JP2009123846A - はんだバンプ形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】収容体の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布を均一化してはんだバンプの品質を均一化することができると共に、収容体の水平度を容易に調整可能とするはんだバンプ形成装置を提供する。
【解決手段】はんだバンプ形成装置１を、表面にパッド電極が設けられた基板１２を収容すると共に、この基板１２上に供給されるはんだ微粒子を含むはんだ組成物１４を同時に収容する容器１０と、この容器１０を加熱してはんだ組成物１４を溶融させはんだ微粒子をパッド電極上に付着させる加熱手段４０とを備えた構成とする。容器１０は、底面部１０Ａと、底面部１０Ａの外周縁に立設された周壁部１０Ｂと、この周壁部１０Ｂの上端に当該周壁部１０Ｂ上端から外方に延出された状態の鍔部１０Ｃとで構成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、はんだバンプ形成装置に係り、より詳しくは、上面にパッド電極が設けられた基板を収容体内に収容すると共に、その収容体内にはんだ組成物を収容して、基板上のパッド電極にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置に関する。

従来、半導体基板等のパッド電極上にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
はんだバンプ形成装置としては、図８，９に示すような構成のはんだバンプ形成装置１００がある。この装置１００では、シリコンウェハ等の基板１１２上に供給されたはんだ微粒子を含むはんだ組成物１１４を加熱して、つまり、リフロー加熱によって、溶融したはんだ微粒子を基板１１２上に設けられたパッド電極上に付着させる構成となっている。

以上のはんだバンプ形成装置１００によるはんだバンプ形成は概略次のように行われる。
まず、例えば皿状の収容体（容器）１１０に載置された基板１１２上に、はんだ微粒子混合材料として、はんだ組成物１１４を均一に供給する。
次いで、はんだ組成物１１４が供給された基板１１２を、はんだバンプ形成専用リフローユニットにより加熱する。そうすると、はんだ微粒子が沈降しながら徐々にパッド電極上に堆積溶融され、選択的にはんだ付けが行われる。
最後に、冷却工程終了後、洗浄工程にて基板１１２を洗浄して、基板１１２にはんだバンプを形成してプロセスが完了する。

はんだバンプ形成に際しては、前述のように、はんだ組成物１１４および基板１１２を収容する容器１１０が用いられている。この容器１１０としては、どのような形状のものでもよいが、一例として、例えば、略皿状の容器１１０を用いることが行われている。

すなわち、略皿状の容器１１０は、底面部１１０Ａとその外周に立設された周壁部１１０Ｂとで形成されている。底面部１１０Ａには、基板浮かし用として、複数個（例えば３個）の突起状ピン１１１が設けられ、これらの突起状ピン１１１の上端に、基板１１２が載置されるようになっている。
また、これらの容器１１０の底面部１１０Ａにおいて突起状ピン１１１の外方には、基板１１２を位置決めする複数個の位置決めピン１１３が設けられている。

容器１１０は、前記リフローユニットにおいて加熱手段１４０により加熱されるようになっている。
すなわち、加熱手段１４０は、図示しないヒータ等の加熱源、この加熱源で加熱された熱を蓄える蓄熱部材１４４、この蓄熱部材１４４の噴出口１４４Ａから噴出された熱風Ｈを循環させる熱風循環ダクト１４５等を備えて構成されている。

ここで、容器１１０の外周に熱風Ｈが回り込めるような構造の場合、容器１１０の底面部１１０Ａを加熱した熱風Ｈが容器１１０の周壁部１１０Ｂから回り込んで容器１１０内に入り込んでしまい、はんだバンプの形成に悪影響を及ぼすことが考えられる。
そのため、前記はんだバンプ形成装置１００では、蓄熱部材１４４の最外側の噴出口１４４Ａを、容器１１０の周壁部１１０Ｂより内側になるように配置し、噴出された熱風Ｈが、底面部１１０Ａを加熱した後、熱風循環ダクト１４５内に戻るように、容器１１０の周壁部１１０Ｂと熱風循環ダクト１４５の開口部１４５Ａとの隙間が小さくなるように形成されている。

以上のような容器１１０は、搬送手段１２２により搬送されるようになっている。
この搬送手段１２２の先端部１２２Ａの例えば４箇所には容器支持機構１３０が設けられ、それぞれの容器支持機構１３０に、例えばピン形状の支持部材１３０Ａが設けられている。そして、容器１１０は、その底面部１１０Ａの下面を、４個の支持部材１３０Ａにより支持されるようになっている。

国際公開番号ＷＯ２００５／０９１３５４号公報

ところで、均一な品質のはんだバンプを形成するためには、容器内において、液状体であるはんだ組成物が容器の下面から均一に加熱されることが必須条件である。そして、容器の中央部と外周部寄りとにおける温度分布が均一化されていることも必要である。

また、皿状の容器にはんだ組成物を満たしてリフローする場合においては、通常のペースト状材料を印刷した場合よりも厳密な水平レベルが求められている。
この水平レベルが出ていない場合、容器面内で傾きによる液深差が生じてしまう。これにより、対流の不均一が生じ、また、熱容量にも差が生じ、その結果、温度のばらつきが発生するものとなる。

ところが、前記従来のはんだバンプ形成装置１００では、容器１１０の周壁部１１０Ｂの温まりが悪いという問題がある。
すなわち、熱風噴出口１４４Ａから吹き出される熱風Ｈは、容器１１０の底面部１１０Ａを加熱するが、底面部１１０Ａを加熱した後、熱風循環ダクト１４５内に戻るように、容器１１０の周壁部１１０Ｂと熱風循環ダクト１４５の開口部１４５Ａとの隙間が小さく形成されているので、周壁部１１０Ｂの側面を直接加熱することができない。
そのため、周壁部１１０Ｂの熱容量が影響して、周壁部１１０Ｂ寄りのはんだ組成物１１４の温度が、容器１１０の中心部寄りの温度に比べて低下するので、容器１１０内における温度分布が不均一となり、その結果、形成されるはんだバンプの品質も不均一となるという問題がある。

また、従来のはんだバンプ形成装置１００では、容器１１０を支持する構成としては、搬送手段１２２の先端部１２２Ａの４箇所に容器支持機構１３０を設けられたものとなっている。容器１１０は、その底面部１１０Ａの下面を、それぞれの容器支持機構１３０の支持部材１３０Ａにより支持されるようになっているが、４点支持部は単なる支持部でしかなく、水平レベル調整はできない。
そのため、水平レベル出しは、搬送手段１２２の根元部分で調整しなくてはならず、非常に煩雑な作業を伴うものであった。

本発明の目的は、収容体の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布を均一化してはんだバンプの品質を均一化することができると共に、収容体の水平度を容易に調整可能とするはんだバンプ形成装置を提供することである。

本発明のはんだバンプ形成装置は、表面にパッド電極が設けられた基板を収容すると共に、この基板上に供給されるはんだ微粒子を含むはんだ組成物を同時に収容する収容体と、この収容体を加熱して前記はんだ組成物を溶融させ前記はんだ微粒子を前記パッド電極上に付着させる加熱手段と、を備えたはんだバンプ形成装置において、前記収容体を、底面部とこの底面部の外周縁に立設された周壁部とを含み構成すると共に、この周壁部の上端に当該周壁部上端から外方に延出された状態の鍔部を設けたことを特徴とする（請求項１）。

この発明によれば、収容体の周壁部の上端に鍔部が設けられているので、加熱手段で加熱された熱風が鍔部に当たると共にその鍔部が加熱される。これにより、加熱された鍔部からの熱伝導によって周壁部が効果的に加熱され、その結果、収容体の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布が均一化され、基板上に形成されるバンプの品質を均一化することができ、性能にばらつきのない基板を得ることができる。

また、前記収容体の前記周壁部の厚さ寸法を、前記底面部の厚さ寸法よりも薄く形成してもよい（請求項２）。

このようにすれば、加熱手段により加熱された鍔部からの熱伝導に加えて、収容体の周壁部の厚さ寸法が底面部の厚さ寸法より薄くなっているので、加熱手段により加熱された周壁部でも熱の伝わりが速くなり、これにより、収容体内でのはんだ組成物の温度分布が均一化される。その結果、基板上に形成されるはんだバンプの品質も均一化することができ、性能にばらつきのない基板を得ることができる。

