JP2009124169A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 工程数を低減することが可能な保護素子形成の技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置において、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成し、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する。具体的には、半導体基板主面の所定領域に形成されたフィールド絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記フィールド絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置において、前記フィールド絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成し、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する。
上述した手段によれば、寄生ＭＩＳＦＥＴの形成及び耐圧の低下を防止しつつ、フィールド絶縁膜の直下にｐ型層を形成する必要がなくなるので、工程数の削減が可能となる。
【選択図】 図９

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、例えば外部サージ電圧等による素子の破壊を防止するための保護素子を設けた半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。

絶縁ゲート構造のＭＩＳＦＥＴではゲート・ソース間が、薄い絶縁膜で遮られている。この絶縁膜として厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍのシリコン酸化膜を用いた場合には、その絶縁耐圧は４０Ｖ〜６０Ｖ程度である。そして、外部からのサージ電圧等によって、ゲート・ソース間に耐圧を上回る電圧が加えられると前記絶縁膜が破壊され、ＦＥＴとして機能しなくなる。このような破壊を防止するために保護素子を搭載した半導体装置が多用されている。

このような保護素子として、多結晶シリコンで形成したダイオードを、ｎチャネルパワーＭＩＳＦＥＴのゲート・ソース間に搭載した例について、図１乃至図３を用いて説明する。図１は、多結晶シリコンで形成したダイオードを搭載したパワーＭＩＳＦＥＴのチップ平面レイアウトを示し、図２は、図１中の破線図示部分を拡大して示し、図３は、図１中のａ‐ａ線に沿った縦断面を示している。なお、図２中では、理解を助けるためにソース電極或いはゲートパッドとなる金属配線層を省略してある。

このパワーＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の主面に複数の縦型ＭＩＳＦＥＴセルを集積化し並列接続した構成となっている。各セルのドレイン領域は共通化されて半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極と接続され、ソース領域はソース電極によって並列接続されている。ゲートは相互に接続され、セル領域の外周部にてゲート配線に接続されて、このゲート配線がゲートパッドに接続されている。ゲート・ソース間に形成されるダイオードは、ゲートパッドを囲むように形成されている。これらチップの終端は、ＦＬＲ(Field Limiting Ring)によって囲まれた構成になっている。

ＭＩＳＦＥＴは、例えば単結晶シリコンからなるｎ＋型の半導体基体１に、例えばエピタキシャル成長によってｎ−型層２を形成した半導体基板に形成されている。
これらのＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の外周に沿って角部を円弧状とした矩形環状に設けられたフィールド絶縁膜３によって囲まれたセル領域内に複数のセルを規則的に配置して構成されている。

各セルのゲート４は、半導体基板主面にゲート絶縁膜５を介して設けられ、隣接するゲート４が連続して設けられ、セル領域の外周部でゲート配線６と接続されている。このゲート配線６はゲート４の接続領域となるゲートパッド７と接続される。
各セルは、ｎ＋型の半導体基体１上に形成されたｎ−型層２がドレイン領域となり、ｎ−型層２上に形成されたｐ型層８がチャネルの形成されるベース領域となり、ｐ型層８内に形成されたｎ＋型層９がソースとなる縦型ＦＥＴになっている。ソースとなるｎ＋型層９には、層間絶縁膜１０を介してセル領域に設けられたソース電極１１が接続されている。ソース電極１１は、ｎ＋型層９の他にベース電位を一定にするために、ｐ型層８内に設けたｐ＋型層１２にも電気的に接続されている。

フィールド絶縁膜３の周囲には、矩形環状にソース配線１４が設けられ、このソース配線１４は、ｐ型層１３に接続されている。ソース配線１４は、図１に明らかなように、ソース電極１１と一体に形成されている。

チップの終端となるソース配線１４の周囲には、フローティングのｐ型拡散層からなる矩形環状のリング１６を複数配置したＦＬＲが設けられている。このＦＬＲでは、印加電圧の増加につれて、アバランシェ降伏が起きる前に内側のリング１６から外側のリング１６に空乏層が延びてパンチスルーする構造になっている。図示したリングは２本であるが、その段数を変えることによって必要な耐圧を得ることができる。また、例えば耐圧６０Ｖ程度以下であれば、フローティングのリング１６は設けなくても良い。

