JP2009071094A - 部品内蔵基板 - Google Patents

Abstract

【課題】光部品と電気部品との間で耐ノイズ性を高めて実装トレランスを向上させた部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】ＰＤ１２０と電気部品１３０とはそれぞれの電極１２２、１３１をできるだけ近接させて配置しており、第１の配線１５１の距離が最短化されている。また、第２の配線１５２及び第３の配線１５３は、第１の配線１５１に対し略垂直に形成されていることから、それぞれの距離も最短化されている。接続配線１５０を最短化することで、接続配線１５０に混入する電気ノイズをできるだけ低減させるようにして電気ノイズが混入しにくい構造としている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体部品を電気配線基板に内蔵した部品内蔵基板に関するものである。

近年、地上ディジタルテレビ放送用の大画面高精細モニタやゲーム機等の進展に伴って、家庭内でも高速大容量のデータ伝送に対するニーズが高まってきている。このようなニーズに対応するためには、従来の電気信号によるデータ伝送だけでなく、光伝送路及び光部品を用いた光信号によるデータ伝送が必要になってくる。

光信号を用いた光伝送システムでは、光部品と電気部品とを搭載したモジュール基板を、光伝送路を有する光回路基板に光学的に結合して用いている。このような光伝送システムでは、モジュール基板において、光信号を光電変換して得られる電気信号から正確にデータを判定できることが不可欠である。そのためには光部品と電気部品より定められる最低受光強度以上の光強度をもつ光信号を光部品に入力することが重要である。

この光伝送システムを低コストで実現するためには、モジュール基板を光回路基板に実装する時の実装トレランスが大きいものが必要となる。しかしながら、光部品と光伝送路との位置精度が悪くなると光結合効率が低くなって光強度が最低受光強度以下となり、このため光信号を光電気変換して得られる電気信号も非常に微弱なものとなり、光部品と電気部品との間のノイズにより、正確にデータを判定することが難しくなるという問題があった。

光電変換後の微弱な電気信号を伝送する接続配線の耐ノイズ性を高める従来技術として、例えば特許文献１及び非特許文献１に開示されているものが知られている。特許文献１では、光送受信モジュールにおいて、受光部を覆うように金属線を配置することで電気ノイズを低減している。また、非特許文献１では、電気配線を光素子の直前まで差動ディジタル配線で行い、電気ノイズが混入しやすいアナログ配線をごく短くする技術が開示されている。
特表２００４−３１５７３号公報 古山英人他、「テラビット光電気ＬＳＩパッケージ」、東芝レビューVol.62、No.1（2007）

しかしながら、電気ノイズを低減する従来の方法では、以下のような問題があった。
特許文献１では、受光部を金属線で覆う構造としているが、このような構造は光送受信モジュール等の特殊な構造のものに適用できるものであり、プリント基板に搭載するような、光部品を搭載したモジュール基板に適用することはできないといった問題がある。また、非特許文献１では、差動ディジタル配線を用いることでアナログ配線をごく短くしているが、構造が複雑で高コストになってしまうといった問題がある。

そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、光部品と電気部品との間の接続配線の耐ノイズ性を高めて実装トレランスを向上させた部品内蔵基板を提供することを目的としている。

この発明の部品内蔵基板の第１の態様は、電気配線基板と、前記電気配線基板に内蔵される半導体部品とを備えた部品内蔵基板であって、前記半導体部品の少なくとも一つが光電気変換を行う光部品であり、前記半導体部品の少なくともさらに一つが、前記光部品と電気的な接続配線で配線される電気部品であることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記接続配線が短距離で接続されていることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記接続配線は、直線状または所定の屈曲角度以下で屈曲させて形成されていることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記光部品と前記電気部品とは、それぞれの接続端子が対向するように前記電気配線基板の厚さ方向に配置されていることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、光伝送路と、前記光伝送路を前記電気配線基板の厚さ方向に屈曲させる光屈曲部とを有する光回路基板をさらに備え、前記光部品は、前記光屈曲部を介して前記光伝送路と光学的に接続されていることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記接続配線を含む層の外側にグランド層をさらに備えることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記光部品または前記電気部品または前記接続配線にコンデンサが接続されていることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記電気部品に近接させて熱伝導層をさらに備えることを特徴とする。

