JP2009134244A - Electrophoresis display device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気泳動表示装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to an electrophoretic display device and an electronic apparatus.
アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置として、画素内にスイッチング用トランジスタとメモリ回路とを備えたものが知られている(例えば、特許文献1を参照)。特許文献1記載の表示装置では、画素スイッチング用トランジスタや画素電極が形成された素子基板上に、帯電粒子を内蔵した複数のマイクロカプセルを備えた電気泳動素子が接着されており、対向電極が設けられた対向基板と素子基板との間に電気泳動素子を挟持していた。
そして、マイクロカプセルを挟持する複数の画素電極と対向電極との間に発生させた電界により帯電粒子を制御することで画像を表示していた。
Then, an image is displayed by controlling charged particles by an electric field generated between a plurality of pixel electrodes sandwiching the microcapsule and the counter electrode.
しかしながら、従来の電気泳動表示装置では、電気泳動素子が複数の画素電極の上に接着剤層を介して配置されていたため、隣接する画素電極間に電位差が生じると接着剤層を介してリーク電流が発生するという問題があった。このリーク電流は、1経路あたりのリーク電流は小さいが、複数の画素を備えたアクティブマトリクス型電気泳動表示装置などの場合には複数の経路が存在するため、電気泳動表示装置全体としてのリーク電流が大きくなり、消費電力の増大につながっていた。 However, in the conventional electrophoretic display device, since the electrophoretic element is disposed on the plurality of pixel electrodes via the adhesive layer, if a potential difference is generated between the adjacent pixel electrodes, a leakage current is generated via the adhesive layer. There was a problem that occurred. Although this leak current is small per one path, in the case of an active matrix electrophoretic display device having a plurality of pixels, there are a plurality of paths, so that the leak current of the entire electrophoretic display device Increased, leading to an increase in power consumption.
ここで、従来の電気泳動表示装置の画素回路におけるリーク電流の経路について、具体的に説明する。
図19は、従来の電気泳動表示装置における画素1020の回路構成の一態様を示す図である。
図19に示す画素1020には、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とが設けられている。
画素スイッチング素子24のゲート端子に走査線40が接続されている。画素スイッチング素子24のソース端子にデータ線50が接続され、ドレイン端子にはラッチ回路25の入力端子N1が接続されている。ラッチ回路25の出力端子N2は画素電極21と接続されている。高電位電源線58及び低電位電源線57はラッチ回路25に電源電圧を供給する配線である。
なお、これらの構成要素の個別具体的な構成については、後述する実施の形態において図2等を参照して説明しており、図19に示す構成要素のうち、図2と同一符号の構成要素は共通の構成である。
Here, the path of the leakage current in the pixel circuit of the conventional electrophoretic display device will be specifically described.
FIG. 19 is a diagram illustrating one mode of a circuit configuration of a
A
A
The individual specific configuration of these components has been described with reference to FIG. 2 and the like in the embodiment described later. Among the components shown in FIG. 19, the components having the same reference numerals as those in FIG. Is a common configuration.
図20は、画素1020を有する電気泳動表示装置における隣接画素間のリーク経路を示す説明図である。図20には、黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wとが隣接している場合におけるリーク経路LPが示されている。
なお、図20における各構成要素の符号に付した「B」「W」の添字は、当該構成要素が黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。
FIG. 20 is an explanatory diagram showing a leak path between adjacent pixels in the electrophoretic display device having the
The subscripts “B” and “W” attached to the reference numerals of the components in FIG. 20 clarify whether the component belongs to the
黒表示画素である画素1020Bでは、ラッチ回路25Bにローレベル(低電位)の画像データが入力されている。したがってラッチ回路25の出力端子N2Bからハイレベル(高電位)が出力されており、画素電極21Bにハイレベルが入力されている。
一方、白表示画素である画素1020Wでは、ラッチ回路25Wにハイレベルの画像データが入力されている。したがってラッチ回路25の出力端子N2Wからローレベルが出力されており、画素電極21Wにローレベルが入力されている。
In the
On the other hand, in the
図20に示したように、黒表示の画素1020Bと白表示の画素1020Wとが隣接していると、画素電極21B、21W間の電位差による横方向の電界が生じ、画素電極21B、21Wと電気泳動素子23とを固着している接着剤層30に含まれるわずかな水分などの影響によって、矢印で示すようなリーク経路LPが形成される。すなわち、高電位電源線58から、ラッチ回路25B(P型トランジスタ52B)、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、ラッチ回路25W(N型トランジスタ51W)、低電位電源線57をリーク経路とするリーク電流が発生する。
As shown in FIG. 20, when the
また、上述したリーク経路LPは、ラッチ回路25と画素電極21との間にスイッチ回路が設けられた構成の画素においても発生する。
図21は、スイッチ回路である2つのトラスミッションゲートを備えた画素1120の回路構成を示す図である。
図21に示す画素1120は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、トランスミッションゲートTG1、TG2と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。トランスミッションゲートTG1は、第1の制御線S1と画素電極21との間に設けられた電位制御用スイッチ回路であり、ラッチ回路25の入力端子N1及び出力端子N2からの出力に基づいて第1の制御線S1と画素電極21との接続状態をスイッチングする。トランスミッションゲートTG2は、第2の制御線S2と画素電極21との間に設けられた電位制御用スイッチ回路であり、ラッチ回路25の入力端子N1及び出力端子N2からの出力に基づいて第2の制御線S2と画素電極21との接続状態をスイッチングする。
なお、これらの構成要素の個別具体的な構成については、後述する実施の形態において図14等を参照して説明しており、図21に示す構成要素のうち、図14と同一符号の構成要素は共通の構成である。
The above-described leak path LP also occurs in a pixel having a configuration in which a switch circuit is provided between the
FIG. 21 is a diagram illustrating a circuit configuration of a
A
The individual specific configuration of these components has been described with reference to FIG. 14 and the like in the embodiment described later. Among the components shown in FIG. 21, the components having the same reference numerals as those in FIG. Is a common configuration.
図22は、画素1120を有する電気泳動表示装置における隣接画素間のリーク経路を示す説明図である。図22には、隣接して配置された黒表示の画素1120Bと白表示の画素1120Wとの間のリーク経路LPが示されている。
なお、以下の説明では第1の制御線S1にハイレベル(高電位)が入力され、第2の制御線S2にローレベル(低電位)が入力されているものとする。また、図22において構成要素の符号に付した添字「B」「W」は、図20における添字と同様のものである。
FIG. 22 is an explanatory diagram showing a leak path between adjacent pixels in the electrophoretic display device having the
In the following description, it is assumed that a high level (high potential) is input to the first control line S1, and a low level (low potential) is input to the second control line S2. Also, the suffixes “B” and “W” attached to the reference numerals of the components in FIG. 22 are the same as the suffixes in FIG.
黒表示の画素1120Bでは、ラッチ回路25にローレベルの画像データが入力されている。この場合、ラッチ回路25の入力端子N1がローレベル、出力端子N2がハイレベルとなるので、トランスミッションゲートTG1Bがオンする。これにより、画素電極21に第1の制御線S1からハイレベルが入力されている。
一方、白表示の画素1120Wでは、ラッチ回路25にハイレベルの画像データが入力されている。この場合、ラッチ回路25の入力端子N1がハイレベル、出力端子N2がローレベルとなるので、トランスミッションゲートTG2Wがオンする。これにより、画素電極21に第2の制御線S2からローレベルが入力されている。
In the
On the other hand, in the
図22に示すように、ハイレベルの画素電極21Bとローレベルの画素電極21Wとが隣接していると、これらの電位差による横方向の電界が生じ、画素1120B、1120Wの間に矢印で示すリーク経路LPが形成される。すなわち、画素1120B側の第1の制御線S1から、トランスミッションゲートTG1B、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、及びトランスミッションゲートTG2Wを経由して、第2の制御線S2に至る経路のリーク電流が発生する。
なお、第1の制御線S1の電位と第2の制御線S2の電位とを入れ替えると、リーク経路は逆向きになる。
As shown in FIG. 22, when the high-
Note that when the potential of the first control line S1 and the potential of the second control line S2 are interchanged, the leak path is reversed.
以上説明したように、図19及び図21に示した2種類の画素構成のいずれにおいても接着剤層30を介した画素間のリーク電流が生じる。そして、わずかな水分などの影響によりリーク電流が生じるということは、画素電極21と接着剤層30との間において電気化学的反応が生じる可能性を示す。すなわち、画素電極の信頼性を損なうイオン性マイグレーションや腐食が発生してしまう恐れがあった。画素電極の形成材料に金、白金などの貴金属を用いれば信頼性は向上するが、貴金属を用いることはコストの増大、製造工程の複雑化を招くため、信頼性を高めながら製造コストを抑制することが困難であった。
As described above, in any of the two types of pixel configurations shown in FIGS. 19 and 21, a leak current between pixels is generated via the
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、画素間のリーク電流を抑え、信頼性を向上させた電気泳動表示装置、及び電子機器を提供することを目的の1つとする。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides an electrophoretic display device and an electronic apparatus that can suppress leakage current between pixels and improve reliability.
本発明の電気泳動表示装置は、上記課題を解決するために、一対の基板間に電気泳動粒子を含んだ電気泳動素子を挟持してなり、一方の前記基板には画素ごとに画素電極が形成され、他方の前記基板には複数の前記画素に共通の共通電極が形成された電気泳動表示装置であって、前記画素ごとに、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に順方向に接続されたダイオードと、前記画素電極と定電位配線との間に接続されたスイッチングトランジスタと、を有することを特徴とする。
この構成によれば、画素電極に向かって順方向のダイオードが設けられているので、画素電極から画素スイッチング素子への逆電流をダイオードによって遮断することができる。なお、この場合には、画素電極から画素スイッチング素子を介して配線等に通じるリーク経路が遮断されるため、リーク経路は、画素電極からスイッチングトランジスタを介して定電位配線に通じる経路となる。しかし、スイッチングトランジスタは画素電極に対する低電位の供給や画素電極からの電荷の引き抜きに用いられるものであるため、高抵抗のものを用いることができる。よって、本発明の構成では、従来の画素回路におけるラッチ回路やトランスミッションゲートを介したリーク経路よりも高抵抗のリーク経路となるので、リーク電流が低減される。また、リーク電流の低減によってリーク電流に起因する画素電極の信頼性低下を防止することができる。
したがって本発明によれば、消費電力を低減でき、信頼性にも優れた電気泳動表示装置を提供することができる。
In order to solve the above problems, an electrophoretic display device according to the present invention includes an electrophoretic element including electrophoretic particles sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode is formed for each pixel on one of the substrates. An electrophoretic display device in which a common electrode common to a plurality of the pixels is formed on the other substrate, wherein each pixel includes a pixel switching element and a gap between the pixel switching element and the pixel electrode. And a switching transistor connected between the pixel electrode and the constant potential wiring.
According to this configuration, since the forward diode is provided toward the pixel electrode, the reverse current from the pixel electrode to the pixel switching element can be blocked by the diode. In this case, since the leak path leading from the pixel electrode to the wiring or the like via the pixel switching element is blocked, the leak path becomes a path leading from the pixel electrode to the constant potential wiring via the switching transistor. However, since the switching transistor is used to supply a low potential to the pixel electrode or to extract charges from the pixel electrode, a switching transistor having a high resistance can be used. Therefore, in the configuration of the present invention, the leakage path is higher in resistance than the leakage path via the latch circuit and the transmission gate in the conventional pixel circuit, so that the leakage current is reduced. In addition, a reduction in leakage current can prevent a decrease in pixel electrode reliability due to the leakage current.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an electrophoretic display device that can reduce power consumption and has high reliability.
