JP2009088102A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に個片化工程で、多数個取り基板などの被個片化対象構造物と接着シートとを貼り付けた状態で個片化する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing method in which a structure to be separated such as a multi-piece substrate and an adhesive sheet are bonded to each other in an individualization step. It is related to effective technology.
基板の一方の主面に半導体チップを搭載し、この主面側を封止樹脂で封止した構造の半導体装置がある。 There is a semiconductor device having a structure in which a semiconductor chip is mounted on one main surface of a substrate and the main surface side is sealed with a sealing resin.
上記構造の半導体装置の製造方法の一例として、例えば、特開2000−12745号公報(特許文献1)には、絶縁フレーム(基板)の主面上に多数の半導体素子をマトリックス状に実装し、これらを封止樹脂により全面にわたって一連に樹脂封止することにより板状のパッケージパネル(基板構造体)を形成し、該パッケージパネルを切断する技術が開示されている。 As an example of a method for manufacturing a semiconductor device having the above structure, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-12745 (Patent Document 1), a large number of semiconductor elements are mounted in a matrix on the main surface of an insulating frame (substrate). A technique is disclosed in which a plate-shaped package panel (substrate structure) is formed by resin-sealing them all over the entire surface with a sealing resin, and the package panel is cut.
また、前記特許文献1には、前記パッケージパネルを個片化する前に、パッケージパネルの主面側(封止樹脂により封止された面)に粘着シートを貼り付け、該粘着シートを貼り付けた状態で、円形ブレードの砥粒加工切断により前記パッケージパネルを切断することが記載されている。
被個片化構造物である基板構造体に接着シートを貼り付けた状態で切断する場合、該接着シートは切断工程中に基板構造体の位置がずれないように固定する役割を果たす。このため、接着シートを貼り付ける工程では、基板構造体の貼り付け面に貼り残し箇所が生じる、あるいは、基板構造体と接着シートの間に気泡が入り込む、ことのないように貼り付けることが好ましい。 In the case of cutting with the adhesive sheet attached to the substrate structure that is an individualized structure, the adhesive sheet plays a role of fixing the position of the substrate structure so as not to shift during the cutting process. For this reason, in the process of affixing an adhesive sheet, it is preferable to affix so that a non-pasting location may arise in the affixing surface of a board | substrate structure, or a bubble may enter between a board | substrate structure and an adhesive sheet. .
貼り残しや気泡が発生した状態で、切断工程に供すると、接着シートによる保持力が不足するため、ダイシングブレードなどにより切断された製品が飛び散る(製品飛びと呼ぶ)場合がある。また、切断時に発生する切削カスや切削水が貼り残し部や気泡内に浸入し、製品が汚染(コンタミネーション)される場合がある。 If it is subjected to a cutting process in a state where there is a residue or bubbles, there is a case where a product cut by a dicing blade or the like is scattered (referred to as product jump) because the holding force by the adhesive sheet is insufficient. In addition, cutting waste and cutting water generated at the time of cutting may infiltrate into the remaining portion and bubbles, and the product may be contaminated (contaminated).
本発明者は被個片化構造物である基板構造体に接着シートを貼り付ける技術について検討を行い以下の課題を見出した。 This inventor examined the technique which affixes an adhesive sheet to the board | substrate structure which is an individualized structure, and discovered the following subjects.
まず、接着シートに皺などが生じない状態で基板構造体に貼り付ける技術として以下の方法を検討した。 First, the following method was examined as a technique for attaching the adhesive sheet to the substrate structure without causing wrinkles or the like on the adhesive sheet.
被個片化対象構造物である基板構造体を貼り付けステージの所定の位置に貼り付け面を上にして配置する。次に、この貼り付け面の上方に、所定の張力で緊張された接着シートを配置する。次に、貼り付けローラなどの貼り付け治具で接着シートを基板構造体に対して押し付けながら、基板構造体の一方の端部から反対側の端部に向けて順に貼り付けていく。 A substrate structure, which is a structure to be separated, is placed at a predetermined position of the attaching stage with the attaching surface facing up. Next, an adhesive sheet that is tensed with a predetermined tension is disposed above the pasting surface. Next, the adhesive sheet is pressed against the substrate structure with an attaching jig such as an attaching roller, and is sequentially attached from one end of the substrate structure to the opposite end.
被個片化対象構造物である基板構造体の貼り付け面が平面(反りなどがない状態)であれば、上記方法により接着シートに皺が生じることを防止できるので、貼り残し箇所や気泡の発生を抑制することができる。 If the attachment surface of the substrate structure, which is the structure to be separated, is a flat surface (with no warpage or the like), the adhesive sheet can be prevented from wrinkling by the above method. Occurrence can be suppressed.
ところが、基板構造体に反りが生じている場合、貼り付けステージ上に配置した基板構造体の位置が安定しないため、基板構造体の一方の端部から反対側の端部の方向に順に貼り付けていくことができない場合がある。このため、基板構造体と接着シートとが接触しない領域が発生する、あるいは、接着シートに皺が生じることとなり、結果として貼り残しや気泡が発生し易くなる。 However, if the substrate structure is warped, the position of the substrate structure placed on the pasting stage is not stable, so the substrates are pasted in order from one end of the substrate structure to the opposite end. You may not be able to follow. For this reason, the area | region where a board | substrate structure and an adhesive sheet do not contact generate | occur | produces, or a wrinkle arises in an adhesive sheet, As a result, it is easy to generate | occur | produce a sticking and a bubble.
ところで、この基板構造体の反りは種々の要因により発生するが、例えば、MAP(Mold Array Process)と呼ばれる半導体装置の製造方法では以下のように発生する。 By the way, the warpage of the substrate structure occurs due to various factors. For example, in the method of manufacturing a semiconductor device called MAP (Mold Array Process), it occurs as follows.
