JP2009129743A - Image display device - Google Patents

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Shigemi Hirasawa
重實 平澤
Yuichi Kijima
勇一 木島
Takaaki Kitada
貴昭 北田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability of sealing for maintaining the inside vacuum in an FED (field emission display). <P>SOLUTION: An exhaust chamber is formed by installing a rear cover 6 of cup-shape on which an exhaust pipe 8 is welded by covering a hole 10 of a cathode substrate 1. The rear cover 6 is made of glass and formed in cup shape. The rear cover 6 is sealed to the cathode substrate 1 by frit glass 32. An exhaust pipe 8 is welded to the bottom part of flat-shape of the rear cover 6. Since sealing by glass frit is made only between the rear cover 6 and the cathode substrate 1, sealing reliability is high. Further, since sealing of the thin exhaust pipe 8 and the rear cover 6 is carried out by welding of glass, sealing reliability can be improved on this point also. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子放出源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置における、真空リークの防止技術に関連する。   The present invention relates to a technique for preventing a vacuum leak in a flat display device in which the inside is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on a rear substrate, and phosphors corresponding to the front substrate are arranged.

フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）は、２枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子放出源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置した表示装置である。ＦＥＤは電子放出源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のＴＶ用ディスプレイとして期待されている。   A field emission display (FED) is a display device in which an inside sandwiched between two glass substrates is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on one substrate, and phosphors are arranged on a counter substrate. . The FED forms an image when electrons from an electron emission source strike a phosphor and emits light. In the future, brightness, contrast, moving image characteristics, etc. can provide excellent performance similar to a cathode ray tube. It is expected as a TV display.

ＦＥＤでは内部を高真空に保持しなければならない。このため、ディスプレイの外囲器を完成した後、排気をして封止する。しかし、寿命中に構造物からガスが放出されて真空度を劣化させるために、ＦＥＤ内部にゲッターを飛散させ、寿命中に発生するガスをゲッターに吸着させる。飛散させるゲッターとしてはＢａが使用される。なお、Ｚｒ等の飛散させないゲッターを使用することも出来る。   In the FED, the inside must be kept at a high vacuum. For this reason, after completing the envelope of the display, it is evacuated and sealed. However, in order to release the gas from the structure during the lifetime and degrade the degree of vacuum, the getter is scattered inside the FED, and the gas generated during the lifetime is adsorbed by the getter. Ba is used as a getter to be scattered. A getter that does not scatter Zr or the like can also be used.

ディスプレイの外囲器は電子源が形成されたカソード基板、蛍光体が形成されたアノード基板、および、カソード基板およびアノード基板の周辺を封止する封止枠で構成される。ＦＥＤの排気はカソード基板に排気室を形成し、排気室に排気管を接続してＦＥＤの内部を排気する。また、ゲッターはカソード基板にゲッター室を形成し、このゲッター室にゲッターを設置して、動作中の真空度を維持する。このような技術が記載されたものとして、「特許文献１」がある。   The envelope of the display includes a cathode substrate on which an electron source is formed, an anode substrate on which a phosphor is formed, and a sealing frame that seals the periphery of the cathode substrate and the anode substrate. The exhaust of the FED forms an exhaust chamber in the cathode substrate, and an exhaust pipe is connected to the exhaust chamber to exhaust the inside of the FED. The getter forms a getter chamber on the cathode substrate, and a getter is installed in the getter chamber to maintain the degree of vacuum during operation. There exists "patent document 1" as what described such a technique.

特表２００３−５２８４２２号公報Special table 2003-528422 gazette

「特許文献１」には、図４等にゲッターのための補助チャンバーを形成することが記載されている。この補助チャンバーは、ガラス、セラミックス、金属プラスチック等で形成されるとの記載がある。また、「特許文献１」の図７等には、前記補助チャンバーにチューブを接続して、排気することが記載されている。また、このチューブはＦＥＤを排気後、曲げられてＦＥＤの外形を大きくしないような構造である。   “Patent Document 1” describes forming an auxiliary chamber for a getter in FIG. 4 and the like. There is a description that the auxiliary chamber is formed of glass, ceramics, metal plastic, or the like. In addition, FIG. 7 of “Patent Document 1” describes that a tube is connected to the auxiliary chamber and exhausted. Further, this tube has a structure that does not enlarge the outer shape of the FED after being evacuated from the FED.

このようなチューブはニッケル、銅、アルミニウム等の軟金属が適している。また、「特許文献１」には、ガラス、セラミックスその他の非金属を使用することが出来る旨記載されている。いずれにせよ、「特許文献１」のチューブは補助チャンバーに画面水平方向に取り付けられる。また、「特許文献１」には補助チャンバーをＦＥＤにフリットガラスで取り付けることが記載されている。   Such a tube is preferably made of a soft metal such as nickel, copper, or aluminum. Further, "Patent Document 1" describes that glass, ceramics and other non-metals can be used. In any case, the tube of “Patent Document 1” is attached to the auxiliary chamber in the horizontal direction of the screen. “Patent Document 1” describes that an auxiliary chamber is attached to an FED with frit glass.

しかし、「特許文献１」の構成は、補助チャンバーについては、模式図以外の具体的な構成の記載は無い。また、ガラス以外の銅、アルミニウム、セラミックス等ではガラスとは熱膨張係数が異なるために、フリットガラスを使用するとしても、封止の信頼性については未知である。また、補助チャンバーに排気のためのチューブを取り付け、排気後、このチューブをＦＥＤの画面と平行方向に曲げることが記載されている。チューブと補助チャンバーはフリットガラスあるいは蝋付けで取り付けられている。このような構成の場合、チューブと補助チャンバーの封止の信頼性が問題となる。   However, in the configuration of “Patent Document 1”, there is no description of a specific configuration other than the schematic diagram for the auxiliary chamber. Further, since the thermal expansion coefficient of copper, aluminum, ceramics, etc. other than glass is different from that of glass, the reliability of sealing is unknown even if frit glass is used. Further, it is described that a tube for exhausting is attached to the auxiliary chamber, and after exhausting, the tube is bent in a direction parallel to the screen of the FED. The tube and auxiliary chamber are attached by frit glass or brazing. In such a configuration, the reliability of sealing between the tube and the auxiliary chamber becomes a problem.

さらに、「特許文献１」では、ゲッターは補助チャンバーの底面に設置されている。この場合、ゲッターを活性化する時には補助チャンバーも同時に過熱されるために、補助チャンバーの熱に対する信頼性が問題となる。また、ゲッターを飛散させる場合、カソード基板の孔を通してゲッターがＦＥＤの内部に飛散する確率が高い。この場合は、ＦＥＤの耐電圧のみならず、電子源の電子放出特性にも影響を与える。   Further, in “Patent Document 1”, the getter is installed on the bottom surface of the auxiliary chamber. In this case, since the auxiliary chamber is simultaneously heated when the getter is activated, the reliability of the auxiliary chamber with respect to heat becomes a problem. Further, when the getter is scattered, there is a high probability that the getter is scattered inside the FED through the hole of the cathode substrate. In this case, not only the withstand voltage of the FED but also the electron emission characteristics of the electron source are affected.

なお、ＦＥＤではアノード基板の高電圧を供給する必要があるが、高電圧を信頼性をもってアノード基板に供給することは難しい問題である。「特許文献１」では高電圧の供給方法については記載が無い。   In the FED, it is necessary to supply a high voltage of the anode substrate, but it is a difficult problem to supply the high voltage to the anode substrate with reliability. “Patent Document 1” does not describe a method for supplying a high voltage.

本発明は以上のような従来技術の問題点を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。   The present invention solves the problems of the prior art as described above, and specific means are as follows.

（１）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーが第１のフリットガラスによってとりつけられ、前記裏カバーの平面状の底面には陽極電圧を供給するための高電圧導入端子が第２のフリットガラスによって封着され、前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。   (1) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, A display device in which the inside is maintained in a vacuum, and a cup-shaped back cover formed of glass is attached to the cathode substrate by a first frit glass, and an anode voltage is applied to a flat bottom surface of the back cover. A display device characterized in that a high-voltage introduction terminal for supplying water is sealed with a second frit glass, and the cup-shaped back cover is formed by pressing.

（２） 前記第２のフリットガラスは非晶質のフリットガラスであり、前記第２のフリットガラスの接着温度は前記第１のフリットガラスの接着温度よりも高いことを特徴とする（１）に記載の表示装置。   (2) The second frit glass is an amorphous frit glass, and the bonding temperature of the second frit glass is higher than the bonding temperature of the first frit glass. The display device described.