前記画素スイッチング素子と前記ダイオードとの間にメモリ回路が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、画素に入力された画像データをメモリ回路に保持することができるので、画素に対するデータ入力を行わなくても画素電極への電位の供給を継続させることができる。また、メモリ回路と画素電極との間にダイオードが配置されるので、画素電極からメモリ回路への逆電流をダイオードによって遮断することができ、逆電流がメモリ回路の保持データに影響するのを防止することができる。
Preferably, a memory circuit is provided between the pixel switching element and the diode.
According to this configuration, since the image data input to the pixel can be held in the memory circuit, the potential supply to the pixel electrode can be continued without performing data input to the pixel. In addition, since a diode is arranged between the memory circuit and the pixel electrode, the reverse current from the pixel electrode to the memory circuit can be blocked by the diode, and the reverse current can be prevented from affecting the data retained in the memory circuit. can do.
前記メモリ回路が複数の電界効果トランジスタを有するラッチ回路であり、前記スイッチングトランジスタのオン抵抗が前記メモリ回路を構成する前記電界効果トランジスタのオン抵抗より大きいことが好ましい。
メモリ回路と画素電極との間にダイオードを備えていない従来の回路構成(図19)では、メモリ回路が隣接画素間のリーク経路となる。これに対して、本発明の電気泳動表示装置では、メモリ回路と画素電極との間のダイオードにより逆電流が遮断されるため、スイッチングトランジスタが隣接画素間のリーク経路となる。
そこで、本構成のように、リセットトランジスタのオン抵抗を、メモリ回路の電界効果トランジスタのオン抵抗より大きくすれば、少なくとも従来の電気泳動表示装置よりもリーク電流は低減される。本発明では、スイッチングトランジスタは、低電位入力又は電荷引き抜きに用いられるため、メモリ回路を構成する電界効果トランジスタよりも設計の自由度が大きく、オン抵抗を大きくしやすいという利点もある。
Preferably, the memory circuit is a latch circuit having a plurality of field effect transistors, and the on-resistance of the switching transistor is larger than the on-resistance of the field effect transistor constituting the memory circuit.
In the conventional circuit configuration (FIG. 19) that does not include a diode between the memory circuit and the pixel electrode, the memory circuit becomes a leak path between adjacent pixels. On the other hand, in the electrophoretic display device of the present invention, since the reverse current is blocked by the diode between the memory circuit and the pixel electrode, the switching transistor becomes a leakage path between adjacent pixels.
Therefore, when the on-resistance of the reset transistor is made larger than the on-resistance of the field effect transistor of the memory circuit as in this configuration, the leakage current is reduced at least as compared with the conventional electrophoretic display device. In the present invention, since the switching transistor is used for low-potential input or charge extraction, there are advantages in that the degree of freedom of design is greater than that of the field effect transistor constituting the memory circuit, and the on-resistance is easily increased.
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記メモリ回路の入力端子に接続されている構成とすることができる。
メモリ回路としてラッチ回路を備えた構成では、メモリ回路は入力信号の反転信号を出力する。すなわち、メモリ回路の入力端子にローレベルが入力された場合には、出力端子からハイレベルが出力され、ハイレベルが入力された場合にはローレベルが出力される。そこで、本構成のようにスイッチングトランジスタのゲート端子をメモリ回路の入力端子と接続しておくことで、メモリ回路からローレベルが出力されるときにスイッチングトランジスタがオンされ、メモリ回路からハイレベルが出力されるときにはスイッチングトランジスタがオフされるように動作させることができる。
これにより、画素電極にハイレベルを入力する際には、スイッチングトランジスタがオフ状態となるので、メモリ回路の出力端子からダイオードを介して画素電極に確実にハイレベルを入力することができる。一方、画素電極にローレベルを入力する際には、スイッチングトランジスタがオン状態となるので、画素電極と定電位配線とが接続され、画素電極にローレベルを入力することがきる。
したがって本発明によれば、画素スイッチング素子を介してメモリ回路に入力された画像データに基づいた電位を確実に画素電極に入力することができる。
The gate terminal of the switching transistor may be connected to the input terminal of the memory circuit.
In a configuration including a latch circuit as a memory circuit, the memory circuit outputs an inverted signal of the input signal. That is, when a low level is input to the input terminal of the memory circuit, a high level is output from the output terminal, and when a high level is input, a low level is output. Therefore, by connecting the gate terminal of the switching transistor to the input terminal of the memory circuit as in this configuration, the switching transistor is turned on when the low level is output from the memory circuit, and the high level is output from the memory circuit. When it is done, the switching transistor can be operated to be turned off.
Thus, when a high level is input to the pixel electrode, the switching transistor is turned off, so that the high level can be reliably input to the pixel electrode from the output terminal of the memory circuit via the diode. On the other hand, when a low level is input to the pixel electrode, the switching transistor is turned on, so that the pixel electrode and the constant potential wiring are connected and the low level can be input to the pixel electrode.
Therefore, according to the present invention, a potential based on image data input to the memory circuit via the pixel switching element can be reliably input to the pixel electrode.
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記画素スイッチング素子のゲート端子と共通の走査線に接続されている構成とすることもできる。
この構成によれば、スイッチングトランジスタと画素スイッチング素子は走査線を介した選択信号の入力によって同期して動作することになる。すなわち、スイッチングトランジスタは、画素スイッチング素子を介して画像データが入力される期間(データ入力期間)以外はオフ状態となる。
したがって、本発明の構成によれば、ダイオードによって画素回路へのリーク経路が遮断されるのに加えて、画素電極から定電位配線に至るリーク経路も、データ入力期間以外はオフ状態に保持されるスイッチングトランジスタによって遮断されることになる。このように本発明によれば、隣接画素間のリーク電流をなくすことができ、消費電力を低減するとともに、信頼性を向上させた電気泳動表示装置を提供することができる。
The gate terminal of the switching transistor may be connected to a common scanning line with the gate terminal of the pixel switching element.
According to this configuration, the switching transistor and the pixel switching element operate in synchronization by the selection signal input via the scanning line. That is, the switching transistor is in an off state except for a period during which image data is input via the pixel switching element (data input period).
Therefore, according to the configuration of the present invention, in addition to blocking the leakage path to the pixel circuit by the diode, the leakage path from the pixel electrode to the constant potential wiring is also kept in the off state except during the data input period. It is interrupted by the switching transistor. As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electrophoretic display device that can eliminate a leakage current between adjacent pixels, reduce power consumption, and improve reliability.
また、前記スイッチングトランジスタのゲート端子と接続されたリセット線を有する構成とすることもできる。
この構成によれば、スイッチングトランジスタは走査線とは独立したリセット線に接続されるため、スイッチングトランジスタを画素スイッチング素子とは独立に制御することができる。したがって、スイッチングトランジスタによって画素電極から電荷を引き抜く動作を確実に実行することができ、入力された画像データに基づく電位を画素電極に対して確実に入力することができる。よって本発明によれば、動作信頼性にも優れた電気泳動表示装置を提供することができる。
Moreover, it can also be set as the structure which has the reset line connected with the gate terminal of the said switching transistor.
According to this configuration, since the switching transistor is connected to the reset line independent of the scanning line, the switching transistor can be controlled independently of the pixel switching element. Therefore, the operation of extracting the charge from the pixel electrode by the switching transistor can be surely executed, and the potential based on the input image data can be reliably input to the pixel electrode. Therefore, according to the present invention, an electrophoretic display device excellent in operation reliability can be provided.
前記メモリ回路と前記ダイオードとの間に、第1及び第2の制御線と接続された電位制御用スイッチ回路が設けられている構成とすることもできる。
この構成によれば、画素スイッチング素子を介して入力された画像データに基づいて電位制御用スイッチ回路を動作させることで、画素電極と電気的に接続する第1の制御線又は第2の制御線を選択できる。これにより、画素電極の電位を容易に制御できる電気泳動表示装置とすることができる。
そして、電位制御用スイッチ回路と画素電極との間にダイオードが配置されるので、画素電極から電位制御用スイッチ回路を経由して第1又は第2の制御線に至る逆電流の経路を遮断することができる。したがって、隣接画素間のリーク電流を低減し、信頼性も向上させた電気泳動表示装置を提供することができる。
A potential control switch circuit connected to the first and second control lines may be provided between the memory circuit and the diode.
According to this configuration, the first control line or the second control line that is electrically connected to the pixel electrode by operating the potential control switch circuit based on the image data input through the pixel switching element. Can be selected. Accordingly, an electrophoretic display device that can easily control the potential of the pixel electrode can be obtained.
Since the diode is arranged between the potential control switch circuit and the pixel electrode, the reverse current path from the pixel electrode to the first or second control line via the potential control switch circuit is cut off. be able to. Therefore, it is possible to provide an electrophoretic display device in which leakage current between adjacent pixels is reduced and reliability is improved.
前記電位制御用スイッチ回路は第1及び第2のトランスミッションゲートを有し、前記第1のトランスミッションゲートに前記第1の制御線が接続され、前記第2のトランスミッションゲートには前記第2の制御線が接続されており、前記第1及び第2のトランスミッションゲートのそれぞれに対応して前記ダイオードが設けられていることが好ましい。
この構成によれば、画素電極に対して接続された第1及び第2のトランスミッションゲートを備える場合に、一方のトランスミッションゲートから他方のトランスミッションゲートへの逆電流を防止することができるので、同一画素内のリーク経路を遮断することができ、消費電力を抑えることができる。
The potential control switch circuit includes first and second transmission gates, the first control line is connected to the first transmission gate, and the second control line is connected to the second transmission gate. Are connected, and the diode is preferably provided corresponding to each of the first and second transmission gates.
According to this configuration, when the first and second transmission gates connected to the pixel electrode are provided, the reverse current from one transmission gate to the other transmission gate can be prevented. The internal leakage path can be cut off and power consumption can be suppressed.
前記画素スイッチング素子を介して前記メモリ回路に画像データを入力するデータ入力期間と、前記メモリ回路の出力に基づき前記電気泳動素子を駆動して画像を表示する画像表示期間とを有しており、前記メモリ回路に電源電圧を供給する高電位電源線と低電位電源線とが接続されており、前記画像表示期間における前記低電位電源線の電位が前記データ入力期間における電位よりも高く設定されていることが好ましい。
本発明に係る電気泳動表示装置では、メモリ回路と画素電極との間にダイオードが設けられているため、メモリ回路から出力される電位がダイオードのしきい電圧以下であるとダイオードが動作せず、画素電極の電位がメモリ回路の出力に応じた電位とならない。そこで、画像表示期間における低電位電源線の電位を上昇させることで、ダイオードが確実に動作するようなるので、メモリ回路に保持されている画像データに対応する電位を画素電極に入力することができる。
A data input period for inputting image data to the memory circuit via the pixel switching element, and an image display period for displaying the image by driving the electrophoretic element based on the output of the memory circuit, A high potential power supply line and a low potential power supply line for supplying a power supply voltage to the memory circuit are connected, and the potential of the low potential power supply line in the image display period is set higher than the potential in the data input period. Preferably it is.
In the electrophoretic display device according to the present invention, since the diode is provided between the memory circuit and the pixel electrode, the diode does not operate when the potential output from the memory circuit is lower than the threshold voltage of the diode, The potential of the pixel electrode does not become a potential corresponding to the output of the memory circuit. Therefore, by raising the potential of the low-potential power supply line during the image display period, the diode operates reliably, so that the potential corresponding to the image data held in the memory circuit can be input to the pixel electrode. .
