JP2009059603A - Image display device - Google Patents

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Takaaki Kitada
貴昭 北田
Tokunori Goto
特教 後藤
Shigemi Hirasawa
重實 平澤
Yuichi Kijima
勇一 木島
Akira Hatori
明 羽鳥
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Japan Display Inc
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Hitachi Displays Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve on reliability of vacuum sealing of an inside surrounded by an anode substrate, a cathode substrate, and a sealing frame, in an FED (field emission display). <P>SOLUTION: An envelope of the FED is structured of a cathode substrate 1, an anode substrate 2, and a sealing frame 31. The sealing frame 31 is formed by jointing a bar-like short-side part 311 and a bar-like long-side part 312. When the FED is exhausted into a vacuum, stress of the atmosphere in the sealing frame 31 is greatest at the long-side corner parts. A joint part of the short side and the long side with weak mechanical strength is prevented from getting a large stress by being set at a short-side side. Thereby, reliability of sealing can be enhanced. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子放出源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置における、真空封止の信頼性に関連する。   The present invention relates to the reliability of vacuum sealing in a flat display device in which the inside is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on the rear substrate, and phosphors corresponding to the front substrate are arranged.

2枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子放出源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ(FED)の開発が進んでいる。FEDは電子放出源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のTV用ディスプレイとして期待されている。   Development of a so-called field emission display (FED) in which the inside between two glass substrates is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on one substrate, and phosphors are arranged on the opposite substrate is progressing. Yes. The FED forms an image when electrons from an electron emission source strike a phosphor and emits light. In the future, brightness, contrast, moving image characteristics, etc. can provide excellent performance similar to a cathode ray tube. It is expected as a TV display.

FEDは電子を蛍光体に射突させて発光させるため、FEDの内部は真空に保つ必要がある。FEDはマトリクス状に配置された電子源を有するカソード基板と、蛍光体を有するアノード基板とから構成されている。そして、カソード基板およびアノード基板の周辺に封止枠を配置し、一般にはフリットガラスから成る封着材を用いて封止している。封着後はカソード基板に形成された排気孔を通して排気する。枠の高さによってアノード基板とカソード基板の間隔を決定する。   Since the FED emits light by projecting electrons onto the phosphor, the inside of the FED needs to be kept in a vacuum. The FED is composed of a cathode substrate having an electron source arranged in a matrix and an anode substrate having a phosphor. A sealing frame is disposed around the cathode substrate and the anode substrate, and is generally sealed using a sealing material made of frit glass. After sealing, the air is exhausted through exhaust holes formed in the cathode substrate. The distance between the anode substrate and the cathode substrate is determined by the height of the frame.

したがって、カソード基板とアノード基板を封着するための、封止枠、封着部材を含む封着部の信頼性は非常に重要である。封止枠はガラスあるいはセラミック等の絶縁物で形成され、矩形状の枠である。材料の歩留まりを良くするために枠はガラスの棒状の材料を融着するか、フリットガラス等によってガラス棒を接合して枠状としている。   Therefore, the reliability of the sealing portion including the sealing frame and the sealing member for sealing the cathode substrate and the anode substrate is very important. The sealing frame is formed of an insulating material such as glass or ceramic, and is a rectangular frame. In order to improve the yield of the material, the frame is formed by fusing a glass rod-shaped material or by joining glass rods with frit glass or the like.

棒状の部材を接合する場合は、接合部分においてリークが生じないよう、信頼性が非常に重要である。棒状のガラス材をフリットガラスによって接合する場合に、リークを発生しないような構成の例としては例えば「特許文献1」に記載がある。「特許文献1」には、接合部にフリットガラスの軟化温度の異なる複数種のフリットガラスを使用することによって接合部でのリークに対する信頼性を向上させている。   When joining rod-shaped members, reliability is very important so that leakage does not occur at the joint. An example of a configuration that does not cause leakage when joining rod-shaped glass materials with frit glass is described in, for example, “Patent Document 1”. In “Patent Document 1”, the reliability against leakage at the joint is improved by using a plurality of types of frit glass having different softening temperatures of the frit glass at the joint.

特開2006−053021号公報JP 2006-053021 A

封止枠は棒状のガラスを融着あるいはフリットガラスによって接合するので、接合部の機械的強度は他の部分に比較して小さい。したがって、封止枠に機械的ストレスが加わると、接合部において破壊しやすい。カソード基板とアノード基板を封止枠によって接合し、FEDの内部を真空に引くと、カソード基板、アノード基板には大気による圧力がかかる。カソード基板およびアノード基板の破壊を防止するために、カソード基板とアノード基板の間にはスペーサが配置される。   Since the sealing frame is formed by bonding rod-shaped glass by fusing or frit glass, the mechanical strength of the bonded portion is smaller than that of other portions. Therefore, when mechanical stress is applied to the sealing frame, the joint is easily broken. When the cathode substrate and the anode substrate are joined by a sealing frame and the inside of the FED is evacuated, pressure from the atmosphere is applied to the cathode substrate and the anode substrate. In order to prevent destruction of the cathode substrate and the anode substrate, a spacer is disposed between the cathode substrate and the anode substrate.

一方、封止枠に対しても大気圧が加わる。この圧力は封止枠をFEDの内側に押し込む力である。このようなストレスが加わると、封止枠の前記接合部は機械的な強度が弱いために、この接合部において封止枠が破壊されることがありうる。封止枠が破壊されれば、FEDの内部を真空に維持することができなくなり、FED自体が動作不能となる。   On the other hand, atmospheric pressure is also applied to the sealing frame. This pressure is a force that pushes the sealing frame into the FED. When such stress is applied, since the mechanical strength of the joint portion of the sealing frame is weak, the sealing frame may be broken at the joint portion. If the sealing frame is broken, the inside of the FED cannot be maintained in a vacuum, and the FED itself becomes inoperable.

以上のように、封止枠の機械的強度はFEDの信頼性にとって非常に重要である。しかしながら、従来は、大気圧による影響はアノード基板、あるいはカソード基板のそりに対する影響のみが考慮されて、封止枠に対する大気圧の影響に対しては考慮されておらず、FEDの信頼性は十分に保たれていなかった。本発明はFEDにおいて、アノード基板とカソード基板の封止枠を含む封着部の信頼性を向上することである。   As described above, the mechanical strength of the sealing frame is very important for the reliability of the FED. However, conventionally, only the influence on the warpage of the anode substrate or the cathode substrate is considered as the influence due to the atmospheric pressure, and the influence of the atmospheric pressure on the sealing frame is not considered, and the reliability of the FED is sufficient. It was not kept in. The present invention is to improve the reliability of a sealing portion including a sealing frame of an anode substrate and a cathode substrate in an FED.