（３）前記高電圧導入端子にはコンタクトスプリングがとりつけられ、前記コンタクトスプリングはアノード基板に形成されたアノード端子と接触することを特徴とする（１）に記載の表示装置。   (3) The display device according to (1), wherein a contact spring is attached to the high voltage introduction terminal, and the contact spring is in contact with an anode terminal formed on an anode substrate.

（４）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによってとりつけられ、前記裏カバーの平面状の底面には陽極電圧を供給するための高電圧導入端子が前記裏カバーに溶着され、前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。   (4) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; A display device in which the inside is maintained in a vacuum, and a cup-like back cover made of glass is attached to the cathode substrate by frit glass, and an anode voltage is supplied to a flat bottom surface of the back cover. A high voltage introducing terminal for welding is welded to the back cover, and the cup-shaped back cover is formed by pressing.

（５）前記高電圧導入端子はＦｅ−Ｎｉ合金で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。   (5) The display device according to claim 4, wherein the high voltage introduction terminal is formed of an Fe-Ni alloy.

（６）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによって封着され、前記裏カバーの平面状の底面には排気管が溶着され、前記排気管の肉厚は前記裏カバーの肉厚よりも小さく、前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。   (6) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; A display device in which the inside is maintained in a vacuum, and a cup-like back cover made of glass is sealed to the cathode substrate by frit glass, and an exhaust pipe is welded to the flat bottom surface of the back cover. The thickness of the exhaust pipe is smaller than the thickness of the back cover, and the cup-shaped back cover is formed by pressing.

（７）前記裏カバーの内部にはゲッターが設置され、前記ゲッターを支えるゲッターサポートは前記フリットガラスによって前記カソード基板と前記カップ状の裏カバーの封着部に封着され、前記ゲッターは前記カソード基板および前記カップ状裏カバーには接触しないことを特徴とする（６）に記載の表示装置。   (7) A getter is installed inside the back cover, and a getter support that supports the getter is sealed by the frit glass to a sealing portion of the cathode substrate and the cup-shaped back cover, and the getter is connected to the cathode. The display device according to (6), wherein the display device does not contact the substrate and the cup-shaped back cover.

（８）前記ゲッターはＢａゲッターであり、前記Ｂａゲッターは前記カップ状裏カバーの底面に向かって飛散するように配置されていることを特徴とする（７）に記載の表示装置。   (8) The display device according to (7), wherein the getter is a Ba getter, and the Ba getter is disposed so as to be scattered toward a bottom surface of the cup-shaped back cover.

（９）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによって封着され、前記カップ状の裏カバー内にはゲッターが設置され、前記ゲッターを支えるゲッターサポートは前記カソード基板と前記裏カバーの封着部において封着され、前記ゲッターサポートは前記ゲッターが前記カソード基板および前記カップ状の裏カバーに接触しないように曲げられており、前記裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。   (9) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, A display device in which the inside is maintained in vacuum, a cup-shaped back cover formed of glass is sealed to the cathode substrate by frit glass, and a getter is installed in the cup-shaped back cover, A getter support that supports the getter is sealed at a sealing portion between the cathode substrate and the back cover, and the getter support is bent so that the getter does not contact the cathode substrate and the cup-shaped back cover. The display device, wherein the back cover is formed by a press.

（１０）前記ゲッターはＢａゲッターであり、前記Ｂａゲッターは前記カップ状裏カバーの底面に向かって飛散するように配置されていることを特徴とする（９）に記載の表示装置。   (10) The display device according to (9), wherein the getter is a Ba getter, and the Ba getter is disposed so as to be scattered toward a bottom surface of the cup-shaped back cover.

（１１）前記カソード基板には孔が形成され、前記孔を囲んで前記カップ状の裏カバーがカソード基板に封着され、前記ゲッターは前記孔と離れた場所に設置されていることを特徴とする（９）に記載の表示装置。   (11) A hole is formed in the cathode substrate, the cup-shaped back cover is sealed to the cathode substrate so as to surround the hole, and the getter is installed in a place away from the hole. The display device according to (9).

本発明によれば、カソード基板にとりつける高電圧導入室を構成する裏カバーをガラスをプレスすることによってカップ状とし、このカップ状裏カバーをカソード基板にフリットガラスによって封着するので、高電圧導入室を構成するための枠体等の設置は不要であり、封止箇所を少なく出来、封止の信頼性を上げることが出来る。   According to the present invention, the back cover constituting the high voltage introduction chamber to be attached to the cathode substrate is made into a cup shape by pressing glass, and this cup shaped back cover is sealed to the cathode substrate by frit glass. Installation of a frame or the like for constituting the chamber is unnecessary, the number of sealing portions can be reduced, and the sealing reliability can be increased.

また、本発明によれば、排気室を構成するための裏カバーを、ガラスをプレスすることによってカップ状にし、カップ状の裏カバーに排気管を溶着したものをカソード基板にフリットガラスによって封着するので、封止箇所を少なく出来、封止の信頼性を上げることが出来る。   Further, according to the present invention, the back cover for constituting the exhaust chamber is cupped by pressing glass, and the exhaust pipe is welded to the cup-shaped back cover and sealed to the cathode substrate by frit glass. Therefore, the number of sealing portions can be reduced, and the sealing reliability can be increased.

さらに、本発明によれば、ゲッター室を構成するための裏カバーをガラスをプレスすることによってカップ状にし、このカップ状裏カバーを、カソード基板にフリットガラスによって封着するので、ゲッター室の封止の信頼性を上げることが出来る。また、ゲッター室に配置されたゲッターはカソード基板あるいはカップ状の裏カバーには接触しないため、ゲッターを活性化するときにガラスクラック等が発生することを防止することが出来る。   Furthermore, according to the present invention, the back cover for constituting the getter chamber is cupped by pressing glass, and this cup-shaped back cover is sealed to the cathode substrate by frit glass. The reliability of stopping can be raised. Further, since the getter disposed in the getter chamber does not contact the cathode substrate or the cup-shaped back cover, it is possible to prevent the occurrence of glass cracks or the like when the getter is activated.

以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。   The best mode of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings of the embodiments.

図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図１において、カソード基板１の上には封着部３を介してアノード基板２が設置されている。カソード基板１上には横方向には走査線が、縦方向にはデータ信号が延在している。走査線、データ信号線には端子５を介して外部から信号が供給される。走査線と信号線の交差部付近には電子放出源が配置されている。したがって、多数の電子放出源がマトリクス状に配列されている。電子放出源としては、いわゆるＭＩＭ方式、ＳＥＤ方式、Ｓｐｉｎｄｔ方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子放出源も本発明に適用可能である。   FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, an anode substrate 2 is installed on a cathode substrate 1 via a sealing portion 3. On the cathode substrate 1, scanning lines extend in the horizontal direction, and data signals extend in the vertical direction. A signal is supplied to the scanning line and the data signal line from the outside via the terminal 5. An electron emission source is disposed near the intersection of the scanning line and the signal line. Therefore, a large number of electron emission sources are arranged in a matrix. Various electron emission sources such as the so-called MIM method, SED method, and Spindt method have been developed. Any electron emission source can be applied to the present invention.

カソード基板１とアノード基板２と周辺を囲む封着部３の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板２、カソード基板１が撓み、カソード基板１とアノード基板２の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板１あるいはアノード基板２が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ４が設置される。このスペーサ４はセラミックまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。   The inside of the sealing part 3 surrounding the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 and the periphery is kept in a vacuum. Therefore, the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are bent by the atmospheric pressure, and the interval between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 cannot be secured. Alternatively, the cathode substrate 1 or the anode substrate 2 is destroyed. In order to avoid this, a spacer 4 is provided between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2. The spacer 4 is made of ceramic or glass and is generally installed on the scanning line so as not to hinder image formation.

アノード基板２上には電子ビームの射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子放出源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクスを覆ってＡｌによるメタルバックが形成されている。メタルバックには高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビームを加速して蛍光体２１に射突させる。   On the anode substrate 2, red, green, and blue phosphors that emit light by projecting an electron beam are formed corresponding to the electron emission sources. A black matrix (BM) is formed around the phosphor to improve image contrast. A metal back made of Al is formed so as to cover the black matrix. A high voltage is applied to the metal back, and the electron beam emitted from the cathode is accelerated and projected onto the phosphor 21.

