JP2009111168A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体レーザの温度変動に起因する出力光の周波数特性の変動を低減することが可能な半導体レーザ駆動回路を提供する
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路１は、半導体レーザ５に並列に接続された第１のトランジスタ１８をスイッチングして該半導体レーザ５に供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザ５の出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、分流したバイアス電流を第１のトランジスタ１８に導くように、第１のトランジスタ１８に直列に接続された第２のトランジスタ２０を備え、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを半導体レーザ５の温度に応じて変更する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザを駆動するための駆動回路に関するものである。

半導体レーザを駆動する駆動回路として、シャント駆動型の半導体レーザ駆動回路が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。シャント駆動型の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザに並列に接続されたトランジスタを備え、このトランジスタをスイッチングして半導体レーザに供給されるバイアス電流を分岐することにより、半導体レーザの出力光を変調する。

この種の半導体レーザ駆動回路では、トランジスタと半導体レーザとの間の接続配線の寄生容量などに起因して、半導体レーザの出力光の周波数特性が低下してしまう。この点に関し、特許文献３には、トランジスタと半導体レーザとの間に線路インダクタンスを備え、この線路インダクタンスとトランジスタの出力容量との共振により、半導体レーザの出力光の周波数特性を改善する半導体レーザ駆動回路が記載されている。
特開昭６１−１４４９２４号公報 米国特許第６６１８４０８号明細書 特開２００５−０５７２０６号公報

しかしながら、特許文献３に記載の半導体レーザ駆動回路では、半導体レーザの温度変動に起因して、半導体レーザの出力光の周波数特性を変動させてしまう。

詳説すれば、半導体レーザでは、温度に依存して寄生抵抗の値が変動する。具体的には、半導体レーザの寄生抵抗値は、低温になるほど大きくなる。この半導体レーザの寄生抵抗値は、線路インダクタンスとトランジスタの出力容量との共振を抑制（ダンピング）するように作用するので、半導体レーザの温度が低くなるほど、半導体レーザの寄生抵抗値が大きくなり、線路インダクタンスとトランジスタの出力容量との共振が弱まってしまう。その結果、半導体レーザの出力光の周波数帯域が狭くなってしまう。

このように、特許文献３に記載の半導体レーザ駆動回路では、半導体レーザの温度に依存して、出力光の周波数特性が変動してしまう。

そこで、本発明は、半導体レーザの温度変動に起因する出力光の周波数特性の変動を低減することが可能な半導体レーザ駆動回路を提供することを目的としている。

本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザに並列に接続された第１のトランジスタをスイッチングして該半導体レーザに供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザの出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、分流したバイアス電流を第１のトランジスタに導くように、第１のトランジスタに直列に接続された第２のトランジスタを備え、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスを半導体レーザの温度に応じて変更することを特徴としている。

この半導体レーザ駆動回路では、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路と半導体レーザとの間のインダクタ成分（伝送線路の寄生インダクタやインダクタ素子など）と、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力容量とが共振し、この共振は、半導体レーザの寄生抵抗と第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗とによって抑制（ダンピング）されることとなる。

この半導体レーザ駆動回路によれば、第２のトランジスタが第１のトランジスタに対してカスコード接続されているので、第１のトランジスタの出力抵抗の値をＲｄｓ１、第２のトランジスタの出力抵抗の値をＲｄｓ２、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスをｇｍ２とすると、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗の値は、
Ｒｄｓ１＋Ｒｄｓ２＋ｇｍ２・Ｒｄｓ１・Ｒｄｓ２
となる。

そして、この半導体レーザ駆動回路によれば、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスｇｍ２を半導体レーザの温度に応じて変更するので、半導体レーザの寄生抵抗値が温度変動しても、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗を変更することによって、半導体レーザの温度変動に起因する共振の強弱の変動を低減することができ、半導体レーザの出力光の周波数特性の変動を低減することができる。

