JP2005085581A - Field emission display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電界放出表示装置、いわゆるフィールド・エミッション・ディスプレイ(FED)に関する。 The present invention relates to a field emission display device, a so-called field emission display (FED).
平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ:FPD)の1つとして電界放出表示装置が知られている。図13及び図14は、従来の電界放出表示装置の模式的な断面構造を示す。この電界放出表示装置1は、蛍光面2を内面に形成したアノード基板3と、電界放出素子4を形成したカソード基板5とを相対向して配置し、周囲部分に気密封止して構成される。
A field emission display device is known as one of flat display devices (flat panel display: FPD). 13 and 14 show a schematic cross-sectional structure of a conventional field emission display device. This field
アノード基板3は、板ガラスまたはガラスパネル上に、電子照射により発光する蛍光体層11と高圧印加の全面電極さらにコントラスト向上の遮光として働くブラックマトリックス層8、並びに表示面への発光効率を高めるためのメタルバック層12が形成される。蛍光体層11及びブラックマトリックス層8は、例えば一方向(紙面と直交する方向)に帯状に形成されて成る。カソード基板5は、板ガラスまたはガラスパネル上に、他方向(紙面に沿う方向)形成されたカソード電極13と、絶縁層15を介してこのカソード電極13と直交する方向(上記一方向)に帯状に形成されたゲート電極14と、さらに両電極13及び14の交叉領域に形成された電子放出部16とが形成され、電界放出素子4が形成される。
The
電子放出部16は、絶縁層15及びゲート電極14の開口17内に臨みカソード電極13上に形成されている。電子放出部の例としては、材料にMo等を用いたスピントがた、カーボンナノチューブを用いたCNT型が知られている。アノード基板3及びカソード基板5を対向させた空間は、電界放出による電子を蛍光面2に照射する必要があり、真空に維持される。従来の筐体構造においては、対向する両基板3及び5の空間内部に支柱構造(支柱部分10)を設けることで大気圧による変形、破壊を防いでいる。
The
電界放出表示装置として低圧駆動型の場合は、アノード基板とカソード基板の間隔が例えば200μm程度と非常に狭い。この駆動型の電界放出表示装置では、シール部とは別に設けた高精度に間隔を確保するスペーサにより、アノード基板とカソード基板間の間隔を維持し、外縁部にフリットガラスを溶接して真空維持筐体を形成している。この場合、アノード基板への電気的な接続は、アノード基板に形成された蛍光体層を覆うメタルバック層と電気的に接続され、且つアノード基板にパターニングされた薄膜導電膜(例えば、クロム膜、カーボン膜)による高圧引き出し電極部を介して行われる。 In the case of a low voltage driving type field emission display device, the distance between the anode substrate and the cathode substrate is very narrow, for example, about 200 μm. In this drive-type field emission display device, the space between the anode substrate and the cathode substrate is maintained by a high-accuracy spacer provided separately from the seal portion, and the vacuum is maintained by welding frit glass to the outer edge portion. A housing is formed. In this case, the electrical connection to the anode substrate is electrically connected to a metal back layer covering the phosphor layer formed on the anode substrate and patterned on the anode substrate (for example, a chromium film, This is done via a high-voltage extraction electrode portion made of a carbon film.
また、高圧駆動型の電界放出表示装置では、真空筐体の排気孔を利用してアノード基板の導電電極に垂直に接続される引き出しセンサ部を導出する構成が行われている(特許文献1、特許文献2参照)。
ところで、上述の真空筐体を有する電界放出表示装置では、次のような問題が生じることがあった。アノード基板にパターニングされた高圧引き出し電極部を有する構造においては、フリットガラスからなるガラスシールウォールが溶融固着される際に、引き出し電極部も加熱され、ガラスシールウォール中への拡散を起こし、引き出し電極部に部分的な遮断を生じたり、導通特性の低下を引き起こす。さらに、ガラスシールウォールが変質し、その封止性能をも低下させてしまうなどの問題を引き起こす。この対策として、電極拡散防止層を付加する構造により導通不良を回避する手法も提案されているが、反面プロセスが煩雑化する。さらには根本的な対策とは云えないといった問題が残る。 By the way, in the field emission display device having the above-described vacuum casing, the following problems may occur. In the structure having the high-voltage extraction electrode portion patterned on the anode substrate, when the glass seal wall made of frit glass is melted and fixed, the extraction electrode portion is also heated, causing diffusion into the glass seal wall, and the extraction electrode This may cause partial blockage in the part and deterioration of the conduction characteristics. Further, the glass seal wall is deteriorated, and the sealing performance is deteriorated. As a countermeasure, a method of avoiding poor conduction by a structure in which an electrode diffusion preventing layer is added has been proposed, but the process becomes complicated. Furthermore, there remains a problem that cannot be said to be a fundamental countermeasure.
一方、排気孔或いはカソード基板に電極取り出し孔を加工して封着する構造においては、アノード基板の導電部と引き出し線との接触圧不安定化による導通性能劣化、またシール/排気プロセスでの工程の煩雑化に伴う大型化への支障となる。 On the other hand, in the structure in which the electrode extraction hole is processed and sealed in the exhaust hole or the cathode substrate, the conduction performance deteriorates due to instability of the contact pressure between the conductive portion of the anode substrate and the lead wire, and the process in the seal / exhaust process It becomes a hindrance to the enlargement accompanying complications.
本発明は、上述の点に鑑み、簡易なプロセスにより高圧印加型の電界放出表示装置の製造を可能にすると共に、根本的に長期真空特性並びに導通特性を維持できる電界放出表示装置を提供することを目的とする。 In view of the above-described points, the present invention provides a field emission display device capable of manufacturing a high voltage application type field emission display device by a simple process and fundamentally maintaining long-term vacuum characteristics and conduction characteristics. With the goal.
本発明の電界放出表示装置は、基板面上に画像表示領域を有する第1の基板と、この第1の基板に対向して配置され、基板面上に電子放出部及び前記電子放出部から放出される電子を制御するための電子制御部が形成された第2の基板とを有し、画像表示領域に高圧を供給するための高圧端子が、第1及び第2の基板間のスペーサに埋め込まれて導出されて成ることを特徴とする。 A field emission display device according to the present invention includes a first substrate having an image display area on a substrate surface, and is disposed to face the first substrate, and emits electrons from the electron emission portion and the electron emission portion on the substrate surface. A high voltage terminal for supplying high voltage to the image display area is embedded in a spacer between the first and second substrates. It is characterized by being derived.