この発明の部品内蔵基板の他の態様は、前記電気部品の動作周波数は、１ＧＨｚ以上であることを特徴とする。

以上説明したように本発明によれば、光部品と電気部品とが短距離の接続配線で接続されるようにすることで、接続配線の耐ノイズ性を高めて実装トレランスを向上させた部品内蔵基板を提供することができる。

図面を参照して本発明の好ましい実施の形態における部品内蔵基板の構成について詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。

（第１の実施形態）
本発明の部品内蔵基板に係る第１の実施形態を、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態の部品内蔵基板１００の長手方向の断面を模式的に示す断面模式図である。本実施形態の部品内蔵基板１００は、電気配線基板１１０に光部品のＰＤ（Photodiode）１２０と電気部品１３０とが実装されて構成されている。本実施形態のＰＤ１２０は、一方の面に受光部１２１を有し、これと反対の他方の面に電極１２２を有するものとしている（以下では、このように構成されたＰＤを裏面受光型素子という）。なお、以下では光部品としてＰＤを一例に説明するが、これに限るものではない。

電気部品１３０として、例えばＰＤ１２０で受光して光電変換された微弱な電流を増幅するためのアンプがある。あるいは、そのようなアンプの機能を有するＬＳＩ等であってもよい。電気部品１３０の動作周波数は、とくにノイズの抑制が必要な１ＧＨｚ以上の場合、とくに本発明の効果を得ることができる。ＰＤ１２０と電気的に接続するために電気部品１３０に設けられた電極１３１は、ＰＤ１２０の電極１２２と同じ向き（図面上の上向き）に設けられており、さらに電極１２２と電極１３１とができるだけ近接するように電気部品１３０の配置が決定されている。このとき、近接させた効果を得るには、１ｍｍ以下が望ましい。

電気配線基板１１０は、少なくとも絶縁層１１１の上に形成された導体層１１２と、ＰＤ１２０及び電気部品１３０を挟んで配置された導体層１１３とを備えている。導体層１１２、１１３は、例えば銅を用いて形成することができる。ＰＤ１２０と電気部品１３０とは、それぞれの電極１２２、１３１が導体層１１２の向きとなるように配設されており、導体層１１２には、ＰＤ１２０と電気部品１３０とを電気的に接続する配線パターン等が形成されている。

ＰＤ１２０及び電気部品１３０は、上記のように導体層１１２と１１３との間に配設されており、絶縁性の封止剤１４０を用いて電気配線基板１１０に固定されている。これにより、ＰＤ１２０と電気部品１３０とが電気配線基板１１０に一体化されている。なお、導体層１１３には、ＰＤ１２０の受光部１２１と対向する位置に開口部１１３ａが形成されており、開口部１１３ａを通過してＰＤ１２０に光が入射するようにしている。

ＰＤ１２０と電気部品１３０とは、導体層１１２で形成された第１の配線１５１と、ＰＤ１２０の電極１２２と第１の配線１５１とを略垂直に接続する第２の配線１５２と、電気配部品１３０の電極１３１と第１の配線１５１とを略垂直に接続する第３の配線１５３とで電気的に接続されている。第２の配線１５２及び第３の配線１５３は、電極１２２、１３１のそれぞれから略垂直方向に封止剤１４０を貫通するスルーホールとして形成されている。