MAPでは、アレイ状に配列された複数のパッケージ領域を有する多数個取り基板を準備して、各パッケージ領域のそれぞれに半導体チップを搭載する。次に、該半導体チップの外部接続端子と、多数個取り基板が有するパッドなどの導体パターンを電気的に接続する。次に、半導体チップが搭載された基板の主面側を封止樹脂により封止する。この封止工程では、例えば下面側に複数のパッケージ領域が収まる大きさのキャビティを有する上金型と、上面が平坦な下金型とで半導体チップが搭載された多数個取り基板を挟み込み、キャビティ内に封止用の樹脂を注入し、硬化させる。MAPにおいて、個片化工程に供される多数個取り基板構造体(多数個取り基板の主面上に半導体チップを搭載し、その搭載面を樹脂封止した構造体)は例えば上記の方法により得られる。 In the MAP, a multi-chip substrate having a plurality of package areas arranged in an array is prepared, and a semiconductor chip is mounted in each package area. Next, an external connection terminal of the semiconductor chip is electrically connected to a conductor pattern such as a pad included in the multi-chip substrate. Next, the main surface side of the substrate on which the semiconductor chip is mounted is sealed with a sealing resin. In this sealing process, for example, a multi-cavity substrate on which a semiconductor chip is mounted is sandwiched between an upper mold having a cavity large enough to accommodate a plurality of package regions on the lower surface side and a lower mold having a flat upper surface, and the cavity A sealing resin is injected into the interior and cured. In MAP, a multi-chip substrate structure (a structure in which a semiconductor chip is mounted on the main surface of a multi-chip substrate and the mounting surface is resin-sealed) used in the singulation process is obtained by, for example, the above method. can get.
多数個取り基板構造体を製造する際に加熱と放熱の温度サイクルを加えると、該構造体を構成する各種部材の線膨張率の違いにより、反りが発生する。 If a temperature cycle of heating and heat dissipation is applied when manufacturing a multi-piece substrate structure, warpage occurs due to the difference in the linear expansion coefficient of various members constituting the structure.
このような反りを抑制するために現在までに種々の方法が検討されているが、完全に反りを防止するまでには至っていない。 In order to suppress such warpage, various methods have been studied so far, but it has not yet completely prevented warpage.
したがって、個片化工程に供する基板構造体に接着シートを貼り付けるためには、基板構造体に反りが生じていた場合であっても、貼り残し箇所や気泡を発生させることなく安定的に貼り付けることのできる技術が必要となる。 Therefore, in order to affix the adhesive sheet to the substrate structure to be subjected to the singulation process, even if the substrate structure is warped, it can be stably affixed without generating leftover spots or bubbles. A technology that can be attached is required.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被個片化対象構造物である基板に対して貼り残しや気泡を生じることなく貼り付けることのできる技術を提供することにある。 This invention is made | formed in view of the said subject, The objective is to provide the technique which can be affixed on a board | substrate which is a to-be-divided object structure, without sticking and generating a bubble. It is in.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明の一つの実施の形態における半導体装置の製造方法は、基板構造体を準備する工程と、前記基板構造体と接着シートとを貼り付ける工程とを有しており、
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程では、貼り付け治具を用いて、前記基板構造体の一方の端部から他方の端部まで、前記接着シートを介して上方から所定の圧力で前記基板構造体を押さえながら移動することにより、貼り付けを行い、
前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始する際には、基板傾斜手段を用いて前記基板構造体を配置する貼り付けステージの表面に対して前記基板構造体を傾斜させ、前記貼り付け治具の移動方向に対して遠い側の前記基板構造体の端部が、近い側の端部よりも高い位置にある状態で、前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始するものである。
That is, the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a step of preparing a substrate structure, and a step of attaching the substrate structure and an adhesive sheet.
In the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet, a predetermined pressure is applied from above through the adhesive sheet from one end of the substrate structure to the other end using an attaching jig. By sticking by moving while holding the substrate structure,
When starting the bonding of the substrate structure and the adhesive sheet, the substrate structure is inclined with respect to the surface of the bonding stage on which the substrate structure is arranged using the substrate tilting means, and the bonding is performed. Affixing the substrate structure and the adhesive sheet is started in a state where the end of the substrate structure on the side far from the moving direction of the attaching jig is at a higher position than the end on the near side. Is.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明の一つの実施の形態によれば、接着シートの貼り付けを開始する基板構造体の端部と接着シートとを確実に接触させることができるので、被個片化対象構造物である基板構造体に反りがある場合でも貼り残しや気泡を生じることなく貼り付けることができる。 That is, according to one embodiment of the present invention, the edge of the substrate structure that starts the bonding of the adhesive sheet and the adhesive sheet can be reliably brought into contact with each other. Even if a certain substrate structure is warped, it can be attached without leaving any residue or bubbles.
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 In the following embodiments, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other. There are some or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like. Further, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges. Also, components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof is omitted as much as possible. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<半導体装置の構造>
図1は本発明の一実施の形態である半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図2は図1に示すA−A線に沿って切断した断面の構造を示す断面図、図3は図2に示すB部の構造を示す拡大部分断面図である。
<Structure of semiconductor device>
FIG. 1 is a plan view showing an example of the structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention through a sealing body, and FIG. 2 is a cross-sectional structure taken along line AA shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged partial sectional view showing the structure of the B portion shown in FIG.
本実施の形態の半導体装置は、配線基板上に半導体チップ1が搭載された樹脂封止型の小型の半導体パッケージであり、本実施の形態ではその一例として、図1に示すようなCSP(Chip Size Package)7を取り上げて説明する。なお、CSP7は、配線基板の裏面3bに複数の外部端子である半田ボール8が格子状に配置されて取り付けられており、したがって、CSP7は、BGA(Ball Grid Array)型の半導体パッケージである。
The semiconductor device of this embodiment is a resin-sealed small semiconductor package in which a
図1〜図3に示すCSP7の構造について説明すると、配線基板であるパッケージ基板3と、パッケージ基板3の主面3aに搭載され、かつ集積回路を有する半導体チップ1と、半導体チップ1の電極であるパッド1cとパッケージ基板3のボンディング用端子3pとを電気的に接続する導電性のワイヤ4と、パッケージ基板3の裏面3bの複数のランド部3d上に設けられた複数の外部端子である半田ボール8と、樹脂体6とからなる。
The structure of the
なお、半導体チップ1は、例えば、シリコンなどによって形成され、その主面1aには集積回路が形成されている。また、半導体チップ1におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。さらに、図1に示すように主面1aの周縁部には集積回路と電気的に接続される複数のパッド1cが形成されている。また、このパッド1cと、パッケージ基板3の主面3aの周縁部に配置されたボンディング用端子3pとが導電性のワイヤ4によってそれぞれ電気的に接続されている。このワイヤ4は、例えば、金線等である。
The
また、半導体チップ1は、図3に示すように、その裏面1bが、ペースト剤やダイアタッチフィルム等の接着剤2を介してパッケージ基板3に固着され、主面1aを上方に向けた状態でパッケージ基板3に搭載されている。
Further, as shown in FIG. 3, the back surface 1 b of the
また、樹脂体6は、例えば、エポキシ樹脂等からなるとともに、パッケージ基板3の主面3a側に形成されており、半導体チップ1及び複数の導電性のワイヤ4を樹脂封止するものである。
The
また、パッケージ基板3の裏面3bに設けられた複数の外部端子である半田ボール8は、例えば、Pb−Sn等の半田からなり、パッケージ基板3の裏面3bに格子状に配置されている。
Also, the solder balls 8 that are a plurality of external terminals provided on the
ここで、パッケージ基板3は、主面3aと、主面3aに対向する裏面3bと、コア材3cと、主面3aの周縁部に形成された複数のボンディング用端子(ワイヤ接合部)3pと、裏面3bに形成された複数のランド部3dと、主面3a及び裏面3bに形成され、かつ複数のボンディング用端子3pと複数のランド部3dの間にそれぞれ形成された複数のスルーホール3eとを有している。すなわち、主面3aの周縁部に形成された複数のボンディング用端子3pは、それぞれ対応するスルーホール3eを介して裏面3bのランド部3dに電気的に接続されている。
Here, the
なお、パッケージ基板3におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。
The planar shape intersecting with the thickness of the
また、本実施の形態のCSP7は、小型の半導体パッケージであるが、図1及び図2に示すように、特にチップサイズとパッケージ基板3がほぼ同じ大きさのものである。すなわち、パッケージ基板3は、半導体チップ1より僅かに大きい程度の面積であり、半導体チップ1の外側のパッケージ基板3の周縁部の領域に、複数のボンディング用端子3pが並んで設けられており、これらのボンディング用端子3pと半導体チップ1のパッド1cがそれぞれワイヤ4で電気的に接続されている。
In addition, the
なお、複数のボンディング用端子3pは、図1および図3に示すようにパッケージ基板3の主面3aの周縁部において、ソルダレジスト膜3qの開口窓3fに露出している。さらに、ボンディング用端子3pは、その一端はそれぞれ主面3aに形成された配線3nを介してスルーホール3eに接続され、他端には電解メッキ処理用の給電線3rが接続されている。したがって、ボンディング用端子3p、配線3n及びスルーホール3eには電解メッキ処理が施されている。パッケージ基板3のボンディング用端子3p、配線3n、給電線3r、スルーホール3e及びランド部3d等の導体パターンは、例えば、銅合金からなり、さらにこれらの導体パターンに施されるメッキは、例えば、Ni/Auメッキである。本実施の形態では、例えばサブトラクティブ法によりパッケージ基板3を製造した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、セミアディティブ法によりパッケージ基板3を製造する場合は、下地となるCuシード層を無電解メッキ処理により形成した後、電解メッキ処理によりCu配線を形成してもよい。
The plurality of
一方、パッケージ基板3の裏面3bには、それぞれスルーホール3eとランド部3dが相互に接続されてなる複数の導体パターンが形成されている。
On the other hand, on the
なお、主面3a側のスルーホール3eと裏面3b側のスルーホール3eは、図3に示すように、ホール内壁に形成されたメッキ膜3gによって電気的に接続されている。
As shown in FIG. 3, the through
<半導体装置の製造方法>
次に図1〜図3に示すCSP7の製造方法について説明する。本実施の形態では、CSP7の製造方法の一例としてMAPと呼ばれる製造方法について説明する。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
Next, a manufacturing method of the
図4は図1に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールドまでの組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図、図5は図1に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図、図6は図4に示す基板準備の工程で準備する多数個取り基板の平面図、図7は図4に示す樹脂モールドの工程で多数個取り基板の主面が樹脂封止された基板構造体の全体構造を示す斜視図である。 4 is a manufacturing process flow diagram showing an example of assembly up to the resin mold in the assembly of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a manufacturing process flow diagram showing an example of assembly after the resin mold in the assembly of the semiconductor device shown in FIG. 6 is a plan view of a multi-cavity substrate prepared in the substrate preparation step shown in FIG. 4, and FIG. 7 is a substrate in which the main surface of the multi-cavity substrate is resin-sealed in the resin molding step shown in FIG. It is a perspective view which shows the whole structure of a structure.
