JP2009099871A - Lead frame and manufacturing method thereof, and resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame and manufacturing method thereof, and a resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof, with and by which the reliable lead frame is stably supplied that can prevent delamination due to a difference in coefficient of thermal expansion, does not impair bonding properties. <P>SOLUTION: Provided is the lead frame which has a die pad mounted with a semiconductor element, an outer lead for connection with an external circuit, an inner lead extended to the outer lead to be connected to a connection pad on the semiconductor element, the lead frame being characterized in that a sectional shape of the lead frame is rounded. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関し、特に、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわないリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame, a manufacturing method thereof, a resin-encapsulated semiconductor device, and a manufacturing method thereof, and more particularly to a lead frame that can prevent occurrence of delamination due to a difference in thermal expansion coefficient and does not impair bonding properties. In addition, the present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device and a method for manufacturing the same.

従来、半導体装置の組み立て部材として用いられる（単層）リードフレームは、通常、コバール、４２合金及び銅系合金のような導電性に優れた金属からなり、プレス法もしくはエッチング法によりパターン形成されていた。   Conventionally, a (single layer) lead frame used as an assembly member of a semiconductor device is usually made of a metal having excellent conductivity such as Kovar, 42 alloy and copper alloy, and is patterned by a press method or an etching method. It was.

また、リードフレームの種類の一つに、樹脂封止（プラスチックパッケージ）型のリードフレームが知られている。樹脂封止（プラスチックパッケージ）型リードフレームの形態としてＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）タイプ及びＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）タイプ等が挙げられるが、ここではＱＦＰタイプを例に取り、樹脂封止（プラスチックパッケージ）型のリードフレームの説明を行う。   As one type of lead frame, a resin-encapsulated (plastic package) type lead frame is known. Examples of resin-encapsulated (plastic package) type lead frames include QFP (Quad Flat Package) type, LOC (Lead On Chip) type, and COL (Chip On Lead) type. Here, the QFP type is taken as an example. A resin-encapsulated (plastic package) type lead frame will be described.

図８に示すように、ＱＦＰタイプのリードフレーム１２０は、半導体装置（ＩＣチップ）を搭載する部位であるダイパッド１２１と、ダイパッド１２１上に搭載する半導体素子に形成された接続用パッドと結線されるダイパッド１２１の周囲に設けられた複数のインナーリード１２３と、外部回路との結線を行うインナーリード１２３から連続するアウターリード１２２と、リードフレーム１２０を樹脂封止１３５する際に封止樹脂１３５をせき止めるダムとなるダムバー１２４と、リードフレーム１２０全体を保持するフレーム（枠）部１２５等を備えている。なお、ダムバー１２４及びフレーム（枠）部１２５は、最終的に切断除去される部位である。   As shown in FIG. 8, the QFP type lead frame 120 is connected to a die pad 121 which is a part on which a semiconductor device (IC chip) is mounted and a connection pad formed on a semiconductor element mounted on the die pad 121. The plurality of inner leads 123 provided around the die pad 121, the outer leads 122 continuous from the inner leads 123 for connecting to the external circuit, and the sealing resin 135 are damped when the lead frame 120 is resin-sealed 135. A dam bar 124 serving as a dam and a frame (frame) portion 125 for holding the entire lead frame 120 are provided. The dam bar 124 and the frame (frame) portion 125 are portions that are finally cut and removed.

図９に示すように、半導体装置１００は、ダイパッド１２１上に半導体素子１１０を搭載した後、半導体素子１１０に形成された接続用パッド１１１とインナーリード１２３の先端部とを、金（Ａｕ）等のワイヤー１３０で結線（ワイヤーボンディング）を行う。樹脂１３５にて半導体素子１１０を覆うようダムバー１２４より内側を樹脂封止１３５した後、ダムバー１２４部の切断、アウターリード１２２を所定の形状に形成する等の工程を経て半導体装置１００を得るものである。   As shown in FIG. 9, after mounting the semiconductor element 110 on the die pad 121, the semiconductor device 100 connects the connection pad 111 formed on the semiconductor element 110 and the tip of the inner lead 123 to gold (Au) or the like. The wire 130 is connected (wire bonding). The inside of the dam bar 124 is resin-sealed 135 so as to cover the semiconductor element 110 with the resin 135, and then the semiconductor device 100 is obtained through steps such as cutting the dam bar 124 and forming the outer lead 122 into a predetermined shape. is there.

上述した例に示すリードフレーム１２０は、図１０に示すように、ワイヤーボンディング時及びダイパッド１２１に半導体素子１１０を搭載する際に、リードフレーム１２０との強い結合力と導電性とを得るため、ワイヤーボンディングを行うインナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面に貴金属めっきを施しているものである。貴金属めっきとしては、銀めっき１４０が一般的に行われており、図１０では、銀めっき１４０部位を黒塗りにて示している。なお、インナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面等、リードフレーム１２０の所定の部位に選択的に行う銀めっき１４０を、以下、部分銀めっき１４０と記す。   As shown in FIG. 10, the lead frame 120 shown in the above-described example has a strong bonding force and conductivity with the lead frame 120 when wire bonding and when the semiconductor element 110 is mounted on the die pad 121. Noble metal plating is applied to the tip of the inner lead 123 for bonding and the surface of the die pad 121 on which the semiconductor element 110 is mounted. As the noble metal plating, silver plating 140 is generally performed, and in FIG. 10, the silver plating 140 portion is shown in black. The silver plating 140 that is selectively performed on a predetermined portion of the lead frame 120 such as the tip of the inner lead 123 and the surface of the die pad 121 on which the semiconductor element 110 is mounted is hereinafter referred to as a partial silver plating 140.

