JP2009067612A - 基板分割方法およびレーザ照射装置 - Google Patents
基板分割方法およびレーザ照射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009067612A JP2009067612A JP2007235054A JP2007235054A JP2009067612A JP 2009067612 A JP2009067612 A JP 2009067612A JP 2007235054 A JP2007235054 A JP 2007235054A JP 2007235054 A JP2007235054 A JP 2007235054A JP 2009067612 A JP2009067612 A JP 2009067612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser beam
- laser
- condensing
- mother substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
【課題】プラズマによるクラックの発生を防止すること。
【解決手段】マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、パルスレーザ光の集光性を制御するようにした。そのため、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できる。
【選択図】図1
【解決手段】マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、パルスレーザ光の集光性を制御するようにした。そのため、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ光を用いて基板を分割する基板分割方法および前記基板分割方法に好適なレーザ照射装置に関する。
従来、この種の技術としては、例えば、基板にレーザ光を照射することで、基板に改質領域を形成し、その後、外力を加えて改質領域の部分で基板を分割するものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−205180号公報
しかしながら、この従来技術にあっては、レーザ光が空気中の酸素と反応すると、基板表面でプラズマが発生し、基板表面にクラックが発生する可能性がある。そして、基板の分割時や実装時の擦れによってクラックが広がるとともにそこから飛散物が発生し、当該飛散物(異物)で品質問題が生じたり、分割によって形成される基板の強度が低下し、クラックをきっかけに基板が割れたりする可能性がある。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、プラズマによるクラックの発生を防止可能な基板分割方法およびレーザ照射装置を提供することを課題とする。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、プラズマによるクラックの発生を防止可能な基板分割方法およびレーザ照射装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る基板分割方法にあっては、レーザ光を集光して基板に照射することで、基板に改質領域を形成し、その後、外力を加えて改質領域の部分で基板を分割する基板分割方法であって、基板のレーザ光照射方向手前側の表面においてレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、レーザ光の集光性を制御することを特徴とする。
このような構成によれば、基板表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できる。
また、本発明に係る基板分割方法にあっては、基板の厚み方向に複数層の改質領域を形成するとともに、基板のレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、基板の分割予定位置に沿ってレーザ光を照射することを特徴とする。
また、本発明に係る基板分割方法にあっては、基板の厚み方向に複数層の改質領域を形成するとともに、基板のレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、基板の分割予定位置に沿ってレーザ光を照射することを特徴とする。
このような構成によれば、改質領域に発生する内部応力により、基板の表面において改質領域に対応する箇所に周囲方向への引張り応力を発生させることができ、引張り応力によって基板の表面に分割予定位置に沿う亀裂、つまり、基板の分割時のきっかけとなる裂け目を形成でき、分割後における基板の外形精度を向上させることができる。
さらに、本発明に係る基板分割方法にあっては、基板は、石英または硼珪酸ガラスで形成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る基板分割方法にあっては、レーザ光は、フェムト秒レーザ、ピコ秒パルスレーザ、またはYAGレーザであることを特徴とする。
このような構成によれば、基板の分割に適したレーザを用いて基板を分割できる。
さらに、本発明に係る基板分割方法にあっては、基板は、石英または硼珪酸ガラスで形成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る基板分割方法にあっては、レーザ光は、フェムト秒レーザ、ピコ秒パルスレーザ、またはYAGレーザであることを特徴とする。
このような構成によれば、基板の分割に適したレーザを用いて基板を分割できる。
さらに、本発明に係るレーザ照射装置にあっては、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光手段と、集光手段で集光されたレーザ光が基板に改質領域を形成するように、集光手段と基板との相対位置を制御する位置制御手段と、集光手段によるレーザ光の集光性を制御する集光性制御手段と、を備え、集光性制御手段は、基板のレーザ光照射方向手前側の表面においてレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、集光手段によるレーザ光の集光性を制御することを特徴とする。
