JP2009076189A - 磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】面記録密度が高い磁気記録媒体の記録対象の記録領域に限定して確実に磁気信号を記録できる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録再生装置１０は、トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターンのトラック部に相当する部分の少なくとも一部がトラックの幅Ｔｗと略等しい幅を有する記録領域２２であり該記録領域２２の間の部分が非記録領域２４である垂直記録式の磁気記録媒体１２と、記録領域２２に記録磁界を印加するための垂直記録式の磁気ヘッド１４と、を含み、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、記録領域２２の上面における記録磁界１４の記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、次の式(I)
０．２３×Ｆｗ＋１．２≦Ｈｋ≦０．２６×Ｆｗ＋１．６ 式(I)
を満足する。
【選択図】図４

Description

本発明は、トラック部に相当する部分又はその一部がトラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり記録領域の間の部分が非記録領域である磁気記録媒体及びこれにデータを記録するための磁気ヘッドを備える磁気記録再生装置に関する。

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層の材料の改良、ヘッド加工の微細化等により著しい面記録密度の向上が図られている。

又、表面に垂直な方向に磁化するように磁性粒子を配向することで面記録密度を高めるようにした垂直記録式の磁気記録媒体及びこれにデータを記録するための垂直記録式の磁気ヘッドを備える磁気記録再生装置が普及してきている。

更に、トラック部に相当する部分又はその一部がトラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり記録領域の間の部分が非記録領域である磁気記録媒体が提案されている。

例えば、記録層がトラックパターンに相当する凹凸パターンで形成され記録層の凸部である記録領域がトラック部の形状であるディスクリートトラックメディアや、記録層の凸部である記録領域がトラック部を周方向に分離した形状であるパターンドメディア等の磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

又、例えば記録層の記録領域又は非記録領域のいずれか一方に相当する部分にイオン注入処理や反応ガスによる処理が施され、飽和磁化量が実質的に消失した非記録領域と飽和磁化量を有する記録領域とに分離された磁気記録媒体も提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。

このように、記録領域の間に非記録領域が存在することで、記録対象の記録領域の隣の他の記録領域への誤った情報記録や、隣り合う記録領域の間のクロストーク等が抑制されることが期待される。このような技術により、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。

垂直記録式のような面記録密度が高い磁気記録媒体では、記録領域の材料として異方性磁界が大きい材料を採用することが好ましいと考えられている。記録領域の材料として異方性磁界が大きい材料を採用することで、記録対象の記録領域の隣の他の記録領域への誤った磁気信号の記録を抑制できる。

特開２００６−０４８８６０号公報 特開２００６−２８６０８５号公報 特開２００２−３５９１３８号公報

しかしながら、磁気記録媒体の面記録密度の増大に伴い、磁気ヘッドの磁極の幅が小さくなり、磁気ヘッドが磁気記録媒体に印加する記録磁界の強度は減少する傾向がある。このように、記録領域の材料として異方性磁界が大きい材料を採用し、記録磁界の強度が減少することにより、記録対象の記録領域に磁気信号を記録できないことがあった。

尚、例えば、磁気ヘッドの磁極の幅を大きくすることにより記録磁界の強度を増大させることは可能であるが、記録対象の記録領域の隣の他の記録領域への誤った磁気信号の記録の問題が生じることがあった。

本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであって、面記録密度が高い磁気記録媒体の記録対象の記録領域に限定して確実に磁気信号を記録できる磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

発明者らは、本発明に想到する過程で、磁気記録媒体に関するパラメータを様々な値に設定してシミュレーションを実行した。これにより、発明者らは、トラック部に相当する部分又はその一部が記録領域であり記録領域の間の部分が非記録領域である磁気記録媒体の場合、記録領域の異方性磁界を従来想定されていた値よりも小さくしても、磁気記録媒体の記録領域の異方性磁界Ｈｋ、記録領域の上面における記録磁界の記録磁界強度Ｆｗが所定の関係を満たしていれば、記録対象の記録領域に本来の磁気信号を記録でき、且つ、記録対象の記録領域の隣の他の記録領域への誤った磁気信号の記録を抑制できることを見出した。

このように本発明は、トラック部に相当する部分又はその一部が記録領域であり記録領域の間の部分が非記録領域である磁気記録媒体の場合、面記録密度が高くても記録領域の異方性磁界を従来想定されていた値よりも小さくすることが可能であることを見出し、記録対象の記録領域に限定して確実に磁気信号を記録できる磁気記録再生装置を実現したものであり、垂直記録式のような面記録密度が高い（例えば、３００Ｇｂｐｓｉ以上の）磁気記録媒体の場合、記録層の材料として異方性磁界が大きい材料を採用することが常識であった従来の技術とは異なるコンセプトに基づいてなされたものである。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターンの前記トラック部に相当する部分の少なくとも一部が前記トラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり該記録領域の間の部分が非記録領域である垂直記録式の磁気記録媒体と、前記記録領域に記録磁界を印加するための垂直記録式の磁気ヘッドと、を含み、前記磁気記録媒体の記録領域の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、前記記録領域の上面における前記記録磁界の記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、次の式(I)
０．２３×Ｆｗ＋１．２≦Ｈｋ≦０．２６×Ｆｗ＋１．６ 式(I)
を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。

（２） （１）において、前記記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以下であり、且つ、次の式(II）
０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．５×Ｆｗ 式(II）
を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。

（３） （１）において、前記記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以上であり、且つ、次の式(III）
０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．９ 式(III）
を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。

（４）トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターンの前記トラック部に相当する部分の少なくとも一部が前記トラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり該記録領域の間の部分が非記録領域である垂直記録式の磁気記録媒体と、前記記録領域に記録磁界を印加するための垂直記録式の磁気ヘッドと、を含み、前記磁気記録媒体の記録領域の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、前記記録領域の上面における前記記録磁界の記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、これら異方性磁界Ｈｋ及び記録磁界強度Ｆｗが次の(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)
(i) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(ii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(iii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．６
(iv) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、Ｆｗ＋０．１≦Ｈｋ≦２．０
(v) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．６≦Ｈｋ≦２．０
のいずれかの範囲に制限されたことを特徴とする磁気記録再生装置。

（５） （４）において、前記異方性磁界Ｈｋ及び記録磁界強度Ｆｗが次の(vi)、(vii)、(viii)、(ix)及び(x)
(vi) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．５
(vii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、２×Ｆｗ−０．９≦Ｈｋ≦２×Ｆｗ−０．７
(viii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、Ｆｗ＋０．４≦Ｈｋ≦１．９
(ix) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
(x) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
のいずれかの範囲に制限されたことを特徴とする磁気記録再生装置。

尚、本出願において、「トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターン」とは、トラック部が同心の円又は円弧の形状であるトラックパターン、及びトラック部が螺旋状の渦巻き形状であるトラックパターンを含む。

又、本出願において、「トラック部に相当する部分の少なくとも一部がトラックの幅と略等しい幅を有する記録領域である」とは、トラック部の全部が記録領域であり記録領域がトラック部の形状である場合、及びトラック部の一部が記録領域であり記録領域がトラック部を周方向に分割した形状である場合を含む。尚、記録領域がトラック部を周方向に分割した形状である場合、トラックパターンのギャップ部に相当する部分だけでなくトラック部における周方向に分割された記録領域の間の部分も非記録領域である。

又、本出願において、「クロストラック方向」という用語は、トラック幅の方向やギャップ幅の方向に略平行な方向という意味で用いる。

又、本出願において、「記録領域」という用語は、記録磁界が印加されることにより磁化反転可能であり、記録された磁気信号を再生可能であるように保持する能力を有する領域という意味で用いる。

又、本出願において、「非記録領域」という用語は、磁気信号を保持する能力が記録領域よりも低い領域、又は磁気信号を再生可能であるように保持する能力を実質的に有しない領域という意味で用いる。より具体的には、非記録領域とは、磁気記録媒体に磁気信号を記録した状態において、その領域から発生する磁界が記録領域から発生する磁界よりも小さい領域、又は、その領域から発生する磁界が実質的に存在しない領域を意味する。尚、非記録領域は、非磁性材で記録領域を分離する構成や磁気的な影響を無視しうる程度の材料又は磁気信号を保持する能力が記録領域よりも低い磁性材料で記録領域を分離する構成でもよく、空隙であってもよい。

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、磁気信号の記録、再生に磁気のみを利用するハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

本発明によれば、面記録密度が高い磁気記録媒体の記録対象の記録領域に限定して確実に磁気信号を記録できる。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１に示されるように、本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置１０は、垂直記録式の磁気記録媒体１２と、磁気記録媒体１２に対して磁気信号の記録／再生を行うために磁気記録媒体１２の表面に近接して浮上可能であるように設置された垂直記録式の磁気ヘッド１４と、を備えている。

尚、磁気記録媒体１２は中心孔１２Ａを有し、中心孔１２Ａにおいてチャック１６に固定され、該チャック１６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド１４は、アーム１８の先端近傍に装着され、アーム１８はベース２０に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド１４は磁気記録媒体１２の表面に近接して磁気記録媒体１２のクロストラック方向Ｄｃ（径方向）に沿う円弧軌道で可動とされている。

磁気記録媒体１２は、略円板形状のディスクリートトラックメディアで、図２に示されるように周方向に適宜な間隔で設定された複数のサーボ領域ＳＡとこれらサーボ領域ＳＡで仕切られた複数のデータ領域ＤＡに区分けされている。データ領域ＤＡのトラックパターンは所定のトラック幅Ｔｗの同心の円弧の形状のトラック部と所定のギャップ幅Ｇｗのギャップ部とがクロストラック方向Ｄｃに交互に並んだパターンである。

図３及び４に示されるように、磁気記録媒体１２は、トラック部に相当する部分が記録領域２２であり、記録領域２２の間のギャップ部に相当する部分が記録領域２２を磁気的に分離するための非記録領域２４である。尚、トラック幅Ｔｗは３０〜６０ｎｍであることが好ましい。又、ギャップ幅Ｇｗは２０〜５０ｎｍであることが好ましい。

磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、磁気ヘッド１４の記録磁界の記録領域２２の上面における記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、次の式(I)
０．２３×Ｆｗ＋１．２≦Ｈｋ≦０．２６×Ｆｗ＋１．６ 式(I)
を満足している。

他の構成については本実施形態の理解のために重要とは思われないため、説明を適宜省略することとする。

磁気記録媒体１２は、基板３０と、軟磁性層３２と、配向層３４と、記録層３６と、を有し、これらの層がこの順で基板３０の上に形成されている。

基板３０の材料としては、ガラス、ＮｉＰで被覆したＡｌ合金、Ｓｉ、Ａｌ_２Ｏ_３等の非磁性材料を用いることができる。

軟磁性層３２は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層３２の材料としては、Ｆｅ合金、Ｃｏアモルファス合金、フェライト等を用いることができる。尚、軟磁性層３２は、軟磁性を有する層と非磁性層との積層構造であってもよい。

配向層３４は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層４０の材料としては、非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。

記録層３６は、データ領域ＤＡにおいてトラックパターンに相当する凹凸パターンで形成されており、凹凸パターンの凸部である記録要素３６Ａが記録領域２２である。具体的には、記録層３６は多数の記録要素３６Ａに分割されており、記録要素３６Ａはデータ領域ＤＡにおいてトラック部の形状で形成されている。図３及び４はこれを図示したものである。尚、記録層３６は、サーボ領域ＳＡにおいて所定のサーボパターンで形成されている（図示省略）。記録磁界強度Ｆｗは、記録要素３６Ａの上面における磁気ヘッド１４の記録磁界の強度である。

記録層３６は、厚さが６〜３０ｎｍである。記録層３６の厚さ方向の異方性磁界Ｈｋは、１．２〜２．１Ｔであることが好ましく、１．４Ｔ〜１．６Ｔであることが更に好ましい。記録層３６の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏ及びＣｒを含む合金、Ｃｏ及びＰｔを含む合金、Ｃｏ及びＰｄを含む合金、Ｆｅ及びＰｔを含む合金、Ｆｅ及びＣｏを含む合金、これらの積層体、ＳｉＯ_２等の酸化物材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。記録層３６は、磁気記録媒体１２の表面に垂直な方向に磁化されるように配向されている。

尚、記録要素３６Ａの側面は磁気記録媒体１２の表面を臨む方向に傾斜したテーパ形状であってもよい。この場合、トラック幅Ｔｗ、ギャップ幅Ｇｗは、記録層３６の上面の位置における幅である。

一方、ギャップ部に相当する記録要素３６Ａの間の凹部には充填材３８が充填されている。この凹部を充填する充填材３８が非記録領域２４を構成している。充填材３０の材料としては、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＣｕやＣｒのような非磁性の金属、樹脂材料等を用いることができる。記録要素３６Ａ及び充填材３８の上面は略平坦である。

尚、記録層３６及び充填材３８の上には、保護層、潤滑層がこの順で形成されてもよいが、これらの層は本実施形態の理解のために重要とは思われないためここでは図示及び説明を省略する。

又、基板３０と軟磁性層３２との間には、下地層や反強磁性層が形成されていてもよいが、これらの層も本実施形態の理解のために重要とは思われないためここでは図示及び説明を省略する。

磁気ヘッド１４は、図５に示されるように、記録ヘッド部４０と再生ヘッド部４２とを有している。

記録ヘッド部４０は、記録領域２２に記録磁界を印加するための主磁極２６と、主磁極２６よりも前側（磁気記録媒体１２の駆動に対する相対的な磁気ヘッド１４の進行方向の前側）に設置された補助磁極４４と、主磁極２６よりも後側（磁気記録媒体１２の駆動に対する相対的な磁気ヘッド１４の進行方向の後側）に設置されたトレーリングシールド４６と、励磁コイル４８と、を備えている。尚、図５中の右向きの矢印及び図３中の上向きの矢印は、磁気記録媒体１２の進行方向を示す。

再生ヘッド部４２は、記録ヘッド部４０の前側に設置されている。再生ヘッド部４２は、ＭＲ素子５０と、ＭＲ素子５０よりも前側に設置されたリーディングシールド５２と、ＭＲ素子５０及び補助磁極４４の間に設置された中間シールド５４と、を備えている。

主磁極２６は、トラック部の周方向から見て磁気記録媒体１２に近接する先端が基端よりも細い形状である。主磁極２６の先端のクロストラック方向Ｄｃの主磁極幅Ｐｗは、３０〜６０ｎｍであることが好ましい。主磁極２６の材料としては、Ｃｏを含む合金、Ｆｅを含む合金、Ｆｅ及びＣｏを含む合金、Ｆｅ及びＮｉを含む合金、Ｆｅ及びＮを含む合金、Ｆｅ及びＡｌを含む合金等の軟磁性材料を用いることができる。主磁極２６の下面と記録層３６の上面との間の磁気的ギャップは６〜１５ｎｍであることが好ましい。

尚、図３は、磁気ヘッド１４については主磁極２６の先端の近傍の断面を示しており、磁気記録媒体１２の表面に垂直な方向から見た主磁極２６の外形を模式的に示したものである。一方、図３における磁気記録媒体１２のハッチングは記録領域２２及び非記録領域２４を区別するためのものであり、断面を示すものではない。尚、図３において磁気記録媒体１２の表面に垂直な方向から見た主磁極２６の先端の形状は長方形であるが、主磁極２６の先端の形状は後側の辺が前側の辺よりも長い略台形であってもよい。この場合、上述の主磁極幅Ｐｗ（主磁極２６の先端の幅）は、最大の幅（後側の長い方の辺の長さ）である。

ＭＲ素子５０は、ＴＭＲ素子又はＧＭＲ素子等である。ＭＲ素子５０の先端のクロストラック方向Ｄｃの再生ヘッド幅Ｒｗは、２０〜６０ｎｍであることが好ましい。

次に、磁気記録再生装置１０の作用について説明する。

磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録領域２２の上面における磁気ヘッド１４の記録磁界の記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が、上記式(I)を満足している。

従って、記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（記録層３６の異方性磁界）が従来想定されていた値よりも小さくても、記録対象の記録領域２２に本来の磁気信号を記録でき、且つ、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２への誤った磁気信号の記録を抑制できる。

記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以下である場合、記録対象の記録領域２２に本来の磁気信号を記録し、且つ、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２への誤った磁気信号の記録を抑制する効果を高めるためには、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が次の式(II）
０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．５×Ｆｗ 式(II）
を満足していることが好ましい。

又、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以上である場合、記録対象の記録領域２２に本来の磁気信号を記録し、且つ、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２への誤った磁気信号の記録を抑制する効果を高めるためには、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が次の式(III）
０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．９ 式(III）
を満足していることが好ましい。

式(I)、(II)、(III)の根拠については、後述のシミュレーション例の欄において詳細に説明する。

尚、異方性磁界Ｈｋ及び記録磁界強度Ｆｗを次の(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)
(i) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(ii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(iii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．６
(iv) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、Ｆｗ＋０．１≦Ｈｋ≦２．０
(v) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．６≦Ｈｋ≦２．０
のいずれかの範囲に制限してもよい。このようにすることで、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が、上記式(I)を満足している場合と同様に記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（記録層３６の異方性磁界）が従来想定されていた値よりも小さくても、記録対象の記録領域２２に本来の磁気信号を記録でき、且つ、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２への誤った磁気信号の記録を抑制できる。

又、異方性磁界Ｈｋ、記録磁界強度Ｆｗを次の(vi)、(vii)、(viii)、(ix)及び(x)
(vi) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．５
(vii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、２×Ｆｗ−０．９≦Ｈｋ≦２×Ｆｗ−０．７
(viii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、Ｆｗ＋０．４≦Ｈｋ≦１．９
(ix) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
(x) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
のいずれかの範囲に制限してもよい。このようにすることで、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が、上記式(II)、(III)を満足している場合と同様に、記録対象の記録領域２２に本来の磁気信号を記録し、且つ、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２への誤った磁気信号の記録を抑制する効果を高めることができる。

(i)〜(x)の範囲の根拠についても、後述のシミュレーション例の欄において詳細に説明する。

尚、上記実施形態において、充填材３８の材料として、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＤＬＣ、ＣｕやＣｒのような非磁性の金属、樹脂材料等が例示されているが、化学的に安定で磁気信号を保持する能力が記録領域よりも低い材料、又は、磁気信号を再生可能であるように保持する能力を実質的に有しない材料であれば、充填材３８の材料は特に限定されない。例えば、充填材３８の材料として、他の非磁性材料や磁気的な影響を無視しうる程度に磁気信号を保持する能力が記録領域よりも低い磁性材料を用いてもよい。

又、上記実施形態において、非記録領域２４に充填材３８が設置されているが、記録層の記録領域又は非記録領域のいずれか一方に相当する部分にイオン注入処理や反応ガスによる処理を施して飽和磁化量が実質的に消失した非記録領域と、飽和磁化量を有する記録領域とを形成してもよい。

又、上記実施形態において、磁気記録媒体１２は、非記録領域２４に充填材３８が設置され表面が略平坦であるが、磁気記録媒体１２の表面が記録層３６の凹凸パターン又はこれに倣った凹凸パターンであっても安定したヘッド浮上高さが得られる場合には、非記録領域２４に充填材３８を設置せず、非記録領域２４を凹部としてもよい。

又、上記実施形態において、磁気記録媒体１２は基板３０の片面に記録層３６が形成された片面記録式であるが、基板の両面に記録層を形成した両面記録式の磁気記録媒体についても本発明を適用可能である。

又、上記実施形態において、磁気記録媒体１２は記録領域２２がトラック部の形状であるディスクリートトラックメディアであるが、記録領域２２がトラック部を周方向に分割した形状であるパターンドメディアについても本発明は適用可能である。

又、上記実施形態において、磁気記録媒体１２のトラックパターンはトラック部が同心の円弧の形状であるパターンであるが、トラック部が螺旋形状であるトラックパターンの磁気記録媒体にも本発明は適用可能である。

又、上記実施形態において、記録層３６は多数の記録要素３６Ａに分割されているが、図６に示されるように基板６０側の下面が連続し非記録領域２４における上面が記録領域２２における上面よりも基板６０側に凹んだ凹凸パターンの記録層６２を有する磁気記録媒体６４、図７に示されるように基板７０の凹凸パターンの表面に倣って形成された連続した記録層７２を有する磁気記録媒体７４、図８に示されるように基板８０の凹凸パターンの表面の凸部の上面及び凹部の上面に分割されて形成された記録層８２を有する磁気記録媒体８４にも本発明は適用可能である。尚、図６〜８の形態において、記録磁界強度Ｆｗは、記録層６２、７２、８２のうち記録領域２２に配置された部分の上面における磁気ヘッド１４の記録磁界の強度である。

[シミュレーション例Ａ]
上記実施形態におけるトラック幅Ｔｗ、ギャップ幅Ｇｗ、主磁極幅Ｐｗ、再生ヘッド幅Ｒｗを表１のＡ列に示される値に設定した６種類のシミュレーションモデルＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６を作成した。

又、記録領域２２の上面における磁気ヘッド１４の記録磁界の記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値は、これらシミュレーションモデルＡ１〜Ａ６に対して相互に異なる値に設定した。具体的には、シミュレーションモデルＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６に対して、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）をそれぞれ１．１Ｔ、１．２Ｔ、１．３Ｔ、１．４Ｔ、１．５Ｔ、１．６Ｔに設定した。

磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）（記録層３６の異方性磁界Ｈｋ）は、各シミュレーションモデルＡ１〜Ａ６について１．２〜２．１Ｔの範囲の０．１Ｔ刻みの複数の値に設定し、主磁極２６が発した記録磁界で記録対象の記録領域２２に磁気信号を記録するシミュレーションを実行した。この記録過程のシミュレーションは、ＬＬＧ（Ｌａｎｄａｕ−Ｌｉｆｉｓｈｔｓ−Ｇｉｌｂｅｒｔ）方程式によって実行した。

尚、主磁極２６のクロストラック方向Ｄｃの中心は記録対象の記録領域２２のクロストラック方向Ｄｃの中心の真上に位置するように設定した。又、上記の記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値は、記録対象の記録領域２２の上面のクロストラック方向Ｄｃの中心における値である。

他の条件は、以下のように設定した。これらの条件はシミュレーションモデルＡ１〜Ａ６に共通である。

記録層３６の厚さ：８ｎｍ
記録層３６の飽和磁化量：１．０Ｔ
軟磁性層３２の厚さ：８０ｎｍ
軟磁性層３２の飽和磁化量：１．５Ｔ
主磁極２６の飽和磁化量： ２．３Ｔ
媒体周方向の主磁極２６の長さＰｔ：１４０ｎｍ
主磁極２６と記録領域２２との磁気的ギャップ：１０ｎｍ
記録層３６を構成する粒子間の交換定数：１×１０^−７ｅｒｇ／ｃｍ
異方性分数（記録層３６の磁化容易軸の分散範囲）：±５°

更に、記録対象の記録領域２２から磁気信号を再生するシミュレーションを実行し、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）を算出した。

尚、ＭＲ素子５０のクロストラック方向Ｄｃの中心も記録対象の記録領域２２のクロストラック方向Ｄｃの中心の真上に位置するように設定した。又、ＭＲ素子５０と記録領域２２との磁気的ギャップは１０ｎｍに設定した。又、この再生過程のシミュレーションは、ＭＲ素子５０の感度関数にリンドホルム分布関数を用いて出力化した。

シミュレーションモデルＡ１〜Ａ６の再生信号のＳ／Ｎ比の算出結果を表２及び図９〜１４に示す。尚、表２及び図９〜１４に示されるＳ／Ｎ比の値は、本シミュレーション例Ａ及び後述するシミュレーション例Ｂ、Ｃの中でＳ／Ｎ比の絶対値が最大であったシミュレーション例ＢのシミュレーションモデルＢ６のＳ／Ｎ比の絶対値の最大値（シミュレーションモデルＢ６におけるＨｋ＝１．８ＴのときのＳ／Ｎ比の値）を０．０ｄＢとして標準化したものである。後述するシミュレーション例Ｂの表５及び図１７〜２２、シミュレーション例Ｃの表８及び図２５〜３０についても同様である。

表２及び図９〜１４に示されるように、シミュレーションモデルＡ１〜Ａ６のいずれについても、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の値でＳ／Ｎ比が最大となり、これよりも異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が小さくても大きくてもＳ／Ｎ比が小さくなる傾向があった。

記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が小さい場合、記録対象の記録領域２２の隣の他の記録領域２２にも誤って磁気信号が記録されることでＳ／Ｎ比が小さくなると考えられる。一方、記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が大きい場合は、記録対象の記録領域２２に対する本来の磁気信号の記録が不完全であることでＳ／Ｎ比が小さくなると考えられる。

又、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の下側の境界の値よりも小さくなったり、所定の上側の境界の値よりも大きくなると、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる傾向があった。各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表３及び図１５に示す。

又、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表４及び図１６に示す。

[シミュレーション例Ｂ]
上記シミュレーション例Ａに対し、トラック幅Ｔｗ、ギャップ幅Ｇｗ、主磁極幅Ｐｗ、再生ヘッド幅Ｒｗを表１のＢ列に示される値に設定した６種類のシミュレーションモデルＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５及びＢ６を作成した。これらのシミュレーションモデルＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５及びＢ６に対して、シミュレーション例Ａと同様に、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）をそれぞれ１．１Ｔ、１．２Ｔ、１．３Ｔ、１．４Ｔ、１．５Ｔ、１．６Ｔに設定した。他の条件は、シミュレーション例Ａと同じ条件に設定した。

又、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）も、シミュレーション例Ａと同様に、各シミュレーションモデルＢ１〜Ｂ６について１．２〜２．１Ｔの範囲の０．１Ｔ刻みの複数の値に設定し、主磁極２６が発した記録磁界で記録対象の記録領域２２に磁気信号を記録するシミュレーションを実行した。

更に、シミュレーション例Ａと同様に、記録対象の記録領域２２から磁気信号を再生するシミュレーションを実行し、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）を算出した。

シミュレーションモデルＢ１〜Ｂ６の再生信号のＳ／Ｎ比の算出結果を表５及び図１７〜２２に示す。

シミュレーション例Ａと同様に、シミュレーションモデルＢ１〜Ｂ６のいずれについても、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の値でＳ／Ｎ比が最大となり、これよりも異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が小さくても大きくてもＳ／Ｎ比が小さくなる傾向があった。

又、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の下側の境界の値よりも小さくなったり、所定の上側の境界の値よりも大きくなると、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる傾向があった。各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表６及び図２３に示す。

又、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表７及び図２４に示す。

[シミュレーション例Ｃ]
上記シミュレーション例Ａに対し、トラック幅Ｔｗ、ギャップ幅Ｇｗ、主磁極幅Ｐｗ、再生ヘッド幅Ｒｗを表１のＣ列に示される値に設定した６種類のシミュレーションモデルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５及びＣ６を作成した。これらのシミュレーションモデルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５及びＣ６に対して、シミュレーション例Ａと同様に、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）をそれぞれ１．１Ｔ、１．２Ｔ、１．３Ｔ、１．４Ｔ、１．５Ｔ、１．６Ｔに設定した。他の条件は、シミュレーション例Ａと同じ条件に設定した。

又、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）も、シミュレーション例Ａと同様に、各シミュレーションモデルＣ１〜Ｃ６について１．２〜２．１Ｔの範囲の０．１Ｔ刻みの複数の値に設定し、主磁極２６が発した記録磁界で記録対象の記録領域２２に磁気信号を記録するシミュレーションを実行した。

更に、シミュレーション例Ａと同様に、記録対象の記録領域２２から磁気信号を再生するシミュレーションを実行し、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）を算出した。

シミュレーションモデルＣ１〜Ｃ６のＳ／Ｎ比の算出結果を表８及び図２５〜３０に示す。

シミュレーション例Ａと同様に、シミュレーションモデルＣ１〜Ｃ６のいずれについても、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の値でＳ／Ｎ比が最大となり、これよりも異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が小さくても大きくてもＳ／Ｎ比が小さくなる傾向があった。

又、異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）が所定の下側の境界の値よりも小さくなったり、所定の上側の境界の値よりも大きくなると、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる傾向があった。各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表９及び図３１に示す。

又、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる下側及び上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値と、の関係を表１０及び図３２に示す。

図１５、２３、３１に示されるように、シミュレーション例Ａ、Ｂ、Ｃのいずれにおいても、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値の増減に対し、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる下側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値が一次関数的に増減する傾向があった。又、Ｓ／Ｎ比が急激に小さくなる上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値も、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値の増減に対し一次関数的に増減する傾向があった。尚、上側の境界は、シミュレーション例Ａ、Ｂ、Ｃでほぼ一致していた。一方、下限側の境界は、シミュレーション例Ｂ、Ｃではほぼ一致していたが、シミュレーション例Ａではシミュレーション例Ｂ、Ｃと若干異なっていた。

このような下側の境界を近似した直線と上側の境界を近似した直線との間の領域であって、シミュレーション例Ａ、Ｂ、Ｃに係る図１５、２３、３１において重複する領域は、シミュレーション例Ａに係る図１５における下限側の境界を近似した直線と上限側の境界を近似した直線との間の領域であった。

表１に示されるように、シミュレーション例Ａは、トラック幅Ｔｗ、ギャップ幅Ｇｗがシミュレーション例Ｂ、Ｃよりも小さく、又、主磁極幅Ｐｗ、再生ヘッド幅Ｒｗはシミュレーション例Ｂ、Ｃよりも広いため、記録対象の記録領域２２の隣の記録領域２２の再生磁界に起因するノイズが大きくなり、このような結果となったと考えられる。このように最も条件が厳しいシミュレーション例Ａに係る図１５の下側の境界を近似した直線と上限側の境界を近似した直線との間の領域内に、記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値と異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値とを制限することにより、急激に小さくなる範囲のＳ／Ｎ比よりも大きな値のＳ／Ｎ比が確実に得られる。

シミュレーション例Ａに係る図１５の下限側の境界を近似した直線は、
Ｈｋ＝０．２３×Ｆｗ＋１．２
である。

又、上限側の境界を近似した直線は、
Ｈｋ＝０．２６×Ｆｗ＋１．６である。

従って、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録領域２２の上面における記録磁界１４の記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が、上記式(I)を満足すれば、急激に小さくなる範囲のＳ／Ｎ比よりも大きな値のＳ／Ｎ比が確実に得られる。

又、シミュレーション例Ａに係る図１５において記録磁界強度Ｆｗが１．１〜１．６の０．１（Ｔ）刻みの５つの領域に着目し、異方性磁界Ｈｋ、記録磁界強度Ｆｗを次の(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)
(i) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(ii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
(iii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．６
(iv) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、Ｆｗ＋０．１≦Ｈｋ≦２．０
(v) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．６≦Ｈｋ≦２．０
の範囲に制限した場合も同様に、急激に小さくなる範囲のＳ／Ｎ比よりも大きな値のＳ／Ｎ比が確実に得られる。

又、図１６、２４、３２に示されるように、シミュレーション例Ａ、Ｂ、Ｃのいずれにおいても、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値の増減に対し、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる下側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値も、一次関数的に増減する傾向があった。又、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値も、記録磁界強度Ｆｗが１．２Ｔ以上、且つ、１．３Ｔ以下の範囲では、各シミュレーションモデルの記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）の値の増減に対し、増減する傾向があった。又、Ｓ／Ｎ比が各シミュレーションモデルの最大値又はこれに近い値よりも小さくなる上側の境界である記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）の値は、記録磁界強度Ｆｗが１．２Ｔ以下の範囲及び１．３Ｔ以上の範囲ではほぼ一定であった。尚、上側の境界及び下限側の境界は、シミュレーション例Ｂ、Ｃではほぼ一致していたが、シミュレーション例Ａではシミュレーション例Ｂ、Ｃと異なっていた。

このような下側の境界を近似した直線と上側の境界を近似した直線との間の領域であって、シミュレーション例Ａ、Ｂ、Ｃに係る図１６、２４、３２において重複する領域は、シミュレーション例Ａに係る図１６における下限側の境界を近似した直線と上限側の境界を近似した直線との間の領域であった。

シミュレーション例Ａに係る図１６の下限側の境界を近似した直線は、
Ｈｋ＝０．７１×Ｆｗ＋０．７２
である。

又、上限側の境界を近似した直線は、記録磁界強度Ｆｗが１．３Ｔ以下の範囲では、
Ｈｋ＝１．５×Ｆｗである。

又、記録磁界強度Ｆｗが１．３Ｔ以上の範囲では、
Ｈｋ＝１．９である。

従って、磁気記録媒体１２の記録領域２２の異方性磁界Ｈｋ（Ｔ）、記録領域２２の上面における記録磁界１４の記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が、上記式(II)、(III)を満足すれば、最大値又はこれに近い値のＳ／Ｎ比が確実に得られる。

又、シミュレーション例Ａに係る図１６における記録磁界強度Ｆｗが１．１〜１．６の０．１（Ｔ）刻みの５つの領域に着目し、異方性磁界Ｈｋ、記録磁界強度Ｆｗを次の(vi)、(vii)、(viii)、(ix)及び(x)
(vi) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．５
(vii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、２×Ｆｗ−０．９≦Ｈｋ≦２×Ｆｗ−０．７
(viii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、Ｆｗ＋０．４≦Ｈｋ≦１．９
(ix) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
(x) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
の範囲に制限した場合も同様に、最大値又はこれに近い値のＳ／Ｎ比が確実に得られる。

尚、シミュレーション例Ａ〜Ｃにおいて、記録層３６の厚さ、主磁極２６と記録領域２２との磁気的ギャップ、ＭＲ素子５０と記録領域２２との磁気的ギャップの値が変動しても、再生信号のＳ／Ｎ比の値は殆ど変動しない。例えば、記録層３６の厚さが６〜３０ｎｍ、主磁極２６と記録領域２２との磁気的ギャップが６〜１５ｎｍ、ＭＲ素子５０と記録領域２２との磁気的ギャップの値が６〜１５ｎｍの範囲内であれば、これらの値が変動しても、各シミュレーションモデルの再生信号のＳ／Ｎ比の値は殆ど変動しない。

最後に記録磁界強度Ｆｗの測定方法の一例を説明しておく。まず、記録ヘッド部に記録磁界を発生させるために記録ヘッド部に通電される記録電流の大きさと、その大きさの記録電流で磁化された記録層が発する再生磁界による出力との関係を求める。具体的には、磁気記録媒体の記録層が磁気的に交流消去された状態で、充分に小さな値の記録電流を記録ヘッド部に通電して記録層に記録磁界を印加し記録層を磁化する。この際、記録層の記録領域に極性（磁化の方向）が同じ記録ビットが周方向に２００ｎｍ以上連続するように記録層を磁化することが好ましい。例えば、最短記録ビット長１Ｔが２０ｎｍの場合、１０Ｔ以上の信号を記録層に記録することが好ましい。次に、磁化された記録層が発する再生磁界を再生ヘッド部で検出し、再生磁界による出力を測定する。尚、再生磁界による出力としては、例えば再生磁界により再生ヘッド部のＭＲ素子に生ずる電位差や、この電位差を一定の比率で増幅した値を測定すればよい。更に、記録電流の大きさを少しずつ増加させながら同様の測定を繰り返す。記録磁界強度Ｆｗは記録電流の大きさに比例するので、記録層が磁気的に飽和するまでは記録電流の大きさの増加に応じて記録層の磁化の大きさが増加し、図３３に示されるように、記録層が発する再生磁界による出力も増加する。一方、記録電流の大きさが所定の値以上になり記録層が磁気的に飽和すると、記録層が発する再生磁界による出力は記録電流の大きさに拘わらず一定となる。尚、図３３において、横軸のＩｗは記録電流の大きさを示し、Ｉｗｓは記録層を磁気的に飽和させる記録電流の下限値を示す。又、縦軸のＶｏｕｔは、再生磁界により再生ヘッド部に生ずる電位差、又はこの電位差を一定の比率で増幅した値を示す。

次に、磁気記録媒体の記録層の飽和磁界Ｈｓを測定する。尚、飽和磁界Ｈｓは、記録層を構成する磁性材料に外部磁場を印加して得られるヒステリシスループにおいて、記録層を構成する磁性材料を磁気的に飽和させる外部磁場の下限値である。磁気記録媒体に備えられている記録層の飽和磁界Ｈｓは、例えば磁気カー効果を利用して測定することができる。

上記のように記録磁界強度Ｆｗは記録電流の大きさに比例する。又、記録電流の大きさがＩｗｓの場合、磁気記録媒体の記録層にはＨｓの大きさの記録磁界が印加されていると推測される。従って、記録磁界強度Ｆｗは、Ｉｗ、Ｉｗｓ、Ｈｓに基づいて、次の式により算出することができる。

Ｆｗ＝Ｈｓ×Ｉｗ／Ｉｗｓ

尚、記録電流の大きさＩｗと再生磁界による出力の大きさＶｏｕｔとの関係を測定するためには上記のように記録ヘッド部に通電する記録電流の大きさを調整する必要がある。一方、一般的な磁気記録再生装置では記録電流の大きさは一定に保持されており、記録電流の大きさを調整することはできない場合がある。このような場合、磁気記録再生装置から磁気ヘッド及び磁気記録媒体を取り外し、記録ヘッド部に通電する記録電流の大きさを調整可能な測定装置に取り外した磁気ヘッド及び磁気記録媒体を装着し、記録電流の大きさＩｗと再生磁界による出力の大きさＶｏｕｔとの関係を測定すればよい。

本発明は、トラック部に相当する部分又はその一部がトラック幅と略等しい幅を有する記録領域であり記録領域の間の部分が非記録領域である磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置に利用することができる。

本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置の概略構造を模式的に示す斜視図 同磁気記録再生装置の磁気記録媒体の概略構造を模式的に示す平面図 同磁気記録再生装置の磁気ヘッド及び磁気記録媒体の構造を拡大して模式的に示す平面図 同磁気ヘッド及び磁気記録媒体の構造を拡大して模式的に示すクロストラック方向に沿う断面図 同磁気ヘッド及び磁気記録媒体の構造を拡大して模式的に示すトラック部の周方向に沿う断面図 本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造の他の例を模式的に示すクロストラック方向に沿う断面図 本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造の他の例を模式的に示すクロストラック方向に沿う断面図 本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造の他の例を模式的に示すクロストラック方向に沿う断面図 シミュレーションモデルＡ１に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＡ２に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＡ３に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＡ４に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＡ５に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＡ６に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーション例Ａに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が急激に小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ シミュレーション例Ａに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が最大値又はこれに近い値よりも小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ１に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ２に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ３に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ４に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ５に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＢ６に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーション例Ｂに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が急激に小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ シミュレーション例Ｂに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が最大値又はこれに近い値よりも小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ１に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ２に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ３に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ４に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ５に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーションモデルＣ６に係る記録領域の異方性磁界とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフ シミュレーション例Ｃに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が急激に小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ シミュレーション例Ｃに係る記録磁界強度の値とＳ／Ｎ比が最大値又はこれに近い値よりも小さくなる境界である記録領域の異方性磁界の値との関係を示すグラフ 記録電流の大きさと記録層が発する再生磁界の出力との関係を模式的に示すグラフ

符号の説明

１０…磁気記録再生装置
１２、６４、７４、８４…磁気記録媒体
１４…磁気ヘッド
２２…記録領域
２４…非記録領域
２６…主磁極
３０、６０、７０、８０…基板
３２…軟磁性層
３４…配向層
３６、６２、７２、８２…記録層
３８…充填材
Ｄｃ…クロストラック方向
Ｐｗ…主磁極幅
Ｒｗ…再生ヘッド幅
Ｔｗ…トラック幅
Ｇｗ…ギャップ幅

Claims (5)

1. トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターンの前記トラック部に相当する部分の少なくとも一部が前記トラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり該記録領域の間の部分が非記録領域である垂直記録式の磁気記録媒体と、前記記録領域に記録磁界を印加するための垂直記録式の磁気ヘッドと、を含み、前記磁気記録媒体の記録領域の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、前記記録領域の上面における前記記録磁界の記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、次の式(I)
   ０．２３×Ｆｗ＋１．２≦Ｈｋ≦０．２６×Ｆｗ＋１．６ 式(I)
   を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。
2. 請求項１において、
   前記記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以下であり、且つ、次の式(II）
   ０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．５×Ｆｗ 式(II）
   を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。
3. 請求項１において、
   前記記録磁界強度Ｆｗ（Ｔ）が１．３以上であり、且つ、次の式(III）
   ０．７１×Ｆｗ＋０．７２≦Ｈｋ≦１．９ 式(III）
   を満足することを特徴とする磁気記録再生装置。
4. トラック部及びギャップ部がクロストラック方向に交互に並んだトラックパターンの前記トラック部に相当する部分の少なくとも一部が前記トラックの幅と略等しい幅を有する記録領域であり該記録領域の間の部分が非記録領域である垂直記録式の磁気記録媒体と、前記記録領域に記録磁界を印加するための垂直記録式の磁気ヘッドと、を含み、前記磁気記録媒体の記録領域の異方性磁界をＨｋ（Ｔ）、前記記録領域の上面における前記記録磁界の記録磁界強度をＦｗ（Ｔ）として、これら異方性磁界Ｈｋ及び記録磁界強度Ｆｗが次の(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)
   (i) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
   (ii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、１．５≦Ｈｋ≦１．９
   (iii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．６
   (iv) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、Ｆｗ＋０．１≦Ｈｋ≦２．０
   (v) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．６≦Ｈｋ≦２．０
   のいずれかの範囲に制限されたことを特徴とする磁気記録再生装置。
5. 請求項４において、
   前記異方性磁界Ｈｋ及び記録磁界強度Ｆｗが次の(vi)、(vii)、(viii)、(ix)及び(x)
   (vi) １．１≦Ｆｗ≦１．２、且つ、１．５≦Ｈｋ≦Ｆｗ＋０．５
   (vii) １．２≦Ｆｗ≦１．３、且つ、２×Ｆｗ−０．９≦Ｈｋ≦２×Ｆｗ−０．７
   (viii)１．３≦Ｆｗ≦１．４、且つ、Ｆｗ＋０．４≦Ｈｋ≦１．９
   (ix) １．４≦Ｆｗ≦１．５、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
   (x) １．５≦Ｆｗ≦１．６、且つ、１．８≦Ｈｋ≦１．９
   のいずれかの範囲に制限されたことを特徴とする磁気記録再生装置。

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