JP2009105130A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コストを増加させずに光電変換効率を向上させる光起電力素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板101の上に前駆体膜102aを形成する工程と、前駆体膜102aの上に第2の半導体薄膜103を形成する工程と、第2の半導体薄膜103をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜102aを結晶化して第1の半導体薄膜102bを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】基板101の上に前駆体膜102aを形成する工程と、前駆体膜102aの上に第2の半導体薄膜103を形成する工程と、第2の半導体薄膜103をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜102aを結晶化して第1の半導体薄膜102bを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、光起電力素子の製造方法に関し、特に、化合物半導体薄膜を含む太陽電池の光起電力素子の製造方法に関する。
新型太陽電池の一候補としてCu(In、Ga)Se2(以後、CIGSとあらわす)系等の化合物半導体薄膜太陽電池が挙げられている。
これらの化合物半導体薄膜は光吸収係数が大きく高効率が得られるため新型太陽電池として有望である。
CIGS太陽電池として特性を向上させるためには半導体薄膜の結晶性を向上させることがきわめて重要であり、CIGS層のさまざまな形成方法が提案されている。
その中でも優れた方法としてNREL(National Renewable Energy Laboratory)が開発した温度と蒸着元素を3段階で調整する3段階法が良く知られている。しかし、大面積の量産装置への適用は困難であった。
量産製膜法としては、例えば、特許文献1に開示される技術で、硫化水素(H2S)や硫化セレン(H2Se)の雰囲気中で加熱しながら化合物半導体薄膜を形成する硫化法やセレン化法等の異なる形成方法が用いられている。
しかし、これらの量産製膜法を用いて作製された太陽電池の特性は、現在のところ3段階法で形成された太陽電池の特性には及んでおらず、新しい形成方法が模索されている。
また、非特許文献1に記載されるような太陽電池の研究も進められている。
それは、CIGS系化合物半導体薄膜と類似の構造であるケステライト構造又はスタナイト構造を持ち、希少元素や有毒元素を含んでいない化合物半導体薄膜としてCu2ZnSnS4を用いるものである。ケステライト構造とは、ダイヤモンド構造のアダマンティン(adamantine)系列に属する構造のことをいう。また、Cu2ZnSnS4は以後、CZTSとあらわす。
CZTS半導体薄膜はバンドギャップ1.4−1.5eVで光吸収係数も104cm−1台と太陽電池材料として有望な材料と考えられる。
ところが、これまで報告されているCZTS系太陽電池においてはCIGS半導体薄膜を用いた太陽電池に比べて光電変換効率が低いものしか得られていない。CZTS太陽電池の光電変換効率が向上しない大きな要因として結晶の大粒径化がこれまでのところ困難であり、結晶性が低いことが挙げられる。
ここで、従来シリコン系半導体薄膜の結晶粒径を拡大して結晶性を改善する方法として、キャップ層を用いた方法が数多く提案されている。
例えば、特許文献2に、基板上に成膜された薄膜半導体上に酸化又は窒化シリコン膜からなるキャップ層を形成し、キャップ層を被覆した状態で薄膜半導体を溶融再結晶化して活性層の結晶粒径を拡大する技術が開示されている。
この方法においては、キャップ層で被覆した状態で薄膜半導体を溶融再結晶化して活性層の結晶粒径を拡大するようにしたため、薄膜層が島状になったりすることがなく結晶性が向上する。
また別の例として、特許文献3に、キャップ層を用いて結晶核を形成し、そこから結晶を拡大させる方法が開示されている。
H.Katagiri,"Cu2ZnSnS4 thin film solar cells" Thin Solid Films、Vol.480−481,pp.426−432,2005 特開2006−049768号公報
特開平05−235391号公報
特開2004−119902号公報
H.Katagiri,"Cu2ZnSnS4 thin film solar cells" Thin Solid Films、Vol.480−481,pp.426−432,2005
ところで、従来のキャップ層を用いた半導体薄膜の結晶性の改善方法はその効果が認められるものの、光起電力素子として用いた場合、結晶性を改善する工程の後にキャップ層を除去する工程が必要となっていた。
