JP2009067640A - 表面凹凸状構造体、放熱フィン、流路構造体、燃料電池装置、電子機器及び表面凹凸状構造体の製造方法 - Google Patents
表面凹凸状構造体、放熱フィン、流路構造体、燃料電池装置、電子機器及び表面凹凸状構造体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】表面積が増大された構造体を提供する。
【解決手段】表面凹凸状構造体は、基体20と、その主面に形成された凸部30とを備え、凸部30は基体の溝32を有しており、表面積が増大されている。この表面凹凸状構造体は、例えば、その基体20の表面及び前記凸部30の表面によって画定される領域が物質が流れる流路とされ、その基体20の主面及び前記凸部30の表面に触媒40が担持されるため、単位体積当たりの触媒40の担持量を増大させることができる。
【選択図】図2
【解決手段】表面凹凸状構造体は、基体20と、その主面に形成された凸部30とを備え、凸部30は基体の溝32を有しており、表面積が増大されている。この表面凹凸状構造体は、例えば、その基体20の表面及び前記凸部30の表面によって画定される領域が物質が流れる流路とされ、その基体20の主面及び前記凸部30の表面に触媒40が担持されるため、単位体積当たりの触媒40の担持量を増大させることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、表面凹凸状構造体、放熱フィン、流路構造体、燃料電池装置、電子機器及び表面凹凸状構造体の製造方法に関する。
エネルギー変換効率が高く、クリーンな電源として、水素を燃料とする燃料電池が自動車や携帯機器などに応用され始めている。燃料電池は、燃料と大気中の酸素を電気化学的に反応させて、化学エネルギーから電気エネルギーを直接取り出す装置である。
燃料電池に用いる燃料としては水素が挙げられるが、常温で気体であることにより取り扱いや貯蔵が困難であるといった問題があるため、代わりに、アルコール類やガソリンなどの液体燃料を用いることが提案されている。この場合には、例えば、液体燃料と高温の水蒸気とを触媒存在下で反応させることによって発電に必要な水素を取り出す改質器が用いられる。
また、改質器内においては、水素と二酸化炭素との完全な生成がなされず、僅かながら一酸化炭素が生成される場合もある。この一酸化炭素は燃料電池に対し触媒毒として作用し、発電効率や寿命を低下させる要因となる。このため、例えば、外部から取り入れた空気(酸素)と一酸化炭素とを触媒存在下中で反応させ二酸化炭素として生成する、一酸化炭素除去器を設ける場合もある。
改質器や一酸化炭素除去器といった反応装置は、例えば、ドライエッチング法やウエットエッチング法、サンドブラスト法や、機械切削加工などにより流路が形成され、その流路の壁面には、ハケ等を用いた直接塗布法や、スプレー塗布法、ディップコーティング法、スピンコーティング法やスパッタ法などによって触媒が形成される。
また、特許文献1には、シリコン基板上に形成された流路溝の表面に対して、3次元多孔質シリコンを形成し、この表面に触媒を担持させた流体流路を特徴とする技術が公開されている。
特開2005−166453号公報
また、特許文献1には、シリコン基板上に形成された流路溝の表面に対して、3次元多孔質シリコンを形成し、この表面に触媒を担持させた流体流路を特徴とする技術が公開されている。
改質器に触媒の性能を上回る原料が供給された場合には、本来生成されるべき水素や二酸化炭素以外に、一酸化炭素やアルデヒド、蟻酸、蟻酸メチル等の望まれない副生成物が生成される。このような副生成物が下流の反応装置、燃料電池セルに供給されると、燃料電池システムに著しい性能劣化が生じる。また、一酸化炭素除去器に触媒の性能を上回る一酸化炭素が供給された場合には、未反応の一酸化炭素が燃料電池セルに供給され、燃料電池システムに著しい性能劣化が生じる。このため、充分な量の触媒を、反応流路に
担持する必要があるが、一方で、触媒の量を充分に確保するために改質器や一酸化炭素除去器を大きくすると、反応装置、ひいては燃料電池システムの小型化が図れないという問題もある。
担持する必要があるが、一方で、触媒の量を充分に確保するために改質器や一酸化炭素除去器を大きくすると、反応装置、ひいては燃料電池システムの小型化が図れないという問題もある。
本発明の課題は、構造体の表面積を増大させることである。このように表面積が増大された構造体を、例えば、反応装置における触媒が担持される部分に利用すると、触媒が担持される領域の表面積を増大させ、ひいては、単位体積当たりの触媒担持量を増大させることができる。
以上の課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、基体と、前記基体の主面に形成された凸部とを備え、前記凸部は前記基体の主面に溝を有することを特徴とする表面凹凸状構造体である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の表面凹凸状構造体であって、前記凸部の表面は所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料からなることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の表面凹凸状構造体であって、前記溝を複数備えることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面凹凸状構造体によってなる放熱フィンである。