本発明の別の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザに並列に接続された第１のトランジスタをスイッチングしてバイアス電流源から該半導体レーザに供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザの出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、分流したバイアス電流を第１のトランジスタに導くように、第１のトランジスタに直列に接続された第２のトランジスタを備え、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスをバイアス電流に応じて変更することを特徴としている。

この別の半導体レーザ駆動回路でも、上記したように、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路と半導体レーザとの間のインダクタ成分（伝送線路の寄生インダクタやインダクタ素子など）と、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力容量とが共振し、この共振は、半導体レーザの寄生抵抗と第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗とによって抑制（ダンピング）されることとなる。

また、この別の半導体レーザ駆動回路でも、第２のトランジスタが第１のトランジスタに対してカスコード接続されているので、上記したように、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗の値は、
Ｒｄｓ１＋Ｒｄｓ２＋ｇｍ２・Ｒｄｓ１・Ｒｄｓ２
となる。

ところで、半導体レーザ駆動回路では、ＡＰＣ（Auto-Power Control）回路が備えられていることがある。ＡＰＣ回路は、半導体レーザの温度変動に起因して変動する出力光の強度を一定にするようにバイアス電流を変更する。

この別の半導体レーザ駆動回路によれば、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスをバイアス電流に応じて変更するので、半導体レーザの寄生抵抗値が温度変動しても、第１及び第２のトランジスタから構成される直列回路の出力抵抗を変更することによって、半導体レーザの温度変動に起因する共振の強弱の変動を低減することができ、半導体レーザの出力光の周波数特性の変動を低減することができる。

本発明の別の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザの出力光の一部を受けて、該出力光に応じた電流を流す受光素子と、受光素子の出力を受け、半導体レーザの出力光が一定となるようにバイアス電流を調整するためのＡＰＣ信号をバイアス電流源に供給するＡＰＣ回路と、第２のトランジスタに駆動信号を供給してその伝達コンダクタンスを変更する制御回路と、を更に備え、制御回路はバイアス電流を検知して駆動信号を制御することが好ましい。この構成によれば、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスを半導体レーザの温度に応じて自立的に変更することができる。

また、本発明の別の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザの出力光の一部を受けて、該出力光に応じた電流を流す受光素子と、受光素子の出力を受け、半導体レーザの出力光が一定となるようにバイアス電流を調整するためのＡＰＣ信号をバイアス電流源に供給するＡＰＣ回路と、第２のトランジスタに駆動信号を供給してその伝達コンダクタンスを変更する制御回路と、を更に備え、制御回路はＡＰＣ信号に応じて駆動信号を制御することが好ましい。この構成によれば、第２のトランジスタの伝達コンダクタンスを半導体レーザの温度に応じて自立的に変更することができる。

本発明によれば、半導体レーザの温度変動に起因する出力光の周波数特性の変動を低減することができる。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［第１の実施形態］

図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。なお、図１には、半導体レーザ駆動回路１と共に半導体レーザ５が示されている。半導体レーザ駆動回路１は、バイアス電流源１２と、インダクタ１４，１６と、第１及び第２のトランジスタ１８，２０と、抵抗素子２２と、温度検出部２４と、制御回路２６とを備えている。

バイアス電流源１２は、半導体レーザ５にバイアス電流を供給する。バイアス電流源１２は、高電位側の電源２と半導体レーザ５のアノードとの間に接続されており、半導体レーザ５のカソードは、低電位側（例えば接地側）の電源３に接続されている。バイアス電流源１２と半導体レーザ５との間には、インダクタ１４，１６が接続されている。

インダクタ１４は、半導体レーザ５を変調する際に、第１のトランジスタ１８のスイッチングに影響を受けることなく、バイアス電流源１２からのバイアス電流を安定化するために設けられている。

一方、インダクタ１６は、第１及び第２のトランジスタ１８，２０の直列回路の出力容量と共振して、半導体レーザの出力光の周波数特性を改善するために設けられている。なお、インダクタ１６は、インダクタ素子であってもよいし、第１及び第２のトランジスタ１８，２０の直列回路と半導体レーザ５との間の伝送線路の寄生インダクタ成分であってもよい。