本発明はアノード基板とカソード基板を接合する封止枠を長辺と短辺を形成する棒状のガラス等を接合することによって略々矩形状とし、前記接合部分を前記短辺側とする。また、略々矩形状の封止枠はコーナー部において曲率形状(以下Rと称する)を有し、内側のコーナーRは曲率半径を1mm以上とし、外側のコーナーRは曲率半径を5mm以上とする。これによって、封止枠コーナー部のストレスを緩和することが出来る。具体的な構成は下記のとおりである。   In the present invention, the sealing frame for joining the anode substrate and the cathode substrate is formed into a substantially rectangular shape by joining rod-like glass or the like having long and short sides, and the joining portion is set to the short side. The substantially rectangular sealing frame has a curvature shape (hereinafter referred to as R) at the corner portion, the inner corner R has a curvature radius of 1 mm or more, and the outer corner R has a curvature radius of 5 mm or more. . Thereby, the stress at the corner of the sealing frame can be alleviated. The specific configuration is as follows.

(1)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成しており、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
(2)前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーはコーナーRを有しており、前記短辺と前記長辺の接合部は前記コーナーR部の前記短辺側に形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記長辺と接合する前の前記短辺の端部はコーナーRを形成する曲面部を有しないことを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記封止枠はガラスで形成されており、前記長辺と前記短辺との接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記封止枠はガラスで形成されており、前記長辺と前記短辺との接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(1) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside of the display device is held in a vacuum. The sealing frame is a rectangular frame formed by joining a long side and a short side. And a junction between the long side and the short side is formed on the short side.
(2) The corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a corner R, and the joint part of the short side and the long side of the corner R part The display device according to (1), wherein the display device is formed on the short side.
(3) The display device according to (1), wherein an end portion of the short side before joining with the long side does not have a curved surface portion forming a corner R.
(4) The display according to (1), wherein the sealing frame is formed of glass, and a joint portion between the long side and the short side is joined by fusing glass. apparatus.
(5) The display device according to (1), wherein the sealing frame is made of glass, and a joint portion between the long side and the short side is joined by frit glass.

(6)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されており、前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは内側で曲率R1を有し、前記R1は曲率半径が1mmよりも大きいことを特徴とする表示装置。
(7)前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは外側で曲率R2を有し、前記R2は曲率半径が5mmよりも大きいことを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(8)前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは外側で曲率R2を有し、前記R2は曲率半径が10mmよりも大きいことを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(9)前記カソード基板はコーナー部付近に貫通孔を有し、前記貫通孔と前記封止枠のコーナー部の内側とは1mm以上の間隔があいていることを特徴とする(6)に記載の表示装置。
(6) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside of the display device is held in a vacuum. The sealing frame is a rectangular frame formed by joining a long side and a short side. The joint part of the long side and the short side is formed on the short side, and the corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined is inside. A display device having a curvature R1, wherein R1 has a radius of curvature larger than 1 mm.
(7) The corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a curvature R2 on the outside, and the radius of curvature of R2 is larger than 5 mm. The display device according to 6).
(8) The corner of the sealing frame after joining the short side and the long side of the sealing frame has a curvature R2 on the outside, and the radius of curvature of R2 is larger than 10 mm. The display device according to 6).
(9) The cathode substrate has a through hole in the vicinity of a corner portion, and the through hole and the inside of the corner portion of the sealing frame are spaced by 1 mm or more. Display device.

(10)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも大きく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
(11)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする(10)に記載の表示装置。
(12)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする(10)に記載の表示装置。
(10) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside of the display device is held in a vacuum. The sealing frame is a rectangular frame formed by joining a long side and a short side. The width of the long side of the sealing frame is larger than the width of the short side, and the junction between the long side and the short side is formed on the short side. apparatus.
(11) The display device according to (10), wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by fusing glass.
(12) The display device according to (10), wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by frit glass.

(13)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも小さく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
(14)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする(13)に記載の表示装置。
(15)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする(13)に記載の表示装置。
(13) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside of the display device is held in a vacuum. The sealing frame is a rectangular frame formed by joining a long side and a short side. The width of the long side of the sealing frame is smaller than the width of the short side, and the junction between the long side and the short side is formed on the short side. apparatus.
(14) The display device according to (13), wherein the sealing frame is formed of glass, and the bonding portion is bonded by fusing glass.
(15) The display device according to (13), wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by frit glass.

(16)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも大きく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記長辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
(17)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする(16)に記載の表示装置。
(18)前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする(16)に記載の表示装置。
(16) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside of the display device is held in a vacuum. The sealing frame is a rectangular frame formed by joining a long side and a short side. The width of the long side of the sealing frame is larger than the width of the short side, and the junction between the long side and the short side is formed on the long side. apparatus.
(17) The display device according to (16), wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by fusing glass.
(18) The display device according to (16), wherein the sealing frame is made of glass, and the joint is joined by frit glass.

本発明によれば、封止枠を棒状のガラス等を接合して矩形の封止枠とするので、材料歩留まりを上げることが出来る。接合部を短辺側とすることによって、ストレスが最も大きくなる長辺側のコーナー部でのストレスを避けることが出来る。これによって封止の信頼性が高まり、ひいてはFEDの信頼性を向上することが出来る。   According to the present invention, since the sealing frame is joined to a rod-shaped glass or the like to form a rectangular sealing frame, the material yield can be increased. By setting the joint portion to the short side, stress at the corner portion on the long side where the stress is greatest can be avoided. As a result, the reliability of sealing is increased, and as a result, the reliability of the FED can be improved.

また、本発明によれば、接合した後の封止枠のコーナー部にコーナーRを設け、内側のコーナーRの曲率半径を1mm以上とすることによってコーナー部でのストレスを緩和することが出来、封止の信頼性を向上することが出来る。また、カソード基板に貫通孔が形成されている場合は、貫通孔と封止枠との距離を1mm以上とすることによって、貫通孔と封止枠の干渉によるストレスを緩和することが出来る。   Further, according to the present invention, the corner R of the sealing frame after joining can be provided with a corner R, and the stress at the corner can be reduced by setting the radius of curvature of the inner corner R to 1 mm or more. The reliability of sealing can be improved. Further, when the through hole is formed in the cathode substrate, the stress due to the interference between the through hole and the sealing frame can be reduced by setting the distance between the through hole and the sealing frame to 1 mm or more.

以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。   The best mode of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings of the embodiments.