請求項5に記載の発明は、一の基体と、前記一の基体の第一の主面に形成された凸部とを備え、前記凸部は前記第一の主面に溝を有し、前記第一の主面及び前記凸部の表面によって画定される領域は物質が流れる流路とされていることを特徴とする流路構造体である。
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の流路構造体であって、前記凸部の表面は所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料からなることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項5又は6に記載の流路構造体であって、前記溝を複数備えることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項5〜7のいずれか一項に記載の流路構造体であって、前記第一の主面側に対向するように第二の主面が配置された他の基体を更に備えることを特徴とする。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の流路構造体であって、前記第一の主面、前記他の基体の第二の主面及び前記凸部の表面によって画定される領域は物質が流れる流路とされていることを特徴とする。
請求項10に記載の発明は、請求項5〜9のいずれか一項に記載の流路構造体であって、前記凸部の表面には、前記物質の反応を促進する触媒が設けられていることを特徴とする。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の流路構造体であって、前記物質は水素を含む燃料であり、前記反応により燃料から水素を生成することを特徴とする。
請求項12に記載の発明は、請求項11に記載の流路構造体と、前記流路構造体により生成された水素により発電を行う発電セルと、を備えることを特徴とする燃料電池装置である。
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の燃料電池装置と、前記燃料電池装置により発電された電気により動作する電子機器本体と、を備えることを特徴とする電子機器である。
請求項14に記載の発明は、基体と、前記基体の主面に形成された凸部とを備える表面凹凸状構造体の製造方法であって、前記凸部は、それぞれ所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料を含み、前記複数の材料のうち少なくとも1つ材料を優先的にエッチングすることを特徴とする。
請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の表面凹凸状構造体の製造方法であって、前記エッチングすることは、前記基体の主面に溝を形成することを含むことを特徴とする。
本発明によれば、構造体の表面積を増大させることができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
図1は本発明の実施形態に係る反応装置(流路構造体)1を示す斜視図であり、図2は図1のII−II矢視断面図、図3は図1のIII−III矢視断面図である。
反応装置1は、2枚の基板10,20及びこれら2枚の基板10,20の間に各基板10,20の対向する表面(基板10の第一の主面、基板20の第二の主面)にそれぞれ当接するように形成された流路形成体(凸部)30とを含む表面凹凸状構造体と、触媒40と、ヒーター兼温度センサ50と、等から概略構成される。
基板10,20としては、例えばパイレックス(登録商標)ガラス基板や、金属基板等を用いることができる。
ヒーター兼温度センサ50は一方の基板(他の基体)10の表面(他の主面)に設けられている。
なお、ヒーター兼温度センサ50が形成されていない他方の基板(一の基体)20には、図示しないが、2つの貫通孔が形成されている。貫通孔は2枚の基板10,20の間に形成される反応流路2への出入口となる。
基板10,20としては、例えばパイレックス(登録商標)ガラス基板や、金属基板等を用いることができる。
ヒーター兼温度センサ50は一方の基板(他の基体)10の表面(他の主面)に設けられている。
なお、ヒーター兼温度センサ50が形成されていない他方の基板(一の基体)20には、図示しないが、2つの貫通孔が形成されている。貫通孔は2枚の基板10,20の間に形成される反応流路2への出入口となる。
流路形成体30は、2種類の層を交互に積層してなり、図2、図3に示すように、2枚の基板10,20の間に設けられることによって、葛折状の反応流路2を形成する隔壁31となる。隔壁31には、図2、図3に示すように、反応流路2に沿って、複数の溝32が基板20の一の主面に実質的に平行となるように形成されている。この複数の溝32が形成された隔壁31の表面に触媒40が担持される。