本発明の電界放出表示装置では、高圧端子が第1及び第2の基板間の間隔を規制するスペーサに埋め込まれて導出されるので、高圧端子とガラスフリットと反応することがなく、断線、リーク電流等が発生しない。また、第1及び第2の基板間の間隔が広く設定できる。高圧端子の形成プロセスが簡単化される。高圧印加の安定性が確保できる。 In the field emission display device of the present invention, since the high voltage terminal is led out embedded in a spacer that regulates the distance between the first and second substrates, the high voltage terminal does not react with the glass frit, and disconnection, leakage No current is generated. Further, the distance between the first and second substrates can be set wide. The process of forming the high voltage terminal is simplified. The stability of high voltage application can be secured.
高圧端子としては、スペーサと気密的に接着される表面酸化膜を形成する金属材料で形成することが好ましい。
この場合、スペーサをガラスで形成し、高圧端子をガラスに近い熱膨張係数を有する金属材料で形成することができる。
高圧端子としては、排気処理での熱によってもスペーサとの間の気密を維持する金属材料で形成することが好ましい。
高圧端子としては、動作時の高圧端子に生じるジュール熱によってもスペーサとの間の気密を維持する金属材料で形成することが好ましい。
The high-voltage terminal is preferably formed of a metal material that forms a surface oxide film that is hermetically bonded to the spacer.
In this case, the spacer can be formed of glass, and the high-voltage terminal can be formed of a metal material having a thermal expansion coefficient close to that of glass.
The high-voltage terminal is preferably formed of a metal material that maintains airtightness with the spacer even by heat in the exhaust process.
The high-voltage terminal is preferably formed of a metal material that maintains airtightness with the spacer even by Joule heat generated in the high-voltage terminal during operation.
高圧端子は、金属線または金属箔を芯金として形成することができる。
高圧端子は、芯金として50Ni−Fe、ジュメット線、42Ni−6Cr、47Ni−6Crのうちの少なくとも1種を用いることが好ましい。
The high voltage terminal can be formed using a metal wire or a metal foil as a core metal.
The high-voltage terminal preferably uses at least one of 50Ni—Fe, dumet wire, 42Ni-6Cr, and 47Ni-6Cr as the core metal.
高圧端子には、画像表示装置に接触する弾性接触片を一体に形成することが好ましい。
弾性接触片は、画像表示領域の面との接触傷を防ぐような接触部形状を有し、熱プロセスに耐える耐熱導電材料で形成することできる。
The high-voltage terminal is preferably formed integrally with an elastic contact piece that comes into contact with the image display device.
The elastic contact piece has a contact portion shape that prevents contact scratches with the surface of the image display region, and can be formed of a heat-resistant conductive material that can withstand a thermal process.
高圧端子は、周縁形状のスペーサとプレス成形により一体に形成することができる。高圧端子は、周縁形状のスペーサの一部を構成する部材とプレス成形により一体に形成することができる。 The high voltage terminal can be integrally formed with the peripheral spacer and press molding. The high-voltage terminal can be integrally formed with a member constituting a part of the peripheral spacer by press molding.
本発明に係る電界放出表示装置によれば、高圧端子が画像表示領域を有する第1の基板と、電子放出部及び電子制御部が形成された第2の基板との間に封止されたスペーサに埋め込まれて導出されるので、長期的に高真空を維持し、導通性能を高くすることができる。低圧印加型の電界放出表示装置に比べて第1の基板及び第2の基板間の間隔を広く設定できる高圧印加型の電界放出表示装置に対して、長期真空特性ならびに導通性能を高い信頼性で維持することができる。しかも、簡易な製造プロセスで高圧印加型の電界放出表示装置を製造することができる。高圧印加の安全性確保により、陰極線管で利用されている高圧高輝度蛍光体を利用することができ、電界放出表示装置の発光量を一層増加させることができる。 According to the field emission display device of the present invention, the spacer sealed between the first substrate having the high voltage terminal having the image display region and the second substrate on which the electron emission portion and the electron control portion are formed. Therefore, it is possible to maintain a high vacuum for a long period of time and to improve the conduction performance. Compared with the low voltage application type field emission display device, the high voltage application type field emission display device which can set a wide interval between the first substrate and the second substrate has long-term vacuum characteristics and conduction performance with high reliability. Can be maintained. In addition, a high voltage application type field emission display device can be manufactured by a simple manufacturing process. By ensuring the safety of high voltage application, the high-pressure and high-luminance phosphor used in the cathode ray tube can be used, and the light emission amount of the field emission display device can be further increased.
高圧端子、スペーサと気密的に接着させる表面酸化膜を形成する金属材料で形成することにより、電界放出表示装置において長期的な真空維持と導通性能を確保することができる。
スペーサをガラスで形成し、高圧端子をガラスに近い熱膨張係数を有する金属材料で形成することにより、長期的な真空維持と導通性能を確保することができる。
高圧端子を、排気処理での熱によってもスペーサとの間の気密を維持する金属材料で形成することにより、排気処理時の加熱によりスペーサが破損することなく、真空筐体への気体リークを防止することができる。
高圧端子を、動作時の高圧端子に生じるジュール熱によってもスペーサとの間の気密を維持する金属材料で形成することにより、高圧端子に流れる高電流に基づくジュール熱によりスペーサが破損することがなく、真空筐体への気体リークを防止することができる。
By forming the high-voltage terminal and the metal material that forms a surface oxide film hermetically bonded to the spacer, long-term vacuum maintenance and conduction performance can be ensured in the field emission display device.
By forming the spacer with glass and forming the high-voltage terminal with a metal material having a thermal expansion coefficient close to that of glass, long-term vacuum maintenance and conduction performance can be ensured.
By forming the high-voltage terminal with a metal material that maintains the airtightness between the spacer and the spacer even by heat during exhaust processing, the spacer is not damaged by heating during exhaust processing, preventing gas leakage to the vacuum housing can do.
By forming the high-voltage terminal with a metal material that maintains airtightness between the spacer and the Joule heat generated at the high-voltage terminal during operation, the spacer is not damaged by the Joule heat based on the high current flowing through the high-voltage terminal. The gas leak to the vacuum casing can be prevented.
高圧端子を、金属線または金属箔を芯金として形成することにより、スペーサと一体に形成することができる。
高圧端子を芯金として50Ni−Fe、ジュメット線、42Ni―6Cr、47Ni―6Crのうちの少なくとも1種を用いることにより、電界放出表示装置において長期的に高真空を維持し、導通性能を高くすることができる。
The high-voltage terminal can be formed integrally with the spacer by forming a metal wire or metal foil as a cored bar.
