JP2009117609A - 解析システム、解析方法および解析処理プログラム - Google Patents

解析システム、解析方法および解析処理プログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2009117609A
JP2009117609A JP2007288899A JP2007288899A JP2009117609A JP 2009117609 A JP2009117609 A JP 2009117609A JP 2007288899 A JP2007288899 A JP 2007288899A JP 2007288899 A JP2007288899 A JP 2007288899A JP 2009117609 A JP2009117609 A JP 2009117609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
analysis
defective
data
ram
defective portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007288899A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Fujimi
孝弘 藤見
Hiroaki Sekine
弘昭 関根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2007288899A priority Critical patent/JP2009117609A/ja
Publication of JP2009117609A publication Critical patent/JP2009117609A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】半導体装置の不良解析の高精度化を図る。
【解決手段】半導体装置に形成される複数のRAMについて、設計データとフェイルデータを用いて、不良ビット箇所を示す不良ビット箇所データを生成し、生成された不良ビット箇所データを、それに対応する不良ビットのモードや不良ビットが存在するRAMの配置状態で分類し、あるいは生成された不良ビット箇所データを用いて各RAMの不良ビットの発生頻度をRAMの規模で正規化する。また、不良ビット箇所データを用いてFBMを表示するほか、分類や正規化の処理で得られたデータを所定の形態でグラフ化して表示する。これにより、RAMの不良解析をより精度良く行うことが可能になる。
【選択図】図1

Description

本発明は、解析システム、解析方法および解析処理プログラムに関し、特に、半導体装置の形成過程において不良解析を行う解析システム、解析方法および解析処理プログラムに関する。
RAM(Random Access Memory)等のメモリ回路領域を有する半導体装置の開発・製造の際には、しばしばFBM(Fail Bit Map)を用いた不良解析が行われる。不良解析では、例えば、ウェハ上に形成された多数のチップについて得られた電気特性等の測定データを用い、ウェハ上、チップ上、あるいはRAM上の不良箇所をマップ状に表するFBMを得る。そのFBM上の不良箇所に対応するウェハ上の部分は、さらに詳細に検査され、その結果は、不良発生原因の究明や製造プロセスの条件設定等に反映される。
不良解析の際には、取得したFBMを、ウェハごと、チップごと、あるいはRAMごとに表示するほか、複数のウェハのFBM同士、複数のチップのFBM同士、あるいは複数のRAMのFBM同士を、それぞれ重ね合わせて表示することも行われている。
また、チップサイズやチップ数が異なる場合等にもFBMの比較が行えるよう、FBMデータをチップサイズや欠陥数等で正規化する方法が提案されている(例えば、特許文献1〜3参照。)。なお、従来、表示方法に関し、複数種のデータを色分けして表示したり、データを相互に透過させて全データを同時出力したりする方法等も提案されている(例えば、特許文献4〜6参照。)。
特開平8−293533号公報 特開2004−165395号公報 特開2003−100825号公報 特開平5−28231号公報 特許第3008943号公報 特開平10−333657号公報
RAMを有するチップでは、その品種が異なれば、RAMの規模(容量)、トランジスタ数、サイズ等の構成が異なっている場合が多く、また、RAMの構成は同じであってもそれがどのような向きで配置されているかといった配置状態が異なっている場合もある。また、1チップに複数のRAMが形成されるようなチップでは、それら複数のRAMの構成が異なっていたり、同じ構成であっても配置状態が異なっていたりする場合がある。
図9はRAMの配置状態の一例を示す図である。
図9に例示するウェハ100には、多数のチップ101が形成されており、各チップ101には、複数のRAM、ここでは3つのRAM102a,102b,102cが形成されている。これら3つのRAM102a,102b,102cは、例えば、同一構成ではあるが、RAM102a,102bが同じ向きで配置され、RAM102cがRAM102a(102b)を図面右方向に90°回転させた向きで配置されている(図中「F」の向きを参照。)。
このように、通常、RAMを有するチップには、所定の構成を有する1または2以上のRAMが、所定の領域に、所定の向きで、配置されている。
