JP2009099251A - 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents
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【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、主表面及び端面を有し、化学強化処理が施された円盤状の磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面の最表部応力層押し込み長が49.1μm以下であり、バビネ補正器法による応力プロファイルにおいて前記主表面と圧縮応力との間のなす角をθとしたときに、{12・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}の値yが前記最表部応力層押し込み長以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
ここで、前記最表部応力層押し込み長は、対稜角が172°30’と130°の横断面が菱形であるダイヤモンド四角錐圧子を100gの押圧力で前記主表面に押し込んだ際の圧痕における長い方の対角線の長さであり、前記tanθは、バビネ補正器法で求めた応力値及び応力深さから求められた値{(P1+P2)/(L1+L2)}であり、前記tは基板厚さである。
P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。
ここで、前記最表部応力層押し込み長は、対稜角が172°30’と130°の横断面が菱形であるダイヤモンド四角錐圧子を100gの押圧力で前記主表面に押し込んだ際の圧痕における長い方の対角線の長さであり、前記tanθは、バビネ補正器法で求めた応力値及び応力深さから求められた値{(P1+P2)/(L1+L2)}であり、前記tは基板厚さである。
P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。
(実施の形態1)
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、ハードディスクドライブ(HDD)などに搭載される磁気ディスク用のガラス基板である。この磁気ディスクは、例えば、垂直磁気記録方式によって高密度の情報信号記録及び再生を行うことができる記録媒体である。また、この磁気ディスク用ガラス基板は、主に1.8インチ型磁気ディスクや、2.5インチ型磁気ディスクに用いられる。
P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。
このとき、P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。このy={12・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}なる特性曲線は、図2に示す特性曲線Aである。したがって、本発明に係るガラス基板は、この特性曲線において最表部応力層押し込み長49.1以下の領域の特性を有する。より好ましくは、図2に示す特性曲線Bであるy={16・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}の領域の特性を有する。上述したように、割れにくさの観点からは、tanθが大きいことが好ましいので、本発明に係るガラス基板は、図2において、最表部応力層押し込み長が49.1μm以下であり、特性曲線Aよりも右側(tanθが大きい側)、好ましくは特性曲線Bよりも右側(tanθが大きい側)の領域(図2における右下の領域)の特性を有することが好ましい。
(実施例)
まず、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。次に、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。次いで、ダイヤモンドカッタを用いてガラス母材の中心部に穴部を形成し、円盤状のガラス基板とした(コアリング)。なお、アルミノシリケートガラスには、SiO2:70重量%、Al2O3:10重量%、Li2O:5重量%、Na2O:7重量%、ZrO2:8重量%を主成分とするものを用いた。
化学強化を次の条件で行うこと以外実施例と同様にして磁気ディスク用ガラス基板を作製した。化学強化は、硝酸カリウム:硝酸ナトリウムが重量比で5:5でなる化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を340°Cに加熱し、その中に洗浄済みのガラス基板を約2時間浸漬することによって行った。このとき、圧縮応力層の厚さは、80μmであった。
本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、以下に示す製造方法1、製造方法2、製造方法3及び製造方法4の4つの態様がある。
本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法1は、中心部に円孔が形成されたディスク状ガラス基板を化学強化処理液に浸漬し、前記ガラス基板表面に含まれる相対的に小さなイオンを、化学強化処理液に含まれる相対的に大きなイオンとイオン交換することにより、当該ガラス基板表面に圧縮応力層を創生する化学強化処理工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、当該ディスク状ガラス基板中心部に形成された前記円孔の変形量が、円孔直径の0.05%以内になり、かつ当該ディスク状ガラス基板の抗折強度が98N以上になるように化学強化処理することを特徴とする。
本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法2は、中心部に円孔を有するドーナツ状の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、任意に選択した500〜1000枚の前記ガラス基板の円孔直径を測定した場合、各ガラス基板の円孔直径が、当該ガラス基板の平均円孔直径Aに対して、±5×10−4×Aの範囲内にあり、かつ各ガラス基板の抗折強度が98N以上になるように制御することを特徴とする。