本発明の電子機器は、前記電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする。かかる構成によれば、消費電力が小さく、信頼性にも優れた表示部を具備した電子機器を提供することができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the electrophoretic display device. According to such a configuration, it is possible to provide an electronic device including a display unit with low power consumption and excellent reliability.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
なお、本実施形態では、アクティブマトリクス方式により駆動される電気泳動表示装置について説明する。また以下の各実施形態は、それぞれ本発明の一態様を示すものであって、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the present embodiment, an electrophoretic display device driven by an active matrix method will be described. Each of the following embodiments shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each configuration easy to understand, the actual structure is different from the scale and number of each structure.
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電気泳動表示装置1の概略を示す平面図である。電気泳動表示装置1は、複数の画素20が配列された表示部3と、走査線駆動回路60と、データ線駆動回路70とを備えている。
表示部3には、走査線駆動回路60から延びる複数の走査線40(Y1、Y2、…、Ym)と、データ線駆動回路70から延びる複数のデータ線50(X1、X2、…、Xn)とが形成されている。走査線40とデータ線50との交差部に対応して、これらの配線と接続された画素20が設けられている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a plan view schematically showing an
The
図2は、画素20の回路構成を示す図である。
図2に示すように、画素20には、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、ダイオード10と、スイッチングトランジスタ15と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とが設けられている。
なお、図19に示した画素1020は、図2に示す画素20からダイオード10とスイッチングトランジスタ15とを省略したものに相当する。
FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of the
As shown in FIG. 2, the
Note that the
画素スイッチング素子24は、電界効果型のN型トランジスタである。画素スイッチング素子24のゲート端子に走査線40が接続され、ソース端子にデータ線50が接続されている。画素スイッチング素子24のドレイン端子に、ラッチ回路25の入力端子N1が接続されている。
The
ラッチ回路25は、転送インバータ25aと帰還インバータ25bとを有しており、SRAM(Static Random Access Memory)セルに相当する回路である。すなわち本実施形態に係る画素20は、ラッチ回路25に画像データを電位として保持するSRAM方式の構成である。
転送インバータ25aの出力端子は帰還インバータ25bの入力端子と接続されており、帰還インバータ25bの出力端子は転送インバータ25aの入力端子と接続されている。すなわち、転送インバータ25aと帰還インバータ25bとは、互いの入力端子に他方の出力端子を接続したループ構造になっている。
そして、転送インバータ25aの入力端子(帰還インバータ25bの出力端子)がラッチ回路25の入力端子N1となっており、転送インバータ25aの出力端子(帰還インバータ25bの入力端子)がラッチ回路25の出力端子N2となっている。ラッチ回路25の高電位電源端子N3は高電位電源線58と接続され、低電位電源端子N4は低電位電源線57と接続されている。
The
The output terminal of the
The input terminal of the
転送インバータ25aは、N型トランジスタ51とP型トランジスタ52とを有している。N型トランジスタ51及びP型トランジスタ52のゲート端子は、ラッチ回路25の入力端子N1と接続されている。N型トランジスタ51のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は出力端子N2と接続されている。P型トランジスタのソース端子は高電位電源線58と接続され、ドレイン端子は出力端子N2と接続されている。
The
帰還インバータ25bは、N型トランジスタ53とP型トランジスタ54とを有している。N型トランジスタ53及びP型トランジスタ54のゲート端子は、ラッチ回路25の出力端子N2(N型トランジスタ51及びP型トランジスタ52のドレイン端子)と接続されている。N型トランジスタ53のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は入力端子N1と接続されている。P型トランジスタ54のソース端子は高電位電源線58と接続され、ドレイン端子は入力端子N1と接続されている。
The
ダイオード10は、ラッチ回路25と画素電極21との間に接続されている。具体的には、ラッチ回路25の出力端子N2とダイオード10のアノード端子が接続され、ダイオードのカソード端子と画素電極21とが接続されている。したがってダイオード10は、ラッチ回路25から画素電極21へ順方向に接続されている。
The
スイッチングトランジスタ15は電界効果型のN型トランジスタである。スイッチングトランジスタのソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は画素電極21と接続されている。スイッチングトランジスタ15のゲート端子はラッチ回路25の入力端子N1と接続されている。また本実施形態において、スイッチングトランジスタ15のオン抵抗は、画素電極21の電位制御に支障を生じない範囲で、ラッチ回路25を構成するN型トランジスタ51のオン抵抗よりも大きく設定されている。
The switching
以上の構成を有する画素20において、ラッチ回路25にローレベルが入力されると、入力端子N1はローレベル、出力端子N2はハイレベルとなる。出力端子N2と接続されたダイオード10は、出力端子N2から画素電極21に向かって順方向に接続されているので、ダイオード10に電流が流れて画素電極21にハイレベルが入力される。
このとき、スイッチングトランジスタ15のゲート端子には、入力端子N1からローレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15はオフ状態となっている。したがって、画素電極21と低電位電源線57が接続されることはなく、画素電極21の電位はハイレベルに保持される。
In the
At this time, since the low level is input to the gate terminal of the switching
一方、ラッチ回路25にハイレベルが入力されると、入力端子N1はハイレベル、出力端子N2はローレベルとなる。したがって、出力端子N2と接続されたダイオード10のアノード端子にローレベルが入力され、カソード端子との電位差が生じない状態となるので、ダイオード10はオフ状態となる。その一方で、スイッチングトランジスタ15のゲート端子には、出力端子N2からハイレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15がオン状態となる。したがって、画素電極21には、スイッチングトランジスタ15を介して低電位電源線57からローレベルが入力される。
以上説明したように、画素電極21には、ラッチ回路25に入力された画像データに基づいた電位が入力される。
On the other hand, when a high level is input to the
As described above, the potential based on the image data input to the
図3は、表示部3における電気泳動表示装置1の部分断面図である。電気泳動表示装置1は、素子基板28と対向基板29との間に、複数のマイクロカプセル80を配列してなる電気泳動素子23を挟持した構成を備えている。
表示部3において、素子基板28の電気泳動素子23側には複数の画素電極21が配列形成されており、電気泳動素子23は接着剤層30を介して画素電極21と接着されている。対向基板29の電気泳動素子23側には複数の画素電極21と対向する平面形状の共通電極22が形成されており、共通電極22上に電気泳動素子23が設けられている。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the
In the
素子基板28は、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示面とは反対側に配置されるため透明なものでなくてもよい。図示は省略しているが、画素電極21と素子基板28との間には、図1、図2に示した走査線40、データ線50、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、ダイオード10、及びスイッチングトランジスタ15などが形成されている。
The
対向基板29はガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示側に配置されるため透明基板とされる。対向基板29上に形成された共通電極22は、MgAg(マグネシウム銀)、ITO(インジウム・スズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)等の透明導電材料を用いて形成されている。
なお、電気泳動素子23は、あらかじめ対向基板29側に形成され、接着剤層30までを含めた電気泳動シートとして取り扱われるのが一般的である。また、接着剤層30側には、保護用の剥離紙が貼り付けられている。
製造工程においては、別途製造された、画素電極21や前記回路などが形成された素子基板28に対して、剥離紙を剥がした当該電気泳動シートを貼り付けることによって、表示部3を形成している。このため、接着剤層30は画素電極21側のみに存在することになる。
The
The
In the manufacturing process, the
図4は、マイクロカプセル80の模式断面図である。マイクロカプセル80は、例えば50μm程度の粒径を有しており、内部に分散媒81と、複数の白色粒子(電気泳動粒子)82と、複数の黒色粒子(電気泳動粒子)83とを封入した球状体である。マイクロカプセル80は、図3に示すように共通電極22と画素電極21とで挟持され、1つの画素20内に1つ又は複数のマイクロカプセル80が配置される。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the
マイクロカプセル80の外殻部(壁膜)は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成される。
The outer shell (wall film) of the
分散媒81は、白色粒子82と黒色粒子83とをマイクロカプセル80内に分散させる液体である。分散媒81としては、水、アルコール系溶媒(メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど)、脂肪族炭化水素(ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど)、脂環式炭化水素(シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類(キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど))、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンなど)、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独又は混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。
The
白色粒子82は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば負に帯電されて用いられる。黒色粒子83は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子(高分子あるいはコロイド)であり、例えば正に帯電されて用いられる。
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
The
These pigments include electrolytes, surfactants, metal soaps, resins, rubbers, oils, varnishes, compound charge control agents, titanium-based coupling agents, aluminum-based coupling agents, silanes as necessary. A dispersant such as a system coupling agent, a lubricant, a stabilizer, and the like can be added.
次に、本発明の電気泳動表示装置1の駆動方法と、電気泳動素子23の動作について説明する。
図5は、電気泳動表示装置1の駆動方法を示すタイミングチャートである。図6は、図5に示した駆動方法における白色粒子82、黒色粒子83の具体的動作を説明する図である。
Next, the driving method of the
FIG. 5 is a timing chart showing a driving method of the
なお、以下の説明では、表示部3に配列された画素20のうち、黒表示される画素20Bと、白表示される画素20Wとについて説明する。したがって、図5及び図6では、説明の都合上、各符号に「B」「W」の添字を付して示すが、これらの添字は、当該構成要素が画素20B、20Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。
In the following description, among the
図5には、図2に示した走査線40、データ線50、高電位電源線58、低電位電源線57、共通電極22、画素20Bの画素電極21B、及び、画素20Wの画素電極21Wの経時的な電位変化を示している。図5における「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態となっていることを表している。
また図6には、黒表示の画素20Bと白表示の画素20Wのそれぞれにおける白色粒子82及び黒色粒子83の運動態様を示している。
なお、以下ではハイレベル及びローレベルの電位を具体的に示しつつ説明するが、これらの電位値は一例であり、適宜変更することができる。
FIG. 5 shows the
Further, FIG. 6 shows the movement mode of the
In the following description, the high-level potential and the low-level potential will be described in detail, but these potential values are examples and can be changed as appropriate.
まず、図5に示すステップS11において、画素20の各配線を駆動回路と電気的に接続し、信号入力可能な状態とする。具体的には、走査線40にローレベル(0V)が入力され、高電位電源線58にハイレベル(5V)、低電位電源線57にローレベル(0V)がそれぞれ供給される。これにより、ラッチ回路25W、25Bが電源オン状態となり、データ線50から入力される画像データを記憶できる状態となる。
First, in step S11 shown in FIG. 5, each wiring of the
次に、ステップS12において、走査線40に選択信号(7Vのハイレベル)を入力する。これにより、画素スイッチング素子24がオンされ、データ線50からラッチ回路25に画像データが入力され、ラッチ回路25は入力された画像データを記憶する。
黒表示される画素20Bでは、画像データとしてローレベルが入力され、ラッチ回路25の出力端子N2Bから画素電極21Bにハイレベル(5V)が入力される。一方、白表示される画素20Wでは、画像データとしてハイレベルが入力され、ラッチ回路25の出力端子N2Wから画素電極21Wにローレベル(0V)が入力される。
なお、出力端子N2Wから出力されるローレベルの電位が、画素電極21Wの電位と同電位、あるいは画素電極21Wよりも低い電位である場合、リセットトランジスタ15がオフ状態となって出力端子N2Wからの出力がリセットトランジスタ15により遮断される場合がある。しかしこの場合にも、ラッチ回路25の入力端子N1Wから出力されるハイレベルの信号によってリセットトランジスタ15がオン状態となり、画素電極21Wと低電位電源線57とが同電位となるため、画素電極21Wはローレベルの電位となる。
Next, in step S12, a selection signal (high level of 7V) is input to the
In the
When the low level potential output from the output terminal N2W is the same potential as the potential of the
その後、ステップS13において、高電位電源線58の電位を5Vから15Vに引き上げる。低電位電源線57の電位は0Vのままである。これにより、黒表示される画素20Bにおいて、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力される電位がハイレベル(15V)に上昇するので、画素電極21Bの電位も5Vから15Vのハイレベルに上昇する。なお、白表示される画素20Wにおいて電位の変動は生じない。
Thereafter, in step S13, the potential of the high potential
次に、ステップS14において、共通電極22には、ローレベル(0V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状の基準パルスを複数周期分(図では4周期分)入力する。
このような駆動方法を本願においては「コモン振り駆動」と呼ぶ。また、コモン振り駆動の定義としては、表示画像を書き替える期間において、共通電極22にハイレベル(H)の期間とローレベル(L)の期間とを繰り返すパルスが少なくとも1周期以上印加される駆動方法のことである。
このコモン振り駆動方法によれば、画素電極と共通電極とに印加する電位をハイレベル(H)とローレベル(L)との2値により制御可能であるため、低電圧化が図れるとともに、回路構成をシンプルにすることができる。また、各画素電極21(21B、21W)のスイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor)を用いた場合には、低電圧駆動によりTFTの信頼性を確保することができるというメリットがある。
Next, in step S14, a rectangular reference pulse that repeats a low level (0V) period and a high level (15V) period is input to the
This driving method is referred to as “common swing driving” in the present application. The common swing drive is defined as a drive in which at least one cycle of a pulse that repeats a high level (H) period and a low level (L) period is applied to the
According to this common swing driving method, the potential applied to the pixel electrode and the common electrode can be controlled by binary values of a high level (H) and a low level (L). The configuration can be simplified. Further, when a TFT (Thin Film Transistor) is used as the switching element of each pixel electrode 21 (21B, 21W), there is an advantage that the reliability of the TFT can be secured by low voltage driving.
