CN102736195A - 光模块、光模块的制造方法及光通信装置 - Google Patents
光模块、光模块的制造方法及光通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102736195A CN102736195A CN2012101000103A CN201210100010A CN102736195A CN 102736195 A CN102736195 A CN 102736195A CN 2012101000103 A CN2012101000103 A CN 2012101000103A CN 201210100010 A CN201210100010 A CN 201210100010A CN 102736195 A CN102736195 A CN 102736195A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- optical
- optical module
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种光模块的制造方法以及一种光通信装置。所述光模块包括:基板,其设有用于从基板的第二主面侧插入光芯线的通孔;光器件,其设置于基板的第一主面侧;第一电极,其设置于基板中以从第二主面侧连接电芯线;第二电极,其形成于基板的第一主面侧以连接于光器件;以及第三电极,其设置于基板的侧面上且电连接于第二电极。本发明可实现光模块的小型化以及装配有所述光模块的通信装置的小型化。
Description
相关申请的交叉引用
本申请包括与2011年4月7日向日本专利局提交的日本专利申请JP2011-085707中公开的相关主题并要求其优先权,将其全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及用于光通信等的光模块、光模块的制造方法以及光通信装置。
背景技术
近年来,随着待处理的信息量的增加,通常将光芯线(光纤等)用作信息传输路径。在此情况中,将光芯线的一端通过光模块而连接于用于信息处理的半导体器件等(例如参照JP-A-2000-349307(专利文件1))。在这种方法中,通过接合引线而直接进行光器件与半导体器件间的电连接。
此外,有人提出了将光电复合缆所连接的光模块用作光芯线和发射/接收电信号用电芯线所连接的光模块(例如参照JP-A-2010-237640(专利文件2))。
发明内容
当将光电复合缆连接于光模块时,须将光芯线连接于光器件且还须将电芯线连接于光器件。关于电芯线和光器件间的电连接,可使用对光器件的直接焊接、通过接合引线的直接连接或者使用电连接器的连接等。
在光器件与光芯线间的光连接中,诸如透镜的光学部件是必需的,这导致光学系统复杂。而且,当使来自光器件的光与用于组装的光纤进行光耦合时,必须提供极高精度的光对准。由于在光模块中分别进行电芯线与光器件间的电连接以及光纤与光器件间的光连接,因此,难以使装置小型化。
因此,期望提供一种当连接光电复合缆时可小型化的光模块和一种包括所述光模块的光通信装置。
本发明的一个实施方式旨在提供一种光模块,该光模块包括:基板,其设有用于从该基板的第二主面侧插入光芯线的通孔;光器件,其设置于基板的第一主面侧;第一电极,其设置于基板中以从第二主面侧连接电芯线;第二电极,其形成于基板的第一主面侧以连接于光器件;以及第三电极,其设置于基板的侧面上且电连接于第二电极。
本发明的另一实施方式旨在提供一种光通信装置,该装置包括:光模块;电路板,其上安装有光模块;以及用于光器件的驱动器件,其安装于电路板上。
本发明的又一实施方式旨在提供一种光模块的制造方法,该方法包括:在基板中形成用于插入光芯线的通孔和用于形成第三电极的通孔;在基板中且在用于形成第三电极的通孔内部形成导体层,在基板中形成用于连接电芯线的第一电极和用于连接光器件的第二电极,并且在用于形成第三电极的通孔内部形成从第二电极连续设置的第三电极;在第二电极上安装光器件;并且在用于形成第三电极的通孔内部切割基板以允许孔内的第三电极在基板的侧面露出。
在上述光模块中,当连接光电复合缆时,将光芯线插入基板中所设置的通孔中,并且将电芯线连接于基板的第一电极。因此,在光模块的基板中,将具有光芯线和电芯线的光电复合缆连接于光模块。而且,连接于光器件的电极与基板侧面上的电极电连接。根据所述结构,光器件的电信号输出/输入用结构不必需在光模块外部。因此,可实现光模块的小型化以及装配有所述光模块的通信装置的小型化。
根据本发明的实施方式,可提供当连接光电复合缆时可小型化的光模块以及光通信装置。
附图说明
图1的(A)为表示第一实施方式的光模块的结构的横截面图,而图1的(B)为表示第一实施方式的光模块的结构的平面图;
图2的(A)~(F)为用于说明图1的(A)和图1的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图3的(A)~(F)为用于说明图1的(A)和图1的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图4的(G)~(I)为用于说明图1的(A)和图1的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图5的(G)~(I)为用于说明图1的(A)和图1的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图6的(A)和图6的(B)为用于说明图1的(A)和图1的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图7的(A)为表示第二实施方式的光模块的结构的横截面图,而图7的(B)为表示第二实施方式的光模块的结构的平面图;
图8的(A)和图8的(B)为用于说明光模块的连接方法的图;
图9的(A)~(F)为用于说明图7的(A)和图7的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图10的(A)~(F)为用于说明图7的(A)和图7的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图11的(A)为表示第三实施方式的光模块的结构的横截面图,而图11的(B)为表示第三实施方式的光模块的结构的平面图;
图12的(A)~(F)为用于说明图11的(A)和图11的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图13的(A)~(F)为用于说明图11的(A)和图11的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图14的(G)~(I)为用于说明图11的(A)和图11的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图15的(G)~(I)为用于说明图11的(A)和图11的(B)所示的光模块的制造方法的图;
图16为表示第一实施方式的光通信装置的结构的图;
图17为表示第一实施方式的光通信装置的结构的图;
图18为表示第二实施方式的光通信装置的结构的图;
图19为表示第二实施方式的变型例的光通信装置的结构的图;并且
图20为表示第三实施方式的光通信装置的结构的图。
具体实施方式
下面,说明本发明的实施方式,但本发明不限于以下实施例。
以下列顺序进行说明。
1.光模块的第一实施方式
2.第一实施方式的光模块的制造方法
3.光模块的第二实施方式
4.第二实施方式的光模块的制造方法
5.光模块的第三实施方式
6.第三实施方式的光模块的制造方法
7.光通信装置的第一实施方式
8.光通信装置的第二实施方式
9.光通信装置的第三实施方式
<1.光模块的第一实施方式>
下面,说明光模块的具体实施方式。
图1的(A)和图1的(B)表示第一实施方式的光模块的示意结构图。图1的(A)为光模块10的横截面图,而图1的(B)为光模块10的安装有光器件21的表面侧的平面图。在图1的(B)中,仅光器件21的安装位置由虚线表示。
图1的(A)和图1的(B)所示的光模块10包括基板11和安装于基板11上的光器件21。光器件21安装于基板11的第一主面11A侧。从基板11的第二主面11B侧方向连接光电复合缆22。光电复合缆22包括用于光信号的光芯线23和用于电信号的电芯线24。
如此安装光器件21:在发光器件的情况下,使发光面朝向基板11,并且在光接收器件的情况下,使光接收面朝向基板11。在图1的(A)和图1的(B)所示的光模块10中,光器件21表示了具有两个作为发光点或光接收点的阵列器件的例子。当光模块10用作光发射模块时,在光器件21中将从未图示的信息处理装置输出的电信号转换为光信号,以便将光发射至光芯线23。另一光接收模块连接于光芯线23的另一端。
对于基板11,可使用绝缘材料和导电材料,所述绝缘材料例如为硅基板等半导体基板、石英/玻璃基板以及陶瓷基板。具体来说,由于可采用公知的半导体处理且可实现高精度处理,故优选地将硅材料用于基板11。
