、ステップS11〜S15を繰り返すことで、表示画像を順次更新することができる。   Through the above steps S11 to S15, white display and black display in each pixel 20 can be performed. And a display image can be updated sequentially by repeating step S11-S15.

(リーク電流)
次に、電気泳動表示装置1における隣接画素間のリーク電流について説明する。
図7は、隣接画素間のリーク経路の説明図である。図7には、黒表示の画素20Bと白表示の画素20Wとが隣接して配置された場合におけるリーク経路が示されている。
なお、図7において、各符号に付した「B」「W」の添字は、当該構成要素が画素20B、20Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。
(Leakage current)
Next, a leakage current between adjacent pixels in the electrophoretic display device 1 will be described.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a leak path between adjacent pixels. FIG. 7 shows a leak path when the black display pixel 20B and the white display pixel 20W are arranged adjacent to each other.
In FIG. 7, the subscripts “B” and “W” attached to each reference sign clarify whether the constituent element belongs to the pixel 20B or 20W, and have no other meaning.

黒表示の画素20Bの画素電極21Bにはハイレベルが入力されている。このとき、ラッチ回路25Bの入力端子N1Bにはローレベルが画像データとして入力されているので、P型トランジスタ52Bがオンしており、出力端子N2Bはハイレベルとなっている。したがって、出力端子N2Bからダイオード10Bを介して画素電極21Bにハイレベルが入力されている。
また、スイッチングトランジスタ15Bのゲート端子に入力端子N1Bからローレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15Bがオフ状態となって、低電位電源線57と画素電極21Bとが電気的に切断されている。
A high level is input to the pixel electrode 21B of the black display pixel 20B. At this time, since the low level is inputted as the image data to the input terminal N1B of the latch circuit 25B, the P-type transistor 52B is turned on and the output terminal N2B is at the high level. Accordingly, a high level is input from the output terminal N2B to the pixel electrode 21B via the diode 10B.
Further, since the low level is input from the input terminal N1B to the gate terminal of the switching transistor 15B, the switching transistor 15B is turned off, and the low-potential power line 57 and the pixel electrode 21B are electrically disconnected.

一方、白表示の画素20Wの画素電極21Wにはローレベルが入力されている。このとき、ラッチ回路25Wの入力端子N1Wにはハイレベルが画像データとして入力されているので、N型トランジスタ51Wがオンしており、出力端子N2Wはローレベルとなっている。また、スイッチングトランジスタ15Wのゲート端子にハイレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15Wがオン状態となって、低電位電源線57と画素電極21Wとが電気的に接続されている。   On the other hand, a low level is input to the pixel electrode 21W of the white display pixel 20W. At this time, since the high level is inputted as image data to the input terminal N1W of the latch circuit 25W, the N-type transistor 51W is on and the output terminal N2W is at the low level. Further, since a high level is input to the gate terminal of the switching transistor 15W, the switching transistor 15W is turned on, and the low potential power line 57 and the pixel electrode 21W are electrically connected.

このような条件においても、画素電極21B、21Wの電位差により横方向の電界が形成されると、接着剤層30に含まれるわずかな水分などの影響により、接着剤層30を介して画素20Bから画素20Wへ流れる電流が発生する。この電流は、画素20B側の高電位電源線58から、P型トランジスタ52B、ダイオード10B、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、スイッチングトランジスタ15Wを介して、画素20W側の低電位電源線57へ流れるリーク経路LPをたどる電流である。   Even in such a condition, when a horizontal electric field is formed by the potential difference between the pixel electrodes 21B and 21W, the pixel 20B passes through the adhesive layer 30 due to the influence of slight moisture contained in the adhesive layer 30. A current flowing to the pixel 20W is generated. This current is supplied from the high-potential power line 58 on the pixel 20B side through the P-type transistor 52B, the diode 10B, the pixel electrode 21B, the adhesive layer 30, the pixel electrode 21W, and the switching transistor 15W. This is the current that follows the leak path LP flowing to the line 57.

スイッチングトランジスタ15Wがリーク経路となるのは、画素電極21Wとラッチ回路25Wとの間にダイオード10Wが設けられているからである。つまり、画素電極21Wからラッチ回路25Wへ向かう方向は、ダイオード10Wの逆方向であるため電流が流れず、オン状態となっているスイッチングトランジスタ15Wにリーク電流が流れるのである。   The reason why the switching transistor 15W becomes a leakage path is that the diode 10W is provided between the pixel electrode 21W and the latch circuit 25W. That is, since the direction from the pixel electrode 21W toward the latch circuit 25W is the reverse direction of the diode 10W, no current flows, and a leakage current flows through the switching transistor 15W that is in the on state.

しかし本実施形態では、スイッチングトランジスタ15のオン抵抗が、ラッチ回路25を形成するN型トランジスタ51、53のオン抵抗よりも高く設定されていることで、図19及び図20に示した場合よりもリーク電流が低減される。すなわち、図20に示したリーク経路では、ラッチ回路25WのN型トランジスタ51Wを介してリーク電流が流れるが、本実施形態ではこのN型トランジスタ51Wよりも高抵抗のスイッチングトランジスタ15Wがリーク経路となるので、抵抗が高い分リーク電流が低減されるのである。
なお、本実施形態において、スイッチングトランジスタ15は、画素電極21に対してローレベルの電位を供給するだけのものであるから、オン抵抗を高くしても動作に不具合を生じにくい。したがって、画素電極21への電圧印加が十分に行える範囲でスイッチングトランジスタ15のオン抵抗を大きくすれば、さらなるリーク電流の低減を図ることができる。
However, in this embodiment, the on-resistance of the switching transistor 15 is set higher than the on-resistance of the N-type transistors 51 and 53 forming the latch circuit 25, so that the case shown in FIGS. Leakage current is reduced. That is, in the leak path shown in FIG. 20, a leak current flows through the N-type transistor 51W of the latch circuit 25W, but in this embodiment, the switching transistor 15W having a higher resistance than the N-type transistor 51W becomes the leak path. Therefore, the leakage current is reduced by the higher resistance.
In the present embodiment, since the switching transistor 15 only supplies a low level potential to the pixel electrode 21, even if the on-resistance is increased, the operation hardly occurs. Therefore, if the on-resistance of the switching transistor 15 is increased within a range where the voltage application to the pixel electrode 21 can be sufficiently performed, the leakage current can be further reduced.

以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置1によれば、以下の作用効果を得ることができる。
まず、ラッチ回路25と画素電極21との間にダイオード10を設けたことで、画素電極21からラッチ回路25へ逆電流が流れないようにすることができる。したがって、図19及び図20に示した従来の画素回路における、ラッチ回路25を介した隣接画素間のリーク経路を遮断することができる。
一方、ラッチ回路25へのリーク経路を遮断したことで、スイッチングトランジスタ15がリーク経路になるが、本実施形態ではスイッチングトランジスタ15のオン抵抗を、ラッチ回路25のN型トランジスタ51のオン抵抗よりも大きくしている。したがって、本実施形態では、少なくともラッチ回路25のN型トランジスタ51を介したリーク経路が形成される従来構成よりもリーク電流を低減することができる。
以上から、本実施形態の電気泳動表示装置1によれば画素間のリーク電流を低減することができ、表示装置全体の消費電力を低減することができる。また、接着剤層30に電流が流れることによる画素電極21でのイオン性マイグレーションや腐食の発生を抑えることができるので、信頼性を向上させることができる。
As described above in detail, according to the electrophoretic display device 1 of the present embodiment, the following operational effects can be obtained.
First, by providing the diode 10 between the latch circuit 25 and the pixel electrode 21, it is possible to prevent a reverse current from flowing from the pixel electrode 21 to the latch circuit 25. Therefore, the leak path between adjacent pixels via the latch circuit 25 in the conventional pixel circuit shown in FIGS. 19 and 20 can be blocked.
On the other hand, since the leakage path to the latch circuit 25 is cut off, the switching transistor 15 becomes a leakage path. In this embodiment, the on-resistance of the switching transistor 15 is set higher than the on-resistance of the N-type transistor 51 of the latch circuit 25. It is getting bigger. Therefore, in this embodiment, the leakage current can be reduced more than the conventional configuration in which at least the leakage path through the N-type transistor 51 of the latch circuit 25 is formed.
As described above, according to the electrophoretic display device 1 of the present embodiment, the leakage current between pixels can be reduced, and the power consumption of the entire display device can be reduced. In addition, since the occurrence of ionic migration and corrosion at the pixel electrode 21 due to current flowing through the adhesive layer 30 can be suppressed, reliability can be improved.

また、本実施形態によれば、ダイオード10を設けたことで、画素電極21からラッチ回路25への逆電流をダイオード10で遮断することができるので、逆電流がラッチ回路25の保持データや動作に影響を与えるのを防止することができる。   Further, according to the present embodiment, since the diode 10 is provided, the reverse current from the pixel electrode 21 to the latch circuit 25 can be interrupted by the diode 10, so that the reverse current is stored in the latch circuit 25 and the operation Can be prevented.

また本実施形態では、画像データを保持するラッチ回路25を備えているので、リフレッシュ動作を行わなくても画像データに基づいた一定の電位を継続して画素電極21に入力することができる。なお、ラッチ回路25の出力端子N2からローレベルが出力される場合にはダイオード10は動作しないが、この場合には、ラッチ回路25の入力端子N1からの出力によりスイッチングトランジスタ15をオンさせて低電位電源線57と画素電極21とを接続するので、表示動作に支障をきたすことはない。   In this embodiment, since the latch circuit 25 that holds the image data is provided, a constant potential based on the image data can be continuously input to the pixel electrode 21 without performing a refresh operation. Note that the diode 10 does not operate when a low level is output from the output terminal N2 of the latch circuit 25. In this case, however, the switching transistor 15 is turned on by the output from the input terminal N1 of the latch circuit 25 to reduce the voltage. Since the potential power supply line 57 and the pixel electrode 21 are connected, the display operation is not hindered.

[第2の実施形態]
次に第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態におけるスイッチングトランジスタ15の配線形態を変更するとともに、その駆動方法を工夫したものである。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. In the second embodiment, the wiring form of the switching transistor 15 in the first embodiment is changed and the driving method thereof is devised.

図8は、本発明の第2の実施形態に係る電気泳動表示装置に備えられる画素120の回路構成を示す図である。なお、第2の実施形態の電気泳動表示装置の基本構成は第1の実施形態と同様であるから、以下で参照する図面において、図1から図7と共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。   FIG. 8 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel 120 provided in the electrophoretic display device according to the second embodiment of the invention. Since the basic configuration of the electrophoretic display device of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, the same reference numerals are given to the same components in FIGS. Detailed description will be omitted.

図8に示すように、画素120は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、ダイオード10と、リセットトランジスタ(スイッチングトランジスタ)115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。これらの構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、ダイオード10、画素電極21、共通電極22、及び電気泳動素子23は、図2に示した画素20と同様の構成である。   As shown in FIG. 8, the pixel 120 includes a pixel switching element 24, a latch circuit (memory circuit) 25, a diode 10, a reset transistor (switching transistor) 115, a pixel electrode 21, a common electrode 22, The electrophoretic element 23 is provided. Among these components, the pixel switching element 24, the latch circuit 25, the diode 10, the pixel electrode 21, the common electrode 22, and the electrophoretic element 23 have the same configuration as that of the pixel 20 shown in FIG.