ここで、図6を参照してコモン振り駆動における画素20B、20Wの動作について説明する。
図6(a)は、共通電極22にコモン振り駆動における一周期目のパルスのローレベル(L;0V)が印加されたときの態様を示している。
画素20Bにおいて、画素電極21Bにはハイレベル(H;15V)が印加され、共通電極22にローレベル(L;0V)が印加されている。したがって、画素電極21Bと共通電極22との間に縦方向の電界が形成され、正に帯電した黒色粒子83が共通電極22に引き寄せられる。その一方で、負に帯電した白色粒子82は画素電極21Bに引き寄せられる。
このとき、画素20Wでは、共通電極22と画素電極21Wがともにローレベル(L;0V)であるため、これらの電極間に電界は形成されず、したがって各粒子は移動しない。
Here, the operation of the
FIG. 6A shows a mode when the low level (L; 0 V) of the first cycle pulse in the common swing drive is applied to the
In the
At this time, in the
図6(b)は、共通電極22に一周期目のパルスにおけるハイレベル(H;15V)が印加されたときの態様を示している。
画素20Wにおいて、画素電極21Wにはローレベル(0V)が印加され、共通電極22にハイレベル(15V)が印加されている。したがって、画素電極21Wと共通電極22との間に縦方向の電界が形成され、負に帯電した白色粒子82が共通電極22に引き寄せられる。その一方で、正に帯電した黒色粒子83は画素電極21Wに引き寄せられる。
このとき、画素20Bでは、共通電極22と画素電極21Bがともにハイレベル(15V)であるため、これらの電極間に電界は形成されず、したがって各粒子は移動しない。
FIG. 6B shows a mode when a high level (H; 15 V) in the first cycle pulse is applied to the
In the
At this time, in the
図6(c)は、コモン振り駆動における一周期のパルスが印加された直後の態様を示している。
画素20Bにおいては、共通電極22側に黒色粒子83が集まり、画素電極21B側に白色粒子82が集まっているため、表示面となる共通電極22側の黒表示が観察される。
画素20Wにおいては、共通電極22側に白色粒子82が集まり、画素電極21W側に黒色粒子83が集まっているため、表示面となる共通電極22側の白表示が観察される。
以上が、一周期のパルスにおける駆動態様であるが、これを複数周期行なうことにより、白色粒子82、および黒色粒子83の移動が、より確実になされるため、コントラストを高めることができる。なお、コモン振り駆動の周期数、および周波数は、電気泳動素子の仕様や特性に応じて適宜定めることが好ましい。
FIG. 6C shows a mode immediately after a pulse of one period in the common swing drive is applied.
In the
In the
The above is the driving mode in one cycle pulse. By performing this for a plurality of cycles, the movement of the
なお、白色粒子82、黒色粒子83に用いる顔料を、例えば赤色、緑色、青色などの顔料に代えることで、表示部3に赤色、緑色、青色などを表示することができる。
In addition, red, green, blue, etc. can be displayed on the
以上のステップS14における画像表示動作が終了すると、図5に示すように、ステップS15に移行する。ステップS15では、高電位電源線58と、低電位電源線57と、走査線40とがハイインピーダンス状態となって、各回路がオフ状態となる。したがって、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態となる。
When the image display operation in step S14 is completed, the process proceeds to step S15 as shown in FIG. In step S15, the high potential
以上のステップS11からS15により、各画素20における白表示及び黒表示を行うことができる。そして、ステップS11〜S15を繰り返すことで、表示画像を順次更新することができる。
Through the above steps S11 to S15, white display and black display in each
(リーク電流)
次に、電気泳動表示装置1における隣接画素間のリーク電流について説明する。
図7は、隣接画素間のリーク経路の説明図である。図7には、黒表示の画素20Bと白表示の画素20Wとが隣接して配置された場合におけるリーク経路が示されている。
なお、図7において、各符号に付した「B」「W」の添字は、当該構成要素が画素20B、20Wのいずれに属するのかを明確にするものであって他意はない。
(Leakage current)
Next, a leakage current between adjacent pixels in the
FIG. 7 is an explanatory diagram of a leak path between adjacent pixels. FIG. 7 shows a leak path when the
In FIG. 7, the subscripts “B” and “W” attached to each reference sign clarify whether the constituent element belongs to the
黒表示の画素20Bの画素電極21Bにはハイレベルが入力されている。このとき、ラッチ回路25Bの入力端子N1Bにはローレベルが画像データとして入力されているので、P型トランジスタ52Bがオンしており、出力端子N2Bはハイレベルとなっている。したがって、出力端子N2Bからダイオード10Bを介して画素電極21Bにハイレベルが入力されている。
また、スイッチングトランジスタ15Bのゲート端子に入力端子N1Bからローレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15Bがオフ状態となって、低電位電源線57と画素電極21Bとが電気的に切断されている。
A high level is input to the
Further, since the low level is input from the input terminal N1B to the gate terminal of the switching
一方、白表示の画素20Wの画素電極21Wにはローレベルが入力されている。このとき、ラッチ回路25Wの入力端子N1Wにはハイレベルが画像データとして入力されているので、N型トランジスタ51Wがオンしており、出力端子N2Wはローレベルとなっている。また、スイッチングトランジスタ15Wのゲート端子にハイレベルが入力されるので、スイッチングトランジスタ15Wがオン状態となって、低電位電源線57と画素電極21Wとが電気的に接続されている。
On the other hand, a low level is input to the
このような条件においても、画素電極21B、21Wの電位差により横方向の電界が形成されると、接着剤層30に含まれるわずかな水分などの影響により、接着剤層30を介して画素20Bから画素20Wへ流れる電流が発生する。この電流は、画素20B側の高電位電源線58から、P型トランジスタ52B、ダイオード10B、画素電極21B、接着剤層30、画素電極21W、スイッチングトランジスタ15Wを介して、画素20W側の低電位電源線57へ流れるリーク経路LPをたどる電流である。
Even in such a condition, when a horizontal electric field is formed by the potential difference between the
スイッチングトランジスタ15Wがリーク経路となるのは、画素電極21Wとラッチ回路25Wとの間にダイオード10Wが設けられているからである。つまり、画素電極21Wからラッチ回路25Wへ向かう方向は、ダイオード10Wの逆方向であるため電流が流れず、オン状態となっているスイッチングトランジスタ15Wにリーク電流が流れるのである。
The reason why the switching
しかし本実施形態では、スイッチングトランジスタ15のオン抵抗が、ラッチ回路25を形成するN型トランジスタ51、53のオン抵抗よりも高く設定されていることで、図19及び図20に示した場合よりもリーク電流が低減される。すなわち、図20に示したリーク経路では、ラッチ回路25WのN型トランジスタ51Wを介してリーク電流が流れるが、本実施形態ではこのN型トランジスタ51Wよりも高抵抗のスイッチングトランジスタ15Wがリーク経路となるので、抵抗が高い分リーク電流が低減されるのである。
なお、本実施形態において、スイッチングトランジスタ15は、画素電極21に対してローレベルの電位を供給するだけのものであるから、オン抵抗を高くしても動作に不具合を生じにくい。したがって、画素電極21への電圧印加が十分に行える範囲でスイッチングトランジスタ15のオン抵抗を大きくすれば、さらなるリーク電流の低減を図ることができる。
However, in this embodiment, the on-resistance of the switching
In the present embodiment, since the switching
以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置1によれば、以下の作用効果を得ることができる。
まず、ラッチ回路25と画素電極21との間にダイオード10を設けたことで、画素電極21からラッチ回路25へ逆電流が流れないようにすることができる。したがって、図19及び図20に示した従来の画素回路における、ラッチ回路25を介した隣接画素間のリーク経路を遮断することができる。
一方、ラッチ回路25へのリーク経路を遮断したことで、スイッチングトランジスタ15がリーク経路になるが、本実施形態ではスイッチングトランジスタ15のオン抵抗を、ラッチ回路25のN型トランジスタ51のオン抵抗よりも大きくしている。したがって、本実施形態では、少なくともラッチ回路25のN型トランジスタ51を介したリーク経路が形成される従来構成よりもリーク電流を低減することができる。
以上から、本実施形態の電気泳動表示装置1によれば画素間のリーク電流を低減することができ、表示装置全体の消費電力を低減することができる。また、接着剤層30に電流が流れることによる画素電極21でのイオン性マイグレーションや腐食の発生を抑えることができるので、信頼性を向上させることができる。
As described above in detail, according to the
First, by providing the
On the other hand, since the leakage path to the
As described above, according to the
また、本実施形態によれば、ダイオード10を設けたことで、画素電極21からラッチ回路25への逆電流をダイオード10で遮断することができるので、逆電流がラッチ回路25の保持データや動作に影響を与えるのを防止することができる。
Further, according to the present embodiment, since the
また本実施形態では、画像データを保持するラッチ回路25を備えているので、リフレッシュ動作を行わなくても画像データに基づいた一定の電位を継続して画素電極21に入力することができる。なお、ラッチ回路25の出力端子N2からローレベルが出力される場合にはダイオード10は動作しないが、この場合には、ラッチ回路25の入力端子N1からの出力によりスイッチングトランジスタ15をオンさせて低電位電源線57と画素電極21とを接続するので、表示動作に支障をきたすことはない。
In this embodiment, since the
[第2の実施形態]
次に第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態におけるスイッチングトランジスタ15の配線形態を変更するとともに、その駆動方法を工夫したものである。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. In the second embodiment, the wiring form of the switching
図8は、本発明の第2の実施形態に係る電気泳動表示装置に備えられる画素120の回路構成を示す図である。なお、第2の実施形態の電気泳動表示装置の基本構成は第1の実施形態と同様であるから、以下で参照する図面において、図1から図7と共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
FIG. 8 is a diagram illustrating a circuit configuration of the
図8に示すように、画素120は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、ダイオード10と、リセットトランジスタ(スイッチングトランジスタ)115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。これらの構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、ダイオード10、画素電極21、共通電極22、及び電気泳動素子23は、図2に示した画素20と同様の構成である。
As shown in FIG. 8, the
リセットトランジスタ115は電界効果型のN型トランジスタである。リセットトランジスタ115のソース端子は低電位電源線57と接続され、ドレイン端子は画素電極21と接続され、ゲート端子は走査線40と接続されている。
The
画素120では、画素スイッチング素子24のゲート端子と、リセットトランジスタ115のゲート端子が同一の走査線40に接続されている。そのため、画素スイッチング素子24とリセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えは、走査線40を介して入力される選択信号に同期して行なわれる。
したがって、走査線40を介して選択信号が入力されると、画素スイッチング素子24がオンしてデータ線50からラッチ回路25に画像データが入力される動作と、リセットトランジスタ115がオンして画素電極21と低電位電源線57とが接続され、画素電極21にローレベルが入力される動作が並行して行われる。
つまり、画素120では、画像データの入力動作が行われるたびに、リセットトランジスタ115が動作して画素電極21の電位をローレベルに戻す(リセットする)。そして、画像データの入力が終了して画素スイッチング素子24がオフ状態になると、リセットトランジスタ115もオフ状態となって画素電極21と低電位電源線57とが切断され、画素電極21に対して画像データに対応する電位を入力できるようになる。
In the