ＰＤ１２０及び電気部品１３０を電気配線基板１１０に一体化させる方法として、例えば導体層１１３の上にＰＤ１２０及び電気部品１３０を載置した後封止剤１４０で封止する。封止剤１４０として、エポキシ、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル等の樹脂を用いることができる。封止材１４０が固化した後に、第２の配線１５２及び第３の配線１５３を形成する位置にレーザを照射して電極１２２及び電極１３１までの貫通孔を形成する。その後、封止剤１４０の表面上に導体層１１２を形成してエッチングにより回路パターンを形成するとともに、貫通孔の内面をメッキすることでスルーホールを形成している。

導体層１１２に形成される第１の配線１５１の好ましい形状を図２に例示する。第１の配線１５１は、図２（ａ）に示すように、第２の配線１５２と第３の配線１５３との間を直線状に結ぶように形成するのがよい。これにより、第１の配線１５１の長さを最短化することができる。また、直線状に形成できない場合には、図２（ｂ）に示すように、所定の角度θ_０以下で屈曲させた配線を形成するのがよい。この場合、屈曲させる上限の角度θ_０は４５度以下とするのが好ましい。このように配線することによって、信号が高周波（例えば１ＧＨｚ以上）である場合に、信号の劣化を防ぐことが可能となる。

ＰＤ１２０と電気部品１３０とを電気的に接続する接続配線１５０を、第１の配線１５１と第２の配線１５２と第３の配線１５３とで形成することにより、その距離を最短化することができる。すなわち、ＰＤ１２０と電気部品１３０とはそれぞれの電極１２２、１３１をできるだけ近接させて配置していることから、第１の配線１５１の距離が最短化されている。また、第２の配線１５２及び第３の配線１５３は、第１の配線１５１に対し略垂直に形成されていることから、それぞれの距離も最短化されている。接続配線１５０の距離は、高々数百μｍ程度である。

本実施形態の電気混載基板１００では、ＰＤ１２０と電気部品１３０とを電気的に接続する接続配線１５０を上記のように最短化することで、接続配線１５０に混入する電気ノイズをできるだけ低減させるようにしている。このように、ＰＤ１２０、電気部品１３０、及び接続配線１５０のいずれにも電気ノイズが混入しにくい耐ノイズ性の高い構造としており、これによりＰＤ１２０の最低受光強度を下げることが可能となっている。

電気配線基板１１０は、絶縁層１１１及び導体層１１２、１１３に加えて、さらに別の層を備える構造とすることができる。図１では、さらに導体層１１４、１１６と絶縁層１１５とを備えた実施例を示している。電気配線基板１１０は、このように導電層を複数有する構造とすることができる。また、このように複数層を有するとき、いずれかの導体層をグランド層とすることができ、このようなグランド層でＰＤ１２０、電気部品１３０、及び接続配線１５０を囲むようにすることで、耐ノイズ性をさらに高めることができる。

グランド層は、ＰＤ１２０、電気部品１３０、及び接続配線１５０にできるだけ近接してこれらを囲むように設置するのがよく、図１では導体層１１３と１１４とをグランド層とするのが好ましい。導体層１１３と１１４をグランド層とすることにより、ＰＤ１２０、電気部品１３０、及び接続配線１５０に対する電気ノイズ防止効果が一層高められて高い耐ノイズ性が得られる。

電気配線基板１１０は、さらに別の層として熱伝導層を備えるように構成することも可能であり、この熱伝導層は配線パターンと同じ、銅を用いて形成することができる。熱伝導層をＰＤ１２０及び電気部品１３０のパッケージと近接させて設けることで、ＰＤ１２０及び電気部品１３０から放出される熱を、熱伝導層を介して外部に効率よく廃熱させることができる。ＰＤ１２０及び電気部品１３０からの廃熱を適切に行うようにすることにより、ＰＤ１２０及び電気部品１３０の各特性を良好に保つことが可能となり、ＰＤ１２０における受光強度を高い状態で維持することが可能となる。

電気配線基板１１０にＰＤ１２０と電気部品１３０とを一体化して構成された本実施形態の部品内蔵基板１００は、光伝送路と容易に接続することができる。図１では、光伝送路を備えた光回路基板１６０の所定の位置に部品内蔵基板１００を載置して光学的に接続している例を示している。

光回路基板１６０は、コア１６１ａとクラッド１６１ｂとからなる光伝送路１６１と、光伝送路の途中に設けられた反射部１６２とを備えている。反射部１６２は、コア１６１ａ内を伝送する光を直角方向に反射してＰＤ１２０の方向に放出させる光屈曲部に相当する。ＰＤ１２０の受光部１２１を反射部１６２で屈曲された光軸と一致させることで、ＰＤ１２０と光伝送路１６１との光結合効率を高くすることができる。

部品内蔵基板１００と光回路基板１６０とを上記のように光学的に接続することで、光伝送路１６１内を伝播してきた光が反射部１６２で反射されてＰＤ１２０の受光部１２１に入射し、ここで電気信号に変換されて接続配線１５０を経由して電気部品１３０に伝送される。光回路基板１６０から入力した光信号を部品内蔵基板１００で正確に電気信号として識別できるようにするためには、光伝送路１６１とＰＤ１２０との光結合効率を高めてＰＤ１２０における受光強度を高い状態とすることと、ＰＤ１２０で光電変換されてから電気部品１３０に入力されるまでの間に電気ノイズが混入するのをできるだけ低減することが効果的である。

本実施形態の部品内蔵基板１００では、ＰＤ１２０、電気部品１３０、及びその間の接続配線１５０は耐ノイズ性を高めた構造としていることから、反射部１６２で屈曲された光軸と受光部１２１がずれて光結合効率が低く、光電変換された電気信号が微弱な状態であっても、正確にデータを判定することが可能となる。すなわち、本実施形態の部品内蔵基板１００は、高い実装トレランスを有しており、光回路基板１６０への実装が容易となっている。

（第２の実施形態）
本発明の部品内蔵基板に係る第２の実施形態を、図３を用いて説明する。図３は、本実施形態の部品内蔵基板２００の断面模式図である。本実施形態の電気混載基板２００は、光部品であるＰＤ２２０の電極２２２と電気部品２３０の電極２３１とが、電気配線基板２１０の厚さ方向に対向するように配置されている。なお、本実施形態のＰＤ２２０も、裏面受光型素子としている。

本実施形態では、導体層２１３上にＰＤ２２０を封止剤２４１で封止するとともに、電気配線基板２１０に電気部品２３０を封止剤２４２で封止している。ＰＤ２１０の向きは、受光部２２１が導体層２１３に面するようにしている。また、電気部品２３０の向きは、電極２３１が電気配線基板２１０とは反対の向きとなるようにしている。

封止剤２４１には、その表面上に導体層２１２を形成するとともに、ＰＤ２２０の電極２２２に接続されるスルーホール２５１を形成している。電極２２２と電極２３１とが対向するように封止剤２４１と封止剤２４２とを一体化することで、電気配線基板２１０にＰＤ２２０と電気部品２３０とを一体化した本実施形態の電気混載基板２００を形成している。電極２３１とスルーホール２５１に接続された導体層２１２とは、バンプ２５２を用いてフリップチップ接続することができる。

上記構成の本実施形態の電気混載基板２００では、ＰＤ２２０と電気部品２３０とを電気的に接続する接続配線２５０が、スルーホール２５１、導体層２１２、及びバンプ２５２で形成されている。このように形成された接続配線２５０では、スルーホール２５１の距離を短くするこができるため、さらに配線長を短くして電気ノイズの混入を低減するとともに、配線パターンに屈曲部がないために反射によるノイズ発生を抑えることが可能となる。これにより、電気混載基板２００の耐ノイズ性を高めることができ、ＰＤ２２０の最低受光強度を下げることが可能となる。