図1は本発明の第1の実施例を示す平面図である。図1において、カソード基板1の上には封着部3を介してアノード基板2が設置されている。カソード基板上には横方向には走査線が、縦方向にはデータ信号が延在している。走査線、データ信号線には端子5を介して外部から信号が供給される。走査線と信号線の交差部付近には電子放出源が配置されている。したがって、多数の電子放出源がマトリクス状に配列されている。電子放出源としては、いわゆるMIM方式、SED方式、Spindt方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子放出源も本発明に適用可能である。   FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, an anode substrate 2 is installed on a cathode substrate 1 via a sealing portion 3. On the cathode substrate, scanning lines extend in the horizontal direction and data signals extend in the vertical direction. A signal is supplied to the scanning line and the data signal line from the outside via the terminal 5. An electron emission source is disposed near the intersection of the scanning line and the signal line. Therefore, a large number of electron emission sources are arranged in a matrix. Various electron emission sources such as the so-called MIM method, SED method, and Spindt method have been developed. Any electron emission source can be applied to the present invention.

カソード基板1とアノード基板2と周辺を囲む封着部3の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板2、カソード基板1が撓み、カソード基板1とアノード基板2の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板1あるいはアノード基板2が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板1とアノード基板2との間にスペーサ4が設置される。このスペーサ4はセラミックまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。   The inside of the sealing part 3 surrounding the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 and the periphery is kept in a vacuum. Therefore, the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are bent by the atmospheric pressure, and the interval between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 cannot be secured. Alternatively, the cathode substrate 1 or the anode substrate 2 is destroyed. In order to avoid this, a spacer 4 is provided between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2. The spacer 4 is made of ceramic or glass and is generally installed on the scanning line so as not to hinder image formation.

アノード基板上には電子ビームの射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子放出源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス(BM)が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクスを覆ってAlによるメタルバクが形成されている。メタルバックには高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビームを加速して蛍光体21に射突させる。   On the anode substrate, red, green, and blue phosphors that emit light by the impact of an electron beam are formed corresponding to the electron emission source. A black matrix (BM) is formed around the phosphor to improve image contrast. A metal backing made of Al is formed covering the black matrix. A high voltage is applied to the metal back, and the electron beam emitted from the cathode is accelerated and projected onto the phosphor 21.

電子ビームによって蛍光体から光を発生させるためには電子ビームはある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板2のメタルバックには8KVから10KVの高電圧が印加される。本実施例では外部からの高電圧導入端子60はカソード基板側に設けられ、コンタクトスプリング50を介してアノード基板2に高電圧が供給される。図1おいて、コンタクトスプリング50とアノード基板2が接触するアノード端子24が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図1における表示装置のコーナー部に排気のための排気孔81が形成されている。   In order to generate light from the phosphor by the electron beam, the electron beam must have a certain amount of energy, so that a high voltage of 8 KV to 10 KV is applied to the metal back of the anode substrate 2. In this embodiment, the external high voltage introduction terminal 60 is provided on the cathode substrate side, and a high voltage is supplied to the anode substrate 2 via the contact spring 50. In FIG. 1, an anode terminal 24 where the contact spring 50 and the anode substrate 2 are in contact is formed at a corner portion of the display device. Since the inside of the display device must be kept in a vacuum, exhaust holes 81 for exhaust are formed at the corners of the display device in FIG.

図2は図1をC方向から見た側面図である。図2において、カソード基板1とアノード基板2は封着部3を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板1のほうが端子5等が設置される分大きく形成されている。カソード基板1の下には、排気管8および高電圧導入端子60を取り付けるための排気基板6が取り付けられている。排気基板6は排気基板封着部7を介してカソード基板1に取り付けられている。図2では排気基板6には表示装置の内部を真空にするための排気管8がチップオフされた状態で描かれている。排気基板6の排気管8の近くに高電圧導入端子60が取り付けられている。   FIG. 2 is a side view of FIG. 1 viewed from the C direction. In FIG. 2, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 face each other with a predetermined distance through the sealing portion 3. The cathode substrate 1 is formed larger as the terminals 5 and the like are installed. Under the cathode substrate 1, an exhaust substrate 6 for attaching the exhaust pipe 8 and the high voltage introduction terminal 60 is attached. The exhaust substrate 6 is attached to the cathode substrate 1 via an exhaust substrate sealing portion 7. In FIG. 2, an exhaust pipe 8 for evacuating the inside of the display device is drawn on the exhaust substrate 6 in a state where the chip is turned off. A high voltage introduction terminal 60 is attached near the exhaust pipe 8 of the exhaust substrate 6.

図3は図1のA−A断面図である。図3において、データ信号線12が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線12の上に電子放出源13が形成されている。絶縁膜14を介して走査線11がデータ信号線12と直角方向に形成されている。図3において、走査線11は封着部3の外部に延在している。走査線11の上にはカソード基板1とアノード基板2との距離を保つためのスペーサ4が設置されている。スペーサ4は固着材41によってカソード基板側では走査線上に、アノード基板側ではメタルバック23に固着されている。このスペーサ4には10から1011Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ4の帯電を防止している。 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the data signal line 12 extends in a direction perpendicular to the paper surface. In this embodiment, an electron emission source 13 is formed on the data signal line 12. The scanning line 11 is formed in a direction perpendicular to the data signal line 12 through the insulating film 14. In FIG. 3, the scanning line 11 extends outside the sealing portion 3. A spacer 4 for maintaining the distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is provided on the scanning line 11. The spacer 4 is fixed to the scanning line on the cathode substrate side and to the metal back 23 on the anode substrate side by the fixing material 41. The spacer 4 is given a conductivity of about 10 9 to 10 11 Ω, and the spacer 4 is prevented from being charged by passing a slight current between the cathode and the anode.

アノード基板側では、電子放出源13に対応する場所には、赤、緑、青等の蛍光体21が配置され、この蛍光体21は電子ビームに射突されることによって発光し、画像が形成される。蛍光体21の間はBM22で充填され、画像のコントラストの向上に寄与する。BM22は例えば、クロムおよび酸化クロムの2層構造になっている。酸化クロムがアノード基板2側に形成され、その上にクロムが形成されている。蛍光体21およびBM22を覆ってAlによるメタルバック23が形成されている。メタルバック23には約8KVから10KV程度の高電圧が印加され、電子ビームを加速する。加速された電子ビームはメタルバック23を突き抜けて蛍光体21に射突し、蛍光体21を発光させる。   On the anode substrate side, phosphors 21 such as red, green, and blue are arranged at locations corresponding to the electron emission sources 13, and the phosphors 21 emit light by being projected by an electron beam, thereby forming an image. Is done. The space between the phosphors 21 is filled with BM 22 and contributes to the improvement of the contrast of the image. For example, the BM 22 has a two-layer structure of chromium and chromium oxide. Chromium oxide is formed on the anode substrate 2 side, and chromium is formed thereon. A metal back 23 made of Al is formed so as to cover the phosphor 21 and the BM 22. A high voltage of about 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 23 to accelerate the electron beam. The accelerated electron beam penetrates the metal back 23 and strikes the phosphor 21 to cause the phosphor 21 to emit light.

表示装置の内部を真空に保つために、封止枠31と封着材32によってカソード基板1とアノード基板2がシールされている。カソード基板1の厚さおよびアノード基板2の厚さは3mm程度である。また、カソード基板1とアノード基板2との距離は約2.8mm程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。   In order to keep the inside of the display device in a vacuum, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are sealed by the sealing frame 31 and the sealing material 32. The thickness of the cathode substrate 1 and the thickness of the anode substrate 2 are about 3 mm. The distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is about 2.8 mm, and the inside of the display device has a high electric field.

図4は図1のB‐B断面図である。図4において、カソード基板1には通孔10が形成されており、この通孔10を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板1の通孔10を覆って排気基板6が排気基板用封着部7を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部7はカソード基板1とアノード基板2の封着部3と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体71が封着材32を介してカソード基板1およびアノード基板2と封着されている。本実施例ではアノード基板2とカソード基板1を封着する枠体31とカソード基板1と排気基板6を封着する枠体とは同じ厚さとしているが、必要に応じて枠体の厚さは自由に設定可能である。   4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. In FIG. 4, a through hole 10 is formed in the cathode substrate 1, and the display device is exhausted or a high voltage is supplied through the through hole 10. An exhaust substrate 6 is installed through the exhaust substrate sealing portion 7 so as to cover the through hole 10 of the cathode substrate 1, and the inside of the display device is kept in vacuum. The exhaust substrate sealing portion 7 has the same basic configuration as the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 sealing portion 3. That is, the exhaust substrate frame 71 is sealed to the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 via the sealing material 32. In this embodiment, the frame 31 for sealing the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 and the frame for sealing the cathode substrate 1 and the exhaust substrate 6 have the same thickness, but the thickness of the frame is as required. Can be set freely.

高電圧導入端子60が排気基板6に融着され、外部と気密を保っている。高電圧導入端子60にはFe−Ni合金が用いられる。Fe−Ni合金の成分比は封着材32と熱膨張係数を合わせるように選定される。本実施例ではFe52%、Ni48%である。高電圧導入端子60の外部端子63は外部からアノード基板2に高電圧を与えるための端子であり、外部のソケットと接続する。。   The high voltage introduction terminal 60 is fused to the exhaust substrate 6 and is kept airtight from the outside. An Fe—Ni alloy is used for the high voltage introduction terminal 60. The component ratio of the Fe—Ni alloy is selected so as to match the thermal expansion coefficient with the sealing material 32. In this embodiment, Fe is 52% and Ni is 48%. The external terminal 63 of the high voltage introduction terminal 60 is a terminal for applying a high voltage to the anode substrate 2 from the outside, and is connected to an external socket. .

高電圧導入端子60にはコンタクトスプリング50がスポット溶接によって取り付けられている。コンタクトスプリング50によって高電圧導入端子60に印加された高電圧がアノード基板側に導入される。コンタクトスプリング50は先端のコンタクト部53がスプリング力によって適切な押圧によってアノード基板2に接触する。   A contact spring 50 is attached to the high voltage introduction terminal 60 by spot welding. The high voltage applied to the high voltage introduction terminal 60 by the contact spring 50 is introduced to the anode substrate side. The contact spring 50 comes into contact with the anode substrate 2 by the appropriate pressing of the contact portion 53 at the tip by the spring force.

アノード基板2にはコンタクトスプリング50と接触するためのアノード端子24が形成されている。アノード端子24には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子24付近の構造は次のようになっている。アノード基板上にはクロムと酸化クロムのBM22が形成され、これを覆ってAlによるメタルバック23が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック23の上に、アノード端子24としての導電膜が厚さ10μmから30μmで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ4を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。   An anode terminal 24 for contacting the contact spring 50 is formed on the anode substrate 2. Since a relatively large current flows through the anode terminal 24, reliability is important. In this embodiment, the structure near the anode terminal 24 is as follows. A BM 22 of chromium and chromium oxide is formed on the anode substrate, and a metal back 23 made of Al is formed covering the BM 22. This is the same configuration as the effective surface of the screen. In this embodiment, a conductive film as the anode terminal 24 is formed on the metal back 23 with a thickness of 10 μm to 30 μm. In this embodiment, the conductive film is formed by applying a silver paste by printing and then baking. There is no need to provide a special process for firing the conductive film. For example, it may be performed simultaneously with the firing process for fixing the spacer 4.

銀ペーストは直径1ミクロンから数μmの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ni粒子を分散させたNiペースト、Al粒子を分散させたAlペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ(酸化鉄)を混合することによって調整することができる。   The silver paste is obtained by dispersing silver particles having a diameter of 1 μm to several μm in an organic solvent having a high viscosity. After firing, the silver particles are connected to each other to have conductivity. In some cases, the conductive film should have some resistance. In such a case, the resistance can be adjusted by further mixing a paste for frit glass with a normal silver paste. Note that the material of the conductive film is not limited to silver paste, and Ni paste in which Ni particles are dispersed, Al paste in which Al particles are dispersed, and the like can also be used. A graphite film bonded with a binder can also be used. The graphite in this case is preferably graphite. The resistance of the graphite film can be adjusted, for example, by mixing bengara (iron oxide) with graphite.

導電膜を10μmから30μmと厚く形成することによって、コンタクトスプリング50と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング50と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険が大きいが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング50とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部53に大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。   By forming the conductive film as thick as 10 μm to 30 μm, the contact spring 50 and the conductive film can be stably contacted. That is, in the case of a metal film, the contact spring 50 and the metal film are in point contact, and there is a great risk that current concentrates on this point contact portion and the conductive film is destroyed. The conductive film and the contact spring 50 can have a large contact area as compared with the case of a metal film, become a state close to surface contact, and stabilize the contact. Further, in the case of the conductive film as in the present embodiment, since the resistance is larger than that of metal, it is possible to prevent a large current from flowing through the contact portion 53. Also from this point, the stability of conduction by contact can be improved.

図5はFEDの主な構造物であるアノード基板2、封止枠31、カソード基板1の分解斜視図である。封止枠31は封着部材によってアノード基板2あるいはカソード基板1に封着される。カソード基板1には、コンタクトスプリング50が挿通する通孔10が形成されている。この通孔10はまた、排気孔81としての役割を持つ。   FIG. 5 is an exploded perspective view of the anode substrate 2, the sealing frame 31, and the cathode substrate 1 which are main structures of the FED. The sealing frame 31 is sealed to the anode substrate 2 or the cathode substrate 1 by a sealing member. A through hole 10 through which the contact spring 50 is inserted is formed in the cathode substrate 1. The through hole 10 also serves as the exhaust hole 81.