電子ビームによって蛍光体２１から光を発生させるためには電子ビームはある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板２のメタルバックには８ＫＶから１０ＫＶの高電圧が印加される。本実施例では外部からの高電圧導入端子６０はカソード基板１側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板２に高電圧が供給される。   In order to generate light from the phosphor 21 by the electron beam, the electron beam must have a certain amount of energy, so a high voltage of 8 KV to 10 KV is applied to the metal back of the anode substrate 2. In this embodiment, an external high voltage introduction terminal 60 is provided on the cathode substrate 1 side, and a high voltage is supplied to the anode substrate 2 via a contact spring.

図１において、ＦＥＤ内部の右下コーナー部にはＦＥＤ内部を真空に排気するための排気室８０が形成されている。この排気室８０には排気管８が取り付けられ、排気室８０から内部を真空に排気する。ＦＥＤ内部の右上コーナー部には高電圧導入室７０が形成されている。ＦＥＤのアノード基板２の内側に形成されたメタルバックには８ＫＶから１０ＫＶの高電圧を印加する必要がある。この高電圧は、カソード基板１側からコンタクトスプリングを通してアノード基板２側に供給される。ＦＥＤの左上と左下にはゲッターを設置するためにゲッター室９０が形成されている。ゲッター効率を上げるために、ゲッター室９０を２箇所設置している。   In FIG. 1, an exhaust chamber 80 for exhausting the inside of the FED to a vacuum is formed in the lower right corner of the FED. An exhaust pipe 8 is attached to the exhaust chamber 80, and the inside is exhausted from the exhaust chamber 80 to a vacuum. A high voltage introduction chamber 70 is formed in the upper right corner inside the FED. It is necessary to apply a high voltage of 8 KV to 10 KV to the metal back formed inside the anode substrate 2 of the FED. This high voltage is supplied from the cathode substrate 1 side to the anode substrate 2 side through a contact spring. Getter chambers 90 are formed in the upper left and lower left of the FED for installing getters. In order to increase the getter efficiency, two getter chambers 90 are provided.

図２は図１の側面図である。図２において、カソード基板１とアノード基板２は封着部３を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板１のほうが端子５等が設置される分大きく形成されている。カソード基板１の下には、排気管８等を取り付けるための裏カバー６が取り付けられている。裏カバー６はフリットガラス３２を介してカソード基板１に取り付けられている。裏カバー６には封止枠は取り付けられていない。図２では裏カバー６には表示装置の内部を真空にするための排気管８がチップオフされた状態で描かれている。   FIG. 2 is a side view of FIG. In FIG. 2, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 face each other with a predetermined distance through the sealing portion 3. The cathode substrate 1 is formed larger as the terminals 5 and the like are installed. Under the cathode substrate 1, a back cover 6 for attaching the exhaust pipe 8 and the like is attached. The back cover 6 is attached to the cathode substrate 1 via a frit glass 32. No sealing frame is attached to the back cover 6. In FIG. 2, an exhaust pipe 8 for evacuating the inside of the display device is drawn on the back cover 6 in a state where the chip is off.

図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、データ信号線１２が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線１２の上に電子放出源１３が形成されている。絶縁膜１４を介して走査線１１がデータ信号線１２と直角方向に形成されている。図３において、走査線１１は封着部３の外部に延在している。走査線１１の上にはカソード基板１とアノード基板２との距離を保つためのスペーサ４が設置されている。スペーサ４は固着材４１によってカソード基板１側では走査線上に、アノード基板２側ではメタルバック２３に固着されている。このスペーサ４には１０９から１０１１Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ４の帯電を防止している。 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the data signal line 12 extends in a direction perpendicular to the paper surface. In this embodiment, an electron emission source 13 is formed on the data signal line 12. The scanning line 11 is formed in a direction perpendicular to the data signal line 12 through the insulating film 14. In FIG. 3, the scanning line 11 extends outside the sealing portion 3. A spacer 4 for maintaining the distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is provided on the scanning line 11. The spacer 4 is fixed to the scanning line on the cathode substrate 1 side and to the metal back 23 on the anode substrate 2 side by the fixing material 41. The spacer 4 is given a conductivity of about 10 9 to 10 11 Ω, and the spacer 4 is prevented from being charged by passing a slight current between the cathode and the anode.

アノード基板２側では、電子放出源１３に対応する場所には、赤、緑、青等の蛍光体２１が配置され、この蛍光体２１は電子ビームに射突されることによって発光し、画像が形成される。蛍光体２１の間はＢＭ２２で充填され、画像のコントラストの向上に寄与する。ＢＭ２２は例えば、クロムおよび酸化クロムの２層構造になっている。酸化クロムがアノード基板２側に形成され、その上にクロムが形成されている。蛍光体２１およびＢＭ２２を覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。メタルバック２３には約８ＫＶから１０ＫＶ程度の高電圧が印加され、電子ビームを加速する。加速された電子ビームはメタルバック２３を突き抜けて蛍光体２１に射突し、蛍光体２１を発光させる。メタルバック２３には高電圧を印加するが、この高電圧を高い信頼性を持って供給することが本発明の重要な課題の一つである。   On the anode substrate 2 side, phosphors 21 such as red, green, and blue are arranged at locations corresponding to the electron emission sources 13, and the phosphors 21 emit light by being projected onto the electron beam, and an image is displayed. It is formed. The space between the phosphors 21 is filled with BM 22 and contributes to the improvement of the contrast of the image. For example, the BM 22 has a two-layer structure of chromium and chromium oxide. Chromium oxide is formed on the anode substrate 2 side, and chromium is formed thereon. A metal back 23 made of Al is formed so as to cover the phosphor 21 and the BM 22. A high voltage of about 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 23 to accelerate the electron beam. The accelerated electron beam penetrates the metal back 23 and strikes the phosphor 21 to cause the phosphor 21 to emit light. Although a high voltage is applied to the metal back 23, it is one of the important problems of the present invention to supply this high voltage with high reliability.

表示装置の内部を真空に保つために、封止枠３１と封着材３２によってカソード基板１とアノード基板２がシールされている。カソード基板１の厚さおよびアノード基板２の厚さは３ｍｍ程度である。また、カソード基板１とアノード基板２との距離は約２．８ｍｍ程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。   In order to keep the inside of the display device in a vacuum, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are sealed by the sealing frame 31 and the sealing material 32. The thickness of the cathode substrate 1 and the thickness of the anode substrate 2 are about 3 mm. The distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is about 2.8 mm, and the inside of the display device has a high electric field.

図４は図１に示すＦＥＤの裏面図である。図４において、カソード基板１の裏面が見えており、アノード基板２は点線で示している。カソード基板１とアノード基板２で形成されるＦＥＤの周辺右下部には排気室８０が形成されている。排気室８０には排気管８が取り付けられている。また、排気室８０にはゲッターが取り付けられている。このゲッターはＢａゲッター１１０であり、排気後Ｂａを飛散させる。   FIG. 4 is a rear view of the FED shown in FIG. In FIG. 4, the back surface of the cathode substrate 1 is visible, and the anode substrate 2 is indicated by a dotted line. An exhaust chamber 80 is formed in the lower right portion around the FED formed by the cathode substrate 1 and the anode substrate 2. An exhaust pipe 8 is attached to the exhaust chamber 80. In addition, a getter is attached to the exhaust chamber 80. This getter is the Ba getter 110, and Ba is scattered after exhausting.

ＦＥＤの周辺右上部には高電圧導入室７０が形成されている。高電圧導入室７０にはゲッターは取り付けられていない。Ｂａゲッター１１０を飛散すると、Ｂａが付着するが、Ｂａは仕事関数を下げるために、電子放出をし易くなる。高電圧導入室７０にはコンタクトスプリングをはじめ、高電界が形成され易い構造物が存在している。この部分にゲッターが付着すると耐電圧を劣化させることになるので、高電圧導入室７０にはＢａゲッターを設置しない。Ｚｒゲッター等の非蒸発ゲッターであれば、高電圧部より距離をおくことで設置可能である。   A high voltage introduction chamber 70 is formed in the upper right part of the periphery of the FED. No getter is attached to the high voltage introduction chamber 70. When the Ba getter 110 is scattered, Ba adheres to it. However, since Ba lowers the work function, it becomes easy to emit electrons. In the high voltage introduction chamber 70, there are structures such as contact springs where a high electric field is easily formed. If the getter adheres to this portion, the withstand voltage is deteriorated, so no Ba getter is installed in the high voltage introduction chamber 70. A non-evaporable getter such as a Zr getter can be installed at a distance from the high voltage portion.