ところで、そのようなチップを形成する際、RAMは、その構成によって不良ビット箇所や不良ビットの発生頻度が異なってくる場合があるほか、たとえ構成が同じでもその配置状態によって不良ビット箇所や不良ビットの発生頻度が異なってくる場合がある。
しかし、これまでの不良解析では、配置状態の異なるRAM、あるいはそのような配置状態の異なるRAMを有するチップやウェハについて、それぞれ不良ビット箇所のデータを得ていたとしても、それらRAM間、チップ間、ウェハ間のデータの比較・解析を精度良く自動的に行うことができなかった。そのため、RAMの配置状態を考慮して、RAM、チップおよびウェハの不良解析を、より精度良く行える手法が要望されていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、不良解析を精度良く行うことのできる解析システム、解析方法および解析処理プログラムを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、不良解析を行う解析システムにおいて、配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成する不良箇所データ生成部と、前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する分類部と、を有する解析システムが提供される。
このような解析システムによれば、配置状態が異なる複数の回路領域について、不良箇所を示す不良箇所データが生成され、その不良箇所データが、それが示す不良箇所を有する回路領域の配置状態によって分類される。これにより、複数の回路領域について、配置状態を考慮した解析が行えるようになる。
また、本発明では、上記課題を解決するために、不良解析を行う解析方法において、不良箇所データ生成部によって、配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成し、分類部によって、前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する解析方法が提供される。
このような解析方法によれば、複数の回路領域について、配置状態を考慮した解析が行えるようになる。
また、本発明では、コンピュータに不良解析を行う処理を実行させる解析処理プログラムにおいて、コンピュータを、配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成する手段、前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する手段、として機能させる解析処理プログラムが提供される。
本発明では、配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所データを、その不良箇所データが示す不良箇所が存在する回路領域の配置状態によって分類する。これにより、複数の回路領域について、配置状態を考慮した解析を行うことが可能になり、不良解析をより精度良く行うことが可能になる。
以下、本発明の実施の形態を、RAMを有するチップが形成されているウェハを用いた解析を例に、図面を参照して詳細に説明する。
図2は解析システムの概念図である。
図2に示す解析システム1は、設計データサーバ10、テスタ20、解析サーバ30、および複数のパーソナルコンピュータ(PC)40を備えている。設計データサーバ10、テスタ20および各PC40は、ネットワーク等を介して解析サーバ30と接続されている。
設計データサーバ10には、ウェハのチップ形成に先立って行われるチップ設計(機能設計、論理設計、レイアウト設計等。)の際に得られたデータ(「設計データ」という。)が記憶されている。
テスタ20は、ウェハに形成された各チップについて、テストパターンを入力したときの出力を測定し、その出力を基に、各チップの良/不良を判定する。テスタ20には、どのテストパターンで期待された出力が得られなかったかの情報を示すデータ(「フェイルデータ」という。)が、各チップ測定時の測定条件(測定温度、電源電圧条件等。)と関連付けられて、記憶されている。
通常、設計データサーバ10およびテスタ20には、チップやRAMの構成、RAMの配置状態等が異なる種々の品種や複数のロットのウェハについての設計データおよびフェイルデータがそれぞれ記憶されている。
解析サーバ30は、まず、テスタ20からフェイルデータを取得し、設計データサーバ10から設計データを取得する。そして、フェイルデータに対し、そのフェイルデータが得られた品種やロットのウェハおよびチップの設計データを用いて、所定のデータ変換処理を行い、RAMの不良ビットのウェハ上およびチップ上での座標を示すデータ(「不良ビット箇所データ」という。)を生成する。これにより、フェイルデータが得られた品種やロットのウェハおよびチップにおける、不良ビットが存在するRAMとそのRAMの不良ビットが特定される。
さらに、解析サーバ30は、生成された不良ビット箇所データを所定の条件(不良ビット箇所データに対応する不良ビットの分布状態(「モード」という。)や、不良ビットが存在するRAMの配置状態等。)で分類したり、生成された不良ビット箇所データを用いて不良ビットの発生頻度を所定のパラメータ(RAMの規模、サイズ、面積、トランジスタ数等。)で正規化したりする。