(a)まず、図4のステップS1に示す基板準備を行う。ここでは、CSP7を形成する領域であるパッケージ領域9aが図6に示すように複数(図6では40個)区画配置された多数個取り基板9を準備する。パッケージ領域9aはマトリクス状に区画配置されている。
(A) First, substrate preparation shown in step S1 of FIG. 4 is performed. Here, a
(b)その後、ステップS2に示すダイボンディングを行って多数個取り基板9上に接着剤2を介して半導体チップ1を搭載(固着)する。ここでは、図6に示す複数のパッケージ領域9aにそれぞれ半導体チップ1を搭載する。
(B) Thereafter, die bonding shown in step S2 is performed, and the
ところで、多数個取り基板9は複数のパッケージ領域9aを有しているので、一部のパッケージ領域9aが不良(例えば断線による導通不良)となっている場合がある。この不良となっているパッケージ領域9aに良品の半導体チップ1を搭載すると、完成したCSP7としては不良品となってしまう。
By the way, since the
そこで、半導体チップ1を搭載する前に多数個取り基板9をパッケージ領域毎に検査して、検査に合格したパッケージ領域9aのみに半導体チップ1を搭載する(不良と判定されたパッケージ領域9aには半導体チップ1を搭載しない)こともできる。このようにすれば、良品の半導体チップ1を節約することができるので製造効率を向上させることができる。
Therefore, the
その後、ステップS3に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ1と多数個取り基板9とを電気的に接続する。詳しくは、図3に示すように、半導体チップ1の主面1aのパッド1cと、これに対応する多数個取り基板9のパッケージ基板3のワイヤ接合部であるボンディング用端子3pとを金線等の導電性のワイヤ4によって電気的に接続する。
Thereafter, wire bonding shown in step S3 is performed. Here, the
(c)その後、ステップS4に示す樹脂モールドを行う。ここでは、多数個取り基板9上において、複数の半導体チップ1や複数のワイヤ4を樹脂成形金型15の1つのキャビティ15aで一括して覆って樹脂封止し、これによって一括封止体5を形成する。なお、一括封止体5を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等である。
(C) Thereafter, resin molding shown in step S4 is performed. Here, on the
封止用樹脂を硬化させて、一括封止体5を形成すると、図4および図7に示すに示す多数個取り基板9の主面(半導体チップ搭載面)3a側に一括封止体5が形成された基板構造体14を得る。
When the encapsulating
(d)その後、図5のステップS5に示すボールマウントを行って多数個取り基板9(図3に示すパッケージ基板3)の裏面3b(図3参照)の各ランド部3d(図3参照)に半田ボール8を接続する。ここでは、多数個取り基板9のランド部3dに半田を塗布した後、リフロー処理により半田ボール8を形成する。
(D) After that, ball mounting shown in step S5 of FIG. 5 is performed, and each
(e)その後、ステップS6に示すマークを行う。ここではマーキング10を行って一括封止体5にマークを付す。なお、マーキング10は、例えば、インクマーキング法やレーザマーキング法等などで行うことができる。
(E) After that, the mark shown in step S6 is performed. Here, marking 10 is performed to mark the
ところで、ステップS5に示すボールマウントの工程とステップS6に示すマークの工程とは順序を入れ替えても良い。 By the way, the order of the ball mounting process shown in step S5 and the mark process shown in step S6 may be interchanged.
前述の通り、前記(d)工程では、パッケージ基板3(多数個取り基板9)のランド部3dに半田を塗布した後、リフロー処理を行う。このため、ボールマウントの工程においても、このリフロー処理により基板構造体14(多数個取り基板9および一括封止体5)が更に反る場合がある。マークの工程では、レーザマーキング法などでマーキングを行うが、基板構造体14が反った状態では、一括封止体5の表面に垂直にレーザを照射することが困難となるため、一括封止体5の表面にマークが付されないというマーキング不良が発生する場合がある。
As described above, in the step (d), after the solder is applied to the
そこで、レーザマーキング法でマークを行う場合は、図5に示すステップS5とステップS6の順序を入れ替えて、基板構造体14が反る要因の一つである半田ボール8形成時のリフロー処理を行う前に、先にマークの工程を行うことが好ましい。これにより、マーキング不良を抑制することができる。
Therefore, when marking by the laser marking method, the order of step S5 and step S6 shown in FIG. 5 is changed, and the reflow process at the time of forming the solder ball 8, which is one of the factors that warp the
(f)その後、ステップS7に示す個片化を行う。個片化が完了すると、ステップS8に示すようにCSP7の組み立てを完了して製品完成となる。
(F) Thereafter, individualization shown in step S7 is performed. When the singulation is completed, the assembly of the
ところで、個片化を行うためには、ダイシング装置の所定の位置に基板構造体14を固定する必要がある。この固定手段を大別すると、ダイシングステージに基板構造体14を直接吸着して固定する方法(以下吸着ダイシング法と呼ぶ)と、基板構造体14と、これを保持する保持枠とにダイシングテープを貼り付けることによりこれらを所定の位置関係で固定して、保持枠毎ダイシング装置のステージに固定する方法(以下テープダイシング法と呼ぶ)がある。
By the way, in order to divide into pieces, it is necessary to fix the
吸着ダイシング法はダイシングテープを貼り付ける必要がないため、テープダイシング法よりも工程を簡略化できる。しかし、例えば、本実施の形態で説明するMAPで製造されるCSP7のように小型の半導体装置に適用する場合、パッケージ領域毎に吸着手段を設けなければならない(切断中の製品の飛散、位置ずれ等を防止するため)ため、吸着機構が複雑になる。したがって、吸着ダイシング法は比較的大きな半導体装置の製造に好適な個片化方法である。
Since the adsorption dicing method does not require a dicing tape to be attached, the process can be simplified as compared with the tape dicing method. However, for example, when applied to a small semiconductor device such as
一方、テープダイシング法は基板構造体14の一方の面を被覆するようにダイシングテープを貼り付けるので、吸着ダイシング法よりも切断中の基板構造体14全体を所定の位置に固定しやすい。したがって、テープダイシング法は比較的小型の半導体装置の製造に好適な個片化方法である。
On the other hand, in the tape dicing method, since the dicing tape is applied so as to cover one surface of the
そこで、本実施の形態ではテープダイシング法を適用した。以下このステップS7に示す個片化の工程の概要を説明する。 Therefore, the tape dicing method is applied in the present embodiment. The outline of the individualization process shown in step S7 will be described below.
まず、前記(c)工程で主面3a側が封止された多数個取り基板9(すなわち基板構造体14)とこれを保持する保持枠とにダイシングテープ(接着シート)12を貼り付けることによりこれらを所定の位置関係で固定する。
First, by attaching a dicing tape (adhesive sheet) 12 to the multi-piece substrate 9 (ie, the substrate structure 14) whose
次に、保持枠に固定された基板構造体14をダイシング装置に搬送し、ダイシングブレード11などの切断治具を用いて切断し、個片化する。基板構造体14を個片化すると図1〜図3に示すCSP7が得られる。
Next, the
次に、個々のCSP7を保持枠に固定された状態でピックアップ装置に搬送し、接着シートの粘着力を弱めた後で、接着シートからそれぞれピックアップし、次工程(選別工程、包装工程など)に送られる。
Next, the
上記一連の個片化工程のうち、特に保持枠に基板構造体14を固定する工程について、以下詳細に説明する。
Of the series of singulation steps, the step of fixing the
図8は保持枠内に、主面側が封止された基板構造体を配置した状態を示す平面図、図9は、本実施の形態の貼り付け装置の概要を示す要部断面図、図10は図9に示す基板構造体にダイシングテープの貼り付けを開始した状態を示す拡大断面図である。さらに、図11は図10に示す傾斜ピンの平面位置を示す平面図、図12は図10に示す傾斜ピンを収納した状態を示す断面図である。 FIG. 8 is a plan view showing a state in which the substrate structure sealed on the main surface side is arranged in the holding frame, FIG. 9 is a cross-sectional view of the main part showing an outline of the attaching apparatus of the present embodiment, and FIG. FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a state where affixing of a dicing tape is started on the substrate structure shown in FIG. 9. 11 is a plan view showing the planar position of the tilt pin shown in FIG. 10, and FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state in which the tilt pin shown in FIG. 10 is housed.