ＦＥＤの周辺左下部にはゲッター室９０が形成され、このゲッター室９０には封止後飛散させるゲッターであるＢａゲッター１１０が設置されている。なお、Ｂａゲッター１１０は飛散するゲッターの例として説明する。左下のゲッター室９０の点線の丸はカソード基板１と裏カバー６の通孔１０である。このＢａゲッター１１０はＦＥＤを排気後、高周波で加熱されてＢａを飛散する。   A getter chamber 90 is formed in the lower left part of the periphery of the FED. In this getter chamber 90, a Ba getter 110, which is a getter to be scattered after sealing, is installed. The Ba getter 110 will be described as an example of a getter that scatters. The dotted circle in the lower left getter chamber 90 is the through hole 10 of the cathode substrate 1 and the back cover 6. The Ba getter 110 evacuates the FED and is heated at a high frequency to scatter Ba.

ＦＥＤの周辺左上部にもゲッター室９０が形成され、このゲッター室９０には非蒸発ゲッターであるＺｒゲッター１２０が設置されている。本実施例では非蒸発ゲッターとしてＺｒゲッター１２０が使用されているが、非蒸発ゲッターはこれに限らず、Ｔｉゲッター等でもよい。Ｚｒゲッター１２０が排気後、高周波によって高温に加熱すると活性化して吸着作用を生ずるようになる。   A getter chamber 90 is also formed in the upper left part of the periphery of the FED, and a Zr getter 120 which is a non-evaporable getter is installed in the getter chamber 90. In this embodiment, the Zr getter 120 is used as a non-evaporable getter, but the non-evaporable getter is not limited to this, and a Ti getter or the like may be used. When the Zr getter 120 is heated to a high temperature by high frequency after exhausting, it is activated to produce an adsorption action.

Ｂａゲッター１１０は水分、酸素等の吸着作用は優れているが、メタン等、炭化水素系のガス吸着能は比較的劣る。これに対してＺｒゲッター１２０は炭化水素系のガス吸着能が優れている。したがって、２種類のゲッターは相互に補完作用がある。また、Ｂａゲッター１１０は飛散して面積が大きいために、短期間に発生するガスを早期に吸着する作用が優れている。これに対してＺｒゲッター１２０は飛散しないために面積は小さいが、吸着したガスをゲッターの内部に拡散するために、長期間にわたって、ガスを吸着することが出来るという特徴を有する。   The Ba getter 110 is excellent in adsorption of moisture, oxygen, etc., but is relatively inferior in hydrocarbon adsorption gas such as methane. In contrast, the Zr getter 120 is excellent in hydrocarbon-based gas adsorption ability. Accordingly, the two types of getters have a complementary effect on each other. Further, since the Ba getter 110 is scattered and has a large area, the action of adsorbing gas generated in a short period of time at an early stage is excellent. On the other hand, the Zr getter 120 has a small area because it does not scatter, but has a feature that gas can be adsorbed over a long period of time in order to diffuse the adsorbed gas into the getter.

図５は図１のＢ‐Ｂ断面図である。図５において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、この通孔１０を通してコンタクトスプリング５０によりアノード基板２に高電圧の供給が行なわれる。カソード基板１の通孔１０を覆ってカップ状の裏カバー６がフリットガラス３２を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。裏カバー６はカソード基板１の裏面とで箱状の空間を形成するものである。裏カバー６はガラスで形成され、プレスによって上面が無い箱状に成型される。   5 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. In FIG. 5, a through hole 10 is formed in the cathode substrate 1, and a high voltage is supplied to the anode substrate 2 by the contact spring 50 through the through hole 10. A cup-shaped back cover 6 is installed through a frit glass 32 so as to cover the through-hole 10 of the cathode substrate 1 and keep the inside of the display device in a vacuum. The back cover 6 forms a box-shaped space with the back surface of the cathode substrate 1. The back cover 6 is formed of glass, and is formed into a box shape without an upper surface by a press.

このように、裏カバー６は一体となっているために、封止枠３１等を用いる場合に比して、裏カバー６自体のリークの危険性は小さい。裏カバー６はフリットガラス３２によってカソード基板１に封着されている。裏カバー６はガラスであるので、フリットガラスによるカソード基板１への封止の信頼性は高い。   Thus, since the back cover 6 is integrated, the risk of leakage of the back cover 6 itself is small as compared with the case where the sealing frame 31 or the like is used. The back cover 6 is sealed to the cathode substrate 1 by frit glass 32. Since the back cover 6 is made of glass, the reliability of sealing the cathode substrate 1 with frit glass is high.

裏カバー６の底面には高電圧導入端子６０を封着するための孔が形成されている。高電圧導入端子６０が裏カバー６に封着され、外部と気密を保っている。高電圧導入端子６０にはＦｅ−Ｎｉ合金が用いられる。Ｆｅ−Ｎｉ合金の成分比は裏カバー６と熱膨張係数を合わせるように選定される。本実施例ではＦｅ５２％、Ｎｉ４８％である。高電圧導入端子６０の外部端子６３は外部からアノード基板２に高電圧を与えるための端子であり、外部のソケットと接続する。   A hole for sealing the high voltage introduction terminal 60 is formed on the bottom surface of the back cover 6. The high voltage introduction terminal 60 is sealed to the back cover 6 and is kept airtight from the outside. An Fe—Ni alloy is used for the high voltage introduction terminal 60. The component ratio of the Fe—Ni alloy is selected so as to match the thermal expansion coefficient with the back cover 6. In this embodiment, Fe is 52% and Ni is 48%. The external terminal 63 of the high voltage introduction terminal 60 is a terminal for applying a high voltage to the anode substrate 2 from the outside, and is connected to an external socket.

高電圧導入端子はフリットガラス３３によって裏カバー６に封着される。高電圧導入端子は裏カバー６に予め封着しておくことが出来る。フリットガラス３３は非晶質のものを用いることが出来る。非晶質のフリットガラス３３は硬化後フリットガラスのクラック等を生じにくい。しかし、硬化後でも再び高温になると軟化するという性質があるので、フリットガラス３３は軟化温度の高いものを使用することが望ましい。   The high voltage introduction terminal is sealed to the back cover 6 by the frit glass 33. The high voltage introduction terminal can be sealed in advance on the back cover 6. The frit glass 33 can be amorphous. The amorphous frit glass 33 hardly causes cracks or the like of the frit glass after being cured. However, since frit glass 33 has a property of softening at a high temperature again after curing, it is desirable to use a frit glass 33 having a high softening temperature.

裏カバー６にはガラスの特性を除いては高温が問題となる構造物は無い。したがって、フリットガラス３３の接着温度をフリットガラス３２よりも高くすることが出来る。そうすると高電圧導入端子の封止の信頼性をさらに上げることが出来る。このように、本実施例では裏カバー６を一体としているので、フリットガラスによる封着の箇所を少なくすることが出来るので、封止の信頼性を上げることが出来る。   The back cover 6 has no structure where high temperature is a problem except for the characteristics of glass. Therefore, the bonding temperature of the frit glass 33 can be made higher than that of the frit glass 32. As a result, the reliability of sealing the high voltage introduction terminal can be further increased. Thus, in this embodiment, since the back cover 6 is integrated, the number of places to be sealed with frit glass can be reduced, so that the sealing reliability can be increased.

高電圧導入端子６０にはコンタクトスプリング５０がスポット溶接によって取り付けられている。コンタクトスプリング５０によって高電圧導入端子６０に印加された高電圧がアノード基板２側に導入される。コンタクトスプリング５０は先端のコンタクト部がスプリング力によって適切な押圧によってアノード基板２に接触する。   A contact spring 50 is attached to the high voltage introduction terminal 60 by spot welding. The high voltage applied to the high voltage introduction terminal 60 by the contact spring 50 is introduced to the anode substrate 2 side. The contact spring 50 comes into contact with the anode substrate 2 by an appropriate pressing of the contact portion at the tip by the spring force.