リセットトランジスタ115は電界効果型のN型トランジスタである。リセットトランジスタ115のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は画素電極21と接続され、ゲート端子は走査線40と接続されている。   The reset transistor 115 is a field effect N-type transistor. The reset transistor 115 has a source terminal connected to the low potential power supply line 57, a drain terminal connected to the pixel electrode 21, and a gate terminal connected to the scanning line 40.

画素120では、画素スイッチング素子24のゲート端子と、リセットトランジスタ115のゲート端子が同一の走査線40に接続されている。そのため、画素スイッチング素子24とリセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えは、走査線40を介して入力される選択信号に同期して行なわれる。
したがって、走査線40を介して選択信号が入力されると、画素スイッチング素子24がオンしてデータ線50からラッチ回路25に画像データが入力される動作と、リセットトランジスタ115がオンして画素電極21と低電位電源線57とが接続され、画素電極21にローレベルが入力される動作が並行して行われる。
つまり、画素120では、画像データの入力動作が行われるたびに、リセットトランジスタ115が動作して画素電極21の電位をローレベルに戻す(リセットする)。そして、画像データの入力が終了して画素スイッチング素子24がオフ状態になると、リセットトランジスタ115もオフ状態となって画素電極21と低電位電源線57とが切断され、画素電極21に対して画像データに対応する電位を入力できるようになる。
In the pixel 120, the gate terminal of the pixel switching element 24 and the gate terminal of the reset transistor 115 are connected to the same scanning line 40. Therefore, on / off switching of the pixel switching element 24 and the reset transistor 115 is performed in synchronization with a selection signal input via the scanning line 40.
Therefore, when a selection signal is input through the scanning line 40, the pixel switching element 24 is turned on and image data is input from the data line 50 to the latch circuit 25, and the reset transistor 115 is turned on and the pixel electrode. 21 and the low-potential power line 57 are connected, and an operation of inputting a low level to the pixel electrode 21 is performed in parallel.
That is, in the pixel 120, each time an image data input operation is performed, the reset transistor 115 operates to return (reset) the potential of the pixel electrode 21 to a low level. When the input of the image data is completed and the pixel switching element 24 is turned off, the reset transistor 115 is also turned off and the pixel electrode 21 and the low-potential power supply line 57 are disconnected, and the image is output to the pixel electrode 21. The potential corresponding to the data can be input.

このようにして画素電極21がローレベルに戻された後、ラッチ回路25から画素電極21への電位入力が行われる。
まず、ラッチ回路25に画像データとしてローレベルが入力された場合、ラッチ回路25の入力端子N1はローレベル、出力端子N2はハイレベルとなる。これにより、ダイオード10のアノード端子にハイレベルが入力され、ダイオード10を介して画素電極21にハイレベルが入力される。このとき、リセットトランジスタ115はオフしているので、画素電極21に入力したハイレベルの電位が低下することはない。
After the pixel electrode 21 is returned to the low level in this way, the potential input from the latch circuit 25 to the pixel electrode 21 is performed.
First, when a low level is input as image data to the latch circuit 25, the input terminal N1 of the latch circuit 25 is at a low level and the output terminal N2 is at a high level. As a result, a high level is input to the anode terminal of the diode 10, and a high level is input to the pixel electrode 21 via the diode 10. At this time, since the reset transistor 115 is off, the high-level potential input to the pixel electrode 21 does not decrease.

一方、ラッチ回路25に画像データとしてハイレベルが入力された場合、入力端子N1はハイレベル、出力端子N2はローレベルとなる。このとき、ダイオード10のアノード端子には出力端子N2からローレベルが入力されるので、アノード端子とカソード端子はいずれもローレベルとなる。そうすると、アノード端子とカソード端子との間に電位差がないためダイオード10はオフ状態であり、電流は流れない。
そこで本実施形態では、画像データの入力後に低電位電源線57の電位を引き上げることによって、ダイオード10のアノード端子とカソード端子との間に電位差を発生させ、ダイオード10を確実にオンさせるようにしている。これにより、画素電極21に所望の電位を入力できるようにしている。このような動作に関しては、以下の駆動方法の説明において詳細に述べる。
On the other hand, when a high level is input as image data to the latch circuit 25, the input terminal N1 is at a high level and the output terminal N2 is at a low level. At this time, since the low level is input from the output terminal N2 to the anode terminal of the diode 10, both the anode terminal and the cathode terminal are at the low level. Then, since there is no potential difference between the anode terminal and the cathode terminal, the diode 10 is off and no current flows.
Therefore, in the present embodiment, by raising the potential of the low potential power supply line 57 after inputting image data, a potential difference is generated between the anode terminal and the cathode terminal of the diode 10 so that the diode 10 is reliably turned on. Yes. Thereby, a desired potential can be input to the pixel electrode 21. Such an operation will be described in detail in the following description of the driving method.

(電気泳動表示装置の駆動方法)
図9は、第2の実施形態の画像書き換えに係るシーケンスを示す図である。図10は、第2の実施形態の画像表示に係るタイミングチャートを示す図である。図11は、画素電極21への電位入力に係る説明図である。図12は、隣接する黒表示画素と白表示画素とを示す説明図である。
(Driving method of electrophoretic display device)
FIG. 9 is a diagram illustrating a sequence related to image rewriting according to the second embodiment. FIG. 10 is a diagram illustrating a timing chart according to the image display of the second embodiment. FIG. 11 is an explanatory diagram relating to potential input to the pixel electrode 21. FIG. 12 is an explanatory diagram showing adjacent black display pixels and white display pixels.

以下、図9から図11を参照して駆動方法の詳細について説明するが、以下の説明では、図12に示すように、同一の走査線40に接続された2つの画素120のうち、一方の画素を白表示、他方の画素を黒表示させる場合について説明する。なお、図5に示した第1実施形態における駆動方法と共通の部分については、適宜説明を省略することとする。   Hereinafter, the driving method will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 11. In the following description, as shown in FIG. 12, one of the two pixels 120 connected to the same scanning line 40 is displayed. A case where a pixel is displayed in white and the other pixel is displayed in black will be described. Note that description of portions common to the driving method in the first embodiment shown in FIG. 5 will be omitted as appropriate.

また、白表示される画素120の構成要素と黒表示される画素120の構成要素とを明確に区別する必要がある場合に、図12に示すように、白表示画素の構成要素を示す符号に添字「W」を付し、黒表示画素の構成要素を示す符に添字「B」を付して説明する。
すなわち、白表示される画素120を画素120Wと表記し、同様に、ラッチ回路25W、リセットトランジスタ115W、ダイオード10Wなどと表記する。一方、黒表示される画素120については、画素120B、ラッチ回路25B、リセットトランジスタ115B、ダイオード10Bなどと表記する。
In addition, when it is necessary to clearly distinguish the constituent elements of the pixel 120 that is displayed in white from the constituent elements of the pixel 120 that is displayed in black, the reference numerals indicating the constituent elements of the white display pixel are used, as shown in FIG. The subscript “W” is attached, and the subscript “B” is added to the mark indicating the component of the black display pixel.
That is, the pixel 120 that is displayed in white is referred to as a pixel 120W, and similarly, is described as a latch circuit 25W, a reset transistor 115W, a diode 10W, and the like. On the other hand, the pixel 120 displayed in black is referred to as a pixel 120B, a latch circuit 25B, a reset transistor 115B, a diode 10B, and the like.

図9に示すように、本実施形態の駆動方法は、各回路の電源をオンにするステップS101と、ラッチ回路25W、25Bへの画像データの入力、及び画素電極21W、21Bの電荷の除去とを行うステップS102と、高電位電源線58の電位を15V、低電位電源線57の電位を1Vに引き上げるステップS103と、共通電極22に1Vの期間と15Vの期間とを繰り返す基準パルスを複数回入力するステップS104と、各回路の電源をオフにするステップS105とを有している。
なお、図9及び図10における印加電圧値は一例であり、これらに限定されるものではない。
As shown in FIG. 9, in the driving method of this embodiment, step S101 for turning on the power of each circuit, input of image data to the latch circuits 25W and 25B, and removal of charges from the pixel electrodes 21W and 21B are performed. Step S102, step S103 in which the potential of the high potential power supply line 58 is raised to 15V and the potential of the low potential power supply line 57 to 1V, and a reference pulse for repeating the 1V period and the 15V period to the common electrode 22 a plurality of times. Step S104 for inputting, and Step S105 for turning off the power of each circuit are included.
In addition, the applied voltage value in FIG.9 and FIG.10 is an example, and is not limited to these.

図10には、白表示される画素120Wと黒表示される画素120Bとに関するタイミングチャートが示されている。具体的には、図9のシーケンスに対応して、走査線40と、高電位電源線58と、低電位電源線57と、共通電極22と、黒表示される画素の画素電極21Bと、白表示される画素の画素電極21Wとに入力される波形が示されている。「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態を示す。   FIG. 10 shows a timing chart regarding the pixel 120W displayed in white and the pixel 120B displayed in black. Specifically, corresponding to the sequence of FIG. 9, the scanning line 40, the high potential power supply line 58, the low potential power supply line 57, the common electrode 22, the pixel electrode 21 </ b> B of the pixel displayed in black, and the white A waveform inputted to the pixel electrode 21W of the pixel to be displayed is shown. “HiZ” indicates an electrically disconnected high impedance state.

まず、ステップS101では、図5に示したステップS11と同様に、電気泳動表示装置1の各回路が表示部3の各配線と接続され、信号を供給できる状態となる。このとき、走査線40はローレベル(0V)であるから、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態である。   First, in step S101, as in step S11 shown in FIG. 5, each circuit of the electrophoretic display device 1 is connected to each wiring of the display unit 3, and a signal can be supplied. At this time, since the scanning line 40 is at a low level (0 V), the reset transistors 115W and 115B are in an off state.

次に、データ入力期間であるステップS102に移行する。
ステップS102において、高電位電源線58の電位はハイレベル(5V)に保持され、低電位電源線57の電位はローレベル(0V)に保持される。そして、走査線40を介して画素スイッチング素子24W、24Bのゲート端子、及びリセットトランジスタ115W、115Bのゲート端子にハイレベル(7V)の電位が入力される。これにより、画素スイッチング素子24W、24B及びリセットトランジスタ115W、115Bがオン状態となる。
Next, the process proceeds to step S102 which is a data input period.
In step S102, the potential of the high potential power supply line 58 is held at a high level (5V), and the potential of the low potential power supply line 57 is held at a low level (0V). Then, a high level (7 V) potential is input to the gate terminals of the pixel switching elements 24W and 24B and the gate terminals of the reset transistors 115W and 115B via the scanning line 40. Accordingly, the pixel switching elements 24W and 24B and the reset transistors 115W and 115B are turned on.