By using at least one of 50Ni-Fe, dumet wire, 42Ni-6Cr, and 47Ni-6Cr with a high-voltage terminal as a core metal, a high vacuum is maintained for a long time in a field emission display device, and conduction performance is improved. be able to.
高圧端子に画像表示領域に接触する弾性接触片を一体に形成することにより、高圧端子と画像表示領域との電気的接続を確保することができる。この弾性接触片を画像表示領域の面との接触傷を防ぐような接触部形状を有し、熱プロセスに耐える耐熱導電材料で形成することにより、高圧端子と画像表示領域との電気的接続を安定にすることができる。 By integrally forming the elastic contact piece in contact with the image display area on the high voltage terminal, it is possible to ensure electrical connection between the high voltage terminal and the image display area. The elastic contact piece has a contact portion shape that prevents contact scratches with the surface of the image display area, and is formed of a heat-resistant conductive material that can withstand a thermal process, thereby electrically connecting the high-voltage terminal and the image display area. Can be stable.
本実施の形態においては、簡易なプロセスにより高圧印加型の電界放出表示装置を製造できるようにすると共に、根本的に長期真空特性並びに導通特性を維持できる真空筐体を構成する。真空筐体は、蛍光面を形成した第1の基板、いわゆるアノード基板と、電子放出部及び電子制御部からなる電子放出冷陰極構造を形成した第2の基板、いわゆるカソード基板とを所定間隔を保持して相対向させ、両周縁部をスペーサ、本例ではガラスコア部を有するシールウォールを介してフリットガラスにて貼り合せて構成する。または、真空筐体は、蛍光面を形成した第1の基板、いわゆるアノード基板と、電子放出部及び電子制御部からなる電子放出冷陰極構造を形成した第2の基板、いわゆるカソード基板とを所要間隔を保持して相対向させ、両周縁部をスペーサ、本例ではガラスコア部を有するシールウォールを介してフリットガラスにて貼り合せると共に、カソード基板の背面側に第3の基板、いわゆる背面基板とカソード基板とを所要間隔を保持して相対向させ、両周縁部をスペーサ、本例ではガラスコア部を有するシールウォールを介してフリットガラスにて貼り合せて構成する。本実施の形態では、特にこの真空筐体において、高圧端子を、アノード基板とカソード基板を封止するスペーサに封入されて芯金によって導出し、アノード電極面に対しては芯金に溶接した弾性接触片すなわちスプリングを介して接触させ、アノード電圧の印加とアノード電流の取り出しを安定化するように構成する。 In this embodiment, a vacuum casing capable of fundamentally maintaining a long-term vacuum characteristic and a conduction characteristic is configured while allowing a high-voltage application type field emission display device to be manufactured by a simple process. The vacuum housing has a predetermined interval between a first substrate having a phosphor screen, a so-called anode substrate, and a second substrate having an electron emission cold cathode structure composed of an electron emission portion and an electron control portion, a so-called cathode substrate. The two peripheral portions are bonded to each other with a spacer, in this example, a frit glass through a seal wall having a glass core portion. Alternatively, the vacuum casing requires a first substrate on which a phosphor screen is formed, a so-called anode substrate, and a second substrate on which an electron emission cold cathode structure including an electron emission unit and an electron control unit is formed, a so-called cathode substrate. The opposite edges of the cathode substrate are bonded to each other with a spacer, in this example, a frit glass through a seal wall having a glass core portion, and a third substrate on the back side of the cathode substrate, a so-called back substrate. The cathode substrate and the cathode substrate are opposed to each other while maintaining a required interval, and both peripheral portions are bonded to each other with a spacer, in this example, a frit glass through a seal wall having a glass core portion. In the present embodiment, particularly in this vacuum casing, the high-voltage terminal is enclosed in a spacer that seals the anode substrate and the cathode substrate and led out by a cored bar, and the anode electrode surface is welded to the cored bar. The contact is made through a contact piece or spring to stabilize the application of the anode voltage and the extraction of the anode current.
アノード電圧/アノード電流取り出し用の高圧端子としては、封着相手のスペーサ、例えばガラススペーサとの熱膨張マッチング、ならびに強固な封着を得るための健全な酸化膜を構成する金属材料にて構成し、且つ真空筐体のシール熱プロセス、ならびに電気伝導時のジュール熱に対して真空を維持できる金属材料にて構成する。金属材料の形態としては、金属線、または金属箔を芯金とする。芯金の材質としては、例えば50Ni−Fe、ジュメット線、42Ni―6Cr、47Ni―6Crとすることができる。アノード電極層と接触するスプリング先端形状は、接触傷ならびに電極膜剥れを防ぐような接触部形状を有し、筐体の熱プロセスによる変形を抑える耐熱導電材料、例えばインコネル材等にて構成する。 The high-voltage terminal for extracting the anode voltage / anode current is made of a metal material that constitutes a healthy oxide film for obtaining thermal expansion matching with a spacer to be sealed, for example, a glass spacer, and strong sealing. And a metal material capable of maintaining a vacuum against the heat sealing process of the vacuum casing and the Joule heat during electrical conduction. As a form of the metal material, a metal wire or a metal foil is used as a core metal. As a material of the cored bar, for example, 50Ni—Fe, dumet wire, 42Ni-6Cr, 47Ni-6Cr can be used. The spring tip shape that contacts the anode electrode layer has a contact portion shape that prevents contact scratches and peeling of the electrode film, and is made of a heat-resistant conductive material that suppresses deformation due to the thermal process of the housing, such as Inconel material. .
