JP2009094441A - 強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子 - Google Patents
強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009094441A JP2009094441A JP2007267243A JP2007267243A JP2009094441A JP 2009094441 A JP2009094441 A JP 2009094441A JP 2007267243 A JP2007267243 A JP 2007267243A JP 2007267243 A JP2007267243 A JP 2007267243A JP 2009094441 A JP2009094441 A JP 2009094441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- domain
- magnetic
- current line
- insulating film
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/18—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5607—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using magnetic storage elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】基板110と、前記基板110上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層120と、前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜130と、前記絶縁膜上に形成された第1電流ライン140と、前記第1電流ライン上に形成された絶縁膜150と、前記絶縁膜上に形成された第2電流ライン160と、を含む。
【選択図】図2
Description
図1は従来のMRAM素子を概略的に示した構造図である。
図1を参照すると、従来のMRAM素子は非磁性層を介した二つの磁性層のスピン方向が同一な場合よりも違う場合に抵抗が大きく異なってくる巨大磁気抵抗(GMR)現像を用いたもので、スピンバルブ構造を基本とすることにより多重磁性層からなった複合構造を有する。
ここで、前記ソフト磁性層の磁化方向をワードラインに電流を流すことにより書き込み、二つの磁性層の磁化方向に従う抵抗変化を感知することにより記録された磁化方向を読み出す。
然るに、上述のような従来のMRAM素子は、スピンバルブを構成するいろんな磁性層と、ワードラインおよびリードラインの役目を果たす層とが加えられて多重層の複雑な構造を有することにより、工程上の難しさとともに生産性が低下されるとの問題点があった。
また、一つのセル内に貯蔵可能な情報は“0”と“1”を表す1ビットデータで、複雑な構造に比べ貯蔵された情報量が少ないとの問題点があった。
本発明の他の目的は、磁性半導体の安定した多重ドメイン状態を用いて一つのセル内に4状態以上の情報を貯蔵することが可能なので、記憶素子の貯蔵容量を増加させ、処理速度を増加させることができる磁気記憶素子を提供することにある。
ここで、前記強磁性半導体層は書き込みの動作時に前記第1電流ラインと第2電流ラインが交差するセル内にパルス形態に電流を印加して誘導磁気場を形成し、磁気場の方向(φ)と強さ(M)を調節して磁気異方性を有する強磁性材料を単一ドメイン状態または多重ドメイン状態に作り、前記単一ドメイン状態または多重ドメイン状態に従い異なってくる多重状態に対する平面ホール抵抗値あるいは磁気抵抗値を記録して多重の情報を貯蔵することを特徴とする。
そして、前記多重ドメイン状態は磁気場の方向と強さに従い多重ドメインの壊れた程度を調節できるし、平面ホール抵抗値または磁気抵抗値を用いてドメインがどのぐらい壊れているかが確認できることを特徴とする。
また、前記強磁性半導体層は読み出しの動作時に電流ラインにセンシング電流を流して貯蔵された平面ホール抵抗または磁気抵抗値を読み出すことを特徴とする。
そして、前記平面ホール抵抗値は以下の数学式
により測定されることを特徴とする。
ここで、kは電流の方向が磁化方向と垂直なときおよび平行なときに非抵抗値の差で、tは試料の厚さである。
また、前記磁気抵抗値は以下の数学式
により測定されることを特徴とする。
ここで、
は外部磁気場が電流方向と垂直なときに強磁性材料の抵抗値で、
は外部磁気場が電流方向と平行なときの抵抗値で、φは磁化方向である。
そして、前記強磁性半導体層はGaMnAsから構成されることを特徴とする。
また、情報の書き込み及び読み出しのプロセスが簡素化されて記憶素子の動作速度を大きく向上させることができるとの効果がある。
図2を参照すると、本発明の第1実施例による磁気記憶素子は、基板110と、前記基板110上に形成された強磁性半導体層(MS)120と、前記強磁性半導体層120上に形成された絶縁膜130と、前記絶縁膜130上に形成された第1電流ライン140と、前記第1電流ライン140上に形成された絶縁膜150と、前記絶縁膜150上に形成された第2電流ライン160と、前記第2電流ライン160上に形成された保護膜170と、を含んで構成される。
図3を参照すると、本発明の第2実施例による磁気記憶素子は、基板210と、前記基板210上に形成された第1電流ライン220と、前記第1電流ライン220上に形成された絶縁膜230と、前記絶縁膜230上に形成された強磁性半導体層(MS)240と、前記強磁性半導体層240上に形成された絶縁膜250と、前記絶縁膜250上に形成された第2電流ライン260と、前記第2電流ライン260上に形成された保護膜270と、を含んで構成される。
ここで、前記強磁性半導体層120、240は単一または多重ドメイン状態を用いて多重の情報を平面ホール効果または磁気抵抗を通じて貯蔵しセンシングする役目を担当する。
前記強磁性半導体層120、240は磁気異方性特性の強い磁性物質であるIII−V磁性半導体から構成され、好ましくはガリウム・マンガン・ヒ素(GaMnAs)から構成される。
本発明は、多重層の複雑なMRAM構造を改善する方案としてスピンバルブ構造のGMR効果の代わりに、多重ドメイン構造において現れる平面ホール効果(PHE)または磁気抵抗を利用する。
より詳しくは、単一ドメイン状態は強磁性材料の磁化が全部同一な方向を向いている状態を示し、たいていの強磁性材料はこのような状態を有し得る。
図4は強磁性半導体が磁気エネルギーが最少となる角度で4個の磁化方向を示した図であり、図5は単一ドメイン状態で外部磁気場のスキャンのときに磁化方向に従い平面ホール抵抗値が変化する履歴曲線を概略的に示した図である。ここで、図5の矢印番号1,2,3,4は磁気場スキャン方向を示し、太い矢印は抵抗状態に対応される磁化方向を示す。