ここで、リセットトランジスタ115W、115Bがオンされることで、図11(b)に示すように、画素電極21W、21Bと低電位電源線57とが接続され、画素電極21W、21Bの電荷が低電位電源線57に引き抜かれる。これにより、図10に示すように、白表示画素の画素電極21W、及び黒表示画素の画素電極21Bの電位は、いずれも低電位電源線57と同じローレベル(0V)となる。   Here, when the reset transistors 115W and 115B are turned on, as shown in FIG. 11B, the pixel electrodes 21W and 21B and the low-potential power line 57 are connected, and the charges of the pixel electrodes 21W and 21B are low. The power supply line 57 is pulled out. As a result, as shown in FIG. 10, the potentials of the pixel electrode 21 </ b> W of the white display pixel and the pixel electrode 21 </ b> B of the black display pixel are both at the same low level (0 V) as that of the low potential power line 57.

また、選択信号の入力により画素スイッチング素子24W、24Bがオンされると、画素120W、120Bのそれぞれでデータ線50からラッチ回路25W、25Bに画像データに基づいた電位が入力される。
これにより、白表示される画素120Wのラッチ回路25Wには、画像データとしてハイレベル(5V)が入力され、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wからはローレベル(0V)が出力される。
一方、黒表示される画素120Bのラッチ回路25Bには、画像データとしてローレベル(0V)が入力され、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bからはハイレベル(5V)が出力される。
When the pixel switching elements 24W and 24B are turned on by the selection signal, potentials based on the image data are input from the data line 50 to the latch circuits 25W and 25B in the pixels 120W and 120B, respectively.
Accordingly, a high level (5V) is input as image data to the latch circuit 25W of the pixel 120W that displays white, and a low level (0V) is output from the output terminal N2W of the latch circuit 25W.
On the other hand, a low level (0V) is input as image data to the latch circuit 25B of the pixel 120B displayed in black, and a high level (5V) is output from the output terminal N2B of the latch circuit 25B.

なお、画素スイッチング素子24W、24Bの選択期間中は、リセットトランジスタ115W、115Bもオン状態となっているので、図10に示すように、ラッチ回路25W、25Bの保持データによらず画素電極21W、21Bの電位はローレベル(0V)のままである。   Note that, during the selection period of the pixel switching elements 24W and 24B, the reset transistors 115W and 115B are also in the on state. Therefore, as shown in FIG. The potential of 21B remains at a low level (0 V).

その後、所定期間の経過後、走査線40の電位はハイレベル(7V)からローレベル(0V)に移行する。これにより、画素スイッチング素子24W、24B、及びリセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態となる。   Thereafter, after a lapse of a predetermined period, the potential of the scanning line 40 shifts from a high level (7 V) to a low level (0 V). Accordingly, the pixel switching elements 24W and 24B and the reset transistors 115W and 115B are turned off.

この期間において、白表示される画素120Wでは、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wと画素電極21Wの電位がいずれもローレベル(0V)であるから、ダイオード10Wのアノード端子とカソード端子に電位差が生じず、ダイオード10Wがオフ状態である。したがって、図10に示すように、画素電極21Wは、他の回路や配線から電気的に切断されたハイインピーダンス状態となる。
一方、黒表示される画素120Bでは、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力されるハイレベル(5V)がダイオード10Bを介して画素電極21Bに入力される。すなわち、図11(a)に示すように、リセットトランジスタ115Bがオフされた後、ラッチ回路25Bからダイオード10Bを介して画素電極21Bにハイレベル(5V)が入力される。これにより、図10に示すように画素電極21Bの電位がハイレベル(5V)に上昇する。
During this period, in the pixel 120W that displays white, the potential of the output terminal N2W of the latch circuit 25W and the potential of the pixel electrode 21W are both low (0 V), so that no potential difference occurs between the anode terminal and the cathode terminal of the diode 10W. The diode 10W is off. Therefore, as shown in FIG. 10, the pixel electrode 21W is in a high impedance state electrically disconnected from other circuits and wirings.
On the other hand, in the pixel 120B displayed in black, the high level (5 V) output from the output terminal N2B of the latch circuit 25B is input to the pixel electrode 21B via the diode 10B. That is, as shown in FIG. 11A, after the reset transistor 115B is turned off, a high level (5 V) is input from the latch circuit 25B to the pixel electrode 21B via the diode 10B. As a result, the potential of the pixel electrode 21B rises to a high level (5 V) as shown in FIG.

次に、ステップS103に移行する。
ステップS103では、高電位電源線58の電位を5Vから15Vに引き上げ、低電位電源線57の電位を0Vから1Vに引き上げる。
Next, the process proceeds to step S103.
In step S103, the potential of the high potential power supply line 58 is raised from 5V to 15V, and the potential of the low potential power supply line 57 is raised from 0V to 1V.

すると、白表示される画素120Wでは、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wから出力される電位が上昇し、図10に示すように、ローレベル(1V)となる。これにより、ダイオード10Wのアノード端子とカソード端子との電位差が1Vとなってダイオード10Wがオン状態となり、ダイオード10Wを介して画素電極21Wにローレベル(1V)が入力される。
一方、黒表示される画素120Bでは、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力される電位がハイレベル(15V)に上昇するので、図11(a)に示したように、ダイオード10Bを介して画素電極21Bにこの電位が入力される。これにより、図10に示すように、画素電極21Bの電位がハイレベル(15V)に上昇する。
Then, in the pixel 120W that displays white, the potential output from the output terminal N2W of the latch circuit 25W rises to a low level (1V) as shown in FIG. As a result, the potential difference between the anode terminal and the cathode terminal of the diode 10W becomes 1V, the diode 10W is turned on, and a low level (1V) is input to the pixel electrode 21W via the diode 10W.
On the other hand, in the pixel 120B displayed in black, the potential output from the output terminal N2B of the latch circuit 25B rises to a high level (15V), so that the pixel is passed through the diode 10B as shown in FIG. This potential is input to the electrode 21B. Thereby, as shown in FIG. 10, the potential of the pixel electrode 21B rises to a high level (15V).

次に、画像表示期間であるステップS104に移行する。
ステップS104では、図10に示すように、高電位電源線58の電位をハイレベル(15V)に保持し、低電位電源線57の電位をローレベル(1V)に保持する。そして、共通電極22に、ローレベル(1V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状のパルスを複数周期分(図では4周期分)入力する。(コモン振り駆動)
Next, the process proceeds to step S104, which is an image display period.
In step S104, as shown in FIG. 10, the potential of the high potential power supply line 58 is held at a high level (15V), and the potential of the low potential power supply line 57 is held at a low level (1V). A rectangular pulse that repeats a low level (1 V) period and a high level (15 V) period is input to the common electrode 22 for a plurality of periods (four periods in the figure). (Common swing drive)

これにより、白表示される画素120Wでは、画素電極21Wと共通電極22との間で利用できる最大限の電位差(本実施形態では14V)で、電気泳動素子23が駆動される。
具体的には、画素電極21Wにローレベル(1V)が入力されているので、共通電極22がハイレベル(15V)となる期間に電極間に電位差が生じる。この電位差によって、白色粒子82が共通電極22側に移動し、黒色粒子83が画素電極21W側に移動することで、画素120Wが白表示される。
なお、本実施形態では共通電極22に入力されるパルスのローレベルを1Vとしている。これは、画素電極21Wのローレベル電位が1Vに設定されているため、共通電極22のローレベルを0Vに設定すると、ローレベル期間に共通電極22の電位が画素電極21Wよりも低電位になってしまい、画素120Wが一時的に黒表示動作することになるからである。
Thereby, in the pixel 120W that displays white, the electrophoretic element 23 is driven with the maximum potential difference (14V in the present embodiment) that can be used between the pixel electrode 21W and the common electrode 22.
Specifically, since a low level (1V) is input to the pixel electrode 21W, a potential difference is generated between the electrodes during a period in which the common electrode 22 is at a high level (15V). Due to this potential difference, the white particles 82 move to the common electrode 22 side, and the black particles 83 move to the pixel electrode 21W side, whereby the pixel 120W is displayed in white.
In this embodiment, the low level of the pulse input to the common electrode 22 is 1V. This is because the low level potential of the pixel electrode 21W is set to 1V. Therefore, if the low level of the common electrode 22 is set to 0V, the potential of the common electrode 22 becomes lower than the pixel electrode 21W during the low level period. This is because the pixel 120W temporarily performs a black display operation.

一方、黒表示される画素120Bにおいても、画素電極21Bと共通電極22との間に利用できる最大限の電位差(本例では14V)で電気泳動素子23が駆動される。
具体的には、画素電極21Bにハイレベル(15V)が入力されているので、共通電極22がローレベル(1V)となる期間に電極間に電位差が生じる。この電位差によって、黒色粒子83が共通電極22側に移動し、白色粒子82が画素電極21B側に移動することで、画素120Bが黒表示される。
On the other hand, also in the pixel 120 </ b> B displaying black, the electrophoretic element 23 is driven with the maximum potential difference (14 V in this example) that can be used between the pixel electrode 21 </ b> B and the common electrode 22.
Specifically, since a high level (15V) is input to the pixel electrode 21B, a potential difference is generated between the electrodes during a period in which the common electrode 22 is at a low level (1V). Due to this potential difference, the black particles 83 move to the common electrode 22 side, and the white particles 82 move to the pixel electrode 21B side, whereby the pixel 120B is displayed in black.

次に、画像保持期間であるステップS105に移行する。
ステップS105では、図5に示したS15と同様に、各回路がオフ状態となり、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態となる。
さらに、以上のステップS101からステップS105を繰り返すことによって、表示画像を順次更新することができる。
Next, the process proceeds to step S105, which is an image holding period.
In step S105, as in S15 shown in FIG. 5, each circuit is turned off, and the pixel electrodes 21W and 21B are also in a high impedance state.
Furthermore, the display image can be sequentially updated by repeating the above steps S101 to S105.

なお、本実施形態では、低電位電源線57の電位を0Vから1Vに上昇させる動作を、ステップS103において高電位電源線58の電位を5Vから15Vに上昇させる動作とともに実行しているが、この低電位電源線57の電位を上昇させる動作は、高電位電源線58の電位を上昇させるタイミングとは独立して任意に設定することができる。具体的には、ラッチ回路25への画像データの入力が終了した後、共通電極22への基準パルスの入力が開始されるまでの間であれば任意のタイミングで実行することができる。   In the present embodiment, the operation of increasing the potential of the low potential power supply line 57 from 0V to 1V is performed together with the operation of increasing the potential of the high potential power supply line 58 from 5V to 15V in step S103. The operation of raising the potential of the low potential power supply line 57 can be arbitrarily set independently of the timing of raising the potential of the high potential power supply line 58. Specifically, the process can be executed at any timing after the input of the image data to the latch circuit 25 is completed and until the input of the reference pulse to the common electrode 22 is started.

(リーク電流)
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置におけるリーク電流について図12を参照して説明する。図12には、隣接して配置された黒表示の画素120Bと白表示の画素120Wとが示されており、併せて想定されるリーク経路も示されている。
(Leakage current)
Next, a leakage current in the electrophoretic display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 shows a black display pixel 120B and a white display pixel 120W which are arranged adjacent to each other, and also a leak path assumed.