封止枠31はガラスの棒状部材である封止枠短辺311と封止枠長辺312を融着したものである。融着部は封止枠31の短辺側に形成されている。封止枠31は、アノード基板2あるいはカソード基板1を封着した後は、図5の矢印の方向に大気圧からの圧力を受ける。歪は長辺中央で最も大きい。したがって、封止枠31に対する曲げ応力は長辺コーナー部において最も大きい。   The sealing frame 31 is obtained by fusing a sealing frame short side 311 and a sealing frame long side 312 which are glass rod-shaped members. The fused part is formed on the short side of the sealing frame 31. After sealing the anode substrate 2 or the cathode substrate 1, the sealing frame 31 receives a pressure from the atmospheric pressure in the direction of the arrow in FIG. The distortion is greatest at the center of the long side. Therefore, the bending stress with respect to the sealing frame 31 is greatest at the long side corner portion.

封止枠31は長尺のガラス棒と短尺のガラス棒を溶着したものであるが、この溶着部において機械的強度が弱い。したがって、大気圧によるストレスが最も大きい封止枠31の長辺コーナー部に溶着部を形成するとこの部分で封止枠31が破壊するという危険を生ずる。   The sealing frame 31 is formed by welding a long glass rod and a short glass rod, but the mechanical strength is weak at this welded portion. Therefore, if the welded portion is formed at the long side corner portion of the sealing frame 31 where the stress due to the atmospheric pressure is greatest, there is a risk that the sealing frame 31 is broken at this portion.

この危険を防止するために、本発明では、融着部を封止枠31の短辺コーナー部に形成している。一方、封止枠31のコーナー部から離れるほど材料歩留まりが低下するので、融着部は封止枠31の短辺側のコーナー部が最適である。図5はガラス棒を融着する場合であるが、ガラス棒をフリットガラスによって接合する場合も同様である。   In order to prevent this danger, in the present invention, the fused portion is formed at the short side corner portion of the sealing frame 31. On the other hand, since the material yield decreases as the distance from the corner of the sealing frame 31 decreases, the corner on the short side of the sealing frame 31 is optimal for the fused portion. FIG. 5 shows the case where the glass rod is fused, but the same applies to the case where the glass rod is joined by frit glass.

図6は実施例1の第1の形態である。図6(a)は封止枠31全体の斜視図で、図6(b)は右下コーナー部の拡大図である。図6は封止枠31のコーナー部のRが小さい場合である。コーナーRが小さければ表示領域を大きくすることが出来るという利点がある一方、封止枠31に対する大気圧によるストレスは大きくなる。   FIG. 6 shows a first form of the first embodiment. 6A is a perspective view of the entire sealing frame 31, and FIG. 6B is an enlarged view of the lower right corner. FIG. 6 shows a case where R at the corner portion of the sealing frame 31 is small. If the corner R is small, there is an advantage that the display area can be enlarged. On the other hand, stress due to the atmospheric pressure on the sealing frame 31 is increased.

図6(b)において、封止枠31の長辺側はR2が形成されている他は一本の棒状である。また、封止枠31の短辺側もR1が形成されているほかは一本の棒状である。したがって、図6に示す形態は封止枠31の材料歩留まりという点では非常に優れている。   In FIG. 6B, the long side of the sealing frame 31 is a single bar shape except that R2 is formed. Further, the short side of the sealing frame 31 is also in the form of a single bar except that R1 is formed. Therefore, the form shown in FIG. 6 is very excellent in terms of the material yield of the sealing frame 31.

図7は本実施例における第2の形態である。図7(a)は封止枠31全体の斜視図で、図7(b)は右下コーナー部の拡大図である。図7は封止枠31のコーナーRが大きい場合である。コーナーRが大きい分、表示領域は小さくなるが、封止枠31コーナー分における大気圧によるストレスは小さくなる。   FIG. 7 shows a second mode in this embodiment. FIG. 7A is a perspective view of the entire sealing frame 31, and FIG. 7B is an enlarged view of the lower right corner. FIG. 7 shows a case where the corner R of the sealing frame 31 is large. As the corner R is larger, the display area is smaller, but the stress due to atmospheric pressure at the corner of the sealing frame 31 is smaller.

図7(b)において、短辺と長辺は、コーナーRを曲がりきったところで融着されている。この構造では、短辺は単なるガラス棒であるのに対し、長辺は両端において、コーナーR部を有する棒となっている。この構成は融着部がコーナー部にかかっておらず、短辺上で融着されているために、大気圧に対するストレスには非常に強い。   In FIG. 7B, the short side and the long side are fused at the corner R. In this structure, the short side is a simple glass rod, whereas the long side is a rod having corner R portions at both ends. In this configuration, since the fused portion is not applied to the corner portion and is fused on the short side, it is very resistant to stress against atmospheric pressure.

図8は本実施例における第3の形態である。図8(a)は封止枠31全体の斜視図で、図8(b)は右下コーナー部の拡大図である。図8は封止枠31のコーナーRが大きい場合である。図8(b)において、融着部は封止枠31の外側Rよりも短辺側に形成されているが、コーナーR部分にかかっている。このように、融着部が完全に短辺側でなく、コーナーRにかかっている場合であっても、本発明の効果を得ることが出来る。また、本形態のように、融着部をコーナーR部に形成することによって特に長辺のガラスの材料歩留まりを第2の形態の場合よりも上げることが出来る。   FIG. 8 shows a third mode in this embodiment. FIG. 8A is a perspective view of the entire sealing frame 31, and FIG. 8B is an enlarged view of the lower right corner. FIG. 8 shows a case where the corner R of the sealing frame 31 is large. In FIG. 8B, the fused part is formed on the shorter side than the outer side R of the sealing frame 31, but covers the corner R part. Thus, even when the fused portion is not completely on the short side but on the corner R, the effect of the present invention can be obtained. Further, by forming the fused portion at the corner R portion as in the present embodiment, the material yield of the long side glass can be increased more than that in the second embodiment.

図9は本実施例における第4の形態である。図9(a)は封止枠31全体の斜視図で、図9(b)は右下コーナー部の拡大図である。図9は封止枠31のコーナーRが大きい場合である。図9(b)において、融着部は封止枠31のコーナーR部に形成されているが、図9(a)における対角線Dよりも短辺側に形成されている。このように、融着部を対角線D付近に形成することによって、ガラスの材料歩留まりをさらに改善することが出来る。   FIG. 9 shows a fourth mode in the present embodiment. FIG. 9A is a perspective view of the entire sealing frame 31, and FIG. 9B is an enlarged view of the lower right corner. FIG. 9 shows a case where the corner R of the sealing frame 31 is large. In FIG. 9B, the fusion part is formed at the corner R part of the sealing frame 31, but is formed on the shorter side than the diagonal line D in FIG. 9A. Thus, by forming the fused portion in the vicinity of the diagonal line D, the material yield of the glass can be further improved.

