JP2009079281A - 高強度高導電性二相銅合金 - Google Patents
高強度高導電性二相銅合金 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009079281A JP2009079281A JP2007251460A JP2007251460A JP2009079281A JP 2009079281 A JP2009079281 A JP 2009079281A JP 2007251460 A JP2007251460 A JP 2007251460A JP 2007251460 A JP2007251460 A JP 2007251460A JP 2009079281 A JP2009079281 A JP 2009079281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- strength
- alloy
- conductivity
- precipitate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】質量%でFeを4%以上10%以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなり、Cu母相と第二相とからなる二相銅合金であって、Feを主体とする析出物がCu母相に析出している。
【選択図】図1
Description
また、複相合金の圧延材においては、曲げ加工性や耐熱性が劣るという問題がある。特に、第二相を微細に分散させて強度を向上させることを目的として複相合金を強加工すると、曲げ加工性が低下する。
一方、強加工により低下した曲げ加工性を回復させるために歪取り焼鈍を行うと、第二相が分断されて(pinching-off)強度が低下し、耐熱性が劣化する。そして,従来の複相合金は耐熱性に劣るために歪取り焼鈍後に強度と曲げ加工性を両立することができなかった。
耐熱性が向上すると,曲げ加工性の回復を目的として歪取り焼鈍を行った際に強度が低下せず、結果として強度と曲げ加工性を両立させることができる。
さらに、質量%で0.01〜0.5%のMg及び/又は0.01〜0.1%のPが合金中に固溶しているか又は化合物(Mg-Pの化合物)として析出していることが好ましい。
さらに、質量%でSn及び/又はZnが合計0.01〜1.5%合金中に固溶していることが好ましい。
圧延直角断面から見たとき、隣接する前記第二相の間隔が3μm以下であることが好ましい。
本発明の高強度高導電性二相銅合金において、歪取り焼鈍がされていると曲げ加工性に優れる。
上記銅合金はFeを4%以上10%以下含有する。Feが4%以上含有されるとCu母相中に第二相として晶出し、いわゆる「複相合金」を構成する。Fe含有量が4%未満であると、第二相による複合強化の効果が少ない。Fe含有量が10%を超えても合金の特性(特に強度)はほとんど上昇せず効果が飽和する。
そこで本発明においては,第二相を晶出させるために添加したFeの一部をCu母相中に微細に析出(自己析出)させ、析出効果によって合金の強度向上に成功した。
第二相は、Cu及び他の化学成分を含む合金溶湯から鋳造時にこれらの元素が晶出したものであり、晶出の際、第二相にFeが多く分配される。Cu,Feは互いに固溶する元素であり,Cu母相中に晶出する第二相はCuとFeを含むが、X線による定性分析によれば、第二相中のFe濃度は約80%以上と考えられる。但し、これに限定されるものではない。
又、第二相は,Cu母相内に例えば針状に晶出するが,晶出形態はこれに限定されない。第二相は、最終工程終了後の圧延組織の断面を研磨した後、SEM(走査型電子顕微鏡)のBSE(反射電子)像により、母相と異なる組成として観察することができる。組織が観察しにくい場合は、エッチング又は電解研磨を行ってもよい。
本発明においては、合金中に添加したFeがCuと二相合金を形成するだけでなく、Feの一部がCu母相に析出し、合金を析出強化させる。又、このFe析出物は、歪取り焼鈍によって第二相が球状化するのをピン止め効果によって防止するため耐熱性が向上する。従って、歪取り焼鈍によって曲げ加工性が向上すると共に強度が低下せず、強度と曲げ加工性を両立することができる。
歪取り焼鈍は曲げ加工性の回復及びばね性の向上が目的であるため,条件は特に限定されず、必要に応じてその条件を変えてよいが、250〜500℃の範囲で行い、高温の場合は短時間で,低温の場合は長時間となるよう設定すればよい。例えば、250℃の場合、焼鈍時間を3〜15時間程度とすることができ、500℃の場合、焼鈍時間を5〜30秒程度とすることができる。
特に、本発明において、第二相を微細化して厚みt1を1μm以下にした場合、析出物の粒径をそれより1桁小さい100nm以下とすることが好ましい。
析出物の粒径は、例えば最終冷間圧延前の合金条を圧延方向に平行に厚み直角に切断し、断面の析出物を走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡により10視野程度観察して求めることができる。析出物の大きさが5〜50nmの場合は50万倍〜70万倍の倍率、100〜2000nmの場合は5〜10万倍で撮影を行うとよい。そして、撮影した写真の画像を画像解析装置(例えば、株式会社ニレコ製、商品名ルーゼックス)を用いて大きさ5nm以上の析出物のすべてについて個々に長径a、短径b,及び面積を測定し、それらの平均値から析出物の粒径を計算することができる。