第１及び第２のトランジスタ１８，２０は、半導体レーザ５に並列に接続されると共に、互いに直列に接続されている。本実施形態では、第１及び第２のトランジスタ１８，２０は、電界効果トランジスタである。

第１のトランジスタ１８のソースは低電位側の電源３に接続されており、第１のトランジスタ１８のドレインは第２のトランジスタ２０のソースに接続されている。第１のトランジスタ１８のゲートと低電位側の電源３との間には、すなわち第１のトランジスタ１８のゲートとソースとの間には、抵抗素子２２が接続されており、ゲートには変調信号Ｓｍが入力される。このようにして、第１のトランジスタ１８は、入力される変調信号Ｓｍに応じてスイッチングし、バイアス電流源１２から半導体レーザ５に供給されるバイアス電流を分流することにより、半導体レーザ５から出力される出力光を変調する。

第２のトランジスタ２０のドレインは、インダクタ１４とインダクタ１６との間のノードに接続されている。すなわち、第２のトランジスタ２０のドレインは、インダクタ１４を介してバイアス電流源１２に接続されると共に、インダクタ１６を介して半導体レーザ５のアノードに接続されている。第２のトランジスタ２０のゲートには制御回路２６からの制御信号が入力される。このようにして、第２のトランジスタ２０は、分流したバイアス電流を第１のトランジスタ１８に導く。

温度検出部２４は、半導体レーザ５の周囲温度を検出して、検出した周囲温度に応じた大きさの温度信号を生成する。温度検出部２４は、例えば、半導体レーザ５に隣接したサーミスタを備え、温度に応じて変動するサーミスタの両端電圧、又は、サーミスタに流れる電流に応じた温度信号を生成する。温度検出部２４は、生成した温度信号を制御回路２６へ出力する。

制御回路２６は、第２のトランジスタ２０を駆動するための制御信号（駆動信号）を生成し、この制御信号の大きさを温度検出部２４からの温度信号の大きさに応じて変更する。具体的には、制御回路２６は、半導体レーザ５の温度が低下して寄生抵抗が大きくなる場合に、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを大きくするように制御信号の大きさを変更する。一方、半導体レーザ５の温度が上昇して寄生抵抗が小さくなる場合には、制御回路２６は、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを小さくするように制御信号の大きさを変更する。

次に、比較例の半導体レーザ駆動回路を用いて、第１の実施形態の半導体レーザ駆動回路１の作用効果について説明する。

図２は、比較例に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。半導体レーザ駆動回路１Ｘは、半導体レーザ駆動回路１において第２のトランジスタ２０と、温度検出部２４と、制御回路２６とを備えていない点で第１の実施形態の半導体レーザ駆動回路と異なっている。

図３は、比較例の半導体レーザ駆動回路１Ｘ及び半導体レーザ５を等価的に示す小信号等価回路図である。図３において、Ｒｌｄは半導体レーザ５の微分抵抗（寄生抵抗）であり、Ｃｌｄは半導体レーザ５の微分容量である。このように、半導体レーザ５は、ＲｌｄとＣｌｄとの並列回路によって等価的に表すことができる。

また、図３において、Ｃｇｓ、Ｃｇｄ及びＣｄｓは、それぞれ、第１のトランジスタ１８のゲート−ソース間の寄生容量、ゲート−ドレイン間の寄生容量、ドレイン−ソース間の寄生容量である。また、Ｒｄｓは第１のトランジスタ１８のドレイン−ソース間の寄生抵抗であり、ｇｍＶ１は、入力電圧をＶ１としたときの第１のトランジスタ１８の増幅率を表している。

図４は、比較例の半導体レーザ駆動回路１Ｘ及び半導体レーザ５の周波数特性を示す図である。詳説すれば、図４には、図３に示す等価回路における半導体レーザ５の駆動電流の周波数応答のシミュレーション結果が示されている。

