JP2009077016A - レベルシフト回路用入力回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低コストとなる低耐圧トランジスタのみを使用し、高電圧(VH)の入力に対し、VH/2近辺で反転動作することが可能な入力回路を提供する。
【解決手段】 高電圧の入力信号が、ドレインに接続されたPMOS(P02)とNMOS(N02)に与えられ、PMOS(P02)のソースはPMOS(P00)のゲートに接続され、NMOS(N02)のソースはNMOS(N00)のゲートに接続される。前記のMOS(P02)、(N02)のゲートはVCCLに接続され、PMOS(P00)のソースは高電源電圧に接続され、NMOS(N00)のソースは接地電位に接続され、PMOSトランジスタ(P00)のドレインはPMOS(P01)のソースに接続され、NMOS(N00)のドレインはNMOS(N01)のソースに接続される。前記の(P01)、(N01)のゲートはVCCLに接続され、前記の(P01)、(N01)のドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力となる。
【選択図】 図2
【解決手段】 高電圧の入力信号が、ドレインに接続されたPMOS(P02)とNMOS(N02)に与えられ、PMOS(P02)のソースはPMOS(P00)のゲートに接続され、NMOS(N02)のソースはNMOS(N00)のゲートに接続される。前記のMOS(P02)、(N02)のゲートはVCCLに接続され、PMOS(P00)のソースは高電源電圧に接続され、NMOS(N00)のソースは接地電位に接続され、PMOSトランジスタ(P00)のドレインはPMOS(P01)のソースに接続され、NMOS(N00)のドレインはNMOS(N01)のソースに接続される。前記の(P01)、(N01)のゲートはVCCLに接続され、前記の(P01)、(N01)のドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力となる。
【選択図】 図2
Description
この発明は、高電圧で動作する回路からの信号を、低電圧で動作する回路への信号にレベルシフトする回路における入力回路に関するものである。
高電圧(以下、VHという。)で動作する回路からの信号を、低電圧(以下、VLという。)で動作する回路への信号にレベルシフトする入力回路は、例えば、特許文献1などに開示されている。これら回路は、プロセスコスト削減のため低耐圧のトランジスタで構成され、低電圧(VL)で動作し、図1のような回路構成となっている。
図1に従い、低耐圧のトランジスタで構成したレベルシフトする入力回路につき説明する。この入力回路100は、入力部(IN)とインバータ101との間にNch型トランジスタ(以下、NMOSトランジスタという。)N1を備える。NMOSトランジスタN1は、ゲートを低電圧電源VCCLに接続したNch型トランジスタであり、入力部INへ入力される高電圧(VH)を低電圧(VL)に下げる。低電圧電源VCCLで動作するインバータ101は、出力部OUTより、低電圧(VL)を出力する。低電圧電源VCCLとインバータ101の入力との間には、Pch型トランジスタ(以下、PMOSトランジスタという。)が設けられている。PMOSトランジスタP1のゲートはインバータ101の出力に接続され、低電圧(VL)VLより、NMOSトランジスタN1の閾値電圧(Vth)分低下したV1の電位をVLにプルアップすることでインバータ101の貫通電流を防止する。
この回路により、接地(GND)〜高電圧(VH)で振幅する信号は、低電圧(VL)〜接地(GND)で振幅する信号に変換できる。
なお、上記した図1の回路において、NMOSトランジスタN1をデプレッションタイプとすることで、PMOSトランジスタP1を省略したレベルシフト回路が特許文献2に開示されている。
特開2004−304475号公報
特開2006−086892号公報
通常、回路の立ち上り、立下りは入力信号振幅の1/2近辺の電位で反転動作することが望ましい。
例えば、高電圧(VH)を5Vとし、低電圧(VL)、低電源電圧VCCLを2.5Vとした場合、VH/2である2.5V近辺の入力電位は、低電源電圧VCCLで動作するインバータ101にとっては、ハイ(High)レベルであり反転動作しない。
また、入力電圧の振幅が2.5V±0.5Vである場合なども反転動作しない可能性がある。
この発明は、上記した従来の難点に鑑みなされたものにして、高電圧電源を使用し、高コストとなる、高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタの両方を使用することなく、低コストとなる低耐圧トランジスタのみを使用し、高電圧(VH)の入力に対し、VH/2近辺で反転動作することが可能な入力回路を提供すること目的とする。
この発明は、高電圧の入力信号が、ドレインに接続された第1のPチャネル型トランジスタと第1のNチャネル型トランジスタに与えられ、前記第1のPチャネル型トランジスタのソースは第2のPチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第1のNチャネル型トランジスタのソースは第2のNチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第1のPチャネル型トランジスタと第1のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのソースは高電源電圧に接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのソースは接地電位に接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのドレインは第3のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのドレインは第3のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタ及び第3のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタ及び第3のNチャネル型トランジスタのドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力に与えられることを特徴とする。