つまり、光起電力素子のような薄膜の積層方向に電流を流す素子の場合、SiO2膜やSi2N3膜のように絶縁性を持つキャップ層は除去する必要がある。そのため、キャップ層を形成して結晶粒径を拡大する従来の方法では製造コストの増加が避けられなかった。
また、キャップ層を除去して形成される面は半導体接合面となるが、特に多元素で構成される化合物半導体薄膜の場合、キャップ層の除去工程で表面欠陥密度の増加や不純物元素の残留により良好に界面が形成できないことがあった。そのため、光起電力素子としての性能を低下させることもあった。
このような理由により、従来は化合物半導体薄膜を用いた光起電力素子の製造方法として、3段階法やセレン化法といったキャップ層を用いない製造方法が一般的で、キャップ層を用いた有効な製造方法は開示されていなかった。
そこで、本発明では、キャップ層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法において、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる光起電力素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するための手段として、基板の上に前駆体膜を形成する工程と、前記前駆体膜の上に第2の半導体薄膜を形成する工程と、前記第2の半導体薄膜をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前記前駆体膜を結晶化して第1の半導体薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、キャップ層の役割を持つ半導体薄膜を素子の一部として用いる。そのため、従来のようにキャップ層を除去しその後半導体薄膜を改めて形成しなくてもよいので製造コストが増加しない。
また、従来のようなキャップ層を除去することにより誘起される欠陥の発生がないため、良好な半導体接合面を形成でき光起電力素子の特性を向上することが可能になる。
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態としての光起電力素子の製造方法を示す模式断面図である。
図1は、本発明の第1の実施形態としての光起電力素子の製造方法を示す模式断面図である。
図1において、101は基板、102aは第1の半導体薄膜の前駆体膜、102bは第1の半導体薄膜、103は第2の半導体薄膜、104は透明導電膜、105は電極である。
また、異なる導電型とはp(n)型に対してn(p)型であるが、ここではpin接合を形成できるような場合も含めることとする。第1の半導体薄膜102bがp(n)型の場合、第2の半導体薄膜103がn(p)型の単層膜であってもよく、i型とn(p)型の積層膜であってもよいこととする。
図1(a)は基板101上に前駆体膜102a及び第2の半導体薄膜103を形成した状態を示す。
基板101は導電性材料からなる基板であってもよいし、絶縁性基板上に導電性薄膜が形成されているものでもよい。一方の電極として機能できるように、後の工程で形成される第1の半導体薄膜102bとの界面においてはオーミック接合が取れる程度に低抵抗であることが好ましい。
前駆体膜102aは第1の半導体薄膜102bを構成する元素からなり、各元素の単層膜が複数積層されているものでもよいし、各元素の一部又はすべてが混合状態で堆積されているものでもよい。
つまり、前駆体膜102aは金属膜の積層膜である金属プリカーサ膜であってもよいし、すでに結晶構造を有している半導体薄膜であってもよい。
前駆体膜102aの形成は蒸着法、スパッタ法、レーザーアブレーション法等が好適に用いられる。
図1(b)において、前駆体膜102aは熱エネルギーの付与により第2の半導体薄膜103をキャップ層とする結晶化工程によって第1の半導体薄膜102bに変化する。
第1の半導体薄膜102bの融点は比較的低い方が好ましく、ケステライト構造やスタナイト構造等のサブグループも含んだカルコパイライト型化合物(例えば、CIGS系化合物やCZTS系化合物等)が好適に用いられる。
第2の半導体薄膜103は第1の半導体薄膜102bよりも高い融点を有し、かつ第1の半導体薄膜102bと異なる導電型を有しており、シリコン系半導体薄膜やGaN系半導体薄膜等が好適に用いられる。
第2の半導体薄膜103が溶融しない温度に加熱することで前駆体膜102aを結晶化させる。
加熱温度や加熱方法は各半導体薄膜や基板の材質により適宜選択することが好ましい。
また、加熱方法は特に限定はされないが、抵抗加熱やランプ照射による加熱又はレーザー照射による加熱等がある。
例えば、レーザー照射により加熱する場合、キャップ層として働く第2の半導体薄膜103の吸収係数よりも第1の半導体薄膜102bの吸収係数が大きくなるような波長を選択することがより好ましい。