Therefore, when a selection signal is input through the
That is, in the
このようにして画素電極21がローレベルに戻された後、ラッチ回路25から画素電極21への電位入力が行われる。
まず、ラッチ回路25に画像データとしてローレベルが入力された場合、ラッチ回路25の入力端子N1はローレベル、出力端子N2はハイレベルとなる。これにより、ダイオード10のアノード端子にハイレベルが入力され、ダイオード10を介して画素電極21にハイレベルが入力される。このとき、リセットトランジスタ115はオフしているので、画素電極21に入力したハイレベルの電位が低下することはない。
After the
First, when a low level is input as image data to the
一方、ラッチ回路25に画像データとしてハイレベルが入力された場合、入力端子N1はハイレベル、出力端子N2はローレベルとなる。このとき、ダイオード10のアノード端子には出力端子N2からローレベルが入力されるので、アノード端子とカソード端子はいずれもローレベルとなる。そうすると、アノード端子とカソード端子との間に電位差がないためダイオード10はオフ状態であり、電流は流れない。
そこで本実施形態では、画像データの入力後に低電位電源線57の電位を引き上げることによって、ダイオード10のアノード端子とカソード端子との間に電位差を発生させ、ダイオード10を確実にオンさせるようにしている。これにより、画素電極21に所望の電位を入力できるようにしている。このような動作に関しては、以下の駆動方法の説明において詳細に述べる。
On the other hand, when a high level is input as image data to the
Therefore, in the present embodiment, by raising the potential of the low potential
(電気泳動表示装置の駆動方法)
図9は、第2の実施形態の画像書き換えに係るシーケンスを示す図である。図10は、第2の実施形態の画像表示に係るタイミングチャートを示す図である。図11は、画素電極21への電位入力に係る説明図である。図12は、隣接する黒表示画素と白表示画素とを示す説明図である。
(Driving method of electrophoretic display device)
FIG. 9 is a diagram illustrating a sequence related to image rewriting according to the second embodiment. FIG. 10 is a diagram illustrating a timing chart according to the image display of the second embodiment. FIG. 11 is an explanatory diagram relating to potential input to the
以下、図9から図11を参照して駆動方法の詳細について説明するが、以下の説明では、図12に示すように、同一の走査線40に接続された2つの画素120のうち、一方の画素を白表示、他方の画素を黒表示させる場合について説明する。なお、図5に示した第1実施形態における駆動方法と共通の部分については、適宜説明を省略することとする。
Hereinafter, the driving method will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 11. In the following description, as shown in FIG. 12, one of the two
また、白表示される画素120の構成要素と黒表示される画素120の構成要素とを明確に区別する必要がある場合に、図12に示すように、白表示画素の構成要素を示す符号に添字「W」を付し、黒表示画素の構成要素を示す符に添字「B」を付して説明する。
すなわち、白表示される画素120を画素120Wと表記し、同様に、ラッチ回路25W、リセットトランジスタ115W、ダイオード10Wなどと表記する。一方、黒表示される画素120については、画素120B、ラッチ回路25B、リセットトランジスタ115B、ダイオード10Bなどと表記する。
In addition, when it is necessary to clearly distinguish the constituent elements of the
That is, the
図9に示すように、本実施形態の駆動方法は、各回路の電源をオンにするステップS101と、ラッチ回路25W、25Bへの画像データの入力、及び画素電極21W、21Bの電荷の除去とを行うステップS102と、高電位電源線58の電位を15V、低電位電源線57の電位を1Vに引き上げるステップS103と、共通電極22に1Vの期間と15Vの期間とを繰り返す基準パルスを複数回入力するステップS104と、各回路の電源をオフにするステップS105とを有している。
なお、図9及び図10における印加電圧値は一例であり、これらに限定されるものではない。
As shown in FIG. 9, in the driving method of this embodiment, step S101 for turning on the power of each circuit, input of image data to the
In addition, the applied voltage value in FIG.9 and FIG.10 is an example, and is not limited to these.
図10には、白表示される画素120Wと黒表示される画素120Bとに関するタイミングチャートが示されている。具体的には、図9のシーケンスに対応して、走査線40と、高電位電源線58と、低電位電源線57と、共通電極22と、黒表示される画素の画素電極21Bと、白表示される画素の画素電極21Wとに入力される波形が示されている。「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態を示す。
FIG. 10 shows a timing chart regarding the
まず、ステップS101では、図5に示したステップS11と同様に、電気泳動表示装置1の各回路が表示部3の各配線と接続され、信号を供給できる状態となる。このとき、走査線40はローレベル(0V)であるから、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態である。
First, in step S101, as in step S11 shown in FIG. 5, each circuit of the
次に、データ入力期間であるステップS102に移行する。
ステップS102において、高電位電源線58の電位はハイレベル(5V)に保持され、低電位電源線57の電位はローレベル(0V)に保持される。そして、走査線40を介して画素スイッチング素子24W、24Bのゲート端子、及びリセットトランジスタ115W、115Bのゲート端子にハイレベル(7V)の電位が入力される。これにより、画素スイッチング素子24W、24B及びリセットトランジスタ115W、115Bがオン状態となる。
Next, the process proceeds to step S102 which is a data input period.
In step S102, the potential of the high potential
ここで、リセットトランジスタ115W、115Bがオンされることで、図11(b)に示すように、画素電極21W、21Bと低電位電源線57とが接続され、画素電極21W、21Bの電荷が低電位電源線57に引き抜かれる。これにより、図10に示すように、白表示画素の画素電極21W、及び黒表示画素の画素電極21Bの電位は、いずれも低電位電源線57と同じローレベル(0V)となる。
Here, when the
また、選択信号の入力により画素スイッチング素子24W、24Bがオンされると、画素120W、120Bのそれぞれでデータ線50からラッチ回路25W、25Bに画像データに基づいた電位が入力される。
これにより、白表示される画素120Wのラッチ回路25Wには、画像データとしてハイレベル(5V)が入力され、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wからはローレベル(0V)が出力される。
一方、黒表示される画素120Bのラッチ回路25Bには、画像データとしてローレベル(0V)が入力され、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bからはハイレベル(5V)が出力される。
When the
Accordingly, a high level (5V) is input as image data to the
On the other hand, a low level (0V) is input as image data to the
なお、画素スイッチング素子24W、24Bの選択期間中は、リセットトランジスタ115W、115Bもオン状態となっているので、図10に示すように、ラッチ回路25W、25Bの保持データによらず画素電極21W、21Bの電位はローレベル(0V)のままである。
Note that, during the selection period of the
その後、所定期間の経過後、走査線40の電位はハイレベル(7V)からローレベル(0V)に移行する。これにより、画素スイッチング素子24W、24B、及びリセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態となる。
Thereafter, after a lapse of a predetermined period, the potential of the
この期間において、白表示される画素120Wでは、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wと画素電極21Wの電位がいずれもローレベル(0V)であるから、ダイオード10Wのアノード端子とカソード端子に電位差が生じず、ダイオード10Wがオフ状態である。したがって、図10に示すように、画素電極21Wは、他の回路や配線から電気的に切断されたハイインピーダンス状態となる。
一方、黒表示される画素120Bでは、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力されるハイレベル(5V)がダイオード10Bを介して画素電極21Bに入力される。すなわち、図11(a)に示すように、リセットトランジスタ115Bがオフされた後、ラッチ回路25Bからダイオード10Bを介して画素電極21Bにハイレベル(5V)が入力される。これにより、図10に示すように画素電極21Bの電位がハイレベル(5V)に上昇する。
During this period, in the
On the other hand, in the
次に、ステップS103に移行する。
ステップS103では、高電位電源線58の電位を5Vから15Vに引き上げ、低電位電源線57の電位を0Vから1Vに引き上げる。
Next, the process proceeds to step S103.
In step S103, the potential of the high potential
すると、白表示される画素120Wでは、ラッチ回路25Wの出力端子N2Wから出力される電位が上昇し、図10に示すように、ローレベル(1V)となる。これにより、ダイオード10Wのアノード端子とカソード端子との電位差が1Vとなってダイオード10Wがオン状態となり、ダイオード10Wを介して画素電極21Wにローレベル(1V)が入力される。
一方、黒表示される画素120Bでは、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力される電位がハイレベル(15V)に上昇するので、図11(a)に示したように、ダイオード10Bを介して画素電極21Bにこの電位が入力される。これにより、図10に示すように、画素電極21Bの電位がハイレベル(15V)に上昇する。
Then, in the
On the other hand, in the
次に、画像表示期間であるステップS104に移行する。
ステップS104では、図10に示すように、高電位電源線58の電位をハイレベル(15V)に保持し、低電位電源線57の電位をローレベル(1V)に保持する。そして、共通電極22に、ローレベル(1V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状のパルスを複数周期分(図では4周期分)入力する。(コモン振り駆動)
Next, the process proceeds to step S104, which is an image display period.
In step S104, as shown in FIG. 10, the potential of the high potential
これにより、白表示される画素120Wでは、画素電極21Wと共通電極22との間で利用できる最大限の電位差(本実施形態では14V)で、電気泳動素子23が駆動される。
具体的には、画素電極21Wにローレベル(1V)が入力されているので、共通電極22がハイレベル(15V)となる期間に電極間に電位差が生じる。この電位差によって、白色粒子82が共通電極22側に移動し、黒色粒子83が画素電極21W側に移動することで、画素120Wが白表示される。
なお、本実施形態では共通電極22に入力されるパルスのローレベルを1Vとしている。これは、画素電極21Wのローレベル電位が1Vに設定されているため、共通電極22のローレベルを0Vに設定すると、ローレベル期間に共通電極22の電位が画素電極21Wよりも低電位になってしまい、画素120Wが一時的に黒表示動作することになるからである。
Thereby, in the
Specifically, since a low level (1V) is input to the
In this embodiment, the low level of the pulse input to the
一方、黒表示される画素120Bにおいても、画素電極21Bと共通電極22との間に利用できる最大限の電位差(本例では14V)で電気泳動素子23が駆動される。
具体的には、画素電極21Bにハイレベル(15V)が入力されているので、共通電極22がローレベル(1V)となる期間に電極間に電位差が生じる。この電位差によって、黒色粒子83が共通電極22側に移動し、白色粒子82が画素電極21B側に移動することで、画素120Bが黒表示される。
On the other hand, also in the
Specifically, since a high level (15V) is input to the
次に、画像保持期間であるステップS105に移行する。
ステップS105では、図5に示したS15と同様に、各回路がオフ状態となり、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態となる。
さらに、以上のステップS101からステップS105を繰り返すことによって、表示画像を順次更新することができる。
Next, the process proceeds to step S105, which is an image holding period.