本発明においては、合金中にAg及び/又はCrを合計濃度0.1〜4%で添加することにより、Ag及び/又はCrから主としてなる第2析出物がCu母相に析出し、合金を析出強化させる。なお、AgとCrはお互いに影響を及ぼすことが無く,AgとCrを複合添加するとより大きな効果が得られる。例えば、Cu-Fe系複相合金においては,Feの腐食が問題となる場合があるが、Crの添加によって耐食性が向上する。また,Agの銅母相への固溶は3%程度であり,このうち一部が熱処理(時効処理)によって析出するが,固溶しているAgは導電率の低下への影響がほとんど無く,Feの延伸を容易にする効果が認められる。
なお、第2析出物も上記したFe析出物と同様、歪取り焼鈍によって第二相が球状化するのをピン止め効果によって防止し、耐熱性を向上させる。従って、析出物の種類(Fe,Ag,Cr)によらず、ピン止め効果が生じればよい。
Crの添加濃度を0.1%以上1.0%以下とすることが好ましい。Crの添加量が0.1%未満であると、充分な析出強化が生じず、Crの添加量が1.0%を超えると溶解温度が高くなり,Crの溶解が困難となる。
なお、第2析出物の好ましい粒径、及び第2析出物を析出させるための熱処理(時効処理)条件は、上記したFe析出物の場合と同様である。
0.01〜0.5%のMg及び/又は0.01〜0.1%のPを合金中に添加すると、これらの元素が主にCu母相に固溶し、第二相を微細化する。
MgはFe晶出物(第二相)を微細化し合金強度を向上させる。Mgの添加濃度を0.01〜0.5%とする。Mgの添加濃度が0.01%未満であると、Fe第二相を微細化する効果が得られず、0.5%を超えるとMgがCu母相へ固溶し難くなって酸化物(MgOなど)として晶出する。なお、Mgの添加濃度が0.3%を超えると粗大な粒子(酸化物、ノロ)が発生するので、好ましくは0.3%以下とする。
Pの添加濃度を0.01〜0.1%とする。Pの添加濃度が0.01%未満であると、Fe析出物を微細化する効果が得られず、0.1%を超えると熱間割れの問題を引き起こす。
なお、MgとPを複合添加した場合、Mg-P系化合物がCu母相に析出し、その析出物の粒径は上記したように20〜100nmの範囲にある。
さらに、本発明の合金に、Sn及び/又はZnを合計で0.01%以上1.5%以下含有することが好ましい。上記元素はCu母相内に主に固溶し、銅合金を固溶強化させ、又、銅合金の再結晶温度を上昇させるので、耐熱性(半軟化温度)が向上する。
添加元素の合計濃度が0.01%未満の場合、固溶強化が充分でなく、1.5%を超えると導電率が低下すると共に曲げ加工性も劣化する。なお、40%IACS以上の導電率を得るためには、添加元素の合計濃度を1.0%以上とすることが好ましい。
又、析出元素の合金中の濃度を例えば湿式法で測定することもできる。
二種以上の析出物を含有している場合は、それらの合計量を含有割合とする。
上記析出物は主としてCu母相に析出するが、析出せずに合金中に固溶しているものもあるため、合金中の濃度で規定している。
これらの不純物としては、Gd,Y,Yb,Nd,In,Pd,Teを挙げることができる。
図1において、圧延直角断面から見たとき、第二相の厚み(圧延方向の第二相長さに相当)t1とし、隣接する第二相の間隔(圧延方向の距離)をdとする。圧延直角断面とは、圧延直角方向Tに沿い圧延表面に垂直な面で圧延材を切断した時の断面をいう。圧延平行方向は、例えば圧延表面に形成された圧延ロールの目を圧延平行方向と定めればよい。
第二相の厚みt1が小さくなるほど、強度が高くなる。又、dは、圧延加工度を高くすることで小さくすることができる。本発明の合金の場合、t1を3μm以下とすることで、より高い強度が得られ、t1を1μm以下とするとさらに好ましい。t1が1μm以下であれば、析出物の粒径に近い大きさとなるため、転位障害による析出強化機構がより発揮され易いからである。
又、上記したように、圧延直角断面から見て、隣接する第二相の間隔dが小さいほど高強度が得られるため、dを3μm以下とすることが好ましい。厚さt1が減少するのと同様の理由により、強度は界面積に依存する。すなわち,組織写真上の第二相の積層方向(圧延による圧下がかかる方向)に垂直に線を引いた際、この線を通過する母相と第二相(リボン状組織)の界面の数に強度が依存する。そして、加工した際に第二相がすべて剪断されるだけの強度がこの材料の強度を示し、上記界面の数が多いほど強度が高くなると考えられる。
dを1μm以下とするとさらに好ましい。これは、後述するように析出物の粒径を20〜100nmとすると、dが1μm以下であれば、析出物の粒径に近い大きさとなるため、転位障害による析出強化機構がより発揮され易いからである。
tを1μm以下に制御する方法としては,例えば冷間圧延の加工度が90%以上になるよう、低加工度で熱処理を実施することが挙げられる。例えば、後述の実施例では,30%の冷間加工後に500℃の熱処理をし,その後99.7%の冷間圧延を実施している。
又、第二相となる晶出物を微細化するよう、溶解鋳造時の冷却速度を調整することによってt1を制御することもできる。例えば、凝固の際に発生する熱量を鋳型の熱容量が上回るように調整することが望ましく,好ましくは鋳型の熱容量が大きいほど良い。又、鋳型の冷却速度が速ければ速いほど,晶出物は微細になり、従来強加工によってしか得られなかったのと同様な微細組織を溶解鋳造で得ることが容易となる。従って、その後の加工と熱処理とを組み合わせることによって,t1及びdを制御可能である。