本実施形態において、ＰＤ２２０の電極２２２及び電気部品２３０の電極２３１がそれぞれ複数あり、それぞれの電極間のピッチが一致しない場合には、導体層２１２にスルーホール２５１の端部と電極２３１とを結ぶ配線パターンを形成しておく必要がある。あるいは、両者の配置が一致するように再配線するインターポーザ基板（図示せず）を用いたパッケージを電気部品２３０として使用することができる。

（第３の実施形態）
本発明の部品内蔵基板に係る第３の実施形態を、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態の部品内蔵基板３００の断面模式図である。本実施形態の電気混載基板３００は、第１の実施形態と同様に、ＰＤ３２０と電気部品３３０とが封止剤３４０で電気配線基材３１０に一体化されて形成されている。本実施形態では、ＰＤ３２０と電気部品３３０との接続に用いられている導体層３１２に、さらにコンデンサ３７０が接続されている。すなわち、ＰＤ３２０に電気部品３３０と別の電気部品であるコンデンサ３７０が接続されている。なお、本実施形態のＰＤ３２０も、裏面受光型素子としている。

光部品であるＰＤ３２０やアンプ等の電気部品３３０は、グランドに接続されるとともにそれぞれに所定のバイアス電圧が印加されている（第１の実施形態及び第２の実施形態でも同様）。これらの部品が駆動すると、バイアス電圧を印加している電源が揺らいで電気ノイズを発生するおそれがある。そこで、この電気ノイズを低減するために、その近傍にデカップリングコンデンサ（バイパスコンデンサ）を配置するのが好ましい。

本実施形態では、ＰＤ３２０と電気部品３３０とを接続している接続配線３５０にコンデンサ３７０を接続しており、コンデンサ３７０はデカップリングコンデンサとして機能している。本実施形態の電気混載基板３００は、コンデンサ３７０を備えることでさらに耐ノイズ性を高めており、高い実装トレランスを実現している。

（その他の実施形態）
上記の第１から第３の実施形態では、光部品と電気部品とを封止剤で電気配線基板に一体化して部品内蔵基板１００又は２００又は３００を形成し、これを光伝送路１６１を備えた光回路基板１６０に半田１６３で接続して用いていた。

これに対し、本発明の別の実施形態として、光部品、電気部品、及び電気配線基板にさらに光回路基板１６０も一体化したものを部品内蔵基板とすることができる。図５〜７は、それぞれ第１から第３の実施形態に対応して、光回路基板１６０も一体化して構成した本発明の部品内蔵基板の実施形態を示す断面模式図である。

図５に示す本発明の別の実施形態の部品内蔵基板４００では、第１の実施形態と同様に、ＰＤ１２０、電気部品１３０、及びその間の接続配線１５０は耐ノイズ性を高めた構造としているのに加えて、光回路基板１６０を一体化することにより光結合効率も高めている。すなわち、光部品であるＰＤ１２０の受光部１２１と光伝送路１６１との距離を近接させるとともに、受光部１２１が最も効率的に受光できるように事前に調整して固定することが可能となる。これにより、高い光結合効率を維持することができる。

上記のように、本実施形態の部品内蔵基板４００は、高い耐ノイズ性を有するとともに、高い光結合効率も維持していることから、実装トレランスを一層高めることが可能となる。

図６に示す本発明のさらに別の実施形態の部品内蔵基板５００では、第２の実施形態と同様に、光部品であるＰＤ２２０の電極２２２と電気部品２３０の電極２３１とが、電気配線基板２１０の厚さ方向に対向するように配置されており、ＰＤ２２０、電気部品２３０、及びその間の接続配線２５０は耐ノイズ性を高めた構造としている。これに加えて、部品内蔵基板５００では光回路基板１６０を一体化することにより光結合効率も高めている。

すなわち、光部品であるＰＤ２２０の受光部２２１と光伝送路１６１との距離を近接させるとともに、受光部２２１が最も効率的に受光できるように事前に調整して固定することが可能となる。これにより、高い光結合効率を維持することができる。このように、本実施形態の部品内蔵基板５００は、高い耐ノイズ性を有するとともに、高い光結合効率も維持していることから、実装トレランスを一層高めることが可能となる。