In step S105, as in S15 shown in FIG. 5, each circuit is turned off, and the
Furthermore, the display image can be sequentially updated by repeating the above steps S101 to S105.
なお、本実施形態では、低電位電源線57の電位を0Vから1Vに上昇させる動作を、ステップS103において高電位電源線58の電位を5Vから15Vに上昇させる動作とともに実行しているが、この低電位電源線57の電位を上昇させる動作は、高電位電源線58の電位を上昇させるタイミングとは独立して任意に設定することができる。具体的には、ラッチ回路25への画像データの入力が終了した後、共通電極22への基準パルスの入力が開始されるまでの間であれば任意のタイミングで実行することができる。
In the present embodiment, the operation of increasing the potential of the low potential
(リーク電流)
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置におけるリーク電流について図12を参照して説明する。図12には、隣接して配置された黒表示の画素120Bと白表示の画素120Wとが示されており、併せて想定されるリーク経路も示されている。
(Leakage current)
Next, a leakage current in the electrophoretic display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 shows a
図12において、画素120Bのラッチ回路25Bにローレベルの画像データが入力され、ラッチ回路25Bの出力端子N2Bから出力されたハイレベルが、ダイオード10Bを介して画素電極21Bに入力されている。また、走査線40はローレベルであるので、リセットトランジスタ115Bはオフ状態である。
一方、画素120Wのラッチ回路25Wにはハイレベルの画像データが入力され、ラッチ回路25Wの出力端子からダイオード10Wを介して画素電極21Wにローレベルが入力されている。また、走査線40はローレベルであるので、リセットトランジスタ115Wはオフ状態である。
In FIG. 12, low level image data is input to the
On the other hand, high level image data is input to the
以上に説明した状態におけるリーク経路としては、図12に点線で示す経路を想定することができる。すなわち、黒表示の画素120B側の高電位電源線58から、P型トランジスタ52B、ダイオード10B、画素電極21B、接着剤層30、及び画素電極21Wを経由して、リセットトランジスタ115Wに達する経路である。
しかし、画素120Wでは、リセットトランジスタ115Wがオフ状態であるためリーク経路は遮断されている。また、ラッチ回路25Wに向かう電流もダイオード10Wによって遮断されている。したがって、本実施形態の電気泳動表示装置では、隣接画素間のリーク電流は発生しない。
As a leak path in the state described above, a path indicated by a dotted line in FIG. 12 can be assumed. That is, this is a path from the high potential
However, in the
以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置では、リセットトランジスタ115のゲート端子を走査線40に接続しているので、リセットトランジスタ115は画素スイッチング素子24と同期して動作する。すなわち、リセットトランジスタ115は、ラッチ回路25へ画像データを入力する期間以外はオフ状態を保持し、画素電極21と低電位電源線57とを切断状態に保持するようになっている。したがって、ラッチ回路25と画素電極21との間に設けられたダイオード10とリセットトランジスタ115とによって、リーク経路を全く遮断することができる。よって本実施形態の電気泳動表示装置によれば、隣接画素間のリーク電流をなくすことができ、さらなる消費電力の低減を実現することができる。また、リーク経路がなくなることで、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性が低減されるので、信頼性を向上させることができる。
As described above in detail, in the electrophoretic display device of this embodiment, the
また本実施形態では、ラッチ回路25に画像データを入力した後、低電位電源線57の電位を上昇させ、ラッチ回路25から出力されるローレベルを1Vとしている。これにより、ラッチ回路25からローレベルが出力される際にもダイオード10を確実にオンすることができ、所定の電位を確実に画素電極21に入力することができる。
In this embodiment, after image data is input to the
一方、低電位電源線57の電位を上昇させると、画素電極21に入力されるローレベルの電位も上昇するため、第1実施形態と同様に0−15Vの基準パルスを入力してコモン振り駆動を行うと、表示に不具合が生じるおそれがある。そこで本実施形態では、共通電極22に入力する基準パルスのローレベルを1Vに設定することで、共通電極22のローレベル電位が画素電極21のローレベル電位を下回らないようにし、画像書き換えにおける誤動作を防止している。
On the other hand, when the potential of the low potential
(変形例)
次に、第2の実施形態の変形例について図13を参照しつつ説明する。図13は、本変形例に係る画素220の回路構成を示す図である。
本変形例の電気泳動表示装置における画素回路構成は、図8の画素120におけるラッチ回路25に代えてキャパシタを設けたものである。なお、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
(Modification)
Next, a modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel 220 according to the present modification.
The pixel circuit configuration in the electrophoretic display device of this modification is provided with a capacitor instead of the
画素220は、図13に示すように、画素スイッチング素子24と、キャパシタ225と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。上記の構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ダイオード10、リセットトランジスタ115、画素電極21、共通電極22、及び電気泳動素子23の構成は、図8に示した画素120と同様である。
As shown in FIG. 13, the pixel 220 includes a
キャパシタ225の一方の電極は、画素スイッチング素子24のドレイン端子、及びダイオード10のアノード端子と接続されている。また、キャパシタ225の他方の電極は、図示略の容量線と接続されている。画素220では、データ線50から画素スイッチング素子24を介して入力された画像データに基づく電位を、キャパシタ225に一定期間保持するようになっている。
なお、キャパシタ225の他方の電極は、低電位電源線57と接続されていてもよい。
One electrode of the
Note that the other electrode of the
上記構成を有する画素220においても、リセットトランジスタ115のゲート端子が走査線40と接続されていることで、リセットトランジスタ115のオン、オフを、画素スイッチング素子24と同期させることができる。そして、リセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えによって、画素120と同様に、画素電極21の電位を制御することができる。
Also in the pixel 220 having the above configuration, the
また、画素スイッチング素子24を介してキャパシタ225及び画素電極21に画像データが書き込まれる期間以外は、リセットトランジスタ115がオフになっているため、画素電極21から低電位電源線57に向かう電流は遮断される。また、キャパシタ225と画素電極21との間にダイオード10が設けられているので、画素電極21からキャパシタ225に向かう電流も遮断される。
したがって、本例の電気泳動表示装置においても、隣接画素間の電位差に起因するリーク電流をなくすことができ、消費電力を低減することができる。また、リーク経路がなくなることで、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性が低減されるので、信頼性を向上させることができる。
Further, since the
Therefore, also in the electrophoretic display device of this example, the leakage current due to the potential difference between adjacent pixels can be eliminated, and the power consumption can be reduced. Moreover, since the possibility of ionic migration and corrosion in the
[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について図14及び図15を参照して説明する。
図14は、第3の実施形態に係る画素320の回路構成を示す図であり、図15は、第3の実施形態に係る電気泳動表示装置の作用説明図である。
第3の実施形態の電気泳動表示装置は、図8に示した第2実施形態に係る画素120に、電位制御用スイッチ回路としてのトランスミッションゲートを設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
なお、図21に示した画素1120は、図14に示す画素320からダイオードとリセットトランジスタとを省略したものに相当する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 14 is a diagram illustrating a circuit configuration of a
In the electrophoretic display device of the third embodiment, the
Note that the
図14に示すように、画素320は、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路(メモリ回路)25と、電位制御用スイッチ回路であるトランスミッションゲートTG1、TG2と、ダイオード331、332と、リセットトランジスタ(スイッチングトランジスタ)115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。
As shown in FIG. 14, the
上記の構成要素のうち、画素スイッチング素子24、ラッチ回路25、画素電極21、共通電極22、電気泳動素子23、及びリセットトランジスタ115は、図8の画素120と同様の構成である。
Among the above components, the
トランスミッションゲートTG1は、電界効果型のP型トランジスタT11と電界効果型のN型トランジスタT12とを備えている。P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のソース端子が互いに接続され、これらが第1の制御線S1と接続されている。P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のドレイン端子が互いに接続され、これらがダイオード331と接続されている。
また、P型トランジスタT11のゲート端子はラッチ回路25の入力端子N1と接続され、N型トランジスタT12のゲート端子はラッチ回路25の出力端子N2と接続されている。
The transmission gate TG1 includes a field effect type P-type transistor T11 and a field effect type N-type transistor T12. The source terminals of the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12 are connected to each other, and these are connected to the first control line S1. The drain terminals of the P-type transistor T11 and the N-type transistor T12 are connected to each other, and these are connected to the
The gate terminal of the P-type transistor T11 is connected to the input terminal N1 of the
トランスミッションゲートTG2は、電界効果型のP型トランジスタT21と電界効果型のN型トランジスタT22とを備えている。P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のソース端子が互いに接続され、これらが第2の制御線S2と接続されている。P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のドレイン端子が互いに接続され、これらがダイオード332と接続されている。
また、P型トランジスタT21のゲート端子は、トランスミッションゲートTG1のN型トランジスタT12のゲート端子とともに、ラッチ回路25の出力端子N2に接続されており、N型トランジスタT22のゲート端子は、トランスミッションゲートTG1のP型トランジスタT11のゲート端子とともに、ラッチ回路25の入力端子N1に接続されている。
The transmission gate TG2 includes a field effect type P-type transistor T21 and a field effect type N-type transistor T22. The source terminals of the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22 are connected to each other, and these are connected to the second control line S2. The drain terminals of the P-type transistor T21 and the N-type transistor T22 are connected to each other, and these are connected to the
The gate terminal of the P-type transistor T21 is connected to the output terminal N2 of the
ダイオード331は、トランスミッションゲートTG1と画素電極21との間に順方向に接続されている。すなわち、ダイオード331のアノード端子が、P型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のドレイン端子に接続されており、カソード端子は、画素電極21及びリセットトランジスタ115のドレイン端子に接続されている。
The
ダイオード332は、トランスミッションゲートTG2と画素電極21との間に順方向に接続されている。すなわち、ダイオード332のアノード端子は、P型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のドレイン端子に接続されており、カソード端子は、画素電極21及びリセットトランジスタ115のドレイン端子に接続されている。
The
以上の構成を有する画素320において、データ線50から画素スイッチング素子24を介してラッチ回路25にローレベルの画像データが入力されると、ラッチ回路25の入力端子N1からローレベル、出力端子N2からハイレベルが出力される。したがって、トランスミッションゲートTG1を構成するP型トランジスタT11及びN型トランジスタT12のみがオンされる。これにより、ダイオード331のアノード端子が第1の制御線S1と電気的に接続される。
In the
一方、データ線50から画素スイッチング素子24を介してラッチ回路25にハイレベルの画像データが入力されると、入力端子N1からハイレベル、出力端子N2からローレベルが出力される。したがって、トランスミッションゲートTG2を構成するP型トランジスタT21及びN型トランジスタT22のみがオンされる。これにより、ダイオード332のアノード端子が第2の制御線S2と電気的に接続される。
On the other hand, when high level image data is input from the
なお、本実施形態においても、画像データをラッチ回路25に入力する期間は、画素スイッチング素子24とともにリセットトランジスタ115がオン状態となるので、図11(b)に示したように、画素電極21と低電位電源線57とが接続され、画素電極21にローレベルが入力される。
Also in the present embodiment, the
その後、第1の制御線S1にハイレベル(15V)、第2の制御線S2にローレベル(1V)を入力することで、電気泳動素子23を駆動して画素ごとに所望の表示を行うことができる。
ラッチ回路25にローレベルが入力された画素320では、トランスミッションゲートTG1がオン状態となってダイオード331のアノード端子にハイレベル(15V)が入力され、これによりダイオード331に電流が流れて画素電極21にハイレベル(15V)が入力される。