このような構成によれば、基板表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できる。
このような構成によれば、基板表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できる。
以下、本発明を、液晶表示パネルを製造する際に、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を分割するための改質領域の形成工程に適用した実施形態を説明する。
<レーザ照射装置の構成>
まず、本実施形態のレーザ照射装置の構成について説明する。
図1は、レーザ照射装置100の構成を示す構成図である。
レーザ照射装置100は、図1に示すように、パルスレーザ光を出射するレーザ光源101と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー102と、反射したパルスレーザ光を集光する集光レンズ103と、を備えている。
集光レンズ103は、複数枚のレンズの組み合わせで構成されており、それら複数枚のレンズの一部を高さ方向に移動させることで、集光レンズ103の収差を調整する収差調整機構104を備えている。そして、収差調整機構104は、収差を調整することにより、出射されたパルスレーザ光の集光レンズ103による集光性を制御する。
<レーザ照射装置の構成>
まず、本実施形態のレーザ照射装置の構成について説明する。
図1は、レーザ照射装置100の構成を示す構成図である。
レーザ照射装置100は、図1に示すように、パルスレーザ光を出射するレーザ光源101と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー102と、反射したパルスレーザ光を集光する集光レンズ103と、を備えている。
集光レンズ103は、複数枚のレンズの組み合わせで構成されており、それら複数枚のレンズの一部を高さ方向に移動させることで、集光レンズ103の収差を調整する収差調整機構104を備えている。そして、収差調整機構104は、収差を調整することにより、出射されたパルスレーザ光の集光レンズ103による集光性を制御する。
また、レーザ照射装置100は、マザー基板Wを載置するステージ105と、ステージ105を集光レンズ103に対して水平面直交2軸方向、すなわち、図1に記載のX軸およびY軸方向に移動させるX軸スライド部106およびY軸スライド部107と、を備えている。さらに、レーザ照射装置100は、ステージ105上に載置されたマザー基板Wに対して、集光レンズ103の高さ方向、すなわち、図1に記載のZ軸方向の位置を変えてパルスレーザ光の集光点の位置を調整するZ軸スライド機構108を備えている。
さらに、レーザ照射装置100は、各構成要素101〜108を制御するメインコンピュータ109を備えており、メインコンピュータ109は、レーザ光源101の出力パワー、パルス幅およびパルス周期を制御したり、Z軸スライド機構108を駆動して集光レンズ103のZ軸方向の位置を制御したりする。
また、メインコンピュータ109は、X軸スライド部106とY軸スライド部107をそれぞれレールに沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動する。
また、メインコンピュータ109は、X軸スライド部106とY軸スライド部107をそれぞれレールに沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動する。
なお、レーザ光源101としては、例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射する、いわゆるフェムト秒レーザが用いられる。この場合、レーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長は800nm、パルス幅は約300fs(フェムト秒)、パルス周期は5kHz、出力は約1000mWである。
また、レーザ光源101には、フェムト秒レーザに代えて、ピコ秒パルスレーザ(中心波長:800nm、パルス幅:3ps、平均出力:1W)やYAGレーザ(波長:355nm、パルス幅:35ns、平均出力:10W)を用いることも可能である。
また、レーザ光源101には、フェムト秒レーザに代えて、ピコ秒パルスレーザ(中心波長:800nm、パルス幅:3ps、平均出力:1W)やYAGレーザ(波長:355nm、パルス幅:35ns、平均出力:10W)を用いることも可能である。
そして、このレーザ照射装置100では、メインコンピュータ109によって、レーザ照射装置100の各構成要素101〜108を制御し、マザー基板Wの分割予定位置に沿って当該マザー基板Wの厚み方向に複数層の改質領域を形成する。
その際、マザー基板Wの最上層、つまり、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、収差調整機構104を制御し、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなり、且つ、改質領域が形成される大きさとなるように、集光レンズ103によるパルスレーザ光の集光性を低下させる。
その際、マザー基板Wの最上層、つまり、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、収差調整機構104を制御し、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなり、且つ、改質領域が形成される大きさとなるように、集光レンズ103によるパルスレーザ光の集光性を低下させる。
すなわち、パルスレーザ光のエネルギー密度を低下させることにより、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止し、プラズマによるクラックの発生を防止する制御を行う。
なお、本実施形態では、マザー基板Wの最上層よりも下側の層に改質領域を形成するときには、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より常に低くなるものとする。