アノード基板２にはコンタクトスプリング５０と接触するためのアノード端子２４が形成されている。アノード端子２４には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子２４付近の構造は次のようになっている。アノード基板２上にはクロムと酸化クロムのＢＭ２２が形成され、これを覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック２３の上に、アノード端子２４としての導電膜が厚さ１０μｍから３０μｍで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ４を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。   An anode terminal 24 for contacting the contact spring 50 is formed on the anode substrate 2. Since a relatively large current flows through the anode terminal 24, reliability is important. In this embodiment, the structure near the anode terminal 24 is as follows. A BM 22 of chromium and chromium oxide is formed on the anode substrate 2, and a metal back 23 made of Al is formed so as to cover the BM 22. This is the same configuration as the effective surface of the screen. In this embodiment, a conductive film as the anode terminal 24 is formed on the metal back 23 with a thickness of 10 μm to 30 μm. In this embodiment, the conductive film is formed by applying a silver paste by printing and then baking. There is no need to provide a special process for firing the conductive film. For example, it may be performed simultaneously with the firing process for fixing the spacer 4.

銀ペーストは直径1ミクロンから数μｍの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ｎｉ粒子を分散させたＮｉペースト、Ａｌ粒子を分散させたＡｌペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ（酸化鉄）を混合することによって調整することができる。   The silver paste is obtained by dispersing silver particles having a diameter of 1 μm to several μm in an organic solvent having a high viscosity. After firing, the silver particles are connected to each other to have conductivity. In some cases, the conductive film should have some resistance. In such a case, the resistance can be adjusted by further mixing a paste for frit glass with a normal silver paste. Note that the material of the conductive film is not limited to silver paste, and Ni paste in which Ni particles are dispersed, Al paste in which Al particles are dispersed, and the like can also be used. A graphite film bonded with a binder can also be used. The graphite in this case is preferably graphite. The resistance of the graphite film can be adjusted, for example, by mixing bengara (iron oxide) with graphite.

導電膜を１０μｍから３０μｍと厚く形成することによって、コンタクトスプリング５０と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング５０と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険があるが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング５０とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部５３にスパーク等で大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。   By forming the conductive film as thick as 10 μm to 30 μm, the contact spring 50 and the conductive film can be stably contacted. That is, in the case of a metal film, the contact spring 50 and the metal film are in point contact, and there is a danger that current concentrates on the point contact portion and the conductive film is destroyed. The conductive film and the contact spring 50 can have a large contact area as compared with the case of a metal film, become a state close to surface contact, and stabilize the contact. In addition, since the conductive film as in the present embodiment has a larger resistance than metal, it is possible to prevent a large current from flowing through the contact portion 53 due to spark or the like. Also from this point, the stability of conduction by contact can be improved.

図６は実施例１の他の形態である。図６が図５と異なる点は、高電圧導入端子が裏カバー６の底面に溶着されていることである。高電圧導入端子の裏カバー６底面の孔と対応する部分の高電圧導入端子に予めガラスを盛っておく。裏カバー６の底面に形成された孔部を加熱し、同じく高電圧導入端子に盛られたガラスを高電圧導入端子とともに加熱した状態で高電圧導入端子を裏カバー６の孔に挿入すると高電圧導入端子が裏カバー６に溶着される。   FIG. 6 shows another embodiment of the first embodiment. 6 differs from FIG. 5 in that the high voltage introduction terminal is welded to the bottom surface of the back cover 6. Glass is previously deposited on the high voltage introduction terminal at a portion corresponding to the hole on the bottom surface of the back cover 6 of the high voltage introduction terminal. When the hole formed in the bottom surface of the back cover 6 is heated, and the glass built in the high voltage introduction terminal is heated together with the high voltage introduction terminal, the high voltage introduction terminal is inserted into the hole of the back cover 6 to increase the voltage. The introduction terminal is welded to the back cover 6.

高電圧導入端子が溶着された裏カバー６をフリットガラス３２によってカソード基板１に封止する。本実施例では裏カバー６を封止するために使用されるフリットガラス３２は一箇所のみであるので、封止の信頼性は高い。その他の構成は図５と同様である。   The back cover 6 to which the high voltage introduction terminal is welded is sealed to the cathode substrate 1 by the frit glass 32. In this embodiment, since the frit glass 32 used for sealing the back cover 6 is only one place, the sealing reliability is high. Other configurations are the same as those in FIG.

図７は本発明の第２の実施例を示す断面図である。図７は図１のＣ−Ｃ断面図であり、図５における排気室８０の断面図である。カソード基板１と排気室８０の間には通孔１０が形成されている。排気室８０のカップ状の裏カバー６には排気孔８１が形成され、取り付けられた排気管８によって、ＦＥＤ内部が真空に排気される。図７では、排気管８はチップオフされた状態で描かれている。   FIG. 7 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 1, and is a cross-sectional view of the exhaust chamber 80 in FIG. A through hole 10 is formed between the cathode substrate 1 and the exhaust chamber 80. An exhaust hole 81 is formed in the cup-shaped back cover 6 of the exhaust chamber 80, and the inside of the FED is exhausted to a vacuum by the attached exhaust pipe 8. In FIG. 7, the exhaust pipe 8 is depicted in a state where the tip is off.

図７において、裏カバー６は上蓋のない箱状をしており、裏カバー６とカソード基板１とで箱状に内部空間を形成している。裏カバー６の底面には排気孔８１が形成されており、この排気孔８１の周囲に排気管８が溶着されている。排気管８は肉厚が１ｍｍ程度の円筒状のガラスである。排気管８は従来はフリットガラスによって裏カバー６に取り付けられていたが、排気管８の接着断面積が小さいために、フリットガラスによる封着では十分な信頼性を確保することが困難であった。   In FIG. 7, the back cover 6 has a box shape without an upper lid, and the back cover 6 and the cathode substrate 1 form an internal space in a box shape. An exhaust hole 81 is formed in the bottom surface of the back cover 6, and an exhaust pipe 8 is welded around the exhaust hole 81. The exhaust pipe 8 is a cylindrical glass having a thickness of about 1 mm. The exhaust pipe 8 is conventionally attached to the back cover 6 by frit glass. However, since the cross-sectional area of the exhaust pipe 8 is small, it is difficult to ensure sufficient reliability by sealing with the frit glass. .

本実施例は排気管８を裏カバー６に溶着することによって封止の信頼性を向上させている。図７において、裏カバー６の底部に形成された排気孔８１の周辺は肉厚が薄くなったダレ部８２が形成され、ダレ部８２の先端と排気管８を溶着する。図７に示す接合点８３は裏カバー６のダレ部の先端と排気管８が溶着によって接合された部分である。排気管８等が溶着された裏カバー６をカソード基板１にフリットガラス３２によって封着する。図７に示すように、フリットガラス３２による封着部は裏カバー６とカソード基板１のみであるから封止の信頼性は高い。   In this embodiment, the reliability of sealing is improved by welding the exhaust pipe 8 to the back cover 6. In FIG. 7, a sagging portion 82 having a reduced thickness is formed around the exhaust hole 81 formed at the bottom of the back cover 6, and the tip of the sagging portion 82 and the exhaust pipe 8 are welded. A joining point 83 shown in FIG. 7 is a portion where the tip of the sag portion of the back cover 6 and the exhaust pipe 8 are joined by welding. The back cover 6 to which the exhaust pipe 8 and the like are welded is sealed to the cathode substrate 1 with a frit glass 32. As shown in FIG. 7, since the sealing portion by the frit glass 32 is only the back cover 6 and the cathode substrate 1, the sealing reliability is high.

本実施例では、Ｂａゲッターが裏カバー６の底面に向かって飛散するように設置されている。ＦＥＤの内部とは逆方向に飛散させるので、ＢａがＦＥＤ内に飛散する確率は小さい。また、ゲッターはゲッターサポートによって、裏カバー６あるいはカソード基板１から離して設置されている。この様子を図１０に示す。図１０は図７のＡ−Ａ断面図である。ゲッターサポートが折れ曲がってゲッターがカソード基板１から離して設置されている。ゲッターサポートの先端はカソード基板１と裏カバー６の封着部において同時に封着される。   In this embodiment, the Ba getter is installed so as to scatter toward the bottom surface of the back cover 6. Since it is scattered in the opposite direction to the inside of the FED, the probability of Ba scattering in the FED is small. Further, the getter is installed away from the back cover 6 or the cathode substrate 1 by a getter support. This is shown in FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The getter support is bent and the getter is installed away from the cathode substrate 1. The tip of the getter support is sealed at the sealing portion of the cathode substrate 1 and the back cover 6 at the same time.