さらに、前記収容体の鍔部を前記底面部と平行に設けてもよい（請求項３）。
このようにすれば、収容体製作用の部材を加工機械に設置した状態のまま、鍔部、周壁部および底面部を順次加工することができるので、収容体の製作が容易である。

また、前記加熱手段を加熱源およびこの加熱源により加熱された熱を蓄える蓄熱部材を備えて構成すると共に、この蓄熱部材に熱風を噴射する多数の熱風噴射口を形成し、前記収容体の前記周壁部を前記蓄熱部材の少なくとも最外側に形成された前記熱風噴射口の延長上より内側に配置してもよい（請求項４）。

このようにすれば、周壁部が加熱手段により確実に加熱されるので、収容体内でのはんだ組成物の温度分布が均一化される。その結果、基板上のバンプ形成品質も均一化することができ、性能にばらつきのない基板を得ることができる。

また、前記加熱手段位置の上方に前記収容体を搬送する搬送アームを備え、この搬送アームに前記収容体を水平に支持する収容体支持機構を設けてもよい（請求項５）。

このようにすれば、収容体支持機構により収容体が水平に支持されるので、収容体内部のはんだ組成物の液深差をなくすことができる。その結果、はんだバンプが均一に形成され、性能にばらつきのない基板を得ることができる

また、前記収容体支持機構を前記収容体における鍔部の円周上の均等３箇所位置に配置すると共に、そのうちの１箇所を前記搬送アームに固定された第１支持機構とし、残りの２箇所を前記搬送アームに取り付けられ前記収容体の高さを調整可能な第２支持機構としてもよい（請求項６）。

このようにすれば、第１支持機構で鍔部の円周上の均等３箇所位置のうちの１箇所を支持した状態で、残りの２箇所で収容体の高さを調整することができる。これにより、三点支持構造となっているので、水平調整が可能、かつ容易であり、収容体の水平レベルを確実に確保することができる。その結果、収容体内部のはんだ組成物の液深差をなくすことができるので、はんだバンプが均一に形成され、性能にばらつきのない基板を得ることができる

さらに、前記収容体支持機構の前記第１支持機を、前記搬送アームに固定された固定部材とこの固定部材に固定されると共に前記収容体の鍔部の裏面を支持する固定支持部材とで構成し、前記第２支持機を、前記搬送アームに取り付けられた取り付け部材とこの取り付け部材に上下方向移動自在に設けられると共に前記収容体の鍔部の裏面を支持する移動支持部材とで構成してもよい（請求項７）。

このようにすれば、第１支持機が固定部材と固定支持部材とで構成され、第２支持機が取り付け部材と移動支持部材とで構成されているので、構成が簡単である。

本発明は、以上のように構成され機能するので、収容体の周壁部の上端に鍔部が設けられているので、加熱手段で加熱された熱風が鍔部に当たると共にその鍔部が加熱される。これにより、加熱された鍔部からの熱伝導によって周壁部が効果的に加熱され、その結果、収容体の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布を均一化することで、基板上に形成されるはんだバンプの品質も均一化することができ、よって、性能にばらつきのない基板を得ることができる。

以下、本発明に係るはんだバンプ形成装置１の一実施形態を図面に基づいて説明する。
まず、図１，２に基づいて、はんだバンプ形成装置１の全体を説明する。
図１は、はんだバンプ形成装置１の平面図であり、図２は図１におけるII−II線に沿った縦断面図である。
図１，２に示すように、本実施形態のはんだバンプ形成装置１はリフロー装置で構成されている。

はんだバンプ形成装置１では、予備加熱部Ａと、リフロー部Ｂと、冷却部Ｃと、入出口Ｄとが、この順に同心円上、かつ図１中右回りに配列して設けられている。
そして、処理前、つまりはんだバンプ形成前の容器１０は、図示しない保管場所等から入出口Ｄに搬送された後、そこから、予備加熱部Ａを経て、図１に矢印Ｓで示すように、搬送手段２０の搬送アーム２２によりリフロー部Ｂに送られる。そこではんだバンプ形成処理が行われ、次いで、リフロー部Ｂから冷却部Ｃに送られ、最後に入出口Ｄに送られ、そこから上記保管場所等に移されるようになっている。