在基板11中形成第一通孔12和第二通孔13。第一通孔12是用于插入光电复合缆22的光芯线23的孔。第二通孔13是用于插入光电复合缆22的电芯线24的孔。在第二通孔13的内面处,形成有用于电连接于电芯线24的第一电极18。
在基板11的第一主面11A侧形成用于连接光器件21的第二电极14。通过以导电性连接凸块19进行晶片倒装,将光器件21的电极连接于第二电极14,从而将光器件21安装于基板11上。此处,光器件21的发光器件和光接收器件为平面型器件。发光器件例如为VCSEL(垂直共振腔面射型激光器),且光接收器件例如为平面型PD(光探测器)。当光器件21为发光器件时,从光器件21的发光点发出的光入射至光芯线23上。当光器件21为光接收器件时,从光芯线23发出的光入射至光器件21的光接收点上。
此外,当光器件21以晶片倒装方式安装于基板11上时,进行定位以使光器件21的发光点或光接收点对应于第一通孔12的中心位置。光芯线23的端面布置为接近光器件21的发光点或光接收点。
第一通孔12形成为使得其尺寸略大于光芯线23的尺寸,并使得插入第一通孔12中的光芯线23的位置是规则的。即,优选地,在可平滑地插入光芯线23的范围内,使第一通孔12的开口直径和光芯线23的直径之间的差小。
由于在上述结构中,发光点或光接收点布置为对应于第一通孔12的中心位置,故可实现光芯线23和光器件21间的良好光连接。此外,当光芯线23插入第一通孔12中时,易于在光器件21和光芯线23之间进行定位,且易于提高光器件21和光芯线23之间的光耦合效率。
在基板11的第一主面11A和光器件21之间的间隙中,且在第一通孔12与其中的光芯线23之间的间隙中,填充有光学树脂25,所述光学树脂25对于所使用的光的波长几乎透明。第一通孔12的内壁和光芯线23由光学树脂25保持,且光学树脂25无空隙地存在于光器件21和光芯线23之间,因此,可实现良好的光耦合。而且,光学树脂25可形成于基板11的第二主面11B侧以保持光芯线23。因此,可强化光芯线23和基板11间的连接。例如,可用热固树脂或紫外线固化树脂作为光学树脂25。
在光模块10的第二通孔13中插入有光电复合缆22的电芯线24。形成于第二通孔13中的第一电极18和来自光电复合缆22的电芯线24由导电材料26连接。如图1的(A)和图1的(B)所示,电芯线24和光芯线23彼此靠近地分别连接于基板11,从而提高光模块10和光电复合缆22间的连接强度。具体来说,对光芯线23施加的应力可被分散至靠近连接的强度较高的电芯线24,以防止强度较低的光芯线23断裂或与基板11脱离。
光模块10还包括设置于基板11的侧面11C上的第三电极15和第四电极16,用于从第一主面上的第二电极14连续进行光器件21和外部设备之间的电连接。而且,在基板11的侧面11C上还设有第五电极17,以便从形成于第二通孔13内的第一电极18连续进行光电复合缆22的电芯线24与外部设备间的电连接。
第三电极15、第四电极16和第五电极17形成于基板11的同一侧面11C上。第三电极15、第四电极16和第五电极17由导体层构成,该导体层设置在基板11的侧面11C上所形成的凹部的整个内面上。
来自第三电极15和第四电极16的电信号传播至其上安装有光器件21的第二电极14。因此,当光器件21为发光器件时,将来自第三电极15和第四电极16的电信号提供给光器件21。然后,在光器件21中对电信号进行电光转换,并将光信号从光器件21输出至光芯线23。当光器件21为光接收器件时,从光芯线23发射的光信号被光器件21接收,并在光器件21中进行光电转换。然后,将电信号从第二电极14经由第三电极15和第四电极16输出至与光模块10连接的外部设备。
而且,在基板11的第一主面11A、第二主面11B、侧面11C以及第二通孔13的内面上形成有绝缘层27。具体来说,当基板11由硅基板等构成时,在第二通孔13内面处形成有未图示的绝缘层,并且第一电极18由形成于绝缘层上方的导体层构成。
在第一实施方式的光模块10中,在连接光电复合缆22的结构中,光芯线23连接于基板11的第一通孔12,同时电芯线24连接于第二通孔13。当使用该光学安装结构时,与光模块10的光连接、电连接可变得容易。相比于相关技术中的同时连接光芯线和电芯线的光模块结构,还可实现小型化。
第一实施方式的光模块10使用具有两条光芯线23和两条电芯线24的光电复合缆22的例子加以表示,然而,光芯线23和电芯线24的数量不受限制。图1的(A)和图1的(B)所示的基板的形状、导体层的图案等不限于上述结构,而可使用各种结构与图案。
<2.第一实施方式的光模块的制造方法>
下面,参照图2的(A)~(F)以及图3的(A)~(F)来说明第一实施方式的光模块的制造方法。图2的(A)~(F)对应于沿图1的(B)所示的光模块10的平面图的A-A′线截取的横截面图。图3的(A)~(F)对应于沿图1的(B)所示的光模块10的平面图的B-B′线截取的横截面图。
首先,如图2的(A)所示,在基板11中形成第一通孔12和第二通孔13。同时,如图3的(A)所示,在基板11中形成第三通孔31。
使用例如半导体基板(硅基板)、石英/玻璃基板和陶瓷基板等绝缘材料以及导电材料作为基板11的材料。当基板11由硅基板构成时,优选地使用高电阻硅材料以改进形成于基板11上的电极和布线中的高速信号的传输特性。
在对应于光芯线的连接部的位置处形成第一通孔12。在对应于电芯线的连接部的位置处形成第二通孔13。在对应于第三电极15、第四电极16和第五电极17的位置处形成第三通孔31。
为形成第一通孔12、第二通孔13和第三通孔31,例如,可应用诸如RIE(反应性离子蚀刻)的干式蚀刻、湿式蚀刻等方法。特别优选的是诸如DRIE(深度反应离子蚀刻)的各向异性蚀刻方法。
后述的处理中,在第一通孔12中插入光芯线。此处,将光芯线以高精度保持在通孔内部,从而确保光芯线和光器件间的光耦合效率的稳定性。因此,优选地使第一通孔12的开口直径和插入的光芯线的直径之间的差较小。当第一通孔12的开口直径和光芯线的直径之间的差小时,可提高将光芯线保持在孔内的精度。
另一方面,如上所述,当第一通孔12的开口直径和光芯线的直径之间的差小时,存在难以将光芯线插入第一通孔12中的情况。因此,例如图6的(A)所示,通过例如将形成垂直内面的条件下的DRIE用作第一蚀刻处理,从基板11的第一主面11A(与用于插入光芯线的面相反的面)方向进行各向异性蚀刻。通过第一蚀刻处理而形成具有垂直内面的第一通孔12A。接下来,通过例如将各向同性蚀刻的条件下的DRIE作为第二蚀刻处理,从而在从基板11的第二主面11B(用于插入光芯线的面)方向插入光芯线的入口附近对基板11进行蚀刻。通过第二蚀刻处理,如图6的(B)所示,在用于插入光芯线的入口附近的第二主面侧形成开口变宽的第一通孔12B。
如上所述,通过其中形成垂直的第一通孔12A的第一蚀刻处理以及其中形成其开口向插入侧变宽的第一通孔12B的第二蚀刻处理,可形成第一通孔12。根据所述方法,当插入光芯线时,由于通过第二蚀刻处理而使入口侧的第一通孔12B形成为较宽,故易于进行光芯线的插入。而且,通过第一蚀刻处理而在第一通孔12的内部形成垂直的第一通孔12A,因此,可使光芯线23的保持精度维持为较高。
可仅通过上述第一蚀刻处理而形成第二通孔13。而且,在第一通孔12中,上述第二蚀刻处理不是必不可少的,可考虑到连接光电复合缆时的可操作性等而适当地加入所述第二蚀刻处理。
接下来,如图2的(B)和图3的(B)所示,在基板11的第一主面11A上的给定位置处且在第二通孔13和第三通孔31的内面处形成导体层。导体层仅形成于第二通孔13和第三通孔31的壁面上而不填充所述通孔。
在基板11中,例如由铜等形成所述导体层,然后,在表面上形成由金等制成的镀层以保护所述导体层免于氧化等。还可通过诸如化学镀法、电解镀法的镀覆法或诸如溅射和沉积等公知方法而形成导体层。此处,通孔内不是以导体层进行填充,因此,可在通孔内露出的导体层的表面上形成金镀层。
通过所述处理,在基板11的第一主面11A上形成第二电极14。同时,在第二通孔13的内面处形成第一电极18并在第三通孔31的内面处形成第四电极16。还在第三通孔31中的对应于第三电极15和第五电极17的位置处,与第三通孔31中的第四电极16同时地形成导体层。
当基板11为诸如硅基板的半导体基板或导电性基板时,在图2的(B)和图3的(B)所示的处理之前,加入在基板11的表面上形成绝缘层的处理,以便例如防止布线的短路并改进信号传输特性。例如,可使用通过热氧化而形成氧化物膜(在硅基板的情况下为SiO2)的处理、通过CVD法形成SiN膜的处理、在表面上附加由树脂等制成的绝缘膜的处理等作为形成绝缘层的处理。
接下来,如图2的(C)和图3的(C)所示,形成绝缘层27以覆盖基板11的第一主面11A的期望位置。例如,可使用诸如聚酰亚胺、环氧树脂和硅材料等绝缘材料作为绝缘层27。当绝缘层27由感光性材料制成时,在通过涂敷液体材料或膜材料而覆盖基板11的表面后,通过光刻处理进行图形化。当绝缘层27由非感光性材料制成时,基板11的表面由非感光性材料覆盖,然后,对非感光性材料进行蚀刻而形成期望的图形。