触媒40は、隔壁31の表面に触媒分散液を塗布する直接塗布法等により形成される。ここで、触媒分散液としては、例えばアルミナ等の担体と触媒活性物質との分散液を用いることができる。
触媒40は、隔壁31の表面に触媒分散液を塗布する直接塗布法等により形成される。ここで、触媒分散液としては、例えばアルミナ等の担体と触媒活性物質との分散液を用いることができる。
流路形成体30を形成する2種類の層は、第1のエッチング層33と、第1の非エッチング層34との2種類である。ここで、非エッチング層とは、その層がエッチングされないか、又は、いずれのエッチング層よりもエッチング速度が遅い層のことである。第1のエッチング層33及び第1の非エッチング層34の組み合わせとしては、任意のエッチング溶液に対する溶解度が異なる物質の組み合わせを用いることができる。
例えば、第1のエッチング層33としてニッケル、第1の非エッチング層34として金を用い、エッチング溶液として希硝酸溶液を用いることができる。
例えば、第1のエッチング層33としてニッケル、第1の非エッチング層34として金を用い、エッチング溶液として希硝酸溶液を用いることができる。
あるいは、第1のエッチング層33としてクロム、第1の非エッチング層34としてニッケルまたは金を用い、エッチング溶液として硝酸二アンモニウムセリウムを用いることができる。
あるいは、第1のエッチング層33として金、第1の非エッチング層34としてニッケルまたはクロムを用い、エッチング溶液としてヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いることができる。
また、第1のエッチング層33としてクロム及びニッケルの2層、第1の非エッチング層34として金の1層を用い、エッチング溶液として希硝酸溶液と硝酸二アンモニウムセリウム溶液を連続的に用いてもよい。同様にして複数種の組み合わせが可能であり、また、さらに多くの種類の材料を順番に積層してもよい。
あるいは、第1のエッチング層33として金、第1の非エッチング層34としてニッケルまたはクロムを用い、エッチング溶液としてヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いることができる。
また、第1のエッチング層33としてクロム及びニッケルの2層、第1の非エッチング層34として金の1層を用い、エッチング溶液として希硝酸溶液と硝酸二アンモニウムセリウム溶液を連続的に用いてもよい。同様にして複数種の組み合わせが可能であり、また、さらに多くの種類の材料を順番に積層してもよい。
以下、第1のエッチング層33としてニッケル、第1の非エッチング層34として金を用いて流路形成体30を形成する方法について図4、図5に例を挙げて説明する。なお、以下に説明する方法では、メッキ法を用いているが、メッキ法としては電解メッキ、無電解メッキ、置換メッキ、還元メッキ等の任意の方法をとることができる。メッキ法を用いることで、流路形成体30の厚さが3μmを超える比較的厚い場合であっても、高速に製造することができる。
〔流路形成体の第1の形成方法〕
まず、基板20の流路形成体30を形成する側の面に、シード層(図示せず)を形成する。シード層は、例えばAu/Tiをスパッタリングすることにより形成することができる。
まず、基板20の流路形成体30を形成する側の面に、シード層(図示せず)を形成する。シード層は、例えばAu/Tiをスパッタリングすることにより形成することができる。
次に、基板20のシード層を形成した面に犠牲層(図示せず)を形成するとともに、図4(a)に示すように、フォトレジスト61を塗布する。ここで、犠牲層としては、例えばOmniCoat(化薬マイクロケム製)を用いることができ、フォトレジスト61としては、例えば厚膜レジストSU−8(化薬マイクロケム製)を用いることができる。
次に、図4(b)に示すように、フォトリソグラフィ法により、反応流路2となる部分を残してフォトレジスト61及び犠牲層を除去し、隔壁31が形成される位置にレジスト開口部62を形成する。
〔第1のエッチング層の形成〕
次に、レジスト開口部62が形成された基板20をスルファミン酸ニッケル浴に浸し、シード層に通電することでレジスト開口部62に露出したシード層上に第1のエッチング層33(ニッケル層)を形成する。その後、基板20をスルファミン酸ニッケル浴から取り出し、水で洗浄する。
次に、レジスト開口部62が形成された基板20をスルファミン酸ニッケル浴に浸し、シード層に通電することでレジスト開口部62に露出したシード層上に第1のエッチング層33(ニッケル層)を形成する。その後、基板20をスルファミン酸ニッケル浴から取り出し、水で洗浄する。
〔第1の非エッチング層の形成〕
次に、第1のエッチング層33が形成された基板20をメッキ液に浸し、シード層に通電することで第1のエッチング層33上に第1の非エッチング層34(金層)を形成する。ここで、メッキ液としては、例えばテンペレックス8400(日本エレクトロプレーティングエンジニアーズ製)を用いることができる。