なお、上記のように制御することにより、第二相の圧延平行方向の長さを厚みtの10倍以上にすることができる。
電気銅又は無酸素銅を主原料とし、上記化学成分その他を添加した組成を溶解炉にて溶解し、インゴットを作製する。インゴットを例えば均質化焼鈍、熱間圧延、冷間圧延、焼鈍、冷間圧延、焼鈍(歪取り焼鈍)を順次行うことで、圧延材が得られる。冷間圧延は、例えば加工度η=3.5以上で行うことが好ましい。但し、製造方法は上記に限定されない。
又、析出物を析出させるための熱処理(時効処理)を行った後、圧延し、さらに歪取り焼鈍を行う。
本発明の銅合金は、ばね用材料(条)、箔等の種々の形態とすることができる。例えば、本発明の銅合金をばね材用の条とした場合、コネクタ等の電子機器に適用可能である。コネクタとしては、公知のあらゆる形態、構造のものに適用できるが、通常はオス(ジャック、プラグ)とメス(ソケット、レセプタクル)からなっている。端子は、例えば串状の多数のピンが並設され、他のコネクタと嵌合した際に端子同士が電気的に接触するよう、適宜折り曲げられてバネのようになっていることがある。そして、通常、コネクタの端子が上記電子機器用銅合金で構成されている。
電気銅に表1、表2に示す組成の元素をそれぞれ添加して真空溶解してインゴットを鋳造し、これを800℃の温度で3時間の条件で均質化焼鈍し、950℃で溶体化処理後、熱間圧延を施した。さらに面削して冷間圧延を行い、析出物による析出強化を目的として500℃の焼鈍を行い、仕上げ冷間圧延を行い、板厚0.1mmのばね材用試料を作製した。冷間圧延の間に時効処理(500℃で15時間)を施した。冷間圧延の総圧延加工度を99.7%とした。最後に500℃で15秒の歪取り焼鈍を行った。
又、第二相の形態(厚みt1、d)は、試料の断面SEMのBSE像から求めた。析出物の粒径は、最終冷間圧延前の合金条を圧延方向に平行に厚み直角に切断し、断面の析出物を走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡により10視野観察して求めた。析出物の大きさが5〜50nmの場合は50万倍〜70万倍の倍率、100〜2000nmの場合は5〜10万倍で撮影を行った。そして、撮影した写真の画像を画像解析装置(株式会社ニレコ製、商品名ルーゼックス)を用い、大きさ5nm以上の析出物のすべてについて個々に長径a、短径b,及び面積を測定し、それらの平均値から析出物の粒径を計算した。
(1)強度の評価
JIS-Z2241に従い、試料の引張強度を測定し、0.2%耐力(YS:yielding strength)を求めた。試料はJISに従って作製した。
(2)導電性の評価
四端子法にて、試料の導電率を求めた。単位の%IACS(international annealed copper standard)は、焼鈍標準軟銅に対する電気伝導度の比である。ただし、合金に上記添加元素(Sn等)を含む場合,導電率が低下するので、添加元素を含まない場合は50%IACS以上,添加元素を含む場合は45%IACS以上であれば、導電性が良好であると評価した。
日本伸銅協会技術標準(JBMA T307)に従ってW曲げ試験を行った。圧延直角方向に延びる10mm幅の試料(t:試料厚さ)について最小曲げ半径(MBR)を求めた。そして、以下の基準で各実験例及び比較例の試料を評価した。
○:MBR/tの値が基準例の値より小さいもの
△:MBR/tの値が基準例の値より大きいもの
×:MBR/tの値が基準例の値よりかなり大きいもの
基準例のMBR/tは1程度である。
表1〜表3から明らかなように、各実施例の場合、0.2%耐力が700MPa以上に向上すると共に、曲げ加工性に優れ、導電率も40%IACSであった。
Feの含有量が4%未満である比較例2,4の場合、二相合金が得られず、強度が低下した。
Feの含有量が10%を超えた比較例3,5の場合、第二相が粗大化し(厚さ5μm以上)、強度が低下した。
Crの含有量が1.0%を超えた比較例7の場合、固溶しないCrが合金中に残って100nmを超える粗大粒が析出し、曲げ加工性が低下した。
Sn又はZnの含有量がそれぞれ1.5%を超えた比較例8、9の場合、いずれも導電率が著しく低下した。
総加工度を低く(70%)した比較例10の場合、第二相が微細化せず、強度が低下した。
熱処理(時効処理)温度を低く(200℃)した比較例11の場合、析出物が20nm未満となり、析出物が加工中に固溶したために導電率が低下した。
熱処理(時効処理)温度を高く(700℃)した比較例12の場合、析出物が100nmを超えて粗大化し、強度が低下した。
4 第二相
Claims (7)
- 質量%でFeを4%以上10%以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなり、Cu母相と第二相とからなる二相銅合金であって、Feを主体とする析出物が前記Cu母相に析出している高強度高導電性二相銅合金。
- さらに、Ag及び/又はCrの合金中の合計濃度が質量%で0.1〜4%であり、かつAg及び/又はCrから主としてなる第2析出物が前記Cu母相に析出している請求項1に記載の高強度高導電性二相銅合金。
- さらに、質量%で0.01〜0.5%のMg及び/又は0.01〜0.1%のPが合金中に固溶しているか又は析出している請求項1又は2に記載の高強度高導電性二相銅合金。
- さらに、質量%でSn及び/又はZnが合計0.01〜1.5%合金中に固溶している請求項1〜3のいずれかに記載の高強度高導電性二相銅合金。