また、この発明は、上記構成の前記第1、第2、第3のPチャネル型トランジスタのバックゲートは高電圧電源に接続され、前記第1、第2、第3のNチャネル型トランジスタのバックゲートは接地電位に接続されることを特徴とする。
さらに、この発明は、上記構成の前記第1、第2、第3のPチャネル型トランジスタ及び前記第1、第2、第3のNチャネル型トランジスタは低耐圧トランジスタで構成したことを特徴とする請求項2に記載のレベルシフト回路用入力回路装置。
この発明は、高電圧の入力信号が、ドレインに接続された第1のPチャネル型トランジスタとNチャネル型トランジスタに与えられ、前記第1のPチャネル型トランジスタのソースは第2のPチャネル型トランジスタと第3のPチャネル型トランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記第1のNチャネル型トランジスタのソースは第2のNチャネル型トランジスタと第3のNチャネル型トランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記第1のPチャネル型トランジスタと前記第1のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタのソースは高電源電圧に接続され、前記第3のNチャネル型トランジスタのソースは接地電位に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタのドレインは前記第2のPチャネル型トランジスタと、第4のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第3のNチャネル型トランジスタのドレインは前記第2のNチャネル型トランジスタと、第4のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのドレインは第5のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのドレインは第5のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第5のPチャネル型トランジスタと第5のNチャネル型トランジスタのゲートは低電圧電源に接続され、前記第5のPチャネル型トランジスタ及び前記第5のNチャネル型トランジスタのドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路への入力とされるとともに、第6のPチャネル型トランジスタと第6のNチャネル型トランジスタのドレインに接続され、前記第6のPチャネル型トランジスタと第6のNチャネル型トランジスタのゲートはそれぞれ低電圧電源に接続され、前記第6のPチャネル型トランジスタのソースは前記第4のPチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第6のNチャネル型トランジスタのソースは前記第4のNチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第4のPチャネル型トランジスタと第4のNチャネル型トランジスタのドレインは低電圧電源に接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力に与えられることを特徴とする。
また、この発明は、上記構成の前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のPチャネル型トランジスタのバックゲートは高電圧電源に接続され、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のNチャネル型トランジスタのバックゲートは接地電位に接続されることを特徴とする。
さらに、この発明は、上記構成の前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のPチャネル型トランジスタ及び前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のNチャネル型トランジスタは低耐圧トランジスタで構成したことを特徴とする。
この発明によれば、低コストとなる低耐圧トランジスタのみを使用し、高電圧VHの入力に対し、高電圧の1/2の電位の近辺で反転動作することが可能となる。
また、この発明は、低コストとなる低耐圧トランジスタのみを使用し、高電圧VHの入力に対し、高電圧の1/2の電位の近辺でヒステリシス特性をもつ入力回路が可能となる。
この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、説明の重複を避けるためにその説明は繰返さない。
この発明の第1の実施形態につき、図2に従い説明する。図2は、この発明の入力回路の第1の実施形態を示す回路図である。
この発明は、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトするレベルシフト回路部と高電圧入力部と間に設けられる入力回路部であり、低コストとなる低耐圧トランジスタのみを使用し、高電圧(VH)の入力に対し、VH/2近辺で反転動作することが可能とするものである。
図2に示すように、高電圧の入力信号が、ドレインに接続されたPMOSトランジスタP02とNMOSトランジスタN02に与えられる。PMOSトランジスタP02のソースは、PMOSトランジスタP00のゲートに接続される。NMOSトランジスタN02のソースは、NMOSトランジスタN00のゲートに接続される。PMOSトランジスタP02、NMOSトランジスタN02のゲートは、それぞれ低電源電圧VCCLに接続される。
PMOSトランジスタP00のソースは高電源電圧VCCHに接続され、NMOSトランジスタN00のソースは、接地電位に接続される。PMPOSトランジスタP00のドレインはPMOSトランジスタP01のソースに接続され、NMOSトランジスタN00のドレインはNMOSトランジスタN01のソースに接続される。PMOSトランジスタP01、NMOSトランジスタN01のゲートはそれぞれ低電圧電源VCCLに接続され、PMOSトランジスタP01、NMOSトランジスタN01のドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路(レベルシフト回路)100の入力となり、回路100から低電圧出力される。
PMOSトランジスタP00、P01、P02のバックゲートは高電圧電源VCCHに接続され、NMOSトランジスタN00、N01、N02のバックゲートは接地電位に接続される。