図１０に示すように、銅合金を素材とするリードフレーム１２０に部分銀めっき１４０処理を行うにあたり、リードフレーム１２０に銅ストライクめっきを被覆した後、半導体素子１１０搭載部であるダイパッド１２１とインナーリード１２３との先端部とに部分銀めっき１４０を形成したものである。その部分銀めっき１４０工程の一例を以下に記す（図示せず）。   As shown in FIG. 10, when the lead frame 120 made of a copper alloy is subjected to the partial silver plating 140, the lead frame 120 is coated with the copper strike plating, and then the die pad 121 and the inner lead, which are the semiconductor element 110 mounting portion. In this case, a partial silver plating 140 is formed on the front end portion of the base plate 123. An example of the partial silver plating 140 process is described below (not shown).

まず、プレス法、もしくはフォトエッチング法等の公知の手段により所定の形状に外形加工されたリードフレーム１２０に対し、脱脂、酸洗浄等の前処理工程を行う。   First, a pretreatment process such as degreasing and acid cleaning is performed on the lead frame 120 which has been externally processed into a predetermined shape by a known method such as a press method or a photo etching method.

次に、部分銀めっき１４０の下地となる下地めっきをリードフレーム１２０に施す。下地めっきは銅めっきが通常的に用いられ、厚さ０．１μｍ〜０．２μｍ程度の銅（Ｃｕ）ストライクめっきとすることが一般的となっている。   Next, the base frame 120 is subjected to base plating that serves as a base for the partial silver plating 140. As the base plating, copper plating is usually used, and copper (Cu) strike plating having a thickness of about 0.1 μm to 0.2 μm is generally used.

次に、所定の領域、例えば、インナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面等に厚さ１．５μｍ〜１０μｍ程度の部分銀めっき１４０を施す。なお、部分銀めっき１４０の形成方法としては、所定の開口部を有するマスキング治具をリードフレーム１２０に密着させ、または、所定の開口部を有する電着レジストをリードフレーム１２０に形成し、その後、リードフレーム１２０に銀めっき１４０を行うことで、開口部より露出した部位に選択的に銀めっき１４０を行う方法等が知られている。   Next, partial silver plating 140 having a thickness of about 1.5 μm to 10 μm is applied to a predetermined region, for example, the tip of the inner lead 123 and the surface of the die pad 121 on the surface side where the semiconductor element 110 is mounted. As a method for forming the partial silver plating 140, a masking jig having a predetermined opening is closely attached to the lead frame 120, or an electrodeposition resist having a predetermined opening is formed on the lead frame 120, and then A method of performing silver plating 140 selectively on a portion exposed from an opening by performing silver plating 140 on the lead frame 120 is known.

次に、めっき液がモレる等で、部分銀めっき１４０が施されてはならないリードフレーム１２０部位に付着した銀を除去する電解剥離処理を行う。次に、酸化、水酸化による銀めっき１４０の変色を防止するため変色防止処理を行う。なお、変色防止処理の方法としては、例えば、銀めっき１４０表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜を形成することが一般的となっている。   Next, an electrolytic stripping process is performed to remove the silver adhering to the lead frame 120 site where the partial silver plating 140 should not be applied, such as when the plating solution is leaked. Next, a discoloration preventing process is performed to prevent discoloration of the silver plating 140 due to oxidation and hydroxylation. As a method for preventing discoloration, for example, it is common to form a thin silver (Ag) organic film on the surface of the silver plating 140.

銅合金を素地金属とし、下地めっき（銅ストライクめっき）を介して部分銀めっき１４０を施したリードフレーム１２０においては、リードフレーム１２０製造後に行われる、半導体素子１１０の搭載、ワイヤーボンディング、樹脂封止１３５等の半導体装置１００の製造工程や半導体装置１００の実装工程において、下地めっき（銅ストライクめっき）が剥離することがなく、また、半導体装置１００を使用する際にも下地めっき（銅ストライクめっき）が剥離しないことが要求されている。   In the lead frame 120 in which the copper alloy is used as a base metal and the partial silver plating 140 is applied through the base plating (copper strike plating), the mounting of the semiconductor element 110, the wire bonding, and the resin sealing performed after the lead frame 120 is manufactured. In the manufacturing process of the semiconductor device 100 such as 135 and the mounting process of the semiconductor device 100, the base plating (copper strike plating) does not peel off, and the base plating (copper strike plating) is also used when the semiconductor device 100 is used. Is required not to peel off.

また、封止樹脂１３５にてリードフレーム１２０を封止後、リードフレーム１２０からの封止樹脂１３５のデラミネーション（剥離）が生じないことが要求される。すなわち、デラミネーションが生じた場合、リードフレーム１２０と封止樹脂１３５の隙間より湿気が進入し、半導体装置１００の耐久性、信頼性を低下させる等の問題が生じるためである。   In addition, after sealing the lead frame 120 with the sealing resin 135, it is required that delamination (peeling) of the sealing resin 135 from the lead frame 120 does not occur. That is, when delamination occurs, moisture enters through the gap between the lead frame 120 and the sealing resin 135, causing problems such as a decrease in durability and reliability of the semiconductor device 100.

封止用樹脂１３５とリードフレーム１２０及びダイパッド１２１とリードフレーム１２０との界面でのデラミネーションの主な要因は、封止樹脂１３５、リードフレーム１２０及びＩＣチップの熱膨張係数の差である。また、一方で銅合金を素地金属としたリードフレーム１２０では、ＩＣ（半導体装置１００）組み立て工程中の加熱工程で、銅合金表面に酸化膜が生じ、この酸化膜が金属（銅合金）封止樹脂１３５の密着性を低下させていると考えられている。   The main factor of delamination at the interface between the sealing resin 135 and the lead frame 120 and the die pad 121 and the lead frame 120 is a difference in thermal expansion coefficients of the sealing resin 135, the lead frame 120, and the IC chip. On the other hand, in the lead frame 120 using a copper alloy as a base metal, an oxide film is formed on the surface of the copper alloy in the heating process during the IC (semiconductor device 100) assembly process, and this oxide film is sealed with the metal (copper alloy). It is thought that the adhesiveness of the resin 135 is lowered.

このような状況のもと、特許文献１には、封止用樹脂とダイパッド裏面との界面や封止用樹脂とリードフレーム全面との界面の密着強度を向上させ、デラミネーション発生を防止するための方法が開示されている。さらに、特許文献１では、クロムと亜鉛との混合体あるいはクロム及び亜鉛それぞれの単体からなる薄い被膜で全面を覆ったリードフレームが開示されている。しかし、このリードフレームは、銀めっき部分も他の金属被膜で覆われるため、金ワイヤーボンディング性が劣るという問題がある。また、リードフレーム素材の表面粗さを大きくし、アンカー効果により、リードフレームと封止樹脂の物理的な密着強度を向上する試みもなされている。   Under such circumstances, Patent Document 1 discloses that the adhesion strength of the interface between the sealing resin and the back surface of the die pad and the interface between the sealing resin and the entire lead frame is improved to prevent delamination. This method is disclosed. Further, Patent Document 1 discloses a lead frame that covers the entire surface with a thin coating made of a mixture of chromium and zinc or a single body of chromium and zinc. However, this lead frame has a problem that the gold wire bonding property is inferior because the silver-plated portion is also covered with another metal film. Attempts have also been made to increase the surface roughness of the lead frame material and improve the physical adhesion strength between the lead frame and the sealing resin by the anchor effect.

一方で、ＩＣ組み立て工程の条件は、組立を実施するＩＣメーカーにより異なり、近年はより高温でのプロセスへの対応が求められている。また、比較的低温プロセスを用いるＩＣメーカーにおいても、さらなる信頼性の向上が求められている。   On the other hand, the conditions of the IC assembly process vary depending on the IC manufacturer that performs the assembly, and in recent years, it has been required to cope with processes at higher temperatures. In addition, IC manufacturers that use relatively low temperature processes are required to further improve reliability.

このように、リードフレームにおいては、リードフレーム、封止樹脂及びＩＣチップの熱膨張係数の違いに起因するデラミネーションが発生しており、高温プロセス対応及び信頼性の向上が求められている。
特表平７−５０３１０３号公報 As described above, in the lead frame, delamination is caused by the difference in thermal expansion coefficients of the lead frame, the sealing resin, and the IC chip, and it is required to cope with a high temperature process and to improve reliability.
Japanese translation of PCT publication No. 7-503103

本発明は、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない信頼性の高いリードフレームを安定的に供給するリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することである。   The present invention provides a lead frame that can prevent the occurrence of delamination due to a difference in thermal expansion coefficient and stably supplies a highly reliable lead frame that does not impair bonding properties, a manufacturing method thereof, and a resin-sealed mold A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided.

本発明の請求項１に係る発明は、半導体素子を搭載するダイパットと、外部回路と結線を行うアウターリードと、アウターリードに延在し半導体素子上の接続用パッドに結線するインナーリードと、を備えるリードフレームであって、リードフレームの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とするリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 1 of the present invention includes a die pad on which a semiconductor element is mounted, an outer lead that is connected to an external circuit, and an inner lead that extends to the outer lead and is connected to a connection pad on the semiconductor element. A lead frame is provided, wherein the lead frame has a round cross-sectional shape.

本発明の請求項２に係る発明は、インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 2 of the present invention is the lead frame according to claim 1, characterized in that the cross-sectional shape of the inner lead is rounded.

本発明の請求項３に係る発明は、リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至２に記載のリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 3 of the present invention is the lead frame according to claim 1 or 2, wherein the radius (R) of the rounded portion of the lead frame is 20 µm or more.

本発明の請求項４に係る発明は、インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 4 of the present invention is the lead frame according to any one of claims 1 to 3, wherein a flattened flat portion is formed at a tip portion of the inner lead. It is.

本発明の請求項５に係る発明は、リードフレームの材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からなる素地金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 5 of the present invention is characterized in that the material of the lead frame has a base metal made of a copper alloy material or a 42 alloy (42% nickel-iron alloy). The lead frame described in 1. is used.

本発明の請求項６に係る発明は、リードフレームの全面に銅ストライクメッキが被覆され、インナーリードとダイパッドとの部分に銀メッキが順次被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。   The invention according to claim 6 of the present invention is characterized in that the entire surface of the lead frame is coated with copper strike plating, and the inner lead and the die pad are sequentially coated with silver plating. One of the lead frames described above is used.

本発明の請求項７に係る発明は、素地金属をエッチングすることによりダイパット、アウターリード及びインナーリードを有するリードフレーム素材を形成し、リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工することを特徴とするリードフレームの製造方法としたものである。   The invention according to claim 7 of the present invention is to form a lead frame material having a die pad, an outer lead and an inner lead by etching the base metal, and to process the lead frame material so that the cross-sectional shape thereof is rounded. This is a characteristic lead frame manufacturing method.

本発明の請求項８に係る発明は、前記素地金属の材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）を有することを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法、本発明の請求項９に係る発明は、インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレームの製造方法としたものである。   The invention according to claim 8 of the present invention is characterized in that the material of the base metal is a copper alloy material or a 42 alloy (42% nickel-iron alloy). The invention according to claim 9 of the present invention is the method for manufacturing a lead frame according to claim 7 or 8, characterized in that the cross-sectional shape of the inner lead is rounded.