このシミュレーションでは、抵抗素子２２の抵抗値を５０Ω、インダクタ１６のインダクタンスを３００ｐＨ、第１のトランジスタ１８の寄生容量値及び寄生抵抗値をそれぞれＣｇｓ＝２５０ｆＦ、Ｃｇｄ＝１００ｆＦ、Ｃｄｓ＝４００ｆＦ、Ｒｄｓ＝１００Ω、半導体レーザ５の微分容量値をＣｌｄ＝５ｐＦとした。

そして、半導体レーザ５の微分抵抗値をＲｌｄ＝４Ωとした結果が曲線５１Ｘであり、Ｒｌｄ＝８Ωとした結果が曲線５２Ｘである。曲線５１Ｘによれば、インダクタ１６と第１のトランジスタ１８の出力容量Ｃｄｓとの共振により、７．５ＧＨｚ付近に周波数ピーキングが観測される。

一方、曲線５２Ｘによれば、半導体レーザ５の微分抵抗成分Ｒｌｄが大きくなると、共振の効果が抑制され(ダンピングされ)、周波数帯域が狭くなってしまうことがわかる。

半導体レーザでは、温度に依存して微分抵抗Ｒｌｄの値が変動するので、比較例の半導体レーザ駆動回路１Ｘでは、半導体レーザの温度に依存して出力光の周波数特性が変動してしまう。

また、半導体レーザの動作温度が高温になる程リーク電流が増大し、微分抵抗Ｒｌｄの値が小さくなってしまう。このように、発光に寄与しないリーク電流の存在により、半導体レーザの動作温度に依存して出力光の周波数特性が変動する場合がある。

次に、図５に、比較例の半導体レーザ駆動回路１Ｘ及び半導体レーザ５の別の周波数特性を示す。図５には、図３に示す等価回路における半導体レーザ５の駆動電流の周波数応答の別のシミュレーション結果が示されている。

このシミュレーションでは、上記と同様に、抵抗素子２２の抵抗値を５０Ω、インダクタ１６のインダクタンスを３００ｐＨ、第１のトランジスタ１８の寄生容量値及び寄生抵抗値をそれぞれＣｇｓ＝２５０ｆＦ、Ｃｇｄ＝１００ｆＦ、Ｃｄｓ＝４００ｆＦ、半導体レーザ５の微分容量値をＣｌｄ＝５ｐＦとした。

そして、図４と同様に、半導体レーザ５の微分抵抗値をＲｌｄ＝４Ω、第１のトランジスタ１８の出力抵抗値をＲｄｓ＝１００Ωとした結果が曲線５１Ｘである。また、半導体レーザ５の微分抵抗値をＲｌｄ＝８Ω、第１のトランジスタ１８の出力抵抗値をＲｄｓ＝１０００Ωとした結果が曲線５２である。曲線５２によれば、半導体レーザ５の微分抵抗Ｒｌｄの値が大きくなったときには、第１のトランジスタ１８の寄生抵抗Ｒｄｓの値を大きくすれば、周波数特性の劣化を抑制することができることがわかる。

次に、第１の実施形態の半導体レーザ駆動回路１を解析する。第１の半導体レーザ駆動回路１では、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路と半導体レーザ５との間のインダクタ１６と、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力容量とが共振し、この共振は、半導体レーザ５の寄生抵抗と第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力抵抗とによって抑制（ダンピング）されることとなる。

ここで、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔは、下式（１）で表すことができる。
Ｚｏｕｔ＝Ｒｄｓ１＋Ｒｄｓ２＋ｇｍ２・Ｒｄｓ１・Ｒｄｓ２ ・・・（１）
Ｒｄｓ１：第１のトランジスタ１８の出力抵抗値
Ｒｄｓ２：第２のトランジスタ２０の出力抵抗値
ｇｍ２：第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンス

上記（１）式より、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスｇｍ２を変更することによって、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔを調整することができることがわかる。具体的には、半導体レーザ５の動作温度が低く、寄生抵抗Ｒｌｄの値が大きい場合には、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスｇｍ２が大きくなるように第２のトランジスタ２０のゲートバイアス電圧を調整すれば、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔを大きくすることができる。

これによれば、半導体レーザ５の動作温度が低く、寄生抵抗Ｒｌｄの値が大きい場合には、図５における曲線５２のように第１のトランジスタ１８の出力抵抗値Ｒｄｓ１を大きくする代わりに、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスｇｍ２が大きくなるように第２のトランジスタ２０のゲートバイアス電圧を調整すれば、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔを大きくすることができるので、周波数特性の劣化を抑制することができることがわかる。

一方、半導体レーザ５の動作温度が高く、寄生抵抗Ｒｌｄの値が小さい場合には、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスｇｍ２が小さくなるように第２のトランジスタ２０のゲートバイアス電圧を調整すれば、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔを小さくすることができる。

この第１の半導体レーザ駆動回路１によれば、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスｇｍ２を半導体レーザ５の温度に応じて変更するので、半導体レーザ５の寄生抵抗値Ｒｌｄが温度変動しても、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力抵抗Ｚｏｕｔを変更することによって、半導体レーザ５の温度変動に起因する共振の強弱の変動を低減することができ、半導体レーザ５の出力光の周波数特性の変動を低減することができる。その結果、広い動作温度範囲にわたって、半導体レーザ５の出力光の周波数特性を安定化させることが可能となる。
［第２の実施形態］

図６は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。なお、図６には、半導体レーザ駆動回路１Ａと共に半導体レーザ５が示されている。半導体レーザ駆動回路１Ａは、半導体レーザ駆動回路１においてバイアス電流源１２、温度検出部２４及び制御回路２６に代えてバイアス電流源１２Ａ及び制御回路２６Ａを備えており、更に受光素子２８及びＡＰＣ回路３０を備えている構成で第１の実施形態と異なっている。

受光素子２８は、半導体レーザ５からの出力光の一部を受けて、出力光の強度に応じた大きさの電流を流す。受光素子２８には、例えばフォトダイオードが用いられる。

ＡＰＣ回路３０は、受光素子２８に流れる電流に応じて、ＡＰＣ信号を生成する。具体的には、ＡＰＣ回路３０は、半導体レーザ５の出力光が一定になるように、バイアス電流を制御するためのＡＰＣ信号を生成する。

バイアス電流源１２Ａは、ＡＰＣ回路３０からのＡＰＣ信号の大きさに応じてバイアス電流の大きさを変更する。

制御回路２６Ａは、第２のトランジスタ２０を駆動するための制御信号（駆動信号）を生成し、この制御信号の大きさをバイアス電流源１２Ａからのバイアス電流の大きさに応じて変更する。具体的には、制御回路２６Ａは、バイアス電流の値が増減した場合に、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを変更するように制御信号の大きさを変更する。

この第２の半導体レーザ駆動回路１Ａでも、上記したように、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路と半導体レーザ５との間のインダクタ成分（伝送線路の寄生インダクタやインダクタ素子など）と、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力容量とが共振し、この共振は、半導体レーザ５の寄生抵抗と第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力抵抗とによって抑制（ダンピング）されることとなる。

そして、この第２の半導体レーザ駆動回路１Ａでも、第２のトランジスタ２０が第１のトランジスタ１８に対してカスコード接続されているので、上記（１）式のように、第１及び第２のトランジスタ１８，２０のカスコード回路の出力インピーダンスＺｏｕｔを調整することができる。