図10は本実施例における第5の形態である。図10(a)は封止枠31全体の斜視図で、図10(b)は右下コーナー部の拡大図である。図10は図6から図9の場合と異なり、棒状のガラスの封止枠31を融着ではなく、フリットガラスによって接合する場合である。図10(b)において、封止枠短辺311と封止枠長辺312はコーナー部付近においてフリットガラスによって接合される。封止枠31の接合に用いられるフリットガラスの融着温度は、封止枠31とアノード基板2あるいは、カソード基板1を封着するためのフリットガラスの融着温度よりも高くしておく必要がある。本実施例の利点は、ガラスを融着する工程が無いために、FEDの製造メーカーにおいて、封止枠31を接合することが可能な点である。したがって、封止枠31の運搬を初めとする取り扱いが容易である。   FIG. 10 shows a fifth embodiment in the present embodiment. FIG. 10A is a perspective view of the entire sealing frame 31, and FIG. 10B is an enlarged view of the lower right corner. FIG. 10 differs from FIGS. 6 to 9 in that the rod-shaped glass sealing frame 31 is joined by frit glass rather than fusion. In FIG. 10B, the sealing frame short side 311 and the sealing frame long side 312 are joined by frit glass in the vicinity of the corner portion. The fusing temperature of the frit glass used for joining the sealing frame 31 needs to be higher than the fusing temperature of the frit glass for sealing the sealing frame 31 and the anode substrate 2 or the cathode substrate 1. is there. The advantage of this embodiment is that the sealing frame 31 can be joined in the FED manufacturer because there is no step of fusing glass. Therefore, handling including the transportation of the sealing frame 31 is easy.

図10において、長辺と短辺の接合部はコーナーRを曲がりきった短辺側である。したがって、短辺部材は単なる棒状のガラスでよい。しかし、本形態のように、フリットガラスによって接合する場合も、接合部は図10に示す場合のみでなく、図7、図8、図9等に示す部分で接合しても同様な効果を得ることが出来る。   In FIG. 10, the joint portion of the long side and the short side is the short side side where the corner R is completely bent. Therefore, the short side member may be a simple bar-shaped glass. However, in the case of joining with frit glass as in the present embodiment, the same effect can be obtained not only in the case shown in FIG. 10 but also in the joint shown in FIGS. 7, 8, 9 and the like. I can do it.

実施例1で説明したように、FEDを真空排気した後は、封止枠31に大気圧によるストレスがかかる。このストレスは封止枠31のコーナー部において最も大きい。すなわち、封止枠31の長辺と短辺は大気圧によって歪を受けるが、この歪による応力はコーナー部において最も大きいからである。   As described in the first embodiment, after the FED is evacuated, the sealing frame 31 is subjected to stress due to atmospheric pressure. This stress is greatest at the corner portion of the sealing frame 31. That is, the long side and the short side of the sealing frame 31 are distorted by the atmospheric pressure, and the stress due to the distortion is the largest in the corner portion.

従来はFEDの表示面積を大きくするために、封止枠31のコーナーRは出来るだけ小さくするような構成がとられていた。しかしながら、このような従来の構成は真空封止の信頼性からは問題を生ずることが発明者の実験によって明らかとなった。図11は封止枠31のコーナー部の斜視図である。図11において、内側コーナーRであるR1が小さいとこの部分からクラックが入りやすい。このクラックを防止するためにはR1は1mm以上とする必要がある。   Conventionally, in order to increase the display area of the FED, the corner R of the sealing frame 31 is configured to be as small as possible. However, it has been clarified by experiments of the inventors that such a conventional configuration causes a problem from the reliability of vacuum sealing. FIG. 11 is a perspective view of the corner portion of the sealing frame 31. In FIG. 11, if R1 which is the inner corner R is small, cracks are likely to enter from this portion. In order to prevent this crack, R1 needs to be 1 mm or more.

図11における外側コーナーRには、大気圧による引っ張り応力が加わる。ガラスは圧縮応力に比較して引っ張り応力には弱いために、内側コーナーRよりもさらに大きなRを形成する必要がある。このため、図11における外側コナーRであるR2は5mm以上とする必要がある。より信頼性を向上させるためには、R2は10mm以上とすることが望ましい。   A tensile stress due to atmospheric pressure is applied to the outer corner R in FIG. Since glass is weaker in tensile stress than compressive stress, it is necessary to form R larger than inner corner R. For this reason, R2 which is the outer corner R in FIG. 11 needs to be 5 mm or more. In order to further improve the reliability, R2 is desirably 10 mm or more.

ところで、実施例1で説明した図4は排気基板6に排気管8と高電圧導入端子60が設置されている。一方、図12に示すように、排気管8と高電圧導入端子60を別に設置する場合がある。図12はこのようなFEDを裏側から見た斜視図である。図12の右上コーナー部に高電圧導入端子60が設置され、左上と左下のコーナー部に排気管8が設置されている。   Incidentally, in FIG. 4 described in the first embodiment, the exhaust pipe 8 and the high voltage introduction terminal 60 are installed on the exhaust substrate 6. On the other hand, as shown in FIG. 12, the exhaust pipe 8 and the high voltage introduction terminal 60 may be installed separately. FIG. 12 is a perspective view of such an FED as seen from the back side. The high voltage introduction terminal 60 is installed in the upper right corner of FIG. 12, and the exhaust pipe 8 is installed in the upper left and lower left corners.

図13は図12に示すFEDの高電圧導入端子部分の断面図である。図13において、各構成部品は図4で説明したと同様である。図4と異なるところは、排気基板6に排気孔81および排気管8が設置されていない事である。排気基板6に排気管8が設置されていない分、カソード基板1に形成された通孔10は封止枠31に近づいている。   13 is a cross-sectional view of the high voltage introduction terminal portion of the FED shown in FIG. In FIG. 13, each component is the same as described in FIG. A difference from FIG. 4 is that the exhaust hole 81 and the exhaust pipe 8 are not provided in the exhaust substrate 6. Since the exhaust pipe 8 is not installed on the exhaust substrate 6, the through hole 10 formed in the cathode substrate 1 approaches the sealing frame 31.