本発明は上述のような問題点を解決するために多重ドメイン構造を用いた四つの状態を書き込むようになる。
多重ドメイン状態は単一ドメイン状態から90°だけ回転した他のドメイン状態に回転するとき、互いに異なった磁化方向を有する単一ドメイン状態の中間部分において外部磁気場の印加がなくなると形成され、前記図5において2番磁化方向スイッチングの場合に中間平面ホール抵抗値が多重ドメイン状態に該当する。
であり、
全体磁化方向(φ)は
である。
図6は本発明の好ましい実施例による多重ドメイン状態に対する磁気履歴曲線を示した図である。
多重ドメイン状態が発生した場合に平面ホール抵抗値または磁気抵抗値を用いてドメインがどのぐらい壊れたかが分かる。
図6を参照すると、単一ドメイン状態と多重ドメイン状態の間に磁化転換が起こる平面ホール効果の履歴曲線を通じて四つの抵抗値(0、1、2、3状態)がそれぞれ違う状態にあることがわかる。
従って、外部磁気場の方向(φ)と強さ(M)を調節することにより、磁気異方性を有する強磁性材料を単一ドメイン状態または多重ドメイン状態に作ることができるし、前記磁化転換による平面ホール抵抗値を貯蔵して四つの状態の他の抵抗値を貯蔵することができる。
ここで、前記平面ホール抵抗値は以下の式により計算される。
ここで、kは電流の方向が磁化方向と垂直なときおよび平行なときに非抵抗値の差であり、tは試料の厚さである。
つまり、強磁性半導体の単一と多重ドメイン状態を用いると、四つの抵抗値がそれぞれ違う状態を具現できるし、抵抗値として貯蔵された情報を直ちに読み出すことができるので、情報をリードする過程が磁性体スピンバルブ構造よりもっと簡単に具現できる。前記平面ホール抵抗を基本にして記述した内容は磁気抵抗を用いても可能である。磁気抵抗を用いる場合に磁気抵抗値は以下の式により計算される。
ここで、
は外部磁気場が電流方向と垂直なときに強磁性材料の抵抗値であり、
は外部磁気場が電流方向と平行なときの抵抗値であり、
は磁化Mの関数なので、平面ホール抵抗値のように単一または多重ドメイン状態に従い磁気抵抗値が異なってくる。
(実施例)
単一または多重ドメイン状態を作るための外部磁気場は強磁性半導体層上に電流ラインを形成して誘導磁気場を作って代替できるし、図7は本発明による誘導磁気場形成のための構造を概略的に示した構造図であり、図8は本発明の好ましい実施例による磁気記憶素子の誘導磁気場形成を概略的に示した例示図である。
図7および図8を参照すると、情報貯蔵用セル内に絶縁層として区別された電流ラインが形成され、電流ラインの交差するセル内にパルス形態の電流が流して誘導磁気場が形成されてセル内に情報を書き込むことができる。
図9は本発明による平面ホール抵抗値の測定方法を示した図であり、図10は本発明による磁気抵抗値の測定方法を示した図である。
図9および図10を参照すると、十字形の強磁性半導体層上に絶縁層があり、その上に第1電流ラインが形成され、前記絶縁層上に第2電流ラインが形成される。第1電流ラインと第2電流ラインに同時に電流が流れる十字中央の強磁性半導体層領域に強い誘導磁気場が形成されることにより、強磁性材料のドメイン状態が変えられ、上記のような方法により強磁性半導体層に情報(4状態)を貯蔵することができる。上述のように貯蔵された情報はセンシング電流を通じて平面ホール抵抗値または磁気抵抗値をその大きさを測定して読み出すことができる。従って、単一の強磁性半導体層がセンシング役目と貯蔵役目を同時に果たすことができる。
130 : 絶縁膜 140 : 第1電流ライン
150 : 絶縁膜 160 : 第2電流ライン
170 : 保護膜
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層と、
前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第1電流ラインと、
前記第1電流ライン上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2電流ラインと、を含むことを特徴とする強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に形成された第1電流ラインと、
前記第1電流ライン上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、単一または多重ドメイン状態を用いて多重の情報を平面ホール効果または磁気抵抗を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層と、
前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2電流ラインと、を含むことを特徴とする強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。 - 前記強磁性半導体層は、書き込みの動作時に前記第1電流ラインと第2電流ラインが交差するセル内にパルス形態に電流を印加して誘導磁気場を形成し、磁気場の方向(φ)と強さ(M)を調節して磁気異方性を有する強磁性材料を単一ドメイン状態または多重ドメイン状態に作り、前記単一ドメイン状態または多重ドメイン状態に従い異なってくる多重状態に対する平面ホール抵抗値あるいは磁気抵抗値を記録して多重の情報を貯蔵することを特徴とする請求項1または2に記載の強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。
- 前記多重ドメイン状態は、磁気場の方向と強さに従い多重ドメインの壊れた程度を調節できるし、平面ホール抵抗値または磁気抵抗値を用いてドメインがどのぐらい壊れているかを確認可能なことを特徴とする請求項3に記載の強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。
- 前記強磁性半導体層は、読み出しの動作時に電流ラインにセンシング電流を流して貯蔵された平面ホール抵抗または磁気抵抗値を読み出すことを特徴とする請求項1または2に記載の強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。
- 前記強磁性半導体層はGaMnAsから構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0101416 | 2007-10-09 | ||
KR1020070101416A KR20090036312A (ko) | 2007-10-09 | 2007-10-09 | 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기기억 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094441A true JP2009094441A (ja) | 2009-04-30 |
JP4929119B2 JP4929119B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=40666089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007267243A Expired - Fee Related JP4929119B2 (ja) | 2007-10-09 | 2007-10-12 | 強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4929119B2 (ja) |
KR (1) | KR20090036312A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101563549B1 (ko) | 2014-05-13 | 2015-10-27 | 고려대학교 산학협력단 | 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150303A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
WO2005069368A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Japan Science And Technology Agency | 電流注入磁壁移動素子 |
WO2005109517A2 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Etech Ag | Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons |
-
2007
- 2007-10-09 KR KR1020070101416A patent/KR20090036312A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-10-12 JP JP2007267243A patent/JP4929119B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150303A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
WO2005069368A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Japan Science And Technology Agency | 電流注入磁壁移動素子 |
WO2005109517A2 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Etech Ag | Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101563549B1 (ko) | 2014-05-13 | 2015-10-27 | 고려대학교 산학협력단 | 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090036312A (ko) | 2009-04-14 |
JP4929119B2 (ja) | 2012-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100862183B1 (ko) | 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기기억 소자 | |
JP5856490B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
CN107039583B (zh) | 分层结构和存储装置 | |
CN105684178B (zh) | 基于自旋力矩转移的磁性随机存取储存器(stt-mram)和磁头 | |
US11316099B2 (en) | Skyrmion stack memory device | |
WO2017212895A1 (ja) | 磁気トンネル接合素子および磁気メモリ | |
CN102790171B (zh) | 存储元件和存储装置 | |
JP2008186861A (ja) | 磁気抵抗素子および磁気メモリ | |
CN103151454A (zh) | 存储元件和存储设备 | |
JPWO2011111473A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
US20090039450A1 (en) | Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device | |
JP2013093558A (ja) | 自己参照読み出し操作を使用してmramセルに書き込み及びmramセルを読み出すための磁気ランダムアクセスメモリ(mram)セル及び方法 | |
KR101983077B1 (ko) | 기억 소자의 제조 방법 | |
WO2013080436A1 (ja) | 記憶素子、記憶装置 | |
WO2014050380A1 (ja) | 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド | |
CN103137855A (zh) | 存储元件和存储设备 | |
JP2006134950A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2004153181A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ | |
JP2017059740A (ja) | 磁気トンネル接合素子及び半導体記憶装置 | |
CN109427963B (zh) | 磁性结、磁性存储器和提供磁性结的方法 | |
JP2006148053A (ja) | 反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリ | |
KR20070058364A (ko) | 기억 소자 및 메모리 | |
CN110366756A (zh) | 磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法 | |
JP4929119B2 (ja) | 強磁性物質のドメイン構造および多重状態を用いた磁気記憶素子 | |
JP2004087870A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110715 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120213 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4929119 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |