JP2009071218A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】裏面に部品が搭載された基板の当該裏面とヒートシンクの一面とを接着剤を介して接着してなる電子装置において、基板の裏面とヒートシンクの一面との間の接着剤の厚さが、部品の影響を受けて厚くなるのを極力防止する。
【解決手段】部品30は基板10の裏面11から突出しており、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21とが、接着剤40を介して対向した状態で接着されており、これらはモールド樹脂50で封止されている。ヒートシンク20の一面21のうち部品30に対向する部位には、当該一面21より凹んだ凹部23が設けられており、この凹部23に、部品30が入り込んでいる。接着剤40は、部品30と凹部23の底部とを接着する第1の接着剤41の方が、凹部23以外の部位にて基板10とヒートシンク20とを接着する第2の接着剤42よりも硬いものとする。
【選択図】図1
【解決手段】部品30は基板10の裏面11から突出しており、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21とが、接着剤40を介して対向した状態で接着されており、これらはモールド樹脂50で封止されている。ヒートシンク20の一面21のうち部品30に対向する部位には、当該一面21より凹んだ凹部23が設けられており、この凹部23に、部品30が入り込んでいる。接着剤40は、部品30と凹部23の底部とを接着する第1の接着剤41の方が、凹部23以外の部位にて基板10とヒートシンク20とを接着する第2の接着剤42よりも硬いものとする。
【選択図】図1
Description
本発明は、部品が搭載された基板を、接着剤を介してヒートシンクに接着してなる電子装置に関する。
一般に、この種の電子装置としては、基板の表面側に部品が搭載されている基板と、基板からの熱を放熱させるヒートシンクとを備え、基板の裏面側とヒートシンクの一面とを接着剤により接着したものが、提案されている(たとえば、特許文献1、特許文献2、特許文献3等参照)。
特開2003−7933号公報
特開2006−147918号公報
特開2006−222406号公報
上記したように、従来では、基板のうちヒートシンクの一面に対向する裏面とは反対の表面に部品を搭載している。ここで、本発明者は、基板におけるヒートシンクの一面に対向する一方の板面、つまり基板の裏面に部品を搭載することを考えた。
これは、ヒートシンクの一面に対向する基板の一方の板面に部品を搭載すれば、基板によって部品が外部から保護されることを考慮したものである。また、この場合、基板の表面側にも部品を搭載すれば、基板の表裏両方の板面に部品が搭載された構成を実現することができる。そして、このような考えに基づいて試作検討を行った。
図15は、本発明者の試作品としての電子装置を示す概略断面図である。図15においては、基板10の一方の板面11とヒートシンク20の一面21とが、対向して配置されている。また、基板10の一方の板面11には、部品30が搭載されており、この部品30は基板10の一方の板面11から突出している。
そして、互いに対向する基板10の一方の板面11とヒートシンク20の一面21とが接着剤40を介して接着されている。また、この試作品にでは、基板10およびヒートシンク20はモールド樹脂50で封止されるとともに、ヒートシンク20の他面22はモールド樹脂50から露出している。
この場合、基板10の一方の板面11とヒートシンク20の一面21との間にて、部品30が存在する部位とそれ以外の部位とでは、接着剤40の厚さが大きくばらつくことになる。つまり、当該部品30が存在しない部位では、存在する部位に比べて、当該部品30の厚さの分だけ実質的に、接着剤40が厚くなる。
このように基板10とヒートシンク20との間にて接着剤40の厚さばらつきが生じ、接着剤40の厚さが大きくなると、基板10とヒートシンク20との接着剤40を介した熱抵抗が大きくなり、放熱性が低下するなどの不具合が生じる可能性がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の一方の板面に部品を搭載し、基板の一方の板面とヒートシンクの一面とを接着剤を介して接着してなる電子装置において、基板の一方の板面とヒートシンクの一面との間の接着剤の厚さが、部品の影響を受けて厚くなるのを極力防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、部品(30)は基板(10)の一方の板面(11)から突出しており、基板(10)の一方の板面(11)とヒートシンク(20)の一面(21)とが、接着剤(40)を介して対向した状態で接着されており、ヒートシンク(20)の一面(21)のうち部品(30)に対向する部位には、当該一面(21)より凹んだ凹部(23)が設けられており、この凹部(23)に、部品(30)が入り込んでいることを特徴とする。