本実施の形態では、周縁形状のガラス材に高圧端子となる芯金をプレス成型処理し、スペーサと芯金が一体化したものを用いる。または周縁形状スペーサの一部を構成する形状ガラスに予め高圧端子となる芯金をプレス成型にて封入加工処理ガラスピースを筐体貼り合わせ時に組み込んでも良い。 In the present embodiment, a metal core that is a high-voltage terminal is press-molded into a peripheral glass material, and a spacer and a metal core are integrated. Alternatively, an encapsulated glass piece may be incorporated at the time of bonding of the casing by press-molding a core bar serving as a high-voltage terminal in advance into the shape glass constituting a part of the peripheral spacer.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1、図2及び図3(要部の拡大図)は、本発明に係る電界放出表示装置の一実施の形態を示す。本例は3枚パネル構成の電界放出表示装置に適用した場合である。本実施の形態に係る電界放出表示装置21は、基板表面に画像表示領域である蛍光面22を有する第1の基板、即ちアノード基板23と、基板表面に電子放出部24及び電子放出部24から放出される電子を制御するための電子制御部、いわゆるゲート電極25が形成された第2の基板、即ちカソード基板26と、カソード基板26の電子放出部24を有する面と反対の面に対向して配置された第3の基板、即ち背面基板27とから真空筐体33が形成され、アノード基板とカソード基板間を封止するガラスシールウォール35A内を通して高圧を供給する高圧端子、即ちアノード端子100を導出して構成される。アノード基板23、カソード基板26及び背面基板27は、例えば平面ガラスパネルで形成される。アノード基板23とカソード基板26は、所要の間隔を置いて周縁部でシール(封止)され、内部を真空状態とした閉空間、いわゆる発光作用を行う前面空間31が形成される。カソード基板26と背面基板27は、所要の間隔を置いて周縁部でシール(封止)され、内部を真空状態とした閉空間、いわゆる背面空間32が形成される。
1, FIG. 2 and FIG. 3 (enlarged view of essential parts) show an embodiment of a field emission display device according to the present invention. This example is applied to a field emission display device having a three-panel configuration. The field emission display device 21 according to the present embodiment includes a first substrate having a
これらアノード基板23とカソード基板26と背面基板27とにより、前面空間31及び背面空間32が形成され、且つ前面空間31内に支柱を有しない真空筐体33が構成される。アノード基板23とカソード基板26は、周縁部において所要間隔を保持するように、第1のスペーサ、本例ではガラスコア部を有する周縁形状の第1のガラスシールウォール35Aを挟んでフリットガラス36にて接合され気密シールされる。カソード基板26と背面基板27は、両基板26及び27の周縁間に所要間隔を保持するように、第2のスペーサ、本例ではガラスコア部を有する周縁形状(枠状)の第2のガラスシールウォール35Bを挟んでフリットガラス36にて接合して気密シールされる。
The
アノード基板23の蛍光面22は、カラー蛍光面の場合、赤(R)、緑(G)及び青(B)の各色蛍光体層41[41R、41G、41B]と、各蛍光体層41間にあってコントラスト向上の遮光層として働くブラックマトリックス層43とからなり、この蛍光面22上に電子ビーム照射による蛍光体層41からの発光線を観察者側に効率良く反射させるための反射層としてのメタルバック層42が形成される。このメタルバック層42に外部からアノード電極が印加されるように成される。
各色蛍光体層41R、41G、41Bは、例えば紙面と直交する方向に延びるストライプ状に形成される。ブラックマトリックス層43は、例えばカーボンストライプで形成される。
When the
Each
カソード基板26においては、基板面上に一方向(即ち、紙面に沿う方向)に延びる帯状のカソード電極28が複数平行に配列される。このカソード電極28を含む面上に絶縁層29が形成され、絶縁層29上にカソード電極28と直交するように他方向(即ち、紙面と直交する方向)に延びる帯状のゲート電極25が複数平行うに配列される。さらに、カソード電極28とゲート電極25との交叉領域において、カソード電極28に接続された電子放出部24が形成される。本例ではカソード電極28上に電子放出部24が形成され、上記交叉領域のゲート電極25及び絶縁層29に電子放出用の開口30が形成され、開口30の底面に電子放出部24が臨むように形成される。これらカソード電極28、電子放出部24及びゲート電極25により電界放出素子が構成される。電子放出部24が形成される交叉領域は、アノード基板23側の一画素の蛍光体層41に対応する。
In the
電子放出部24は、図1及び図2では平面型の電界放出素子が例示されているが、他の形式の電界放出素子であっても構わない。例えば、カソード電極28上に導電材料からなる円錐形の電子放出部が形成されていれば、いわゆるスピント型の電界放出素子である。また、導電材料からなる電子放出層もゲート電極25ならびに絶縁層29と共に通じる開口30が形成され、開口30内に露出した電子放出層の端部が電子放出部とされていれば、エッジ型の電界放出素子である。また、ゲート電極25及び絶縁層29に形成された開口30内部のカソード電極28上にカーボンナノチューブのような針状の導電材料を一定の間隔で離間させて電子放出部が形成されている電界放出素子でも構わない。なお、一画素の領域内の電子放出用の開口30は、1つあるいは複数であっても構わない。また、開口30の形状並びに配列に関しても任意であり、スリット状あるいはメッシュ状の開口であっても構わない。
The
カソード基板26には、排気用の1つ以上の貫通孔、本例では有効画面から外れた無効領域の四隅に対応して4つの貫通孔45が形成される。また、背面基板27には、1つ以上の排気口、本例では基板中央に1つの排気口46が形成され、この排気口に排気管(即ち、チップオフ管)47が接続される。排気管47は背面基板27にフリットガラスにて接合される。真空筐体33は、排気管47を通して空間31及び32内が真空排気され、真空排気後に排気管47が封止される。
The
ガラスコア部を有する周縁形状のガラスシールウォール35[35A、35B]は、アノード基板23及びカソード基板26と同一のガラス素材にて形成することが望ましい。周縁形状は、アノード基板23の蛍光面22が形成されている領域、いわゆる有効画面領域を最低限の開口領域とし、アノード基板23及び背面基板27の外形を最大外形とする。周縁形状のガラスシールウォール35の形状は、開口部を有した枠形状でもよく、または短冊状のガラスシールウォール35の組み合わせにより形成しても良い。
The peripheral glass seal wall 35 [35A, 35B] having the glass core part is preferably formed of the same glass material as the
そして、アノード基板23及びカソード基板25間を所要間隔を保持して封止する第1のガラスシールウォール35Aには、この第1のガラスシールウォール35Aに埋め込まれるようにして高圧端子、いわゆるアノード端子100が貫通導出される。このアノード端子100は、アノード導電膜、例えばアノード基板23の有効画面より外れた無効領域にまで延長したブラックマトリックス層43、またはメタルバック層42にアノード電圧を印加し且つアノード電流を取り出すための端子となる。本例では、アノード端子100がメタルバック層42に電気的に接続されるようになされる。図2は、アノード基板23とカソード基板26と高圧端子100の部分の要部を示す。
The first