容器１０は、熱伝導性に優れた例えばアルミニウム製とされ、図３，４等に詳細を示すように、底面部１０Ａと、この底面部１０Ａの外周に一体的に立設された所定高さの周壁部１０Ｂとを含み構成され、この周壁部１０Ｂの上端に当該周壁部１０Ｂ上端から外方に延出された状態の鍔部１０Ｃが設けられている。これにより、容器１０は、全体が略逆ハット形状となっている。

また、底面部１０Ａに対して周壁部１０Ｂは略９０度で立設され、底面部１０Ａと鍔部１０Ｃとは、底面部１０Ａと平行に形成されている。
容器１０の底面部１０Ａの上面は平滑面に仕上げられている。また、周壁部１０Ｂの内周面も、凹凸部がない滑らかな面に仕上げられている。

ここで、図７(Ａ)に示すように、容器１０の底面部１０Ａの板厚ｔ１と、周壁部１０Ｂとの板厚ｔ２とでは、それぞれの板厚ｔ１、板厚ｔ２が異なっている。
すなわち、底面部１０Ａと鍔部１０Ｃの板厚ｔ１に対して、周壁部１０Ｂの板厚ｔ２の寸法が所定寸法薄くなっている。そのため、周壁部１０Ｂでの熱の伝導が底面部１０Ａより速くなり、容器１０全体の加熱が均等になる。
なお、鍔部１０Ｃの板厚ｔ３は、底面部１０Ａの板厚ｔ１と略同じ寸法に形成されているが、特に限定されない。ただし、周壁部１０Ｂの板厚ｔ２よりは厚くすることが好ましい。

容器１０の内部には、基板１２と、はんだ組成物１４とが収容されるようになっており、基板１２は、例えば断熱部材で形成された図示しない支持ピン等で支持されている。
基板１２は、薄い円板状に形成された例えばシリコンウェハであり、この基板１２には升目状に切断線１２Ａが刻まれている。
そして、基板１２上の多数のパッド電極１１にはんだバンプ１５〈図４，５参照〉が形成された後、基板１２は最終的に切断線１２Ａに沿って切断され、１個ずつのＩＣチップとして使用されるようになる。

図４，５に示すように、基板１２の表面には多数のパッド電極１１が設けられている。このパッド電極１１上に供給されたはんだ微粒子を含むはんだ組成物１４が溶融し、かつ付着することによってはんだバンプ１５が形成されるようになっている。
そして、前記１個ずつのＩＣチップは、はんだバンプ１５を介して、他の半導体チップや配線板等に電気的あるいは機械的に接続されるようになっている。

また、はんだ組成物１４は、油とはんだ微粒子１３とを含み構成され、油はエステルと活性剤とで構成されている。エステルは、はんだ微粒子を分散させるための液体であり、活性剤は、はんだ酸化膜を除去するための成分である。このはんだ微粒子は約２２０℃で溶融される。

図１，２に戻って、以上のような容器１０を搬送する前記搬送手段２０は、その略中心に配置された駆動部２１と、この駆動部２１に設けられ、かつ十文字状に外側に突出した連結部である４本の前記搬送アーム２２とを備えて構成され、これらの搬送アーム２２を介して前記容器１０が支持されるようになっている。

なお、図１において、搬送アーム２２の移動を、冷却部Ｃから入出口Ｄに移動する状態のみを仮想線で示したが、他の部分、つまり、入出口Ｄから予備加熱部Ａ、予備加熱部Ａからリフロー部Ｂ、リフロー部Ｂから冷却部Ｃへの移動も、上記仮想線で示したように、搬送アーム２２および容器１０が移動するようになっている。

駆動部２１は、上記４本の搬送アーム２２を支持する載置部である中心板２４と、この中心板２４を移動させる際に上下動させるシリンダ２５と、これらの中心板２４、シリンダ２５を共に回転させるサーボモータ２６とを備えて構成されている。

前記容器１０は、図３〜図６に詳細を示すように、前記搬送アーム２２の先端部２２Ａに設けられた収容体支持機構３０により支持されるようになっている。
すなわち、上記先端部２２Ａは、図１に示すように円環状に形成され、この先端部２２Ａに、容器１０の水平レベルを維持する上記収容体支持機構３０が設けられている。
収容体支持機構３０は、容器１０における鍔部１０Ｃの円周上の均等３箇所位置に配置されている。３箇所のうちの１箇所が搬送アーム２２に固定された第１支持機構３１とされ、残りの２箇所が搬送アーム２２に取り付けられると共に、容器１０の高さを調整可能とする第２支持機構３２，３３とされている。

収容体支持機構３０の第１支持機３１は、図４に示すように、先端部２２Ａにおいて搬送アーム２２の根元側に固定された固定部材３４と、この固定部材３４に固定されると共に容器１０の鍔部１０Ｃの裏面を支持する固定支持部材３５とで構成されている。

固定部材３４は、図５に示すように、例えば矩形形状の板部材で形成され、搬送アーム２２の例えば下面に固着されている。この固定部材３４の先端部は、上述のように、容器１０の鍔部１０Ｃを支持すべく、容器１０の中心側に向かって延出している。
固定部材３４には、一端部に固定支持部材３５を挟み込んで固定する挟持部３４Ａが形成され、この挟持部３４Ａは、固定支持部材３５を挟み込んだ後、割りピン３８によりロックされるようになっている。なお、割りピン３８に変えてボルト、ナットによりロックするようにしてもよい。

収容体支持機構３０の第２支持機３２は、先端部２２Ａにおいて搬送アーム２２の根元側に取り付けられ矩形形状の板部材でなる取り付け部材３６と、この取り付け部材３６に上下方向移動自在に設けられると共に容器１０の鍔部１０Ｃの裏面を支持する移動支持部材３７とで構成されている。
移動支持部材３７は、ボルトの先端を円錐形状に加工して形成され、取り付け部材３６の先端近傍に切られたネジ穴３６Ａにねじ込むことで取り付けられる。そして、搬送アーム２２の２箇所に配置され、固定されている取り付け部材３６に対して、移動支持部材３７のねじ込み量を適宜調整することで、容器１０の水平度を、容易にかつ高レベルで確保することができる。

収容体支持機構３０により支持された容器１０は、予備加熱部Ａからリフロー部Ｂに搬送され、このリフロー部Ｂにおいてリフロー工程が行われる。
リフロー部Ｂでは、図２に示すように、容器１０および後に詳細を述べる収容体支持機構３０の下方位置に配置された加熱手段４０を備えている。この加熱手段４０は、例えば電熱ヒータからなる加熱源４１，４２、ブロワ４３、蓄熱部材４４、熱風循環ダクト４５等を備えて構成され、熱風循環ダクト４５には開口部４５Ａが形成されている。

また、図４，６に示すように、蓄熱部材４４には熱風Ｈを噴出させるための多数の熱風噴出口４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃが形成されている。
ここで、熱風噴出口４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃは、蓄熱部材４４の中心部から放射状に配列され、最外側にあけられた熱風噴出口４４Ａから順に４４Ｂ，４４Ｃと、内側に行くに連れ、その穴径φ１，φ２，φ３が、少しずつ小さくなっている。そして、最外側にあけられた熱風噴出口４４Ａの穴径φ１が、例えば３ｍｍ〜４ｍｍの大きさに形成されている。そのため、周壁部１０Ｂがあるため温まりにくい容器１０の外周側が、もっとも大きな穴径φ１から噴出される熱風Ｈで加熱されるので、容器１０の全体の温度を均一化することができる。ここで、上記穴径φ１，φ２，φ３の大きさが異なっていても、熱風Ｈの噴出効果は十分に得られるものである。
そして、前記容器１０の周壁部１０Ｂは、少なくとも上記最外側にあけられた熱風噴出口４４Ａの延長上の位置より蓄熱部材４４の中央寄りに配置されることが好ましい。