本発明の請求項１０に係る発明は、リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工する方法として、エッチング、化学研磨及び電解研磨のいずれかを用いることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。   The invention according to claim 10 of the present invention uses any one of etching, chemical polishing and electrolytic polishing as a method for processing the lead frame material so that the cross-sectional shape thereof is rounded. Or a lead frame manufacturing method according to any one of the above.

本発明の請求項１１に係る発明は、リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。   11. The lead frame manufacturing method according to claim 7, wherein the radius (R) of the rounded portion of the lead frame is 20 μm or more. It is what.

本発明の請求項１２に係る発明は、インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。   The invention according to claim 12 of the present invention is characterized in that a flattened flat portion is formed at the tip portion of the inner lead. It is what.

本発明の請求項１３に係る発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載のリードフレームと、ダイパッド上に搭載された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置としたものである。   An invention according to claim 13 of the present invention includes the lead frame according to any one of claims 1 to 6, a semiconductor element mounted on a die pad, and a sealing resin for sealing the semiconductor element. This is a resin-encapsulated semiconductor device characterized by the above.

本発明の請求項１４に係る発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載のリードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載し、半導体素子を封止樹脂を用いて封止させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法としたものである。   According to a fourteenth aspect of the present invention, a semiconductor element is mounted on the die pad of the lead frame according to any one of the first to sixth aspects, and the semiconductor element is sealed using a sealing resin. This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.

本発明によれば、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない信頼性の高いリードフレームを安定的に供給するリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of delamination due to a difference in thermal expansion coefficient, and to stably supply a reliable lead frame that does not impair bonding properties, a manufacturing method thereof, and a resin seal. A stationary semiconductor device and a manufacturing method thereof can be provided.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the embodiments, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description among the embodiments is omitted.

図１に示すように、本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０は、半導体素子を搭載するダイパッド１と、半導体素子上に選択的に形成された接続用パッドと結線されるインナーリード３と、インナーリード３から延在する外部回路との結線を行うアウターリード２と、リードフレーム１０を樹脂封止する際に封止樹脂をせき止めるダムバー４と、リードフレーム１０全体を保持するフレーム（枠）部５とを備え、さらに吊りバー６を備えている。   As shown in FIG. 1, a lead frame 10 according to an embodiment of the present invention includes a die pad 1 on which a semiconductor element is mounted, an inner lead 3 that is connected to a connection pad that is selectively formed on the semiconductor element, and The outer lead 2 for connecting to the external circuit extending from the inner lead 3, the dam bar 4 for damming the sealing resin when the lead frame 10 is sealed with the resin, and the frame for holding the entire lead frame 10 (frame) And a suspension bar 6.

本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の素地金属としては、銅合金に加え、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）及びコバール等の導電性に優れた材料を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。リードフレーム１０の厚さとしては、リードフレーム１０としての強度を保持する為、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであることが望ましい。   As the base metal of the lead frame 10 according to the embodiment of the present invention, a material having excellent conductivity such as 42 alloy (42% nickel-iron alloy) and Kovar can be used in addition to the copper alloy. However, it is not limited to these. The thickness of the lead frame 10 is preferably 0.05 mm to 0.2 mm in order to maintain the strength of the lead frame 10.

本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の素地金属には銅合金を用い、銅合金をフォトエッチングにより図１に示すようにそれぞれのパターンを形成することでリードフレーム１０素材を作製することができる。パターン形成のためのフォトエッチングは、リードフレーム１０の角部に丸みが帯びるように半径Ｒを形成するため銅合金の厚みの減少を考慮して、予め弱めにエッチングを行なう、すなわち、リードフレーム１０等の厚みを所定量より厚く形成することが好ましい。   A copper alloy is used for the base metal of the lead frame 10 according to the embodiment of the present invention, and the lead frame 10 material is manufactured by forming each pattern of the copper alloy by photoetching as shown in FIG. it can. In photoetching for pattern formation, the radius R is formed so that the corners of the lead frame 10 are rounded, so that the thickness of the copper alloy is reduced, and etching is performed in advance weakly. It is preferable to form a thickness such as thicker than a predetermined amount.

リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成方法としては、エッチング、化学研磨及び電解研磨等の方法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法にエッチングを用いる場合には、塩化第二鉄系、塩化第二銅系のエッチング液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法に化学研磨を用いる場合には、過硫酸アンモニウム系、硫酸・過酸化水素系の液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法に電解研磨を用いる場合には、りん酸・硝酸系、アルカリ系の液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   As a method of forming the radius R rounded at the corner of the lead frame 10, methods such as etching, chemical polishing and electrolytic polishing can be used, but the present invention is not limited to these. When etching is used for the method of forming the rounded radius R, a ferric chloride-based or cupric chloride-based etchant can be used, but the present invention is not limited to these. When chemical polishing is used in the method of forming the rounded radius R, an ammonium persulfate-based solution, a sulfuric acid / hydrogen peroxide-based solution, or the like can be used, but the present invention is not limited to these. When electrolytic polishing is used for the method of forming the rounded radius R, phosphoric acid / nitric acid-based or alkaline-based liquids can be used, but the present invention is not limited to these.

本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の製造方法は、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、素地金属である銅合金を用いてエッチングを用いて所望の形状に形成しリードフレーム１０のパターンを作製した。ここで、図２（ｂ）に示すように、リードフレーム１０の断面は逆オーバーハング形状である。   As shown in FIGS. 2A to 2C, the lead frame 10 according to the embodiment of the present invention is manufactured by using a copper alloy that is a base metal to be formed into a desired shape by etching. A pattern of the frame 10 was produced. Here, as shown in FIG. 2B, the cross section of the lead frame 10 has a reverse overhang shape.