- 前記析出物及び/又は前記第2析出物の粒径が20〜100nmであり、圧延直角断面から見たときの前記第二相の厚みが1μm以下である請求項2に記載の高強度高導電性二相銅合金。
- 圧延直角断面から見たとき、隣接する前記第二相の間隔が3μm以下である請求項1〜5のいずれかに記載の高強度高導電性二相銅合金。
- 歪取り焼鈍がされている請求項1〜6のいずれかに記載の曲げ加工性に優れた高強度高導電性二相銅合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007251460A JP4971925B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 高強度高導電性二相銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007251460A JP4971925B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 高強度高導電性二相銅合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009079281A true JP2009079281A (ja) | 2009-04-16 |
JP4971925B2 JP4971925B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=40654258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007251460A Expired - Fee Related JP4971925B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 高強度高導電性二相銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4971925B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013105475A1 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-18 | 住友電気工業株式会社 | 銅合金、及び銅合金線 |
JP2014218698A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 住友電気工業株式会社 | 銅合金材、及びコネクタ部品 |
WO2016192229A1 (zh) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 苏州晓锋知识产权运营管理有限公司 | 导电性弹簧板的制造方法 |
JP2017186673A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-10-12 | アップル インコーポレイテッド | 高強度・高導電率電鋳銅合金及び製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0718355A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器用銅合金およびその製造方法 |
JP2005344166A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | 高強度高導電性電子機器用銅合金 |
JP2006299287A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Nikko Kinzoku Kk | 複相銅合金、ばね材及び箔体、並びに複相銅合金の製造方法 |
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2007251460A patent/JP4971925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0718355A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器用銅合金およびその製造方法 |
JP2005344166A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | 高強度高導電性電子機器用銅合金 |
JP2006299287A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Nikko Kinzoku Kk | 複相銅合金、ばね材及び箔体、並びに複相銅合金の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013105475A1 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-18 | 住友電気工業株式会社 | 銅合金、及び銅合金線 |
JP2013142178A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 銅合金 |
CN104039994A (zh) * | 2012-01-11 | 2014-09-10 | 住友电气工业株式会社 | 铜合金和铜合金线 |