ところで、第２の半導体レーザ駆動回路１Ａでは、ＡＰＣ回路３０が、半導体レーザ５の温度変動に起因して変動する出力光を一定にするようにバイアス電流を変更し、制御回路２６Ａがこのバイアス電流に応じて第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを変更するので、半導体レーザ５の寄生抵抗値Ｒｌｄが温度変動しても、第１及び第２のトランジスタ１８，２０から構成される直列回路の出力抵抗Ｚｏｕｔを変更することによって、半導体レーザ５の温度変動に起因する共振の強弱の変動を低減することができ、半導体レーザの出力光の周波数特性の変動を低減することができる。
［第３の実施形態］

図７は、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。半導体レーザ駆動回路１Ｂは、半導体レーザ駆動回路１Ａにおいて制御回路２６Ａに代えて制御回路２６Ｂを備えている。

制御回路２６Ｂは、第２のトランジスタ２０を駆動するための制御信号（駆動信号）を生成し、この制御信号の大きさをＡＰＣ回路３０からのＡＰＣ信号の大きさに応じて変更する。具体的には、制御回路２６Ｂは、バイアス電流の値が増減した場合に、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを変更するように制御信号の大きさを変更する。

この第３の実施形態の半導体レーザ駆動回路１Ｂでも、第２の実施形態の半導体レーザ駆動回路１Ａと同様の利点を得ることができる。

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。

本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。 比較例に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。 比較例の半導体レーザ駆動回路及び半導体レーザを等価的に示す小信号等価回路図である。 比較例の半導体レーザ駆動回路及び半導体レーザの周波数特性を示す図である。 比較例の半導体レーザ駆動回路及び半導体レーザの別の周波数特性を示す。 本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。

符号の説明

１，１Ａ，１Ｂ…半導体レーザ駆動回路、５…半導体レーザ、１２，１２Ａ…バイアス電流源、１４，１６…インダクタ、１８，２０…第１及び第２のトランジスタ、２２…抵抗素子、２４…温度検出部、２６，２６Ａ，２６Ｂ…制御回路、２８…受光素子、３０…ＡＰＣ回路。

Claims (4)

1. 半導体レーザに並列に接続された第１のトランジスタをスイッチングして該半導体レーザに供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザの出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、
   分流したバイアス電流を前記第１のトランジスタに導くように、前記第１のトランジスタに直列に接続された第２のトランジスタを備え、
   前記第２のトランジスタの伝達コンダクタンスを前記半導体レーザの温度に応じて変更することを特徴とする、半導体レーザ駆動回路。
2. 半導体レーザに並列に接続された第１のトランジスタをスイッチングしてバイアス電流源から該半導体レーザに供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザの出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、
   分流したバイアス電流を前記第１のトランジスタに導くように、前記第１のトランジスタに直列に接続された第２のトランジスタを備え、
   前記第２のトランジスタの伝達コンダクタンスを前記バイアス電流に応じて変更することを特徴とする、半導体レーザ駆動回路。
3. 前記半導体レーザの出力光の一部を受けて、該出力光に応じた電流を流す受光素子と、
   前記受光素子の出力を受け、前記半導体レーザの出力光が一定となるように前記バイアス電流を調整するためのＡＰＣ信号を前記バイアス電流源に供給するＡＰＣ回路と、
   前記第２のトランジスタに駆動信号を供給してその伝達コンダクタンスを変更する制御回路と、を更に備え、
   前記制御回路は前記バイアス電流を検知して前記駆動信号を制御することを特徴とする、請求項２に記載の半導体レーザ駆動回路。
4. 前記半導体レーザの出力光の一部を受けて、該出力光に応じた電流を流す受光素子と、
   前記受光素子の出力を受け、前記半導体レーザの出力光が一定となるように前記バイアス電流を調整するためのＡＰＣ信号を前記バイアス電流源に供給するＡＰＣ回路と、
   前記第２のトランジスタに駆動信号を供給してその伝達コンダクタンスを変更する制御回路と、を更に備え、
   前記制御回路は前記ＡＰＣ信号に応じて前記駆動信号を制御することを特徴とする、請求項２に記載の半導体レーザ駆動回路。
   

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