アノード端子100は、例えば図4に示すように、周縁形状のガラスシールウォール35Aの一部を構成するガラスピース101にプレス成型にて埋め込むように形成することができる。その他、アノード端子100は、図6に示すように、周縁形状のガラスシールウォール35Aにプレス成型にて一体の埋め込むように形成することができる。このアノード端子100の真空筐体33内側の一端には、図5に示すように、アノード導電膜のメタルバック層42との電気的導通を確保するための弾性接触片(いわゆる接触用アノードスプリング)104が一体に溶接される。この弾性接触片104は、例えばリボン状をなしその中央部がアノード端子100となる金属線の一端に溶接されると共に、金属線を中心に左右対称にV字状に延長されて形成される。
For example, as shown in FIG. 4, the
アノード端子100は、金属線または金属箔を芯金として形成される。本例では金属線を芯金としてアノード端子100が形成される。アノード端子100の芯金材料としては、表1に示すような金属材料を用いることができる。好ましくは、50Ni−Fe、ジュメット線、42Ni−6Cr、47Ni―6Cr等のように、封着相手のガラスとの熱膨張特性に近く、且つ強固な封着を得るための健全な表面酸化膜を形成する金属材料にて構成される。
The
アノード端子100における芯金のガラスシールウォール35Aへの封入形態としては、前述したように、ガラスピース101に金属線をプレス成型で封入するか(図4参照)、或いは枠形状のガラスシールウォール35Aに金属線をプレス成型で封入することができ、少なくとも1本以上のアノード端子100をガラスシールウォール35Aに組み込むことが必要である。但し、アノード基板23及びカソード基板26の貼り合わせ時に、その間隔精度をガラスシールウォール35Aの寸法精度にて規定する必要がある場合には、要求精度に対して面平坦性ならびに規定板厚が得られるようにガラスシールウォール35Aのガラス両表面を研磨等による追加工を行う必要がある。
As described above, the metal core is enclosed in the
アノード端子100金属線に溶接される弾性接触片104は、筐体33の貼り合わせの熱プロセス等による熱変形によるスプリング圧の劣化が抑えられるインコネル材のような耐熱性金属材料が好適である。さらに、弾性接触片104のメタルバック層42と接触する先端部は、メタルバック層42の接触面に対する接触傷、ならびにメタルバック層剥れを防ぐ形状、例えば半球面状に成型することが望ましい。図5A,Bは、アノード端子100への弾性接触片104の取り付け形態の例を示す。弾性接触片104は、図5Aに示すように1つ設けてもよく、図5Bに示すように複数設けてもよい。
The
カソード基板26は、アノード基板23及び背面基板27より大きく形成し、少なくともアノード基板23より大きく形成し、3枚の基板23、26及び27をフリットシールした状態でカソード電極28、ゲート電極25が外部に導出されるように構成することができる。
The
真空筐体33は、従来の真空筐体に対してウォール及びスペンサーに相当する支柱構造をなくし、アノード電極とカソード電極間が構造的、物理的につながることがないように構成される。真空筐体33では、支柱構造に相当する真空強度を、アノード基板23及び背面基板27、並びに両基板23、27の貼り合せに使っているカソード基板26を挟む形で形成された周縁形状のガラスギャップで作るガラス筐体にて得ている。さらに、発光に作用する前面空間31の空間距離の維持もこのガラス筐体にて兼ねる。
The
アノード基板23と背面基板27は、前面空間31の真空時に変形が起こらず且つ真空応力に耐え得る板厚で形成される。両基板23及び27は、互いに同じ板厚のガラス基板で形成される。
カソード基板26は、アノード基板23及び背面基板27より薄いガラス基板で形成され、アノード基板23及び背面基板27に対して駆動電極(カソード電極、ゲート電極)の引き出し分だけ大きく形成される。本例では、カソード基板の厚みが1.3mm〜3.0mmの汎用な板ガラスで形成され、3枚の基板23、26、27を貼り合せた状態でアノード基板23及び背面基板27より5mm以上大きく、例えば左右両側に5mm以上延長して、あるいは全周に5mm以上延長するように大きく形成することができる。
The
The
本実施の形態では、アノード基板23及び背面基板27の板ガラスに強化処理を施している。この真空筐体33では、風冷物理強化処理を施しガラス表層に圧縮応力を入れることでガラス強度として未処理ガラスの3倍以上を確保している。なお、強化処理に関しては必要な強度を確保できれば、イオン置換による化学強化法、レーザビームによるレーザ強化法等の手段を用いることもできる。
In the present embodiment, the tempering treatment is applied to the plate glass of the
本実施の形態では、支柱レス構造とするため、従来の支柱構造に相当する強度を各アノード基板23及び背面基板27のガラスの厚みで得る。しかし、このガラスの厚みが厚すぎると、重量増、高コストにつながる商品性を損ねる。一方、ガラスの厚みが薄すぎると大気圧による真空筐体33が変形、破壊するなど製品性能ならびに安全上の問題が生じる。ゆえに、ガラスの厚みは筐体33の大きさに応じて望ましい範囲がある。
In the present embodiment, since a strut-less structure is used, the strength corresponding to the conventional strut structure is obtained by the glass thickness of each
アノード基板23及び背面基板27のガラス厚みの上限は、商品性の観点から決められる。すなわち、同じ画面サイズの通常の陰極線管の重量を越えない厚さに決められる。電界放出表示装置は、平面カソードを用いるため陰極線管より薄く、軽く構成できる。陰極線管の短所の1つに重量が大きい点があるため、電界放出表示装置が少なくとも同じ画面サイズの陰極線管より重い場合、商品性を損ねることになる。このような理由からアノード基板23及び背面基板27のガラス厚みの上限が設定される。
The upper limit of the glass thickness of the
アノード基板23及び背面基板27のガラス厚みの下限は、一般の陰極線管の安全基準を電界放出表示装置に置き換えて、筐体33に許容できる最大真空応力から決められる。図8は、アノード基板23及び背面基板27において、各画面サイズで望ましいガラス板圧範囲Qを計算した結果を示す。図8において、縦軸はガラス板厚(mm)、横軸は筐体の有効画面サイズ(対角線のインチサイズ)を示す。直線aは基板ガラスの最大厚みであり、y=0.51x+6.1の関係式で得られる。直線bは基板ガラスの最小厚みであり、y=0.32x+3.9の関係式で得られる。
基板ガラスの厚みをt1(mm)、筐体33の有効画面サイズをAとすると、基板ガラスの厚みt1は、式1に示す関係にある。
The lower limit of the glass thickness of the
Assuming that the thickness of the substrate glass is t1 (mm) and the effective screen size of the
(式1)
0.32×A+3.9≦t1≦0.51×A+6.1
(Formula 1)
0.32 × A + 3.9 ≦ t1 ≦ 0.51 × A + 6.1
例えば32インチにおいて、陰極線管の重量は48kg程度であり、電界放出表示装置でこの48kg以下にするためには、FEMシミュレーションで計算すると、ガラス板厚は222.5mm以下でなければならない。
一方、表2は板ガラスを用いた真空筐体の実用強度を示す。表1に示すように、各基板23,27にフロート法で作製した板ガラスを用いた場合、筐体33の最大真空応力として3.75kgf/mm2まで許容できる。実際に筐体を作製し、防爆試験を実施した結果、ガラス基板の表面にガラス飛散防止用のフィルム及びガラス基板の周囲にガラス飛散用のテープを貼れば、上記許容応力まで安全上問題ないことを確認できた。例えば32インチにおいて、筐体の最大真空応力を上記許容応力以下にするためには、FEMシミュレーションで計算すると、ガラス板厚は14mm以上となる。
For example, in the case of 32 inches, the weight of the cathode ray tube is about 48 kg, and in order to make this 48 kg or less in the field emission display device, the glass plate thickness must be 222.5 mm or less as calculated by FEM simulation.