PC40は、解析サーバ30で生成された不良ビット箇所データを、FBMとしてディスプレイ等に表示させる。ユーザは、このPC40を用い、ウェハごと、チップごと、RAMごとのFBMを表示させることができ、さらに、複数のウェハ、チップ、RAMのFBMをそれぞれ重ね合わせて表示させることもできる。
さらに、PC40は、解析サーバ30で生成された各種データを用い、それを所定の形態(モードごとの不良ビット発生頻度、RAMの配置状態ごとの不良ビット発生頻度、正規化後の不良ビット発生頻度等が認識可能な形態。)にグラフ化してディスプレイ等に表示させる。
ユーザは、PC40から品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、テスタ20によるフェイルデータ測定時の測定条件等を指定し、その条件に該当する不良ビット箇所データを用いて、解析サーバ30で所定の処理を実行させ、また、PC40でFBMを単独であるいは重ね合わせて表示させたり、グラフを表示させたりすることができる。
次に、このような解析システム1の構成について、詳細に説明する。
図1は解析システムの構成例を示す図である。
設計データサーバ10は、設計データ記憶部11を有しており、チップ設計時に得られた設計データは、この設計データ記憶部11に記憶される。
テスタ20は、所定のテストパターンを用いた測定を行う測定部21を有している。さらに、テスタ20は、測定部21によって測定されたフェイルデータ、およびその測定時の測定条件が記憶されるテストデータ記憶部22を有している。なお、フェイルデータは、その測定条件と関連付けられて、テストデータ記憶部22に記憶される。
また、これら設計データサーバ10およびテスタ20には、複数の品種やロットのウェハについての設計データおよびフェイルデータが記憶される。
解析サーバ30は、テスタ20のテストデータ記憶部22に記憶されているフェイルデータと、設計データサーバ10の設計データ記憶部11に記憶されている設計データとを用い、フェイルデータの所定の変換処理を行って、RAMの不良ビット箇所の座標を示す不良ビット箇所データを生成する不良ビット箇所データ生成部31を有している。
不良ビット箇所データ生成部31によって生成された不良ビット箇所データは、解析データ記憶部32に記憶される。
このようにフェイルデータから不良ビット箇所データが生成されることで、フェイルデータが得られた品種やロットのウェハおよびチップにおける、不良ビットが存在するRAMとそのRAMの不良ビットが特定されるようになる。解析データ記憶部32には、個々の不良ビット箇所データに、それが示す不良ビット箇所が存在するRAM、そのRAMを有するチップおよびウェハ、そのウェハおよびチップのフェイルデータの測定条件、並びにいずれの品種やロットのものであるか等を識別可能な情報が、関連付けられて記憶される。すなわち、解析サーバ30は、生成した個々の不良ビット箇所データを、どの品種およびロットのウェハの、どのチップの、どのRAMの不良ビットのものであるかが識別可能なように、フェイルデータの測定条件と共に、解析データ記憶部32に記憶する。
なお、この解析データ記憶部32には、不良ビット箇所データの生成に用いた設計データが記憶されるようにしてもよい。
さらに、解析サーバ30は、不良ビット箇所データ生成部31で生成された不良ビット箇所データを、不良ビットのモードによって分類するモード分類部33を有している。
RAMの不良ビットのモードとしては、単ビット不良、ライン不良、ブロック不良がある。単ビット不良は、不良ビットが単独で発生しているモードであり、ライン不良は、複数の不良ビットがビット線やワード線に沿って並んで発生しているモードであり、ブロック不良は、複数の不良ビットが特定領域に密集して発生しているモードである。
モード分類部33は、不良ビット箇所データを用い、例えば設計データを用いてビット(不良ビットのほか、良ビットを含む。)間の位置関係を求めることによって不良ビットのモードを判別し、不良ビット箇所データを、それに対応する不良ビットのモードによって分類し、その分類結果を解析データ記憶部32に記憶する。モード分類部33は、例えば、不良ビット箇所データに、モードを識別するための情報(識別キー等。)を付与する。
また、解析サーバ30は、不良ビット箇所データ生成部31で生成された不良ビット箇所データを、RAMの配置状態によって分類するRAM配置分類部34を有している。
異なるチップ間あるいは1チップ内にRAMを配置する場合、RAMは、ある向きを基準(0°)にしたとき、そこから所定の方向に90°,180°,270°といった所定の角度だけ回転させた状態で配置される場合がある。RAM配置分類部34は、設計データを用い、不良ビット箇所データを、それに対応するRAMの配置状態によって分類し、その分類結果を解析データ記憶部32に記憶する。RAM配置分類部34は、例えば、不良ビット箇所データに、RAMの配置状態を識別するための情報(識別キー等。)を付与する。
また、解析サーバ30は、不良ビット箇所データ生成部31で生成された不良ビット箇所データを用い、所定のRAMの不良ビット数(不良ビット箇所データ数)を所定のパラメータを用いて正規化する正規化部35を有している。例えば、設計データを用い、所定のRAMの不良ビット数を所定のRAM規模によって正規化する。正規化部35により正規化されたデータは、解析データ記憶部32に記憶される。