また、第2の半導体薄膜103をキャップ層として用いることで、前駆体膜102aの結晶化工程において第1の半導体薄膜102bが凹凸化することやアイランド化することがなく、結晶性が向上した平坦な薄膜を形成できる。
さらに、第2半導体薄膜103をキャップ層として用いることで、特許文献1で指摘されるようなSやSe等のカルコゲン元素の離脱を抑制し、組成比の変化を低減できる。
前駆体膜102aの結晶化工程において、第2の半導体薄膜103が結晶性半導体薄膜の場合、融点が高い第2の半導体薄膜103は結晶化工程中もその構造を維持できる。そのため、第2の半導体薄膜103の構造を反映して第1の半導体薄膜102bの結晶化が進む。
そのため、第1の半導体薄膜102bと第2の半導体薄膜103における結晶の格子定数の差が小さいほど、接合界面の結晶性が向上し、欠陥密度が低減する。
また、格子定数の乖離とも関係するが、半導体薄膜の熱膨張係数の差が大きく異なると結晶化後の冷却時にクラックやひび割れを生じ接合界面に欠陥を増加させることがある。そのため、できるだけ熱膨張係数が近い半導体薄膜を選択することが望ましい。
以上のように、結晶化させる第1の半導体薄膜102bよりも融点が高い第2の半導体薄膜103をキャップ層として用いることで第1の半導体薄膜102bの結晶性を向上させることができる。
さらに、第2の半導体薄膜103は第1の半導体薄膜102bと異なる導電型を有するため、結晶化工程において半導体接合を形成できる。
従来、キャップ層を用いて下地の半導体薄膜の結晶性を向上する方法ではキャップ層を除去する必要があった。しかし、本実施の形態においてはキャップ層を素子の一部として利用できるため除去する必要がなく、製造コストを増加させることがない。
さらに、従来のようにキャップ層を除去する場合、除去後に現われる面が半導体接合面になるため、表面欠陥密度の増加や不純物元素の残留により光起電力素子としての性能を低下させることがあった。
本実施の形態の方法では、キャップ層を除去する必要がないため良好な界面を形成できる。
以上のように、本実施の形態によれば、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる化合物半導体薄膜を形成することが可能になる。
図1(c)において、透明導電膜104及び電極105を形成する。
透明導電膜層104は導電性が高くかつ光吸収が少ない膜が好ましく、ITO(In/Sn/O)、AZO(Al/Zn/O)、ZnO等が用いられる。
また、透明導電膜層104に表面反射を低減する反射防止膜効果を持たせてもよい。
電極105は集電用の電極として金属一般が使用できるが、導電率が高いものが好ましく、Ag、Al等が好適に用いられる。
電極105は真空蒸着法、スクリーン印刷法又はメッキ法等を用いて形成することができる。
ここで、透明導電膜104は必要ではなく、第2の半導体薄膜の導電性が低い場合など必要に応じて挿入しても良い。
(第2の実施形態)
図2は、本発明の第2の実施形態としての光起電力素子の製造方法を示す模式断面図である。
図2は、本発明の第2の実施形態としての光起電力素子の製造方法を示す模式断面図である。
本実施の形態では、第2の半導体薄膜203が非晶質半導体薄膜であり、前駆体膜202aに熱エネルギーを付与して結晶化する前に、第2の半導体薄膜203を部分的に結晶化して結晶核206を形成する。
図2(a)は基板201上に前駆体膜202aと非晶質である第2の半導体薄膜203を形成した状態を示す。
図2(b)には第2の半導体薄膜203を部分的に結晶化して結晶核206を形成した状態を示す。
結晶化方法はいかなる方法を用いてもよいが、レーザーアニール法が好適に用いられる。
レーザーの波長は第2の半導体薄膜203の吸収波長域に応じて選択できる。
第2の半導体薄膜203が非晶質シリコン薄膜の場合、波長が380nm未満のエキシマレーザーや固体レーザー等を用いることが好ましい。このようにすることによって、第1の半導体薄膜へのエネルギー流入をできるだけ低くして、第2の半導体薄膜203の膜厚程度を部分的に結晶化するエネルギーを与えることができる。
ここで、第2の半導体薄膜203を部分的に結晶化する工程において、下に形成されている前駆体膜202aも一部結晶化する場合もある。この場合、第2の半導体薄膜203の融点よりも低く第1の半導体薄膜202bの融点よりも高い温度で一度溶融させた後、所望の温度に下げて前駆体膜202aを結晶化する。
これにより、結晶化の基点はほぼ第2の半導体薄膜203に形成された結晶核206とすることができる。
図2(c)では、図2(b)とは異なる熱エネルギーを付与することで部分的に結晶化している第2の半導体薄膜203の結晶核206を基点として前駆体膜202aを結晶化する。
これにより接合界面の結晶性が向上するだけでなく、結晶核206を起点にした第1の半導体薄膜202bにおける結晶粒径の拡大が可能になる。