次に、第1のエッチング層33が形成された基板20をメッキ液に浸し、シード層に通電することで第1のエッチング層33上に第1の非エッチング層34(金層)を形成する。ここで、メッキ液としては、例えばテンペレックス8400(日本エレクトロプレーティングエンジニアーズ製)を用いることができる。
上記第1のエッチング層33の形成と、第1の非エッチング層34の形成とを交互に行い、図4(c)に示すように、レジスト開口部62を第1のエッチング層33及び第1の非エッチング層34で埋める。
次に、図4(d)に示すように、フォトレジスト61を除去する。フォトレジスト61として厚膜レジストSU−8を用いた場合には、RemoverPG(化薬マイクロケム製)を用いてフォトレジスト61を除去することができる。
その後、フォトレジスト61を除去した基板20をエッチング液に攪拌浸漬し、第1のエッチング層33を優先的にエッチングする。ここで、エッチング液としては、例えば0.1規定希硝酸を用いることができる。エッチング量は浸漬時間により調整することができる。
エッチング溶液により第1のエッチング層33がエッチングされ、第1の非エッチング層34が残るため、図4(e)に示すように、第1のエッチング層33の部分に複数の溝32を形成することができる。以上により、基板20の一の主面に実質的に平行な複数の溝32を有する流路形成体30を形成することができる。
ここで、凸部の表面のうち、第1のエッチング層33の露出された表面によって形成された部分を溝32の底面と言い、また、第1の非エッチング層34の露出された表面によって形成された部分を溝32の壁と言う。後述する各図面及び対応する各実施形態についても同様である。なお、凸部に形成される溝は、エッチングの条件により各図面に図示したようなきれいなコ字状になるとは限らず、角に丸みを帯びた略コ字状、略U字状、略テーパ状及び略V字状等となる場合もあるが、これら図示しない他の形状を有する溝も本実施形態に含まれるものとする。
ここで、凸部の表面のうち、第1のエッチング層33の露出された表面によって形成された部分を溝32の底面と言い、また、第1の非エッチング層34の露出された表面によって形成された部分を溝32の壁と言う。後述する各図面及び対応する各実施形態についても同様である。なお、凸部に形成される溝は、エッチングの条件により各図面に図示したようなきれいなコ字状になるとは限らず、角に丸みを帯びた略コ字状、略U字状、略テーパ状及び略V字状等となる場合もあるが、これら図示しない他の形状を有する溝も本実施形態に含まれるものとする。
〔流路形成体の第2の形成方法〕
まず、基板20の流路形成体30を形成する側の面に、シード層(図示せず)を形成する。シード層は、例えばAu/Niをスパッタリングすることにより形成することができる。
まず、基板20の流路形成体30を形成する側の面に、シード層(図示せず)を形成する。シード層は、例えばAu/Niをスパッタリングすることにより形成することができる。
〔第1のエッチング層の形成〕
次に、基板20をスルファミン酸ニッケル浴に浸し、シード層に通電することでシード層上にエッチング層33を形成する。その後、基板20をスルファミン酸ニッケル浴から取り出し、水で洗浄する。
〔第1の非エッチング層の形成〕
次に、第1のエッチング層33が形成された基板20をシアン系金メッキ液に浸し、シード層に通電することで第1のエッチング層33上に第1の非エッチング層34を形成する。
次に、基板20をスルファミン酸ニッケル浴に浸し、シード層に通電することでシード層上にエッチング層33を形成する。その後、基板20をスルファミン酸ニッケル浴から取り出し、水で洗浄する。
〔第1の非エッチング層の形成〕
次に、第1のエッチング層33が形成された基板20をシアン系金メッキ液に浸し、シード層に通電することで第1のエッチング層33上に第1の非エッチング層34を形成する。
上記第1のエッチング層33の形成と、第1の非エッチング層34の形成とを交互に行い、図5(a)に示すように、第1のエッチング層33及び第1の非エッチング層34を流路形成体30の厚さまで積層した積層体35を形成する。
次に、積層体35の表面に犠牲層(図示せず)を形成するとともにフォトレジスト63を塗布する。そして、図5(b)に示すように、フォトリソグラフィ法により、隔壁31となる部分を残してフォトレジスト63及び犠牲層を除去し、反応流路2となる部分にレジスト開口部64を形成する。
次に、図5(c)に示すように、ドライエッチングによりレジスト開口部64の積層体35を除去する。このとき、フォトレジスト63もドライエッチングにより除去される。