虽然绝缘层27不是必不可少的部件,但优选地设置有绝缘层27以作为对布线的保护,而且通过设置绝缘层27还可确保布线的信号传输特性的稳定性。
接下来,如图2的(D)和图3的(D)所示,在基板11上安装光器件21。首先,在形成于基板11中的第二电极14上或光器件21的电极上形成连接凸块19。然后,使光器件21的电极和形成于基板11中的第二电极14通过连接凸块19而电连接,从而将光器件21安装于基板11上。
如此安装光器件21,即:使得发光面或光接收面朝向基板11的第一主面11A,且使得发光点或光接收点定位在第一通孔12的中心处。
连接凸块19的材料为导电材料,例如焊料材料、金等。当连接凸块19由焊料材料制成时,通过在安装光器件21时使焊料熔融而使光器件21的电极和基板11的第二电极14连接。当连接凸块19由金制成时,例如,在光器件21的电极上形成金凸块,并且对基板11的第二电极14以金实施表面处理,从而通过金与金的连接而安装光器件21。
接下来,如图2的(E)和图3的(E)所示,在安装光器件21后,在安装光电复合缆前,通过切割等而将基板11切成具有期望尺寸的单片。在单片化处理中,如图2的(E)中的虚线所示,通过切割第二通孔13间的基板,从而实现单片化。而且,如图3的(E)中的虚线所示,在形成第三通孔31的位置处进行单片化。切割第三通孔31会使得形成于第三通孔31的内面处的导体层在基板11的侧面露出。在导体层中,在第三通孔31的内面处露出的表面上已形成用于保护导体层免于氧化等的镀层。因此,这种处理提供了光模块10的用于连接于外部设备的电极,所述电极形成于基板11的侧面11C上。
如上所述,通过切割第三通孔31而露出的导体层将成为基板11的侧面11C上的第三电极15、第四电极16和第五电极17。由于第三通孔31,导体层还在与基板11的侧面11C相反的侧面处露出。当不需要导体层时,在第三通孔31中的比导体层更靠近光器件21的位置处切割并除去基板11。
根据上述单片化处理,如图2的(F)和图3的(F)所示,可制造出其中在基板11的第一主面11A上安装有光器件21的光模块10。在基板11上,形成了用于插入光电复合缆的光芯线的第一通孔12。而且,形成了用于插入电芯线的第二通孔13,并且在第二通孔13内部形成了与电芯线电连接的第一电极18。而且,形成了用于连接于光器件21的第二电极14、用于从第二电极14连接于外部设备的第三电极15和第四电极16以及用于从第一电极18连接于外部设备的第五电极17。
接下来,参照图4的(G)~(I)和图5的(G)~(I),说明在光模块10的单片化处理后在光模块10上安装光电复合缆22的处理。图4的(G)~(I)对应于沿图1的(B)所示的光模块10的平面图的A-A′线截取的横截面图。图5的(G)~(I)对应于沿图1的(B)所示的光模块10的平面图的B-B′线截取的横截面图。
首先,如图4的(G)和图5的(G)所示,在插入光电复合缆22之前,对第一通孔12、光器件21与基板11之间的间隙以及基板11的第二主面11B上的第一通孔12周围涂敷液体光学树脂25。在此情况中,光学树脂25填充为使得在第一通孔12等中不产生空隙。对第二通孔13中的第一电极18涂敷液体导电材料26。
例如,可使用诸如热固化或紫外线固化环氧树脂、丙烯酸树脂和硅树脂等材料以作为光学树脂25的材料。例如,可使用诸如热固化银膏的导电膏材料以作为导电材料26的材料。
接下来,如图4的(H)和图5的(H)所示,将光电复合缆22的光芯线23插入第一通孔12中。同时,将光电复合缆22的电芯线24插入第二通孔13中。
当将光芯线23插入第一通孔12中时,将光芯线23放置在使光芯线23的端部不接触光器件21的发光点或光接收点(以防止损坏光器件21)且接近发光点或光接收点(以易于进行信号的发射/接收)的位置处。由于光芯线23的端部接近光器件21的发光点或光接收点,故可获得稳定的光连接,使光器件21和光芯线23之间的光耦合效率高且偏差较小。
而且,如图4的(I)和图5的(I)所示,在插入光电复合缆22后,通过加热处理使光学树脂25和导电材料26固化,从而固定光芯线23和电芯线24。在光学树脂25为紫外线固化材料的情况下,还通过实施紫外线照射处理而使光学树脂25固化。
通过上述处理,可制造具有图1的(A)和图1的(B)所示结构的连接有光电复合缆22的光模块10。
根据上述图4的(G)~(I)和图5的(G)~(I)所示的处理,通过利用光模块10中包括的基板11,可易于实现在相关技术中布局复杂的光芯线23和光器件21之间的光对准。还可在连接光芯线23的同时容易地实现对电芯线24的电连接。而且,可通过同一基板11的通孔而实现光芯线23和电芯线24的连接,并且可通过基板11上的导体层而实现光器件21和电芯线24与外部设备间的电连接。因此,不需为了电连接而在光模块10外部形成导体,这可实现光模块10和包括光模块10的装置的小型化。
在上述制造方法中,可在图4的(H)和图5的(H)所示的光电复合缆22的安装处理后,进行图2的(E)和图3的(E)所示的单片化处理。然而,在光电复合缆22长的情况下,由于安装光电复合缆22后的处理的布置复杂,故优选地在安装光电复合缆22处理前进行单片化处理。
<3.光模块的第二实施方式>
下面,说明光模块的第二实施方式。
图7的(A)和图7的(B)表示第二实施方式的光模块的示意结构图。图7的(A)为光模块20的横截面图,而图7的(B)为光模块20的安装有光器件21的表面侧的平面图。在图7的(B)中,仅安装光器件21的位置由虚线表示。在对实施方式的下述说明中,对与第一实施方式相同的部件分配了相同的附图标记,并且省略了详细说明。
图7的(A)和图7的(B)所示的光模块20包括基板11和安装于基板11上的光器件21。光器件21安装于基板11的第一主面11A侧。从基板11的第二主面11B侧方向连接光电复合缆22。光电复合缆22包括用于光信号的光芯线23和用于电信号的电芯线24。
在基板11的第一主面11A侧形成有第二电极14。第二电极14和光器件21的电极通过连接凸块19而电连接。而且,在基板11的第一主面11A和光器件21之间的间隙中,且在第一通孔12与其中的光芯线23之间的间隙中,形成有光学树脂25。
在光模块20的第二通孔13中形成有第一电极18,并且插入第二通孔13中的电芯线24通过导电材料26而与第一电极18电连接。
第二实施方式的光模块20包括第三电极15,该第三电极15设置于基板11的侧面11C上,以便从第一主面上的第二电极14连续进行光器件21和外部设备间的电连接。而且,在基板11的侧面11C上设有第五电极17,以便从设置于第二通孔13内部的第一电极18连续进行光电复合缆22的电芯线24和外部设备之间的电连接。第三电极15和第五电极17由导体层构成,该导体层设置在基板11的侧面11C上所形成的凹部的整个内面上。
光模块20还包括第四电极32,第四电极32用于从第一主面上的第二电极14连续进行光器件21和外部设备间的电连接。第四电极32由形成于基板11的第一主面11A上的导体层构成。此处,在基板11的侧面11C上未形成构成第四电极32的导体层。并且,在第四电极32上设有用于连接于外部设备的导电凸块33。
在基板11的侧面11C上形成有电极的结构中,例如,在第三电极15和第五电极17中,以图8的(A)所示的方式,光模块20通过焊接等而安装于外部设备上。在图8的(A)中,在外部设备的电路板41上设有用于连接绝缘层43和光模块20的电极42。在电极42上,通过由焊料或导电膏等构成的导电材料34而连接光模块20的第三电极15。
在图8的(A)所示的结构中,例如,当连接于光模块20的外部设备为发射装置且从发射装置传播GHz以上的高速信号时,考虑到高频传输,由导电材料34制成的接合部为树桩结构。因此,可能因树桩结构而产生多余的寄生电容,从而导致高频信号传输的损耗。
针对这一点,在基板11的第一主面11A上(例如,在第四电极32中)形成有包括导电凸块33的电极的结构中,以图8的(B)所示的方式,将光模块20通过焊接等而安装于外部设备上。
在图8的(B)中,在外部设备的电路板41上设有用于连接绝缘层43和光模块20的电极42。电路板41的电极42设置为靠近待安装的光模块20的第一主面11A。形成于光模块20的第四电极32上的导电凸块33通过由焊料、导电膏等制成的导电材料35而与电极42连接。
因为即使传输高速信号时也不使用基板11的侧面11C上形成的电极,故图8的(B)所示的结构不是树桩结构。因此,能以低的寄生电容进行信号传输。因此,在第四电极32上形成有导电凸块33的结构中,针对GHz以上的高速信号可获得良好的传输特性。
在光模块20与外部设备间的连接中,在传输诸如控制信号等低速信号的情况下,对电源或者地不须应用图8的(B)所示的结构,也可应用图8的(A)所示的可获得较高机械强度的结构。
若有必要,在安装时,优选地将图8的(A)所示的结构和图8的(B)所示的结构混合以作为光模块20和电路板41间的连接结构。
<4.第二实施方式的光模块的制造方法>
下面,参照图9的(A)~(F)和图10的(A)~(F)说明第二实施方式的光模块的制造方法。图9的(A)~(F)对应于沿图7的(B)所示的光模块20的平面图的A-A′线截取的横截面图。图10的(A)~(F)对应于沿图7的(B)所示的光模块20的平面图的B-B′线截取的横截面图。
首先,如图9的(A)和图10的(A)所示,在基板11中形成第一通孔12和第二通孔13。同时,在基板11中形成未图示的第三通孔。
接下来,如图9的(B)所示,在基板11的第一主面11A上的给定位置和第二通孔13的内面处形成导体层。还在未图示的第三通孔的内面处形成导体层。同时,如图10的(B)所示,在基板11的第一主面11A上的给定位置处形成导体层。
根据上述处理,在基板11的第一主面11A上,从第二电极14开始连续地形成第二电极14和第四电极32。同时,在第二通孔13的内面处形成第一电极18,且在未图示的第三通孔的内面处形成第三电极15和第五电极17。如图10的(B)所示,在基板11的第一主面11A上,在隔着第一通孔12而彼此相对的第二电极14之一中,靠近第一通孔12的一端为第二电极14,而另一端为第四电极32。
接下来,如图9的(C)和图10的(C)所示,将绝缘层27形成为覆盖基板11上的期望位置。如图10的(C)所示,将绝缘层27形成于导体层上,使得对应于第二电极14的部分和对应于第四电极32的部分敞开。
如图9的(D)和图10的(D)所示,通过将光器件21的电极经由连接凸块19而连接于第二电极14,从而将光器件21安装于基板11的第一主面11A上。
接下来,如图9的(E)和图10的(E)所示,在第四电极32上形成导电凸块33。导电凸块33的材料为诸如焊料材料或金等导电材料。
而且,如图9的(E)和图10的(E)中的虚线所示,通过切断第二通孔13间的基板,使光模块20形成单片。此外,通过切断未图示的第三通孔的形成部,从而使光模块20单片化。当切割第三通孔时,在第三通孔的内面处的导体层露出,并且在基板11的侧面11C上形成第三电极15和第五电极17。
根据上述单片化处理,如图9的(F)和图10的(F)所示,可制造出其中在基板11的第一主面上安装有光器件21的光模块20。在光模块20中,在基板11的侧面11C上形成有用于从第二电极14连接于外部设备的第三电极15。在基板11的第一主面11A上形成有第四电极32,并且在第四电极32上形成有用于从第二电极14连接于外部设备的导电凸块33。
接下来,与图4的(G)~(I)和图5的(G)~(I)所示的第一实施方式类似地,将光电复合缆22连接于通过上述处理形成的光模块20,从而制造具有图7的(A)和图7的(B)所示结构而与光电复合缆22连接的光模块20。
<5.光模块的第三实施方式>
下面,说明光模块的第三实施方式。
图11的(A)和图11的(B)表示第三实施方式的光模块的示意结构图。图11的(A)为光模块30的横截面图,而图11的(B)为光模块30的安装有光器件21的表面侧的平面图。在图11的(B)中,仅安装有光器件21的位置由虚线表示。在对实施方式的下述说明中,为与第一实施方式和第二实施方式相同的部件分配了相同的附图标记,并省略了详细说明。
图11的(A)和图11的(B)所示的光模块30包括基板11和安装于基板11上的光器件21。将光器件21安装于基板11的第一主面11A侧。在基板11的第一主面11A侧形成有第二电极14。第二电极14和光器件21的电极通过连接凸块19而电连接。
将光电复合缆22从基板11的第二主面11B侧连接于光模块30。光电复合缆22包括用于光信号的光芯线23和用于电信号的电芯线24。将光芯线23插入形成于基板11中的第一通孔12中。在第一主面11A和光器件21之间的间隙中,且在第一通孔12与其中的光芯线23之间的间隙中,形成有光学树脂25。
而且,如图11的(A)所示,第三实施方式的光模块30在基板11的第二主面11B上包括第一电极36,第一电极36用于连接光电复合缆22的电芯线24。从光电复合缆22延伸的电芯线24经由导电材料26而连接于第一电极36。
在第一实施方式和第二实施方式的光模块的结构中,将连接于电芯线24的第一电极形成于第二通孔内部,然而,在第三实施方式的光模块30中,将连接于电芯线24的第一电极36形成于基板11的第二主面11B上。
如图11的(B)所示,光模块30还包括设置于基板11的侧面11C上的第三电极15,所述第三电极15用于从第一主面上的第二电极14连续进行光器件21和外部设备间的电连接。光模块30还包括:第四电极32,其设置为从第一主面上的第二电极14连续地进行光器件21和外部设备间的电连接;以及导电凸块33,其设置于第四电极32上以连接于外部设备。
而且,在基板11的侧面11C上设有第五电极37,以便从形成于第二主面11B上的第一电极36而连续进行光电复合缆22的电芯线24和外部设备间的电连接。由形成于基板11的第二主面11B上的导体层实现从第一电极36至第五电极37的连接。在图11的(B)中,形成于基板11的第一主面11A上的结构由实线表示,而形成于第二主面11B上的结构由虚线表示。
与第三电极15类似地,第五电极37由在基板11的侧面11C中所形成的凹部的整个内面上所设的导体层构成。
如上所述,通过在基板11中形成第一通孔12并在第一通孔12中插入光芯线23,易于进行光芯线23和光器件21间的定位,从而提高光连接的可靠性和光耦合效率。
此外,不必将电芯线24插入通孔中,只要电芯线24可连接于基板11的第一电极36、并且形成从第一电极36至外部设备连接用的第五电极37的导体层即可。因此,通过应用第三实施方式的光模块30可削减形成第二通孔、在通孔中填充导电膏、插入电芯线等处理,从而可简化制造处理。
<6.第三实施方式的光模块的制造方法>
下面,参照图12的(A)~(F)和图13的(A)~(F)以说明第三实施方式的光模块的制造方法。图12的(A)~(F)对应于沿图11的(B)所示的光模块30的平面图的A-A′线截取的横截面图。图13的(A)~(F)对应于沿图11的(B)所示的光模块30的平面图的B-B′线截取的横截面图。
首先,如图12的(A)和图13的(A)所示,在基板11中形成第一通孔12。同时,在基板11中形成未图示的第三通孔。
接下来,如图12的(B)所示,在基板11的第一主面11A上的给定位置处形成导体层。还在未图示的第三通孔的内面处形成导体层。而且,如图12的(B)所示,在基板11的第二主面11B上的给定位置处形成导体层。
同时,如图13的(B)所示,在基板11的第一主面11A上的给定位置处形成导体层。
根据上述处理,在基板11的第一主面11A上,从第二电极14连续地形成第二电极14和第四电极32。同时,在未图示的第三通孔的内面处形成第三电极15,并且在基板11的第二主面11B上形成第一电极36。而且,如图13的(B)所示,在基板11的第一主面11A上,从第二电极14连续地形成第四电极32。
接下来,如图12的(C)和图13的(C)所示,将绝缘层27形成为覆盖基板11上的期望位置。如图13的(C)所示,将绝缘层27形成于导体层上,使得对应于第二电极14的部分和对应于第四电极32的部分敞开。
如图12的(D)和图13的(D)所示,通过在形成于基板11中的第二电极14上经由连接凸块19而连接光器件21的电极,从而使光器件21安装于基板11上。
接下来,如图12的(E)和图13的(E)所示,在第四电极32上形成导电凸块33。而且,如图12的(E)和图13的(E)中的虚线所示,通过切断第一通孔12间的基板以及未图示的第三通孔的形成部,从而使光模块30单片化。当切割第三通孔时,在第三通孔的内面处的导体层露出,并且在基板11的侧面11C上形成第三电极15和第五电极37。
根据上述单片化处理,如图12的(F)和图13的(F)所示,可制造在基板11的第一主面上安装有光器件21的光模块30。在光模块30中,在基板11的第二主面11B上形成有第一电极36,第一电极36用于连接于光电复合缆22的电芯线24。
而且,在基板11的侧面11C上形成有从第二电极14至外部设备连接用的第三电极15。在基板11的第一主面11A上形成有第四电极32,并且在第四电极32上形成有从第二电极14至外部设备连接用的导电凸块33。
接下来,参照图14的(G)~(I)和图15的(G)~(I),说明在对光模块30进行单片化处理后将光电复合缆22安装于光模块30上的处理。图14的(G)~(I)对应于沿图11的(B)所示的光模块30的平面图的A-A′线截取的横截面图。图15的(G)~(I)对应于沿图11的(B)所示的光模块30的平面图的B-B′线截取的横截面图。
如图14的(G)和图15的(G)所示,在插入光电复合缆22前,对第一通孔12、光器件21和基板11之间的间隙以及基板11的第二主面11B上的第一通孔12周围涂敷液体光学树脂25。在此情况中,将光学树脂25填充为不在第一通孔12等中产生空隙。
在第一电极36上涂敷液体导电材料26以实现与电芯线的电连接。
接下来,如图14的(H)和图15的(H)所示,将光电复合缆22的光芯线23插入第一通孔12中。同时,使光电复合缆22的电芯线24可接触第一电极36上的导电材料26。
而且,如图14的(I)和图15的(I)所示,在插入光芯线23后,通过加热处理而使光学树脂25和导电材料26固化,从而固定光芯线23和电芯线24。当光学树脂25为紫外线固化材料时,还通过紫外线照射处理而使光学树脂25固化。