なお、解析サーバ30におけるモード分類部33、RAM配置分類部34および正規化部35の各処理で用いる設計データは、設計データサーバ10の設計データ記憶部11に記憶されているものを各処理の際に取得して用いることができる。また、解析データ記憶部32に設計データを記憶している場合には、その設計データを各処理の際に用いることができる。また、各処理に必要な設計データを記憶しておく記憶部を解析サーバ30に別途設けておいてもよい。
また、解析サーバ30におけるモード分類部33、RAM配置分類部34、正規化部35の各処理を行うか否かは、ユーザが、例えばPC40を用いて、指定することができるようになっている。
PC40は、ユーザがキーボードやマウス等により、解析サーバ30における処理(モード分類部33、RAM配置分類部34、正規化部35の各処理。)やその処理条件(処理する不良ビット箇所データの対象範囲、モードやRAM配置状態の分類条件、正規化のパラメータ条件等。)の指定や、表示に用いるデータ(不良ビット箇所データ(識別情報が付与されたもの等を含む。)、正規化データ等。)の指定を行う入力部41を有している。
さらに、PC40は、入力部41で指定されたデータを解析サーバ30の解析データ記憶部32から抽出する抽出部42、および抽出されたデータを所定の形態(FBM、グラフ等。)でディスプレイ等に表示する表示部43を有している。
この図1に示したような構成を有する解析システム1では、まず、解析サーバ30が、例えば定期的に、設計データサーバ10の設計データ記憶部11に記憶されている設計データ、およびテスタ20のテストデータ記憶部22に記憶されているフェイルデータを取得する。解析サーバ30は、取得した設計データおよびフェイルデータを用い、不良ビット箇所データ生成部31で不良ビット箇所データを生成する。
不良ビット箇所データ生成部31では、まず、取得したフェイルデータに対し、設計データを用いた論理変換が行われる。この論理変換により、フェイルデータが論理アドレスに変換され、RAMが特定されると共に、RAMの不良ビットの論理的な位置が特定される。さらに、不良ビット箇所データ生成部31では、そのような論理変換後のデータに対し、設計データを用いた物理変換が行われる。この物理変換により、論理的に特定された不良ビットの位置がウェハ上あるいはチップ上でのX,Y座標に変換される。不良ビット箇所データ生成部31では、このような論理変換および物理変換を経て、不良ビット箇所データが生成される。このような変換処理をフェイルデータに対して行うことで、生成された個々の不良ビット箇所データが、どの品種およびロットのウェハの、どのチップの、どのRAMの不良ビットのものであるかが特定されるようになる。
解析サーバ30は、不良ビット箇所データ生成部31で生成した不良ビット箇所データを、解析データ記憶部32に記憶する。その際、解析データ記憶部32には、個々の不良ビット箇所データに、それが示す不良ビットについて特定された、品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等が識別可能な情報が関連付けられて記憶される。
ユーザは、PC40の入力部41から、解析サーバ30における処理やその処理条件を指定すると共に、表示に用いるデータを指定する。解析サーバ30は、PC40から指定された処理を実行し、処理後のデータを解析データ記憶部32に記憶する。
すなわち、解析サーバ30は、ユーザによるPC40からの指定により、モード分類部33による処理の実行が必要な場合には、品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等が指定された処理対象の不良ビット箇所データを、モード分類部33で不良ビットのモードによって分類し、その分類結果を解析データ記憶部32に記憶する。
また、解析サーバ30は、ユーザによるPC40からの指定により、RAM配置分類部34による処理の実行が必要な場合には、品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等が指定された処理対象の不良ビット箇所データを、RAM配置分類部34によりRAMの配置状態によって分類し、その分類結果を解析データ記憶部32に記憶する。
また、解析サーバ30は、ユーザによるPC40からの指定により、正規化部35による処理の実行が必要な場合には、品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等が指定された処理対象の不良ビット箇所データを、正規化部35で正規化し、その正規化したデータを解析データ記憶部32に記憶する。
一方、PC40の抽出部42は、ユーザにより入力部41で指定された条件に基づき、解析サーバ30の解析データ記憶部32から表示に用いるデータを抽出し、表示部43は、その抽出されたデータをFBMやグラフにして表示する。
ここで、上記解析システム1の処理について、より具体的に説明する。
まず、不良ビットのモードによる分類と、RAMの配置状態による分類とを行う場合の処理を例にして説明する。なお、不良ビットのモードは、単ビット不良、ライン不良、ブロック不良の3種類とし、RAMは、ある向きを基準(0°)に所定方向に90°,180°,270°回転させた4種類の配置状態とする。
図3は不良ビットのモードおよびRAMの配置状態による分類を行う場合の処理フローの一例を示す図である。