図８はＢａゲッターの詳細図である。図８（ａ）はゲッターの平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。Ｂａはリング状のコンテナ内にプレスによって充填されている。本実施例は飛散するタイプのゲッターのみでなく、飛散しないゲッター例えば、Ｚｒゲッター等を用いる場合も同様に適用することが出来る。
図９はＺｒゲッターの詳細図である。図９（ａ）はゲッターの平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。Ｚｒはリング状のコンテナ内にプレスによって充填されている。Ｚｒは飛散しないので、Ｚｒの表面積を稼ぐためにリンクの幅はＢａの場合に比較して大きくなっている。 FIG. 8 is a detailed view of the Ba getter. 8A is a plan view of the getter, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 8A. Ba is filled in a ring-shaped container by a press. The present embodiment can be similarly applied not only to a getter of a scattering type but also to a getter that does not fly, such as a Zr getter.
FIG. 9 is a detailed view of the Zr getter. FIG. 9A is a plan view of the getter, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 9A. Zr is filled in a ring-shaped container by a press. Since Zr does not scatter, the width of the link is larger than that of Ba in order to increase the surface area of Zr.

図８および図９に示すように、ゲッターサポートは折れ曲がって、ゲッターを排気室８０に設置したときに、ゲッターがカソード基板１に接触することを防止する。排気後ゲッターは高周波によって高温に熱せられるので、ゲッターがカソード基板１に接触してガソード基板にクラックが生ずることを防止するためである。   As shown in FIGS. 8 and 9, the getter support is bent to prevent the getter from contacting the cathode substrate 1 when the getter is installed in the exhaust chamber 80. This is because the getter after heating is heated to a high temperature by a high frequency, so that the getter comes into contact with the cathode substrate 1 to prevent the gassode substrate from cracking.

以上のように、本実施例はカップ状裏カバー６を一体整形し、さらに、排気管８と裏カバー６の底部とを溶着しており、排気管８の断面積が小さいことによるフリットガラスの信頼性の問題を解決している。そして、フリットガラス３２による封止は裏カバー６とカソード基板１の封着のみであるので、封止の信頼性は高い。また、本実施例は、ゲッターをカソード基板１あるいは裏カバー６から離しているので、ゲッターが加熱される際のガラスのクラックを防止することが出来る。さらに、本実施例はＢａゲッター等を飛散させる場合、ゲッターがＦＥＤ内部に飛散する確率を小さくすることが出来る。   As described above, in this embodiment, the cup-shaped back cover 6 is integrally formed, and the exhaust pipe 8 and the bottom of the back cover 6 are welded. Resolves reliability issues. Since the frit glass 32 is sealed only by sealing the back cover 6 and the cathode substrate 1, the sealing reliability is high. In this embodiment, since the getter is separated from the cathode substrate 1 or the back cover 6, it is possible to prevent the glass from cracking when the getter is heated. Further, in the present embodiment, when Ba getter or the like is scattered, the probability that the getter is scattered inside the FED can be reduced.

図１１は図１のＥ−Ｅ断面図であり、画面左下のゲッター室９０の断面を示している。このゲッター室９０にはＢａゲッター１１０が配置されている。図１１において、カソード基板１とゲッター室９０の間には通孔１０が形成されてＦＥＤ内で発生したガスが通孔１０を通してゲッター室９０で吸着される。Ｂａは矢印の方向に飛散し、裏カバー６の内面に付着する。この構成であれば、ＢａはＦＥＤ内にはほとんど飛散しない。   FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. A Ba getter 110 is disposed in the getter chamber 90. In FIG. 11, a through hole 10 is formed between the cathode substrate 1 and the getter chamber 90, and gas generated in the FED is adsorbed in the getter chamber 90 through the through hole 10. Ba scatters in the direction of the arrow and adheres to the inner surface of the back cover 6. With this configuration, Ba hardly scatters in the FED.

図１１において、裏カバー６は一体成型されている。裏カバー６はガラスによって出来ているが、プレスによって成型される。図１１においては、ゲッター室９０を構成するためのフリットガラス３２による封着は裏カバー６とカソード基板１の封着部のみである。したがって、封止の信頼性は高い。また、ゲッターを支持するゲッターサポートは折れ曲がってゲッターがカソード基板１と接触することを防止する。   In FIG. 11, the back cover 6 is integrally molded. Although the back cover 6 is made of glass, it is molded by a press. In FIG. 11, the sealing with the frit glass 32 for constituting the getter chamber 90 is only the sealing portion between the back cover 6 and the cathode substrate 1. Therefore, the reliability of sealing is high. The getter support that supports the getter is bent to prevent the getter from coming into contact with the cathode substrate 1.

図１２はゲッター室９０の裏カバー６を外して図１１のＡ−Ａ方向からゲッター室９０を見た図である。図１２において、下側には通孔１０が見える。通孔１０と離れた位置にＢａゲッター１１０が設置されている。Ｂａゲッター１１０はゲッターサポート１０２に支えられ、ゲッターサポート１０２の先端は封着材に封着されてゲッターを支持する。Ｂａゲッターが通孔１０とは離れた場所に設置されているので、Ｂａを飛散させたときに、Ｂａが通孔１０を通って、ＦＥＤ内部に飛散する確率を小さくすることが出来る。   12 is a view of the getter chamber 90 viewed from the direction AA in FIG. 11 with the back cover 6 of the getter chamber 90 removed. In FIG. 12, the through hole 10 is visible on the lower side. A Ba getter 110 is installed at a position away from the through hole 10. The Ba getter 110 is supported by the getter support 102, and the tip of the getter support 102 is sealed with a sealing material to support the getter. Since the Ba getter is installed at a location distant from the through hole 10, when Ba is scattered, the probability that Ba passes through the through hole 10 and is scattered inside the FED can be reduced.

以上のように、本実施例によれば、裏カバー６をガラスによって一体成型しており、フリットガラスによる封止箇所は一箇所のみであるから、封止の信頼性を高めることが出来る。さらに、ＢａゲッターがＦＥＤ内部に飛散するのを防止し、ＦＥＤの耐電圧劣化および、電子源の電子放出特性の劣化を防止することが出来る。   As described above, according to the present embodiment, the back cover 6 is integrally formed of glass, and only one place is sealed with the frit glass. Therefore, the sealing reliability can be improved. Furthermore, it is possible to prevent the Ba getter from scattering inside the FED, thereby preventing the breakdown voltage of the FED from deteriorating and the electron emission characteristics of the electron source from deteriorating.

図１３は図１のＦ−Ｆ断面図であり、画面左上のゲッター室９０の断面を表している。このゲッター室９０にはＺｒゲッター１２０を設置している。飛散しないゲッターであるＺｒゲッターの場合も、基本的には図１１に示すＢａゲッターの場合と同様である。   FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line F-F in FIG. A Zr getter 120 is installed in the getter chamber 90. The case of the Zr getter that is a getter that does not scatter is basically the same as that of the Ba getter shown in FIG.

図１３において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、ＦＥＤ内部で発生したガスは通孔１０を通ってゲッター室９０に入り、Ｚｒゲッター１２０に吸着される。図１４はゲッター室９０のカップ状裏カバー６を外して図１３をＡ−Ａ方向から見たゲッター室９０の平面図である。図１４の下側には通孔１０が形成されている。通孔１０と離れた場所にＺｒゲッター１２０が設置されている。   In FIG. 13, a through hole 10 is formed in the cathode substrate 1, and gas generated inside the FED enters the getter chamber 90 through the through hole 10 and is adsorbed by the Zr getter 120. FIG. 14 is a plan view of the getter chamber 90 when the cup-shaped back cover 6 of the getter chamber 90 is removed and FIG. 13 is viewed from the AA direction. A through hole 10 is formed on the lower side of FIG. A Zr getter 120 is installed at a location away from the through hole 10.

Ｚｒゲッター１２０は飛散しないために、コンテナ１０１に収容された状態でのＺｒの表面積はＢａゲッター１１０の場合よりも大きくなっている。Ｚｒゲッター１２０はゲッターサポードに取り付けられ、ゲッターサポート１０２の先端は裏カバー６用封着材であるフリットガラス３２に封着され、Ｚｒゲッター１２０を支持する。   Since the Zr getter 120 does not scatter, the surface area of Zr in the state accommodated in the container 101 is larger than that of the Ba getter 110. The Zr getter 120 is attached to the getter support, and the front end of the getter support 102 is sealed to a frit glass 32 that is a sealing material for the back cover 6 to support the Zr getter 120.