そして、フィールド絶縁膜３上に、保護素子となるダイオード１７が設けられており、ダイオード１７の一端はゲートパッド７と電気的に接続され、他端はソース電極１１或いはソース配線１４と電気的に接続されている。

ダイオード１７は、例えば多結晶シリコンを用いて、ｎ＋型層１７ａとｐ型層１７ｂとを交互に配置することで形成されている。図示したものは、双方向に４段のｐｎ接合を形成しているが、その段数を変えることによって、所望の降伏電圧とすることができる。ｐｎ接合１段の降伏電圧を７Ｖとすると４段では２８Ｖで降伏する双方向ダイオードとなる。例えば、ゲート絶縁膜の厚さ１００ｎｍのパワーＭＩＳＦＥＴでは、外部からのサージ電圧等によって、ゲート・ソース間に発生した電圧が約６０Ｖ以上になるとゲート絶縁膜が破壊されてしまう。しかし、このダイオードをゲート・ソース間に搭載した場合、外部からのサージ電圧等によって、ゲート・ソース間に発生した電圧が約２８Ｖに達した時点でダイオードが降伏し、ダイオードがバイパスとなるため、それ以上の電圧はゲート・ソース間に印加されず、ゲート絶縁膜の破壊を防止することが可能になる。

また、フィールド絶縁膜３の下部にはｐ型の半導体層１５が形成され、この半導体層１５は、ソース配線１４と接続したｐ型層１８と接続されている。このフィールド絶縁膜３は、保護ダイオード１７に寄生ＭＩＳＦＥＴが形成されるのを防止するために設けられている。このフィールド絶縁膜３がない場合には、つまり保護ダイオード１７の下地絶縁膜がゲート絶縁膜の厚さ程度に薄い場合には、例えばソースとドレインとが接地された状態で、ゲートに不純物濃度電圧が印加されると、フィールド絶縁膜３に接したｐ型層１７ｂの下面がｎ型反転してチャネルとなり、ｎ＋型層１７ａをソース領域，ドレイン領域とする寄生ＭＩＳＦＥＴが保護ダイオード１７に形成されてしまう。

また、保護ダイオード１７の下地絶縁膜が薄く且つｐ型層１５がない場合には、ソース１１が接地された状態でドレイン２とゲート４とに正の電圧が印加されると、フィールド絶縁膜３に接したｐ型層１７ｂの下面がｎ型反転してチャネルとなり、ｎ＋型層１７ａをソース領域，ドレイン領域とする寄生ＭＩＳＦＥＴが保護ダイオード１７に形成されてしまう。このような寄生動作を防止するためには、保護ダイオード１７の下地としてゲート絶縁膜よりも厚い絶縁膜が必要である。

保護素子として、フィールド絶縁膜上に、例えば、多結晶シリコンで形成したダイオードを搭載したものは特公平５‐６３９１９号公報に開示され、多結晶シリコンで形成したダイオード及び抵抗を搭載したものが特開平１０‐１２５９０７号公報に開示されている。何れの例でも、保護素子の形成されたフィールド絶縁膜下には、半導体基板主面と反対導電型の半導体層が形成されている。

次に、このダイオードの設けられた絶縁膜の下部に形成されているｐ型層１５とパワーＭＩＳＦＥＴの耐圧との関係について、図４と図５とを用いて説明する。図４では、フィールド絶縁膜３下に形成された半導体層１５がＧＮＤに接続された主接合となっており、その外周にＦＬＲが形成されている。主接合とは、パワーＭＩＳＦＥＴのソース電位（ＧＮＤ）に固定されたｐ型の拡散層である。ＦＬＲとは、フロ−ティングのｐ型の拡散層のリング１６を適当な間隔で配置したものである。図４ではパワーＭＩＳＦＥＴにおける半導体層１５の役目を理解しやすくするために単純化して表してある。