結晶核206のピッチは適宜選択可能であるが、そのピッチに対応した結晶粒径の拡大を図ることができる。
このとき、第1の半導体薄膜202bの格子定数と第2の半導体薄膜203の格子定数が近接している場合、その界面での結晶性は向上する傾向があり、その結晶格子定数のミスマッチが小さいほど結晶性は改善される。
図2(d)では、図1(c)と同様にして透明導電膜204と電極205を形成して光起電力素子を作製する。
光起電力素子として動作している状態を考慮すると、部分的に結晶化した第2の半導体薄膜の領域は非晶質領域よりも低抵抗化しているため、電流の流れは結晶化した領域(結晶核206)に集中することになる。
つまり、非晶質である第2の半導体薄膜203の部分的な結晶化により電流が流れるエリアが制限されることになるので、接合界面の面積を実効的に減少できることになる。そのため、接合界面の欠陥密度の影響を低減できる。
次いで、第1の半導体薄膜202bとしてp型CZTS半導体薄膜を選択し、第2の半導体薄膜203としてn型非晶質シリコン薄膜を選択した場合について説明する。
P型CZTS半導体薄膜の形成方法としては、多元蒸着法、多元スパッタ法、セレン化法、スプレー法、電着法、MOCVD法、スクリーン印刷法又はレーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。必要に応じてアニール法や硫化法を併用しても良い。
ここでは多元蒸着法を用いた例を示す。
まず基板温度を300℃に保持して、同時スパッタ法を用いてCu、ZnS、SnSの各ターゲットに供給する電力を制御して基板上にCZTS前駆体膜を形成する。
次にシリコン薄膜の形成方法としては、プラズマCVD法、触媒CVD法、スパッタ法、塗布法等いかなる方法を用いても良いが、ここではプラズマCVD法を用いる方法を示す。
基板温度を200℃、装置内圧力を200Paに保持して、原料ガスとしてシラン(SiH4)と水素(H2)とフォスフィン(PH3)を導入し、13.56MHzの高周波電力を供給する。このようにすることによって、プラズマを生起してn型の非晶質シリコン薄膜を形成する。
次に、非晶質シリコン薄膜にスポット状のレーザー光をスポット口径1μm、ピッチ10μmで照射することで、千鳥格子状の結晶核を形成する。
レーザーとしてXeClエキシマレーザー(波長308nm、パルス幅30ns)を用いる。
その後、上記薄膜が形成された基板全面に赤外から近赤外領域の波長をもつレーザー光(例えば、チタンサファイアレーザー:波長700nm)を照射する。
波長700nm以下の光に対してCZTS薄膜の吸収係数は非晶質シリコン薄膜又は結晶性シリコン薄膜の吸収係数よりも1桁程度(又はそれ以上)高いため、CZTS前駆体膜を効率的に加熱して溶融結晶化を行う。
結晶化工程ではシリコン結晶核を起点としてCZTS前駆体膜が結晶化する。
このとき、CZTS半導体薄膜はシリコン結晶核から結晶成長を行い、最大のものは隣の結晶核から成長するCZTS半導体薄膜結晶とほぼ衝突するまで成長するため大粒径化が可能になる。
CZTS化合物半導体薄膜の格子定数が0.5434nm(a軸)であるのに対してシリコン結晶の格子定数は0.543nmであり、CZTS化合物半導体とシリコン結晶は格子定数が極めて近接している。
また、CZTS化合物半導体はケステライト型又はスタナイト型構造をもつのに対して、シリコン結晶はダイヤモンド型構造である。
ケステライト型及びスタナイト型構造は4配位の立方晶でありダイヤモンド型構造を2段積み重ねた構造を持っている。
このように類似した結晶構造と極めて近接した格子定数がドライブフォースとなってヘテロエピタキシャル成長が可能になると考えられ、低欠陥密度の接合界面が形成できるものと考えられる。
このときの結晶粒径は作製条件に依存するが、数μ以上の粒径が得られることが可能になり、これまで困難であった大粒径のCZTS化合物半導体薄膜を得ることが可能になる。
従来、大粒径化させようとする半導体薄膜結晶とその結晶核とは同じ材料を用いるのが一般的である。しかし、本実施形態では異なる材料を結晶核として用いているので結晶化条件の自由度(温度、形成時間等)を拡げることができ、従来では困難であった大粒径化が容易になる。
また、CZTS化合物半導体を形成する元素のうちカルコゲン元素である硫黄(S)が結晶化中に膜中から離脱しやすい傾向があるが、キャップ層としての非晶質シリコン薄膜層が存在している。そのため、S元素の膜中からの離脱を抑えることができ、所望の組成比を持ったCZTS薄膜の形成が容易になる。
さらに、この方法を用いるとキャップ層に使用した非晶質シリコン薄膜をn型半導体薄膜としてそのまま利用できるため、製造コストを増加させることがない。
以上のように、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる化合物半導体薄膜を形成することが可能になる。
(実施例)
(実施例1)