すなわち、マザー基板Wの厚み方向のいずれの層に改質領域を形成するときであっても、マザー基板Wの表面でのパルスレーザ光のエネルギー密度は、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度よりも常に低いエネルギー密度となり、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生が防止され、プラズマによるクラックの発生が防止される。
なお、本実施形態では、マザー基板Wの最上層よりも下側の層に改質領域を形成するときには、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より常に低くなるものとする。
すなわち、マザー基板Wの厚み方向のいずれの層に改質領域を形成するときであっても、マザー基板Wの表面でのパルスレーザ光のエネルギー密度は、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度よりも常に低いエネルギー密度となり、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生が防止され、プラズマによるクラックの発生が防止される。
<マザー基板の分割手順>
次に、本実施形態のレーザ照射装置を用いてマザー基板Wを分割する手順を説明する。
まず、メインコンピュータ109により、サーボモータを駆動して、パルスレーザ光の光軸がマザー基板Wの分割予定位置に位置するようにマザー基板Wを移動する。
次に、Z軸スライド機構108を駆動し、パルスレーザ光の集光領域がマザー基板Wの厚み方向(Z軸方向)の最下層に位置するように、つまり、パルスレーザ光がマザー基板Wの最下層に集光するように集光レンズ103のZ軸方向の位置を調整する。
次に、本実施形態のレーザ照射装置を用いてマザー基板Wを分割する手順を説明する。
まず、メインコンピュータ109により、サーボモータを駆動して、パルスレーザ光の光軸がマザー基板Wの分割予定位置に位置するようにマザー基板Wを移動する。
次に、Z軸スライド機構108を駆動し、パルスレーザ光の集光領域がマザー基板Wの厚み方向(Z軸方向)の最下層に位置するように、つまり、パルスレーザ光がマザー基板Wの最下層に集光するように集光レンズ103のZ軸方向の位置を調整する。
次に、レーザ光源101およびサーボモータを駆動し、集光レンズ103に対してマザー基板Wを相対移動させながら分割予定位置に沿ってパルスレーザ光を照射することで、マザー基板Wの分割予定位置に沿ってマザー基板Wの最下層に改質領域を形成する。
そして、上記フローを繰り返し、パルスレーザ光の集光領域がマザー基板Wの厚み方向の各層それぞれに位置するように集光レンズ103のZ軸方向の位置を順次調整し、パルスレーザ光をマザー基板Wの各層に集光させて、各層それぞれに改質領域を形成する。
そして、上記フローを繰り返し、パルスレーザ光の集光領域がマザー基板Wの厚み方向の各層それぞれに位置するように集光レンズ103のZ軸方向の位置を順次調整し、パルスレーザ光をマザー基板Wの各層に集光させて、各層それぞれに改質領域を形成する。
そして、マザー基板Wの分割予定位置に沿って、マザー基板Wおよびマザー基板Wの厚み方向の各層に改質領域を形成し、その後、外力を加えて改質領域で分割する。
図2は、マザー基板Wの分割予定位置における断面を示す断面図であり、図3は、図2のA−A線断面、つまり、分割予定位置の線との直交面におけるマザー基板Wの断面を示す断面図である。
図2は、マザー基板Wの分割予定位置における断面を示す断面図であり、図3は、図2のA−A線断面、つまり、分割予定位置の線との直交面におけるマザー基板Wの断面を示す断面図である。
なお、その際、図2に示すように、マザー基板Wの最上層、つまり、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、メインコンピュータ109によって、レーザ光源101を制御して、パルスレーザ光の出力パワーを他の層に改質領域を形成するときと等しくし、収差調整機構104を制御して、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなり、且つ、改質領域が形成される大きさとなるように、集光レンズ103によるパルスレーザ光の集光性を低下させる。そして、マザー基板Wの分割予定位置に沿ってパルスレーザ光を照射する動作(レーザ光走査)を複数回繰り返す。
すると、パルスレーザ光のエネルギー密度が低下することにより、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生が防止され、プラズマによるクラックの発生が防止される。
また、図2に示すように、マザー基板Wの表面付近の改質領域に発生する内部応力により、図3に示すように、マザー基板Wの表面において改質領域に対応する箇所に周囲方向への引張り応力が発生し、引張り応力によってマザー基板Wの表面に分割予定位置に沿う亀裂、つまり、マザー基板Wの分割時のきっかけとなる裂け目が形成され、分割後におけるマザー基板W(液晶表示パネル)の外形精度が向上する。
また、図2に示すように、マザー基板Wの表面付近の改質領域に発生する内部応力により、図3に示すように、マザー基板Wの表面において改質領域に対応する箇所に周囲方向への引張り応力が発生し、引張り応力によってマザー基板Wの表面に分割予定位置に沿う亀裂、つまり、マザー基板Wの分割時のきっかけとなる裂け目が形成され、分割後におけるマザー基板W(液晶表示パネル)の外形精度が向上する。
すなわち、本発明者は、マザー基板Wから液晶表示パネルを取り出す工程にレーザ光を用いた基板分割方法を適用すると、レーザ光が空気中の酸素と反応し、マザー基板Wの表面でプラズマが発生して、マザー基板Wの表面にクラックが発生することを発見した。
そして、これに対し、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、レーザ光の集光性を制御することで、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できることを見いだした。
そして、これに対し、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、レーザ光の集光性を制御することで、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、プラズマによるクラックの発生を防止できることを見いだした。
図4は、実験により求めた、集光レンズ103のZ軸方向の位置とパルスレーザ光の集光領域との関係を示す図である。
この図4によれば、集光レンズ103のZ軸方向の位置と改質領域が形成されるマザー基板Wの厚み方向の位置とは比例関係にあり、集光レンズ103のZ軸方向の位置を調整することで、改質領域の形成位置を制御できることがわかる。
この図4によれば、集光レンズ103のZ軸方向の位置と改質領域が形成されるマザー基板Wの厚み方向の位置とは比例関係にあり、集光レンズ103のZ軸方向の位置を調整することで、改質領域の形成位置を制御できることがわかる。
図5は、実験により求めた、マザー基板Wの厚み方向最下部で集光性が最も高くなるように集光レンズ103の収差を調整した場合における、集光レンズ103のZ軸方向の位置とパルスレーザ光の集光領域との関係を示す図である。
この図5によれば、マザー基板Wの厚み方向最上部においてパルスレーザ光の集光領域が拡大し、パルスレーザ光の集光性が低下しており、集光レンズ103の収差を制御することで、パルスレーザ光の集光性を制御できることがわかる。
以上、本実施形態では、図1のレーザ光源101が特許請求の範囲に記載のレーザ光源を構成し、以下同様に、図1の集光レンズ103が集光手段を構成し、図1のX軸スライド部106およびY軸スライド部107が位置制御手段を構成し、図1の収差調整機構104およびメインコンピュータ109が集光性設制御手段を構成する。
この図5によれば、マザー基板Wの厚み方向最上部においてパルスレーザ光の集光領域が拡大し、パルスレーザ光の集光性が低下しており、集光レンズ103の収差を制御することで、パルスレーザ光の集光性を制御できることがわかる。
以上、本実施形態では、図1のレーザ光源101が特許請求の範囲に記載のレーザ光源を構成し、以下同様に、図1の集光レンズ103が集光手段を構成し、図1のX軸スライド部106およびY軸スライド部107が位置制御手段を構成し、図1の収差調整機構104およびメインコンピュータ109が集光性設制御手段を構成する。
<作用・効果>
図6は、レーザ光照射後で且つ分割前のマザー基板Wを示す平面図であり、図7は、分割後のマザー基板Wを示す平面図であり、図8は、分割後のマザー基板Wの分割面を示す側面図である。
(1)このように、本実施形態では、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、パルスレーザ光の集光性を制御するようにした。そのため、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、図6〜図8に示すように、プラズマによるクラックの発生を防止できる。そのため、マザー基板Wの分割時や実装時の擦れによってクラックが広がるとともにそこから飛散物が発生することを防止でき、当該飛散物(異物)で品質問題が生じることを防止できる。また、分割によって形成される液晶表示パネルの強度を向上させることができ、クラックをきっかけに液晶表示パネルが割れることを防止できる。
図6は、レーザ光照射後で且つ分割前のマザー基板Wを示す平面図であり、図7は、分割後のマザー基板Wを示す平面図であり、図8は、分割後のマザー基板Wの分割面を示す側面図である。
(1)このように、本実施形態では、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、パルスレーザ光の集光性を制御するようにした。そのため、マザー基板Wの表面でのプラズマの発生を防止でき、図6〜図8に示すように、プラズマによるクラックの発生を防止できる。そのため、マザー基板Wの分割時や実装時の擦れによってクラックが広がるとともにそこから飛散物が発生することを防止でき、当該飛散物(異物)で品質問題が生じることを防止できる。また、分割によって形成される液晶表示パネルの強度を向上させることができ、クラックをきっかけに液晶表示パネルが割れることを防止できる。
また、パルスレーザ光の集光性を制御することで、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面における、パルスレーザ光のエネルギー密度を制御する方法を用いるようにした。そのため、例えば、パルスレーザ光のパワーを制御する方法と異なり、比較的大きなパワーを用いることができ、マザー基板Wに改質領域を適切に形成できる。
図9は、レーザ光照射後で且つ分割前のマザー基板Wを示す平面図であり、図10は、分割後のマザー基板Wの分割面を示す側面図である。
図9は、レーザ光照射後で且つ分割前のマザー基板Wを示す平面図であり、図10は、分割後のマザー基板Wの分割面を示す側面図である。
ちなみに、パルスレーザ光の照射時に、パルスレーザ光の集光性の制御を行わない方法にあっては、図9および図10に示すように、パルスレーザ光が空気中の酸素と反応して、マザー基板Wの表面でプラズマが発生し、マザー基板Wの表面にクラックが発生する。そのため、マザー基板Wの分割時や実装時の擦れによってクラックが広がるとともにそこから飛散物が発生し、当該飛散物(異物)で品質問題が生じてしまう。また、分割によって形成される液晶表示パネルの強度が低下し、クラックをきっかけに液晶表示パネルが割れてしまう。
また、パルスレーザ光のパワーを低下させることで、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面における、パルスレーザ光のエネルギー密度を制御する方法にあっては、パルスレーザ光のパワーが小さくなるため、改質領域を適切に形成できない。
なお、本実施形態では、パルスレーザ光の集光性を収差調整機構104で調整する例を示したが、これに限られるものではない。例えば、集光レンズ103とマザー基板Wとの間に石英ガラス板を配し、特開平2007−021556号公報に記載されているように、レーザ光の集光領域を長くすることで、パルスレーザ光の集光性を低下させてもよい。
なお、本実施形態では、パルスレーザ光の集光性を収差調整機構104で調整する例を示したが、これに限られるものではない。例えば、集光レンズ103とマザー基板Wとの間に石英ガラス板を配し、特開平2007−021556号公報に記載されているように、レーザ光の集光領域を長くすることで、パルスレーザ光の集光性を低下させてもよい。
また、マザー基板Wの最上層に改質領域を形成するときにのみ集光レンズ103によって集光性を低下させる例を示したが、これに限られるものではない。例えば、マザー基板Wの最上層よりも下側の層に改質領域を形成するときにも、マザー基板Wの表面においてパルスレーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より高くなってしまう場合には、当該下側の層に改質領域を形成するときにも、収差調整機構104を制御し、集光レンズ103による集光性を低下させてもよい。
さらに、マザー基板Wを分割するための改質領域を形成する際にレーザ照射装置100を用いる例を示したが、これに限られるものではない。例えば、溝状または円形の改質領域を形成した後、エッチングを行うことで改質領域を除去し、マザー基板Wの表面に溝または穴を設ける、という工程のための改質領域の形成に用いるようにしてもよい。
さらに、マザー基板Wを分割するための改質領域を形成する際にレーザ照射装置100を用いる例を示したが、これに限られるものではない。例えば、溝状または円形の改質領域を形成した後、エッチングを行うことで改質領域を除去し、マザー基板Wの表面に溝または穴を設ける、という工程のための改質領域の形成に用いるようにしてもよい。
(2)また、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときには、マザー基板Wの分割予定位置に沿ってパルスレーザ光を照射するようにした。そのため、改質領域に発生する内部応力により、マザー基板Wの表面において改質領域に対応する箇所に周囲方向への引張り応力を発生させることができ、引張り応力によってマザー基板Wの表面に分割予定位置に沿う亀裂、つまり、マザー基板Wの分割時のきっかけとなる裂け目を形成でき、分割後におけるマザー基板Wの外形精度を向上させることができる。
なお、本実施形態では、マザー基板Wのレーザ光照射方向手前側の表面付近に改質領域を形成するときに、マザー基板Wの分割予定位置に沿ってパルスレーザ光を照射するレーザ光走査を複数回繰り返す例を示したが、これに限られるものではない。例えば、レーザ光走査の回数を1回だけとしても、改質領域に対応する箇所に周囲方向への引張り応力を発生させることができ、引張り応力によってマザー基板Wの表面に分割予定位置に沿う亀裂を形成でき、分割後におけるマザー基板Wの外形精度を向上させることができる。
ちなみに、マザー基板Wの分割予定位置に沿ってパルスレーザ光を照射するレーザ光走査を複数回繰り返す方法にあっては、レーザ光走査回数を1回だけとする方法に比べ、改質領域を十分に形成でき、改質領域に対応する箇所に周囲方向へのより大きな引張り応力を発生させることができ、引張り応力によってマザー基板Wの表面に分割予定位置により適切に沿う亀裂を形成でき、分割後におけるマザー基板Wの外形精度をより向上させることができる。
(3)さらに、マザー基板Wおよびマザー基板Wとして石英製のものを用いる例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、硼珪酸ガラスを用いることもできる。
さらに、パルスレーザ光としてフェムト秒レーザを用いる例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、ピコ秒パルスレーザを用いることもできる。そのようにすれば、マザー基板Wの分割に適したレーザを用いてマザー基板Wを分割することができる。
さらに、パルスレーザ光としてフェムト秒レーザを用いる例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、ピコ秒パルスレーザを用いることもできる。そのようにすれば、マザー基板Wの分割に適したレーザを用いてマザー基板Wを分割することができる。
100 レーザ照射装置、101 レーザ光源、102 ダイクロイックミラー、103 集光レンズ、104 収差調整機構、105 ステージ、106 X軸スライド部、107 Y軸スライド部、108 Z軸スライド機構、109 メインコンピュータ。
Claims (5)
- レーザ光を集光して基板に照射することで、前記基板に改質領域を形成し、その後、外力を加えて前記改質領域の部分で前記基板を分割する基板分割方法であって、
前記基板のレーザ光照射方向手前側の表面において前記レーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、前記レーザ光の集光性を制御することを特徴とする基板分割方法。 - 前記基板の厚み方向に複数層の前記改質領域を形成するとともに、
前記基板の前記レーザ光照射方向手前側の表面付近に前記改質領域を形成するときには、前記基板の分割予定位置に沿って前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1に記載の基板分割方法。 - 前記基板は、石英または硼珪酸ガラスで形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板分割方法。
- 前記レーザ光は、フェムト秒レーザ、ピコ秒パルスレーザ、またはYAGレーザであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基板分割方法。
- レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光手段と、前記集光手段で集光されたレーザ光が基板に改質領域を形成するように、前記集光手段と前記基板との相対位置を制御する位置制御手段と、前記集光手段による前記レーザ光の集光性を制御する集光性制御手段と、を備え、