(f1)まず、図8に示す保持枠13を準備して、この保持枠13内に基板構造体14を配置する。
(F1) First, the holding
この保持枠13は、上記した一連の個片化工程で、基板構造体14を各装置の所定の位置に配置するために用いる金属(例えばステンレス綱など)製のフレームである。保持枠13はリング状の形状となっており、その外縁には、上記各装置の所定の位置に位置決めするための窪み部13aが形成されている。
The holding
この配置工程では、保持枠13と基板構造体14とが所定の位置関係となるように配置する。貼り付けステージ27の基板配置部27aは例えば図10に示すように、保持枠配置部27bとは独立して昇降可能な構造となっている。また基板配置部27aの外形は、図8に示すように保持枠13の内縁の輪郭に対応して円形となっている。したがって、保持枠13を配置する位置は基板配置部27aによって規定される。また保持枠13の方向は、保持枠配置部27bに形成された保持枠位置決めピン27cと窪み部13aとを合わせることにより規定される。
In this arrangement step, the holding
一方、基板構造体14の位置は、貼り付けステージ27の基板配置部27aから突出して延びる複数の位置決めピン27dにより規定される。なお、位置決めピン27dは図10に示すようにシリンダ27eなどの昇降治具を用いて昇降可能とすることが好ましい。基板構造体14を配置する際に、位置決めピン27dと基板構造体14とが衝突して損傷することを防止するためである。
On the other hand, the position of the
図8では配置例として2枚の基板構造体14を配置した状態を示している。このように、複数枚の基板構造体14を配置すれば、製造効率を向上させることができる。ただし、配置する基板構造体14の数は、基板構造体14の寸法に応じて1枚から数枚程度まで適宜選択することが可能であり、2枚に限定される訳ではない。
FIG. 8 shows a state in which two
また、本実施の形態では、後述する接着シートの貼り付け工程で、一括封止体5の面に接着シートを貼り付ける実施態様について説明するので、一括封止体5が上面となるように配置した。
In the present embodiment, an embodiment in which the adhesive sheet is attached to the surface of the
(f2)次に、図9に示すダイシングテープ12を貼り付けて、保持枠13と基板構造体14とを固定する。
(F2) Next, the dicing
この工程では、例えば図9に示す貼り付け装置20を用いて、連続的にダイシングテープ12を貼り付けることができる。
In this step, for example, the dicing
ダイシングテープ12を連続的に貼り付ける場合、ダイシングテープ12は、例えば図9に示すように長い帯状のテープをロールで巻き取った状態で、供給部21にセットされる。なお、供給部21にセットされた状態では、ダイシングテープ12は、その粘着層の表面にカバーテープ16が貼り付けられた状態でセットされている。
When the dicing
供給部21から送り出されたダイシングテープ12は、複数のローラ22の間を縫うように送られ、回収部23に巻き取られる構造となっている。カバーテープ16は貼り付け部24よりも手前で引き剥がされ、カバーテープ回収部25に巻き取られる。
The dicing
また、貼り付け部24の前後にはテンションローラ26が配置され、ダイシングテープ12は所定の張力で張られた状態となっている。また、貼り付け部24では、ダイシングテープ12は貼り付けステージ27に対して傾斜した状態で張られている。図9では供給部21側が回収部23側よりも高い位置となるように傾斜した状態を示している。
In addition,
一方、図8で説明した保持枠13および基板構造体14は、貼り付け部24に設置された貼り付けステージ27の上に配置されている。
On the other hand, the holding
また、貼り付け装置20は貼り付けローラ(貼り付け治具)28を有しており、貼り付け部24の領域を移動させることができる構造となっている。図10に示すように、この貼り付けローラ28は貼り付けステージ27の表面に沿って移動方向28aに移動する。また、貼り付けローラ28は回転方向28bに回転しながら移動する。
Further, the affixing
この貼り付けローラ28が保持枠13の一方の端部から他方の端部まで、ダイシングテープ12を介して上方から所定の圧力で基板構造体14を押さえながら移動することにより、保持枠13および基板構造体14にダイシングテープ12を貼り付ける(本実施の形態では、ダイシングテープ12は図8に示す一括封止体5に貼り付けられる)。
The affixing
ここで、基板構造体14はその製造工程中にリフロー工程などの加熱プロセスを含んでいる。このため、基板構造体14を構成する各部材の線膨張係数の違いにより反りが生じる。
Here, the
この反りの形状は、図10に示すように基板構造体14の端部(特に長手方向の両端部)が中央部よりも上側(一括封止体5側)に持ち上がる形状となる場合が多い。ただし、基板構造体14を構成する各部材の材質やレイアウト、寸法によってはこれとは反対に基板構造体14の端部が中央部よりも下側(多数個取り基板9側)に下がる場合もある。
As shown in FIG. 10, the shape of the warp is often a shape in which the end portions (particularly both end portions in the longitudinal direction) of the
また、前述したように良品の半導体チップ1(図5参照)を節約するため、不良と判定されたパッケージ領域9a(図6参照)には半導体チップ1を搭載しない場合、半導体チップ1の有無によって線膨張率が変化するため、個々の基板構造体14毎に異なった形状の反りが発生する場合がある。
Further, as described above, in order to save the non-defective semiconductor chip 1 (see FIG. 5), when the
このように複雑な形状に反った基板構造体14を貼り付けステージ27上に置くと、がたつきが生じるため基板構造体14の位置が安定しない。基板構造体14の位置が安定しない状態でダイシングテープ12の貼り付けを開始すると、ダイシングテープ12に皺やねじれが発生し、貼り残しや気泡(基板構造体14とダイシングテープ12の間に発生する気泡)の原因となる。
When the
そこで、本実施の形態では、図10に示すように傾斜ピン(基板傾斜手段、突き上げ部材)27fを用いて基板構造体14を配置する貼り付けステージ27に対して基板構造体14を傾斜させた状態で、基板構造体14とダイシングテープ12との貼り付けを開始することとした。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 10, the
傾斜ピン27fは貼り付けステージ27(基板配置部27a)の基板構造体14を配置した領域に配置され、基板構造体14の下面(多数個取り基板9の裏面)を貼り付けステージ27の表面から上方に突き上げている。