図12において、画素120Bのラッチ回路25Bにローレベルの画像データが入力され、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力されたハイレベルが、ダイオード10Bを介して画素電極21Bに入力されている。また、走査線40はローレベルであるので、リセットトランジスタ115Bはオフ状態である。
一方、画素120Wのラッチ回路25Wにはハイレベルの画像データが入力され、ラッチ回路25Wの出力端子からダイオード10Wを介して画素電極21Wにローレベルが入力されている。また、走査線40はローレベルであるので、リセットトランジスタ115Wはオフ状態である。
In FIG. 12, low level image data is input to the latch circuit 25B of the pixel 120B, and the high level output from the output terminal N2B of the latch circuit 25B is input to the pixel electrode 21B via the diode 10B. Further, since the scanning line 40 is at a low level, the reset transistor 115B is in an off state.
On the other hand, high level image data is input to the latch circuit 25W of the pixel 120W, and low level is input from the output terminal of the latch circuit 25W to the pixel electrode 21W via the diode 10W. Further, since the scanning line 40 is at a low level, the reset transistor 115W is in an off state.

以上に説明した状態におけるリーク経路としては、図12に点線で示す経路を想定することができる。すなわち、黒表示の画素120B側の高電位電源線58から、P型トランジスタ52B、ダイオード10B、画素電極21B、接着剤層30、及び画素電極21Wを経由して、リセットトランジスタ115Wに達する経路である。
しかし、画素120Wでは、リセットトランジスタ115Wがオフ状態であるためリーク経路は遮断されている。また、ラッチ回路25Wに向かう電流もダイオード10Wによって遮断されている。したがって、本実施形態の電気泳動表示装置では、隣接画素間のリーク電流は発生しない。
As a leak path in the state described above, a path indicated by a dotted line in FIG. 12 can be assumed. That is, this is a path from the high potential power supply line 58 on the black display pixel 120B side to the reset transistor 115W via the P-type transistor 52B, the diode 10B, the pixel electrode 21B, the adhesive layer 30, and the pixel electrode 21W. .
However, in the pixel 120W, since the reset transistor 115W is in the off state, the leak path is blocked. Further, the current toward the latch circuit 25W is also blocked by the diode 10W. Therefore, in the electrophoretic display device of the present embodiment, no leak current occurs between adjacent pixels.

以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置では、リセットトランジスタ115のゲート端子を走査線40に接続しているので、リセットトランジスタ115は画素スイッチング素子24と同期して動作する。すなわち、リセットトランジスタ115は、ラッチ回路25へ画像データを入力する期間以外はオフ状態を保持し、画素電極21と低電位電源線57とを切断状態に保持するようになっている。したがって、ラッチ回路25と画素電極21との間に設けられたダイオード10とリセットトランジスタ115とによって、リーク経路を全く遮断することができる。よって本実施形態の電気泳動表示装置によれば、隣接画素間のリーク電流をなくすことができ、さらなる消費電力の低減を実現することができる。また、リーク経路がなくなることで、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性が低減されるので、信頼性を向上させることができる。   As described above in detail, in the electrophoretic display device of this embodiment, the reset transistor 115 operates in synchronization with the pixel switching element 24 because the gate terminal of the reset transistor 115 is connected to the scanning line 40. That is, the reset transistor 115 maintains an off state except for a period during which image data is input to the latch circuit 25, and holds the pixel electrode 21 and the low potential power supply line 57 in a disconnected state. Therefore, the diode 10 and the reset transistor 115 provided between the latch circuit 25 and the pixel electrode 21 can completely block the leak path. Therefore, according to the electrophoretic display device of the present embodiment, the leakage current between adjacent pixels can be eliminated, and further reduction of power consumption can be realized. Moreover, since the possibility of ionic migration and corrosion in the pixel electrode 21 is reduced by eliminating the leak path, reliability can be improved.

また本実施形態では、ラッチ回路25に画像データを入力した後、低電位電源線57の電位を上昇させ、ラッチ回路25から出力されるローレベルを1Vとしている。これにより、ラッチ回路25からローレベルが出力される際にもダイオード10を確実にオンすることができ、所定の電位を確実に画素電極21に入力することができる。   In this embodiment, after image data is input to the latch circuit 25, the potential of the low-potential power supply line 57 is raised, and the low level output from the latch circuit 25 is set to 1V. Thus, even when a low level is output from the latch circuit 25, the diode 10 can be reliably turned on, and a predetermined potential can be reliably input to the pixel electrode 21.

一方、低電位電源線57の電位を上昇させると、画素電極21に入力されるローレベルの電位も上昇するため、第1実施形態と同様に0−15Vの基準パルスを入力してコモン振り駆動を行うと、表示に不具合が生じるおそれがある。そこで本実施形態では、共通電極22に入力する基準パルスのローレベルを1Vに設定することで、共通電極22のローレベル電位が画素電極21のローレベル電位を下回らないようにし、画像書き換えにおける誤動作を防止している。   On the other hand, when the potential of the low potential power supply line 57 is increased, the low level potential input to the pixel electrode 21 is also increased. Therefore, as in the first embodiment, a 0-15 V reference pulse is input to drive the common oscillation. Doing so may cause problems in the display. Therefore, in the present embodiment, the low level potential of the reference pulse input to the common electrode 22 is set to 1 V so that the low level potential of the common electrode 22 does not fall below the low level potential of the pixel electrode 21, and malfunction in image rewriting. Is preventing.

(変形例)
次に、第2の実施形態の変形例について図13を参照しつつ説明する。図13は、本変形例に係る画素220の回路構成を示す図である。
本変形例の電気泳動表示装置における画素回路構成は、図8の画素120におけるラッチ回路25に代えてキャパシタを設けたものである。なお、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
(Modification)
Next, a modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel 220 according to the present modification.
The pixel circuit configuration in the electrophoretic display device of this modification is provided with a capacitor instead of the latch circuit 25 in the pixel 120 of FIG. Note that components common to the pixel 120 in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

画素220は、図13に示すように、画素スイッチング素子24と、キャパシタ225と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。上記の構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ダイオード10、リセットトランジスタ115、画素電極21、共通電極22、及び電気泳動素子23の構成は、図8に示した画素120と同様である。   As shown in FIG. 13, the pixel 220 includes a pixel switching element 24, a capacitor 225, a diode 10, a reset transistor 115, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. Among the above components, the configuration of the pixel switching element 24, the diode 10, the reset transistor 115, the pixel electrode 21, the common electrode 22, and the electrophoretic element 23 is the same as that of the pixel 120 illustrated in FIG.

キャパシタ225の一方の電極は、画素スイッチング素子24のドレイン端子、及びダイオード10のアノード端子と接続されている。また、キャパシタ225の他方の電極は、図示略の容量線と接続されている。画素220では、データ線50から画素スイッチング素子24を介して入力された画像データに基づく電位を、キャパシタ225に一定期間保持するようになっている。
なお、キャパシタ225の他方の電極は、低電位電源線57と接続されていてもよい。
One electrode of the capacitor 225 is connected to the drain terminal of the pixel switching element 24 and the anode terminal of the diode 10. The other electrode of the capacitor 225 is connected to a capacitor line (not shown). In the pixel 220, a potential based on image data input from the data line 50 via the pixel switching element 24 is held in the capacitor 225 for a certain period.
Note that the other electrode of the capacitor 225 may be connected to the low-potential power line 57.

上記構成を有する画素220においても、リセットトランジスタ115のゲート端子が走査線40と接続されていることで、リセットトランジスタ115のオン、オフを、画素スイッチング素子24と同期させることができる。そして、リセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えによって、画素120と同様に、画素電極21の電位を制御することができる。   Also in the pixel 220 having the above configuration, the reset transistor 115 can be turned on and off in synchronization with the pixel switching element 24 because the gate terminal of the reset transistor 115 is connected to the scanning line 40. Then, the potential of the pixel electrode 21 can be controlled similarly to the pixel 120 by switching the reset transistor 115 on and off.

また、画素スイッチング素子24を介してキャパシタ225及び画素電極21に画像データが書き込まれる期間以外は、リセットトランジスタ115がオフになっているため、画素電極21から低電位電源線57に向かう電流は遮断される。また、キャパシタ225と画素電極21との間にダイオード10が設けられているので、画素電極21からキャパシタ225に向かう電流も遮断される。
したがって、本例の電気泳動表示装置においても、隣接画素間の電位差に起因するリーク電流をなくすことができ、消費電力を低減することができる。また、リーク経路がなくなることで、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性が低減されるので、信頼性を向上させることができる。
Further, since the reset transistor 115 is turned off except during a period in which image data is written to the capacitor 225 and the pixel electrode 21 through the pixel switching element 24, the current from the pixel electrode 21 toward the low potential power supply line 57 is cut off. Is done. In addition, since the diode 10 is provided between the capacitor 225 and the pixel electrode 21, the current from the pixel electrode 21 toward the capacitor 225 is also cut off.
Therefore, also in the electrophoretic display device of this example, the leakage current due to the potential difference between adjacent pixels can be eliminated, and the power consumption can be reduced. Moreover, since the possibility of ionic migration and corrosion in the pixel electrode 21 is reduced by eliminating the leak path, reliability can be improved.

[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について図14及び図15を参照して説明する。
図14は、第3の実施形態に係る画素320の回路構成を示す図であり、図15は、第3の実施形態に係る電気泳動表示装置の作用説明図である。
第3の実施形態の電気泳動表示装置は、図8に示した第2実施形態に係る画素120に、電位制御用スイッチ回路としてのトランスミッションゲートを設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
なお、図21に示した画素1120は、図14に示す画素320からダイオードとリセットトランジスタとを省略したものに相当する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 14 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel 320 according to the third embodiment, and FIG. 15 is an operation explanatory diagram of the electrophoretic display device according to the third embodiment.
In the electrophoretic display device of the third embodiment, the pixel 120 according to the second embodiment shown in FIG. 8 is provided with a transmission gate as a potential control switch circuit. Therefore, in the drawings to be referred to below, the same components as those of the pixel 120 in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
Note that the pixel 1120 illustrated in FIG. 21 corresponds to a pixel in which the diode and the reset transistor are omitted from the pixel 320 illustrated in FIG.

図14に示すように、画素320は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、電位制御用スイッチ回路であるトランスミッションゲートTG1、TG2と、ダイオード331、332と、リセットトランジスタ(スイッチングトランジスタ)115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。   As shown in FIG. 14, the pixel 320 includes a pixel switching element 24, a latch circuit (memory circuit) 25, transmission gates TG1 and TG2 which are potential control switch circuits, diodes 331 and 332, and a reset transistor (switching). Transistor) 115, pixel electrode 21, common electrode 22, and electrophoretic element 23.

上記の構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、画素電極21、共通電極22、電気泳動素子23、及びリセットトランジスタ115は、図8の画素120と同様の構成である。   Among the above components, the pixel switching element 24, the latch circuit 25, the pixel electrode 21, the common electrode 22, the electrophoretic element 23, and the reset transistor 115 have the same configuration as the pixel 120 in FIG.