On the other hand, Table 2 shows the practical strength of the vacuum casing using plate glass. As shown in Table 1, when plate glass produced by the float method is used for each of the
また、本実施の形態の真空筐体33において、最大真空応力を低減するためには、図9Aに示すように、筐体周囲の角を丸めること、即ちアール形状にすることが望ましい。また、図9Bに示すように、背面基板27側の巨体形状をファンネル形状にすることが望ましい。筐体をこのような形状にすることにより、式1を満たす中でよりガラス板厚を薄くすることができる。
Further, in the
しかし、ガラスの厚みが厚すぎると、重量増、高コストにつながり商品性を損ねる。一方、ガラスの厚みが薄すぎると大気圧による真空筐体33の変形、破壊するなど製品性能ならびに安全上の問題が生じる。本実施の形態では、このアノード基板23及び背面基板27に強化処理を施している。この真空筐体33では、風冷物理強化処理を施しガラス表層に圧縮応力を入れることでガラス強度として未処理ガラスの3倍以上を確保している。なお、強化処理に関して必要な強度を確保できれば、イオン置換による化学強化法等の手段を用いることもできる。
However, if the thickness of the glass is too thick, it leads to an increase in weight and cost, and the merchantability is impaired. On the other hand, if the glass is too thin, problems such as product performance and safety occur, such as deformation and destruction of the
ここで、真空筐体33においては、真空変形と真空応力に耐え得る構造理想形は筐体を球形にすることである。本例の真空筐体は3枚の基板からなり、中央のカソード基板26を挟んで、略対称形にアノード基板23と背面基板27は配置された構成になっている。真空変形を嫌うカソード基板26は大気圧を受けないので、アノード基板23及び背面基板27より薄いガラス基板で構成することができる。一方、アノード基板23及び背面基板27では、図9に示すように、周縁部分を出来るだけ球形に近づけるために、アール形状にし、且つ接合幅Dをその対応する基板、この場合、アノード基板、背面基板の板厚t(背面基板がファンネル形状の場合が背面規範の板厚はt´)以上(D≧t、t´)に設定することができる。この条件設定により、真空筐体33の支柱レス構造をより安定化することができる。接合幅は、応力の分散、基板変形の抑制に効く。
図9Aは、アノード基板23と背面基板26の周縁部分をアールに形成し、ガラスシールウォール35[35A、35B]を介してフリットシールした構造である。図9Bは、アノード基板23の周縁部分をアールに形成し、背面基板の周縁部分をアールとなるように湾曲して形成し、ガラスシールウォール35[35A、35B]を介してフリットシールした構成である。
Here, in the
FIG. 9A shows a structure in which the peripheral portions of the
真空筐体33の背面空間32には、前面空間31及び背面空間32内を高真空に維持するためのゲッター装置51が配置される。ゲッター装置51は、図10に示すように、環状の金属からなるゲッター容器52内にゲッター材53を収容して構成される。このゲッター装置51には、支持部材の一端、例えばワイヤ状の支持スプリング54の一端が接合され、支持スプリング54の他端に排気管47内に挿入されるC型スプリング56が接合されている。C型スプリング56は、筒状体57に縦方向の割り溝58を形成して横断面形状がC型をなすスプリングとして構成される。ゲッター容器51には、支持スプリング54側に背面空間32内に配置したときにカソード基板26と背面基板27に夫々接触する一対の接触片61、62が接合され、これと反対側にもカソード基板26と背面基板27に接触する接触片63、64が接合されている。一方の接触片61、62は支持スプリング54を上下から挟むようなリボン状をなしている。他方の接触片のうち、接触片63はリボン状であり、接触片64はゲッター装置51の配置の安定化を図るために、接触片63を中心に左右に跨ぐように且つ平行に延長するU字型をなしている。
In the
ゲッター装置51の配置に際しては、図11に示すように、C型スプリング56をその径を細めて排気管47内に挿入し、挿入後スプリング力により排気管47内壁に圧着保持させて、このC型スプリング56、支持スプリング54を介してゲッター装置51を背面空間32内に配置するようになされる。ゲッター装置51は、背面空間32内に配置された状態で、接触片61、63及び接触片62、64が夫々カソード基板26と背面基板27に接触して中空支持される。排気管47が封止された後、外部からの高周波加熱によりゲッター材53が蒸発し、カソード基板26の裏面にゲッター蒸着膜53Aが形成される。
When the
次に、上述の電界放出表示装置21の構成要素に対する製造方法を説明する。先ず、ガラスシールウォール35Aの両面にシール部材を形成する。本例ではスラリー状フリットガラスを片面づつ塗布並びに自然乾燥をおこなう。次に、図7に示すように、アノード基板23に対してその周縁部に第1のガラスシールウォール35Aを載置する。ガラスシールウォール35Aは、図示の例では高圧端子100を一体化したガラスピース102と他部を構成するガラス部材102とにより構成される。この上にカソード基板26をアノード基板23に対向した位置に合わせる。このとき背面基板27には、ゲッター装置51がこれと一体のC型スプリング56を排気管47内に挿入して配置される。
Next, a manufacturing method for the components of the field emission display device 21 will be described. First, seal members are formed on both surfaces of the
次に、この位置合わせを行った基板構成を、シール部材が融合して3枚の基板が強固に接着されるように約430℃の焼成電気炉にて本焼成を行う。この場合、フリットガラスの溶融に伴うアノード基板23、カソード基板26及び背面基板27の位置ずれを防ぎ、且つフリットガラスの接着強度をより強固に確保することを目的として、耐熱性材料にて加工したクリックバネにより基板貼り合わせ構造を保持して熱炉へ投入することが望ましい。続いて、シール部材により接着された筐体の排気管47より真空ポンプにより10−6Paオーダーの真空度となるまで排気を行う。
Next, the substrate structure subjected to this alignment is subjected to main baking in a baking electric furnace at about 430 ° C. so that the sealing members are fused and the three substrates are firmly bonded. In this case, the
