JP2009111164A - 圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】応力集中による耐圧劣化を低減することができる圧力センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧力センサの製造方法は、第1半導体層1とダイアフラム4を構成する第2半導体層3との間に設けられた絶縁層2を備えた圧力センサの製造方法であって、絶縁層2をエッチングストッパとして、感圧領域となる部分の第1半導体層1をエッチングする工程と、感圧領域となる部分の絶縁層2をエッチングする工程と、第1半導体層1の側壁に保護膜7を形成する工程と、保護膜7を形成した後、感圧領域となる部分の第2半導体層3をエッチングして、ダイアフラム4を形成する工程と、を備えるものである。
【選択図】 図3
【解決手段】本発明にかかる圧力センサの製造方法は、第1半導体層1とダイアフラム4を構成する第2半導体層3との間に設けられた絶縁層2を備えた圧力センサの製造方法であって、絶縁層2をエッチングストッパとして、感圧領域となる部分の第1半導体層1をエッチングする工程と、感圧領域となる部分の絶縁層2をエッチングする工程と、第1半導体層1の側壁に保護膜7を形成する工程と、保護膜7を形成した後、感圧領域となる部分の第2半導体層3をエッチングして、ダイアフラム4を形成する工程と、を備えるものである。
【選択図】 図3
Description
本発明は、圧力センサ及びその製造方法に関し、特に詳しくは、ダイアフラムを有する圧力センサ及びその製造方法に関するものである。
半導体のピエゾ抵抗効果を利用した圧力センサが、小型、軽量、高感度であることから、工業計測、医療などの分野で広く利用されている。このような圧力センサでは、半導体ダイアフラム上に歪ゲージが形成されている。ダイアフラムに加わる圧力によって、歪ゲージが変形する。ピエゾ抵抗効果による歪ゲージの抵抗変化を検出して、圧力を測定している。
ダイアフラムは、半導体ウエハをエッチングで掘り込んでいくことによって形成される。ダイアフラムの厚さは、圧力センサの、特性に非常に大きな影響を及ぼす。従って、ダイアフラムの厚さ、すなわちエッチング量の正確な制御が必要とされる。そこで、半導体ウエハに絶縁層からなるエッチングストッパ層を形成する技術が開示されている(特許文献1)。
ここで、エッチングストッパ層を有する半導体基板を有する圧力センサの構成例について、図4を用いて説明する。図4は、圧力センサの構成を示す側面断面図である。図4に示すように、圧力センサは、n型単結晶Si層11とn型単結晶Si層13との間に、SiO2層12が配設されている。そして、SiO2層12をエッチングストッパ層として、感圧領域のn型単結晶Si層11がエッチングされている(1次掘り)。さらに、感圧領域のSiO2層12がエッチングされている。そして、n型単結晶Si層13をエッチングすること(2次掘り)により、ダイアフラム14が形成される。n型単結晶Si層13には、歪ゲージ15が形成されている。
この圧力センサでは、n型単結晶Si層13が所定の量だけエッチングされているため、ダイアフラム14のn型単結晶Si層13を均一な厚さにすることができる。また、ダイアフラム14及びダイアフラムエッジ部16のSiO2層12を除去することができる。これにより、ダイアフラムエッジ部16の強度を高めることができる。
しかしながら、本件出願に発明者により、上記の製造方法では、ダイアフラムエッジ部16に、ノッチ(notch:くぼみ)と呼ばれる応力集中箇所が形成されてしまうことが見出された。すなわち、高圧力(例えば、3MPa以上)では、ノッチに応力が集中してしまい、耐圧劣化、チップ破壊につながってしまう。この理由について、以下に説明する。
n型単結晶Si層13のエッチング時に、n型単結晶Si層11、及びSiO2層12の側壁がサイドエッチングされてしまう。従って、ダイアフラムエッジ部16において、エッチングレートの差からSiO2層12が露出され、一般的なノッチ形成メカニズムとされるSiO2層12への電荷の蓄積によりn型単結晶Si層11にノッチが形成される。ノッチでは、n型単結晶Si層11が、SiO2層の側端面よりも食い込んでいる。特に、応力分散するためのR形状をn型単結晶Si層13に形成するために、2次掘りにおいて等方性エッチングを用いることがある。すなわち、等方性エッチングを用いて応力集中箇所であるn型単結晶Si層13の端部にR形状を形成することで、応力を分散させることができる。n型単結晶Si層13を等方性エッチングで加工する場合、n型単結晶Si層11のサイドエッチングのレートが高くなる。このため、上記のノッチが形成され、ここに応力が集中し、耐圧劣化、チップ破壊につながってしまう。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、応力集中による耐圧劣化を低減することができる圧力センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様にかかる圧力センサの製造方法は、第1の半導体層とダイアフラムを構成する第2の半導体層との間に設けられた絶縁層を備えた圧力センサの製造方法であって、感圧領域となる部分の前記第1の半導体層をエッチングする工程と、前記感圧領域となる部分の前記絶縁層をエッチングする工程と、前記第1の半導体層の側壁に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後、前記感圧領域となる部分の前記第2の半導体層をエッチングして、前記ダイアフラムを形成する工程と、を備えるものである。これにより、ダイアフラムエッジ部での応力集中を緩和することができるため、耐圧劣化を低減することができる。
本発明の第2の態様にかかる圧力センサの製造方法は、上記の製造方法において、前記保護膜を形成する工程では、ボッシュプロセスで一般に用いられるフロロカーボン膜による保護ステップを実施することによって、前記保護膜を形成しているものである。これにより、簡便に保護膜を形成することができるため、生産性を向上することができる。
本発明の第3の態様にかかる圧力センサの製造方法は、上記の製造方法において、前記ダイアフラムを形成する工程では、前記第2の半導体層をサイドエッチングして、前記第2の半導体層に前記絶縁層のエッチング部分よりも大きい凹部を形成しているものである。
本発明の第4の態様にかかる圧力センサの製造方法は、上記の製造方法において、前記第1の半導体層をエッチングする工程では、前記絶縁層をエッチングストッパとしていることを特徴としているものである。
本発明の第5の態様にかかる圧力センサは、第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、感圧領域がダイアフラムとなる第2の半導体層とを備え、前記感圧領域において、前記第1の半導体層及び前記絶縁層に開口部が形成され、前記感圧領域の前記第2の半導体層に凹部が形成され、前記絶縁層と前記第1の半導体層との界面において、前記感圧領域側で前記第1の半導体層及び前記絶縁層の側端の位置が一致しているものである。
本発明の第6の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記第2の半導体層に形成された凹部が前記絶縁層の開口部よりも大きいことを特徴とするものである。
本発明によれば、応力集中による耐圧劣化を低減することができる圧力センサ及びその製造方法を提供することができる。
以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施の形態にかかる圧力センサの構成を示す側面断面図である。図2(a)は、圧力センサの構成を示す上面図である、図2(b)は、圧力センサの構成を示す下面図である。本実施の形態にかかる圧力センサは、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力センサである。
圧力センサは、基台となる第1半導体層1と、絶縁層2と、第2半導体層3とを備えている。第1半導体層1及び第2半導体層3は、例えば、n型単結晶シリコン層から構成されている。絶縁層2は、例えば、SiO2層から構成されている。第1半導体層1の上に、絶縁層2が形成されている。また、絶縁層2の上に、第2半導体層3が形成されている。従って、第1半導体層1と第2半導体層3の間に、絶縁層2が配設されている。絶縁層2は、第1半導体層1をエッチングする際に、エッチングストッパとして機能する。第2半導体層3は、ダイアフラム4を構成している。図2に示すように、ダイアフラム4はチップの中央部分に配設されている。