次に、図２（ｄ）に示すように、エッチング、化学研磨及び電解研磨等の処理を行うことによって、リードフレーム１０を断面から見た場合の角の部分に丸みを帯びた半径Ｒを形成し、リードフレーム１０を作製した。   Next, as shown in FIG. 2D, a rounded radius R is formed at the corner when the lead frame 10 is viewed from the cross section by performing processes such as etching, chemical polishing, and electrolytic polishing. As a result, the lead frame 10 was produced.

リードフレーム１０の角部に丸みが帯びるよう半径Ｒを形成するにはエッチング、化学研磨及び電解研磨等の処理を行うことにより、リードフレーム１０に急峻な角が無くなり、ＩＣ（半導体装置）組み立て工程中の熱処理によって熱応力が発生しても、応力集中が緩和され、熱膨張係数の違いによるデラミネーションを抑止することができる。   In order to form the radius R so that the corner of the lead frame 10 is rounded, by performing processing such as etching, chemical polishing and electrolytic polishing, the lead frame 10 has no sharp corner, and an IC (semiconductor device) assembly process Even if thermal stress is generated by the heat treatment inside, stress concentration is relaxed, and delamination due to a difference in thermal expansion coefficient can be suppressed.

図３（ａ）〜（ｄ）は、図２（ａ）〜（ｄ）と同じ製造方法を用いてリードフレーム１０を作製するため詳細の説明は省略する。素地金属である銅合金を用いてエッチングを用いて所望の形状に形成しリードフレーム１０のパターンを作製した際に、図３（ｂ）では、リードフレーム１０の断面はオーバーハング形状である。   3A to 3D, since the lead frame 10 is manufactured using the same manufacturing method as FIGS. 2A to 2D, detailed description thereof is omitted. When a pattern of the lead frame 10 is formed by forming a desired shape by etching using a copper alloy that is a base metal, in FIG. 3B, the cross section of the lead frame 10 is an overhang shape.

図４に示すように、リードフレーム１０の角部に形成された丸みを帯びた半径Ｒは２０μｍ以上であることが好ましい。丸みを帯びた半径Ｒが２０μｍ以上である場合、熱膨張係数の違いにより発生した応力をリードフレーム１０の角部に集中することなく効果的に分散できる。丸みを帯びた半径Ｒが２０μｍ未満の場合、リードフレーム１０の角部が急峻であるため、リードフレーム１０の角部の応力集中を抑制する効果が低下してしまうためである。   As shown in FIG. 4, the rounded radius R formed at the corner of the lead frame 10 is preferably 20 μm or more. When the rounded radius R is 20 μm or more, the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient can be effectively dispersed without concentrating on the corners of the lead frame 10. This is because when the rounded radius R is less than 20 μm, the corners of the lead frame 10 are steep and the effect of suppressing stress concentration at the corners of the lead frame 10 is reduced.

図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、素地金属である銅合金を用いてエッチングにて所望の形状にリードフレーム１０を作製する場合、予めエッチングを弱めに行い、所定の厚みより厚くリードフレーム１０を形成する。   As shown in FIGS. 5A to 5D, when the lead frame 10 is formed into a desired shape by etching using a copper alloy which is a base metal, the etching is weakened in advance and thicker than a predetermined thickness. A lead frame 10 is formed.

その後、フォトレジスト７剥離を行い、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成を行う。丸みを帯びた半径Ｒの形成と同時にリードフレーム１０の厚みの規定を行うことで、丸みを帯びた半径Ｒの形成時にリードフレーム１０の厚みが薄くなる事を抑制することができる。   Thereafter, the photoresist 7 is peeled off to form a rounded radius R at the corner of the lead frame 10. By defining the thickness of the lead frame 10 simultaneously with the formation of the rounded radius R, it is possible to prevent the lead frame 10 from becoming thin when the rounded radius R is formed.

図６（ａ）〜図６（ｄ）は、前述した図５（ａ）〜図５（ｄ）と同一構成及び同一の形成方法のため説明は省略する。   6 (a) to 6 (d) have the same configuration and the same formation method as those of FIGS. 5 (a) to 5 (d) described above, description thereof will be omitted.

図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０の角部が丸みを帯びるよう半径Ｒを形成した後、インナーリード３先端部のワイヤーボンド部に、プレス等の方法で平坦化して平坦部を形成することにより、ワイヤーボンド時に必要となるインナーリード３先端部の平坦部を増加させるものである。リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成により、インナーリード３先端部の平坦部が減少した場合でも、プレス等の方法で平坦化する平坦部を増加させることで、ワイヤーボンディングに必要な面積を作製することができる。インナーリード３先端部に平坦部を形成することで、狭ピッチのリードフレーム１０に形成されたパターンに対しても安定的にワイヤーボンディングを行なうことができる。   As shown in FIG. 6E, after the radius R is formed so that the corners of the lead frame 10 are rounded, the flat portion is flattened by a method such as pressing on the wire bond portion at the tip of the inner lead 3. By forming, the flat part of the front-end | tip part of the inner lead 3 required at the time of wire bonding is increased. Even if the flat part at the tip of the inner lead 3 is reduced by forming a rounded radius R at the corner of the lead frame 10, it is possible to increase the number of flat parts that are flattened by a method such as pressing. A necessary area can be produced. By forming a flat portion at the tip of the inner lead 3, wire bonding can be stably performed even on a pattern formed on the lead frame 10 with a narrow pitch.