さらに、基板23、26、27やシール部材の脱ガスを促進させる目的で、全体を例えば350℃の加熱雰囲気中で排気を継続させる。あるいは、排気を継続したままカソード電極、ゲート電極、アノード電極に電圧を印加して、電界放出による電子線照射による脱ガスを実施してもよい。また、この組み合わせの脱ガスプロセスを実施してもよい。脱ガスプロセス後、排気管47を封止して真空筐体33内の背面空間32に配置されたゲッター装置51のゲッター材をフラッシュさせることで、長期的に安定して真空維持を図ることができる電界放出表示装置21を製造することができる。
Further, for the purpose of promoting degassing of the
上述の本実施の形態に係る電界放出表示装置21によれば、アノード端子100がアノード基板23と、カソード基板26との間に封止された第1のガラスシールウォール35Aに埋め込まれて導出されるので、真空筐体33内の高真空を長期的に維持し、且つアノード端子100の導通性能を高くすることができる。アノード端子100として表1に示す例えば50Ni−Fe、ジュメット線、42Ni−6Cr、47Ni−6Cr等のような金属材料を用いることにより、フリットガラスによる封止時の熱プロセスでアノード端子100の表面に酸化膜が形成され、且つガラスに近い熱膨張係数を有するので、封着相手となるガラスシールウォール35Aに対して強固に接着する。従って、排気処理時の熱によってもガラスシールウォール35Aが破損することなく、真空筐体33への気体リークを防止することができる。また、動作時のアノード端子100に流れるアノード電流によるジュール熱によってもガラスシールウォール35Aが破損することがなく、真空筐体33への気体リークを防止することができる。
According to the field emission display device 21 according to the above-described embodiment, the
アノード端子100の一端に弾性接触片104を一体に形成することにより、アノード端子100とアノード基板23のメタルバック層(アノード電極)42tの電気的接続が確実になる。この弾性接触片104の先端を半球状105に形成することにより、これに接触するメタルバック層42に接触傷が付くことを防ぐことができる。また、この弾性接触片104が熱プロセスに耐える耐熱導電材料の例えばインコネル材等で形成することにより、アノード端子100とメタルバック層42との電気的接続を安定にすることができる。
By integrally forming the
低圧印加型の電界放出表示装置に比べてアノード基板23及びカソード基板26間の間隔を広く設定できる高圧印加型の電界放出表示装置に対して、本実施の形態のアノード端子導出形態を取ることにより、長期真空特性ならびに導通性能を高い信頼性で維持することができる。しかも、簡易な製造プロセスで高圧印加型の電界放出表示装置を製造することができる。高圧印加の安全性確保により、陰極線管で利用されている高圧高輝度蛍光体を利用することができ、電界放出表示装置の発光量を一層増加させることができる。
By adopting the anode terminal derivation form of the present embodiment for the high voltage application type field emission display device which can set the gap between the
カソード基板26に対して一方に前面空間(発光空間)31を挟んでアノード基板23を配置し、他方に背面空間32を挟んで背面基板27を配置した構成とするので、カソード基板26には大気圧が直接作用せず、アノード基板23及び背面基板27の板厚の選定で前面空間31を支柱レス構造にすることができる。少なくとも、有効画面領域を支柱レス構造にすることができる。支柱が不要になることによって、支柱による表示画像の乱れ、放電、画像阻害等を起こすことが無くなり、高品質の画像表示装置が得られる。
Since the
支柱を設ける必要がないので、第1のガラスシールウォール35Aによるアノード基板23とカソード基板26間の間隔(いわゆる高さ)の自由度が上がり、間隔を大きく設定することができる。即ち、従来の低圧印加型の電界放出表示装置に比べて、アノード基板とカソード基板間の間隔を広く設定することができる。従って、高圧印加型の電界放出表示装置を提供することができる。
Since it is not necessary to provide support columns, the degree of freedom in the interval (so-called height) between the
因みに、従来の低圧印加型の電界放出表示装置のアノード基板とカソード基板間の間隔は、1.1〜1.2mm程度が限度であるが、本実施の形態ではアノード基板23とカソード基板26間の間隔を従来の間隔以上、例えば4.0mm程度にすることが可能になる。
Incidentally, the distance between the anode substrate and the cathode substrate of the conventional low voltage application type field emission display device is about 1.1 to 1.2 mm, but in the present embodiment, it is between the
本実施の形態では、電圧特性が安定し、15kVを超える高圧印加が可能になる。蛍光体塗布領域に支柱を隠すためのブラックマトリックスも不要となり、蛍光体塗布面積を広く取ることができる。高圧印加が可能になるので、汎用蛍光体を利用することができ、また支柱挿入プロセスが不要になり、製造プロセスの簡素化を図ることができ、この種の大型画像表示装置を低コストで達成することが可能になる。
高圧印加の安定性を確保できるので、陰極線管で用いられている高圧高輝度の汎用蛍光体を利用することができ、且つ放電特性が改善でき、支柱による発光画像の陰の問題も改善され、電界放出表示装置の発光量を一層増加させることができる。
In the present embodiment, the voltage characteristics are stable, and a high voltage exceeding 15 kV can be applied. A black matrix for hiding the support in the phosphor coating area is also unnecessary, and the phosphor coating area can be increased. Since high voltage can be applied, general-purpose phosphors can be used, and the support insertion process is unnecessary, simplifying the manufacturing process, and achieving this type of large image display device at low cost. It becomes possible to do.
Since the stability of high voltage application can be ensured, the high-pressure and high-luminance general-purpose phosphor used in the cathode ray tube can be used, and the discharge characteristics can be improved. The light emission amount of the field emission display device can be further increased.