先ず、主接合及びＦＬＲの耐圧について説明する。印加電圧の増加によって、先ずＰ０（ＧＮＤの主接合）が空乏化（一点鎖線図示）する。更に印加電圧を大きくするにつれて空乏層はＦＬＲに延びて行き、Ｐ０の接合がアバランシェ降伏する前にリングＰ１へパンチスルーする。そして、更に電圧が上がるに連れてＰ２、Ｐ３に順次パンチスルー（二点鎖線図示）し、最終的には最外周のリングの接合が降伏する。夫々のリングの拡散深さが充分深ければ、等間隔に配置されたｎ本のリングをもつＦＬＲの耐圧ＢＶは、それぞれのリング間のパンチスルー耐圧ＢＶｐｔ及びｎ本目のリングの円筒接合の降伏電圧ＢＶｃｙから、
ＢＶ≒ｎＢＶｐｔ＋ＢＶｃｙ…式（１）
と表すことができる。即ち、この構造の場合、耐圧はＦＬＲのリングの間隔と本数によって決定され、主接合には影響されない。そのため、ＦＬＲ部の耐圧は理論上、式（１）で表す値になっている。

次に、図５に示すようにＧＮＤに接続された主接合が間隔Ｌをおいて複数形成されているものでは、主接合Ｐ０の間隔Ｌが狭ければ、複数の主接合Ｐ０からｎ−型層に伸びる空乏層が互いにつながって一つの空乏層（一点鎖線図示）を形成する。この空乏層は、主接合Ｐ０の間隔Ｌを狭めるほど、つながり易くなり、また、その形状も曲率のない理想的な平面の接合に近づき、耐圧が向上する。逆に、主接合Ｐ０の間隔Ｌを広げれば、夫々の空乏層がつながりにくくなり耐圧は低下する。最終的に、空乏層が全くつながらない状態では、拡散深さに相当する曲率をもった円筒接合の降伏電圧まで耐圧は低下する。

本発明者はｐ型層の間隔Ｌを変化させた時の耐圧について実験を行なったが、その結果を図６に示す。耐圧はｐ型層の間隔Ｌに略逆比例し、ｐ型層の間隔を５μｍ程度まで狭めればＦＬＲの耐圧に近い耐圧が得られ、間隔を広げるに従い耐圧は単調に低下することが確認できる。

ここで改めて図３の従来のダイオードの構造について考えると、ダイオード１７の形成された絶縁膜の下部にｐ型の半導体層１５を設けない場合は、チャネルとなるｐ型層８とソース配線１４の接続されるｐ型層１８との間隔が非常に広くなり、前述した理由から著しく耐圧が低下してしまうことがわかる。

然し乍ら、従来の構造では、このｐ型の半導体層１５形成を、フィールド絶縁膜を形成する以前の工程で行なう必要があり、フィールド絶縁膜形成前にはｐ型不純物導入工程がないので、このｐ型層形成のためだけに、少なくともホトリソグラフィ工程と、不純物注入工程と、活性化のための熱処理工程とが必要であり、工程数を増加させているという問題点があった。

本発明の課題は、前述した問題を解決し、保護素子を形成することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付の図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置において、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成し、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する。

より具体的には、半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置において、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成し、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する。
また、その製造方法において、前記半導体基板主面に、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成する工程と、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する工程とを有する。

上述した手段によれば、寄生ＭＩＳＦＥＴの形成及び耐圧の低下を防止しつつ、絶縁膜の直下にｐ型層を形成する必要がなくなるので、工程数の削減が可能となる。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）本発明によれば、耐圧減少防止及び寄生ＦＥＴ防止のための半導体層をフィールド絶縁膜形成後に形成することができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、他の素子の形成工程を利用して前記半導体層を形成することが可能となるという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（２）により、工程数を低減することができるという効果がある。