図７（ｂ）に示すように、銅ストライクめっき２０をリードフレーム１０の表面全体に形成することができる。その後、図７（ｃ）に示すよう所定の部位に部分銀めっき３０を形成することができる。   As shown in FIG. 7B, the copper strike plating 20 can be formed on the entire surface of the lead frame 10. Thereafter, as shown in FIG. 7C, a partial silver plating 30 can be formed at a predetermined portion.

銅ストライクめっき２０の形成方法を説明する。銅ストライクめっき２０の形成条件は、液温５０℃のシアン化銅とシアン化ナトリウムとを適量混合しためっき液にて約２０秒間電解銅めっきを行い、０．1μｍの厚さの銅ストライクめっき２０を形成した。銅ストライクめっき２０の厚さは０．０５μｍ〜０．３μｍが望ましい。   A method for forming the copper strike plating 20 will be described. The formation conditions of the copper strike plating 20 are as follows: electrolytic copper plating is performed for about 20 seconds with a plating solution in which an appropriate amount of copper cyanide and sodium cyanide at a liquid temperature of 50 ° C. is mixed, and a 0.1 μm thick copper strike plating 20 Formed. The thickness of the copper strike plating 20 is desirably 0.05 μm to 0.3 μm.

銅ストライクめっき２０が形成されたリードフレーム１０表面を水洗洗浄した後、部分銀めっき３０を行う際にリードフレーム１０の不要な部分に銀が析出しないよう、リードフレーム１０全面に置換防止処理を行った。置換防止処理とは薄い銀（Ａｇ）有機被膜をリードフレーム１０表面に形成したものである。   After the surface of the lead frame 10 on which the copper strike plating 20 is formed is washed and washed, a replacement prevention process is performed on the entire surface of the lead frame 10 so that silver is not deposited on unnecessary portions of the lead frame 10 when the partial silver plating 30 is performed. It was. The replacement prevention treatment is a thin silver (Ag) organic film formed on the surface of the lead frame 10.

次に、部分銀めっき３０の形成方法について説明する。半導体素子を搭載する面側のダイパッド１面及びインナーリード３先端部の領域が露出するよう、所定の開口部を有するマスキング治具でリードフレーム１０を覆った後、リードフレーム１０を陰極として、めっき液をノズルよりリードフレーム１０に噴射する方式のめっき法により、厚さ３μｍの部分銀めっき３０をリードフレーム１０の所定領域に形成した（図７（ｃ））。   Next, a method for forming the partial silver plating 30 will be described. After covering the lead frame 10 with a masking jig having a predetermined opening so that the surface of the die pad 1 on the surface side where the semiconductor element is mounted and the region of the tip of the inner lead 3 are exposed, plating is performed using the lead frame 10 as a cathode. A partial silver plating 30 having a thickness of 3 μm was formed in a predetermined region of the lead frame 10 by a plating method in which the liquid was sprayed from the nozzle onto the lead frame 10 (FIG. 7C).

部分銀めっき３０を形成した後に、リードフレーム１０を水洗洗浄し、ダイパッド１面及びインナーリード３先端部以外の銀が付着してはならない部位に付着した銀めっき３０、例えば、マスキンング治具よりモレた銀めっき３０を電解剥離により除去した。その後、リードフレーム１０を水洗洗浄し、温風でリードフレーム１０を乾燥させた。なお、電解剥離を行った後に、変色防止処理を行うことができる。変色防止処理とは、例えば、銀めっき３０表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜を形成することである。   After the partial silver plating 30 is formed, the lead frame 10 is washed with water and washed with a silver plating 30 attached to a portion where silver other than the tip of the die pad 1 and the inner lead 3 should not adhere. The silver plating 30 was removed by electrolytic stripping. Thereafter, the lead frame 10 was washed with water and dried with warm air. In addition, after performing electrolytic peeling, a discoloration prevention process can be performed. The discoloration preventing treatment is, for example, forming a thin silver (Ag) organic film on the surface of the silver plating 30.

リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成することにより、熱膨張係数の違いに起因する応力の集中を緩和でき、ＩＣ組み立て工程において高温にさらされても、デラミネーションの発生しにくいリードフレーム１０を作製することができる。   By forming a rounded radius R at the corner of the lead frame 10, stress concentration caused by the difference in thermal expansion coefficient can be reduced, and delamination occurs even when exposed to high temperatures in the IC assembly process. A difficult lead frame 10 can be produced.

［実施例１］
リードフレーム１０には、厚さ０．１２５ｍｍの銅合金材、古河電工（株）製、商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ材」を用いた。銅合金材をフォトエッチングにより、リードフレーム１０のパターン（外形）をそれぞれ形成した。リードフレーム１０の断面は図３（ｃ）と同様のオーバーハング形状であり、丸みを帯びた半径Ｒは形成されていなかった。 [Example 1]
For the lead frame 10, a copper alloy material having a thickness of 0.125 mm, a product name “EFTEC64T material” manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. was used. The pattern (outer shape) of the lead frame 10 was formed by photoetching the copper alloy material. The cross section of the lead frame 10 has the same overhang shape as in FIG. 3C, and the rounded radius R was not formed.

フォトレジスト７を剥離した後、４０℃の塩化第二鉄液にディップ法を用いて、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成した。形成されたインナーリード３の丸みを帯びた半径Ｒは２５μｍであり、平坦幅は６０μｍであった。   After the photoresist 7 was peeled off, a rounded radius R was formed at the corner of the lead frame 10 using a dip method in a ferric chloride solution at 40 ° C. The formed inner lead 3 had a rounded radius R of 25 μm and a flat width of 60 μm.

次に、リードフレーム１０に脱脂、水洗等の前処理を行い、銅ストライクめっき２０を形成した（図７（ｂ））。その後、部分銀めっき３０、余分な銀めっきの電解剥離、変色防止処理を行った。最後にインナーリード３先端部のプレスを行い、平坦幅８０μｍを得た。この時のインナーリード３先端部の丸みを帯びた半径Ｒは３０μｍであった。   Next, pretreatment such as degreasing and rinsing was performed on the lead frame 10 to form a copper strike plating 20 (FIG. 7B). Thereafter, partial silver plating 30, electrolytic removal of excess silver plating, and discoloration prevention treatment were performed. Finally, the tip of the inner lead 3 was pressed to obtain a flat width of 80 μm. At this time, the radius R of the rounded tip of the inner lead 3 was 30 μm.

［実施例２］
外形形成のエッチングを予め弱く行ったこと、丸みを帯びた半径Ｒの形成方法、インナーリード３先端部のプレスを行わなかったこと以外は実施例１と同様の方法を用いてリードフレーム１０を形成した。 [Example 2]
The lead frame 10 is formed using the same method as in Example 1 except that the outer shape forming etching is weakly performed in advance, the rounded radius R is formed, and the tip of the inner lead 3 is not pressed. did.

具体的には、リードフレーム１０の外形形成のエッチング時間を短くし、図５（ｂ）と同様の断面形状を得た。フォトレジスト７を剥離した後、５０℃の化学研磨液、三菱ガス化学(株)製、商品名「ＣＰＥ−７５０」を用いてディップ処理を行い、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成した。得られたインナーリード３の丸みを帯びた半径Ｒは３０μｍであり、平坦幅は８５μｍであった。   Specifically, the etching time for forming the outer shape of the lead frame 10 was shortened to obtain a cross-sectional shape similar to that shown in FIG. After stripping the photoresist 7, dip treatment is performed using a chemical polishing solution at 50 ° C., product name “CPE-750” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., and the corners of the lead frame 10 have rounded radii. R was formed. The obtained inner lead 3 had a rounded radius R of 30 μm and a flat width of 85 μm.

次に、リードフレーム１０に脱脂、水洗等の前処理を行い、銅ストライクめっき２０、部分銀めっき３０、余分な銀めっきの電解剥離、変色防止処理を行った。上記部分銀めっき３０形成後のインナーリード３先端部の丸みを帯びた半径Ｒは、処理前と同様の３０μｍであった。   Next, pretreatment such as degreasing and rinsing was performed on the lead frame 10, and copper strike plating 20, partial silver plating 30, electrolytic removal of extra silver plating, and discoloration prevention treatment were performed. The rounded radius R of the tip of the inner lead 3 after the formation of the partial silver plating 30 was 30 μm, the same as that before the treatment.

［比較例１］
比較例１のリードフレーム１０は、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成を行わず、インナーリード３先端部のプレスを行わなかったこと以外は実施例１と同様の方法を用いてリードフレーム１０を得た。得られたインナーリード３の断面形状は図３（ｃ）と同様のオーバーハング形状であり、リードフレーム１０の断面に丸みを帯びた半径Ｒはなく、平坦幅は８５μｍであった。 [Comparative Example 1]
The lead frame 10 of Comparative Example 1 is the same as that of Example 1 except that the corner R of the lead frame 10 is not formed with a rounded radius R and the tip of the inner lead 3 is not pressed. As a result, a lead frame 10 was obtained. The cross-sectional shape of the obtained inner lead 3 was an overhang shape similar to that shown in FIG. 3C, the cross-section of the lead frame 10 had no rounded radius R, and the flat width was 85 μm.

実施例１、２及び比較例１で得られたリードフレーム１０に、通常のＩＣ組み立て工程、例えばＩＣチップマウント:１５０℃、３ｍｉｎ、ワイヤーボンディング：２４０℃、５ｍｉｎよりも厳しい条件である、３００℃、１０ｍｉｎの熱処理を行った。その後、エポキシ系の封止樹脂を用い、成形温度１７５℃にてトランスファーモールド法にて封止を行った。樹脂封止後のリードフレーム１０と封止樹脂のデラミネーションの有無を超音波映像装置（ＳＡＴ：Ｓｃａｎ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）にて判断した。   The lead frame 10 obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 was subjected to a normal IC assembly process, for example, IC chip mount: 150 ° C., 3 min, wire bonding: 240 ° C., which is a severer condition than 5 min, 300 ° C. Heat treatment was performed for 10 minutes. Thereafter, sealing was performed by a transfer molding method using an epoxy-based sealing resin at a molding temperature of 175 ° C. The presence or absence of delamination between the lead frame 10 and the sealing resin after the resin sealing was judged by an ultrasonic imaging apparatus (SAT: Scan Acoustic Tomography).

実施例１、２においては樹脂のデラミネーションは全く観測されなかったが、比較例１においては、数カ所デラミネーションが発生していた。   In Examples 1 and 2, no resin delamination was observed, but in Comparative Example 1, several delaminations occurred.

以上の事より、リードフレーム１０に丸みを帯びた半径Ｒを形成することにより、封止樹脂とリードフレームとの熱膨張係数の違いに起因する応力の集中を緩和でき、ＩＣ組み立て工程において高温にさらされても、デラミネーションの発生しにくいリードフレーム１０を作製することができた。   From the above, by forming a rounded radius R on the lead frame 10, stress concentration caused by the difference in thermal expansion coefficient between the sealing resin and the lead frame can be alleviated, and the temperature can be increased in the IC assembly process. Even if it was exposed, the lead frame 10 in which delamination hardly occurs could be manufactured.