本発明の実施例1として、上記実施形態を用いて作製されたCZTS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
(実施例1)
本発明の実施例1として、上記実施形態を用いて作製されたCZTS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
まず、ソーダライムガラス基板上に電極としてMo金属をスパッタ法により300nm形成する。
次に電子線蒸着法を用いて基板温度を180℃に保持したまま硫化亜鉛(ZnS)、錫(Sn)、銅(Cu)を膜厚がそれぞれ400nm、150nm、100nmになるように基板上に形成し、前駆体膜とする。
次にプラズマCVD法を用いてn型非晶質シリコンを30nm形成する。
次に、ヒーター加熱により基板温度を550℃、2時間保持してCZTS半導体薄膜の結晶化を行う。
またこの工程で、同時にCZTS半導体薄膜とシリコン薄膜の間でpn接合を形成する。
融点が980℃程度であるCZTS半導体薄膜に対して、シリコンの融点は1410℃である。このため、キャップ層として用いられているn型非晶質シリコン層はCZTS半導体薄膜の結晶化工程で安定しているため平坦な膜が形成される。
また、キャップ層を除去する必要がないので良好な接合界面を持つCZTS半導体薄膜が得られる。
その後、Al2O3を1wt%含有するZnOターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により、透明導電膜であるZnO:Al薄膜を70nmの厚さとなるように形成する。
最後に、電極としてアルミニウム(Al)を蒸着法により1μm形成してCZTS半導体薄膜太陽電池を形成する。
非特許文献1に記載されるCZTS半導体薄膜太陽電池と本実施例のCZTS半導体薄膜太陽電池とを比較する。
本実施例ではCZTS半導体薄膜をキャップ層を用いて形成しているため結晶性が改善し、従来例よりも光電変換効率が約1.2倍に向上する。
つまり、キャップ層があることでCZTS半導体薄膜の結晶成長時の体積膨張による凹凸が低減されて平坦で密な結晶構造を形成できるためである。それだけでなく、キャップ層であるn型シリコン層を除去する必要がないので、良好な接合界面を形成できるためである。
また、本実施例ではキャップ層である非晶質シリコン層がn型半導体薄膜としての役割を果たすため、キャップ層であるシリコン層を除去する必要がない。そのため、製造コストが増加しない。
以上のように、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる光起電力素子の形成が可能になる。
(実施例2)
本発明の実施例2として、キャップ層である第2の半導体薄膜を部分的に結晶化して結晶核を形成した後、第1半導体薄膜を結晶化する方法を用いて作製されたCZTS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
本発明の実施例2として、キャップ層である第2の半導体薄膜を部分的に結晶化して結晶核を形成した後、第1半導体薄膜を結晶化する方法を用いて作製されたCZTS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
実施例1において、n型非晶質シリコンを形成するところまでは同様に行う。その後、スポット口径1μm、ピッチ10μmのXeClエキシマレーザー光(波長308nm、パルス幅30ns)を千鳥格子状にn型シリコン表面に照射して、部分的に結晶化させる。
次に、波長700nmのレーザー光を照射してCZTS半導体薄膜の溶融結晶化を行う。
その後、透明導電膜であるZnO:Al薄膜及びアルミニウム電極を第1の実施例と同様な方法で同じ膜厚だけ形成しCZTS半導体薄膜太陽電池を形成する。
非特許文献1に記載されるCZTS半導体薄膜と本実施例におけるCZTS半導体薄膜の結晶粒径を比較する。本実施例では平均の結晶粒径が約2倍に増加することで結晶性が相対的に向上し、光電変換効率が約1.5倍に向上する。
本実施例では、キャップ層を除去する必要がないため良好な界面が形成できるとともに、あらかじめ所望のピッチで形成された結晶核から結晶成長ができるため結晶粒径が従来よりも拡大するためである。
ここで、CZTS半導体薄膜の結晶の格子定数(0.5434nm)とシリコンの結晶の格子定数(0.543nm)が極めて近接しているため、部分的にはシリコンの結晶核とヘテロエピタキシャル成長が可能である。CZTS半導体薄膜の結晶とシリコンの結晶の格子定数のミスマッチは0.1%である。
また、本実施例ではキャップ層である非晶質シリコン層(部分的に結晶化している)がn型半導体薄膜としての役割を果たすため、キャップ層であるシリコン層を除去する必要がない。そのため、製造コストが増加しない。