従来のパワーＭＩＳＦＥＴを示す平面図である。 図１中の破線図示部分を拡大して示す要部平面図である。 図１中のａ‐ａ線に沿った縦断面図である。 耐圧と空乏層の関係とを説明するための部分縦断面図である。 耐圧と空乏層の関係とを説明するための部分縦断面図である。 半導体層の間隔と耐圧との関係を示すグラフである。 本発明の一実施の形態である半導体装置の等価回路図である。 本実施の形態の半導体装置を示す平面図である。 図８中の破線図示部分を拡大して示す要部平面図である。 図８中のａ‐ａ線に沿った縦断面図である。 図８中のｂ‐ｂ線に沿った縦断面図である。 図８中のｃ‐ｃ線に沿った縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の要部を製造工程毎に示す縦断面図である。 本発明の他の実施の形態である半導体装置の等価回路図である。 本実施の形態の半導体装置を示す平面図である。 図２０中の破線図示部分を拡大して示す要部平面図である。 図２０中のｃ‐ｃ線に沿った縦断面図である。 本発明の他の実施の形態の変形例である半導体装置の等価回路図である。 本実施の形態の半導体装置を示す平面図である。 図２４中の破線図示部分を拡大して示す要部平面図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
図７は本発明の一実施の形態の半導体装置の等価回路図であり、図８はチップ平面レイアウトを示し、図９は、図８中の破線図示部分を拡大して示し、図１０は、図８中のａ‐ａ線に沿った縦断面を示し、図１１は、図８中のｂ‐ｂ線に沿った縦断面を示し、図１２は、図９中のｃ‐ｃ線に沿った縦断面を示している。なお、図９中では、理解を助けるためにソース電極或いはゲートパッドとなる金属配線層を省略してある。
図７に明らかなように、本実施の形態の半導体装置はｎチャネルパワーＭＩＳＦＥＴのゲート・ソース間に保護素子としてダイオードを搭載してある。
本発明で言う半導体基板は、半導体基体１主面に形成されたその基板と同一導電型のエピタキシャル半導体層（ｎ−型層２）を含んでいる。
そしてＭＩＳＦＥＴは、ｎ−型層２に形成される。
これらのＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の外周に沿って角部を円弧状とした矩形環状の領域に設けられたフィールド絶縁膜３によって囲まれたセル領域内に複数のセルを規則的に配置して構成されている。フィールド絶縁膜３は、フィールド絶縁膜３の形成される領域内に間隙をおいて複数に分離されて形成されている。

各セルのゲート４は、半導体基板主面にゲート絶縁膜５を介して設けられ、隣接するゲート４が連続して設けられ、セル領域の外周部でゲート配線６と接続される。このゲート配線６はゲート４の接続領域となるゲートパッド７と接続される。
各セルは、ｎ＋型の半導体基体１上に形成されたｎ−型層２がドレイン領域となり、ｎ−型層２上に形成されたｐ型層８がチャネルの形成されるベース領域となり、ｐ型層８内に形成されたｎ＋型層９がソースとなる縦型ＦＥＴになっている。ソースとなるｎ＋型層９には、層間絶縁膜１０を介してセル領域に設けられたソース電極１１が接続されている。ソース電極１１は、ｎ＋型層９の他にベース電位を一定にするために、ｐ型層８内に設けたｐ＋型層１２にも電気的に接続されている。なお、このソース電極１１の一部がソースパッド１３となる。

フィールド絶縁膜３の周囲には、矩形環状にソース配線１４が設けられ、このソース配線１４はｐ型層１８に接続されている。ソース配線１４は、図８に明らかなように、ソース電極１１と一体に形成されている。
チップの終端となるソース配線１４の周囲には、フローティングのｐ型拡散層からなる矩形環状のリング１６を複数配置したＦＬＲが設けられている。このＦＬＲでは、印加電圧の増加につれて、アバランシェ降伏が起きる前に内側のリング１６から外側のリング１６に空乏層が延びてパンチスルーする構造になっている。図示したリングは２本であるが、前述の如く、その段数を変えることによって必要な耐圧を得ることができる。例えば耐圧６０Ｖ程度以下であれば、フローティングのリング１６は設けなくても良い。