一方、ラッチ回路25にハイレベルが入力された画素320では、トランスミッションゲートTG2がオン状態となってダイオード332のアノード端子にローレベル(1V)が入力され、これによりダイオード332がオン状態となって画素電極21にローレベル(1V)が入力される。
なお、第2の制御線S2のローレベル電位を1Vとしているのは、先の第2の実施形態と同様に、このローレベル電位が0Vであると、ダイオード332のアノード端子が0Vとなってダイオード332がオフ状態となり、第2の制御線S2と画素電極21とが接続されないからである。
Thereafter, by inputting a high level (15 V) to the first control line S1 and a low level (1 V) to the second control line S2, the
In the
On the other hand, in the
The reason why the low level potential of the second control line S2 is 1V is that the anode terminal of the
そして、第1の制御線S1又は第2の制御線S2から画素電極21に所定の電位が入力されている状態で、共通電極22にローレベル(1V)とハイレベル(15V)とを繰り返す基準パルスを入力することで、画素320に所定の黒表示又は白表示を行わせることができる(コモン振り駆動)。
Then, in a state where a predetermined potential is input to the
なお、本実施形態では、第1の制御線S1にハイレベル、第2の制御線S2にローレベルを入力する場合について説明したが、ラッチ回路25に入力される画像データの態様(正画像データ、反転画像データ、階調画像データ)に応じて、第1の制御線S1及び第2の制御線S2の電位レベルを変更することができる。
In the present embodiment, the case where the high level is input to the first control line S1 and the low level is input to the second control line S2 has been described. However, the mode of the image data (normal image data) input to the
また、ラッチ回路25に画像データを保持している期間に、第1の制御線S1と第2の制御線S2の電位レベルを入れ替え、共通電極22に基準パルスを入力すれば、ラッチ回路25の画像データを更新することなく反転画像表示を行うことができる。
さらに、第1の制御線S1と第2の制御線S2とを同一電位とした状態で共通電極22に基準パルスを入力すれば、ラッチ回路25に保持されている画像データによらず、全白表示又は全黒表示を容易に行うことができる。
Further, if the potential levels of the first control line S1 and the second control line S2 are switched and a reference pulse is input to the
Further, if a reference pulse is input to the
(リーク電流)
このような回路構成を有する画素320では、隣接する画素320の画素電極21間に電位差が生じたときのリーク経路をなくすことができる。
図15には、隣接して配置された黒表示の画素320Bと白表示の画素320Wとが示されている。なお、図15において、画素320の構成要素に付した添字「B」「W」は、当該構成要素が画素320B、320Wのいずれに属するのかを明確にするためのものであって他意はない。
(Leakage current)
In the
FIG. 15 shows a
画素320Bでは、トランスミッションゲートTG1Bがオン状態であり、第1の制御線S1のハイレベルが画素電極21Bに入力されている。一方、隣接する画素320Wでは、トランスミッションゲートTG2Wがオン状態であり、第2の制御線S2のローレベルが画素電極21Wに入力されている。
In the
このような状態において、隣接する画素電極21B、21W間に形成される横方向の電界により、接着剤層30にリーク電流が生じる場合を想定すると、そのリーク経路は、画素320BのトランスミッションゲートTG1Bから、画素電極21B、接着剤層30、及び画素電極21Wを経由して、画素320WのトランスミッションゲートTG2Wに至る経路である。
しかし、本実施形態では、画素電極21WとトランスミッションゲートTG2Wとの間にダイオード332Wが設けられており、画素電極21WからトランスミッションゲートTG2Wに向かう方向はダイオード332Wの逆方向であるため、上述したリーク経路はダイオード332Wにより遮断される。またこのとき、画素320Wのリセットトランジスタ115はオフしているので、リセットトランジスタ115を介したリーク経路も遮断される。
In this state, assuming that a leakage current is generated in the
However, in the present embodiment, the
したがって、本実施形態の電気泳動表示装置では、隣接画素間のリーク経路はダイオード332及びリセットトランジスタ115により遮断されることとなる。つまり、図21及び図22に示した従来の画素回路のようなリーク経路は存在せず、隣接画素間のリーク電流が流れないものとなっている。
Therefore, in the electrophoretic display device of this embodiment, the leakage path between adjacent pixels is blocked by the
以上詳細に説明したように、本実施形態の電気泳動表示装置によれば、画素電極21とトランスミッションゲートTG1、TG2の間にダイオード331、332を備えたことで、トランスミッションゲートTG1、TG2を介した隣接画素間のリーク経路を遮断することができるので、隣接画素間のリーク電流をなくし、消費電力を低減することができる。またこれにより、画素電極21におけるイオン性マイグレーションや腐食の可能性を低減できるので、信頼性を向上させることができる。
As described above in detail, according to the electrophoretic display device of this embodiment, the
また本実施形態では、ダイオード331,332がトランスミッションゲートTG1、TG2のそれぞれに対応して設けられている。これにより、オフ状態のトランスミッションゲートのドレイン端子側を、常にハイインピーダンス状態にすることができる。したがって、ラッチ回路25に新しい画像データを入力する場合や、低電位電源線57の電位及び高電位電源線58の電位が変動した場合において、トランスミッションゲートTG1、TG2が同時にオンしたとしても、トランスミッションゲートTG1、TG2を介した同一画素内におけるリーク電流の発生を防止することができる。
In the present embodiment, the
[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態について図23を参照して説明する。
図23は、第4の実施形態に係る画素120Aの回路構成を示す図である。
第4の実施形態の電気泳動表示装置は、図8に示した第2実施形態に係る画素120に、リセットトランジスタ115をオンオフ制御するリセット線41を設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図8の画素120と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 23 is a diagram illustrating a circuit configuration of a
In the electrophoretic display device according to the fourth embodiment, the
画素120Aには、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23と、が設けられている。また、走査線40に沿う位置にリセット線41が設けられている。そして、図8に示した画素120では走査線40と接続されていたリセットトランジスタ115のゲート端子が、本実施形態ではリセット線41に接続されている。本実施形態の場合、リセット線41は走査線駆動回路60に接続されており、走査線駆動回路60から出力されるリセット信号をリセットトランジスタ115に入力する。あるいは、リセット線41用の駆動回路を設けてもよい。
The
本実施形態に係る電気泳動表示装置では、走査線40とは独立したリセット線41が設けられているので、リセット線41を介して入力されるリセット信号により、リセットトランジスタ115を任意のタイミングで動作させることができる。したがって、画素電極21の電荷を確実に開放することができ、ラッチ回路25及びダイオード10を介して画素電極21に入力される電位が、画素電極21に保持されている電位と競合するのを防止でき、意図しない表示がされてしまうのを防止することができる。
In the electrophoretic display device according to the present embodiment, since the
(駆動方法)
以下、図24から図26を参照しつつ、本実施形態の電気泳動表示装置の駆動方法について説明する。
図24は、第4の実施形態の電気泳動表示装置における画像書き換えに係るシーケンスを示す図である。図25は、第2の実施形態の画像表示に係るタイミングチャートを示す図である。図26は、黒表示画素と白表示画素とを示す説明図である。図24から図26は、第2実施形態で説明に用いた図9から図11にそれぞれ対応する図である。
なお、第2実施形態における駆動方法と共通の部分については適宜説明を省略することとする。
(Driving method)
Hereinafter, the driving method of the electrophoretic display device of this embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 24 is a diagram illustrating a sequence related to image rewriting in the electrophoretic display device according to the fourth embodiment. FIG. 25 is a diagram illustrating a timing chart according to the image display of the second embodiment. FIG. 26 is an explanatory diagram showing black display pixels and white display pixels. FIGS. 24 to 26 correspond to FIGS. 9 to 11 used in the description of the second embodiment.
Note that description of portions common to the driving method in the second embodiment will be omitted as appropriate.
まず、図26には、説明の対象とする同一の走査線40に接続された2つの画素120Aが示されている。白表示される画素120Aの構成要素と黒表示される画素120Aの構成要素とを明確に区別する必要がある場合に、図12と同様に、白表示画素の構成要素を示す符号に添字「W」を付し、黒表示画素の構成要素を示す符に添字「B」を付して説明する。すなわち、白表示される画素120Aを画素120Wと表記し、同様に、ラッチ回路25W、リセットトランジスタ115W、ダイオード10Wなどと表記する。一方、黒表示される画素120Aについては、画素120B、ラッチ回路25B、リセットトランジスタ115B、ダイオード10Bなどと表記する。
First, FIG. 26 shows two
図24に示すように、本実施形態の駆動方法は、各回路の電源をオンにするステップS201と、画素電極21W、21Bの電荷の除去を行うステップS202と、ラッチ回路25W、25Bへの画像データの入力を行うステップS203と、高電位電源線58の電位を15V、低電位電源線57の電位を1Vに引き上げるステップS204と、共通電極22に1Vの期間と15Vの期間とを繰り返す基準パルスを複数回入力するステップS205と、各回路を電源オフするステップS206とを有している。
なお、図24及び図25における印加電圧値は一例であり、これらに限定されるものではない。
As shown in FIG. 24, according to the driving method of the present embodiment, step S201 for turning on the power of each circuit, step S202 for removing charges from the
In addition, the applied voltage value in FIG.24 and FIG.25 is an example, and is not limited to these.
図25には、白表示される画素120W(120A)と黒表示される画素120B(120A)とに関するタイミングチャートが示されている。具体的には、図24のシーケンスに対応して、走査線40と、リセット線41と、高電位電源線58と、低電位電源線57と、共通電極22と、黒表示される画素の画素電極21Bと、白表示される画素の画素電極21Wと、に入力される波形が示されている。「HiZ」は、電気的に切断されたハイインピーダンス状態を示す。
FIG. 25 shows a timing chart regarding the
まず、ステップS201では、図10に示したステップS101と同様に、電気泳動表示装置の各回路が表示部3の各配線と接続され、信号を供給できる状態となる。このとき、リセット線41はローレベル(0V)であるから、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態である。
First, in step S201, as in step S101 shown in FIG. 10, each circuit of the electrophoretic display device is connected to each wiring of the
次に、ステップS202に移行すると、図25に示すように、リセット線41にリセット信号としてのハイレベル(7V)のパルスが供給され、リセットトランジスタ115W、115Bのゲート端子に入力される。これにより、リセットトランジスタ115W、115Bがオン状態となる。
リセットトランジスタ115W、115Bがオンされることで、図11(b)に示したように、画素電極21W、21Bと低電位電源線57とが接続され、画素電極21W、21Bの電荷が低電位電源線57に引き抜かれる。これにより、白表示画素の画素電極21W、及び黒表示画素の画素電極21Bの電位は、いずれも低電位電源線57と同じローレベル(0V)となる。
Next, in step S202, as shown in FIG. 25, a high level (7V) pulse as a reset signal is supplied to the
When the
次に、データ入力期間であるステップS203に移行し、図10に示したステップS102と同様の動作により、画素120Wのラッチ回路25Wに、画像データとしてハイレベル(5V)が入力され、画素120Bのラッチ回路25Bには、画像データとしてローレベル(0V)が入力される。
Next, the process proceeds to step S203, which is a data input period, and a high level (5 V) is input as image data to the
なお、本実施形態では、画素スイッチング素子24W、24Bの選択期間中は、リセットトランジスタ115W、115Bはオフ状態となっているので、ラッチ回路25W、25Bの保持データに基づく出力がダイオード10を介して画素電極21W、21Bに入力される。これにより、画素電極21Bの電位はハイレベル(5V)となる。また、画素電極21Wの電位は、リセットトランジスタ115を介して低電位電源線57と接続されたときの電位(ローレベル(0V))を保持する。
In the present embodiment, the
次に、ステップS204に移行すると、図10に示したステップS103と同様の動作により、画素電極21Wにローレベル(1V)の電位がダイオード10Wを介して入力され、画素電極21Bにはハイレベル(15V)の電位がダイオード10Wを介して入力される。
Next, in step S204, a low level (1 V) potential is input to the
その後、画像表示期間であるステップS205に移行すると、図10に示したステップS104と同様に、共通電極22に、ローレベル(1V)の期間とハイレベル(15V)の期間とを繰り返す矩形状のパルスが複数周期分(図では4周期分)入力される(コモン振り駆動)。これにより、画素120Wが白表示され、画素120Bは黒表示される。
Thereafter, when the process proceeds to step S205, which is an image display period, the
そして、画像保持期間であるステップS206では、各回路がオフ状態とされ、画素電極21W、21Bもハイインピーダンス状態とされる結果、電力を消費することなく表示画像が保持される。
さらに、以上のステップS201からステップS206を繰り返すことによって、表示画像を順次更新することができる。
In step S206, which is an image retention period, each circuit is turned off, and the
Furthermore, the display image can be sequentially updated by repeating the above steps S201 to S206.