本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法3は、中心部に円孔が形成されたディスク状ガラス基板を化学強化処理液に浸漬し、前記ガラス基板表面に含まれる相対的に小さなイオンを、化学強化処理液に含まれる相対的に大きなイオンとイオン交換することにより、当該ガラス基板表面に圧縮応力層を創生する化学強化処理工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、当該ディスク状ガラス基板中心部に形成された前記円孔の変形量を、円孔直径の0.05%以内とするべく、かつ当該ディスク状ガラス基板の抗折強度が98N以上になるように、当該ディスク状ガラス基板のガラス材料と、前記化学強化処理の処理条件とを選択して、化学強化処理することを特徴とする。
本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法4は、中心部に円孔が形成されたディスク状ガラス基板を化学強化処理液に浸漬し、前記ガラス基板表面に含まれる相対的に小さなイオンを、化学強化処理液に含まれる相対的に大きなイオンとイオン交換することにより、当該ガラス基板表面に圧縮応力層を創生する化学強化処理工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、当該ディスク状ガラス基板中心部に形成された前記円孔の化学強化処理による変形量を、各ガラスについて予め把握しておき、変形量が円孔直径の0.05%以内になり、かつ化学強化処理による当該ディスク状ガラス基板の抗折強度が98N以上になるようにガラス材料を選択し、この選択されたガラス材料をディスク状に加工すると共に、中心部に円孔を形成し、化学強化処理することを特徴とする。
前述した磁気ディスク用ガラス基板の製造方法1、3及び4において、中心部に円孔が形成されたディスク状ガラス基板を構成する化学強化用ガラスとしては、実施の形態1と同じものを用いることができる。
本発明においては、中心部に円孔が形成されたディスク状ガラス基板を化学強化処理液に浸漬し、前記ガラス基板表面に含まれる相対的に小さなイオンを、化学強化処理液に含まれる相対的に大きなイオンとイオン交換することにより、当該ガラス基板表面に圧縮応力層を創生する化学強化処理を行い、磁気ディスク用ガラス基板を製造する。
[磁気ディスク]
本発明の磁気ディスクは、前述した本発明の製造方法1〜4で得られた磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁気記録層を有することを特徴とする。
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。なお、各例における諸特性は、下記の方法に従って測定した。
(1)ガラス転移温度(Tg)及び屈伏点(Ts)
熱機械分析装置を用い、4℃/分の昇温速度で測定した。
(2)平均線熱膨張係数α
100℃〜300℃における平均線熱膨張係数αを、ガラス転移温度の測定時に一緒に測定した。
(3)比重
40mm×20mm×15mmの試料について、アルキメデス法により測定した。
(4)屈折率[nd]及びアッベ数[νd]
1時間当たり、30℃の降温速度で冷却したガラスについて測定した。
(5)λ80及びλ5
10mm厚の研磨サンプルについて、分光透過率を測定した際の透過率が80%の波長(nm)をλ80とし、透過率が5%の波長(nm)をλ5として求めた。
(6)ガラス基板の円孔直径
磁気ディスク用ガラス基板を500枚任意に選択し、各ガラス基板の円孔直径を、以下の方法により求め、その平均円孔直径Aを算出した。
ガラス基板の抗折強度は、図4に示す抗折強度試験機(島津オートグラフDDS−2000)を用い、抗折強度を測定した。具体的には、ガラス基板上に荷重を加えていったとき、ガラス基板が破壊したときの荷重を抗折強度として求めた。
磁気ディスク用ガラス基板の断面を研磨し、偏光顕微鏡にて圧縮応力層の厚さを測定した。
表1に示す酸化物組成になるように、ケイ石粉、水酸化アルミニウム、アルミナ、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化鉄などを用いて、約2kgの混合物を調製したのち、白金ルツボ中にて1450℃〜1550℃で熔解・清澄後、鉄製型にキャストしてアニールすることにより、化学強化用ガラスを作製した。その物性を表1に示す。
実施例1〜6に記載の組成のガラスをダイレクトプレス法で成形し、アモルファス状態のディスク状ガラス基板とした。そして、砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔をあけ、中心部に円孔を有するディスク状のガラス基板とした。さらに、外周端面及び内周端面に面取加工を施した。
続いて、ガラス基板を回転させながら、ブラシ研磨によりガラス基板の端面(内周、外周)の表面粗さを、最大高さ(Rmax)で1.0μm程度、算術平均粗さ(Ra)で0.3μm程度になるように研磨した。
続いて、#1000の粒度の砥粒を用いて、主表面の平坦度が3μm、Rmaxが2μm程度、Raが0.2μm程度となるようにガラス基板表面を研削した。ここで平坦度とは、基板表面の最も高い部分と、最も低い部分との上下方向(表面に垂直な方向)の距離(高低差)であり、平坦度測定装置で測定した。また、Rmax、及びRaは、原子間力顕微鏡(AFM)(デジタルインスツルメンツ社製ナノスコープ)にて5μm×5μmの矩形領域を測定した。
続いて、一度に100枚〜200枚のガラス基板の両主表面を研磨できる研磨装置を用いて予備研磨工程を実施した。研磨パッドには、硬質ポリッシャを用いた。研磨パッドには、予め酸化ジルコニウムと酸化セリウムとを含ませてあるものを使用した。
続いて、一度に100枚〜200枚のガラス基板の両主表面を研磨できる遊星歯車方式の研磨装置を用いて、鏡面研磨工程を実施した。研磨パッドには、軟質ポリシャを用いた。