熱風Ｈは、加熱源４１から蓄熱部材４４、開口部４５Ａ（容器１０の底面部）、循環ダクト４５、加熱源４２、循環ダクト４５、ブロワ４３、加熱源４１に至る循環路４６を通って循環するようになっている。
なお、加熱手段４０による加熱は、はんだの融点以上、例えば２４０℃で行われるようになっている。

また、本実施形態では、図２に示すように、容器１０の上方位置にも加熱手段４０Ａが設けられている。この加熱手段４０Ａの詳細は省略するが、風等の影響を避けるために、例えば赤外線加熱による加熱手段が構成されている。
これにより、容器１０の下方および上方からの加熱が実施されるため、より効果的に、かつ短時間で加熱できる。

次に、前記実施形態のはんだバンプ形成装置１の作用を説明する。
まず、収容体支持機構３０の１箇所の第１支持機構３１、２箇所の第２支持機構３２，３３上に容器１０を載置する。この際、容器１０内に水準器を置いて、第２支持機構３２，３３の移動支持部材３７を適宜回して容器１０が水平となるように傾きを調整し、水平レベル出しを行う。

次いで、容器１０内の底面部１０Ａに基板１２を収容させ、はんだ組成物１４を、基板１２を覆うように所定量だけ容器１０に供給する。
準備が完了したら、はんだバンプ形成装置１の運転を開始し、容器１０をリフロー部Ｂの位置に搬送し、そこで加熱手段４０により例えば３００℃で加熱する。

はんだ組成物１４は容器１０内で加熱され、それに伴って基板１２も加熱される。容器１０が、例えば３００℃で加熱された加熱手段４０からの熱風で加熱されるので、所定時間経過すると、容器１０内のはんだ組成物１４が溶融し始める。

この際、容器１０に鍔部１０Ｃがあるので、加熱手段４０で加熱された熱風Ｈが鍔部１０Ｃに当たりその鍔部１０Ｃが加熱される。加熱された鍔部１０Ｃからの熱伝導によって周壁部１０Ｂが効果的に加熱され、その結果、容器１０の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布が均一化される。
また、鍔部１０Ｃに当たった熱風は、図４、５に矢印Ｈ１で示すように、鍔部１０Ｃに沿って容器１０の外方に排出する。

そのうえ、周壁部１０Ｂの板厚ｔ２が底面部１０Ａの板厚ｔ１よりも薄くなっているので、熱伝導がよくなり、加熱された鍔部１０Ｃからの熱が周壁部１０Ｂから容器１０の中央側に伝達されやすい。その結果、容器１０の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布がよりすばやく均一化される。

容器１０の水平レベルが確保され、その内部に収容されているはんだ組成物１４が水平な状態となっているので、液深差がない状態である。その結果、底面部１０Ａからの熱伝導の変化がなくなるので、均一化した対流となる。

最後に、図示しない設備による冷却工程終了後、洗浄工程にて基板１２を洗浄して、基板１２にはんだバンプ１５が形成され、これにより、はんだバンプの形成プロセスが完了する。

以上のような本実施形態によれば、次のような効果がある。
（１）容器１０の周壁部１０Ｂの上端に鍔部１０Ｃが設けられているので、加熱手段４０で加熱された熱風Ｈが鍔部１０Ｃに当たりその鍔部１０Ｃが加熱される。これにより、加熱された鍔部１０Ｃからの熱伝導によって周壁部１０Ｂが効果的に加熱され、その結果、容器１０の中央部寄りと外周部寄りとの温度分布が均一化され、基板１２上に形成されるはんだバンプの品質も均一化することができ、性能にばらつきのない基板１２を得ることができる。

（２）加熱手段４０により加熱された鍔部１０Ｃからの熱伝導に加えて、容器１０の周壁部１０Ｂの厚さ寸法ｔ２が底面部１０Ａの厚さ寸法ｔ１より薄くなっているので、加熱手段４０により加熱された周壁部１０Ｂでも熱の伝わりが速くなり、これにより、容器１０内でのはんだ組成物の温度分布が均一化される。その結果、基板１２上に形成されるはんだバンプ１５の品質も均一化することができ、性能にばらつきのない基板１２を得ることができる。

（３）容器１０の鍔部１０Ｃが底面部１０Ａと平行に形成されているので、容器１０を製作するための部材を加工機械に設置した状態のまま、鍔部１０Ｃ、周壁部１０Ｂ、底面部１０Ａを順次加工することができるので、容器１０の製作が容易である。

（４）容器１０の周壁部１０Ｂの上端に鍔部１０Ｃが設けられているので、加熱手段４０で加熱された熱風Ｈは、鍔部１０Ｃに当たりその鍔部１０Ｃに沿って、矢印Ｈ１で示すように容器１０の外方に流れる。したがって、熱風Ｈが容器１０の内部に回り込むおそれはほとんどなく、熱風Ｈの容器１０内部への回り込みによる悪影響を防止することができる。

（５）搬送アーム２２の先端部２２Ａに容器１０を水平に支持する収容体支持機構３０が設けられているので、容器１０の内部のはんだ組成物１４の液深差をなくすことができる。その結果、基板１２上のはんだバンプ１５が均一に形成され、性能にばらつきのない基板１２を得ることができる

（６）収容体支持機構３０の第１支持機構３１で鍔部１０Ｃの円周上の均等３箇所位置のうちの１箇所を支持しておいて、残りの２箇所で容器１０の高さを調整することができる。これにより、三点支持構造となっているので、容器１０水平調整が可能、かつ容易であり、容器１０の水平レベルを確実に確保することができる。その結果、容器１０内部のはんだ組成物１４の液深差をなくすことができるので、はんだバンプ１５が均一に形成され、性能にばらつきのない基板１２を得ることができる

（７）収容体支持機構３０の第１支持機３１が、搬送アーム２２の先端部２２Ａに固定された固定部材３４と、この固定部材３４に固定されると共に容器１０の鍔部１０Ｃの裏面を支持する固定支持部材３５とで構成され、また、第２支持機３２が、先端部２２Ａに取り付けられた取り付け部材３６と、この取り付け部材３６に上下方向移動自在に設けられると共に鍔部１０Ｃの裏面を支持する移動支持部材３７とで構成されているので、それぞれの機構３１，３２を簡単な構成とすることができる。

（８）収容体支持機構３０の第２支持機３２が、先端部２２Ａに取り付けられた取り付け部材３６と、この取り付け部材３６に設けられた移動支持部材３７とを備え、移動支持部材３７がネジ部材で構成されており、３箇所に均等配置されたうちの２箇所で、移動支持部材３７のネジを適宜回すことで、高さ調整が容易に行え、かつ微調整も容易に行えるので、容器１０の水平レベル出しを容易にできる。

（９）容器１０の周壁部１０Ｂが、蓄熱部材４４の少なくとも最外側に形成された熱風噴射口４４Ａの延長上より内側に配置されているので、周壁部１０Ｂが加熱手段４０により確実に加熱され、これにより、容器１０内でのはんだ組成物１５の温度分布が均一化される。その結果、基板１２上で形成されるはんだバンプ１５の品質も均一化することができ、性能にばらつきのない基板１２を得ることができる。

（１０）熱風噴出口４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃは、蓄熱部材４４の中心部から放射状に配列され、最外側にあけられた熱風噴出口４４Ａから順に４４Ｂ，４４Ｃと、内側に行くに連れ、その穴径φ１，φ２，φ３が、少しずつ小さくなっている。そして、最外側にあけられた熱風噴出口４４Ａの穴径φ１が、例えば３ｍｍ〜４ｍｍの大きさに形成されている。そのため、周壁部１０Ｂがあるため温まりにくい容器１０の外周側が、もっとも大きな穴径φ１から噴出される熱風Ｈで加熱されるので、容器１０の全体の温度を均一化することができる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