まず、テスタ20のフェイルデータは、定期的に、設計データサーバ10の設計データを用いて、解析サーバ30の不良ビット箇所データ生成部31により論理変換され(ステップS1)、さらに物理変換されて(ステップS2)、不良ビット箇所の座標を示す不良ビット箇所データが生成される。これにより、フェイルデータが得られた品種やロットのウェハおよびチップにおける、RAMとその不良ビットが特定される。
ここで、解析サーバ30には、PC40からモード分類部33による処理とRAM配置分類部34による処理の実行が指定される。また、解析サーバ30には、それらの処理対象として、解析サーバ30に記憶されているすべての不良ビット箇所データのうち、PC40で品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等で限定される特定のRAM(いずれの配置状態であるかを問わない。)についての不良ビット箇所データが指定される。
処理対象の不良ビット箇所データは、モード分類部33により、所定の分類条件、ここでは単ビット不良、ライン不良、ブロック不良の3種類のモードに分類される(ステップS3)。
また、モード分類後、処理対象の不良ビット箇所データは、RAM配置分類部34により、RAMの配置状態に関する設計データを用い、どの配置状態のRAMのものであるか、すなわちその配置の向きが0°,90°,180°,270°のいずれかであるかによって分類される(ステップS4)。
そして、このようなモードおよびRAMの配置状態による分類後の不良ビット箇所データが、PC40からの指定を受けて解析サーバ30から抽出され、PC40の表示部43により所定の形態で表示される(ステップS5)。
ウェハプロセスでは、同一構成のRAMを形成する場合であっても、その配置状態が異なると、不良ビットの発生頻度や発生箇所が異なってくる場合がある。
図4および図5は処理結果の表示例を示す図であって、図4はRAMの配置状態を考慮しなかった場合の表示例を示す図、図5はRAMの配置状態を考慮した場合の表示例を示す図である。
RAMの配置状態を考慮しなかった場合、すなわち不良ビット箇所データのモード分類まで行い(ステップS1〜S3)、その分類後の不良ビット箇所データを表示した場合には、図4に示すようなグラフが得られる。図4より、単ビット不良が最も多く、ライン不良、ブロック不良がそれに続いている。
一方、図3に示したフローに従い、モード分類まで行ってさらにRAMの配置状態を考慮した場合には、図5に示すようなRAMの配置状態と不良ビット数との関係を示すグラフを得ることができる。図5より、RAMが90°,270°回転している場合に単ビット不良が多発していることがわかる。図5のようなグラフを得ることで、不良ビット数のRAMの配置状態に対する依存性を容易に認識することができる。
また、解析システム1でウェハ、チップ、RAMのFBMを表示させる際には、解析サーバ30の不良ビット箇所データの中から、PC40で品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等を指定した特定の不良ビット箇所データを用いて、ウェハごと、チップごと、RAMごと、あるいはRAM配置状態ごとに、FBMを単独であるいは重ね合わせて表示させることができる。
FBMを重ね合わせて表示させる場合には、例えば、FBMを重ね合わせたときに、不良ビットが重なる箇所ほど濃い色で表示させ、不良ビットが重ならない箇所は無色で表示させるようにする。これにより、色の濃さの違いから、不良ビットの発生箇所の集中の程度を容易に把握することができるようになる。また、RAMのサイズが異なるもののFBMを重ね合わせる必要がある場合には、例えば、それらの縦横のサイズを合わせて正規化した上で、それらのFBMを重ね合わせ、同様に不良ビットが重なる箇所ほど濃い色で表示させるようにする。
FBMを表示させることで、どの品種やロットで不良ビットが発生しやすいか、RAMのどの配置状態で不良ビットが発生しやすいか、どのビット位置で不良が発生しやすいか、といったことを容易に把握することが可能になる。
続いて、上記解析システム1の処理を、モード分類および正規化を行う場合の処理を例にして説明する。なお、RAMは、1Mビットと10Mビットの2種類の規模とする。
図6は不良ビットのモードによる分類および正規化を行う場合の処理フローの一例を示す図である。
テスタ20のフェイルデータは、設計データサーバ10の設計データを用いて、解析サーバ30の不良ビット箇所データ生成部31により論理変換および物理変換され(ステップS11,S12)、不良ビット箇所データが生成される。これにより、フェイルデータが得られた品種やロットのウェハおよびチップにおける、RAMとその不良ビットが特定される。
ここで、解析サーバ30には、PC40からモード分類部33による処理と正規化部35による処理の実行が指定される。また、解析サーバ30には、それらの処理対象として、解析サーバ30に記憶されているすべての不良ビット箇所データのうち、PC40で品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等で限定される特定のRAM(1Mビットと10Mビットの規模のもの。)についての不良ビット箇所データが指定される。
処理対象の不良ビット箇所データは、モード分類部33により、単ビット不良、ライン不良、ブロック不良の3種類のモードに分類される(ステップS13)。
また、モード分類後、処理対象の不良ビット箇所データは、正規化部35により、RAM規模に関する設計データを用いて、正規化される(ステップS14)。例えば、正規化部35により、1Mビットと10MビットのRAMについてそれぞれ得られた不良ビット数が、単位ビット当たりの不良ビット数に正規化される。
そして、このようなモード分類および正規化後の不良ビット箇所データが、PC40からの指定を受けて解析サーバ30から抽出され、PC40の表示部43により所定の形態で表示される(ステップS15)。
図7および図8は処理結果の表示例を示す図であって、図7は正規化を行わなかった場合の表示例を示す図、図8は正規化を行った場合の表示例を示す図である。
正規化を行わなかった場合、すなわち不良ビット箇所データのモード分類まで行い(ステップS1〜S3)、その分類後のデータを表示した場合には、図7に示すようなグラフが得られる。図7を見る限り、1MビットRAMの不良ビット数の方が、10MビットRAMの不良ビット数よりも圧倒的に少ない。
ただし、この情報からでは、そのような不良ビット数の差が、単にRAM規模の違いに起因して生じたものなのか、10MビットRAM搭載品の形成時にプロセス上の不具合が発生したことにより生じたものなのか、判断することができない。
一方、図6に示したフローに従い、モード分類まで行ってさらに正規化を行った場合には、図8に示すようなグラフを得ることができる。ここでは、1MビットRAMの不良ビット数はそのままで、10MビットRAMの不良ビット数を1Mビット当たりの不良ビット数に変換する。具体的には、各モードの不良ビット数を10分の1にすることで、正規化を行っている。
図8より、正規化を行うと、1Mビット当たりでは、1MビットRAMの不良ビット数の方が、10MビットRAMの不良ビット数よりも多くなることがわかる。すなわち、1Mビット当たりの不良ビットの発生頻度は、1MビットRAMの方が高いことになる。図8のようなグラフを得ることで、規模が異なるRAMの不良ビットの発生頻度を適正かつ容易に比較することができる。
なお、ここでは、RAM規模を用いて正規化する場合を例示したが、トランジスタ数やRAM面積等を用いて正規化することも可能である。また、1MビットRAMと10MビットRAMのように規模が異なる2種類のRAMが1チップに形成されているような場合にも、上記の処理フローの例に従って正規化することが可能である。この場合は、例えば、RAM規模で正規化した後、さらにその値をセルサイズ等で正規化して比較する。
また、解析システム1では、このように正規化を行った場合にも、解析サーバ30の不良ビット箇所データの中から、PC40で品種、ロット、ウェハ、チップ、RAM、フェイルデータ測定条件等を指定した特定の不良ビット箇所データを用いて、ウェハごと、チップごと、あるいはRAMごとに、FBMを単独であるいは重ね合わせて表示させることができる。
以上、解析システム1の処理フローを、モード分類部33でのモード分類後にRAM配置分類部34でのRAMの配置状態による分類を行う場合、およびモード分類部33によるモード分類後に正規化部35による正規化を行う場合を例に、それぞれ説明した。このほか、処理の順序を変えて、RAM配置分類部34でのRAMの配置状態による分類後にモード分類部33でのモード分類を行ったり、正規化部35による正規化後にモード分類部33でのモード分類を行ったりすることもできる。
また、解析システム1では、モード分類、RAMの配置状態による分類、および正規化の3つの処理のうち、いずれか1つの処理のみを行うようにすることもできる。また、解析システム1では、モード分類を行わず、RAMの配置状態による分類と正規化を行うようにしたり、モード分類、RAMの配置状態による分類、および正規化の3つの処理をすべて行うようにしたりすることもできる。
例えば、RAMの規模が異なるRAMのそれぞれについて配置状態が異なるもののデータがある場合、RAMの配置状態による分類と正規化の処理を行うと、RAMの規模ごとに、RAMの配置状態と正規化後の不良ビット数との関係を得ることができる。さらに、それらの処理に加えてモード分類の処理を行っていれば、RAMの規模ごとに、RAMの配置状態と、モードを区別した正規化後の不良ビット数との関係を得ることができる。
前述のように、いずれの処理を行うかの指定や、指定した処理の処理条件等は、PC40から行うことができる。
また、この解析システム1での処理結果の表示方法は、図5や図8に示したような表示例に限定されるものではない。例えば、図5に例示したようなRAMの配置状態と不良ビット数との関係のほか、RAMの配置状態と、不良メモリセル数、不良RAM数あるいは不良チップ数等との関係を表示することもできる。
なお、上記の解析システム1の構成は一例であって、他の構成とすることも可能である。例えば、上記の解析システム1では、解析サーバ30を備える構成としたが、この解析サーバ30が有する処理機能を、PC40が有するように構成することもできる。その場合、設計データサーバ10の設計データや、テスタ20のフェイルデータは、PC40で取得され、PC40では、所定の変換処理、分類処理、正規化処理等が実行され、指定された所定のデータがFBMやグラフとして表示される。
また、上記の解析システム1では、解析サーバ30が定期的に、設計データサーバ10の設計データや、テスタ20のフェイルデータを取得する場合を例示した。このほか、フェイルデータが取得されるたびに、不良ビット箇所データ生成部31で不良ビット箇所データの生成を行って、解析データ記憶部32に記憶しておき、その不良ビット箇所データを用いてモード分類等の指定された処理を実行するようにしてもよい。
また、解析サーバ30が設計データやフェイルデータを取得するタイミングと、モード分類等の実行する処理をあらかじめ設定しておき、そのタイミングで所定の処理を自動的に実行し、その処理後のデータを解析データ記憶部32に記憶しておくようにしてもよい。さらに、その処理後のデータを、特定のPC40に自動的に送信するようにしてもよい。
また、以上の説明では、回路領域としてRAMを例示したが、上記のような解析システム1は、チップ内の配置状態を変えて形成可能な他の回路領域(メモリ回路領域に限らない。)についても、同様に適用可能である。
また、以上説明したような解析システムが有する処理機能は、コンピュータを用いて実現可能である。その場合、そのような解析システムが有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、所定の処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、磁気記録装置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリ等、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。
解析システムの構成例を示す図である。 解析システムの概念図である。 不良ビットのモードおよびRAMの配置状態による分類を行う場合の処理フローの一例を示す図である。 RAMの配置状態を考慮しなかった場合の表示例を示す図である。 RAMの配置状態を考慮した場合の表示例を示す図である。 不良ビットのモードによる分類および正規化を行う場合の処理フローの一例を示す図である。 正規化を行わなかった場合の表示例を示す図である。 正規化を行った場合の表示例を示す図である。 RAMの配置状態の一例を示す図である。
符号の説明
1 解析システム
10 設計データサーバ
11 設計データ記憶部
20 テスタ
21 測定部
22 テストデータ記憶部
30 解析サーバ
31 不良ビット箇所データ生成部
32 解析データ記憶部
33 モード分類部
34 RAM配置分類部
35 正規化部
40 PC
41 入力部
42 抽出部
43 表示部

Claims (7)

  1. 不良解析を行う解析システムにおいて、
    配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成する不良箇所データ生成部と、
    前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する分類部と、
    を有することを特徴とする解析システム。
  2. 前記分類部は、前記不良箇所データを、所定の向きに対して前記回路領域が配置されている向きによって分類することを特徴とする請求項1記載の解析システム。
  3. 前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所の分布状態によって分類する分布分類部をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の解析システム。
  4. 前記不良箇所データを用いて前記回路領域の不良箇所の発生頻度を求め、前記発生頻度を正規化する正規化部をさらに有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の解析システム。
  5. 不良解析を行う解析方法において、
    不良箇所データ生成部によって、配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成し、
    分類部によって、前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する、
    ことを特徴とする解析方法。
  6. 前記分類部は、前記不良箇所データを、所定の向きに対して前記回路領域が配置されている向きによって分類することを特徴とする請求項5記載の解析方法。
  7. コンピュータに不良解析を行う処理を実行させる解析処理プログラムにおいて、
    コンピュータを、
    配置状態が異なる複数の回路領域についての不良箇所を示す不良箇所データを生成する手段、
    前記不良箇所データを、前記不良箇所データが示す不良箇所を有する前記回路領域の配置状態によって分類する手段、
    として機能させることを特徴とする解析処理プログラム。
JP2007288899A 2007-11-06 2007-11-06 解析システム、解析方法および解析処理プログラム Withdrawn JP2009117609A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007288899A JP2009117609A (ja) 2007-11-06 2007-11-06 解析システム、解析方法および解析処理プログラム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007288899A JP2009117609A (ja) 2007-11-06 2007-11-06 解析システム、解析方法および解析処理プログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009117609A true JP2009117609A (ja) 2009-05-28

Family

ID=40784401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007288899A Withdrawn JP2009117609A (ja) 2007-11-06 2007-11-06 解析システム、解析方法および解析処理プログラム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009117609A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9672142B2 (en) 2013-06-06 2017-06-06 International Business Machines Corporation Replacement of suspect or marginally defective computing system components during fulfillment test of build-to-order test phase

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9672142B2 (en) 2013-06-06 2017-06-06 International Business Machines Corporation Replacement of suspect or marginally defective computing system components during fulfillment test of build-to-order test phase

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI694343B (zh) 基於製作風險評定之半導體製作製程控制
JP6127170B2 (ja) ウェハ上で検出された欠陥をビン範囲に従って分けるように構成されたシステム
JP5405453B2 (ja) 設計データ領域での検査データの位置を決める方法と装置
JP2002100660A (ja) 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
TWI617816B (zh) 晶圓的可適性電性測試
JP4658206B2 (ja) 検査結果解析方法および検査結果解析装置、異常設備検出方法および異常設備検出装置、上記検査結果解析方法または異常設備検出方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、並びに上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US7954018B2 (en) Analysis techniques for multi-level memory
US9880550B2 (en) Updating of a recipe for evaluating a manufacturing stage of an electrical circuit
JP2007240376A (ja) 半導体集積回路の静止電源電流検査方法および装置
US20210181253A1 (en) Fail Density-Based Clustering for Yield Loss Detection
JP2009117609A (ja) 解析システム、解析方法および解析処理プログラム
CN111429427B (zh) 检测对象缺陷图案的优先级排序装置、排序方法及存储介质
TWI750074B (zh) 半導體裝置的缺陷分析方法與電子裝置
US20050114058A1 (en) Method for analyzing inspected data, apparatus and its program
US11989226B2 (en) Classification system and classification method using lerned model and model including data distribution
US10976264B2 (en) Analysis system
JP5044323B2 (ja) 半導体集積回路開発支援システム
JP2010040133A (ja) 半導体メモリ検査装置
CN117981066A (zh) 对具有共同定位的建模瑕疵的缺陷加权的系统及方法
JP2005072437A (ja) 半導体ウェーハの検査方法および検査システム
Koyama et al. Yield management for development and manufacture of integrated circuits
JP2005147765A (ja) 半導体メモリ評価装置及びそれを用いた不良解析方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100723

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101026

A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20101208

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761