そして本実施の形態では、フィールド絶縁膜３の形成される領域内に間隙をおいて形成された複数のフィールド絶縁膜３上に、夫々保護素子となるダイオード１７が設けられており、夫々ダイオード１７の一端はゲート配線６と、他端はソース配線１４と電気的に接続されている。
ダイオード１７は、例えば多結晶シリコンを用いて、ｎ＋型層１７ａとｐ型層１７ｂとを交互に配置することで形成されている。図示したものは、双方向に４段のｐｎ接合を作っているが、その段数を変えることによって、所望の降伏電圧とすることができる。また、本実施の形態では図８に示すように、ゲート配線６を囲むフィールド絶縁膜３の形成領域に形成される全てのフィールド絶縁膜３の上にダイオード１７を配置したが、勿論必要に応じてその個数を変えて良い。

本実施の形態では、図１２に示したようにフィールド絶縁膜３の前記間隙に位置する半導体基板主面にｐ型の半導体層１８が、セル領域のｐ型層８と略等しい拡散深さで形成され、フィールド絶縁膜の下部はｎ−型層２となっており、ダイオード１７の設けてあるフィールド絶縁膜３の下にｐ型のウエル層１５が設けられていないが、フィールド絶縁膜３の間隙に、ｐ型層１８を、セル領域におけるｐ型層８の間隔と同程度若しくはそれ以下の間隔Ｌで配置してあるので、耐圧を低下させず、また、ダイオード１７に寄生ＭＩＳＦＥＴが形成されることもない。
このｐ型層１８は、その間隔Ｌが狭い程高耐圧化するので、その間隔Ｌを狭く形成するのが望ましいので、ｐ型層１８は横方向拡散によってフィールド絶縁膜３の下部に延在させてある。理想的には、フィールド絶縁膜３の下にてｐ型層１８が横方向拡散で互いに接続されているのが望ましい。

続いて、前述した半導体装置の製造方法を図１３乃至図１８を用いて工程毎に説明する。各図中では、左側にＦＬＲ部、中央にダイオード部、右側にＭＩＳＦＥＴ部を示してある。
先ず、例えばヒ素が導入された単結晶シリコンからなるｎ＋半導体基体１上にエピタキシャル成長によってｎ−型層２を形成する。そして、このｎ−型層２上に例えば熱酸化により酸化珪素膜を全面に形成し、この酸化珪素膜をフォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってフィールド絶縁膜３にパターニングする。この状態を図１３に示す。

次に、例えば熱酸化によりゲート絶縁膜５を形成し、半導体基板主面上の全面にゲート４或いはダイオード１７となる多結晶シリコン膜１７´をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)により堆積させる。ゲート４となる領域にはリンを、ダイオードとなる領域にはボロンを導入する。この状態を図１４に示す。

次に、多結晶シリコン膜１７´をフォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってパターニングしてゲート４及びダイオード１７を形成し、リング１６或いはＭＩＳＦＥＴのチャネルとなるｐ型層８或いはダイオードの両側に隣接した拡散層となるｐ型層１８をイオン注入によって選択的に同時に形成する。この状態を図１５に示す。なお、このイオン注入工程によってダイオードのｐ型層１７ｂを作れば、前述したダイオードとなる領域へのボロンの導入工程を省略することも可能である。

次に、フォトリソグラフィによるマスクを用いたイオン注入により、ＭＩＳＦＥＴのソースとなるｎ＋型層９とダイオードのｎ＋型層１７ａを同時に形成する。この状態を図１６に示す。

次に、フォトリソグラフィによるマスクを用いたイオン注入により、ｐ型層８への接続抵抗を低減するためのｐ＋型層１２を形成する。半導体基板主面上の全面に層間絶縁膜１０として、例えばＰＳＧ（Phosphorus Silicate Glass）膜をＣＶＤにより堆積させ、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜を塗布形成した後、接続領域を露出させる開口を設ける。この状態を図１７に示す。

次に、この開口内を含む半導体基板主面上の全面に例えばシリコンを含有するアルミニウムからなる導電膜（金属膜）を形成し、フォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってパターニングしてゲートパッド７、ソース電極１１及びソース配線１４を形成し、半導体基板主面上全面に保護絶縁膜２０を形成した後にゲートパッド７及びソースパッド１３を露出させる開口を形成する。また、ｎ＋型半導体基体１の裏面に研削処理を施し、この裏面に例えば蒸着によりニッケル、チタン、ニッケル、銀を順次積層したドレイン電極１９を形成して、図１８に示す状態となる。