The
基板構造体14は、貼り付けを開始する側の端部(図10において左側の端部)は貼り付けステージ27に接触しており、その反対側の端部(図10において右側の端部)は貼り付けステージ27から傾斜ピン27fにより持ち上げられた状態となっている。つまり、貼り付けを開始する際には、貼り付けローラ28の移動方向28aに対して遠い側の基板構造体14の端部が、近い側の端部よりも高い位置にある。
The
このように、貼り付けステージ27に対して基板構造体14を傾斜させた状態とすることにより、基板構造体14が反っている場合であっても、がたつきを解消し、基板構造体14の位置を安定させることができる。
In this way, by setting the
また、基板構造体14の位置を安定させた状態で、基板構造体14とダイシングテープ12との貼り付けを開始することにより、ダイシングテープ12の貼り付けを開始する基板構造体14の端部とダイシングテープ12とを確実に接触させることができる。すなわち、基板構造体14の一方の端部から反対側の端部の方向にダイシングテープ12を順に貼り付けていくことができる。したがって、貼り残しや気泡を生じることなくダイシングテープ12を基板構造体14の貼り付け面(一括封止体5の表面)に貼り付けることができる。
In addition, by starting attachment of the
また、図10および図11に示すように、傾斜ピン27fは貼り付けローラ28の移動方向28aに対して基板構造体14の中央よりも後方に配置されている。このため、基板構造体14の貼り付けを開始する側の端部は貼り付けステージ27に支持された状態となる。このような構造とすることにより、貼り付け時に貼り付けローラ28を所定の圧力で下方に押し下げても、傾斜ピン27fに加わる応力を軽減することができる。また、傾斜ピン27fから基板構造体14に加わる反力も軽減できるので、基板構造体14の損傷を防止することができる。
Further, as shown in FIGS. 10 and 11, the
また、傾斜ピン27fは多数個取り基板9の端部と半田ボール8(図5参照)が形成された領域の間に配置することが好ましい。傾斜ピン27fと半田ボール8との接触を回避して、半田ボール8の損傷や導通不良を防止するためである。
The
また、傾斜ピン27fは例えば図11に示すように1枚の基板構造体14に対して2個ずつ配置されている。1枚の基板構造体に対して2個ずつの傾斜ピン27fを配置することにより、基板構造体14の位置をより安定させ易くすることができる。
Further, for example, as shown in FIG. 11, two
ただし、傾斜ピン27fの数はこれに限定されない。例えば、1枚の基板構造体14に対して1個の傾斜ピン27fを配置する場合、基板構造体14の短辺の中央付近に配置すれば良い。この場合、2個ずつ配置する場合よりは安定度は劣るが傾斜ピン27fを設けない場合よりは安定させることができる。
However, the number of
あるいは、1枚の基板構造体14に対して3個以上の傾斜ピン27fを配置しても良い。この場合、貼り付けローラ28で押し下げられる時に傾斜ピン27fに加わる応力、あるいはその反力を複数の傾斜ピン27fに更に分散させることが出来るので、傾斜ピン27f、あるいは基板構造体14の損傷を更に防止することができる。また、傾斜ピン27fの数を増加させることにより、各傾斜ピン27fの高さを微調整することができるので、調整の自由度が向上する。
Alternatively, three or more
次に、図12に示すように、基板構造体14とダイシングテープ12との貼り付けを開始した後、貼り付けを完了するまでの間に傾斜ピン27fを貼り付けステージ27の表面よりも下方に収納する。傾斜ピン27fを貼り付けステージ27の表面よりも下方に収納することにより、傾斜ピン27fを用いた基板構造体14の傾斜は無くなり、基板構造体14は貼り付けステージ27と平行な状態となる。
Next, as shown in FIG. 12, after the attachment of the
ここで、平行な状態とは、傾斜ピン27fを収納することにより、基板構造体14が貼り付けステージ27の表面に沿って配置された状態を意味する。したがって、基板構造体14には反りが生じているため、貼り付けステージ27と完全に平行になっている訳ではないが、これを排除するものではない。傾斜ピン27fはシリンダ27eに接続されており、昇降動作が可能な構造となっている。
Here, the parallel state means a state in which the
傾斜ピン27fを突き上げた状態のままダイシングテープ12を最後まで貼り付けると、基板構造体14にストレスが加わり、基板構造体14が損傷する可能性がある。一方、ダイシングテープ12は、皺やねじれのない状態で基板構造体14の一方の端部から貼り付けが開始されているため、基板構造体14を傾斜させなくても貼り残しや気泡が発生し難い状態となっている。
If the dicing
つまり、本実施の形態によれば、基板構造体14とダイシングテープ12との貼り付けを開始した後、貼り付けを完了するまでの間に傾斜ピン27fを用いた基板の傾斜を無くすことにより、基板構造体14の損傷を回避しつつ、貼り残しや気泡の発生を防止することができる。
That is, according to the present embodiment, after starting the attachment of the
本発明者が種々条件を変えて実験を行った所、基板構造体14の貼り付けを開始する端部(一括封止体5の端部)とダイシングテープ12とが貼り付いていれば、貼り付け開始後に直ちに傾斜ピン27fを収納しても貼り残しや気泡の発生は認められなかった。
When the inventor conducted an experiment under various conditions, if the end portion (end portion of the collective sealing body 5) where the
つまり、基板構造体14の損傷回避の観点からは、基板構造体14の貼り付けを開始する端部(一括封止体5の端部)とダイシングテープ12とを貼り付けた後、直ちに傾斜ピン27fを用いた傾斜を無くすことが好ましい。
That is, from the viewpoint of avoiding damage to the
また、図10および図12に示す貼り付けローラ28は、その表面に例えばシリコーンゴムなどの弾力性の高い材料を巻いている。したがって、貼り付けローラ28のダイシングテープ12と接触する面は、基板構造体14のダイシングテープ12を貼り付ける面(すなわち一括封止体5)の表面よりも高い弾力性を有している。
10 and 12 has a surface with a highly elastic material such as silicone rubber wound around it. Therefore, the surface of the attaching
このように、貼り付けローラ28の表面を弾力性の高い素材で覆うことにより、基板構造体14に複雑な形状の反りが発生している場合でも、これに倣ってダイシングテープ12を貼り付けることができる。すなわち、貼り残しや気泡の発生を防止することができる。
In this way, by covering the surface of the affixing
また、図10に示すように、基板構造体14を貼り付けステージ27に対して傾斜させた状態であっても、基板構造体14の貼り付けを開始する領域と貼り付けローラ28に沿って平行な位置にある保持枠13とダイシングテープ12とを接触させることができる。このため、基板構造体14と保持枠13とを所定の位置関係で固定することができる。
Further, as shown in FIG. 10, even when the
(f3)次に、保持枠13のダイシングテープ12が貼り付けられた面側で、ダイシングテープ12を切断する。ここでは、例えばカッタ支持部に取り付けられた回転刃の端部を保持枠13のダイシングテープ12が貼り付けられた面に当接させた状態で、保持枠の円周軌道上を回転させて切断する。
(F3) Next, the dicing
<基板構造体の変形例>
次に、基板構造体の変形例について図13を用いて説明する。図13は本実施の形態の変形例である基板構造体にダイシングテープの貼り付けを開始した状態を示す拡大断面図である。
<Modification of substrate structure>
Next, a modified example of the substrate structure will be described with reference to FIG. FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which affixing of a dicing tape is started on a substrate structure that is a modification of the present embodiment.
図13に示す基板構造体17と図10に示す基板構造体14との相違点は反りの方向である。図10に示す基板構造体14は、その端部(特に長手方向の両端部)が中央部よりも上側(一括封止体5側)に持ち上がる形状となっている。
The difference between the
一方、図13に示す、基板構造体17は、その端部が中央部よりも下側(多数個取り基板9側)に下がっている。
On the other hand, the end portion of the
本実施の形態で説明した基板構造体14にダイシングテープ12を貼り付ける技術は図13に示すように基板構造体17にも適用することができる。
The technique for attaching the dicing
つまり、貼り付けステージ27に対して基板構造体17を傾斜させた状態とすることにより、基板構造体17が反っている場合であっても、がたつきを解消し、基板構造体17の位置を安定させることができる。
That is, by setting the
また、基板構造体17の位置を安定させた状態で、基板構造体17とダイシングテープ12との貼り付けを開始することにより、ダイシングテープ12の貼り付けを開始する基板構造体17の端部とダイシングテープ12とを確実に接触させることができる。すなわち、基板構造体17の一方の端部から反対側の端部の方向にダイシングテープ12を順に貼り付けていくことができる。したがって、貼り残しや気泡を生じることなくダイシングテープ12を基板構造体17の貼り付け面(一括封止体5の表面)に貼り付けることができる。
Further, by starting the attachment of the
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
例えば、実施の形態では半導体装置の製造方法の例としてMAPについて説明した。しかし半導体装置の製造工程はこれに限定されるものではなく、例えば、多数個取り基板9のパッケージ領域の数に対応して複数のキャビティを有する金型を用いて封止する方法(個片モールドと呼ばれる)で基板構造体を得る方法に適用することができる。 For example, in the embodiment, MAP has been described as an example of a method for manufacturing a semiconductor device. However, the manufacturing process of the semiconductor device is not limited to this. For example, a method of sealing using a mold having a plurality of cavities corresponding to the number of package regions of the multi-cavity substrate 9 (individual mold) It can be applied to a method for obtaining a substrate structure.
また、半導体ウエハを基板構造体とみなし、該半導体ウエハにダイシングテープなどの接着シートを貼り付ける工程にも適用することができる。例えば薄型化などにより、半導体ウエハに反りが生じる場合、ダイシングテープと半導体ウエハとの間に貼り残しや気泡が発生する場合がある。 Further, the present invention can also be applied to a process in which a semiconductor wafer is regarded as a substrate structure and an adhesive sheet such as a dicing tape is attached to the semiconductor wafer. For example, when the semiconductor wafer is warped due to thinning or the like, there may be a case where a sticking residue or a bubble is generated between the dicing tape and the semiconductor wafer.
しかし、本実施の形態で説明した方法を適用すれば、貼り残しや気泡を生じることなくダイシングテープを貼り付けることができる。 However, if the method described in the present embodiment is applied, the dicing tape can be attached without causing sticking or bubbles.
本発明は、個片化工程で、多数個取り用基板などの被個片化対象構造物を接着シートを介して保持枠に固定して個片化する半導体装置に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a semiconductor device that separates a structure to be separated such as a multi-piece substrate, etc., into a holding frame via an adhesive sheet in the individualization step.