その後、フォトレジスト63を除去した基板20をエッチング液に攪拌浸漬し、第1のエッチング層33を優先的にエッチングする。これにより第1のエッチング層33がエッチングされ、第1の非エッチング層34が残るため、図5(d)に示すように、第1のエッチング層33の部分に複数の溝32を形成することができる。以上により、基板20の一の主面に実質的に平行な複数の溝32が形成された隔壁31となる流路形成体30を形成することができる。上述の通り、溝32の底面は、第1のエッチング層33の露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34の露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
なお、上記の形成方法においては、基板20に第1のエッチング層33を先に形成した後に第1の非エッチング層34を形成したが、第1の非エッチング層34を先に形成してもよい。また、基板20に第1のエッチング層33及び第1の非エッチング層34を形成したが、基板10に第1のエッチング層33及び第1の非エッチング層34を形成してもよい。
また、流路形成体30の形成方法は上記2種類の方法に限られず、流路方向、即ち、基板20の一の主面に実質的に平行な複数の溝32が形成された隔壁31が得られるのであれば、任意の形成方法をとることができる。
また、流路形成体30の形成方法は上記2種類の方法に限られず、流路方向、即ち、基板20の一の主面に実質的に平行な複数の溝32が形成された隔壁31が得られるのであれば、任意の形成方法をとることができる。
流路形成体30を形成した後、直接塗布法、スプレー塗布法、ディップコーティング法、スピンコーティング法やスパッタ法などによって、反応流路2の壁面に触媒40を保持させた反応装置1を形成することができる。
なお、触媒活性物質の種類は反応装置1の種類によって異なる。例えば、後述するように、反応装置1が改質器であればCu/ZnO系触媒やPd/ZnO系触媒等の改質触媒を用い、一酸化炭素除去器であればPt/Al2O3等の選択酸化触媒を用い、燃焼器であればPt/Al2O3等の燃焼触媒を用いることができる。
その後、流路形成体30の上部に基板10を接合することで、反応装置1が完成する。
その後、流路形成体30の上部に基板10を接合することで、反応装置1が完成する。
本実施の形態においては、隔壁31の表面に複数の溝32が形成されているため、隔壁31の表面に溝が形成されていない場合と対比して、隔壁31の表面積、すなわち触媒40の担持面積が大きくなる。このため、反応装置1の単位体積当たりの触媒40が担持される領域の表面積を増大させ、単位体積当たりの触媒40の担持量を増大させることができるとともに、隔壁31を挟んだ流路間の熱交換を円滑に行うことができ、ひいては、小型の反応装置を設計することができる。
また、本実施の形態においては、複数の溝32が流路方向に沿って形成されているため、流路方向に流れる物質の流れを妨げることがない。
なお、隔壁31に設けられる溝32の幅は第1のエッチング層33の厚さにより任意に調整することができ、溝32と溝32の間隔は第1の非エッチング層34の厚さにより任意に調整することができる。また、溝32の深さは、エッチング時間により調整することができる。
例えば図6に示すように、隔壁31の2枚の基板10,20と近接する部分に第1のエッチング層33と第1の非エッチング層34を交互に積層するとともに、中間部に他の層よりも厚い第2の非エッチング層34aを設けることで、隔壁31の2枚の基板10,20と近接する部分のみに複数の溝32を形成し、中間部に溝32を形成しない流路構造とすることができる。ここで、溝32の底面は、第1のエッチング層33の露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34及び第2の非エッチング層34aの露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
また、図7に示すように、隔壁31の一方の基板10に近接する部分に第1のエッチング層33と第1の非エッチング層34を交互に積層するとともに、他方の基板20に近接する部分に他の層よりも厚い第2の非エッチング層34bを設けることで、隔壁31の一方の基板10に近接する部分のみに複数の溝32を形成し、他方の基板20に近接する部分には溝32を形成しない流路構造とすることができる。ここで、溝32の底面は、第1のエッチング層33の露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34及び第2の非エッチング層34bの露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
あるいは、図8に示すように、隔壁31を1層の第1のエッチング層33c及び1層の第1の非エッチング層34cのみから形成することで、一方の基板10に近接する部分が拡幅した反応流路2を有する構造とすることができる。ここで、溝32の底面は、第1のエッチング層33cの露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34cの露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