このように、本発明では、フィールド絶縁膜３形成後にｐ型層１８を形成するため、他の素子の形成工程を利用してｐ型層１８を形成することができるので工程数の削減が可能である。

（実施の形態２）
図１９は本発明の他の実施の形態の半導体装置の等価回路図であり、図２０はチップ平面レイアウトを示し、図２１は、図２０中の破線図示部分を拡大して示し、図２２は、図２１中のｃ‐ｃ線に沿った縦断面を示している。なお、図２１中では、理解を助けるためにソース電極或いはゲートパッドとなる金属配線層を省略してある。

図１９に明らかなように、本実施の形態の半導体装置はｎチャネルパワーＭＩＳＦＥＴのゲート・ゲートパッド間に保護素子として抵抗を搭載してある。
ＭＩＳＦＥＴは、例えば単結晶シリコンからなるｎ＋型の半導体基体１に、例えばエピタキシャル成長によってｎ−型層２を形成した半導体基板に形成される。
これらのＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の外周に沿って角部を円弧状とした矩形環状の領域に設けられたフィールド絶縁膜３によって囲まれたセル領域内に複数のセルを規則的に配置して構成されている。フィールド絶縁膜３は、フィールド絶縁膜３の形成される領域内に間隙をおいて複数に分離されて形成されている。

各セルのゲート４は、半導体基板主面にゲート絶縁膜５を介して設けられ、隣接するゲート４が連続して設けられ、セル領域の外周部でゲート配線６と接続される。
各セルは、ｎ＋型の半導体基体１上に形成されたｎ−型層２がドレイン領域となり、ｎ−型層２上に形成されたｐ型層８がチャネルの形成されるベース領域となり、ｐ型層８内に形成されたｎ＋型層９がソースとなる縦型ＦＥＴになっている。ソースとなるｎ＋型層９には、層間絶縁膜１０を介してセル領域に設けられたソース電極１１が接続されている。ソース電極１１は、ｎ＋型層９の他にベース電位を一定にするために、ｐ型層８内に設けたｐ＋型層１２にも電気的に接続されている。なお、このソース電極１１の一部がソースパッド１３となる。

フィールド絶縁膜３の周囲には、矩形環状にソース配線１４が設けられ、このソース配線１４はｐ型層１８に接続されている。ソース配線１４は、図２０に明らかなように、ソース電極１１と一体に形成されている。

チップの終端となるソース配線１４の周囲には、フローティングのｐ型拡散層からなる矩形環状のリング１６を複数配置したＦＬＲが設けられている。このＦＬＲでは、印加電圧の増加につれて、アバランシェ降伏が起きる前に内側のリング１６から外側のリング１６に空乏層が延びてパンチスルーする構造になっている。図示したリングは２本であるが、前述の如く、その段数を変えることによって必要な耐圧を得ることができる。例えば耐圧６０Ｖ程度以下であれば、フローティングのリング１６は設けなくても良い。

そして本実施の形態では、フィールド絶縁膜３の形成される領域内に間隙をおいて形成された複数のフィールド絶縁膜３上に、保護素子となる抵抗２０が設けられており、抵抗２０の一端はゲート配線６と、他端はゲートパッド７と電気的に接続されている。
抵抗２０は、例えばｐ型の不純物を導入した多結晶シリコンを用い、蛇行させて配置することで形成されている。

本実施の形態では、フィールド絶縁膜３の前記間隙に位置する半導体基板主面にｐ型の半導体層１８が、セル領域のｐ型層８と略等しい拡散深さで形成され、フィールド絶縁膜の下部はｎ−型層２となっており、抵抗２０の設けてあるフィールド絶縁膜３の下にｐ型のウエル層が設けられていないが、フィールド絶縁膜３の間隙に、ｐ型層１８を、セル領域におけるｐ型層８の間隔と同程度若しくはそれ以下の間隔Ｌで配置してあるので、耐圧を低下させない。