前記集光性制御手段は、前記基板のレーザ光照射方向手前側の表面において前記レーザ光のエネルギー密度が、大気中でプラズマが発生するエネルギー密度より低くなるように、前記集光手段による前記レーザ光の集光性を制御することを特徴とするレーザ照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007235054A JP2009067612A (ja) | 2007-09-11 | 2007-09-11 | 基板分割方法およびレーザ照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007235054A JP2009067612A (ja) | 2007-09-11 | 2007-09-11 | 基板分割方法およびレーザ照射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009067612A true JP2009067612A (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=40604280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007235054A Withdrawn JP2009067612A (ja) | 2007-09-11 | 2007-09-11 | 基板分割方法およびレーザ照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009067612A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012091233A (ja) * | 2009-08-03 | 2012-05-17 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
WO2013039006A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JPWO2011096353A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-10 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
-
2007
- 2007-09-11 JP JP2007235054A patent/JP2009067612A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012091233A (ja) * | 2009-08-03 | 2012-05-17 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2012115906A (ja) * | 2009-08-03 | 2012-06-21 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
JPWO2011096353A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-06-10 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
WO2013039006A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI629249B (zh) | Method for cutting tempered glass sheets | |
EP2859984B1 (en) | A method of laser processing a transparent material | |
JP5162163B2 (ja) | ウェーハのレーザ加工方法 | |
JP5491761B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
WO2010116917A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
KR101124347B1 (ko) | 사각 방향으로 조사되는 스캔된 레이저 빔을 이용한 대상물의 가공 방법 및 그 장치 | |
KR101326569B1 (ko) | 레이저 스크라이브 방법 및 레이저 가공 장치 | |
JP2010274328A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2013223886A (ja) | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 | |
JP2006150385A (ja) | レーザ割断方法 | |
JP2007167875A (ja) | レーザ内部スクライブ方法 | |
JP2016166120A (ja) | 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置 | |
JP2007021514A (ja) | スクライブ形成方法、分割予定線付き基板 | |
JP2009023194A (ja) | 基板分割方法およびレーザ照射装置 | |
JP5536713B2 (ja) | 脆性材料基板の加工方法 | |
JP2009067612A (ja) | 基板分割方法およびレーザ照射装置 | |
JP5361916B2 (ja) | レーザスクライブ方法 | |
JP5584560B2 (ja) | レーザスクライブ方法 | |
JP2010024068A (ja) | 基板分割方法及び表示装置の製造方法 | |
KR20130126287A (ko) | 기판 절단 장치 및 방법 | |
TWI587960B (zh) | Laser processing method and laser processing device | |
JP2007014975A (ja) | スクライブ形成方法、分割予定線付き基板 | |
KR20180013680A (ko) | 취성재료 기판의 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 | |
JP2009006334A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ照射装置 | |
JP5618373B2 (ja) | ガラス基板のレーザ加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20101207 |