以上、本発明の実施例及び比較例について説明したが、本発明の実施の形態は上述した説明に限定されることなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形を行っても構わない。例えば、上述した説明では、ＱＦＰタイプのリードフレームでの例を示したが、ＬＯＣタイプやＣＯＬタイプ等の樹脂封止型リードフレームに本発明を適用することができる。   As mentioned above, although the Example and comparative example of this invention were demonstrated, embodiment of this invention is not limited to the description mentioned above, You may perform a various deformation | transformation based on the meaning of this invention. For example, in the above description, an example using a QFP type lead frame has been shown, but the present invention can be applied to a resin-sealed lead frame such as a LOC type or a COL type.

本発明の実施の形態に係るリードフレームを示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. （ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示す概略断面図である。(A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the lead frame which concerns on embodiment of this invention in order of a process. （ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示す概略断面図である。(A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the lead frame which concerns on embodiment of this invention in order of a process. リードフレームの丸みを帯びた半径Ｒを概念的に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows notionally the rounded radius R of a lead frame. （ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示した概略断面図である。(A)-(d) is the schematic sectional drawing which showed the principal part of the lead frame which concerns on embodiment of this invention in order of the process. （ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示した概略断面図である。(A)-(e) is the schematic sectional drawing which showed the principal part of the lead frame which concerns on embodiment of this invention in order of the process. 本発明の実施の形態に係るリードフレームへのめっき工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the plating process to the lead frame which concerns on embodiment of this invention. リードフレームの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of a lead frame. 半導体装置の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of a semiconductor device. リードフレームに施した部分銀めっきの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the partial silver plating given to the lead frame.

符号の説明Explanation of symbols

１ ダイパッド
２ アウターリード
３ インナーリード
４ ダムバー
５ フレーム（枠）部
６ 吊りバー
７ フォトレジスト
１０ リードフレーム
Ｒ 丸みを帯びた半径
１００ 半導体装置
１１０ 半導体素子
１１１ 接続用パッド
１２０ リードフレーム
１２１ ダイパッド
１２２ アウターリード
１２３ インナーリード
１２４ ダムバー
１２５ フレーム（枠）部
１３０ ワイヤー
１３５ 樹脂
１４０ 銀めっき DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Die pad 2 Outer lead 3 Inner lead 4 Dam bar 5 Frame (frame) part 6 Hanging bar 7 Photoresist 10 Lead frame R Round radius 100 Semiconductor device 110 Semiconductor element 111 Connection pad 120 Lead frame 121 Die pad 122 Outer lead 123 Inner lead 124 Dam bar 125 Frame part 130 Wire 135 Resin 140 Silver plating

Claims (14)

半導体素子を搭載するダイパットと、
外部回路と結線を行うアウターリードと、
前記アウターリードに延在し前記半導体素子上の接続用パッドに結線するインナーリードと、
を備えるリードフレームであって、
前記リードフレームの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とするリードフレーム。 A die pad on which a semiconductor element is mounted;
An outer lead for connection to an external circuit;
An inner lead extending to the outer lead and connected to a connection pad on the semiconductor element;
A lead frame comprising:
The lead frame is characterized in that a cross-sectional shape of the lead frame is rounded. 前記インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the inner lead is rounded. 前記リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 1 or 2, wherein a radius (R) of a rounded portion of the lead frame is 20 µm or more. 前記インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリードフレーム。   The lead frame according to any one of claims 1 to 3, wherein a flattened flat portion is formed at a tip portion of the inner lead. 前記リードフレームの材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からなる素地金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレーム。   5. The lead frame according to claim 1, wherein the material of the lead frame includes a base metal made of a copper alloy material or a 42 alloy (42% nickel-iron alloy). 前記リードフレームの全面に銅ストライクメッキが被覆され、前記インナーリードと前記ダイパッドとの部分に銀メッキが順次被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のリードフレーム。   The lead frame according to any one of claims 1 to 5, wherein the entire surface of the lead frame is coated with copper strike plating, and the inner lead and the die pad are sequentially coated with silver plating. 素地金属をエッチングすることによりダイパット、アウターリード及びインナーリードを有するリードフレーム素材を形成し、
前記リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工することを特徴とするリードフレームの製造方法。 A lead frame material having a die pad, outer lead and inner lead is formed by etching the base metal,
A lead frame manufacturing method, wherein the lead frame material is processed so that a cross-sectional shape thereof is rounded. 前記素地金属の材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）を有することを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法。   8. The lead frame manufacturing method according to claim 7, wherein the material of the base metal includes a copper alloy material or a 42 alloy (42% nickel-iron alloy). 前記インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレームの製造方法。   9. The method of manufacturing a lead frame according to claim 7, wherein a cross-sectional shape of the inner lead is rounded. 前記リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工する方法として、エッチング、化学研磨及び電解研磨のいずれかを用いることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。   10. The method of manufacturing a lead frame according to claim 7, wherein any one of etching, chemical polishing, and electrolytic polishing is used as a method of processing the lead frame material so that a cross-sectional shape thereof is rounded. Method. 前記リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。   11. The lead frame manufacturing method according to claim 7, wherein the radius (R) of the rounded portion of the lead frame is 20 μm or more. 前記インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。   The lead frame manufacturing method according to claim 7, wherein a flattened flat portion is formed at a tip portion of the inner lead. 請求項１乃至６のいずれかに記載の前記リードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された前記半導体素子と、
前記半導体素子を封止する前記封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 The lead frame according to any one of claims 1 to 6,
The semiconductor element mounted on the die pad;
The sealing resin for sealing the semiconductor element;
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: 請求項１乃至６のいずれかに記載の前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し、
前記半導体素子を封止樹脂を用いて封止させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 The semiconductor element is mounted on the die pad of the lead frame according to any one of claims 1 to 6,
A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein the semiconductor element is encapsulated with an encapsulating resin.
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