トランスミッションゲートTG1は、電界効果型のP型トランジスタT11と電界効果型のN型トランジスタT12とを備えている。P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のソース端子が互いに接続され、これらが第1の制御線S1と接続されている。P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のドレイン端子が互いに接続され、これらがダイオード331と接続されている。
また、P型トランジスタT11のゲート端子はラッチ回路25の入力端子N1と接続され、N型トランジスタT12のゲート端子はラッチ回路25の出力端子N2と接続されている。
The transmission gate TG1 includes a field effect type P-type transistor T11 and a field effect type N-type transistor T12. The source terminals of the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12 are connected to each other, and these are connected to the first control line S1. The drain terminals of the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12 are connected to each other, and these are connected to the diode 331.
The gate terminal of the P-type transistor T11 is connected to the input terminal N1 of the latch circuit 25, and the gate terminal of the N-type transistor T12 is connected to the output terminal N2 of the latch circuit 25.

トランスミッションゲートTG2は、電界効果型のP型トランジスタT21と電界効果型のN型トランジスタT22とを備えている。P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のソース端子が互いに接続され、これらが第2の制御線S2と接続されている。P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のドレイン端子が互いに接続され、これらがダイオード332と接続されている。
また、P型トランジスタT21のゲート端子は、トランスミッションゲートTG1のN型トランジスタT12のゲート端子とともに、ラッチ回路25の出力端子N2に接続されており、N型トランジスタT22のゲート端子は、トランスミッションゲートTG1のP型トランジスタT11のゲート端子とともに、ラッチ回路25の入力端子N1に接続されている。
The transmission gate TG2 includes a field effect type P-type transistor T21 and a field effect type N-type transistor T22. The source terminals of the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22 are connected to each other, and these are connected to the second control line S2. The drain terminals of the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22 are connected to each other, and these are connected to the diode 332.
The gate terminal of the P-type transistor T21 is connected to the output terminal N2 of the latch circuit 25 together with the gate terminal of the N-type transistor T12 of the transmission gate TG1, and the gate terminal of the N-type transistor T22 is connected to the transmission gate TG1. The gate terminal of the P-type transistor T11 is connected to the input terminal N1 of the latch circuit 25.

ダイオード331は、トランスミッションゲートTG1と画素電極21との間に順方向に接続されている。すなわち、ダイオード331のアノード端子が、P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のドレイン端子に接続されており、カソード端子は、画素電極21及びリセットトランジスタ115のドレイン端子に接続されている。   The diode 331 is connected in the forward direction between the transmission gate TG1 and the pixel electrode 21. That is, the anode terminal of the diode 331 is connected to the drain terminals of the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12, and the cathode terminal is connected to the pixel electrode 21 and the drain terminal of the reset transistor 115.

ダイオード332は、トランスミッションゲートTG2と画素電極21との間に順方向に接続されている。すなわち、ダイオード332のアノード端子は、P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のドレイン端子に接続されており、カソード端子は、画素電極21及びリセットトランジスタ115のドレイン端子に接続されている。   The diode 332 is connected in the forward direction between the transmission gate TG2 and the pixel electrode 21. That is, the anode terminal of the diode 332 is connected to the drain terminals of the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22, and the cathode terminal is connected to the pixel electrode 21 and the drain terminal of the reset transistor 115.

以上の構成を有する画素320において、データ線50から画素スイッチング素子24を介してラッチ回路25にローレベルの画像データが入力されると、ラッチ回路25の入力端子N1からローレベル、出力端子N2からハイレベルが出力される。したがって、トランスミッションゲートTG1を構成するP型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のみがオンされる。これにより、ダイオード331のアノード端子が第1の制御線S1と電気的に接続される。   In the pixel 320 having the above-described configuration, when low level image data is input from the data line 50 to the latch circuit 25 via the pixel switching element 24, the low level is output from the input terminal N1 and the output terminal N2 of the latch circuit 25. High level is output. Accordingly, only the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12 constituting the transmission gate TG1 are turned on. Thereby, the anode terminal of the diode 331 is electrically connected to the first control line S1.

一方、データ線50から画素スイッチング素子24を介してラッチ回路25にハイレベルの画像データが入力されると、入力端子N1からハイレベル、出力端子N2からローレベルが出力される。したがって、トランスミッションゲートTG2を構成するP型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のみがオンされる。これにより、ダイオード332のアノード端子が第2の制御線S2と電気的に接続される。   On the other hand, when high level image data is input from the data line 50 to the latch circuit 25 via the pixel switching element 24, a high level is output from the input terminal N1 and a low level is output from the output terminal N2. Accordingly, only the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22 constituting the transmission gate TG2 are turned on. As a result, the anode terminal of the diode 332 is electrically connected to the second control line S2.

なお、本実施形態においても、画像データをラッチ回路25に入力する期間は、画素スイッチング素子24とともにリセットトランジスタ115がオン状態となるので、図11(b)に示したように、画素電極21と低電位電源線57とが接続され、画素電極21にローレベルが入力される。   Also in the present embodiment, the reset transistor 115 is turned on together with the pixel switching element 24 during the period in which the image data is input to the latch circuit 25. Therefore, as shown in FIG. The low potential power supply line 57 is connected, and a low level is input to the pixel electrode 21.

その後、第1の制御線S1にハイレベル(15V)、第2の制御線S2にローレベル(1V)を入力することで、電気泳動素子23を駆動して画素ごとに所望の表示を行うことができる。
ラッチ回路25にローレベルが入力された画素320では、トランスミッションゲートTG1がオン状態となってダイオード331のアノード端子にハイレベル(15V)が入力され、これによりダイオード331に電流が流れて画素電極21にハイレベル(15V)が入力される。
一方、ラッチ回路25にハイレベルが入力された画素320では、トランスミッションゲートTG2がオン状態となってダイオード332のアノード端子にローレベル(1V)が入力され、これによりダイオード332がオン状態となって画素電極21にローレベル(1V)が入力される。
なお、第2の制御線S2のローレベル電位を1Vとしているのは、先の第2の実施形態と同様に、このローレベル電位が0Vであると、ダイオード332のアノード端子が0Vとなってダイオード332がオフ状態となり、第2の制御線S2と画素電極21とが接続されないからである。
Thereafter, by inputting a high level (15 V) to the first control line S1 and a low level (1 V) to the second control line S2, the electrophoretic element 23 is driven to perform a desired display for each pixel. Can do.
In the pixel 320 to which the low level is input to the latch circuit 25, the transmission gate TG1 is turned on, and a high level (15 V) is input to the anode terminal of the diode 331. As a result, a current flows through the diode 331 and the pixel electrode 21 A high level (15 V) is input to.
On the other hand, in the pixel 320 to which the high level is input to the latch circuit 25, the transmission gate TG2 is turned on, and the low level (1 V) is input to the anode terminal of the diode 332, whereby the diode 332 is turned on. A low level (1 V) is input to the pixel electrode 21.
The reason why the low level potential of the second control line S2 is 1V is that the anode terminal of the diode 332 is 0V when the low level potential is 0V, as in the second embodiment. This is because the diode 332 is turned off and the second control line S2 and the pixel electrode 21 are not connected.

そして、第1の制御線S1又は第2の制御線S2から画素電極21に所定の電位が入力されている状態で、共通電極22にローレベル(1V)とハイレベル(15V)とを繰り返す基準パルスを入力することで、画素320に所定の黒表示又は白表示を行わせることができる(コモン振り駆動)。   Then, in a state where a predetermined potential is input to the pixel electrode 21 from the first control line S1 or the second control line S2, a reference for repeating the low level (1V) and the high level (15V) to the common electrode 22 By inputting a pulse, the pixel 320 can perform predetermined black display or white display (common swing drive).

なお、本実施形態では、第1の制御線S1にハイレベル、第2の制御線S2にローレベルを入力する場合について説明したが、ラッチ回路25に入力される画像データの態様(正画像データ、反転画像データ、階調画像データ)に応じて、第1の制御線S1及び第2の制御線S2の電位レベルを変更することができる。   In the present embodiment, the case where the high level is input to the first control line S1 and the low level is input to the second control line S2 has been described. However, the mode of the image data (normal image data) input to the latch circuit 25 is described. , Inverted image data, gradation image data), the potential levels of the first control line S1 and the second control line S2 can be changed.

また、ラッチ回路25に画像データを保持している期間に、第1の制御線S1と第2の制御線S2の電位レベルを入れ替え、共通電極22に基準パルスを入力すれば、ラッチ回路25の画像データを更新することなく反転画像表示を行うことができる。
さらに、第1の制御線S1と第2の制御線S2とを同一電位とした状態で共通電極22に基準パルスを入力すれば、ラッチ回路25に保持されている画像データによらず、全白表示又は全黒表示を容易に行うことができる。
Further, if the potential levels of the first control line S1 and the second control line S2 are switched and a reference pulse is input to the common electrode 22 while the image data is held in the latch circuit 25, the latch circuit 25 Inverted image display can be performed without updating the image data.
Further, if a reference pulse is input to the common electrode 22 with the first control line S1 and the second control line S2 being at the same potential, the entire white line is used regardless of the image data held in the latch circuit 25. Display or all black display can be easily performed.

(リーク電流)
このような回路構成を有する画素320では、隣接する画素320の画素電極21間に電位差が生じたときのリーク経路をなくすことができる。
図15には、隣接して配置された黒表示の画素320Bと白表示の画素320Wとが示されている。なお、図15において、画素320の構成要素に付した添字「B」「W」は、当該構成要素が画素320B、320Wのいずれに属するのかを明確にするためのものであって他意はない。
(Leakage current)
In the pixel 320 having such a circuit configuration, a leak path when a potential difference is generated between the pixel electrodes 21 of the adjacent pixels 320 can be eliminated.
FIG. 15 shows a black display pixel 320B and a white display pixel 320W arranged adjacent to each other. In FIG. 15, the subscripts “B” and “W” attached to the constituent elements of the pixel 320 are intended to clarify whether the constituent element belongs to the pixels 320B and 320W, and have no other meaning.

画素320Bでは、トランスミッションゲートTG1Bがオン状態であり、第1の制御線S1のハイレベルが画素電極21Bに入力されている。一方、隣接する画素320Wでは、トランスミッションゲートTG2Wがオン状態であり、第2の制御線S2のローレベルが画素電極21Wに入力されている。   In the pixel 320B, the transmission gate TG1B is on, and the high level of the first control line S1 is input to the pixel electrode 21B. On the other hand, in the adjacent pixel 320W, the transmission gate TG2W is in the on state, and the low level of the second control line S2 is input to the pixel electrode 21W.

このような状態において、隣接する画素電極21B、21W間に形成される横方向の電界により、接着剤層30にリーク電流が生じる場合を想定すると、そのリーク経路は、画素320BのトランスミッションゲートTG1Bから、画素電極21B、接着剤層30、及び画素電極21Wを経由して、画素320WのトランスミッションゲートTG2Wに至る経路である。
しかし、本実施形態では、画素電極21WとトランスミッションゲートTG2Wとの間にダイオード332Wが設けられており、画素電極21WからトランスミッションゲートTG2Wに向かう方向はダイオード332Wの逆方向であるため、上述したリーク経路はダイオード332Wにより遮断される。またこのとき、画素320Wのリセットトランジスタ115はオフしているので、リセットトランジスタ115を介したリーク経路も遮断される。
In this state, assuming that a leakage current is generated in the adhesive layer 30 due to a horizontal electric field formed between the adjacent pixel electrodes 21B and 21W, the leakage path is from the transmission gate TG1B of the pixel 320B. This is a path that reaches the transmission gate TG2W of the pixel 320W via the pixel electrode 21B, the adhesive layer 30, and the pixel electrode 21W.
However, in the present embodiment, the diode 332W is provided between the pixel electrode 21W and the transmission gate TG2W, and the direction from the pixel electrode 21W toward the transmission gate TG2W is the reverse direction of the diode 332W. Is blocked by a diode 332W. At this time, since the reset transistor 115 of the pixel 320W is off, the leakage path through the reset transistor 115 is also blocked.

したがって、本実施形態の電気泳動表示装置では、隣接画素間のリーク経路はダイオード332及びリセットトランジスタ115により遮断されることとなる。つまり、図21及び図22に示した従来の画素回路のようなリーク経路は存在せず、隣接画素間のリーク電流が流れないものとなっている。   Therefore, in the electrophoretic display device of this embodiment, the leakage path between adjacent pixels is blocked by the diode 332 and the reset transistor 115. That is, there is no leak path as in the conventional pixel circuit shown in FIGS. 21 and 22, and no leak current flows between adjacent pixels.

以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置によれば、画素電極21とトランスミッションゲートTG1、TG2の間にダイオード331、332を備えたことで、トランスミッションゲートTG1、TG2を介した隣接画素間のリーク経路を遮断することができるので、隣接画素間のリーク電流をなくし、消費電力を低減することができる。またこれにより、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性を低減できるので、信頼性を向上させることができる。   As described above in detail, according to the electrophoretic display device of this embodiment, the diodes 331 and 332 are provided between the pixel electrode 21 and the transmission gates TG1 and TG2, so that the transmission gates TG1 and TG2 are interposed. Since the leakage path between adjacent pixels can be blocked, the leakage current between adjacent pixels can be eliminated and the power consumption can be reduced. Further, this can reduce the possibility of ionic migration and corrosion in the pixel electrode 21, so that reliability can be improved.

また本実施形態では、ダイオード331,332がトランスミッションゲートTG1、TG2のそれぞれに対応して設けられている。これにより、オフ状態のトランスミッションゲートのドレイン端子側を、常にハイインピーダンス状態にすることができる。したがって、ラッチ回路25に新しい画像データを入力する場合や、低電位電源線57の電位及び高電位電源線58の電位が変動した場合において、トランスミッションゲートTG1、TG2が同時にオンしたとしても、トランスミッションゲートTG1、TG2を介した同一画素内におけるリーク電流の発生を防止することができる。   In the present embodiment, the diodes 331 and 332 are provided corresponding to the transmission gates TG1 and TG2, respectively. As a result, the drain terminal side of the transmission gate in the off state can always be in a high impedance state. Therefore, when new image data is input to the latch circuit 25, or when the potential of the low potential power supply line 57 and the potential of the high potential power supply line 58 fluctuate, even if the transmission gates TG1 and TG2 are simultaneously turned on, the transmission gate Leakage current generation in the same pixel through TG1 and TG2 can be prevented.

[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態について図23を参照して説明する。
図23は、第4の実施形態に係る画素120Aの回路構成を示す図である。
第4の実施形態の電気泳動表示装置は、図8に示した第2実施形態に係る画素120に、リセットトランジスタ115をオンオフ制御するリセット線41を設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 23 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel 120A according to the fourth embodiment.
In the electrophoretic display device according to the fourth embodiment, the pixel 120 according to the second embodiment illustrated in FIG. 8 is provided with a reset line 41 that controls on / off of the reset transistor 115. Therefore, in the drawings to be referred to below, the same components as those of the pixel 120 in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

画素120Aには、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23と、が設けられている。また、走査線40に沿う位置にリセット線41が設けられている。そして、図8に示した画素120では走査線40と接続されていたリセットトランジスタ115のゲート端子が、本実施形態ではリセット線41に接続されている。本実施形態の場合、リセット線41は走査線駆動回路60に接続されており、走査線駆動回路60から出力されるリセット信号をリセットトランジスタ115に入力する。あるいは、リセット線41用の駆動回路を設けてもよい。   The pixel 120A is provided with a pixel switching element 24, a latch circuit 25, a diode 10, a reset transistor 115, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. A reset line 41 is provided at a position along the scanning line 40. The gate terminal of the reset transistor 115 connected to the scanning line 40 in the pixel 120 shown in FIG. 8 is connected to the reset line 41 in this embodiment. In the present embodiment, the reset line 41 is connected to the scanning line driving circuit 60, and a reset signal output from the scanning line driving circuit 60 is input to the reset transistor 115. Alternatively, a drive circuit for the reset line 41 may be provided.

本実施形態に係る電気泳動表示装置では、走査線40とは独立したリセット線41が設けられているので、リセット線41を介して入力されるリセット信号により、リセットトランジスタ115を任意のタイミングで動作させることができる。したがって、画素電極21の電荷を確実に開放することができ、ラッチ回路25及びダイオード10を介して画素電極21に入力される電位が、画素電極21に保持されている電位と競合するのを防止でき、意図しない表示がされてしまうのを防止することができる。   In the electrophoretic display device according to the present embodiment, since the reset line 41 independent of the scanning line 40 is provided, the reset transistor 115 is operated at an arbitrary timing by a reset signal input via the reset line 41. Can be made. Therefore, the charge of the pixel electrode 21 can be reliably released, and the potential input to the pixel electrode 21 through the latch circuit 25 and the diode 10 is prevented from competing with the potential held in the pixel electrode 21. It is possible to prevent unintended display.

(駆動方法)
以下、図24から図26を参照しつつ、本実施形態の電気泳動表示装置の駆動方法について説明する。
図24は、第4の実施形態の電気泳動表示装置における画像書き換えに係るシーケンスを示す図である。図25は、第2の実施形態の画像表示に係るタイミングチャートを示す図である。図26は、黒表示画素と白表示画素とを示す説明図である。図24から図26は、第2実施形態で説明に用いた図9から図11にそれぞれ対応する図である。
なお、第2実施形態における駆動方法と共通の部分については適宜説明を省略することとする。
(Driving method)
Hereinafter, the driving method of the electrophoretic display device of this embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 24 is a diagram illustrating a sequence related to image rewriting in the electrophoretic display device according to the fourth embodiment. FIG. 25 is a diagram illustrating a timing chart according to the image display of the second embodiment. FIG. 26 is an explanatory diagram showing black display pixels and white display pixels. FIGS. 24 to 26 correspond to FIGS. 9 to 11 used in the description of the second embodiment.
Note that description of portions common to the driving method in the second embodiment will be omitted as appropriate.

まず、図26には、説明の対象とする同一の走査線40に接続された2つの画素120Aが示されている。白表示される画素120Aの構成要素と黒表示される画素120Aの構成要素とを明確に区別する必要がある場合に、図12と同様に、白表示画素の構成要素を示す符号に添字「W」を付し、黒表示画素の構成要素を示す符に添字「B」を付して説明する。すなわち、白表示される画素120Aを画素120Wと表記し、同様に、ラッチ回路25W、リセットトランジスタ115W、ダイオード10Wなどと表記する。一方、黒表示される画素120Aについては、画素120B、ラッチ回路25B、リセットトランジスタ115B、ダイオード10Bなどと表記する。   First, FIG. 26 shows two pixels 120A connected to the same scanning line 40 to be described. When it is necessary to clearly distinguish the constituent elements of the pixel 120A displayed in white and the constituent elements of the pixel 120A displayed in black, the subscript “W” ", And a subscript" B "is added to a symbol indicating a component of a black display pixel. That is, the pixel 120A that is displayed in white is referred to as a pixel 120W, and is similarly expressed as a latch circuit 25W, a reset transistor 115W, a diode 10W, and the like. On the other hand, the pixel 120A displayed in black is referred to as a pixel 120B, a latch circuit 25B, a reset transistor 115B, a diode 10B, and the like.

図24に示すように、本実施形態の駆動方法は、各回路の電源をオンにするステップS201と、画素電極21W、21Bの電荷の除去を行うステップS202と、ラッチ回路25W、25Bへの画像データの入力を行うステップS203と、高電位電源線58の電位を15V、低電位電源線57の電位を1Vに引き上げるステップS204と、共通電極22に1Vの期間と15Vの期間とを繰り返す基準パルスを複数回入力するステップS205と、各回路を電源オフするステップS206とを有している。
なお、図24及び図25における印加電圧値は一例であり、これらに限定されるものではない。
As shown in FIG. 24, according to the driving method of the present embodiment, step S201 for turning on the power of each circuit, step S202 for removing charges from the pixel electrodes 21W and 21B, and images to the latch circuits 25W and 25B. Step S203 for inputting data, Step S204 for raising the potential of the high potential power supply line 58 to 15V and the potential of the low potential power supply line 57 to 1V, and a reference pulse for repeating the 1V period and the 15V period for the common electrode 22 Is input a plurality of times, and step S206 is a step of powering off each circuit.
In addition, the applied voltage value in FIG.24 and FIG.25 is an example, and is not limited to these.

図25には、白表示される画素120W(120A)と黒表示される画素120B(120A)とに関するタイミングチャートが示されている。具体的には、図24のシーケンスに対応して、走査線40と、リセット線41と、高電位電源線58と、低電位電源線57と、共通電極22と、黒表示される画素の画素電極21Bと、白表示される画素の画素電極21Wと、に入力される波形が示されている。「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態を示す。   FIG. 25 shows a timing chart regarding the pixel 120W (120A) displayed in white and the pixel 120B (120A) displayed in black. Specifically, corresponding to the sequence of FIG. 24, the scanning line 40, the reset line 41, the high-potential power line 58, the low-potential power line 57, the common electrode 22, and the pixel of the pixel to be displayed in black. The waveforms input to the electrode 21B and the pixel electrode 21W of the pixel displayed in white are shown. “HiZ” indicates an electrically disconnected high impedance state.

まず、ステップS201では、図10に示したステップS101と同様に、電気泳動表示装置の各回路が表示部3の各配線と接続され、信号を供給できる状態となる。このとき、リセット線41はローレベル(0V)であるから、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態である。   First, in step S201, as in step S101 shown in FIG. 10, each circuit of the electrophoretic display device is connected to each wiring of the display unit 3, and a signal can be supplied. At this time, since the reset line 41 is at a low level (0 V), the reset transistors 115W and 115B are in an off state.