以上詳細に説明したように、本実施形態の駆動方法では、ラッチ回路25に画像データを入力するステップS203に先立って、画素電極21の電荷を開放するステップS202を設けている。これにより、ラッチ回路25に画像データを入力するときには、画素電極21は一度低電位電源線57と同電位とされた後の状態となる。したがって、ラッチ回路25への画像データ入力のタイミング(画素スイッチング素子24の選択タイミング)によらず、ラッチ回路25から出力される電位を確実に画素電極21に入力することができ、優れた動作信頼性を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置においても、先の第2実施形態に係る電気泳動表示装置と同様の作用効果を得られるのはもちろんである。
As described above in detail, in the driving method of the present embodiment, step S202 for releasing the charge of the
Also, in the electrophoretic display device of this embodiment, it is needless to say that the same effects as the electrophoretic display device according to the second embodiment can be obtained.
(変形例)
次に、第4の実施形態の変形例について図27を参照しつつ説明する。図27は、本変形例に係る画素220Aの回路構成を示す図であって、第2実施形態における図13に対応する図である。
本変形例の電気泳動表示装置における画素回路構成は、図23の画素120Aにおけるラッチ回路25に代えてキャパシタを設けたものである。以下の説明では、図23の画素120Aと共通の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
(Modification)
Next, a modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 27 is a diagram illustrating a circuit configuration of the
The pixel circuit configuration in the electrophoretic display device of the present modification is provided with a capacitor instead of the
画素220Aは、画素スイッチング素子24と、キャパシタ225と、ダイオード10と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。そして、走査線40に沿って延びるリセット線41に、リセットトランジスタ115のゲート端子が接続されている。走査線40には、画素スイッチング素子24のゲート端子のみが接続されている。
The pixel 220 </ b> A includes a
上記構成を有する画素220Aにおいても、リセットトランジスタ115のゲート端子がリセット線41と接続されていることで、リセットトランジスタ115のオン、オフを、画素スイッチング素子24とは独立して制御することができる。そして、リセットトランジスタ115のオン、オフの切り替えによって、画素120Aと同様に、画素電極21の電位を制御することができる。したがって、本例の電気泳動表示装置においても、画素電極21の電荷の開放を確実に行うことができ、優れた動作信頼性を得ることができる。
また、本例の電気泳動表示装置においても、第2実施形態の変形例に係る電気泳動表示装置と同様の作用効果を得られるのはもちろんである。
Also in the pixel 220 </ b> A having the above-described configuration, the
Also, in the electrophoretic display device of this example, it is needless to say that the same operational effects as those of the electrophoretic display device according to the modification of the second embodiment can be obtained.
[第5の実施形態]
次に、本発明の第5の実施形態について、図28を参照しつつ説明する。
図28は、第5の実施形態に係る画素320Aの回路構成を示す図である。
第5の実施形態の電気泳動表示装置は、図14に示した第3実施形態に係る画素320に、リセットトランジスタ115をオンオフ制御するリセット線41を設けたものである。したがって、以下で参照する図面において、図14の画素320と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 28 is a diagram illustrating a circuit configuration of a
In the electrophoretic display device of the fifth embodiment, the
画素320Aは、画素スイッチング素子24と、ラッチ回路25と、トランスミッションゲートTG1、TG2と、ダイオード331、332と、リセットトランジスタ115と、画素電極21と、共通電極22と、電気泳動素子23とを備えている。そして、図14に示した画素320では走査線40と接続されていたリセットトランジスタ115のゲート端子が、本実施形態ではリセット線41に接続されている。
The
本実施形態に係る電気泳動表示装置では、走査線40とは独立したリセット線41が設けられているので、リセット線41を介して入力されるリセット信号により、リセットトランジスタ115を任意のタイミングで動作させることができる。したがって、画素電極21の電荷を確実に開放することができ、トランスミッションゲートTG1、TG2、及びダイオード331、332を介して画素電極21に入力される電位が、画素電極21に保持されている電位と競合するのを防止できる。これにより、意図しない表示がされてしまうのを防止することができ、優れた動作信頼性を得ることができる。
In the electrophoretic display device according to the present embodiment, since the
[電子機器]
次に、本発明の電気泳動表示装置を備えた電子機器について説明する。
[Electronics]
Next, an electronic apparatus provided with the electrophoretic display device of the present invention will be described.
まず、図16は、腕時計400の正面図である。腕時計400は、時計ケース402と、時計ケース402に連結された一対のバンド403とを備えている。
時計ケース402の正面には、表示体405と、秒針421と、分針422と、時針423とが設けられ、時計ケース402の側面には、操作子としての竜頭410と操作ボタン411とが設けられている。竜頭410は、ケース内部に設けられる巻真(図示は省略)に連結されており、巻真と一体となって多段階(例えば2段階)で押し引き自在、かつ、回転自在に設けられている。
表示体405は、本発明に係る電気泳動表示装置からなるものであり、背景となる画像、日付や時間などの文字列、あるいは秒針、分針、時針などを表示することができる。そして、腕時計400は、本発明の電気泳動表示装置を備えたことで、低消費電力であり、かつ信頼性にも優れた表自体を備えたものとなっている。
First, FIG. 16 is a front view of the
A
The
図17は、電子ペーパー500を示す斜視図である。
電子ペーパー500は、本発明の電気泳動表示装置を表示手段501として備えている。電子ペーパー500は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体502を備えて構成されている。
FIG. 17 is a perspective view showing the
The
図18は、電子ノート600を示す斜視図である。
電子ノート600は、図17に示した電子ペーパー500が複数枚束ねられ、カバー601に挟まれているものである。カバー601は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する図示は省略の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
FIG. 18 is a perspective view showing an
An
電子ペーパー500、及び電子ノート600は、本発明の電気泳動表示装置を備えたことで、低消費電力であり、かつ信頼性に優れた表示手段を備えたものとなっている。
なお、本発明の電気泳動表示装置は、上記に例示した電子機器に限らず、例えば携帯電話、携帯用オーディオ機器などの表示手段として用いることができ、いずれの電子機器においても、低消費電力で信頼性に優れた表示手段として機能する。
Since the
Note that the electrophoretic display device of the present invention is not limited to the electronic devices exemplified above, and can be used as a display means of, for example, a mobile phone and a portable audio device. It functions as a display means with excellent reliability.
1…電気泳動表示装置、3…表示部、10…ダイオード、15…リセットトランジスタ、20…画素、21…画素電極、22…共通電極、23…電気泳動素子、24…画素スイッチング素子、25…ラッチ回路、30…接着剤層、40…走査線、41…リセット線、50…データ線、57…低電位電源線、58…高電位電源線、60…走査線駆動回路、70…データ線駆動回路、80…マイクロカプセル、82…白色粒子、83…黒色粒子、115…リセットトランジスタ、120,120A…画素、220,220A…画素、225…キャパシタ、320,320A…画素、331,332…ダイオード、400…腕時計、500…電子ペーパー、600…電子ノート、TG1,TG2…トランスミッションゲート、S1…第1の制御線、S2…第2の制御線
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記画素ごとに、画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との間に順方向に接続されたダイオードと、前記画素電極と定電位配線との間に接続されたスイッチングトランジスタと、を有することを特徴とする電気泳動表示装置。 An electrophoretic element including electrophoretic particles is sandwiched between a pair of substrates, a pixel electrode is formed for each pixel on one of the substrates, and a common electrode common to a plurality of the pixels on the other substrate An electrophoretic display device in which is formed,
For each pixel, a pixel switching element, a diode connected in a forward direction between the pixel switching element and the pixel electrode, and a switching transistor connected between the pixel electrode and a constant potential wiring, An electrophoretic display device comprising:
前記画素スイッチング素子と前記ダイオードとの間にメモリ回路が設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to claim 1,
An electrophoretic display device, wherein a memory circuit is provided between the pixel switching element and the diode.
前記メモリ回路が複数の電界効果トランジスタを有するラッチ回路であり、
前記スイッチングトランジスタのオン抵抗が前記メモリ回路を構成する前記電界効果トランジスタのオン抵抗より大きいことを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to claim 2,
The memory circuit is a latch circuit having a plurality of field effect transistors;
An electrophoretic display device, wherein an on-resistance of the switching transistor is larger than an on-resistance of the field effect transistor constituting the memory circuit.
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記メモリ回路の入力端子に接続されていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to claim 3,
An electrophoretic display device, wherein a gate terminal of the switching transistor is connected to an input terminal of the memory circuit.
前記スイッチングトランジスタのゲート端子が、前記画素スイッチング素子のゲート端子と共通の走査線に接続されていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to any one of claims 1 to 3,
An electrophoretic display device, wherein a gate terminal of the switching transistor is connected to a scanning line common to the gate terminal of the pixel switching element.
前記スイッチングトランジスタのゲート端子と接続されたリセット線を有することを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to any one of claims 1 to 3,
An electrophoretic display device comprising a reset line connected to a gate terminal of the switching transistor.
前記メモリ回路と前記ダイオードとの間に、第1及び第2の制御線と接続された電位制御用スイッチ回路が設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to any one of claims 2 to 6,
An electrophoretic display device, wherein a potential control switch circuit connected to the first and second control lines is provided between the memory circuit and the diode.
前記電位制御用スイッチ回路は第1及び第2のトランスミッションゲートを有し、
前記第1のトランスミッションゲートに前記第1の制御線が接続され、前記第2のトランスミッションゲートには前記第2の制御線が接続されており、
前記第1及び第2のトランスミッションゲートのそれぞれに対応して前記ダイオードが設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to claim 7,
The potential control switch circuit has first and second transmission gates,
The first control line is connected to the first transmission gate, and the second control line is connected to the second transmission gate,
An electrophoretic display device, wherein the diode is provided corresponding to each of the first and second transmission gates.
前記画素スイッチング素子を介して前記メモリ回路に画像データを入力するデータ入力期間と、前記メモリ回路の出力に基づき前記電気泳動素子を駆動して画像を表示する画像表示期間とを有しており、
前記メモリ回路に電源電圧を供給する高電位電源線と低電位電源線とが接続されており、
前記画像表示期間における前記低電位電源線の電位が前記データ入力期間における電位よりも高く設定されていることを特徴とする電気泳動表示装置。 The electrophoretic display device according to any one of claims 3 to 8,
A data input period for inputting image data to the memory circuit via the pixel switching element, and an image display period for displaying the image by driving the electrophoretic element based on the output of the memory circuit,
A high potential power supply line and a low potential power supply line for supplying a power supply voltage to the memory circuit are connected,
An electrophoretic display device, wherein a potential of the low potential power supply line in the image display period is set higher than a potential in the data input period.
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