それによれば、基板(10)の一方の板面(11)から突出する部品(30)が、ヒートシンク(20)の一面(21)の凹部(23)に入り込むため、基板(10)の一方の板面(11)とヒートシンク(20)の一面(21)との間の接着剤(40)の厚さが、部品(30)の影響を受けて厚くなるのを極力防止することができる。
また、この種の電子装置において、基板(10)およびヒートシンク(20)は、これら両部材(10、20)を接着した後、モールド樹脂(50)で封止するのが通常である。そこで、このようなモールド樹脂(50)で封止される構成について、さらに検討を進めた。
その結果、このようにヒートシンク(20)の一面(21)に凹部(23)を設けると、接着剤(40)が軟らかい場合などには、モールド工程時の成型圧が基板(10)に加わり、基板(10)のうち凹部(23)に対向する部分が、当該凹部(23)に向かって凸となるように、基板(10)が反ることがわかった。このような基板(10)の反りは、ひいては基板(10)の割れにつながるおそれがある。
そこで、基板(10)およびヒートシンク(20)をモールド樹脂(50)で封止した場合には、接着剤(40)を、凹部(23)内にて部品(30)と凹部(23)の底部とを接着する第1の接着剤(41)と、凹部(23)以外の部位にて基板(10)の一方の板面(11)とヒートシンク(20)の一面(21)とを接着する第2の接着剤(42)とにより構成し、第1の接着剤(41)の方が、第2の接着剤(42)よりも硬いものとすることが好ましい(後述の図1等参照)。
それによれば、基板(10)のうち凹部(23)に対向する部分を、比較的硬い第1の接着剤(41)にてヒートシンク(20)に支持させることになるため、上記したモールド工程時の成型圧による凹部(23)での基板(10)の反りを防止することが可能となる。
また、基板(10)およびヒートシンク(20)をモールド樹脂(50)で封止した場合には、接着剤(40)を、凹部(23)内に設けて部品(30)と凹部(23)の内面との間を接着するものとし、凹部(23)以外の部位では、基板(10)の一方の板面(11)とヒートシンク(20)の一面(21)との間に、モールド樹脂(50)が介在しているものとしてもよい(後述の図5参照)。
それによれば、モールド工程時には、基板(10)のうち凹部(23)に対向する部位はヒートシンク(20)に固定されているが、凹部(23)の周辺部に対向する部位はヒートシンク(20)から浮いて離れており、その隙間にモールド樹脂(50)が入り込むように成形が行われる。そのため、上記したモールド工程時の成型圧による凹部(23)での基板(10)の反りが抑制される。
また、基板(10)およびヒートシンク(20)をモールド樹脂(50)で封止した場合には、凹部(23)に入り込んでいる部品(30)と凹部(23)の底部とを直接接触させて、部品(30)により基板(10)のうち凹部(23)に対向する部位を支持するようにしてもよい(後述の図7参照)。
それによれば、基板(10)のうち凹部(23)に対向する部位が、部品(30)により支持された状態となるため、上記したモールド工程時の成型圧による凹部(23)での基板(10)の反りが抑制される。
また、基板(10)およびヒートシンク(20)をモールド樹脂(50)で封止した場合には、凹部(23)の内面のうちの側面(23a)を、凹部(23)の底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面とすることが好ましい(後述の図6等参照)。
それによれば、上記したモールド工程時の成型圧により、凹部(23)にて基板(10)が反ったとしても、基板(10)とヒートシンク(20)とが接触しにくいものとなるため、基板(10)を割れにくくでき、好ましい。
また、基板(10)およびヒートシンク(20)をモールド樹脂(50)で封止した場合には、凹部(23)内に、凹部(23)の底部から基板(10)の一方の板面(11)まで延びる形状を有し基板(10)を支持する支柱(24)を設けてもよい(後述の図8、図9参照)。それによれば、凹部(23)にて基板(10)が、支柱(24)に支持されるため、上記したモールド工程時の成型圧による凹部(23)での基板(10)の反りが抑制される。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置100を示す概略断面図である。図2は、ヒートシンク20単体の図であり、(a)は概略断面図、(b)は(a)の上視平面図である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置100を示す概略断面図である。図2は、ヒートシンク20単体の図であり、(a)は概略断面図、(b)は(a)の上視平面図である。
本実施形態の電子装置100は、大きくは、裏面11に部品30が搭載されている基板10と、基板10からの熱を放熱させるヒートシンク20とが、接着剤40を介して接着された構成を備えている。
基板10は、セラミック基板やプリント基板などの配線基板である。ここでは、図1において、基板10の下側に位置する一方の板面11が、基板10の裏面11であり、基板10の上側に位置する他方の板面12が、基板10の表面12である。
ここで、基板10の裏面11に搭載されている部品30は、当該裏面11から突出している。つまり、図1では、部品30は、基板10の裏面11からヒートシンク20側へ向かって当該裏面11よりも突出している。
この部品30としては、配線基板に表面実装される部品であれば、特に限定されるものではなく、たとえば、ICチップ、コンデンサ素子、抵抗素子などが挙げられる。図1に示される例では、部品30は、バンプ30aを介して基板10に電気的・機械的に接続されたICチップである。また、基板10の裏面11のうち部品30以外の部位には、エポキシ樹脂などよりなる保護膜30bが設けられ、当該裏面11を保護している。
ヒートシンク20は、放熱性に優れたCuやFeなどの金属よりなる板であり、放熱板として構成されている。ここでは、図2に示されるように、ヒートシンク20は平面四角形の板である。ここでは、図1において、ヒートシンク20の上側に位置する一方の板面21が、ヒートシンク20の一面21であり、下側に位置する他方の板面22が、ヒートシンク20の他面22である。
そして、基板10とヒートシンク20とは、基板10の一方の板面11とヒートシンク20の一面21とを対向させた状態で配置され、これら対向する両面11、21の間に介在する接着剤40を介して接着されている。
ここで、本実施形態では、ヒートシンク20の一面21のうち部品30に対向する部位には、当該一面21より凹んだ凹部23が設けられている。そして、この凹部23に、部品30が入り込んでいる。
この凹部23は、切削加工やプレス加工などによりヒートシンク20に形成される。ここでは、図2に示されるように、凹部23は、ヒートシンク20の一面21の対向する1辺から他辺へ貫通する幅広の溝形状をなしている。
そして、本実施形態では、図1に示されるように、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21との間に介在する接着剤40は、凹部23内に充填されている第1の接着剤41と、凹部23以外の部位に充填されている第2の接着剤42とにより構成されている。
第1の接着剤41は、凹部23内にて、部品30と凹部23の底部を含む凹部23の内面とを接着するとともに、基板10の裏面11のうち凹部23に対向する部位と凹部23の内面との間を接着している。また、第2の接着剤42は、凹部23以外の部位にて基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21とを接着している。
ここで、第1の接着剤41の方が第2の接着剤42よりも硬いものである。もちろん、この硬さの違いは硬化後の状態における両接着剤41、42を比べたものである。この両接着剤41、42の硬さの違いは、たとえばこの種の接着剤中に含有される無機フィラーの量の相違により実現できる。
図3は、第1および第2の接着剤41、42の拡大断面図であり、これら各接着剤41、42中のフィラー40aを模式的に示している。図3に示されるように、第1の接着剤41におけるフィラー40aの含有量を、第2の接着剤42におけるフィラー40aの含有量よりも多くすることにより、第1の接着剤の方が第2の接着剤42よりも硬いものとなる。
このフィラー40aの含有量を第1の接着剤41の方にて多くすることは、たとえば、予め凹部23内にフィラー40aを配置しておき、その後、接着剤41、42を塗布する方法や、もともと第2の接着剤42よりもフィラー40aを高充填した第1の接着剤41を用いる方法などが挙げられる。
また、フィラー40aの含有量に差を設けること以外にも、たとえば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などよりなる接着剤の中から、硬さの異なる接着剤を選択することにより、第1の接着剤41の方が第2の接着剤42よりも硬いものとすることが可能である。そして、本実施形態では、接着剤40を介して、基板10とヒートシンク20とが固定され、基板10からの熱がヒートシンク20へ放熱されるようになっている。
また、図1に戻って、本実施形態の電子装置100では、基板10およびヒートシンク20はモールド樹脂50で封止されている。このモールド樹脂50は、電子装置の分野で一般的に用いられるエポキシ樹脂などよりなるモールド材料であり、トランスファーモールド法により形成されるものである。
また、ヒートシンク20において基板10に貼り合わせられている一面21とは反対側の他面22は、モールド樹脂50から露出している。これにより、基板10から発生する熱は、ヒートシンク20を介して当該ヒートシンク20の他面22から外部へ逃がされるようになっている。
また、図示しないが、本実施形態の電子装置100においては、リードフレームやボンディングワイヤなどにより、基板10と外部とが電気的に接続可能となっている。この場合、これらリードフレームやワイヤもモールド樹脂50で封止され、モールド樹脂50から突出するアウターリードにより、電子装置100と外部との電気的接続がなされるようになっている。
かかる本実施形態の電子装置100は、基板10の裏面11に部品30を実装し、基板10とヒートシンク20とを接着剤41、42を介して貼り合わせ、各接着剤41、42を硬化させたものを、さらに、モールド樹脂50で封止することにより、製造される。
ところで、本実施形態によれば、一方の板面としての裏面11に当該裏面11より突出する部品30が搭載されている基板10を、当該裏面11をヒートシンク20の一面21に対向させて、接着剤40を介して接着してなる電子装置100において、ヒートシンク20の一面21のうち部品30に対向する部位に、凹部23を設け、この凹部23に部品30を入り込ませている。
それによれば、基板10の裏面11から突出する部品30が、ヒートシンク20の一面21の凹部23に入り込むため、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21との間の接着剤40の厚さが、部品30の影響を受けて厚くなるのを極力防止することができる。
つまり、上記図15に示されるように、従来では、部品30の部分では、部品30が突出する分だけ接着剤40が薄くなり、部品30以外の部分では接着剤40が厚くなっている。それに対して、本実施形態では、凹部23に部品30が入り込んで基板10全体がヒートシンク20に近づくことにより、基板10−ヒートシンク20間にて部品30の存在する部位とそれ以外の部位とで発生する接着剤40の厚さばらつきを、極力均一化することが可能となる。
また、本電子装置100においては、基板10とヒートシンク20とをモールド樹脂50により封止するが、このモールド工程は、接着された基板10およびヒートシンク20を、モールド用の金型に設置して、モールド樹脂を金型に充填することで行う。
このモールド工程では、接着された基板10とヒートシンク20のうちヒートシンク20の他面22が金型に押し付けられており、基板10の表面12側から樹脂による圧力すなわち成型圧が加わる。そのため、ヒートシンク20に凹凸などが存在すると、この成型圧によって基板10が反り、ひいては割れに至る恐れがある。
本実施形態では、接着剤40は、上記した第1および第2の接着剤41、42の硬さの異なる2種類のものより構成されているが、接着剤40としては、1種類のものであってもよい。その場合でも、上記した凹部23の効果により、接着剤40の厚さが部品30の影響を受けて厚くなるのを極力防止できるためである。
しかし、上記したモールド工程における基板10の割れについては、当該1種類の接着剤40が軟らかい場合などには、モールド工程時の成型圧が基板10に加わり、基板10のうち凹部23に対向する部分が、当該凹部23に向かって凸となるように、つまり凹部23に基板10が沈み込むように、基板10が反る可能性がある。そして、この反りは、上記基板10の割れにつながるおそれがある。
また、上記基板10の割れ防止の目的で、当該1種類の接着剤40を硬くした場合には、冷熱サイクル時の繰り返し応力などにより、基板10の裏面11のうち部品30以外の部位に設けられている上記保護膜30bが、ダメージを受けてしまう。
その点を考慮して、本実施形態では、接着剤40を、部品30と凹部23の底部との間に位置し比較的硬い第1の接着剤41と、凹部23以外の部位に位置し第1の接着剤41よりも軟らかい第2の接着剤42とにより構成している。
それによれば、基板10のうち凹部23に対向する部分が、比較的硬い第1の接着剤41にてヒートシンク20に支持された構成となるため、上記モールド工程時の成型圧による凹部23での基板10の反りを防止することが可能となる。また、保護樹脂30bの部分は比較的軟らかい第2の接着剤42が接触しているので、応力によるダメージを極力低減できる。
また、本実施形態の電子装置100では、ヒートシンク20の一面21に対向する基板10の裏面11に部品30を搭載しているので、部品30が基板10およびヒートシンク20に挟まれて外部から保護された形となる。
また、本実施形態の電子装置100においては、図示しないが、基板10の表面12側にも、上記した表面実装部品が搭載されていてもよい。この場合、基板10の表裏両方の板面11、12に部品が搭載された構成を実現することができる。この場合、基板10には、たとえばスルーホールや内層配線などを設けて、表裏両面11、12の配線や部品同士を電気的に接続すればよい。
また、上記したようなモールド成型時の基板割れ防止の手法としては、基板の一方の板面に粘着剤付き樹脂フィルムを貼り付けることも考えられるが、基板の両面に部品を実装することができなくなり、また、フィルム貼り付けによるコストアップも予想される。それに対して、本実施形態では、そのようなフィルム貼り付けを行うことなく、上記基板10の割れを防止できる。
(第2実施形態)
図4は、本発明の第2実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果、および、第1および第2の接着剤41、42の硬軟の差によるモールド工程時の基板割れ防止効果は、発揮される。
図4は、本発明の第2実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果、および、第1および第2の接着剤41、42の硬軟の差によるモールド工程時の基板割れ防止効果は、発揮される。
本実施形態は、第1の接着剤41の方を第2の接着剤42よりも硬いものとする方法として、接着剤中に発生するボイドBを利用するところが、上記第1実施形態との相違点である。
たとえば、接着剤41、42としてシリコーン樹脂よりなる接着剤を用いた場合、接着剤は水分と反応して、その反応ガスによるボイドBが発生する。そこで、本実施形態では、たとえば基板10の裏面11の保護膜30bを、吸水性の高い樹脂により構成する。
そして、予めこの保護膜30bに水分を供給し吸湿状態とし、その後、第2の接着剤42を塗布すれば、硬化時に第2の接着剤42中に積極的にボイドBを発生させることができる。それにより、第2の接着剤42は、ボイドの少ない第1の接着剤41よりも見かけ上、低弾性となり軟らかいものとなる。
(第3実施形態)
図5は、本発明の第3実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
図5は、本発明の第3実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
本実施形態では、接着剤41、42の硬軟の差ではなく、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21との間において、実質的に凹部23の位置する部位にのみ接着剤40を設けることで、モールド工程時の基板割れ防止効果を、発揮するようにしたところが、上記第1実施形態と相違する。
図5に示されるように、接着剤40は、凹部23内、および、凹部23と基板10の裏面との間に設けられている。そして、部品30と凹部23の内面との間、および、基板10の裏面11のうち凹部23に対向する部位と凹部23の内面との間が、接着剤40により接着されている。
一方、基板10の裏面11とヒートシンク20の一面21との間のうち凹部23以外の部位には、モールド樹脂50が介在している。この場合、モールド工程時には、基板10のうち凹部23に対向する部位は、ヒートシンク20に固定されているが、凹部23の周辺部に対向する部位はヒートシンク20から浮いて離れた状態となる。
そして、この状態で、モールド樹脂50の充填が行われるが、上記成型圧が基板10の表面12から加わったとしても、凹部23以外では、基板10はヒートシンク20から浮いているので、凹部23にて基板10を反らせようとする力が弱くなり、結果、基板10が反りにくくなる。
なお、図5では、接着剤40として凹部23側に第1の接着剤41、基板10の裏面11側に第2の接着剤42を設けているが、本実施形態の接着剤40としては、1種類のものであってもよい。具体的には、図5中の接着剤40のすべてが、第1の接着剤41でもよいし、あるいは第2の接着剤42でもよい。これは、本実施形態では、接着剤に硬軟の差をつけなくても、上記のようにして基板割れ防止がなされるためである。
(第4実施形態)
図6は、本発明の第4実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果、および、第1および第2の接着剤41、42の硬軟の差によるモールド工程時の基板割れ防止効果は、発揮される。
図6は、本発明の第4実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果、および、第1および第2の接着剤41、42の硬軟の差によるモールド工程時の基板割れ防止効果は、発揮される。
本実施形態では、上記第1実施形態において、凹部23の形状を変更したものである。具体的には、図6に示されるように、凹部23の内面のうちの側面23aを、凹部23の底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面としている。
上記成型圧によって、凹部23にて基板10が反る場合、基板10は凹部23の開口縁部に接触した状態で反る。ここで、本実施形態では、凹部23の開口部が拡がるようにテーパ形状を構成しているため、モールド工程時に、基板10とヒートシンク20とが接触しにくくなり、基板10が割れにくくなる。
なお、本第4実施形態は、上述の如く凹部23をテーパ形状としたものであり、上記した各実施形態および後述する各実施形態に適用することが可能である。
(第5実施形態)
図7は、本発明の第5実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
図7は、本発明の第5実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
本実施形態では、接着剤41、42の硬軟の差ではなく、凹部23に入り込んでいる部品30と凹部23の底部とを直接接触させており、それによって、部品30により基板10のうち凹部23に対向する部位を支持しているところが、上記第1実施形態と相違する。それによれば、基板10のうち凹部23に対向する部位が、部品30に支持されるため、モールド工程時に基板10が反りにくくなる。
なお、図7では、接着剤40として凹部23側に第1の接着剤41、基板10の裏面11側に第2の接着剤42を設けているが、本実施形態の接着剤40としては、1種類のものであってもよい。これは、本実施形態では、接着剤に硬軟の差をつけなくても、上記のようにして基板割れ防止がなされるためである。
また、図7では、上記第4実施形態と同様に、凹部23をテーパ形状としているが、凹部23は上記図1に示される形状のものでもよい。本第5実施形態は、上記した各図および後述する各図に示される電子装置において、上述の如く、部品30と凹部23の底部とを直接接触させることで、上述および後述の各実施形態に適用可能である。
(第6実施形態)
図8は、本発明の第6実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
図8は、本発明の第6実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、上記した凹部23による接着剤40の厚さへの効果は、発揮される。
図8に示される電子装置では、上記図1に示されるものにおいて、凹部23内に、凹部23の底部から基板10の裏面11まで延びる形状を有する支柱24を設けている。この支柱24は、樹脂、セラミック、金属など特に材質は問わない。
ここでは、支柱24は、一端側が基板10の裏面11に接着剤などの接合部材24aを介して接合固定されており、他端側が凹部23の底部に当たっている。そして、この支柱24は、基板10とヒートシンク20との間に介在して基板10を支持しているため、モールド工程時に凹部23にて基板10が反りにくくなる。
図9は、本第6実施形態のもう一つの例としての電子装置を示す概略断面図である。上記図8に示される例では、支柱24は基板10に接合された別体の部材であったが、本例では、支柱24は、プレス加工などによってヒートシンク20と一体に形成されたものである。この場合も、図8のものと同様の効果が発揮される。
なお、本第6実施形態は、上述の如く、凹部23内に支柱24を設けたものであり、上記した各実施形態および後述する各実施形態に組み合わせて適用可能である。
(第7実施形態)
ところで、凹部23の位置や数は、上記各図に限定されるものではない。図10は、本発明の第7実施形態に係る第1の例としての電子装置を示す概略断面図であり、部品30とともに凹部23を、基板10の周辺部近傍に位置させている。この場合、基板10の中央部に凹部23が位置する場合に比べて、上記モールド工程時の基板10の反り度合が小さくなる。
ところで、凹部23の位置や数は、上記各図に限定されるものではない。図10は、本発明の第7実施形態に係る第1の例としての電子装置を示す概略断面図であり、部品30とともに凹部23を、基板10の周辺部近傍に位置させている。この場合、基板10の中央部に凹部23が位置する場合に比べて、上記モールド工程時の基板10の反り度合が小さくなる。
また、図11は、本第7実施形態に係る第2の例としての電子装置を示す概略断面図であり、基板10の裏面11に複数個の部品30、31、32を設け、それに対応して凹部23も複数個としている。この場合、凹部23が複数個存在することにより、上記モールド工程時における基板10の反りの応力が分散するという点で、好ましい。
(第8実施形態)
図12は、本発明の第8実施形態に係るヒートシンク20の一面21を示す概略平面図である。凹部23の平面形状すなわち開口部形状は、上記図2(b)に限定されるものではなく、種々の形状が可能である。
図12は、本発明の第8実施形態に係るヒートシンク20の一面21を示す概略平面図である。凹部23の平面形状すなわち開口部形状は、上記図2(b)に限定されるものではなく、種々の形状が可能である。
たとえば、図12(a)に示されるような全周を取り囲まれた開口形状や、図12(b)に示されるような十字型の開口形状や、図12(c)に示されるような格子型の開口形状とすれば、上記図2(b)に比べて、上記モールド工程時の基板10の反り度合の低減が期待される。
(第9実施形態)
図13(a)〜(c)、図14(a)〜(c)は、本発明の第9実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図である。本実施形態では、上記モールド工程時の基板10の反り度合の低減を行うべく、基板10に工夫を加えたものであり、上記した各実施形態に組み合わせて適用可能である。
図13(a)〜(c)、図14(a)〜(c)は、本発明の第9実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図である。本実施形態では、上記モールド工程時の基板10の反り度合の低減を行うべく、基板10に工夫を加えたものであり、上記した各実施形態に組み合わせて適用可能である。
まず、図13(a)に示される例は、ヒートシンク20とは反対側に凸となるように元々反っている形状の基板10を用いることで、上記成型圧による基板10の反りを起こりにくくしたものである。
図13(b)に示される例は、基板10のうち凹部23に対向する部位をそれ以外の部位に比べて厚くしたものである。図13(c)に示される例では、基板10のうち凹部23に対向する部位にて、基板10の表面12に、別体の補強基板60を貼り付けて当該部位を、見かけ上、厚くしたものである。この補強基板60は、樹脂、セラミック、金属などの板であり、接着などにより固定される。
また、図14(a)に示される例は、基板10のうち凹部23に対向する部位にて、基板10の表面12に、ダミー部品33を搭載して当該部位を、見かけ上、厚くしたものである。このダミー部品33としては、フリップチップ実装されたICチップなどが挙げられる。
図14(b)に示される例は、基板10のうち凹部23に対向する部位にて、基板10の表面12に、モールド成型時の圧力を吸収するゲルもしくはフィルムなどよりなる緩衝部材70を設けたものである。なお、上記厚くする部位のサイズ、補強基板60のサイズ、ダミー部品33のサイズ、緩衝部材70のサイズは、凹部23の平面サイズと同等以上が望ましい。
また、図14(c)に示される例は、基板10のうち凹部23に対向しない部位にて、基板10の表面12に、溝10a(図中、太線にて図示)を設けたものである。この溝10aにより、モールド成型時に基板10に加わる応力が分散され、凹部23の部分に集中するのを防止する。
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態に示した電子装置において、モールド樹脂50を省略した構成でもよく、基板10およびヒートシンク20はモールド樹脂50で封止されていないものであってもよい。
なお、上記各実施形態に示した電子装置において、モールド樹脂50を省略した構成でもよく、基板10およびヒートシンク20はモールド樹脂50で封止されていないものであってもよい。
10…基板、11…基板の一方の板面としての裏面、20…ヒートシンク、
21…ヒートシンクの一面、23…凹部、23a…凹部の内面のうちの側面、
24…支柱、30…部品、50…モールド樹脂、40…接着剤、
41…接着剤のうちの第1の接着剤、42…接着剤のうちの第2の接着剤。
21…ヒートシンクの一面、23…凹部、23a…凹部の内面のうちの側面、
24…支柱、30…部品、50…モールド樹脂、40…接着剤、
41…接着剤のうちの第1の接着剤、42…接着剤のうちの第2の接着剤。
Claims (6)
- 一方の板面(11)に部品(30)が搭載されている基板(10)と、
前記基板(10)からの熱を放熱させるヒートシンク(20)とを備える電子装置において、
前記部品(30)は前記基板(10)の前記一方の板面(11)から突出しており、
前記基板(10)の前記一方の板面(11)と前記ヒートシンク(20)の一面(21)とが、接着剤(40)を介して対向した状態で接着されており、
前記ヒートシンク(20)の前記一面(21)のうち前記部品(30)に対向する部位には、当該一面(21)より凹んだ凹部(23)が設けられており、
この凹部(23)に、前記部品(30)が入り込んでいることを特徴とする電子装置。 - 前記基板(10)および前記ヒートシンク(20)はモールド樹脂(50)で封止されており、
前記接着剤(40)は、前記凹部(23)内にて前記部品(30)と前記凹部(23)の底部とを接着する第1の接着剤(41)と、前記凹部(23)以外の部位にて前記基板(10)の前記一方の板面(11)と前記ヒートシンク(20)の前記一面(21)とを接着する第2の接着剤(42)とにより構成されており、
前記第1の接着剤(41)の方が、前記第2の接着剤(42)よりも硬いものであることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記基板(10)および前記ヒートシンク(20)はモールド樹脂(50)で封止されており、
前記接着剤(40)は、前記凹部(23)内に設けられて、前記部品(30)と前記凹部(23)の内面との間を接着しており、
前記凹部(23)以外の部位では、前記基板(10)の前記一方の板面(11)と前記ヒートシンク(20)の前記一面(21)との間には、前記モールド樹脂(50)が介在していることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記基板(10)および前記ヒートシンク(20)はモールド樹脂(50)で封止されており、
前記凹部(23)に入り込んでいる前記部品(30)と前記凹部(23)の底部とが直接接触しており、前記部品(30)により前記基板(10)のうち前記凹部(23)に対向する部位が支持されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記基板(10)および前記ヒートシンク(20)はモールド樹脂(50)で封止されており、
前記凹部(23)の内面のうちの側面(23a)は、前記凹部(23)の底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記基板(10)および前記ヒートシンク(20)はモールド樹脂(50)で封止されており、
前記凹部(23)内には、前記凹部(23)の底部から前記基板(10)の前記一方の板面(11)まで延びる形状を有し前記基板(10)を支持する支柱(24)が設けられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の電子装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007240596A JP2009071218A (ja) | 2007-09-18 | 2007-09-18 | 電子装置 |
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JP (1) | JP2009071218A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012028443A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Denso Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-09-18 JP JP2007240596A patent/JP2009071218A/ja not_active Withdrawn
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