JP2009086849A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置20は、異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類のデータを記憶可能なメモリセルからなる複数のメモリブロックを有するメモリ部21と、各メモリブロックを消去単位としてメモリ部を管理するメモリコントローラ22とを有する。メモリコントローラ22は、メモリ部21の論理アドレスを、メモリブロックを特定する物理アドレスに変換する機能を有し、メモリブロックの書き換えに際して当該メモリブロックと予め登録されたフリーブロックとを置き換える処理を実行する。メモリコントローラ22は、メモリ部21の各メモリブロック及びフリーブロックを、書き換え後も書き換え前と同一の種類のデータを記憶するようにメモリ部21に記憶するデータの種類を管理する。
【選択図】図8
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体メモリを示すブロック図である。
図3は、この実施の形態のLBA−NANDメモリのメモリ領域の詳細を示す図である。
次に、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置のメモリブロックの管理について図面を参照しながら詳細に説明する。
続いて、本発明の第2の実施の形態に係る半導体記憶装置のメモリブロックの管理について図面を参照しながら詳細に説明する。
同様に、MDA領域52のデータ書き込み済みの論理アドレス“0x2801”にライトが発生した場合、メモリコントローラ22は、ライトすべきデータが多値データであることをコマンドから判断し、MDA用FBテーブル71から使用すべき新しいブロックを参照し、例えばブロックアドレス“0,0x0212”のフリーブロックを選択する。そして、選択したブロックアドレス“0,0x0212”のフリーブロックをMDA用FBテーブル71から払い出し、L/Pテーブル60のライトが発生した“0,0x0101”のメモリブロックと入れ替える。その後、ブロックアドレス“0,0x0101”のメモリブロックをL/Pテーブル60から削除してMDA用FBテーブル71のキューの最後部に加えると共に、新たにデータを書き込んだ“0,0x0212”のフリーブロックをL/Pテーブル60の論理アドレス“0x2801”と関連付ける。MDA用FBテーブル71では、フリーブロックアドレスのキューの順位がひとつだけ繰り上がる。
Claims (6)
- 異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類のデータを記憶可能なメモリセルからなる複数のメモリブロックを有するメモリ部と、
前記各メモリブロックを消去単位として前記メモリ部を管理し、前記メモリ部の論理アドレスを、前記メモリブロックを特定する物理アドレスに変換する機能を有し、前記メモリブロックの書き換えに際して当該メモリブロックと予め登録されたフリーブロックとを置き換える処理を実行するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記メモリ部の各メモリブロック及びフリーブロックを、書き換え後も書き換え前と同一の種類のデータを記憶するように前記メモリ部に記憶するデータの種類を管理する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類の書き込み、読み出し方式でデータを記憶可能なメモリセルからなる複数のメモリブロックを有するメモリ部と、
前記各メモリブロックを消去単位として前記メモリ部を管理し、前記メモリ部の論理アドレスを、前記メモリブロックを特定する物理アドレスに変換する機能を有し、前記メモリブロックの書き換えに際して当該メモリブロックと予め登録されたフリーブロックとを置き換える処理を実行するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記メモリ部の各メモリブロック及びフリーブロックを、書き換え後も書き換え前と同一の書き込み、読み出し方式で記憶するように前記メモリ部に記憶するデータの種類を管理する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリコントローラは、前記メモリ部の論理アドレスとこの論理アドレスに対応する前記メモリブロックの物理アドレスとの対応関係を規定した論理/物理アドレス変換テーブルを構築し、この論理/物理アドレス変換テーブルを参照して前記メモリ部に記憶するデータの種類を管理する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリコントローラは、前記メモリ部のメモリ領域と各メモリ領域に割り付けるメモリブロックとの対応関係を設定し、この対応関係に基づいて前記メモリ部に記憶するデータの種類を管理する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリコントローラは、前記メモリ部の一部のメモリブロックをフリーブロックとしてフリーブロックテーブルに登録し、前記メモリ部の既書き込みメモリブロックの書き換えが発生したときには、前記メモリ領域とメモリ領域に割り付けるメモリブロックとの対応関係に基づいて、当該書き換えが発生したメモリブロックと同一のメモリ領域に含まれるフリーブロックを前記書き換えが発生したブロックと置き換える
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリコントローラは、前記メモリ部の一部のメモリブロックをフリーブロックとして各メモリ領域毎に設けられたフリーブロックテーブルに登録し、前記メモリ部の既書き込みメモリブロックの書き換えが発生したときには、当該書き換えが発生したメモリブロックに記憶されたデータと同じ種類のフリーブロックテーブルからフリーブロックを払い出して前記書き換えが発生したメモリブロックと置き換える
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
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