以上のように、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる光起電力素子の形成が可能になる。
(実施例3)
本発明の実施例3として、キャップ層である第2の半導体薄膜を部分的に結晶化して結晶核を形成した後、第1半導体薄膜を結晶化する方法を用いて作製されたCIGS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
本発明の実施例3として、キャップ層である第2の半導体薄膜を部分的に結晶化して結晶核を形成した後、第1半導体薄膜を結晶化する方法を用いて作製されたCIGS半導体薄膜太陽電池の例について説明する。
まず、ソーダライムガラス基板上に電極としてMo金属をスパッタ法により300nm形成する。
次に、Cu、In、Ga、Seを同時蒸着法により基板上に堆積し、CIGS前駆体膜を形成する。
このときGa/In比を調整して、格子定数が0.56nm(シリコンの格子定数とのミスマッチはそれぞれ3.1%)となるようにCIGS半導体薄膜の組成比を調整してCIGS前駆体膜を作製する。
次に、実施例2と同様に、n型非晶質シリコンを形成した後、XeClエキシマレーザー光によるアニールにより部分的に非晶質シリコンを結晶化して結晶核を形成する。
その後、波長700nmのレーザー光を照射してCIGS半導体薄膜の溶融結晶化を行う。最後に透明導電膜であるZnO:Alと電極のアルミニウムを形成し、CIGS半導体薄膜太陽電池を形成する。
特許文献1に記載される技術のようにセレン化法によりp型CIGS薄膜を形成した後、CBD法によりn型CdS薄膜を形成して得られるCIGS太陽電池と本実施例とを比較する。
本実施例では平均の結晶粒径が約1.3倍に増加することで結晶性が相対的に向上し、光電変換効率が約1.2倍に向上する。
それは、本実施例では、キャップ層を除去する必要がないため良好な界面が形成できるとともに、あらかじめ所望のピッチで形成された結晶核から結晶成長ができるため結晶粒径が従来よりも拡大するためである。
ここで、光電変換効率の向上の幅が実施例2に比べてやや小さいのはシリコンとの格子定数のミスマッチがCZTSよりもCIGSの方が大きいためである。
また、本実施例ではキャップ層である非晶質シリコン層がn型半導体薄膜としての役割を果たすため、キャップ層であるシリコン層を除去する必要がない。そのため、製造コストが増加しない。
以上のように、コストを増加させることなく光電変換効率を向上させる光起電力素子の形成が可能になる。
本発明は、化合物半導体薄膜を含む太陽電池及びその製造の際に利用可能である。
101、201 基板
102a、202a 前駆体膜
102b、202b 第1の半導体薄膜
103、203 第2の半導体薄膜
104、204 透明導電膜
105、205 電極
206 結晶核
102a、202a 前駆体膜
102b、202b 第1の半導体薄膜
103、203 第2の半導体薄膜
104、204 透明導電膜
105、205 電極
206 結晶核
Claims (7)
- 基板の上に前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜の上に第2の半導体薄膜を形成する工程と、
前記第2の半導体薄膜をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前記前駆体膜を結晶化して第1の半導体薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 前記第2の半導体薄膜は、前記第1の半導体薄膜よりも融点が高いことを特徴とする請求項1記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第1の半導体薄膜は、前記第2の半導体薄膜と導電型が異なることを特徴とする請求項1又は2記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第2の半導体薄膜が非晶質半導体からなり、
前記前駆体膜を結晶化して第1の半導体薄膜を形成する工程の前に、前記第2の半導体薄膜を部分的に結晶化して結晶核を形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記第2の半導体薄膜がシリコンからなることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第1の半導体薄膜がCu(In、Ga)Se2からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第1の半導体薄膜がCu2ZnSnS4からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光起電力素子の製造方法。
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