高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路100は、低電源電圧および低耐圧トランジスタ回路で構成された、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする通常のレベルシフト回路であり、例えば、図1に示す回路で構成することができる。
また、PMOSトランジスタP00、P01、P02、NMOSトランジスタN00、N01、N02は低耐圧トランジスタである。
例えば、高電圧(VH)と高電源電圧(VCCH)を同じ電圧もしくは、ほぼ同じとした場合、入力(IN)に高電圧(VH)が印加された場合、PMOSトランジスタP02を介し、PMOSトランジスタP00のゲートに、高電圧(VH)が印加され、PMOSトランジスタP00はオフ(OFF)する。また、ゲートを低電圧電源VCCLに接続されたNMOSトランジスタN02を介して、NMOSトランジスタN00のゲートには、低電圧電源VCCLの電位より、さらにNMOSトランジスタN02のVth電圧低下した電位が印加され、NMOSトランジスタN00はオン(ON)し、オン(ON)しているNMOSトランジスタN01を介し、回路100への入力は接地電位となる。
この場合、回路100への入力は接地電位であるため、NMOSトランジスタN01、N00の耐圧に問題はなく、また、NMOSトランジスタN02はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに高電圧(VH)が印加されても耐圧に問題ない。
また、PMOSトランジスタP02はゲートをVCCLに接続しているため、ドレインに高電圧(VH)が印加されても耐圧に問題ない。また、PMOSトランジスタP01のドレインは接地電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、PMOSトランジスタP01のソースとPMOSトランジスタP00のドレインの接続部分の電位は低電圧電源VCCL近辺の電位となり、PMOSトランジスタP01、P00の耐圧にも問題ない。
また、入力(IN)に接地電位が印加された場合、NMOSトランジスタN02を介しNMOSトランジスタN00のゲートに接地電位が印加され、NMOSトランジスタN00はオフ(OFF)する。また、ゲートを低電圧電源VCCLに接続されたPMOSトランジスタP02を介し、PMOSトランジスタP00のゲートには、低電圧電源VCCLの電位よりさらにPMOSトランジスタP02のVth電圧低下した電位が印加され、PMOSトランジスタP00はオン(ON)し、オン(ON)しているPMOSトランジスタP01を介し、回路100への入力は高電圧電源VCCHの電位となる。
この場合、回路100への入力は高電圧電源VCCHの電位であるため、PMOSトランジスタP01、P00の耐圧に問題はなく、また、PMOSトランジスタP02はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに接地電位が印加されても耐圧に問題ない。
また、NMOSトランジスタN02はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに接地電位が印加されても耐圧に問題ない。
また、NMOSトランジスタN01のドレインは高電圧電源VCCH電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、NMOSトランジスタN01のソースとNMOSトランジスタN00のドレインの接続部分の電位は低電圧電源VCCL近辺の電位となり、NMOSトランジスタN01、N00の耐圧にも問題ない。
このPMOSトランジスタP00、P01、P02、NMOSトランジスタN00、N01、N02で構成された回路の反転電圧は、PMOSトランジスタP00、P01のドライブ能力とNMOSトランジスタN00、N01のドライブ能力の比によって決まるため、高電圧電源VCCHの1/2近辺に設定することができる。
次に、図3はこの発明の入力回路の第2の実施形態を示す回路図であり、ヒステリシス特性をもつシュミット入力回路である。
図3に示すように、高電圧の入力信号が、ドレインに接続されたPMOSトランジスタP12とNMOSトランジスタN12に与えられる。PMOSトランジスタP12のソースはPMOSトランジスタP10、P13のゲートにそれぞれ接続され、NMOSトランジスタN12のソースはNMOSトランジスタN10、N13のゲートにそれぞれ接続される。
PMOSトランジスタP12、NMOSトランジスタN12のゲートは、低電源電圧VCCLに接続され、PMOSトランジスタP13のソースは高電源電圧VCCHに接続され、NMOSトランジスタN13のソースは接地電位に接続される。
PMOSトランジスタP13のドレインはPMOSトランジスタP10、P14のソースに接続され、NMOSトランジスタN13のドレインはNMOSトランジスタN10、N14のソースに接続される。
PMOSトランジスタP10のドレインは、PMOSトランジスタP11のソースに接続され、NMOSトランジスタN10のドレインはNMOSトランジスタN11のソースに接続される。
PMOSトランジスタP11、NMOSトランジスタN11のゲートは、それぞれ低電圧電源VCCLに接続される。PMOSトランジスタP11、NMOSトランジスタN11のドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路100の入力となり、さらに、PMOSトランジスタP15、NMOSトランジスタN15のドレインに接続される。
PMOSトランジスタP15、NMOSトランジスタN15のゲートは、低電圧電源VCCLに接続され、PMOSトランジスタP15のソースは、PMOSトランジスタP14のゲートに接続され、NMOSトランジスタN15のソースは、NMOSトランジスタN14のゲートに接続され、回路100から出力信号が出力される。
また、PMOSトランジスタP14、NMOSトランジスタN14のドレインは低電圧電源VCCLに接続される。
そして、PMOSトランジスタP10、P11、P12、P13、P14、P15のバックゲートは、高電圧電源VCCHに接続され、NMOSトランジスタN10、N11、N12、N13、N14、N15のバックゲートは接地電位に接続される。
