JP2009070764A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置は、発光素子と反射層と半透明半反射層を有する共振器構造に加えて、カラーフィルタを備える。共振器構造を有する発光素子の反射層から半透明半反射層までの光学的距離d1が、外光反射を低減するのに好適な条件を示す式で算出される値と、発光のうち放出される光の効率を高めるのに好適な条件を示す式で算出される値の間の値である。
【選択図】図1
Description
d1a=(p+1/2)・λ/2−(φ1−φ2)・λ/4π−nz・tz ...(1)
d1b=m・λ/2+(φ3+φ2)・λ/4π ...(2)
ここで、λは前記カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長であり、φ1は、前記発光機能層とは反対側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層とは反対側の界面で反射するときの位相変化であり、φ2は、前記発光機能層側から前記反射層に進行する波長λの光が、前記反射層で反射するときの位相変化であり、φ3は、前記発光機能層側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層側の界面で反射するときの位相変化であり、pは、正の整数であり、mは、正の整数であり、nzは、波長λの光に関する前記半透明半反射層の屈折率であり、tzは、前記半透明半反射層の厚さである。
<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置(発光装置)1の概略を示す断面図である。有機EL装置1は、発光パネル3と、カラーフィルタパネル30とを備える。
2・d2=(p+1/2)・λ−(φ1−φ2)・λ/2π ...(3)
ここで、d2は、反射層12の発光機能層20側の界面と、第2の電極層22の発光機能層20とは反対側の界面との間の光学的距離(nm)である。光学的距離d2は、絶縁体透明層14、第2の電極層22およびこれらの間の層の屈折率と厚さの積の総和である。
d2=(p+1/2)・λ/2−(φ1−φ2)・λ/4π ...(4)
d2R=(p+1/2)・λR/2−(φ1R−φ2R)・λR/4π ...(5)
ここで、d2Rは、発光素子2Rについての光学的距離d2、λRはカラーフィルタ36Rの透過率のピークに相当する波長610nm、φ1Rは波長λRでのφ1、φ2Rは波長λRでのφ2である。
ここで、d2Gは、発光素子2Gについての光学的距離d2、λGはカラーフィルタ36Gの透過率のピークに相当する波長520nm、φ1Gは波長λGでのφ1、φ2Gは波長λGでのφ2である。
ここで、d2Bは、発光素子2Bについての光学的距離d2、λBはカラーフィルタ36Bの透過率のピークに相当する波長470nm、φ1Bは波長λBでのφ1、φ2Bは波長λBでのφ2である。
d1
=d2−nz・tz
=(p+1/2)・λ/2−(φ1−φ2)・λ/4π−nz・tz ...(8)
ここで、nzは波長λの光に関する第2の電極層22の屈折率であり、tzは第2の電極層22の厚さである。
d1R=(p+1/2)・λR/2−(φ1R−φ2R)・λR/4π−nzR・tz ...(9)
ここで、d1Rは、発光素子2Rについての光学的距離d1、nzRは波長λRの光に関する第2の電極層22の屈折率nzである。
ここで、d1Gは、発光素子2Gについての光学的距離d1、nzGは波長λGの光に関する第2の電極層22の屈折率nzである。
ここで、d1Bは、発光素子2Bについての光学的距離d1、nzBは波長λBの光に関する第2の電極層22の屈折率nzである。
以上、別個の界面での反射光を減衰的干渉により低減するために好適な条件を説明した。
d1=m・λ/2+(φ3+φ2)・λ/4π ...(12)
ここで、λは増幅させたい光成分の波長(nm)である。発光素子2の放出光は、最終的にはカラーフィルタ36を透過して放出されるから、式(12)のλとしても、カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長をとることが適切である。
d1R=m・λR/2+(φ3R+φ2R)・λR/4π ...(13)
ここで、φ3Rは、波長λRでのφ3である。
ここで、φ3Gは、波長λGでのφ3である。
ここで、φ3Bは、波長λBでのφ3である。
以上、発光素子2での発光のうち所望の波長の光を増幅的干渉によって強めるために好適な条件を説明した。
以下、具体的な材料およびパラメータを挙げながら、第1の実施の形態の構造に関してシミュレーションした結果を説明する。以下のシミュレーションには、株式会社豊田中央研究所が製作した光学シミュレーションプログラムである商品名「OptDesigner」を使用したが、他のシミュレーションプログラムでも同様の結果が得られると推定する。
まず、所望の波長の光の利用効率の向上に適した第1比較例をシミュレーションによって得た。このシミュレーションでは、各層の材料を選択して、その光学特性をシミュレーションプログラムに入力して、発光素子2Rの発光のうちの波長λR(610nm)の光成分、発光素子2Gの発光のうちの波長λG(520nm)の光成分、発光素子2Bの発光のうちの波長λB(470nm)の光成分が最大になるように、各層の厚さを求めた。このシミュレーションでは、絶縁体透明層14の厚さ、発光機能層20の厚さ、第2の電極層22の厚さは発光素子2R,2G,2Bで共通にし、第1の電極層18の厚さが発光素子2R,2G,2Bに応じて異なることを条件とした。
次に、外光反射の低減に適した第2比較例をシミュレーションによって得た。このシミュレーションでは、絶縁体透明層14の厚さ、発光機能層20の厚さ、第2の電極層22の厚さは発光素子2R,2G,2Bで共通、かつ第1比較例と同じ値にし、第1の電極層18の厚さが発光素子2R,2G,2Bに応じて異なることを条件とした。そして、このシミュレーションでは、発光素子2Rからの反射光のうちの波長λR(610nm)の光成分、発光素子2Gからの反射光のうちの波長λG(520nm)の光成分、発光素子2Bからの反射光のうちの波長λB(470nm)の光成分が最小になるように、発光素子2R,2G,2Bの第1の電極層18R,18G、18Bの厚さおよび発光素子2R,2G,2Bに共通する半透明半反射性の第2の電極層22の厚さを求めた。
実施例は、第1比較例と第2比較例の中間条件に相当するパラメータに設定した。上述した第1比較例と第2比較例では、発光素子2Rの第1の電極層18Rの厚さと、発光素子2Gの第1の電極層18Gの厚さが異なるだけである。実施例では、発光素子2Rの第1の電極層18Rの厚さを第1比較例の108nmと第2比較例の86.4nmの平均値の97.2nmとし、発光素子2Gの第1の電極層18Gの厚さを第1比較例の64.8nmと第2比較例の43.2nmの平均値の54nmとして、他のパラメータを第1比較例および第2比較例と同じにした。表6は、実施例での層の材料およびパラメータを示す。
図9は、本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置(発光装置)41の概略を示す断面図である。以降、図面においては第1の実施の形態と共通する構成要素を示すために同一の符号を使用し、それらを詳細には説明しない。第1の実施の形態では、白色発光する発光機能層20は複数の発光素子2R,2G,2Bに共通に配置されているが、図9に示すように第2の実施の形態では、発光素子2R,2G,2Bにそれぞれ専用の発光機能層20R,20G,20Bが設けられている。発光機能層20R,20G,20Bの各々は、隔壁16の画素開口内に配置されている。発光機能層20Rは赤色で発光し、発光機能層20Gは緑色で発光し、発光機能層20Bは青色で発光する。
上述した実施の形態では、第1の電極層18と反射層12が別個の層であるが、第1の電極層18を反射層と兼用してもよい。
上述した実施の形態では、第2の電極層22が半透明反射層であるが、第2の電極層22を透明にして、第2の電極層22を挟んで発光機能層20の反対側に別の半透明半反射層を設けてもよい。
上述した実施の形態に係る発光装置は、有機EL装置であるが、本発明に係る発光装置は、無機EL装置であってもよい。
反射層12と第2の電極層22との間の光学的距離d1を、式(8)で求められるd1の値(d1aと呼ぶ)と、式(12)で求められるd1の値(d1bと呼ぶ)の平均値にしてもよい。この場合には、設計が容易である。
次に、本発明に係る有機EL装置を適用した電子機器について説明する。図12は、上記実施形態に係る発光装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての有機EL装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図13に、上記実施形態に係る発光装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての有機EL装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL装置1に表示される画面がスクロールされる。
図14に、上記実施形態に係る発光装置を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistant)を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての有機EL装置1を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL装置1に表示される。
Claims (4)
- 第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極および前記第2の電極の間に配置された発光機能層とを有する発光素子と、
前記発光機能層で発せられた光を前記発光機能層に向けて反射する反射層と、
前記発光機能層を挟んで前記反射層の反対側に配置され、前記発光機能層で発せられた光の一部を前記発光機能層に向けて反射し、他の一部を透過させる半透明半反射層と、
前記半透明反射層を挟んで前記発光機能層の反対側に配置され、前記半透明半反射層を透過した光を透過させるカラーフィルタとを備え、
前記反射層から前記半透明半反射層までの光学的距離d1が、式(1)で算出されるd1aと、式(2)で算出されるd1bの間の値であることを特徴とする発光装置。
d1a=(p+1/2)・λ/2−(φ1−φ2)・λ/4π−nz・tz ...(1)
d1b=m・λ/2+(φ3+φ2)・λ/4π ...(2)
ここで、λは前記カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長であり、
φ1は、前記発光機能層とは反対側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層とは反対側の界面で反射するときの位相変化であり、
φ2は、前記発光機能層側から前記反射層に進行する波長λの光が、前記反射層で反射するときの位相変化であり、
φ3は、前記発光機能層側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層側の界面で反射するときの位相変化であり、
pは、正の整数であり、
mは、正の整数であり、
nzは、波長λの光に関する前記半透明半反射層の屈折率であり、
tzは、前記半透明半反射層の厚さである。 - 前記反射層から前記半透明半反射層までの光学的距離d1が、式(1)で算出されるd1aと、式(2)で算出されるd1bの平均値であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記半透明半反射層を透過する光の色が異なる複数の前記発光素子と、
透過する光のピーク波長λが異なる複数の前記カラーフィルタとを備え、
前記カラーフィルタの各々は、複数の前記発光素子のいずれかに対応する位置に配置されて、一つのカラーフィルタと一つの発光素子のセットを構成し、
前記セットの各々において、反射層から前記半透明半反射層までの光学的距離d1が、式(1)で算出されるd1aと、式(2)で算出されるd1bの間の値であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発光装置を備える電子機器。
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