次に、ステップS202に移行すると、図25に示すように、リセット線41にリセット信号としてのハイレベル(7V)のパルスが供給され、リセットトランジスタ115W、115Bのゲート端子に入力される。これにより、リセットトランジスタ115W、115Bがオン状態となる。
リセットトランジスタ115W、115Bがオンされることで、図11(b)に示したように、画素電極21W、21Bと低電位電源線57とが接続され、画素電極21W、21Bの電荷が低電位電源線57に引き抜かれる。これにより、白表示画素の画素電極21W、及び黒表示画素の画素電極21Bの電位は、いずれも低電位電源線57と同じローレベル(0V)となる。
Next, in step S202, as shown in FIG. 25, a high level (7V) pulse as a reset signal is supplied to the reset line 41 and input to the gate terminals of the reset transistors 115W and 115B. Thereby, the reset transistors 115W and 115B are turned on.
When the reset transistors 115W and 115B are turned on, as shown in FIG. 11B, the pixel electrodes 21W and 21B and the low-potential power line 57 are connected, and the charges of the pixel electrodes 21W and 21B are reduced to the low-potential power supply. It is pulled out to the line 57. Thereby, the potentials of the pixel electrode 21 </ b> W of the white display pixel and the pixel electrode 21 </ b> B of the black display pixel are both at the same low level (0 V) as that of the low potential power supply line 57.

次に、データ入力期間であるステップS203に移行し、図10に示したステップS102と同様の動作により、画素120Wのラッチ回路25Wに、画像データとしてハイレベル(5V)が入力され、画素120Bのラッチ回路25Bには、画像データとしてローレベル(0V)が入力される。   Next, the process proceeds to step S203, which is a data input period, and a high level (5 V) is input as image data to the latch circuit 25W of the pixel 120W by the same operation as in step S102 shown in FIG. A low level (0 V) is input to the latch circuit 25B as image data.

なお、本実施形態では、画素スイッチング素子24W、24Bの選択期間中は、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態となっているので、ラッチ回路25W、25Bの保持データに基づく出力がダイオード10を介して画素電極21W、21Bに入力される。これにより、画素電極21Bの電位はハイレベル(5V)となる。また、画素電極21Wの電位は、リセットトランジスタ115を介して低電位電源線57と接続されたときの電位(ローレベル(0V))を保持する。   In the present embodiment, the reset transistors 115W and 115B are in the OFF state during the selection period of the pixel switching elements 24W and 24B, and therefore the output based on the data held in the latch circuits 25W and 25B is transmitted via the diode 10. Input to the pixel electrodes 21W and 21B. Thereby, the potential of the pixel electrode 21B becomes high level (5V). Further, the potential of the pixel electrode 21 </ b> W holds the potential (low level (0 V)) when connected to the low potential power supply line 57 via the reset transistor 115.

次に、ステップS204に移行すると、図10に示したステップS103と同様の動作により、画素電極21Wにローレベル(1V)の電位がダイオード10Wを介して入力され、画素電極21Bにはハイレベル(15V)の電位がダイオード10Wを介して入力される。   Next, in step S204, a low level (1 V) potential is input to the pixel electrode 21W via the diode 10W and the pixel electrode 21B is set to a high level (by the same operation as step S103 shown in FIG. 15V) is input via the diode 10W.

その後、画像表示期間であるステップS205に移行すると、図10に示したステップS104と同様に、共通電極22に、ローレベル(1V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状のパルスが複数周期分(図では4周期分)入力される(コモン振り駆動)。これにより、画素120Wが白表示され、画素120Bは黒表示される。   Thereafter, when the process proceeds to step S205, which is an image display period, the common electrode 22 has a rectangular shape that repeats a low level (1V) period and a high level (15V) period as in step S104 shown in FIG. Pulses are input for a plurality of cycles (four cycles in the figure) (common swing drive). Thereby, the pixel 120W is displayed in white, and the pixel 120B is displayed in black.

そして、画像保持期間であるステップS206では、各回路がオフ状態とされ、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態とされる結果、電力を消費することなく表示画像が保持される。
さらに、以上のステップS201からステップS206を繰り返すことによって、表示画像を順次更新することができる。
In step S206, which is an image retention period, each circuit is turned off, and the pixel electrodes 21W and 21B are also brought into a high impedance state. As a result, a display image is retained without consuming power.
Furthermore, the display image can be sequentially updated by repeating the above steps S201 to S206.

以上詳細に説明したように、本実施形態の駆動方法では、ラッチ回路25に画像データを入力するステップS203に先立って、画素電極21の電荷を開放するステップS202を設けている。これにより、ラッチ回路25に画像データを入力するときには、画素電極21は一度低電位電源線57と同電位とされた後の状態となる。したがって、ラッチ回路25への画像データ入力のタイミング(画素スイッチング素子24の選択タイミング)によらず、ラッチ回路25から出力される電位を確実に画素電極21に入力することができ、優れた動作信頼性を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置においても、先の第2実施形態に係る電気泳動表示装置と同様の作用効果を得られるのはもちろんである。
As described above in detail, in the driving method of the present embodiment, step S202 for releasing the charge of the pixel electrode 21 is provided prior to step S203 for inputting image data to the latch circuit 25. Thus, when image data is input to the latch circuit 25, the pixel electrode 21 is once brought to the same potential as the low potential power line 57. Therefore, the potential output from the latch circuit 25 can be surely input to the pixel electrode 21 regardless of the timing of image data input to the latch circuit 25 (selection timing of the pixel switching element 24), and excellent operation reliability is achieved. Sex can be obtained.
Also, in the electrophoretic display device of this embodiment, it is needless to say that the same effects as the electrophoretic display device according to the second embodiment can be obtained.

(変形例)
次に、第4の実施形態の変形例について図27を参照しつつ説明する。図27は、本変形例に係る画素220Aの回路構成を示す図であって、第2実施形態における図13に対応する図である。
本変形例の電気泳動表示装置における画素回路構成は、図23の画素120Aにおけるラッチ回路25に代えてキャパシタを設けたものである。以下の説明では、図23の画素120Aと共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
(Modification)
Next, a modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 27 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel 220A according to the present modification, and corresponds to FIG. 13 in the second embodiment.
The pixel circuit configuration in the electrophoretic display device of the present modification is provided with a capacitor instead of the latch circuit 25 in the pixel 120A of FIG. In the following description, the same components as those of the pixel 120A in FIG.

画素220Aは、画素スイッチング素子24と、キャパシタ225と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。そして、走査線40に沿って延びるリセット線41に、リセットトランジスタ115のゲート端子が接続されている。走査線40には、画素スイッチング素子24のゲート端子のみが接続されている。   The pixel 220 </ b> A includes a pixel switching element 24, a capacitor 225, a diode 10, a reset transistor 115, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. The gate terminal of the reset transistor 115 is connected to the reset line 41 extending along the scanning line 40. Only the gate terminal of the pixel switching element 24 is connected to the scanning line 40.

上記構成を有する画素220Aにおいても、リセットトランジスタ115のゲート端子がリセット線41と接続されていることで、リセットトランジスタ115のオン、オフを、画素スイッチング素子24とは独立して制御することができる。そして、リセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えによって、画素120Aと同様に、画素電極21の電位を制御することができる。したがって、本例の電気泳動表示装置においても、画素電極21の電荷の開放を確実に行うことができ、優れた動作信頼性を得ることができる。
また、本例の電気泳動表示装置においても、第2実施形態の変形例に係る電気泳動表示装置と同様の作用効果を得られるのはもちろんである。
Also in the pixel 220 </ b> A having the above-described configuration, the reset transistor 115 can be turned on / off independently of the pixel switching element 24 by connecting the gate terminal of the reset transistor 115 to the reset line 41. . Then, the potential of the pixel electrode 21 can be controlled by switching the reset transistor 115 on and off, similarly to the pixel 120A. Therefore, also in the electrophoretic display device of this example, the charge of the pixel electrode 21 can be reliably released, and excellent operation reliability can be obtained.
Also, in the electrophoretic display device of this example, it is needless to say that the same operational effects as those of the electrophoretic display device according to the modification of the second embodiment can be obtained.

[第5の実施形態]
次に、本発明の第5の実施形態について、図28を参照しつつ説明する。
図28は、第5の実施形態に係る画素320Aの回路構成を示す図である。
第5の実施形態の電気泳動表示装置は、図14に示した第3実施形態に係る画素320に、リセットトランジスタ115をオンオフ制御するリセット線41を設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図14の画素320と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 28 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel 320A according to the fifth embodiment.
In the electrophoretic display device of the fifth embodiment, the pixel 320 according to the third embodiment shown in FIG. 14 is provided with a reset line 41 that controls on / off of the reset transistor 115. Therefore, in the drawings referred to below, the same components as those of the pixel 320 in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

画素320Aは、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、トランスミッションゲートTG1、TG2と、ダイオード331、332と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。そして、図14に示した画素320では走査線40と接続されていたリセットトランジスタ115のゲート端子が、本実施形態ではリセット線41に接続されている。   The pixel 320A includes a pixel switching element 24, a latch circuit 25, transmission gates TG1 and TG2, diodes 331 and 332, a reset transistor 115, a pixel electrode 21, a common electrode 22, and an electrophoretic element 23. ing. In the pixel 320 shown in FIG. 14, the gate terminal of the reset transistor 115 connected to the scanning line 40 is connected to the reset line 41 in this embodiment.

本実施形態に係る電気泳動表示装置では、走査線40とは独立したリセット線41が設けられているので、リセット線41を介して入力されるリセット信号により、リセットトランジスタ115を任意のタイミングで動作させることができる。したがって、画素電極21の電荷を確実に開放することができ、トランスミッションゲートTG1、TG2、及びダイオード331、332を介して画素電極21に入力される電位が、画素電極21に保持されている電位と競合するのを防止できる。これにより、意図しない表示がされてしまうのを防止することができ、優れた動作信頼性を得ることができる。   In the electrophoretic display device according to the present embodiment, since the reset line 41 independent of the scanning line 40 is provided, the reset transistor 115 is operated at an arbitrary timing by a reset signal input via the reset line 41. Can be made. Therefore, the charge of the pixel electrode 21 can be reliably released, and the potential input to the pixel electrode 21 via the transmission gates TG1 and TG2 and the diodes 331 and 332 is the same as the potential held in the pixel electrode 21. You can prevent conflicts. As a result, unintended display can be prevented and excellent operational reliability can be obtained.

[電子機器]
次に、本発明の電気泳動表示装置を備えた電子機器について説明する。
[Electronics]
Next, an electronic apparatus provided with the electrophoretic display device of the present invention will be described.

まず、図16は、腕時計400の正面図である。腕時計400は、時計ケース402と、時計ケース402に連結された一対のバンド403とを備えている。
時計ケース402の正面には、表示体405と、秒針421と、分針422と、時針423とが設けられ、時計ケース402の側面には、操作子としての竜頭410と操作ボタン411とが設けられている。竜頭410は、ケース内部に設けられる巻真(図示は省略)に連結されており、巻真と一体となって多段階(例えば2段階)で押し引き自在、かつ、回転自在に設けられている。
表示体405は、本発明に係る電気泳動表示装置からなるものであり、背景となる画像、日付や時間などの文字列、あるいは秒針、分針、時針などを表示することができる。そして、腕時計400は、本発明の電気泳動表示装置を備えたことで、低消費電力であり、かつ信頼性にも優れた表自体を備えたものとなっている。
First, FIG. 16 is a front view of the wristwatch 400. The wristwatch 400 includes a watch case 402 and a pair of bands 403 connected to the watch case 402.
A display body 405, a second hand 421, a minute hand 422, and an hour hand 423 are provided on the front face of the watch case 402, and a crown 410 and an operation button 411 as operating elements are provided on the side of the watch case 402. ing. The crown 410 is connected to a winding stem (not shown) provided inside the case, and is integrated with the winding stem so that it can be pushed and pulled in multiple stages (for example, two stages) and can be rotated. .
The display body 405 includes the electrophoretic display device according to the present invention, and can display a background image, a character string such as date and time, a second hand, a minute hand, and an hour hand. Since the wristwatch 400 includes the electrophoretic display device of the present invention, the wristwatch 400 includes a table itself that has low power consumption and excellent reliability.