1 半導体チップ
1a 主面
1b 裏面
1c パッド(電極)
2 接着剤
3 パッケージ基板(配線基板)
3a 主面
3b 裏面
3c コア材
3d ランド部
3e スルーホール
3f 開口窓
3g メッキ膜
3h 金属膜
3n 配線
3p ボンディング用端子(ワイヤ接合部)
3q ソルダレジスト膜
3r 給電線
4 ワイヤ
5 一括封止体
6 樹脂体
7 CSP(半導体装置)
8 半田ボール(外部端子)
9 多数個取り基板
9a パッケージ領域
10 マーキング
11 ダイシングブレード
12 ダイシングテープ
13 保持枠
13a 窪み部
14 基板構造体
15 樹脂成形金型
15a キャビティ
16 カバーテープ
17 基板構造体
20 貼り付け装置
21 供給部
22 ローラ
23 回収部
24 貼り付け部
25 カバーテープ回収部
26 テンションローラ
27 貼り付けステージ
27a 基板配置部
27b 保持枠配置部
27c 保持枠位置決めピン
27d 位置決めピン
27e シリンダ
27f 傾斜ピン(基板傾斜手段、突き上げ部材)
28 貼り付けローラ(貼り付け治具)
28a 移動方向
28b 回転方向
DESCRIPTION OF
2 Adhesive 3 Package substrate (wiring substrate)
3q Solder resist
8 Solder balls (external terminals)
9
28 Sticking roller (sticking jig)
Claims (5)
前記基板構造体と接着シートとを貼り付ける工程とを有し、
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程では、
貼り付け治具を用いて、前記基板構造体の一方の端部から他方の端部まで、前記接着シートを介して上方から所定の圧力で前記基板構造体を押さえながら移動することにより、貼り付けを行い、
前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始する際には、基板傾斜手段を用いて前記基板構造体を配置する貼り付けステージの表面に対して前記基板構造体を傾斜させ、前記貼り付け治具の移動方向に対して遠い側の前記基板構造体の端部が、近い側の端部よりも高い位置にある状態で、前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a substrate structure; and
A step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet;
In the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet,
Affixing is performed by using an affixing jig from one end of the substrate structure to the other end while holding the substrate structure with a predetermined pressure from above via the adhesive sheet. And
When starting the bonding of the substrate structure and the adhesive sheet, the substrate structure is inclined with respect to the surface of the bonding stage on which the substrate structure is arranged using the substrate tilting means, and the bonding is performed. Affixing the substrate structure and the adhesive sheet is started in a state where the end of the substrate structure on the side far from the moving direction of the attaching jig is at a higher position than the end on the near side. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程の前に、基板の主面に半導体チップを搭載する工程と、前記基板の前記主面を樹脂体により封止して前記基板構造体とする工程とを有し、
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程では、
前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始した後、貼り付けを完了するまでの間に前記基板傾斜手段を用いた傾斜を無くすことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
Before the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet, a step of mounting a semiconductor chip on the main surface of the substrate, and sealing the main surface of the substrate with a resin body to form the substrate structure. A process,
In the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet,
A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the inclination using the substrate tilting means is eliminated between the start of bonding of the substrate structure and the adhesive sheet and the completion of bonding.
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程の前に、基板の主面に半導体チップを搭載する工程と、前記基板の前記主面を樹脂体により封止して前記基板構造体とする工程とを有し、
前記基板傾斜手段は、前記貼り付けステージの前記基板構造体を配置した領域に配置された突き上げ部材であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
Before the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet, a step of mounting a semiconductor chip on the main surface of the substrate, and sealing the main surface of the substrate with a resin body to form the substrate structure. A process,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the substrate tilting means is a push-up member disposed in a region where the substrate structure of the pasting stage is disposed.
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程の前に、基板の主面に半導体チップを搭載する工程と、前記基板の前記主面を樹脂体により封止して前記基板構造体とする工程とを有し、
前記基板構造体と前記接着シートとを貼り付ける工程では、
前記貼り付け治具の前記接着シートと接触する面は、前記基板構造体の前記接着シートを貼り付ける面よりも高い弾力性を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
Before the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet, a step of mounting a semiconductor chip on the main surface of the substrate, and sealing the main surface of the substrate with a resin body to form the substrate structure. A process,
In the step of attaching the substrate structure and the adhesive sheet,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein a surface of the attaching jig that contacts the adhesive sheet has higher elasticity than a surface of the substrate structure to which the adhesive sheet is attached.
(b)前記複数のパッケージ領域の各々に半導体チップをそれぞれ搭載し、前記半導体チップと前記基板とをそれぞれ電気的に接続する工程と、
(c)前記基板の前記半導体チップが搭載された主面側を樹脂成形金型が有する一つのキャビティで一括して覆うことにより樹脂封止して基板構造体とする工程と、
(d)前記基板構造体を個片化する工程とを有し、
前記(d)工程には、
(d1)保持枠を準備した後、前記保持枠の内側に前記基板構造体を所定の位置関係で配置する工程と、
(d2)接着シートと、前記保持枠および前記基板構造体を貼り付けることにより前記保持枠と前記基板構造体とを固定する工程とが含まれ、
貼り付け治具を用いて、前記基板構造体の一方の端部から他方の端部まで、前記接着シートを介して上方から所定の圧力で前記基板構造体を押さえながら移動することにより、貼り付けを行い、
前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始する際には、基板傾斜手段を用いて前記基板構造体を配置する貼り付けステージの表面に対して前記基板構造体を傾斜させ、前記貼り付け治具の移動方向に対して遠い側の前記基板構造体の端部が、近い側の端部よりも高い位置にある状態で、前記基板構造体と前記接着シートとの貼り付けを開始することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (A) preparing a substrate having a plurality of package regions;
(B) mounting a semiconductor chip in each of the plurality of package regions, and electrically connecting the semiconductor chip and the substrate;
(C) a step of resin-sealing by covering the main surface side of the substrate on which the semiconductor chip is mounted with a single cavity of a resin molding die to form a substrate structure;
(D) dividing the substrate structure into pieces,
In the step (d),
(D1) after preparing the holding frame, placing the substrate structure in a predetermined positional relationship inside the holding frame;
(D2) including a step of fixing the holding frame and the substrate structure by adhering the adhesive sheet and the holding frame and the substrate structure;
Affixing is performed by using an affixing jig from one end of the substrate structure to the other end while holding the substrate structure with a predetermined pressure from above via the adhesive sheet. And
When starting the bonding of the substrate structure and the adhesive sheet, the substrate structure is inclined with respect to the surface of the bonding stage on which the substrate structure is arranged using the substrate tilting means, and the bonding is performed. Affixing the substrate structure and the adhesive sheet is started in a state where the end of the substrate structure on the side far from the moving direction of the attaching jig is at a higher position than the end on the near side. A method for manufacturing a semiconductor device.
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2007
- 2007-09-28 JP JP2007253664A patent/JP2009088102A/en active Pending
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