このｐ型層１８は、その間隔Ｌが狭い程高耐圧化するので、その間隔Ｌを狭く形成するのが望ましいので、半導体層１８は横方向拡散によってフィールド絶縁膜３の下部に延在させてある。理想的には、フィールド絶縁膜３の下にてｐ型層１８が横方向拡散で互いに接続されているのが望ましい。
また、本実施の形態では抵抗２０を蛇行させて配置したが、直線状に配置しても実施が可能であり、複数の抵抗を形成しこれらを並列或いは直列に接続する構成としてもよい。

続いて、前述した半導体装置の製造方法を工程毎に説明する。本実施の形態の半導体装置の製造方法は抵抗形成工程を除けば略前述した実施の形態の場合と同様である。
先ず、例えばヒ素が導入された単結晶シリコンからなるｎ＋半導体基体１上にエピタキシャル成長によってｎ−型層２を形成する。そして、このｎ−型層２上に例えば熱酸化により酸化珪素膜を全面に形成し、この酸化珪素膜をフォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってフィールド絶縁膜３にパターニングする。

次に、例えば熱酸化によりゲート絶縁膜５を形成し、半導体基板主面上の全面にゲート４或いは抵抗２１となる多結晶シリコン膜をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)により堆積させる。ゲート４となる領域にはリンを、抵抗２１となる
領域にはボロンを導入する。

次に、多結晶シリコン膜１７´をフォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってパターニングしてゲート４及び抵抗２１を形成し、リング１６或いはＭＩＳＦＥＴのチャネルとなるｐ型層８或いは抵抗の両側に隣接した拡散層となるｐ型層１８をイオン注入によって選択的に形成する。なお、このイオン注入工程によって抵抗２１の不純物導入を行なえば、前述した抵抗２１となる領域へのボロンの導入工程を省略することも可能である。

次に、フォトリソグラフィによるマスクを用いたイオン注入により、ＭＩＳＦＥＴのソースとなるｎ＋型層９を形成する。

次に、フォトリソグラフィによるマスクを用いたイオン注入により、ｐ型層８への接続抵抗を低減するためのｐ＋型層１２を形成する。半導体基板主面上の全面に層間絶縁膜１０として、例えばＰＳＧ（Phosphorus Silicate Glass）膜をＣＶＤにより堆積させ、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜を塗布形成した後、接続領域を露出させる開口を設ける。

次に、この開口内を含む半導体基板主面上の全面に例えばシリコンを含有するアルミニウムからなる導電膜（金属膜）を形成し、フォトリソグラフィによるマスクを用いたエッチング除去によってパターニングしてゲートパッド７、ソース電極１１及びソース配線１４を形成し、半導体基板主面上全面に保護絶縁膜１８を形成した後にゲートパッド７及びソースパッド１３を露出させる開口を形成する。また、ｎ＋型半導体基体１の裏面に研削処理を施し、この裏面に例えば蒸着によりニッケル、チタン、ニッケル、銀を順次積層したドレイン電極１９を形成する。

半導体装置の保護素子として、本実施の形態の抵抗と前述した実施の形態のダイオードとを併用することも可能である。図２３はそのような例の半導体装置の等価回路図であり、図２４はチップ平面レイアウトを示し、図２５は、図２３中の破線図示部分を拡大して示している。なお、図２５中では、理解を助けるためにソース電極或いはゲートパッドとなる金属配線層を省略してある。

図２３に明らかなように、本実施の形態の半導体装置はｎチャネルパワーＭＩＳＦＥＴのゲート・ソース間に保護素子としてダイオードを搭載し、ゲート・ゲートパッド間に保護素子として抵抗を搭載してある。

本実施の形態では、フィールド絶縁膜３の形成される領域内に間隙をおいて形成された複数のフィールド絶縁膜３上に、夫々保護素子となるダイオード１７及び保護素子となる抵抗２１が設けられており、夫々ダイオード１７の一端はゲート配線６と、他端はソース配線１４と電気的に接続され、抵抗２１の一端はゲート配線６と、他端はゲートパッド７と電気的に接続されている。

ダイオード１７は、例えば多結晶シリコンを用いて、ｎ＋型層１７ａとｐ型層１７ｂとを交互に配置することで形成されている。図示したものは、双方向に４段のｐｎ接合を作っているが、その段数を変えることによって、所望の降伏電圧とすることができる。また、本実施の形態では図２４に示すように、ゲート配線６を囲むフィールド絶縁膜３の形成領域に形成される全てのフィールド絶縁膜３の上にダイオード１７を配置したが、勿論必要に応じてその個数を変えて良い。
抵抗２１は、例えばｐ型の不純物を導入した多結晶シリコンを用い、蛇行させて配置することで形成されている。

本実施の形態では、フィールド絶縁膜３の前記間隙に位置する半導体基板主面にｐ型の半導体層１８が、セル領域のｐ型層８と略等しい拡散深さで形成され、フィールド絶縁膜の下部はｎ−型層２となっており、ダイオード１７或いは抵抗２１の設けてあるフィールド絶縁膜３の下にｐ型のウエル層が設けられていないが、フィールド絶縁膜３の間隙に、ｐ＋型層１２を、セル領域におけるｐ型層８の間隔と同程度若しくはそれ以下の間隔Ｌで配置してあるので、耐圧を低下させず、また、ダイオード１７に寄生ＭＩＳＦＥＴが形成されることもない。

このｐ型層１８は、その間隔Ｌが狭い程高耐圧化するので、その間隔Ｌを狭く形成するのが望ましいので、ｐ型層１８は横方向拡散によってフィールド絶縁膜３の下部に延在させてある。理想的には、フィールド絶縁膜３の下にてｐ型層１８が横方向拡散で互いに接続されているのが望ましい。
なお、このような半導体装置の製造方法については既述のダイオード及び抵抗を備えた半導体装置の製造方法を適用することができる。
このように、本発明では、フィールド絶縁膜３形成後にｐ型層１８を形成するため、他の素子の形成工程を利用してｐ型層１８を形成することができるので工程数の削減が可能である。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
例えば本発明は、パワーＭＩＳＦＥＴを設けた半導体装置以外にも、ＩＧＢＴ（Integrated Gate Bipolar Transistor）等を設けた半導体装置にも適用が可能である。

１…半導体基体、２…ｎ−型層（ドレイン領域）、３…フィールド絶縁膜、４…ゲート、５…ゲート絶縁膜、６…ゲート配線、７…ゲートパッド、８…ｐ型層（チャネル形成領域）、９…ｎ＋型層（ソース領域）、１０…層間絶縁膜、１１…ソース電極、１２…ｐ＋型層、１３…ソースパッド、１４…ソース配線、１５…ｐ型層（ウエル層）、１６…リング、１７…ダイオード、１７ａ…ｎ＋型層（ダイオード領域）、１７ｂ…ｐ型層（ダイオード領域）、１８…ｐ型層、１９…ドレイン電極、２０…保護絶縁膜。

Claims (10)

1. 半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置において、
   前記絶縁膜が前記領域内に間隙をおいて形成され、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置において、
   前記絶縁膜が前記領域内に間隙をおいて形成され、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層が形成され、前記間隙の間に位置する絶縁膜上に前記半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
3. 前記絶縁膜上に形成されている半導体素子が、保護素子となるダイオード或いは抵抗の少なくとも何れかであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記絶縁膜の間隙に位置する半導体層の拡散深さと、前記パワーＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域の拡散深さとが等しいことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記絶縁膜の間隙に位置する半導体層が、隣接する絶縁膜下の半導体基板主面に横方向拡散していることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の半導体装置。
6. 半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法において、
   前記半導体基板主面に、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成する工程と、
   前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置の製造方法において、
   前記半導体基板主面に、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成する工程と、
   前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する工程と、
   前記間隙の間に位置する絶縁膜上に前記半導体素子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記絶縁膜上に形成される半導体素子が、保護素子となるダイオード或いは抵抗の少なくとも何れかであることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記絶縁膜の間隙に位置する半導体層と前記パワーＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域とを同一工程にて形成することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記絶縁膜の間隙に位置する半導体層を、横方向の拡散によって隣接する絶縁膜下の半導体基板主面に延在させることを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

Images