回路100は、低電源電圧および低耐圧トランジスタ回路で構成された、高電圧入力を低電圧出力にベルシフトする通常のレベルシフト回路であり、例えば、図1で示す回路で構成できる。
また、PMOSトランジスタP10、P11、P12、P13、P14、P15、NMOSトランジスタN10、N11、N12、N13、N14、N15は低耐圧トランジスタである。
上記した図3に示す回路において、例えば、高電圧(VH)と高電源電圧(VCCH)を同じ電圧もしくは、ほぼ同じとした場合、入力(IN)に高電圧(VH)が印加された場合、PMOSトランジスタP12を介し、PMOSトランジスタP10、PMOSトランジスタP13のゲートに高電圧(VH)が印加され、PMOSトランジスタP10、P13はオフ(OFF)する。また、ゲートを低電圧電源VCCLに接続されたNMOSトランジスタN12を介し、NMOSトランジスタN10、N13のゲートには、低電圧電源VCCLの電位より、さらにNMOSトランジスタN12のVth電圧分低下した電位が印加され、NMOSトランジスタN10、N13はオン(ON)し、オン(ON)しているNMOSトランジスタN11を介し、回路100への入力は接地電位となる。さらに、回路100への入力が接地電位であるため、オン(ON)しているPMOSトランジスタP15を介し、PMOSトランジスタP14はオン(ON)し、オン(ON)しているNMOSトランジスタN15を介し、NMOSトランジスタN14がオフ(OFF)することで、この入力回路の反転電圧が下げられている。
この場合、回路100への入力は接地電位であるため、NMOSトランジスタN11、N10、N13、N14、N15の耐圧に問題はなく、また、NMOSトランジスタN12はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに高電圧(VH)が印加されても耐圧に問題ない。
また、PMOSトランジスタP12はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに高電圧(VH)が印加されても耐圧に問題ない。
また、PMOSトランジスタP11のドレインは接地電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、PMOSトランジスタP11のソースとPMOSトランジスタP10のドレインの接続部分の電位は低電圧電源VCCL近辺の電位となり、PMOSトランジスタP11、P10、P13の耐圧にも問題ない。
また、PMOSトランジスタP15のドレインは接地電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、PMOSトランジスタP15、P14の耐圧は問題ない。
また、入力(IN)に接地電位が印加された場合、NMOSトランジスタN12を介し、NMOSトランジスタN10、N13のゲートに接地電位が印加され、NMOSトランジスタN10、N13はオフ(OFF)する。また、ゲートを低電圧電源VCCLに接続されたPMOSトランジスタP12を介し、PMOSトランジスタP10、P13のゲートには、低電圧電源VCCLの電位よりさらにPMOSトランジスタP12のVth電圧分低下した電位が印加され、PMOSトランジスタP10、P13はオン(ON)し、オン(ON)しているPMOSトランジスタP11を介し、回路100への入力は、高電圧電源VCCHの電位となる。さらに、回路100への入力が高電圧電源VCCHであるため、オン(ON)しているNMOSトランジスタN15を介し、NMOSトランジスタN14はオン(ON)し、オン(ON)しているPMOSトランジスタP15を介しP14がOFFすることで、この入力回路の反転電圧が上げられている。
この場合、回路100への入力は高電圧電源VCCH電位であるため、PMOSトランジスタP11、P10、P13、P14、P15の耐圧に問題はなく、また、PMOSトランジスタP12はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに接地電位が印加されても耐圧に問題ない。
また、NMOSトランジスタN12はゲートを低電圧電源VCCLに接続しているため、ドレインに接地電位が印加されても耐圧に問題ない。
また、NMOSトランジスタN11のドレインは高電圧電源VCCH電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、NMOSトランジスタN11のソースとNMOSトランジスタN10のドレインの接続部分の電位は低電圧電源VCCL近辺の電位となり、NMOSトランジスタN11、N10、N13の耐圧にも問題ない。
また、NMOSトランジスタN15のドレインはVCCH電位であるが、ゲートが低電圧電源VCCLに接続されているため、NMOSトランジスタN15、N14の耐圧は問題ない。
図3に示す回路構成で、ヒステリシス特性をもつシュミット入力回路の反転レベルも高電圧の入力信号に対応可能となる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
P00、P01、P02 PMOSトランジスタ、N00、N01、N02 NMOSトランジスタ、100 レベルシフト回路。
Claims (6)
- 高電圧の入力信号が、ドレインに接続された第1のPチャネル型トランジスタと第1のNチャネル型トランジスタに与えられ、前記第1のPチャネル型トランジスタのソースは第2のPチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第1のNチャネル型トランジスタのソースは第2のNチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第1のPチャネル型トランジスタと第1のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのソースは高電源電圧に接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのソースは接地電位に接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのドレインは第3のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのドレインは第3のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタ及び第3のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタ及び第3のNチャネル型トランジスタのドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力に与えられることを特徴とするレベルシフト回路用入力回路装置。
- 前記第1、第2、第3のPチャネル型トランジスタのバックゲートは高電圧電源に接続され、前記第1、第2、第3のNチャネル型トランジスタのバックゲートは接地電位に接続されることを特徴とする請求項1に記載のレベルシフト回路用入力回路装置。
- 前記第1、第2、第3のPチャネル型トランジスタ及び前記第1、第2、第3のNチャネル型トランジスタは低耐圧トランジスタで構成したことを特徴とする請求項2に記載のレベルシフト回路用入力回路装置。
- 高電圧の入力信号が、ドレインに接続された第1のPチャネル型トランジスタとNチャネル型トランジスタに与えられ、前記第1のPチャネル型トランジスタのソースは第2のPチャネル型トランジスタと第3のPチャネル型トランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記第1のNチャネル型トランジスタのソースは第2のNチャネル型トランジスタと第3のNチャネル型トランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記第1のPチャネル型トランジスタと前記第1のNチャネル型トランジスタのゲートは低電源電圧に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタのソースは高電源電圧に接続され、前記第3のNチャネル型トランジスタのソースは接地電位に接続され、前記第3のPチャネル型トランジスタのドレインは前記第2のPチャネル型トランジスタと、第4のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第3のNチャネル型トランジスタのドレインは前記第2のNチャネル型トランジスタと、第4のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のPチャネル型トランジスタのドレインは第5のPチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第2のNチャネル型トランジスタのドレインは第5のNチャネル型トランジスタのソースに接続され、前記第5のPチャネル型トランジスタと第5のNチャネル型トランジスタのゲートは低電圧電源に接続され、前記第5のPチャネル型トランジスタ及び前記第5のNチャネル型トランジスタのドレインがともに接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路への入力とされるとともに、第6のPチャネル型トランジスタと第6のNチャネル型トランジスタのドレインに接続され、前記第6のPチャネル型トランジスタと第6のNチャネル型トランジスタのゲートはそれぞれ低電圧電源に接続され、前記第6のPチャネル型トランジスタのソースは前記第4のPチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第6のNチャネル型トランジスタのソースは前記第4のNチャネル型トランジスタのゲートに接続され、前記第4のPチャネル型トランジスタと第4のNチャネル型トランジスタのドレインは低電圧電源に接続され、高電圧入力を低電圧出力にレベルシフトする回路の入力に与えられることを特徴とするレベルシフト回路用入力回路装置。
- 前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のPチャネル型トランジスタのバックゲートは高電圧電源に接続され、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のNチャネル型トランジスタのバックゲートは接地電位に接続されることを特徴とする請求項4に記載のレベルシフト回路用入力回路装置。
- 前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のPチャネル型トランジスタ及び前記第1、第2、第3、第4、第5、第6のNチャネル型トランジスタは低耐圧トランジスタで構成したことを特徴とする請求項5に記載のレベルシフト回路用入力回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007242019A JP2009077016A (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | レベルシフト回路用入力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007242019A JP2009077016A (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | レベルシフト回路用入力回路 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009077016A true JP2009077016A (ja) | 2009-04-09 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007242019A Pending JP2009077016A (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | レベルシフト回路用入力回路 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8531230B2 (en) | 2011-10-24 | 2013-09-10 | Renesas Electronics Corporation | Input circuit |
-
2007
- 2007-09-19 JP JP2007242019A patent/JP2009077016A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8531230B2 (en) | 2011-10-24 | 2013-09-10 | Renesas Electronics Corporation | Input circuit |
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