JP2009115844A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを作成するＯＰＣモデル作成プログラムであって、
   所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定する参照面の位置を取得する第１取得ステップと、
   前記投影光学系の最良結像面と前記第１取得ステップで取得した参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置を取得する第２取得ステップと、
   前記第１取得ステップで取得した参照面の位置と、前記第２ステップで取得したウェハの表面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正し、前記ＯＰＣモデルを作成する作成ステップと
   をコンピュータに実行させるＯＰＣモデル作成プログラム。
2. 前記作成ステップにおいて、前記差分が所定の閾値を超えない場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として、前記露光装置のレベリングオフセットを用いて、前記設計レイアウトを補正し、前記ＯＰＣモデルを作成する
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
3. 前記第２取得ステップにおいて、前記最良結像面と前記参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハにおける表面の位置を、前記ウェハの加工前の表面の凹凸情報と、前記ウェハの表面が作成されるまでの間に用いられたマスクのマスクレイアウトとに基づいて導出する
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
4. 前記閾値は、前記投影光学系の焦点深度よりも小さい
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
5. 前記作成ステップにおいて、前記ＯＰＣモデルを、像高ごとに作成する
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
6. 前記作成ステップにおいて、前記ＯＰＣモデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写したときに前記ウェハの表面上に形成される転写像を予測し、前記予測により得られた転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、プロセスパラメータを修正し、前記ＯＰＣモデルを再作成する
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
7. 前記プロセスパラメータは、少なくともデフォーカス値を含む
   請求項１に記載のＯＰＣモデル作成プログラム。
8. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを作成するＯＰＣモデル作成装置であって、
   所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正し、前記ＯＰＣモデルを作成する作成部を備えた
   ＯＰＣモデル作成装置。
9. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写する転写工程と、
   前記ウェハの表面上に形成された転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで、前記プロセスパラメータの値を調整する調整工程と
   を含み、
   前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成されている
   露光装置調整方法。
10. 前記プロセスパラメータは、少なくとも、露光量、デフォーカス値、開口数およびコヒーレンスファクタを含む
    請求項９に記載の露光装置調整方法。
11. 前記マスクを他の露光装置においても用いる場合には、前記他の露光装置におけるプロセスパラメータとして、前記調整工程において調整されたプロセスパラメータのうち少なくとも露光量およびデフォーカス値を流用する
    請求項９に記載の露光装置調整方法。
12. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写した転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで、前記プロセスパラメータの値を調整する調整ステップをコンピュータに実行させることを特徴とする露光装置調整プログラムであって、
    前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成されている
    露光装置調整プログラム。
13. 前記プロセスパラメータは、少なくとも、露光量、デフォーカス値、開口数およびコヒーレンスファクタを含む
    請求項１２に記載の露光装置調整プログラム。
14. 前記ＯＰＣモデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクを他の露光装置においても用いる場合には、前記他の露光装置におけるプロセスパラメータとして、前記調整工程において調整されたプロセスパラメータのうち少なくとも露光量およびデフォーカス値を流用する
    請求項１２に記載の露光装置調整プログラム。
15. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写した転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで、前記プロセスパラメータの値を調整する調整部を備え、
    前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成されている
    露光装置調整装置。
16. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを製造用ウェハの表面に転写して半導体装置を製造する製造工程を含み、
    前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成され、
    前記プロセスパラメータの値は、マスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写した転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで調整されたものである
    半導体装置製造方法。
17. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを製造用ウェハの表面に転写して半導体装置を製造することをコンピュータに実行させることを特徴とする半導体装置製造プログラムであって、
    前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成され、
    前記プロセスパラメータの値は、マスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写した転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで調整されたものである
    半導体装置製造プログラム。
18. 入力パラメータとして少なくともデフォーカス値を有し、かつ集積回路設計データから作成される設計レイアウトを補正するＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correction）モデルを用いて作成されたマスクレイアウトを有するマスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを製造用ウェハの表面に転写して半導体装置を製造する製造部を備え、
    前記ＯＰＣモデルは、所定のパターンが形成されたマスクを用いて前記パターンの像をウェハの表面上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の光軸方向への前記ウェハの移動および前記光軸を法線とする平面に対する前記ウェハの傾斜を調整可能なステージとを有し、前記マスクのパターンの像を前記ウェハの表面上に転写する露光装置の前記投影光学系の最良結像面と、前記ステージ上に前記ウェハを載置したときの当該ウェハの表面として仮想的に設定された参照面との位置ずれが最小となるように調整されたステージ上の前記ウェハの表面の位置と、前記参照面の位置との差分が所定の閾値を超える場合には、前記入力パラメータのデフォーカス値として前記差分を用いて前記設計レイアウトを補正することにより作成され、
    前記プロセスパラメータの値は、マスクと、所定の値に設定されたプロセスパラメータとを用いて前記マスクレイアウトを前記ウェハの表面に転写した転写像が、所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となっていない場合には、前記ウェハの表面上に形成された転写像が所望の形状および寸法のパターンとの関係で所定の範囲内となるまで調整されたものである
    半導体装置製造装置。