また、図9に示すように、隔壁31の2枚の基板10,20と近接する部分に第1のエッチング層33と第1の非エッチング層34を交互に積層するとともに、中間部に他の層よりも厚い第2のエッチング層33d及び2層の第2の非エッチング層34dを設けることで、隔壁31の2枚の基板10,20と近接する部分に複数の溝32を形成するとともに、中間部に1本の溝32dを形成した流路構造とすることができる。なお、図9において、2層の第2の非エッチング層34dの間に第2のエッチング層33dが形成されている。ここで、溝32の底面は、第1のエッチング層33及び第2のエッチング層33dの露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34及び第2の非エッチング層34dの露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
あるいは、図10に示すように、隔壁31の一方の基板10と近接する部分に第1のエッチング層33と第1の非エッチング層34を交互に積層するとともに、他方の基板20と近接する部分にそれよりも薄い第2のエッチング層33eと第2の非エッチング層34eを交互に積層し、中間部に他の層よりも厚い第3の非エッチング層34fを設けることで、隔壁31の一方の基板10に近接する部分に複数の溝32を形成するとともに、それよりも溝幅の狭い複数の溝32eを他方の基板20に近接する部分に形成した流路構造とすることができる。ここで、溝32の底面は、第1のエッチング層33及び第2のエッチング層33eの露出された表面によって形成され、また、溝32の壁は、第1の非エッチング層34、第2の非エッチング層34e及び第3の非エッチング層34fの露出された表面と、基板10,20の各一の主面とによって形成されている。
このように、溝32の幅、溝32と溝32の間隔、溝32の深さを任意に調整することで、反応流路2の表面積を定量的に調整することができる。
また、反応流路2の壁面に触媒40を担持させる場合には、触媒40の担持面積を定量的に調整し、反応装置1の単位体積当たりの触媒40の担持量を定量的に調整することができる。
図11は、本発明を適用した電子機器100を示すブロック図である。この電子機器100はノート型パーソナルコンピュータ、PDA、電子手帳、デジタルカメラ、携帯電話機、腕時計、ゲーム機器等といった携帯型の電子機器である。
電子機器100は、燃料電池装置101と、燃料電池装置101により生成された電気エネルギーを適切な電圧に変換するDC/DCコンバータ201と、DC/DCコンバータ201に接続される二次電池202と、DC/DCコンバータ201から供給される電気エネルギーにより駆動される電子機器本体203と、等から概略構成される。
燃料電池装置101は後述するように、電気エネルギーを生成しDC/DCコンバータ201に出力する。DC/DCコンバータ201は燃料電池装置101により生成された電気エネルギーを適切な電圧に変換したのちに電子機器本体203に供給するとともに、燃料電池装置101により生成された電気エネルギーを二次電池202に充電する。
次に、燃料電池装置101について詳細に説明する。この燃料電池装置101は、DC/DCコンバータ201に出力する電気エネルギーを生成するものであり、燃料容器102、ポンプ103、気化器104、改質器105、一酸化炭素除去器106、燃料電池セル107、触媒燃焼器108等を備える。
燃料容器102には、液体の原燃料(例えば、メタノール、エタノール、ジメチルエーテル)と水との混合液が貯留されている。なお、液体の原燃料と水とを別々の容器に貯留してもよい。
燃料容器102内の混合液は、ポンプ103により気化器104に送液される。
燃料容器102内の混合液は、ポンプ103により気化器104に送液される。
気化器104は燃料容器102から送られた混合液を改質器105や図示しないヒータ等からの伝熱等により約110〜160℃程度に加熱し、気化させる。気化器104で気化した混合気は改質器105へ送られる。
改質器105は内部に流路が形成され、流路の壁面に改質触媒が担持されている。改質触媒としては、Cu/ZnO系触媒やPd/ZnO系触媒等が用いられる。改質器105は気化器104から送られる混合気を約300〜400℃程度に加熱し、流路内の触媒により改質反応を起こさせる。すなわち、原燃料と水の触媒反応によって、燃料としての水素、二酸化炭素、及び、副生成物である微量な一酸化炭素等の混合気体(改質ガス)が生成される。
ここで、原燃料がメタノールの場合、改質器105では主に次式(1)に示すような主反応である水蒸気改質反応が起こる。
CH3OH+H2O→3H2+CO2 …(1)
なお、化学反応式(1)についで逐次的に起こる次式(2)のような副反応によって、副生成物として一酸化炭素が微量に(1%程度)生成される。
H2+CO2→H2O+CO …(2)
(1)式及び(2)式の反応による生成物(改質ガス)は一酸化炭素除去器106に送出される。
CH3OH+H2O→3H2+CO2 …(1)
なお、化学反応式(1)についで逐次的に起こる次式(2)のような副反応によって、副生成物として一酸化炭素が微量に(1%程度)生成される。
H2+CO2→H2O+CO …(2)