背面空間32内にゲッター装置51を配置することにより、ゲッターフラッシュさせたときにゲッター材をカソード基板の電子放出部24及びゲート電極25上、あるいはアノード基板23の蛍光面22上に被着させず、カソード基板26の背面に広い領域にのみ被着させることができる。広い領域に被着されたゲッター蒸着膜53Aは、カソード基板26に設けた貫通孔45を通じて前面空間31の残留ガス、発生ガスを十分に吸着することができ、高真空を維持することができる。これによって、電界放出型のカソードの汚染や損傷をなくし、電界放出表示装置の寿命を長期に維持することができる。
By arranging the
ゲッター装置51が背面空間32内に配置されるので、ゲッター材を加熱して蒸発させるための高周波コイル、いわゆる高周波誘導加熱手段は、背面基板27の裏面側に配置すればよく、高周波誘導加熱手段の配置に特別な考慮を必要としない。
Since the
ゲッター装置51の設置に際しては、ゲッター装置51に接続されたC型スプリング56を排気管47内に挿入するだけで簡単に且つ正確な位置に設置することができる。支持手段として、C型スプリング56を用いるので、排気管47内に挿入しても排気工程で支障をきたすことがない。
When the
図12は、本発明に係る電界放出表示装置の他の実施の形態を示す。本例では2枚パネル構造の電界放出表示装置に適用した場合である。
本実施の形態に係る電界放出表示装置71は、前述と同様に蛍光面22及びメタルバック層42を形成したアノード基板32と、前述と同様にカソード電極28、絶縁層29、ゲート電極25及び開口30に臨む電子放出部24を形成したカソード基板26を有し、両基板23及び26が、周縁部においてガラスシールウォール35を介してフリットガラスにて封着されて成る。カソード基板26には排気管47が接合され、排気管47により両基板23及び26間の閉空間が高真空に排気され、アノード基板23及びカソード基板26により真空筐体72が構成される。このガラスシールウォール35には、前述と同様のアノード端子100が埋め込まれるように導出され、アノード端子100に溶接された弾性接触片104がアノード電極となる例えばメタルバック層42に電気的に接触して構成される。アノード基板23、カソード基板26、アノード端子100の構成は、前述の構成と同様であるので、重複説明を省略する。また、ガラスシールウォール35は前述のガラスシールウォール35Aと同様に構成される。なお、図示せざるもゲッター装置は塀空間内に配置される。
FIG. 12 shows another embodiment of the field emission display device according to the present invention. In this example, the present invention is applied to a field emission display device having a two-panel structure.
The field emission display device 71 according to the present embodiment includes an
本実施の形態に係る電界放出表示装置71によれば、アノード端子100がガラスシールウォール35を貫通して導出されるので、真空筐体72内の高真空を長期的に維持し、且つアノード端子100の導通性能を高くすることができる。低圧印加型の電界放出表示装置に比べてアノード基板23及びカソード基板26間の間隔を広く設定できる高圧印加型の電界放出表示装置に対して、本実施の形態のアノード端子導出形態を取ることにより、長期真空特性ならびに導通性能を高い信頼性で維持することができる。しかも、簡易な製造プロセスで高圧印加型の電界放出表示装置を製造することができる。高圧印加の安全性確保により、陰極線管で利用される高圧高輝度蛍光体を利用することができ、電界放出表示装置の発光量を一層増加させることができる。
その他、前述と同様のアノード端子100による効果を奏する。
According to the field emission display device 71 according to the present embodiment, since the
In addition, the same effects as those of the
この電界放出表示装置71においても、アノード基板23及びカソード基板26の貼り合わせ時に、その間隔精度をガラスシールウォール35の寸法精度にて規定する必要がある場合には、要求精度に対して面平坦性並びに規定板厚が得られるようにガラスシールウォール35のガラス両表面を研磨等による追加工を行う必要がある。なお、両基板23及び26間にたとえばタックポストと称している凹部と凸部の組み合わせ部材による間隔維持部材等を導入した場合は、実質的にこの間隔維持部材の精度によるためガラスシールウォール35Aの寸法精度や形状制御の負担を軽減できる。
Also in the field emission display device 71, when the
1、21、71・・電界放出表示装置、2、22・・蛍光面、3、23・・アノード基板、4・・電界放出素子、5、26・・カソード基板、8、43・・ブラックマトリックス層、10・・支柱部分、11・・蛍光体層、12、42・・メタルバック層、13、28・・カソード電極、14、25・・ゲート電極、15、29・・絶縁層、16、24・・電子放出部、17・・開口、27・・背面基板、30・・開口、31・・前面空間、32・・背面空間、33・・真空筐体、35、35A・・ガラスシールウォール、41[41R、41G、41B]・・各色蛍光体層、45・・貫通孔、46・排気口、47・・排気管、100・・アノード端子、51・・ゲッター装置、52・・ゲッター容器、53・・ゲッター材、54・・支持スプリング、56・・C型スプリング、57・・筒状体、63、64・・接触片、101・・ガラスピース、104・・弾性接触片
1, 2, 71 ... Field
Claims (11)
前記画像表示領域に高圧を供給するための高圧端子が、前記第1及び第2の基板間のスペーサに埋め込まれて導出されて成る
ことを特徴とする電界放出表示装置。 A first substrate having an image display area on the substrate surface, an electron disposed to face the first substrate and controlling electrons emitted from the electron emitting portion and the electron emitting portion on the substrate surface A second substrate on which a control unit is formed,
A field emission display device, characterized in that a high voltage terminal for supplying a high voltage to the image display area is embedded and led out in a spacer between the first and second substrates.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed of a metal material that forms a surface oxide film that is hermetically bonded to the spacer.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 2. The field emission display device according to claim 1, wherein the spacer is made of glass, and the high-voltage terminal is made of a metal material having a thermal expansion coefficient close to that of the glass.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed of a metal material that maintains airtightness with the spacer even by heat in exhaust processing.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed of a metal material that maintains airtightness with the spacer by Joule heat generated in the high-voltage terminal during operation.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed by using a metal wire or a metal foil as a core metal.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is made of at least one of 50Ni-Fe, dumet wire, 42Ni-6Cr, and 47Ni-6Cr as a core metal.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein an elastic contact piece that comes into contact with the image display region is integrally provided on the high-voltage terminal.
ことを特徴とする請求項8記載の電界放出表示装置。 The electric field according to claim 8, wherein the elastic contact piece has a contact portion shape that prevents contact scratches with the surface of the image display region, and is formed of a heat-resistant conductive material that can withstand a thermal process. Emission display device.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed integrally with the peripheral spacer by press molding.
ことを特徴とする請求項1記載の電界放出表示装置。 2. The field emission display device according to claim 1, wherein the high-voltage terminal is formed integrally with a member constituting a part of the peripheral spacer by press molding.
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