図７に示す本発明のさらに別の実施形態の部品内蔵基板６００では、第３の実施形態と同様に、ＰＤ３２０と電気部品３３０とを接続している接続配線３５０にコンデンサ３７０を接続することで、さらに耐ノイズ性を高めている。これに加えて、部品内蔵基板６００では光回路基板１６０を一体化することにより光結合効率も高めている。

すなわち、光部品であるＰＤ３２０の受光部３２１と光伝送路１６１との距離を近接させるとともに、受光部３２１が最も効率的に受光できるように事前に調整して固定することが可能となる。これにより、高い光結合効率を維持することができる。このように、本実施形態の部品内蔵基板６００は、高い耐ノイズ性を有するとともに、高い光結合効率も維持していることから、実装トレランスを一層高めることが可能となる。

上記のいずれの実施形態においても、ＰＤ１２０等の光部品として裏面受光型素子を用いていた。本発明の部品内蔵基板は、裏面受光型素子に限らず別の形態の光部品を用いてもよい。電極が受発光面側にある光部品を用いて構成した本発明の部品内蔵基板の実施形態を図８、９に示す。図８、９は、各実施形態の部品内蔵基板８００及び９００のそれぞれの断面模式図である。

図８に示す部品内蔵基板８００は、ＰＤ８２０と電気部品８３０とが別の層に設置されているときの実施形態である。ＰＤ８２０の受光部８２１と電極８２２とが同じ面にあることから、電気部品８３０は光伝送路８６１を挟んでＰＤ８２０とは反対側の光回路基板８６０側に設置されている。このように、ＰＤ８２０と電気部品８３０とが別の層に設置されている場合には、電極８２２と電極８３１とが略垂直方向の最短距離に位置するようにＰＤ８２０及び電気部品８３０を配置するのがよい。

電極８２２と電極８３１との電気的な接続は、導体層８１３と電気部品８３０とをスルーホール８５０で接続し、ＰＤ８２０の電極８２２を導体層８１３にフリップチップ接続している。ＰＤ８２０の電極８２２及び電気部品８３０の電極８３１がそれぞれ複数あり、それぞれの電極間のピッチが一致しない場合には、第２の実施形態と同様に、導体層８１３にスルーホール８５０の端部と電極８２１とを結ぶ配線パターンを形成しておくのがよい。あるいは、両者の配置が一致するように再配線するインターポーザ基板（図示せず）を用いたパッケージを電気部品８３０として使用することができる。

部品内蔵基板８００では、電極８２２と電極８３１とが略垂直方向の最短距離に位置するように構成するとともに、スルーホール８５０の距離をできるだけ短くすることにより、ＰＤ８２０と電気部品８３０との接続配線に混入される電気ノイズを低減している。さらに配線パターンに屈曲部がないため、反射によるノイズ発生を抑えることが可能となる。

図９に示す部品内蔵基板９００は、ＰＤ９２０と電気部品９３０とがフリップチップ接続されている導体層９１３に、第３の実施形態と同様に、さらにコンデンサ９７０が接続されている。コンデンサ９７０の電極９７１とＰＤ９２０の電極９２２とが略垂直方向の最短距離に位置するようにコンデンサ９７０を配置することにより、電極９２２と９７１との距離を最短化することができ、電気ノイズの混入を低減することができる。

本実施形態の部品内蔵基板９００では、第３の実施形態と同様に、コンデンサ９７０がデカップリングコンデンサとして機能しており、これによりさらに耐ノイズ性を高めて高い実装トレランスを実現している。

本発明の部品内蔵基板のさらに別の実施形態を、図１０を用いて以下に説明する。図１０は、本実施形態の部品内蔵基板１０００の断面模式図である。本実施形態では、受発光面とその裏面の両面に電極を有している光部品のＰＤ１０２０を用いて部品内蔵基板１０００を構成している。ＰＤ１０２０は、受光部１０２１と同じ面に電極１０２２を備えており、これが導体層１０１３にフリップチップ接続されている。導体層１０１３には電気部品１０３０の電極１０３１がフリップチップ接続されており、電極１０２２と１０３１とが最短距離で接続されている。

一方、ＰＤ１０２０の受光部１０２１とは反対の面に設けられている電極１０２３は、導体層１０１２に略垂直に形成されたスルーホール１０５０に接続されている。また、導体層１０１２にはコンデンサ１０７０がフリップチップ接続されており、電極１０７１が電極１０２３の略垂直方向に位置するようにコンデンサ１０７０が配置されている。これにより、電極１０２３と１０７１とがほぼ最短距離で接続されており、電機ノイズの混入を低減している。

コンデンサ１０７０の別の電極１０７２は、導体層１０１２に形成されたグランド１０１２ｂに接続されており、コンデンサ１０７０はデカップリングコンデンサとして機能し、これによりさらに耐ノイズ性を高めて高い実装トレランスを実現している。

なお、本実施の形態における記述は、本発明に係る部品内蔵基板の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。本実施の形態における部品内蔵基板の細部構成及び詳細な動作等に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

本発明の第１の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 接続配線の好ましい配線形状を例示する図である。 本発明の第２の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第３の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第４の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第５の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第６の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第８の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第９の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。 本発明の第１０の実施形態の部品内蔵基板の断面模式図である。

符号の説明

１００、２００、３００、４００、５００、６００、８００、９００、１０００ 電気混載基板
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、８１０、９１０ 電気配線基板
１１１、１１５ 絶縁層
１１２、１１３、１１４、１１６，２１３，３１２、８１３、９１３、１０１２、１０１３ 導体層
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、８２０、９２０、１０２０ ＰＤ
１２１、２２１、８２１、１０２１ 受光部
１２２、１３１、２２２、２３１、８２２，８３１、９２２、９７１、１０２２、１０２３、１０３１、１０７１、１０７２ 電極
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、８３０、９３０、１０３０ 電気部品
１４０、３４０ 封止剤
１５０、２５０、３５０ 接続配線
１５１ 第１の配線
１５２ 第２の配線
１５３ 第３の配線
１６０、８６０ 光回路基板
１６１、８６１ 光伝送路
１６１ａ コア
１６１ｂ クラッド
１６２ 反射部
１６３ 半田
２５１、８５０、１０５０ スルーホール
２５２ バンプ
３７０、９７０、１０７０ コンデンサ
１０１２ｂ グランド

Claims (9)

1. 電気配線基板と、
   前記電気配線基板に内蔵される半導体部品と
   を備えた部品内蔵基板であって、
   前記半導体部品の少なくとも一つが光電気変換を行う光部品であり、
   前記半導体部品の少なくともさらに一つが、前記光部品と電気的な接続配線で配線される電気部品である
   ことを特徴とする部品内蔵基板。
2. 前記接続配線が短距離で接続されている
   ことを特徴とする部品内蔵基板。
3. 前記接続配線は、直線状または所定の屈曲角度以下で屈曲させて形成されている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵基板。
4. 前記光部品と前記電気部品とは、それぞれの接続端子が対向するように前記電気配線基板の厚さ方向に配置されている
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
5. 光伝送路と、前記光伝送路を前記電気配線基板の厚さ方向に屈曲させる光屈曲部とを有する光回路基板をさらに備え、
   前記光部品は、前記光屈曲部を介して前記光伝送路と光学的に接続されている
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
6. 前記接続配線を含む層の外側にグランド層をさらに備える
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
7. 前記光部品または前記電気部品または前記接続配線にコンデンサが接続されている
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
8. 前記電気部品に近接させて熱伝導層をさらに備える
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
9. 前記電気部品の動作周波数は、１ＧＨｚ以上である
   ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。

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