(1)式及び(2)式の反応による生成物(改質ガス)は一酸化炭素除去器106に送出される。
一酸化炭素除去器106の内部には流路が形成され、その流路の壁面に一酸化炭素を選択的に酸化する選択酸化触媒が担持されている。選択酸化触媒としては、例えばPt/Al2O3等を用いることができる。
一酸化炭素除去器106には改質器105で生成された改質ガス及び、外部の空気が送られる。改質ガスが空気と混合して一酸化炭素除去器106の流路を流れ、約110〜160℃程度に加熱される。そして、改質ガスのうち一酸化炭素が触媒により次式(3)のような主反応により優先的に酸化される。これにより主生成物として二酸化炭素が生成され、改質ガス中の一酸化炭素を燃料電池セル107に供給可能な10ppm程度まで低濃度化することができる。
2CO+O2→2CO2 …(3)
一酸化炭素除去器106を通過した改質ガスは燃料電池セル107に送出される。
2CO+O2→2CO2 …(3)
一酸化炭素除去器106を通過した改質ガスは燃料電池セル107に送出される。
燃料電池セル107は固体高分子型燃料電池であり、固体高分子電解質膜171と、固体高分子電解質膜171の両面に形成された燃料極172(アノード)及び酸素極173(カソード)と、燃料極172に改質ガスを供給する燃料供給流路174aが設けられた燃料極セパレータ174と、酸素極173に酸素を供給する酸素供給流路175aが設けられた酸素極セパレータ175と、が積層されている。
固体高分子電解質膜171は水素イオンを透過するが、酸素分子や水素分子、電子を通さない性質を有する。
燃料極172には燃料供給流路174aを介して一酸化炭素除去器106から送出された改質ガスが送られる。燃料極172では改質ガス中の水素による次式(4)のような反応が起こる。
H2→2H++2e- …(4)
生成した水素イオンは固体高分子電解質膜171を透過して酸素極173に到達する。生成した電子はアノード出力電極176に供給される。
燃料極172には燃料供給流路174aを介して一酸化炭素除去器106から送出された改質ガスが送られる。燃料極172では改質ガス中の水素による次式(4)のような反応が起こる。
H2→2H++2e- …(4)
生成した水素イオンは固体高分子電解質膜171を透過して酸素極173に到達する。生成した電子はアノード出力電極176に供給される。
酸素極173には、空気が酸素供給流路85aを介して送られる。酸素極173では固体高分子電解質膜171を透過した水素イオンと、空気中の酸素とカソード出力電極177より供給される電子とにより、次式(5)に示すように水が生成される。
2H++1/2O2+2e-→H2O …(5)
アノード出力電極176及びカソード出力電極177は外部回路であるDC/DCコンバータ201と接続されており、アノード出力電極176に到達した電子はDC/DCコンバータ201を通ってカソード出力電極177に供給される。
2H++1/2O2+2e-→H2O …(5)
アノード出力電極176及びカソード出力電極177は外部回路であるDC/DCコンバータ201と接続されており、アノード出力電極176に到達した電子はDC/DCコンバータ201を通ってカソード出力電極177に供給される。
触媒燃焼器108の内部には流路が形成され、その流路の壁面に燃料供給流路174aを通過した改質ガス(オフガス)を燃焼させる燃焼触媒が担持されている。燃焼触媒としては、例えばPt/Al2O3等を用いることができる。
触媒燃焼器108には燃料供給流路174aを通過した改質ガス(オフガス)及び外部の空気が送られ、改質ガス中に残留する水素が空気により燃焼される。燃焼熱は改質器105に供給され、改質器105における改質反応の反応熱として用いられる。
本発明に係る反応装置1は、気化器104、改質器105、一酸化炭素除去器106、または触媒燃焼器108のいずれか少なくとも1つに適用することができる。なお、改質器105として用いる場合には改質触媒、一酸化炭素除去器106として用いる場合は選択酸化触媒、触媒燃焼器108として用いる場合は燃焼触媒を流路の壁面に担持させる。
上述の通り、本発明を適用することで、反応流路の壁の表面積を増大させることができ、ひいては、単位体積当たりの触媒の担持量を増大させることができるので、気化器104、改質器105、一酸化炭素除去器106、または触媒燃焼器108を小型化することができる。したがって、燃料電池装置101及び電子機器100も小型化することができる。
なお、以上の実施形態においては、電子機器100の燃料電池装置101について説明したが、本発明はこれに限らず、任意の反応装置に適用することができる。
また、本実施形態のうち、図4(e)及び図5(d)の基板20をSUS等の金属材料によって形成することにより、本発明は、放熱フィンに適用することができる。
さらに、本実施形態は、複数の溝を基板の一の主面に実質的に平行となるように形成したものであるが、必ずしも基板に対し実質的に平行である必要はなく、溝が基板に対し所定の傾きを有するものであってもよい。即ち、基板上に形成される凸部の表面に溝を有するものであれば、その表面積を増大することができるため、本実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
また、本実施形態のうち、図4(e)及び図5(d)の基板20をSUS等の金属材料によって形成することにより、本発明は、放熱フィンに適用することができる。
さらに、本実施形態は、複数の溝を基板の一の主面に実質的に平行となるように形成したものであるが、必ずしも基板に対し実質的に平行である必要はなく、溝が基板に対し所定の傾きを有するものであってもよい。即ち、基板上に形成される凸部の表面に溝を有するものであれば、その表面積を増大することができるため、本実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
1 反応装置
2 反応流路(流路)
10 基板(他の基体)
20 基板(一の基体)
30 流路形成体(凸部)
31 隔壁
32,32d,32e 溝
33,33c 第1のエッチング層
33d,33e 第2のエッチング層
34,34c 第1の非エッチング層
34a,34b,34d,34e 第2の非エッチング層
34f 第3の非エッチング層
40 触媒
100 電子機器
101 燃料電池装置
203 電子機器本体
2 反応流路(流路)
10 基板(他の基体)
20 基板(一の基体)
30 流路形成体(凸部)
31 隔壁
32,32d,32e 溝
33,33c 第1のエッチング層
33d,33e 第2のエッチング層
34,34c 第1の非エッチング層
34a,34b,34d,34e 第2の非エッチング層
34f 第3の非エッチング層
40 触媒
100 電子機器
101 燃料電池装置
203 電子機器本体
Claims (15)
- 基体と、前記基体の主面に形成された凸部とを備え、前記凸部は前記基体の主面に溝を有することを特徴とする表面凹凸状構造体。
- 前記凸部の表面は所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の表面凹凸状構造体。
- 前記溝を複数備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面凹凸状構造体。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面凹凸状構造体によってなる放熱フィン。
- 一の基体と、前記一の基体の第一の主面に形成された凸部とを備え、前記凸部は前記第一の主面に溝を有し、前記第一の主面及び前記凸部の表面によって画定される領域は物質が流れる流路とされていることを特徴とする流路構造体。
- 前記凸部の表面は所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料からなることを特徴とする請求項5に記載の流路構造体。
- 前記溝を複数備えることを特徴とする請求項5又は6に記載の流路構造体。
- 前記第一の主面側に対向するように第二の主面が配置された他の基体を更に備えることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の流路構造体。
- 前記第一の主面、前記他の基体の第二の主面及び前記凸部の表面によって画定される領域は物質が流れる流路とされていることを特徴とする請求項8に記載の流路構造体。
- 前記凸部の表面には、前記物質の反応を促進する触媒が設けられていることを特徴とする請求項5〜9のいずれか一項に記載の流路構造体。
- 前記物質は水素を含む燃料であり、
前記反応により燃料から水素を生成することを特徴とする請求項10に記載の流路構造体。 - 請求項11に記載の流路構造体と、
前記流路構造体により生成された水素により発電を行う発電セルと、
を備えることを特徴とする燃料電池装置。 - 請求項12に記載の燃料電池装置と、
前記燃料電池装置により発電された電気により動作する電子機器本体と、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 基体と、前記基体の主面に形成された凸部とを備える表面凹凸状構造体の製造方法であって、
前記凸部は、それぞれ所定のエッチング液に対してエッチング速度が異なる複数の材料を含み、
前記複数の材料のうち少なくとも1つ材料を優先的にエッチングすることを特徴とする表面凹凸状構造体の製造方法。 - 前記エッチングすることは、前記基体の主面に溝を形成することを含むことを特徴とする請求項14に記載の表面凹凸状構造体の製造方法。
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JP2013534053A (ja) * | 2010-07-07 | 2013-08-29 | ハルク クラー | 電子冷却用のcmos互換性マイクロチャネルヒートシンク及びその製造 |
-
2007
- 2007-09-14 JP JP2007238911A patent/JP2009067640A/ja active Pending
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