通过以上处理,可制造具有图11的(A)和图11的(B)所示结构的与光电复合缆22连接的光模块30。
<7.光通信装置的第一实施方式>
下面,说明光通信装置的第一实施方式。
图16表示本实施方式的光通信装置的示意结构图。在图16中,表示将第二实施方式的光模块20安装于光通信装置上的例子。
在图16所示的光通信装置40中,在电路板41上安装有光模块20和用于光器件21的驱动器件44。
在光模块20中,在基板11上安装有光器件21并且连接有光电复合缆22。在图16中,仅表示了光模块20的光芯线23和光器件21之间的光连接部的结构以及第二电极14、第四电极32和导电凸块33的结构,而省略了电芯线、第一电极、第五电极等的结构。
电路板41包括例如由有机多层基板、多层陶瓷基板等制成的绝缘基板49以及形成于绝缘基板49上的导体层51、55和绝缘层43、52。在绝缘基板49中形成有多个通孔,并通过形成于通孔内的导体层51而连接形成于绝缘基板49的两个表面处的导体层51。在绝缘基板49的两个表面处的导体层51上形成有绝缘层52。而且,在绝缘层52上形成有从电路板41的表面上露出的导体层55。通过贯穿绝缘层52的过孔而使导体层51和导体层55连接。绝缘层43覆盖导体层55的除形成为电极等的部分以外的导体层55。
在电路板41的表面上的导体层55中,形成有用于安装光模块20的电极42以及用于连接于光通信装置40的电源等的输入/输出端子53。在电路板41的输入/输出端子53和驱动器件44之间安装有驱动器件44所附带的无源器件45,例如电源的去耦电容等。
将驱动器件44通过接合引线46而安装于电路板41上。利用密封件47将驱动器件44和接合引线46覆盖并密封。作为驱动器件44的安装方法,不仅可使用接合引线46,还可使用诸如晶片倒装、WLP(晶圆级封装)和CSP(芯片尺寸封装)等各个方法。
作为将光模块20安装于基板上的方法,例如,使形成于光模块20的第四电极32上的导电凸块33通过焊料而连接于电路板41的电极42。所述结构与图8的(B)中的结构相同。
将光模块20安装于基板上的方法例如可与图8的(A)中的结构相同,在该结构中,使形成于光模块20的基板11的侧面的电极通过焊料而连接于电路板41的电极42。在这种方法中,光模块20例如可通过一般的焊料安装(SMT:表面贴装技术)处理而与无源器件45一起安装。
当参照第二实施方式的光模块的制造方法时,在将光电复合缆22连接于光模块后,将光模块与光电复合缆22一起安装于电路板41上。在该处理后,例如,当将光模块20安装于光通信装置40时,若难以操纵光电复合缆22,则优选地在将光模块20安装于电路板41上之后,再将光电复合缆22连接于光模块20。上述处理同样适用于第一实施方式和第三实施方式的光模块。
而且,在光通信装置40中,设有缆保持部件48以保持光电复合缆22和电路板41。当光电复合缆22由光模块20单独固定时,在固定部的操纵能力弱的情况下,易于发生光电复合缆22与光模块20脱离、缆的破损等。可通过设置缆保持部件48而避免上述情况。在此情况下,缆保持部件48例如由粘合剂形成,该粘合剂由绝缘或导电材料制成。
当光通信装置40为发射装置时,从输入/输出端子53输入至电路板41的电信号被输入给驱动器件44。然后,在驱动器件44中将所述信号变换为驱动光器件21所必需的信号,并从驱动器件44输出变换后的信号。从驱动器件44输出的信号通过电路板41的电极42、导体层51、导体层55以及光模块20的电极等而输入至光器件21。然后,由作为发光器件的光器件21进行电光转换,并经由光电复合缆22的光芯线23以输出光信号。
当光通信装置40为接收装置时,经由光芯线23输入的光信号入射至作为光接收器件的光器件21上,并在光器件21中进行光电转换。然后,将电信号从光器件21经由光模块20的电极以及电路板41的电极42、导体层51、导体层55等而输入至驱动器件44。然后,输出在驱动器件44中变换为必需信号的电信号。从驱动器件44输出的信号经由电路板41的电极42、导体层51、导体层55等而从输入/输出端子53输出至装置外部。
<8.光通信装置的第二实施方式>
下面,说明光通信装置的第二实施方式。
图18表示本实施方式的光通信装置的示意结构图。在图18中,表示了将第二实施方式的光模块安装于光通信装置上的例子。在下述说明中,对与第一实施方式的光通信装置相同的部件分配了相同的附图标记,并且省略了详细说明。
在图18所示的光通信装置60中,在电路板61上安装光模块20和用于光器件21的驱动器件44。
在光模块20中,在基板11的第一主面上安装光器件21。并且连接光电复合缆22。在图18中,仅表示了光模块20的光芯线23和光器件21之间的光连接部的结构以及第二电极14、第四电极32的结构,而省略了其他结构的图示。
电路板61包括例如由有机多层基板、多层陶瓷基板等制成的绝缘基板49以及形成于绝缘基板49上的导体层51、55和绝缘层43、52等。在绝缘基板49中形成有多个通孔,并通过形成于通孔内的导体层51而连接形成于绝缘基板49的两个表面处的导体层51。在绝缘基板49的两个表面处的导体层51上形成有绝缘层52。而且,在绝缘层52上形成有从电路板61的表面露出的导体层55。通过贯穿绝缘层52的过孔而使导体层51和导体层55连接。绝缘层43覆盖导体层55的除形成为电极等的部分以外的导体层55。
在电路板61的第二主面侧安装有光模块20、驱动器件44和无源器件45。在电路板61的第一主面侧安装有源器件63和无源器件45。
光模块20的基板11的第二主面侧连接于电路板61。光电复合缆22从电路板61的第一主面侧连接于光模块20。
即,在图18所示的结构中,从电路板61的第二主面侧至绝缘基板49埋入有光模块20的基板11。由此,在光模块20的基板11的第二主面侧连接于电路板61的状态下,使光模块20安装于电路板61。在此情况下,将连接于光模块20的光电复合缆22从电路板61的第一主面侧引导至光模块20的基板11的第一通孔12。从基板11的第二主面上至电路板61的第一主面侧,形成有缆保持部件62,由缆保持部件62保持光电复合缆22。光电复合缆22从电路板61的第一主面侧贯穿至第二主面侧,连接于电路板61的第二主面侧所配置的光器件21。
如上所述,电路板61具有从第一主面贯穿至第二主面的通孔。在通孔内,从第二主面侧连接光模块20。由此,设置于光模块20的基板11上的第一通孔12从电路板61的通孔的第一主面侧露出。光电复合缆22从电路板61的第一主面侧经由电路板61的通孔和光模块20的基板11的第一通孔12而连接于光模块20。
此外,在形成于基板11的第一主面上的第四电极32中,光模块20通过接合引线64而连接于驱动器件44的电极56。驱动器件44的电极56和电路板61通过接合引线65而连接。利用密封件47而将光模块20、驱动器件44和无源器件45密封在电路板61的第二主面侧。
一般的光通信装置中,在光器件21和驱动器件44之间附加有很多布线和连接部,例如光模块20和基板11的布线和电极以及电路板61的布线和电极。此外,光模块20的基板11和电路板61采用两种不同的信号布线。
在这种结构的情况下,在两种不同的信号布线的布线连接部中,易于产生阻抗不连续反射点。此外,由于电信号路径变长,可能产生多余的信号损耗和寄生电容等,在传播高速电信号时,易于产生波形劣化、信号损耗等。
因此,在第二实施方式的光通信装置60的结构中,形成于光模块20的基板11的第一主面上的第四电极32通过接合引线64而与驱动器件44上的电极56电连接。由此,通过缩短光模块20和驱动器件44之间的信号布线路径,可减少导致信号穿射性劣化的原因。
[变型例]
下面,说明光通信装置的第二实施方式的变型例。
还可以通过以接合引线直接连接光器件21的电极和驱动器件44的电极,从而缩短光模块20和驱动器件44之间的信号布线路径。例如图19所示,接合引线66连接于光模块20的光器件21上所形成的电极。并且该接合引线66连接于驱动器件44上的电极56。利用这种结构,可以替换图18所示的第二实施方式中以接合引线64将基板11上的第四电极32和驱动器件44上的电极56电连接的结构。
<9.光通信装置的第三实施方式>
下面,说明光通信装置的第三实施方式。
图20表示本实施方式的光通信装置的示意结构图。在下述说明中,对与第一实施方式和第二实施方式的光通信装置相同的部件分配了相同的附图标记,并且省略了详细说明。
图20所示的第三实施方式的光通信装置70为在光模块20上安装有两个光器件21A、21B的结构。
如图20所示,第三实施方式的光通信装置70在电路板41上安装有光模块20、作为光模块的驱动器件的第一驱动器件44A和第二驱动器件44B以及无源器件45。
第一驱动器件44A和第二驱动器件44B层叠安装于电路板41上。第二驱动器件44B配置在第一驱动器件44A上。
第一驱动器件44A的电极形成面直接连接于电路板41,为晶片倒装。
第二驱动器件44B的与电极形成面相反的表面连接于第一驱动器件44A。第二驱动器件44B在光通信装置70的上方露出电极形成面。通过以接合引线67连接第二驱动器件44B的上表面的电极和电路板41的电极,将第二驱动器件44B安装于电路板41上。
光模块20包括第一光器件21A和第二光器件21B。此处,在光模块20中,安装有第一光器件21A的一侧为第一光模块部20A,安装有第二光器件21B的一侧为第二光模块部20B。在光通信装置的第三实施方式中,第一光模块部20A应用第一实施方式的光模块的结构,第二光模块部20B应用第二实施方式的光模块的结构。
与图8的(B)所示的结构类似,光模块20通过第四电极32上形成的导电凸块33和导电材料35而连接于电路板41。光电复合缆22连接于光模块20。
第一光器件21A和第二光器件21B在基板11上分别配置在相对于电路板41的主面(安装面)垂直的方向上重叠的位置上。在图20中,第一光器件21A配置在靠近电路板41的一侧(下方),第二光器件21B配置在比第一光器件21A远离电路板41的一侧(上方)。由此,在电路板41的同一区域内,第一光器件21A和第二光器件21B在相对于电路板41的安装面垂直的方向上层叠。
此处,第一光器件21A和第二光器件21B分别为不同种类的光器件。例如,在图20所示的结构中,第一光器件21A为发光器件,第二光器件21B为光接收器件。由此,第三实施方式为安装有多个不同种类的光器件的光通信装置的例子。
光电复合缆22包括发射用光芯线23A和接收用光芯线23B。发射用光芯线23A连接于作为发光器件的第一光器件21A,接收用光芯线23B连接于作为光接收器件的第二光器件21B。光电复合缆22的发射和接收用的光芯线23以相对于电路板41的主面上下层叠的方式布置成阵列。
光模块20从形成于基板11上的第四电极32通过电路板41的导体层而安装于电路板41上。因此,第一光器件21A通过电路板41而电连接于第一驱动器件44A。由此,连接于第一光器件(发光器件)21A的第一驱动器件44A例如可由激光驱动器等发射驱动器件构成。
光模块20中,在基板11的与安装于电路板41的表面相反侧的侧面上,设有第三电极15。第三电极15电连接于第二光器件21B。第三电极15和第二驱动器件44B由接合引线68连接。即,第二光器件21B电连接于第二驱动器件44B。因此,连接于第二光器件(光接收器件)21B的第二驱动器件44B例如可由跨阻放大器等接收驱动器件构成。
在第一实施方式和第二实施方式的光通信装置中,说明了在光通信装置为发射装置时或为接收装置时的结构。而在第三实施方式的光通信装置中,将包括发光器件和光接收器件的光模块安装于一个光通信装置。即,说明了将多个光器件安装于一个光通信装置的结构。如第三实施方式那样,通过将多个光器件层叠配置在相对于电路板的第一主面垂直的方向上,与将多个光器件并列地配置在电路板的主面方向时相比,可使光通信装置的面积变小。
在第三实施方式中,连接于光器件的第一驱动器件和第二驱动器件也为层叠在电路板上的结构。因此,与上述的光器件类似,在将多个驱动器件安装于电路板上的情况下,与并列配置在电路板的主面方向时相比,可使光通信装置的面积变小。
此外,由于光电复合缆也是将发射和接收用的光芯线以相对于电路板的主面上下层叠的方式布置成阵列,所以形成使宽度减小的结构,有利于光通信装置的小型化。
在第三实施方式中,说明了第一光器件21A为发光器件、第二光器件21B为光接收器件的例子,但光器件的组合也可以相反。即,也可使第一光器件21A为光接收器件、第二光器件21B为发光器件。在这种情况下,连接于第一光器件21A的第一驱动器件44A为接收驱动器件、连接于第二光器件21B的第二驱动器件44B为发射驱动器件。
在图20中,第一光器件21A和第二光器件21B与图16所示的结构相同,为晶片倒装在基板11上的结构。但也可如图19所示的结构那样,第一光器件21A和第二光器件21B为通过接合引线直接连接而连接于第一驱动器件44A和第二驱动器件44B的结构。
在本实施方式的光通信装置中,如上所述,在光器件21和驱动器件44之间附加有很多布线和连接部,例如光模块20的布线和电极以及电路板41的布线和电极。在这种结构的情况下,可能产生多余的寄生电容等,且当传输高速电信号时,易于发生波形劣化、信号损耗等。因此,如图17所示,在电路板41上,在光模块20和驱动器件44之间的布线上设有用于匹配的无源器件54。通过设置用于匹配的无源器件54并在高速信号线中另外设置诸如电感器、电容器、电阻器等无源部件,可校正信号传输波形。
在光通信装置40中,可在光通信装置40的上表面上设置屏蔽箱以保护部件或降低来自外部的高频噪声的影响。例如还可以在电路板41的背面上设置电连接器,以替代光通信装置40的输入/输出端子53。
本发明可实施为下列配置。
(1)一种光模块,其包括:
基板,其设有用于从该基板的第二主面侧插入光芯线的通孔;光器件,其设置于基板的第一主面侧;第一电极,其设置于基板中以从第二主面侧连接电芯线;第二电极,其形成于基板的第一主面侧以连接于光器件;以及第三电极,其设置于基板的侧面上且电连接于第二电极。
(2)如(1)中所述的光模块,其中,第一电极由贯穿所述基板的通孔内部所形成的导体层构成。
(3)如(1)中所述的光模块,其中,第一电极由形成于第二主面上的导体层构成。
(4)如(1)~(3)任意一项中所述的光模块,还包括:
第四电极,其与第二电极在第一主面上电连接;和导电凸块,其设置在第四电极上。
(5)如(1)~(4)任意一项中所述的光模块,其中,用于插入光芯线的通孔在第二主面中的开口直径比第一主面中的开口直径大。
(6)一种光模块的制造方法,该方法包括:
在基板中形成用于插入光芯线的通孔和用于形成第三电极的通孔;
在基板中且在用于形成第三电极的通孔内部形成导体层,在基板中形成用于连接电芯线的第一电极和用于连接光器件的第二电极,并且在用于形成第三电极的通孔内部形成从第二电极连续设置的第三电极;
在第二电极上安装光器件;并且
经用于形成第三电极的通孔而切割基板以允许孔内的第三电极在基板的侧面露出。
(7)如(6)中所述的光模块的制造方法,还包括:
在形成用于插入光芯线的通孔和用于形成第三电极的通孔的步骤中,在基板中形成用于形成第一电极的通孔并在用于形成第一电极的通孔内部形成第一电极。
(8)如(6)或(7)中所述的光模块的制造方法,还包括:
在形成第二电极的步骤中,形成在基板的第一主面上从第二电极连续设置的第四电极,并在第四电极上形成导电凸块。
(9)如(6)~(8)任意一项中所述的光模块的制造方法,
其中,形成用于插入光芯线的通孔的步骤包括:
第一蚀刻步骤,即,通过从基板的第一主面侧进行各向异性蚀刻而形成通孔;和第二蚀刻步骤,即,通过从基板的第二主面侧进行各向同性蚀刻而使第二主面侧的通孔的开口变宽。
(10)一种光通信装置,其包括:
如(1)~(5)任意一项中所述的光模块;
电路板,其上安装有光模块;以及
光器件的驱动器件,其安装于电路板上。
(11)如(10)中所述的光通信装置,
其中,光模块包括在第一主面上电连接于第二电极的第四电极以及设置于第四电极上的导电凸块,第三电极和导电凸块与电路板上的电极电连接,以将光模块安装于电路板上。
(12)如(10)或(11)中所述的光通信装置,其中,所述驱动器件包括第一驱动器件和第二驱动器件,所述第二驱动器件层叠在所述第一驱动器件上,所述第一驱动器件晶片倒装于所述电路板,所述第二驱动器件引线接合安装于所述电路板,在所述基板上设有作为所述光器件的第一光器件和第二光器件,相对于所述电路板表面,所述第一光器件安装于下侧,所述第二光器件安装于上侧,所述第一驱动器件和所述第一光器件通过所述电路板而电连接,所述第二驱动器件和所述第二光器件通过引线而电连接,所述光芯线相对于所述电路板表面上下地布置成阵列。
(13)如(12)中所述的光通信装置,其中,所述第一光器件和所述第二光器件中,至少一个为发光器件,另一个为光接收器件,所述第一驱动器件和所述第二驱动器件中,连接于所述发光器件的所述驱动器件为发射驱动器件,连接于所述光接收器件的所述驱动器件为接收驱动器件。
(14)如(10)中所述的光通信装置,其中,所述光模块包括在所述基板的所述第一主面上电连接于所述第二电极的第四电极,所述基板的第二主面侧连接于所述电路板的第二主面侧,所述第四电极和所述驱动器件通过引线接合安装而电连接,所述光芯线从所述电路板的第一主面侧连接于所述光模块。
(15)如(10)中所述的光通信装置,其中,所述基板的第二主面侧连接于所述电路板的第二主面侧,所述光器件和所述驱动器件通过引线接合安装而电连接,所述光芯线从所述电路板的第一主面侧连接于所述光模块。
(16)如(10)~(15)任意一项中所述的光通信装置,还包括:
无源器件,其在电路板上设置于光器件和驱动器件之间。
本领域的技术人员应当明白,在不脱离所附权利要求及其等同物的范围内,取决于设计需要和其它因素可出现各种变化、组合、子组合和替代。
Claims (16)
1.一种光模块,其包括:
基板,其设有用于从所述基板的第二主面侧插入光芯线的通孔;
光器件,其设置于所述基板的第一主面侧;
第一电极,其设置于所述基板中以从所述第二主面侧连接电芯线;
第二电极,其形成于所述基板的所述第一主面侧以连接于所述光器件;以及
第三电极,其设置于所述基板的侧面上且电连接于所述第二电极。
2.如权利要求1所述的光模块,其中,所述第一电极由贯穿所述基板的通孔内部所形成的导体层构成。
3.如权利要求1所述的光模块,其中,所述第一电极由形成于所述第二主面上的导体层构成。
4.如权利要求1至3之任一项所述的光模块,还包括:
第四电极,其与所述第二电极在所述第一主面上电连接;和
导电凸块,其设置在所述第四电极上。
5.如权利要求1至3之任一项所述的光模块,其中,所述用于插入光芯线的通孔在所述第二主面中的开口直径比在所述第一主面中的开口直径大。
6.一种光模块的制造方法,该方法包括:
在基板中形成用于插入光芯线的通孔和用于形成第三电极的通孔;
在所述基板中和所述用于形成第三电极的通孔内部形成导体层,在所述基板中形成用于连接电芯线的第一电极和用于连接光器件的第二电极,并且在所述用于形成第三电极的通孔内部形成从所述第二电极连续设置的第三电极;
在所述第二电极上安装所述光器件;并且
经所述用于形成第三电极的通孔而切割所述基板以允许孔内的所述第三电极在所述基板的侧面露出。
7.如权利要求6所述的光模块的制造方法,还包括:
在形成所述用于插入光芯线的通孔和所述用于形成第三电极的通孔的步骤中,在所述基板中形成用于形成第一电极的通孔,并在所述用于形成第一电极的通孔内部形成所述第一电极。
8.如权利要求6或7所述的光模块的制造方法,还包括:
在形成所述第二电极的步骤中,形成在所述基板的第一主面上从所述第二电极连续设置的第四电极,并在所述第四电极上形成导电凸块。
9.如权利要求6或7所述的光模块的制造方法,其中,形成所述用于插入光芯线的通孔的步骤包括:
第一蚀刻步骤,在该第一蚀刻步骤中,通过从所述基板的第一主面侧进行各向异性蚀刻而形成通孔;以及第二蚀刻步骤,在该第二蚀刻步骤中,通过从所述基板的第二主面侧进行各向同性蚀刻而使第二主面侧的所述通孔的开口变宽。
10.一种光通信装置,其包括:
光模块,其如权利要求1~5之任一项所述;
电路板,其上安装有所述光模块;以及
用于所述光器件的驱动器件,其安装于所述电路板上。
11.如权利要求10所述的光通信装置,其中,所述光模块包括与所述第二电极在所述第一主面上电连接的第四电极以及设置在所述第四电极上的导电凸块,所述第三电极和所述导电凸块与所述电路板上的电极电连接,以将所述光模块安装于所述电路板上。
12.如权利要求10所述的光通信装置,其中,
所述驱动器件包括第一驱动器件和第二驱动器件,
所述第二驱动器件层叠在所述第一驱动器件上,
所述第一驱动器件晶片倒装至所述电路板,
所述第二驱动器件通过引线接合而安装于所述电路板,
在所述基板上设有作为所述光器件的第一光器件和第二光器件,
相对于所述电路板表面,所述第一光器件安装于下侧,所述第二光器件安装于上侧,
所述第一驱动器件和所述第一光器件通过所述电路板而电连接,
所述第二驱动器件和所述第二光器件通过引线而电连接,
所述光芯线相对于所述电路板表面沿上下而布置成阵列。
13.如权利要求12所述的光通信装置,其中,
所述第一光器件和所述第二光器件中,至少一个为发光器件,另一个为光接收器件,
所述第一驱动器件和所述第二驱动器件中,连接于所述发光器件的所述驱动器件为发射驱动器件,连接于所述光接收器件的所述驱动器件为接收驱动器件。
14.如权利要求10所述的光通信装置,其中,
所述光模块包括在所述基板的所述第一主面上电连接于所述第二电极的第四电极,
所述基板的第二主面侧连接于所述电路板的第二主面侧,
所述第四电极和所述驱动器件通过引线接合安装而电连接,
所述光芯线从所述电路板的第一主面侧连接于所述光模块。
15.如权利要求10所述的光通信装置,其中,
所述基板的第二主面侧连接于所述电路板的第二主面侧,
所述光器件和所述驱动器件通过引线接合安装而电连接,
所述光芯线从所述电路板的第一主面侧连接于所述光模块。
16.如权利要求10~15之任一项所述的光通信装置,还包括:
无源器件,其在所述电路板上设置于所述光器件和所述驱动器件之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011085707 | 2011-04-07 | ||
JP2011-085707 | 2011-04-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102736195A true CN102736195A (zh) | 2012-10-17 |
Family
ID=46966200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101000103A Pending CN102736195A (zh) | 2011-04-07 | 2012-04-06 | 光模块、光模块的制造方法及光通信装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9341791B2 (zh) |
JP (1) | JP2012226342A (zh) |
CN (1) | CN102736195A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103854968A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 漏斗型特大硅穿孔的制作方法 |
CN104166188A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光通讯装置 |
CN104919346A (zh) * | 2013-01-18 | 2015-09-16 | 奥林巴斯株式会社 | 光传输模块和摄像装置 |
CN107710730A (zh) * | 2016-01-28 | 2018-02-16 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像单元、摄像模块以及内窥镜 |
CN110720163A (zh) * | 2017-06-15 | 2020-01-21 | 索尼半导体解决方案公司 | 表面发射半导体激光器及感测模块 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5866889B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2016-02-24 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極を備えた光伝送路固定部材の製造方法 |
JP5806343B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-11-10 | ソニー・オリンパスメディカルソリューションズ株式会社 | 光電複合モジュール、カメラヘッド、及び内視鏡装置 |
US9766418B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-09-19 | Corning Optical Communications LLC | Silicon-based optical ports, optical connector assemblies and optical connector systems |
JP6165392B2 (ja) * | 2015-06-19 | 2017-07-19 | オリンパス株式会社 | 撮像ユニットおよび内視鏡 |
KR102570603B1 (ko) | 2019-01-28 | 2023-08-24 | 아크소프트 코포레이션 리미티드 | 광센서 조립체 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1637451A (zh) * | 2003-12-26 | 2005-07-13 | 株式会社东芝 | 光学半导体模块和制造该模块的方法 |
CN1734801A (zh) * | 2004-08-10 | 2006-02-15 | 株式会社东芝 | 光半导体模块及采用其的半导体器件 |
WO2007023713A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Nec Electronics Corporation | Optical module |
JP2007067288A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光電変換機能付き光ファイバ端末およびその実装方法 |
CN1940611A (zh) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | 株式会社东芝 | 光导保持部件和光学模块 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349307A (ja) | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びプラットフォーム並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置 |
JP2001059923A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置 |
JP3967318B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | 光伝送路保持部材 |
US7352935B2 (en) * | 2004-08-17 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optoelectronic conversion header, LSI package with interface module, method of manufacturing optoelectronic conversion header, and optical interconnection system |
JP2010237641A (ja) | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Fujikura Ltd | 光モジュールおよびモジュール付きケーブル |
-
2012
- 2012-03-08 US US13/414,883 patent/US9341791B2/en active Active
- 2012-04-03 JP JP2012084603A patent/JP2012226342A/ja active Pending
- 2012-04-06 CN CN2012101000103A patent/CN102736195A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1637451A (zh) * | 2003-12-26 | 2005-07-13 | 株式会社东芝 | 光学半导体模块和制造该模块的方法 |
CN1734801A (zh) * | 2004-08-10 | 2006-02-15 | 株式会社东芝 | 光半导体模块及采用其的半导体器件 |
WO2007023713A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Nec Electronics Corporation | Optical module |
JP2007067288A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光電変換機能付き光ファイバ端末およびその実装方法 |
CN1940611A (zh) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | 株式会社东芝 | 光导保持部件和光学模块 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103854968A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 漏斗型特大硅穿孔的制作方法 |
CN104919346A (zh) * | 2013-01-18 | 2015-09-16 | 奥林巴斯株式会社 | 光传输模块和摄像装置 |
CN104919346B (zh) * | 2013-01-18 | 2018-07-06 | 奥林巴斯株式会社 | 光传输模块和摄像装置 |
CN104166188A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光通讯装置 |
CN104166188B (zh) * | 2013-05-16 | 2017-07-21 | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 | 光通讯装置 |
CN107710730A (zh) * | 2016-01-28 | 2018-02-16 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像单元、摄像模块以及内窥镜 |
CN107710730B (zh) * | 2016-01-28 | 2020-05-05 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像单元、摄像模块以及内窥镜 |
CN110720163A (zh) * | 2017-06-15 | 2020-01-21 | 索尼半导体解决方案公司 | 表面发射半导体激光器及感测模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012226342A (ja) | 2012-11-15 |
US20120257852A1 (en) | 2012-10-11 |
US9341791B2 (en) | 2016-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102736195A (zh) | 光模块、光模块的制造方法及光通信装置 | |
EP2365363B1 (en) | Photoelectric converter | |
US7411282B2 (en) | LSI package provided with interface module, and transmission line header employed in the package | |
EP1723456B1 (en) | System and method for the fabrication of an electro-optical module | |
KR100637613B1 (ko) | 광 모듈 및 그의 제조 방법 | |
US10470307B2 (en) | Circuit substrate with embedded heat sink | |
US20050018977A1 (en) | Optoelectronic module with transmitter chip and connecting piece for the module with respect to an optical fiber and with respect to a circuit board, and methods for producing the same | |
JP5840411B2 (ja) | 光電気混載可撓性プリント配線板及びその受発光素子実装方法 | |
CN105339820A (zh) | 光模块用部件、光模块以及电子设备 | |
JP2006053266A (ja) | 光半導体モジュールとそれを用いた半導体装置 | |
JP2003046057A (ja) | 半導体装置 | |
US10365446B2 (en) | Optical module structure | |
JP2008197173A (ja) | 光通信モジュール、電子機器、光通信モジュールの製造方法および電子機器の製造方法 | |
JP2006041234A (ja) | 光送信モジュールおよび光受信モジュール | |
US20040089865A1 (en) | Optoelectronic package | |
US20010022370A1 (en) | Transducer module with an optical semiconductor, and method for producing a transducer module | |
CN115933070A (zh) | 一种光模块及激光组件 | |
CN115079355A (zh) | 一种光模块 | |
US9431568B2 (en) | Optical receiver method and apparatus | |
CN102436042A (zh) | 一种灵活耦合的高速光电器件 | |
JP2009071094A (ja) | 部品内蔵基板 | |
US11934022B2 (en) | Photoelectric fiber and communication device | |
US10935741B2 (en) | Optical module and solder ball bonding structure | |
WO2024022113A1 (zh) | 片上光互连结构及其制作方法 | |
KR20230138434A (ko) | 광 시스템-인-패키지, 이를 이용한 광모듈 및 광 트랜시버 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121017 |