図17は、電子ペーパー500を示す斜視図である。
電子ペーパー500は、本発明の電気泳動表示装置を表示手段501として備えている。電子ペーパー500は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体502を備えて構成されている。
FIG. 17 is a perspective view showing the electronic paper 500.
The electronic paper 500 includes the electrophoretic display device of the present invention as the display unit 501. The electronic paper 500 has flexibility, and includes a main body 502 formed of a rewritable sheet having the same texture and flexibility as conventional paper.

図18は、電子ノート600を示す斜視図である。
電子ノート600は、図17に示した電子ペーパー500が複数枚束ねられ、カバー601に挟まれているものである。カバー601は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する図示は省略の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
FIG. 18 is a perspective view showing an electronic notebook 600.
An electronic notebook 600 is obtained by bundling a plurality of electronic papers 500 shown in FIG. The cover 601 includes display data input means (not shown) for inputting display data sent from an external device, for example. Thereby, according to the display data, the display content can be changed or updated while the electronic paper is bundled.

電子ペーパー500、及び電子ノート600は、本発明の電気泳動表示装置を備えたことで、低消費電力であり、かつ信頼性に優れた表示手段を備えたものとなっている。
なお、本発明の電気泳動表示装置は、上記に例示した電子機器に限らず、例えば携帯電話、携帯用オーディオ機器などの表示手段として用いることができ、いずれの電子機器においても、低消費電力で信頼性に優れた表示手段として機能する。
Since the electronic paper 500 and the electronic notebook 600 are provided with the electrophoretic display device of the present invention, the electronic paper 500 and the electronic notebook 600 are provided with display means with low power consumption and excellent reliability.
Note that the electrophoretic display device of the present invention is not limited to the electronic devices exemplified above, and can be used as a display means of, for example, a mobile phone and a portable audio device. It functions as a display means with excellent reliability.

第1実施形態に係る電気泳動表示装置の概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of an electrophoretic display device according to a first embodiment. 画素の回路構成図。The circuit block diagram of a pixel. 電気泳動表示装置の部分断面図。The fragmentary sectional view of an electrophoretic display device. マイクロカプセルの断面構成図。The cross-sectional block diagram of a microcapsule. 電気泳動表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート。6 is a timing chart showing a method for driving an electrophoretic display device. マイクロカプセルの動作説明図。The operation explanatory view of a microcapsule. リーク経路の説明図。Explanatory drawing of a leak path | route. 第2実施形態に係る電気泳動表示装置の画素の回路構成図。The circuit block diagram of the pixel of the electrophoretic display device which concerns on 2nd Embodiment. 電気泳動表示装置に係るシーケンス図。The sequence diagram which concerns on an electrophoretic display apparatus. 電気泳動表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート。6 is a timing chart showing a method for driving an electrophoretic display device. 画素電極への電位入力を示す説明図。Explanatory drawing which shows the electric potential input to a pixel electrode. リーク経路を示す説明図。Explanatory drawing which shows a leak path | route. 第2実施形態の変形例に係る画素の回路構成図。The circuit block diagram of the pixel which concerns on the modification of 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る電気泳動表示装置の画素の回路構成図。The circuit block diagram of the pixel of the electrophoretic display device which concerns on 3rd Embodiment. リーク経路を示す説明図。Explanatory drawing which shows a leak path | route. 腕時計の正面図。The front view of a wristwatch. 電子ペーパーの斜視図。The perspective view of electronic paper. 電子ノートの斜視図。The perspective view of an electronic notebook. 従来の電気泳動表示装置における画素の回路構成図。FIG. 10 is a circuit configuration diagram of a pixel in a conventional electrophoretic display device. リーク経路の説明図。Explanatory drawing of a leak path | route. 従来の電気泳動表示装置における画素の回路構成図。FIG. 10 is a circuit configuration diagram of a pixel in a conventional electrophoretic display device. リーク経路の説明図。Explanatory drawing of a leak path | route. 第4実施形態に係る画素の回路構成図。The circuit block diagram of the pixel which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る駆動方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the drive method which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る駆動方法におけるタイミングチャート。The timing chart in the drive method which concerns on 4th Embodiment. 隣接する2画素における電位状態を示す図。The figure which shows the electric potential state in two adjacent pixels. 第4実施形態の変形例に係る画素の回路構成図。The circuit block diagram of the pixel which concerns on the modification of 4th Embodiment. 第5実施形態に係る画素の回路構成図。FIG. 10 is a circuit configuration diagram of a pixel according to a fifth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気泳動表示装置、3…表示部、10…ダイオード、15…リセットトランジスタ、20…画素、21…画素電極、22…共通電極、23…電気泳動素子、24…画素スイッチング素子、25…ラッチ回路、30…接着剤層、40…走査線、41…リセット線、50…データ線、57…低電位電源線、58…高電位電源線、60…走査線駆動回路、70…データ線駆動回路、80…マイクロカプセル、82…白色粒子、83…黒色粒子、115…リセットトランジスタ、120,120A…画素、220,220A…画素、225…キャパシタ、320,320A…画素、331,332…ダイオード、400…腕時計、500…電子ペーパー、600…電子ノート、TG1,TG2…トランスミッションゲート、S1…第1の制御線、S2…第2の制御線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrophoretic display device, 3 ... Display part, 10 ... Diode, 15 ... Reset transistor, 20 ... Pixel, 21 ... Pixel electrode, 22 ... Common electrode, 23 ... Electrophoretic element, 24 ... Pixel switching element, 25 ... Latch Circuit: 30 ... Adhesive layer 40 ... Scanning line 41 ... Reset line 50 ... Data line 57 ... Low potential power line 58 ... High potential power line 60 ... Scanning line driving circuit 70 ... Data line driving circuit 80 ... microcapsule, 82 ... white particle, 83 ... black particle, 115 ... reset transistor, 120,120A ... pixel, 220,220A ... pixel, 225 ... capacitor, 320,320A ... pixel, 331,332 ... diode, 400 ... wristwatch, 500 ... electronic paper, 600 ... electronic notebook, TG1, TG2 ... transmission gate, S1 ... first control line, 2 ... the second control line

Claims (10)

一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなり、一方の前記基板には画素ごとに画素電極が形成され、他方の前記基板には複数の前記画素に共通の共通電極が形成された電気泳動表示装置であって、
前記画素ごとに、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に順方向に接続されたダイオードと、前記画素電極と定電位配線との間に接続されたスイッチングトランジスタと、を有することを特徴とする電気泳動表示装置。
An electrophoretic element including electrophoretic particles is sandwiched between a pair of substrates, a pixel electrode is formed for each pixel on one of the substrates, and a common electrode common to a plurality of the pixels on the other substrate An electrophoretic display device in which is formed,
For each pixel, a pixel switching element, a diode connected in a forward direction between the pixel switching element and the pixel electrode, and a switching transistor connected between the pixel electrode and a constant potential wiring, An electrophoretic display device comprising:
請求項1に記載の電気泳動表示装置であって、
前記画素スイッチング素子と前記ダイオードとの間にメモリ回路が設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to claim 1,
An electrophoretic display device, wherein a memory circuit is provided between the pixel switching element and the diode.
請求項2に記載の電気泳動表示装置であって、
前記メモリ回路が複数の電界効果トランジスタを有するラッチ回路であり、
前記スイッチングトランジスタのオン抵抗が前記メモリ回路を構成する前記電界効果トランジスタのオン抵抗より大きいことを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to claim 2,
The memory circuit is a latch circuit having a plurality of field effect transistors;
An electrophoretic display device, wherein an on-resistance of the switching transistor is larger than an on-resistance of the field effect transistor constituting the memory circuit.
請求項3に記載の電気泳動表示装置であって、
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記メモリ回路の入力端子に接続されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to claim 3,
An electrophoretic display device, wherein a gate terminal of the switching transistor is connected to an input terminal of the memory circuit.
請求項1から3のいずれか1項に記載の電気泳動表示装置であって、
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記画素スイッチング素子のゲート端子と共通の走査線に接続されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to any one of claims 1 to 3,
An electrophoretic display device, wherein a gate terminal of the switching transistor is connected to a scanning line common to the gate terminal of the pixel switching element.
請求項1から3のいずれか1項に記載の電気泳動表示装置であって、
前記スイッチングトランジスタのゲート端子と接続されたリセット線を有することを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to any one of claims 1 to 3,
An electrophoretic display device comprising a reset line connected to a gate terminal of the switching transistor.
請求項2から6のいずれか1項に記載の電気泳動表示装置であって、
前記メモリ回路と前記ダイオードとの間に、第1及び第2の制御線と接続された電位制御用スイッチ回路が設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to any one of claims 2 to 6,
An electrophoretic display device, wherein a potential control switch circuit connected to the first and second control lines is provided between the memory circuit and the diode.
請求項7に記載の電気泳動表示装置であって、
前記電位制御用スイッチ回路は第1及び第2のトランスミッションゲートを有し、
前記第1のトランスミッションゲートに前記第1の制御線が接続され、前記第2のトランスミッションゲートには前記第2の制御線が接続されており、
前記第1及び第2のトランスミッションゲートのそれぞれに対応して前記ダイオードが設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to claim 7,
The potential control switch circuit has first and second transmission gates,
The first control line is connected to the first transmission gate, and the second control line is connected to the second transmission gate,
An electrophoretic display device, wherein the diode is provided corresponding to each of the first and second transmission gates.
請求項3から8のいずれか1項に記載の電気泳動表示装置であって、
前記画素スイッチング素子を介して前記メモリ回路に画像データを入力するデータ入力期間と、前記メモリ回路の出力に基づき前記電気泳動素子を駆動して画像を表示する画像表示期間とを有しており、
前記メモリ回路に電源電圧を供給する高電位電源線と低電位電源線とが接続されており、
前記画像表示期間における前記低電位電源線の電位が前記データ入力期間における電位よりも高く設定されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
The electrophoretic display device according to any one of claims 3 to 8,
A data input period for inputting image data to the memory circuit via the pixel switching element, and an image display period for displaying the image by driving the electrophoretic element based on the output of the memory circuit,
A high potential power supply line and a low potential power supply line for supplying a power supply voltage to the memory circuit are connected,
An electrophoretic display device, wherein a potential of the low potential power supply line in the image display period is set higher than a potential in the data input period.
請求項1から9のいずれか1項に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electrophoretic display device according to claim 1.
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