図１４のＢ−Ｂ断面は図１０と同様である。Ｚｒゲッター１２０は飛散しないが、ゲッター作用を奏するためには高周波によって加熱してＺｒを活性化させる必要がある。このために、ゲッターサポート１０２を曲げてゲッターがカソード基板１に接触しないようにしていることはＢａゲッター１１０の場合と同様である。ゲッター室９０の構成は図１１の場合と同様であり、ゲッター室９０の封止の信頼性は高い。   14 is the same as that of FIG. Although the Zr getter 120 does not scatter, it is necessary to activate Zr by heating with a high frequency in order to achieve the getter action. For this reason, the getter support 102 is bent so that the getter does not contact the cathode substrate 1 as in the case of the Ba getter 110. The structure of the getter chamber 90 is the same as that of FIG. 11, and the reliability of sealing the getter chamber 90 is high.

図１５は本実施例の他の形態である。本実施形態はゲッター室９０に複数のゲッターを配置する場合である。図１５は図１のＥ−Ｅ断面図である。図１５において、ゲッター室９０には２個のＢａゲッター１１０が並んで配置されている。本実施例ではゲッター能力を増すために、ゲッター室９０に２個のＢａゲッター１１０を配置している。
２個のゲッターはＢａゲッターか非蒸発のＺｒゲッターかのいずれか一種類である。Ｂａゲッター１１０と非蒸発ゲッターを一つのゲッター室９０に混在させると、先に説明したように、飛散するＢａゲッター１１０によって、非蒸発ゲッターであるＺｒゲッター１２０のゲッター作用が損なわれる。図１４においては、ゲッター室９０に配置される２個のゲッターは、Ｂａゲッター１１０のみである。Ｂａゲッター１１０は高周波によって加熱され、裏カバー６の内面に付着する。 FIG. 15 shows another embodiment of the present embodiment. In the present embodiment, a plurality of getters are arranged in the getter chamber 90. 15 is a cross-sectional view taken along line EE in FIG. In FIG. 15, in the getter chamber 90, two Ba getters 110 are arranged side by side. In this embodiment, two Ba getters 110 are arranged in the getter chamber 90 in order to increase the getter capability.
The two getters are either a Ba getter or a non-evaporable Zr getter. When the Ba getter 110 and the non-evaporable getter are mixed in one getter chamber 90, the getter action of the Zr getter 120, which is a non-evaporable getter, is impaired by the scattered Ba getter 110 as described above. In FIG. 14, the Ba getter 110 is the only two getters arranged in the getter chamber 90. The Ba getter 110 is heated by the high frequency and adheres to the inner surface of the back cover 6.

ゲッターが複数ある場合もゲッター室９０の構成は図１１の場合と同様である。すなわち、カップ状裏カバー６はガラスで形成され、プレス成型によって一体化されており、フリットガラス３２による封着は裏カバー６とカソード基板１の間のみである。したがって、封止の信頼性は高い。   Even when there are a plurality of getters, the configuration of the getter chamber 90 is the same as in the case of FIG. That is, the cup-shaped back cover 6 is made of glass and integrated by press molding, and sealing with the frit glass 32 is only between the back cover 6 and the cathode substrate 1. Therefore, the reliability of sealing is high.

図１６はゲッター室９０の裏カバー６を外して図１５に示すＡ−Ａ方向から見たゲッター室９０の平面図である。図１６の下側には通孔１０が形成されている。通孔１０と離れた場所に２個のＢａゲッター１１０が設置されている。Ｂａゲッター１１０はゲッターサポート１０２に取り付けられ、ゲッターサポート１０２は封着材３２で封着されてゲッターを支持する。図１５のＢ−Ｂ方向断面は図１０と同様である。ゲッターサポート１０２は、ゲッターがカソート基板と接触しないように曲げられている。   16 is a plan view of the getter chamber 90 as viewed from the direction AA shown in FIG. 15 with the back cover 6 of the getter chamber 90 removed. A through hole 10 is formed on the lower side of FIG. Two Ba getters 110 are installed in a place away from the through hole 10. The Ba getter 110 is attached to a getter support 102, and the getter support 102 is sealed with a sealing material 32 to support the getter. 15 is the same as that of FIG. The getter support 102 is bent so that the getter does not come into contact with the cassette substrate.

図１７は本実施例の他の形態における、図１のＦ−Ｆ断面図であり、画面左上のゲッター室９０の断面を表している。このゲッター室９０にはＺｒゲッター１２０を２個設置している。２個に限らず、複数のゲッターを配置しても良いが、これらのゲッターは全て非蒸発型のゲッターである。すなわち、Ｂａゲッター１１０は配置されていない。非蒸発ゲッターをＢａゲッター１１０とは別なゲッター室９０に配置することによって、非蒸発ゲッターの表面にＢａが付着することを防止し、非蒸発ゲッターのゲッター能力の劣化を防止することが出来る。図１７に示すゲッター室９０の構造は図１５に示すゲッター室９０の構造と同様である。   FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line FF of FIG. 1 in another form of the present embodiment, showing a cross section of the getter chamber 90 at the upper left of the screen. In this getter chamber 90, two Zr getters 120 are installed. A plurality of getters may be arranged without being limited to two, but these getters are all non-evaporable getters. That is, the Ba getter 110 is not arranged. By disposing the non-evaporable getter in a getter chamber 90 different from the Ba getter 110, it is possible to prevent Ba from adhering to the surface of the non-evaporable getter and to prevent the getter ability of the non-evaporable getter from deteriorating. The structure of the getter chamber 90 shown in FIG. 17 is the same as the structure of the getter chamber 90 shown in FIG.

図１８はゲッター室９０のカップ状裏カバー６を外して図１７に示すＡ−Ａ方向から見たゲッター室９０の平面図である。図１８において、下側には通孔１０が形成されている。通孔１０と離れた場所にＺｒゲッター１２０が２個設置されている。Ｚｒゲッター１２０は飛散しないために、コンテナ１０１に収容された状態でのＺｒの表面積はＢａゲッター１１０の場合よりも大きくなっている。Ｚｒゲッター１２０はゲッターサポードに取り付けられ、ゲッターサポート１０２の先端はカップ状裏カバー６の封着材であるフリットガラス３２に封着され、Ｚｒゲッター１２０を支持する。   FIG. 18 is a plan view of the getter chamber 90 as viewed from the direction AA shown in FIG. 17 with the cup-shaped back cover 6 of the getter chamber 90 removed. In FIG. 18, a through hole 10 is formed on the lower side. Two Zr getters 120 are installed at a location away from the through hole 10. Since the Zr getter 120 does not scatter, the surface area of Zr in the state accommodated in the container 101 is larger than that of the Ba getter 110. The Zr getter 120 is attached to the getter support, and the tip of the getter support 102 is sealed to a frit glass 32 that is a sealing material of the cup-shaped back cover 6 to support the Zr getter 120.

図１７のＢ−Ｂ断面は図１０と同様である。Ｚｒゲッター１２０は飛散しないが、ゲッター作用を奏するためには高周波によって加熱してＺｒを活性化させる必要がある。このために、ゲッターサポート１０２を曲げてゲッターがカソード基板１に接触しないようにしていることはＺｒゲッター１２０が１個の場合と同様である。   The BB cross section of FIG. 17 is the same as that of FIG. Although the Zr getter 120 does not scatter, it is necessary to activate Zr by heating with a high frequency in order to achieve the getter action. For this reason, the getter support 102 is bent so that the getter does not come into contact with the cathode substrate 1 as in the case of a single Zr getter 120.

以上のように、本実施例においても、ゲッター室９０のカップ状裏カバー６は一体化されているために、フリットガラス３２による封着箇所は裏カバー６とカソード基板１の間のみであり、封止の信頼性は高い。また、ゲッターはカソード基板１あるいは裏カバー６から離れているために、ゲッターが活性化時高温になっても、カソード基板１あるいは裏カバー６のクラックを防止することが出来る。   As described above, also in this embodiment, since the cup-shaped back cover 6 of the getter chamber 90 is integrated, the sealing place by the frit glass 32 is only between the back cover 6 and the cathode substrate 1. The reliability of sealing is high. Further, since the getter is separated from the cathode substrate 1 or the back cover 6, cracking of the cathode substrate 1 or the back cover 6 can be prevented even if the getter is heated to a high temperature.