JP2014218698A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 住友電気工業株式会社 | 銅合金材、及びコネクタ部品 |
WO2016192229A1 (zh) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 苏州晓锋知识产权运营管理有限公司 | 导电性弹簧板的制造方法 |
JP2017186673A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-10-12 | アップル インコーポレイテッド | 高強度・高導電率電鋳銅合金及び製造方法 |
US10472709B2 (en) | 2015-12-11 | 2019-11-12 | Apple Inc. | High strength, high conductivity electroformed copper alloys and methods of making |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4971925B2 (ja) | 2012-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI381398B (zh) | Cu-Ni-Si alloy for electronic materials | |
JP5045783B2 (ja) | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 | |
US8951369B2 (en) | Copper alloy for electronic/electric device, copper alloy thin plate for electronic/electric device, method of producing copper alloy for electronic/electric device, conductive component for electronic/electric device and terminal | |
JP4596493B2 (ja) | 導電性ばね材に用いられるCu−Ni−Si系合金 | |
US20110182767A1 (en) | Copper alloy, copper alloy plate, and process for producing the same | |
TWI547570B (zh) | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金之製造方法、電子機器用銅合金壓延材及電子機器用零件 | |
JP5654571B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系合金 | |
WO2010016429A1 (ja) | 電気・電子部品用銅合金材料 | |
TW201235484A (en) | Copper alloy for electronic device, method for manufacturing copper alloy for electronic device, and rolled copper alloy for electronic device | |
TWI626323B (zh) | 電子材料用銅合金 | |
JP5983589B2 (ja) | 電子・電気機器用銅合金圧延材、電子・電気機器用部品及び端子 | |
JP4446479B2 (ja) | 電子機器用銅合金 | |
KR20130059412A (ko) | 전자 재료용 Cu-Co-Si 계 합금 | |
JP2006299287A (ja) | 複相銅合金、ばね材及び箔体、並びに複相銅合金の製造方法 | |
JP4971925B2 (ja) | 高強度高導電性二相銅合金 | |
JP2007113093A (ja) | 高強度高導電性耐熱銅合金及びその製造方法 | |
JP2009242871A (ja) | 高強度高導電性二相銅合金箔 | |
JP4971856B2 (ja) | 析出型銅合金 | |
JP4302579B2 (ja) | 高強度高導電性電子機器用銅合金 | |
JP5045782B2 (ja) | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 | |
JP4623737B2 (ja) | 高強度高導電性二相銅合金 | |
JP6542817B2 (ja) | 電子材料用銅合金 | |
JP5048046B2 (ja) | 電子機器用銅合金 | |
JP4971926B2 (ja) | 高強度高導電性二相銅合金圧延条 | |
JP2008081834A (ja) | 高強度高導電性二相銅合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090318 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120402 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120406 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |