JP2009068893A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置50は、MEMS技術を用いて形成されたシリコンからなるセンサ素子10と、センサ素子10を収納するパッケージ20とを備えている。そして、センサ素子10は、枠体部11と、枠体部11の内側に配置される重り部12と、重り部12を枠体部11に揺動可能に支持する撓み部13とを含んでいる。また、重り部12の上面領域1dおよび枠体部11の上面領域1eには、センサ素子10と電気的に接続される集積回路15(15a、15b)が形成されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態による半導体装置の平面図である。図2は、本発明の第1実施形態による半導体装置を簡略化して示した断面図である。図3は、本発明の第1実施形態による半導体装置の分解斜視図である。図4〜図6は、本発明の第1実施形態による半導体装置の構造を説明するための図である。まず、図1〜図6を参照して、本発明の第1実施形態による半導体装置50の構造について説明する。なお、図3ではボンディングワイヤなどの記載は省略している。
図11は、本発明の第2実施形態による半導体装置の平面図である。図12は、本発明の第2実施形態による半導体装置のセンサ素子の全体斜視図である。図13は、本発明の第2実施形態による半導体装置のセンサ素子の平面図である。次に、図11〜図13を参照して、本発明の第2実施形態による半導体装置100の構造について説明する。
1a 支持基板
1b 絶縁層
1c シリコン層
1d、1e 上面領域
10、110 センサ素子
11 枠体部(支持枠)
12 重り部(構造体)
12a コア部(第1構造体)
12b 付随部(第2構造体)
13 撓み部(梁部)
14 ピエゾ抵抗素子
15、15a、15b 集積回路(集積回路部)
16 パッド電極(電極端子部)
20 パッケージ
21 下部容器
21a キャビティ
22 上部蓋
30 ボンディングワイヤ
50、100 半導体装置
111 連結部
112 配線層
Claims (7)
- 半導体プロセス技術を利用して形成されたシリコンからなるセンサ素子と、
前記センサ素子を収納するパッケージとを備え、
前記センサ素子は、支持枠と、前記支持枠の内側に配置される構造体と、前記構造体を前記支持枠に揺動可能に支持する梁部とを含み、
少なくとも前記構造体の上面領域の一部には、前記センサ素子と電気的に接続される集積回路部が形成されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記センサ素子の前記梁部に、ピエゾ抵抗素子が形成されることによって、前記センサ素子が、前記構造体の変位量に応じて加速度を検出するピエゾ抵抗型の加速度センサ素子に構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記構造体は、前記梁部を介して前記支持枠に支持される直方体状の第1構造体と、前記第1構造体に一体的に連結される直方体状の複数の第2構造体とを含み、
前記集積回路部は、前記複数の第2構造体の少なくとも1つの上面領域に形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記集積回路部は、前記第1構造体の上面領域および前記複数の第2構造体の上面領域の各々に形成されていることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記支持枠の上面領域には、電極端子部が設けられているとともに、前記複数の第2構造体の一部と前記支持枠とは、連結部によって連結されており、
前記連結部は、前記支持枠の前記電極端子部と前記集積回路部とを電気的に接続するための接続経路として機能するように構成されていることを特徴とする、請求項3または4に記載の半導体装置。 - 前記集積回路部は、前記構造体の上面領域に加えて、前記支持枠の上面領域にも形成されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記集積回路部は、前記構造体の動きに基づいて検出される電気的な検出信号を増幅および補正して、物理量に比例した電圧として出力する機能を有するように構成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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