先に説明したように、封止枠31のコーナー部には大気圧によって大きなストレスがかかっている。封止枠31のコーナー部に大きなストレスがかかっているということは、その反作用として封止枠31のコーナー付近におけるアノード基板2あるいはカソード基板1にも大きなストレスがかかっていることになる。したがって、カソード基板1、アノード基板2等の、封止枠31のコーナー付近にキズ等があると、その部分でガラスクラックを生じやすい。   As described above, the corner portion of the sealing frame 31 is heavily stressed by atmospheric pressure. The fact that a large stress is applied to the corner portion of the sealing frame 31 means that a large stress is also applied to the anode substrate 2 or the cathode substrate 1 in the vicinity of the corner of the sealing frame 31 as a reaction. Therefore, if there are scratches or the like near the corners of the sealing frame 31 such as the cathode substrate 1 and the anode substrate 2, glass cracks are likely to occur at those portions.

カソード基板1においては、図13に示すように、封止枠コーナー部に通孔10が形成されている。したがって、この通孔10の位置が問題となる。特に通孔部には微小なガラスクラックが形成されやすいのでストレスによるクラックの危険はさらに大きい。図14は本実施例におけるカソード基板1のコーナー部の拡大図である。図14において、カソード基板1のコーナー部付近には封止枠31が形成されている。封止枠31の内側RであるR1は1mm以上となっている。また、封止枠31の外側RであるR2は5mm以上となっている。通孔10と封止枠31の距離dは1mm以上に設定されている。こでの値を1mm以上に設定することによって、通孔10と封止枠31間の干渉によるカソード基板1のクラック、あるいは、封止枠31のクラックは防止することが出来る。   In the cathode substrate 1, as shown in FIG. 13, through holes 10 are formed at the corners of the sealing frame. Therefore, the position of the through hole 10 becomes a problem. In particular, since a small glass crack is likely to be formed in the through-hole portion, the risk of cracking due to stress is even greater. FIG. 14 is an enlarged view of a corner portion of the cathode substrate 1 in this embodiment. In FIG. 14, a sealing frame 31 is formed near the corner portion of the cathode substrate 1. R1 which is the inner side R of the sealing frame 31 is 1 mm or more. Moreover, R2 which is the outer side R of the sealing frame 31 is 5 mm or more. The distance d between the through hole 10 and the sealing frame 31 is set to 1 mm or more. By setting this value to 1 mm or more, cracks in the cathode substrate 1 or cracks in the sealing frame 31 due to interference between the through holes 10 and the sealing frame 31 can be prevented.

図14は封止枠31の内側のコーナーRであるR1が通孔10の半径よりも大きい場合なので、通孔10と封止枠31の距離dはコーナー部において最も小さくなっている。一方、通孔10の半径が封止枠31のR1よりも大きい場合は通孔10と封止枠31の最短距離dはコーナー部以外の2箇所となる。この場合は、2箇所においてdは1mm以上とする必要がある。通孔10の半径は5mm程度であるので、封止枠31と通孔10の最短距離dはコーナー部以外の2箇所となる場合が多い。   Since FIG. 14 shows a case where R1 which is an inner corner R of the sealing frame 31 is larger than the radius of the through hole 10, the distance d between the through hole 10 and the sealing frame 31 is the smallest at the corner portion. On the other hand, when the radius of the through hole 10 is larger than R1 of the sealing frame 31, the shortest distance d between the through hole 10 and the sealing frame 31 is two places other than the corner portion. In this case, d needs to be 1 mm or more in two places. Since the radius of the through hole 10 is about 5 mm, the shortest distance d between the sealing frame 31 and the through hole 10 is often two places other than the corner portion.

実施例1および実施例2では封止枠31に短辺の幅WSと長辺の幅WLが同一であるという前提で説明をした。この場合は、第1の形態として、図15に示すように、短辺側においてガラスを融着するかフリットガラスによって接合するのが良いことは実施例1で説明したとおりである。なお、図15から図18においては封止枠31のコーナーRは省略されている。   In the first and second embodiments, the description has been given on the premise that the short side width WS and the long side width WL of the sealing frame 31 are the same. In this case, as described in the first embodiment, as a first mode, as shown in FIG. 15, it is preferable that the glass is fused or bonded by frit glass on the short side. 15 to 18, the corner R of the sealing frame 31 is omitted.

一方、封止枠31の幅を短辺側の幅WSと長辺側WLとで変える必要がある場合がある。この場合は、第2の形態として、図16に示すように、長辺側の幅WLを短辺側の幅WSよりも大きくすることによってコーナー部でのストレスを最も小さくすることが出来る。すなわち、枠部材の大気圧による曲がりにくさは幅の3乗に比例するのに対し、歪による応力は幅の2乗に比例するからである。さらに、封止枠31の短辺側で融着あるいは、フリットガラスによって接合することによってさらに信頼性を向上することが出来る。   On the other hand, it may be necessary to change the width of the sealing frame 31 between the short side width WS and the long side WL. In this case, as shown in FIG. 16, the stress at the corner portion can be minimized by making the long side width WL larger than the short side width WS, as shown in FIG. That is, the difficulty of bending the frame member due to the atmospheric pressure is proportional to the third power of the width, whereas the stress due to strain is proportional to the second power of the width. Further, the reliability can be further improved by fusing on the short side of the sealing frame 31 or bonding with frit glass.

一方、表示領域等の要請から、長辺側の幅WLを短辺側の幅WSよりも小さくする必要がある場合がある。この場合は、第3の形態として、図17に示すように、封止枠31を短辺側で溶着するかフリットガラスによって接合する必要がある。   On the other hand, there is a case where the width WL on the long side needs to be smaller than the width WS on the short side due to a request for a display area or the like. In this case, as a third embodiment, as shown in FIG. 17, the sealing frame 31 needs to be welded on the short side or joined by frit glass.

さらに、構造上の要請等から、封止枠31の溶着あるいは接合の場所を長辺側で行わなければならない場合もある。この場合は、第4の形態として、図18に示すように、コーナー部での封止枠31のストレスを緩和するためには、長辺側の幅WLを短辺側の幅WSよりも大きくする。こうすることによって封止枠コーナー部におけるストレスを小さくすることが出来、封止の信頼性を向上することが出来る。   Furthermore, due to structural requirements and the like, the sealing frame 31 may have to be welded or joined on the long side. In this case, as shown in FIG. 18, in order to relieve the stress of the sealing frame 31 at the corner, the long side width WL is set to be larger than the short side width WS as a fourth embodiment. To do. By doing so, stress at the corner of the sealing frame can be reduced, and the reliability of sealing can be improved.