本実施例によれば、ゲッター室９０を構成するカップ状裏カバー６をガラスをプレス成型することによって、一体化して形成している。したがって、フリットガラス３２による封着は裏カバー６とカソード基板１の間のみである。また、本実施例ではゲッターサポートをカソード基板１と裏カバー６の封着と同時に封着し、ゲッターサポートを曲げてゲッターがカソード基板１あるいは裏カバー６に接触しないようにしているので、ゲッターを活性化するときに、ガラス基板がクラックすることを防止することが出来る。また、Ｂａ等の飛散ゲッターを使用する場合は、Ｂａが裏カバー６の底面に向かって飛散するので、ＢａがＦＥＤ内部に侵入する確率を小さくすることが出来る。   According to the present embodiment, the cup-like back cover 6 constituting the getter chamber 90 is integrally formed by press molding glass. Therefore, the frit glass 32 is sealed only between the back cover 6 and the cathode substrate 1. Further, in this embodiment, the getter support is sealed simultaneously with the sealing of the cathode substrate 1 and the back cover 6, and the getter support is bent so that the getter does not contact the cathode substrate 1 or the back cover 6. When activated, the glass substrate can be prevented from cracking. Further, when a scattering getter such as Ba is used, since Ba is scattered toward the bottom surface of the back cover 6, the probability of Ba entering the FED can be reduced.

本発明のＦＥＤの平面図である。It is a top view of FED of this invention. 図１の側面図である。It is a side view of FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図１の裏面図である。It is a reverse view of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図の他の例である。It is another example of BB sectional drawing of FIG. 図１のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. Ｂａゲッターの詳細図である。It is detail drawing of Ba getter. Ｚｒゲッターの詳細図である。It is detail drawing of Zr getter. 図７のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図１のＥ−Ｅ断面図である。It is EE sectional drawing of FIG. 図１１をＡ−Ａ方向から見た図である。It is the figure which looked at FIG. 11 from the AA direction. 図１のＦ−Ｆ断面図である。It is FF sectional drawing of FIG. 図１３をＡ−Ａ方向から見た図である。It is the figure which looked at FIG. 13 from the AA direction. 図１のＥ−Ｅ断面の他の例である。It is another example of the EE cross section of FIG. 図１５をＡ−Ａ方向から見た図である。It is the figure which looked at FIG. 15 from the AA direction. 図１のＦ−Ｆ断面図の他の例である。It is another example of FF sectional drawing of FIG. 図１７をＡ−Ａ方向から見た図である。It is the figure which looked at FIG. 17 from the AA direction.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、３・・・封着部、４・・・スペーサ、５・・・端子、６・・・裏カバー、７・・・裏カバー封着部、８・・・排気管、１０・・・通孔、１１・・・走査線、１２・・・データ信号線、１３・・・電子放出源、１４・・・絶縁膜、２１・・・蛍光体、２２・・・ブラックマトリクス、２３・・・メタルバック（陽極電極）、２４・・・アノード端子、３１・・・封止枠、３２、３３・・・フリットガラス、５０・・・コンタクトスプリング、６０・・・高電圧導入端子、７０・・・高電圧導入室、８０・・・排気室、８１・・・排気管、９０・・・ゲッター室、１０１・・・コンテナ、１０２・・・ゲッターサポート、１１０・・・Ｂａゲッター、１２０・・・Ｚｒゲッター。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode substrate, 2 ... Anode substrate, 3 ... Sealing part, 4 ... Spacer, 5 ... Terminal, 6 ... Back cover, 7 ... Back cover sealing part , 8 ... exhaust pipe, 10 ... through hole, 11 ... scanning line, 12 ... data signal line, 13 ... electron emission source, 14 ... insulating film, 21 ... fluorescence Body, 22 ... black matrix, 23 ... metal back (anode electrode), 24 ... anode terminal, 31 ... sealing frame, 32, 33 ... frit glass, 50 ... contact spring 60 ... high voltage introduction terminal, 70 ... high voltage introduction chamber, 80 ... exhaust chamber, 81 ... exhaust pipe, 90 ... getter chamber, 101 ... container, 102 ... Getter support, 110 ... Ba getter, 120 ... Zr getter.

Claims (11)

電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーが第１のフリットガラスによってとりつけられ、前記裏カバーの平面状の底面には陽極電圧を供給するための高電圧導入端子が第２のフリットガラスによって封着され、前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。 A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron emission source, and a vacuum inside A display device held by
A cup-shaped back cover made of glass is attached to the cathode substrate by a first frit glass, and a high voltage introduction terminal for supplying an anode voltage is provided on the flat bottom surface of the back cover. A display device characterized in that it is sealed with frit glass and the cup-shaped back cover is formed by pressing. 前記第２のフリットガラスは非晶質のフリットガラスであり、前記第２のフリットガラスの接着温度は前記第１のフリットガラスの接着温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。   The display according to claim 1, wherein the second frit glass is an amorphous frit glass, and an adhesion temperature of the second frit glass is higher than an adhesion temperature of the first frit glass. apparatus. 前記高電圧導入端子にはコンタクトスプリングがとりつけられ、前記コンタクトスプリングはアノード基板に形成されたアノード端子と接触することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a contact spring is attached to the high voltage introduction terminal, and the contact spring is in contact with an anode terminal formed on an anode substrate. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによってとりつけられ、前記裏カバーの平面状の底面には陽極電圧を供給するための高電圧導入端子が前記裏カバーに溶着され、前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。 A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron emission source, and a vacuum inside A display device held by
A cup-shaped back cover made of glass is attached to the cathode substrate with frit glass, and a high voltage introduction terminal for supplying an anode voltage is welded to the back cover on the flat bottom surface of the back cover. The display device, wherein the cup-shaped back cover is formed by pressing. 前記高電圧導入端子はＦｅ−Ｎｉ合金で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。   The display device according to claim 4, wherein the high voltage introduction terminal is formed of an Fe—Ni alloy. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによって封着され、前記裏カバーの平面状の底面には排気管が溶着され、前記排気管の肉厚は前記裏カバーの肉厚よりも小さく、
前記カップ状の裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。 A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron emission source, and a vacuum inside A display device held by
A cup-shaped back cover made of glass is sealed to the cathode substrate with frit glass, and an exhaust pipe is welded to the flat bottom surface of the back cover. The thickness of the exhaust pipe is the thickness of the back cover. Smaller than the wall thickness,
The display device, wherein the cup-shaped back cover is formed by pressing. 前記裏カバーの内部にはゲッターが設置され、前記ゲッターを支えるゲッターサポートは前記フリットガラスによって前記カソード基板と前記カップ状の裏カバーの封着部に封着され、前記ゲッターは前記カソード基板および前記カップ状裏カバーには接触しないことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。   A getter is installed inside the back cover, and a getter support that supports the getter is sealed to the sealing portion of the cathode substrate and the cup-shaped back cover by the frit glass, and the getter includes the cathode substrate and the getter support. The display device according to claim 6, wherein the display device does not contact the cup-shaped back cover. 前記ゲッターはＢａゲッターであり、前記Ｂａゲッターは前記カップ状裏カバーの底面に向かって飛散するように配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。   The display device according to claim 7, wherein the getter is a Ba getter, and the Ba getter is disposed so as to be scattered toward a bottom surface of the cup-shaped back cover. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板にはガラスで形成されたカップ状の裏カバーがフリットガラスによって封着され、前記カップ状の裏カバー内にはゲッターが設置され、前記ゲッターを支えるゲッターサポートは前記カソード基板と前記裏カバーの封着部において封着され、前記ゲッターサポートは前記ゲッターが前記カソード基板および前記カップ状の裏カバーに接触しないように曲げられており、
前記裏カバーはプレスによって成形されていることを特徴とする表示装置。 A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed in a location corresponding to the electron emission source, and a vacuum inside A display device held by
A cup-shaped back cover made of glass is sealed to the cathode substrate by frit glass, a getter is installed in the cup-shaped back cover, and a getter support for supporting the getter is the cathode substrate and the back surface. Sealed at a sealing portion of the cover, the getter support is bent so that the getter does not contact the cathode substrate and the cup-shaped back cover,
The display device, wherein the back cover is formed by a press. 前記ゲッターはＢａゲッターであり、前記Ｂａゲッターは前記カップ状裏カバーの底面に向かって飛散するように配置されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。 The display device according to claim 9, wherein the getter is a Ba getter, and the Ba getter is disposed so as to be scattered toward a bottom surface of the cup-shaped back cover. 前記カソード基板には孔が形成され、前記孔を囲んで前記カップ状の裏カバーがカソード基板に封着され、前記ゲッターは前記孔と離れた場所に設置されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。   A hole is formed in the cathode substrate, the cup-shaped back cover is sealed to the cathode substrate so as to surround the hole, and the getter is installed at a location away from the hole. 9. The display device according to 9.
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