続いて、ガラス基板を、濃度3質量%〜5質量%のNaOH水溶液に浸漬してアルカリ洗浄を行った。なお、洗浄は超音波を印加して行った。さらに、中性洗剤、純水、純水、イソプロピルアルコール、イソプロピルアルコール(蒸気乾燥)の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。洗浄後のガラス基板の表面をAFM(デジタルインスツルメンツ社製ナノスコープ)(5μm×5μmの矩形領域を測定)により観察したところ、コロイダルシリカ研磨砥粒の付着は確認されなかった。また、ステンレスや鉄などの異物も発見されなかった。また、洗浄前後における基板表面の粗さの増大は見られなかった。
続いて、硝酸カリウム(60質量%)と硝酸ナトリウム(40質量%)とを混合して375℃に加熱した化学強化塩の中に、300℃に予熱した洗浄済みガラス基板を約4時間浸漬することにより化学強化処理を行った。この処理により、ガラス基板の表面のリチウムイオン、ナトリウムイオンは、化学強化塩中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板は化学的に強化される。なお、ガラス基板の表面に形成された圧縮応力層の厚さは、約100μm〜150μmであった。化学強化の実施後は、ガラス基板を20℃の水槽に浸漬して急冷し、約10分維持した。
続いて、上記急冷を終えたガラス基板を、約40℃に加熱した硫酸に浸漬し、超音波を掛けながら洗浄した。その後、0.5%(Vol%)のケイフッ酸(H2SiF)水溶液を用いてガラス基板を洗浄した後、1質量%の水酸化カリウム水溶液を用いてガラス基板の洗浄を行った。そして、磁気ディスク用ガラス基板の製造を完了した。
続いて、磁気ディスク用ガラス基板について検査を行った。磁気ディスク用ガラス基板の表面の粗さをAFM(原子間力顕微鏡)(5μm×5μmの矩形領域を測定)で測定したところ、最大山高さ(Rmax)は1.5nm、算術平均粗さ(Ra)は0.15nmであった。また、表面は清浄な鏡面状態であり、磁気ヘッドの浮上を妨げる異物や、サーマルアスペリティ障害の原因となる異物は存在しなかった。また、洗浄前後における基板表面の粗さの増大は見られなかった。
Claims (10)
- 主表面及び端面を有し、化学強化処理が施された円盤状の磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面の最表部応力層押し込み長が49.1μm以下であり、バビネ補正器法による応力プロファイルにおいて前記主表面と圧縮応力との間のなす角をθとしたときに、{12・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}の値yが前記最表部応力層押し込み長以下である磁気ディスク用ガラス基板。
ここで、前記最表部応力層押し込み長は、対稜角が172°30’と130°の横断面が菱形であるダイヤモンド四角錐圧子を100gの押圧力で前記主表面に押し込んだ際の圧痕における長い方の対角線の長さであり、前記tanθは、バビネ補正器法で求めた応力値及び応力深さから求められた値{(P1+P2)/(L1+L2)}であり、前記tは基板厚さである。
P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。 - 前記yの値が{16・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}である請求項1記載の磁気ディスク用ガラス基板。
- 前記磁気ディスク用ガラス基板を構成するガラスがZrを含むアルミノシリケートガラスである請求項1又は請求項2記載の磁気ディスク用ガラス基板。
- 原子間力顕微鏡で測定した前記主表面の表面粗さRaが0.3nm以下である請求項1から請求項3のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
- 前記磁気ディスク用ガラス基板の円周方向に測定長0.8mmで前記端面の表面粗さRaが0.2μm以下である請求項1から請求項4のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
- 圧縮応力深さが50μm以上である請求項1から請求項5のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
- ガラス基板に化学強化処理を施す工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記化学強化処理は、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面の最表部応力層押し込み長が49.1μm以下であり、バビネ補正器法による応力プロファイルにおいて前記主表面と圧縮応力との間のなす角をθとしたときに、{12・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}の値yが前記最表部応力層押し込み長以下であるために十分な条件で行われる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
ここで、前記最表部応力層押し込み長は、対稜角が172°30’と130°の横断面が菱形であるダイヤモンド四角錐圧子を100gの押圧力で前記主表面に押し込んだ際の圧痕における長い方の対角線の長さであり、前記tanθは、バビネ補正器法で求めた応力値及び応力深さから求められた値{(P1+P2)/(L1+L2)}であり、前記tは基板厚さである。
P1は圧縮応力値であり、P2は引張応力値であり、L1は圧縮応力深さであり、L2は引張応力深さである。 - 前記yの値が{16・t・ln(tanθ)+(49.1/t)}である請求項7記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
- 前記磁気ディスク用ガラス基板を構成するガラスがZrを含むアルミノシリケートガラスである請求項7又は請求項8記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板と、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に、直接又は他の層を介して設けられた磁性層と、を具備する磁気ディスク。
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