例えば、前記実施形態では、容器１０の周壁部１０Ｂを底面部１０Ａに対して略９０度となるように形成してあるが、図７（Ｂ）に示すように、底面部１０Ａに対して所定角度α度傾けた形状としてもよい。
このようにすれば、底面部１０Ａに対して周壁部１０Ｂが傾いているので、その周壁部１０Ｂに当たる熱風の量が、底面部１０Ａに対して略９０度で立ち上がった周壁部１０Ｂに当たる熱風量よりも多くなる。その結果、周壁部１０Ｂの熱伝導がよりよくなり、容器１０内のはんだ組成物１４の温度を均一化することができる。

本発明は、シリコンウェハ等の基板上のパッド電極にはんだバンプを均等に付着させる際に利用できる。

本発明に係るはんだバンプ形成装置の実施形態を示す平面図である。 図1におけるII−II線に沿った縦断面図である。 前記実施形態の容器全体および搬送アームの一部の詳細を示す平面図である。 図３におけるIV−IV線に沿った縦断面図である。 図４におけるV−V線に沿った平断面図である。 図３におけるVI−VI線に沿った縦断面図である。 （Ａ）は前記実施形態の容器の部分詳細を示す縦断面図であり、（Ｂ）は本発明の容器の変形形態を示す縦断面図である。 従来のはんだバンプ形成装置の容器を示す平面図である。 従来のはんだバンプ形成装置を示す縦断面図である。

符号の説明

１ はんだバンプ形成装置
１０ 収容体である容器
１０Ａ 底面部
１０Ｂ 周壁部
１０Ｃ 鍔部
１１ パッド電極
１２ 基板
１４ はんだ組成物
１５ はんだバンプ
２２ 搬送アーム
２２Ａ 先端部
３０ 収容体支持機構
３１ 第１支持機構
３２ 第２支持機構
３３ 第３支持機構
３４ 固定部材
３５ 固定支持部材
３６ 取り付け部材
３７ 移動支持部材
４０ 加熱手段
４４Ａ 熱風噴出口
ｔ１ 底面部の板厚
ｔ２ 周壁部の板厚

Claims (7)

1. 表面にパッド電極が設けられた基板を収容すると共に、この基板上に供給されるはんだ微粒子を含むはんだ組成物を同時に収容する収容体と、この収容体を加熱して前記はんだ組成物を溶融させ前記はんだ微粒子を前記パッド電極上に付着させる加熱手段と、を備えたはんだバンプ形成装置において、
   前記収容体を、底面部とこの底面部の外周縁に立設された周壁部とを含み構成すると共に、この周壁部の上端に当該周壁部上端から外方に延出された状態の鍔部を設けたことを特徴とするはんだバンプ形成装置。
2. 前記収容体の前記周壁部の厚さ寸法を、前記底面部の厚さ寸法よりも薄く形成したことを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ形成装置。
3. 前記収容体の鍔部を前記底面部と平行に設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のはんだバンプ形成装置。
4. 前記加熱手段を加熱源およびこの加熱源により加熱された熱を蓄える蓄熱部材を備えて構成すると共に、この蓄熱部材に熱風を噴射する多数の熱風噴射口を形成し、前記収容体の前記周壁部を前記蓄熱部材の少なくとも最外側に形成された前記熱風噴射口の延長上より内側に配置したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のはんだバンプ形成装置。
5. 前記加熱手段位置の上方に前記収容体を搬送する搬送アームを備え、この搬送アームに前記収容体を水平に支持する収容体支持機構を設けたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のはんだバンプ形成装置。
6. 前記収容体支持機構を前記収容体における鍔部の円周上の均等３箇所位置に配置すると共に、そのうちの１箇所を前記搬送アームに固定された第１支持機構とし、残りの２箇所を前記搬送アームに取り付けられ前記収容体の高さを調整可能な第２支持機構としたことを特徴とする請求項５に記載のはんだバンプ形成装置。
7. 前記収容体支持機構の前記第１支持機を、前記搬送アームに固定された固定部材とこの固定部材に固定されると共に前記収容体の鍔部の裏面を支持する固定支持部材とで構成し、前記第２支持機を、前記搬送アームに取り付けられた取り付け部材とこの取り付け部材に上下方向移動自在に設けられると共に前記収容体の鍔部の裏面を支持する移動支持部材とで構成したことを特徴とする請求項６に記載のはんだバンプ形成装置。

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