本発明の実施例1を示す平面図である。It is a top view which shows Example 1 of this invention. 図1の側面図である。It is a side view of FIG. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 実施例1のB−B断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line BB of Example 1. FIG. FEDの主要構成部品の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the main components of FED. 実施例1の封止枠のコーナー部の第1の形態である。It is a 1st form of the corner part of the sealing frame of Example 1. FIG. 実施例1の封止枠のコーナー部の第2の形態である。It is a 2nd form of the corner part of the sealing frame of Example 1. FIG. 実施例1の封止枠のコーナー部の第3の形態である。It is a 3rd form of the corner part of the sealing frame of Example 1. FIG. 実施例1の封止枠のコーナー部の第4の形態である。It is a 4th form of the corner part of the sealing frame of Example 1. FIG. 実施例1の封止枠のコーナー部の第5の形態である。It is a 5th form of the corner part of the sealing frame of Example 1. FIG. 実施例2の封止枠のコーナー部の斜視図である。It is a perspective view of the corner part of the sealing frame of Example 2. FIG. 実施例2のFEDの裏面図である。6 is a rear view of the FED of Example 2. FIG. 実施例2のFEDのコーナー部の断面図である。4 is a cross-sectional view of a corner portion of the FED of Example 2. FIG. 実施例2のFEDのコーナー部の斜視図である。It is a perspective view of the corner part of FED of Example 2. FIG. 実施例3の第1の形態である。It is the 1st form of Example 3. FIG. 実施例3の第2の形態である。It is the 2nd form of Example 3. FIG. 実施例3の第3の形態である。It is the 3rd form of Example 3. FIG. 実施例3の第4の形態である。It is the 4th form of Example 3. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・カソード基板、2・・・アノード基板、3・・・封着部、4・・・スペーサ、5・・・端子、6・・・排気基板、7・・・排気基板封着部、8・・・排気管、10・・・通孔、11・・・走査線、12・・・データ信号線、13・・・電子放出源、14・・・絶縁膜、21・・・蛍光体、22・・・ブラックマトリクス、23・・・メタルバック(陽極電極)、24・・・アノード端子、31・・・封止枠、50・・・コンタクトスプリング、51・・・コンタクトスプリングのベース部、52・・・コンタクトスプリングのアーム部、53・・・コンタクトスプリングのコンタクト部、60・・・高電圧導入端子、311・・・封止枠の短辺、312・・・封止枠の長辺。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode substrate, 2 ... Anode substrate, 3 ... Sealing part, 4 ... Spacer, 5 ... Terminal, 6 ... Exhaust board, 7 ... Exhaust board sealing part , 8 ... exhaust pipe, 10 ... through hole, 11 ... scanning line, 12 ... data signal line, 13 ... electron emission source, 14 ... insulating film, 21 ... fluorescence Body, 22 ... black matrix, 23 ... metal back (anode electrode), 24 ... anode terminal, 31 ... sealing frame, 50 ... contact spring, 51 ... contact spring base 52, contact spring arm part, 53 ... contact spring contact part, 60 ... high voltage introduction terminal, 311 ... short side of sealing frame, 312 ... sealing frame The long side.

Claims (18)

電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成しており、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source. And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The said sealing frame forms the rectangular frame by joining a long side and a short side, The junction part of the said long side and the said short side is formed in the said short side side, The display characterized by the above-mentioned. apparatus.
前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーはコーナーRを有しており、前記短辺と前記長辺の接合部は前記コーナーR部の前記短辺側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a corner R, and the joint of the short side and the long side is the short side of the corner R part. The display device according to claim 1, wherein the display device is formed on a side. 前記長辺と接合する前の前記短辺の端部はコーナーRを形成する曲面部を有しないことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein an end portion of the short side before joining with the long side does not have a curved surface portion forming a corner R. 前記封止枠はガラスで形成されており、前記長辺と前記短辺との接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the sealing frame is made of glass, and a joint portion between the long side and the short side is joined by fusing glass. 前記封止枠はガラスで形成されており、前記長辺と前記短辺との接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the sealing frame is made of glass, and a joint between the long side and the short side is joined by frit glass. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されており、
前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは内側で曲率R1を有し、前記R1は曲率半径が1mmよりも大きいことを特徴とする表示装置。
A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame forms a rectangular frame by joining the long side and the short side, the joint part of the long side and the short side is formed on the short side,
The display device according to claim 1, wherein a corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a curvature R1 inside, and the radius of curvature of R1 is larger than 1 mm.
前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは外側で曲率R2を有し、前記R2は曲率半期得が5mmよりも大きいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a curvature R2 on the outside, and the R2 has a curvature half-period gain larger than 5 mm. The display device described in 1. 前記封止枠の短辺と長辺の接合された後の前記封止枠のコーナーは外側で曲率R2を有し、前記R2は曲率半径が10mmよりも大きいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The corner of the sealing frame after the short side and the long side of the sealing frame are joined has a curvature R2 on the outside, and the radius of curvature of R2 is larger than 10 mm. The display device described. 前記カソード基板はコーナー部付近に貫通孔を有し、前記貫通孔と前記封止枠のコーナー部の内側とは1mm以上の間隔があいていることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The display device according to claim 6, wherein the cathode substrate has a through hole in the vicinity of a corner portion, and the through hole and an inner side of the corner portion of the sealing frame have an interval of 1 mm or more. . 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも大きく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source. And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame forms a rectangular frame by joining a long side and a short side, and the width of the long side of the sealing frame is larger than the width of the short side, and the long side and the short side The display device characterized in that the joint is formed on the short side.
前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the sealing frame is formed of glass, and the bonding portion is bonded by fusing glass. 前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by frit glass. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも小さく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記短辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame forms a rectangular frame by joining a long side and a short side, the width of the long side of the sealing frame is smaller than the width of the short side, and the long side and the short side The display device characterized in that the joint is formed on the short side.
前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする請求項13に記載の表示装置。   The display device according to claim 13, wherein the sealing frame is formed of glass, and the bonding portion is bonded by fusing glass. 前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする請求項13に記載の表示装置。   The display device according to claim 13, wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by frit glass. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は長辺と短辺を接合することによって矩形の枠を形成し、前記封止枠の前記長辺の幅は前記短辺の幅よりも大きく、前記長辺と前記短辺の接合部は前記長辺側に形成されていることを特徴とする表示装置。
A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame forms a rectangular frame by joining a long side and a short side, and the width of the long side of the sealing frame is larger than the width of the short side, and the long side and the short side The display device according to claim 1, wherein the joint is formed on the long side.
前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はガラスを融着することによって接合されていることを特徴とする請求項16に記載の表示装置。   The display device according to claim 16, wherein the sealing frame is formed of glass, and the bonding portion is bonded by fusing glass. 前記封止枠はガラスで形成されており、前記接合部はフリットガラスによって接合されていることを特徴とする請求項16に記載の表示装置。   The display device according to claim 16, wherein the sealing frame is made of glass, and the joining portion is joined by frit glass.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012101694A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 パナソニック株式会社 Sealing material, plasma display panel and production method for plasma display panel

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