感圧領域となる部分において、第1半導体層1及び絶縁層2に開口部が形成され、第2半導体層3が露出している。すなわち、感圧領域となる圧力センサの中央部分では、第2半導体層3の両面が露出している。そして、感圧領域となる部分において、第2半導体層3には、凹部が形成されている。すなわち、感圧領域となる部分では、第2半導体層3の厚さがその他の部分に比べて薄くなっている。このように、第2半導体層3が薄くなっている部分が、圧力を測定するためのダイアフラム4となる。ここでは、上面視において、ダイアフラム4が正方形状に形成されている。正方形状のダイアフラム4に対応する領域が圧力センサの感圧領域となる。ダイアフラム4は、円形又は多角形状でもよい。
第2半導体層3の上面側には、歪ゲージ5が形成されている。ピエゾ抵抗効果を有する歪ゲージ5は、ダイアフラム4に配設される。ここでは、第2半導体層3に、4つの歪ゲージ5が形成されている。なお、第2半導体層3の上面には、歪ゲージ5と接続されるメタル電極(不図示)が形成される。そして、4つの歪ゲージ5がブリッジ回路に結線されている。ダイアフラム4によって隔てられた空間の圧力差によって、ダイアフラム4が変形する。歪ゲージ5は、ダイアフラム4の変形量に応じて抵抗が変化する。この抵抗変化を検出することで、圧力を測定することができる。
ここで、ダイアフラム4の両端近傍をダイアフラムエッジ部6とする。ダイアフラムエッジ部6では、第1半導体層1と絶縁層2との界面において、第1半導体層1の側端と絶縁層の側端との位置が一致している。すなわち、感圧領域側では、第1半導体層1の側端と絶縁層の側端とが同じ位置にある。従って、ノッチフリーの構造となり、高圧力(例えば、3MPa以上)でも、応力集中を低減することができる。圧力センサの耐圧劣化、チップ破壊を抑制することができる。また、ダイアフラムエッジ部6では、第2半導体層3の側端が、第1半導体層1及び絶縁層2に形成された開口部の外側に、はみ出している。そして、第2半導体層3の側端はR形状に加工される。よって、応力集中を緩和することができる。
次に、圧力センサの製造方法について、図3を用いて説明する。図3は、圧力センサの製造方法を示す工程断面図である。まず、図3(a)に示すように、第1半導体層1と、0.5μm程度の厚さの絶縁層2、及び第2半導体層3からなるSOI(Silicon On Insulator)ウエハを用意する。このSOIウエハを作製するには、Si基板中に酸素を注入してSiO2 層を形成するSIMOX(Separation by IMplanted OXygen)技術を用いてもよいし、2枚のSi基板を貼り合わせるSDB(Silicon DirectBonding)技術を用いてもよいし、その他の方法を用いてもよい。
第2半導体層3を、平坦化及び薄膜化する。例えば、CCP(ComputerControlled Polishing )と呼ばれる研磨法等により、所定の厚さ(例えば80μm)まで、第2半導体層3を研磨する。
このようにして形成されたSOIウエハの下面にSiO2膜又はレジスト(不図示)を形成する。このSiO2膜又はレジストの感圧領域(ダイアフラム4が形成される領域)に相当する部分に開口部を形成する。そして、このようにパターニングされたSiO2 膜又はレジストをダイアフラム形成用のエッチングマスクとして、第1半導体層1をエッチングする(1次掘り)。ここでは、ドライエッチングにより、第1半導体層1を加工している。より具体的には、ICPボッシュプロセスによって、第1半導体層1をエッチングする。ボッシュプロセスでは、異方性エッチングが行われるため、第1半導体層1の側端面がほぼ垂直になる。
なお、ボッシュプロセスでは、エッチングステップと、保護ステップ(デポステップ)とが交互に実施される。エッチングステップと保護ステップとは、数秒毎に繰り返し実行される。エッチングステップでは、例えば、SF6ガスを用いた等方的なエッチングが行われる。保護ステップでは、フロロカーボンガス(例えば、C4F8等)を用いて側壁を保護する。すなわち、側壁を保護する膜を第1半導体層1に堆積する。これにより、エッチングステップでの横方向のエッチングが抑制されるため、第1半導体層1に対して異方性エッチングを行うことができる。このように、ボッシュプロセスを用いることで、シリコンを深掘りすることができ、垂直なトレンチ構造が形成される。
ここで、絶縁層2がエッチングストッパとして機能している。このため、エッチングは、上記開口部において徐々に進行するが、絶縁層2に到達すると自動的に停止する。このように、絶縁層2が露出するまで、第1の半導体層1が除去される。これにより、圧力センサとなるチップの中央部分において、第1半導体層1に開口部が形成され、絶縁層2が露出する。もちろん、KOHやTMAH等の溶液を用いたウェットエッチングにより、第1半導体層1をエッチングしてもよい。この場合、第1半導体層1がテーパ状に加工される。
続いて、第1半導体層1をエッチングマスクとして、絶縁層2をエッチングする。例えば、HF等の溶液を用いたウェットエッチングにより、絶縁層2を加工する。もちろん、絶縁層2は、これ以外のエッチャントでエッチングされてもよく、ドライエッチングでエッチングされてもよい。第1半導体層1のエッチングによって露出した絶縁層2が除去され、図3(c)に示す構成となる。このように、感圧領域となる部分において、第1半導体層1、及び絶縁層2に開口部が形成され、第2半導体層3が露出する。ここでは、第1半導体層1、及び絶縁層2に設けられた開口部の径は略同じである。
そして、ウエハの表面に所定の厚さの保護膜7を形成すると、図3(d)に示す構成となる。保護膜7は、ウエハの全面に形成される。従って、保護膜7は、第1半導体層1を覆うように形成される。さらに、絶縁層2の側面と、第2半導体層3が露出した部分と、に保護膜7が形成される。すなわち、第1半導体層1及び絶縁層2に開口部が形成された部分では、第2半導体層3の表面に保護膜7が堆積する。保護膜7は、後述する第2半導体層3のエッチング工程で、第1半導体層1がサイドエッチングされるのを保護する。
保護膜7は、例えば、ボッシュプロセスの保護ステップを行うことで、形成される。すなわち、C4F8ガスなどの炭素原子とフッ素原子を含むガスを用いて保護膜7を成膜する。ここでは、フロロカーボンガスを用いているため、保護膜7はフロロカーボン膜によって形成される。これにより、ウエハの全面に、保護膜7が堆積される。なお、数秒の保護ステップを繰り返し行うことで保護膜を形成しても良く、保護ステップを連続して長時間行うことにより、保護膜7を形成してもよい。さらには、ボッシュプロセス以外のプロセスで保護膜7を形成してもよい。例えば、フォトレジストなどで保護膜7を形成してもよい。あるいは、CVD(化学的気相成長法)等により、保護膜7を体積してもよい。また、保護膜7は、次に実施される第2半導体層3のエッチング工程において、第1半導体層1がサイドエッチングされない程度の厚さで形成する。すなわち、第2半導体層3のエッチング量を考慮して、保護膜7を形成する厚さが設定される。また、保護膜7は、第1半導体層1の側壁に形成されていればよく、その他の部分には形成されていなくても良い。
その後、保護膜7が形成された状態で、第2半導体層3をエッチングする(2次掘り)。これにより、第2半導体層3にダイアフラム4となるための凹部が形成される。ここでは、ボッシュプロセスのエッチングステップを用いることができる。すなわち、硫黄原子とフッ素原子を含むガス(SF6)を用いて、ドライエッチングを行う。第1半導体層1の側壁に、保護膜7が形成されているため、第1半導体層1のサイドエッチングが抑制される。このため、第1半導体層1がエッチングされず、第1半導体層1と絶縁層2との界面に、ノッチが形成されない。すなわち、第1半導体層1と絶縁層2との界面において、第1半導体層1の側端と絶縁層2の側端とを同じ位置にすることができる。感圧領域側で、第1半導体層1の側端と、絶縁層の側端との位置を一致させることができる。なお、第2半導体層3のエッチング深さは、時間管理により所定の微小量(5〜50μm程度)に制御される。
また、第2半導体層3にバイアス電圧を印加した状態で、ドライエッチングを行うと、イオンが第2半導体層3に向かって加速される。このため、イオンの縦方向の速度が、横方向の速度よりも高くなる。プラズマ中のイオンの大部分は、第1半導体層1及び絶縁層2の開口部において、第2半導体層3に向かう。従って、第2半導体層3の表面に形成された保護膜7に対するイオンの衝突頻度が高くなり、第2半導体層3の表面に形成された保護膜7は、ある程度高いエッチングレートで、エッチングされていく。そして、第2半導体層3の表面に形成された保護膜7が速やかに除去され、第2半導体層3が露出する。
一方、上記と同様の理由で第1半導体層1の側壁に設けられた保護膜7に対するイオンの衝突頻度は相対的に低くなるため、第1半導体層1の側壁表面に形成された保護膜7のエッチングレートは低くなる。従って、開口部における保護膜7の縦方向のエッチングレートは、横方向のエッチングレートよりも高くなる。これにより、第1半導体層1の側壁表面に形成された保護膜7が残った状態で、第2半導体層3がエッチングされていく。第1半導体層1の側壁がエッチングされなくなり、応力集中箇所のないノッチフリー構造にすることができる。
また、第2半導体層3の表面の保護膜7が除去され、第2半導体層3が露出すると、第2半導体層3が等方的にエッチングされていく。従って、第2半導体層3がサイドエッチングされる。第2半導体層3がサイドエッチングにより除去された部分は、第1半導体層1及び絶縁層2に形成された開口部の外側に、はみ出している。すなわち、第2半導体層3の側端の位置は、第1半導体層1及び絶縁層2の側端からずれている。ダイアフラム4を構成するための凹部は、第1半導体層1及び絶縁層2の開口部よりも大きくなる。そして、薬液などでウエハを洗浄して、ウエハに形成されている保護膜7を除去すると、図3(e)に示す構成となる。このように、第2半導体層3をサイドエッチングして、第2半導体層3に絶縁層2のエッチング部分よりも大きい凹部を形成する。これにより、感圧領域を大きくすることができる。また、第2半導体層3の側端はサイドエッチングにより、R形状に加工される。これにより、応力集中を緩和することができる。
このようにして、第2半導体層3にダイアフラム4が形成される。第2半導体層3のエッチングは5〜50μm程度の微小量であり、エッチングで厚さがばらつくことはないので、均一な厚さのダイアフラム4を形成することができる。よって、測定精度を向上することができる。また、ダイアフラムエッジ部6の強度を高くすることができる。
また、保護膜7を形成する工程ではボッシュプロセスの保護ステップを用い、第2半導体層3をエッチングする工程ではボッシュプロセスのエッチングステップなどを用いている。これにより、同一装置内で連続して、処理することができるため、生産性を向上することができる。また、1次掘りをボッシュプロセスで行うことで、同一装置を用いることができるため、さらに生産性を向上することができる。もちろん、他のエッチング方法で、第2半導体層3をエッチングしてもよい。
第2半導体層3の上面には、不純物拡散あるいはイオン打ち込み法によってp型Siからなる歪ゲージ(ピエゾ抵抗領域)5が形成される。歪ゲージ5は第2半導体層3のダイアフラム4に形成される。これにより、図3(f)に示す構成となる。続いて、第2半導体層3の上面にSiO2層(不図示)を形成し、歪ゲージ5上のSiO2層にコンタクトホールを形成した後、このコンタクトホール部分に歪ゲージ5との電気的接続を得るためのメタル電極(不図示)を蒸着する。なお、メタル電極を形成する工程は、図3(a)〜図3(e)の間のどこで実施してもよい。こうして圧力センサの作製が終了する。もちろん、上記のチップを台座などに取り付けてもよい。
このように、第1半導体層1の側壁に保護膜7を形成した状態で、2次掘りが実施される。これにより、第1半導体層1と絶縁層2の界面において、第1半導体層1の感圧領域側端にノッチが形成されるのを防ぐことができる。よって、応力集中を緩和することができる。耐圧劣化を低減することができ、チップ破壊を防ぐことができる。上記のようなノッチフリー構造した場合、シミュレーション上、3MPa印加時においてダイアフラムエッジ部6に集中する応力を約34%低減することができる。よって、耐圧劣化を低減することができ、高耐圧のダイアフラム構造を実現することができる。また、等方的なエッチングにより2次掘りを行っているため、第2半導体層3の凹部を大きくすることができる。これにより、感圧領域の面積を大きくすることができる。また、感圧領域側の第2半導体層3の側端がR形状に加工されるため、応力集中を緩和することができる。
1 第1半導体層、2 絶縁層、3 第2半導体層、4 ダイアフラム、5 歪ゲージ、
6 ダイアフラムエッジ部、7 保護膜
11 n型単結晶Si層、12 SiO2層、13 n型単結晶Si層、
14 ダイアフラム、15 歪ゲージ、16 ダイアフラムエッジ部
6 ダイアフラムエッジ部、7 保護膜
11 n型単結晶Si層、12 SiO2層、13 n型単結晶Si層、
14 ダイアフラム、15 歪ゲージ、16 ダイアフラムエッジ部
Claims (6)
- 第1の半導体層とダイアフラムを構成する第2の半導体層との間に設けられた絶縁層を備えた圧力センサの製造方法であって、
感圧領域となる部分の前記第1の半導体層をエッチングする工程と、
前記感圧領域となる部分の前記絶縁層をエッチングする工程と、
前記第1の半導体層の側壁に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成した後、前記感圧領域となる部分の前記第2の半導体層をエッチングして、前記ダイアフラムを形成する工程と、を備える圧力センサの製造方法。 - 前記保護膜を形成する工程では、フロロカーボン膜による前記保護膜を形成している請求項1に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記ダイアフラムを形成する工程では、前記第2の半導体層をサイドエッチングして、前記第2の半導体層に前記絶縁層のエッチング部分よりも大きい凹部を形成している請求項1、又は2に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記第1の半導体層をエッチングする工程では、前記絶縁層をエッチングストッパとしていることを特徴としている請求項1、2、又は3に記載の圧力センサの製造方法。
- 第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、感圧領域がダイアフラムとなる第2の半導体層とを備え、
前記感圧領域において、前記第1の半導体層及び前記絶縁層に開口部が形成され、
前記感圧領域の前記第2の半導体層に、凹部が形成され、
前記絶縁層と前記第1の半導体層との界面において、前記感圧領域側で前記第1の半導体層及び前記絶縁層の側端の位置が一致している圧力センサ。 - 前記第2の半導体層に形成された凹部が前記絶縁層の開口部よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の圧力センサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281989A JP2009111164A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 圧力センサ及びその製造方法 |
CN200880113988.5A CN101960276B (zh) | 2007-10-30 | 2008-10-29 | 压力传感器及其制造方法 |
PCT/JP2008/069612 WO2009057620A1 (ja) | 2007-10-30 | 2008-10-29 | 圧力センサ及びその製造方法 |
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KR1020107008751A KR101178989B1 (ko) | 2007-10-30 | 2008-10-29 | 압력 센서 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281989A JP2009111164A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111164A true JP2009111164A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40779335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007281989A Pending JP2009111164A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 圧力センサ及びその製造方法 |
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---|---|
JP (1) | JP2009111164A (ja) |
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