JP2009065210A - 検査・解析方法および試料作製装置 - Google Patents
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Abstract
ための試料を取り出したウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新た
な検査・解析方法や電子部品製造方法を提供することにありす。
【解決手段】本発明は、基板上で第一のイオンビームが照射された領域を少なく
とも含んだ領域に第二のイオンビームを照射し、第一のイオンビーム元素種が含
まれた試料表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする基板の検査・解析
方法とする。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウ
ェーハを割断することなく実施でき、かつ、その際にも、イオンビームを構成し
ていた元素種を含む汚染や、デポ膜を構成する元素種を含む汚染を少なくするこ
とが実現できる。
【選択図】図5
Description
この手法を用いれば、ウェーハを分断することなく、試料から検査用の微小試料を取り出し、ウェーハは次のプロセスに戻すことも可能となる。したがって従来のようにウェーハの分断によって失われる半導体デバイスはなくなり、トータルの半導体デバイスの製造コストを低減することができる。
(7)基板を保持して移動できる試料ステージと、基板の所望の場所に、ガリウムを含むイオンビームを照射することを少なくとも用いる加工方法により基板の一部を分離して、マイクロサンプルを作製する試料作製装置において、イオンビームを照射した箇所にレーザビームを照射して、イオンビーム元素種が含まれた試料表面の少なくとも一部を除去することが可能なレーザビーム装置を備えたことを特徴とする試料作製装置とする。
断するか、または、(13)上記解析は、予め定めた箇所について予め定めた基準の形状、寸法、元素分布、元素濃度、不純物分布、不純物濃度のうち少なくともいずれかを外れた原因を解明するか、または、(14)上記モニタまたは検査または解析のうちの少なくともいずれかを行なう工程において得たデータは、少なくとも計算処理機に保存する。
本願による電子部品製造方法の基本的な流れをウェーハの流れを図1を用いて説明する。
られた検査項目について解析する。このように、N番目のプロセスからN+1番目プロセスに至る間に、解析用のマイクロサンプル6が摘出されることが大きな特徴である。また、検査によってマイクロサンプル6を摘出した加工領域を含む半導体デバイスはN+1番目以降のプロセスは無効となり製品となることはないが、ウェーハ枚数は減少することはない。すなわち、N番目のプロセスに投入するウェーハとN+1番目のプロセスに投入するウェーハ数は同じであり、マイクロサンプル6が取り出された領域以外で製造された半導体デバイスは良品であれば製品として製造数に貢献する。
本願による一実施例であるレーザビーム照射装置を備えた試料作製装置の概略構成図を図3に示す。
置に導くレーザ反射鏡54、レーザ用光学レンズ55等が装着されている。これらのレーザ装置56、レーザ反射鏡54、レーザ用光学レンズ55等は一つのコンポーネントとしてまとめられ真空容器に固定されている。その他に本装置を制御する装置として、主に電気回路や演算装置からなるステージ制御装置61、マニュピレータ制御装置62、二次電子検出器の増幅器63、デポガス源制御装置64、FIB制御装置65、レーザ反射鏡位置制御装置71、レーザ用光学レンズ制御装置72、レーザ制御装置73、および計算処理装置74、などが配置される。
射によって形成するデポ膜は、プローブ3の先端にある接触部と試料を接続したり、摘出試料を試料ホルダ40に固定するために使用する。また、FIB1を走査して、試料から放出される二次電子や二次イオンを二次粒子検出器36で検出して、その強度を画像の輝度に変換することによって試料基板38やプローブ3などを観察することができる。
除去でき、以降のプロセスで不良原因となることはない。
本願による一実施例である第2のイオンビーム照射装置を備えた試料作製装置の概略構成図を図5に示す。
次に、基板の少なくとも一部を薄膜で被い手法を用いて、イオンビーム元素種すなわちガリウムによる汚染を低減する例について説明する。
る。これらはいずれも、半導体製造プロセスにとって不良原因となる可能性がある汚染物質である。しかし、これらのは基板に到達することなく、薄膜上にとどまることになる。以降のマイクロサンプル作製手順については従来方法と同じである。次の工程では、マイクロサンプルを摘出後に、基板を取り出し、薄膜を除去する。薄膜を除去する方法としてはプラズマを使ったエッチング装置を使った。これにより、少なくとも、イオンビーム加工によって、イオンビーム加工領域以外に飛散した、ガリウムやデポジションガスから生まれた物質、試料装置の構成部品から発生する微小粒子を一挙に除去することができる。なお、加工領域に残されたイオンビームすなわちガリウムについては、発明の実施形態1または発明の実施形態2で述べた方法、すなわち、第二のイオンビーム照射またはレーザ
ビームで除去することができる。
クロサンプル、11…N番目のプロセス、12…N+1番目のプロセス、13…
ロット、14…検査用ウェーハ、15…検査電子顕微鏡、17…試料作製装置、
18…解析装置、31…イオンビームレンズ、32…液体金属イオン源、33…
ビーム制限アパーチャ、34…イオンビーム走査電極、35…FIB照射光学系、
38…二次粒子検出器、37…デポ源、38…試料基板、39…試料ステージ、
41…真空容器、42…マニュピレータ、40…試料ホルダ、51…レーザ発生
オシレータ、52…レーザアンプ、54…レーザ反射鏡、55…レーザ光学レン
ズ、56…レーザ発生装置、61…ステージ制御装置、62…マニュピレータ制
御装置、63…増幅器、64…デポガス源制御装置、65…FIB制御装置、71
…レーザ反射鏡制御装置、72…レーザ光学源制御装置、73…レーザ装置制御
装置、74…計算処理装置、81…デュオプラズマトロン、82…イオンビーム
レンズ、83…ビーム制限アパーチャ、84…イオンビーム走査電極、91…デ
ュオプラズマトロン制御装置、92…イオンビームレンズ制御装置、93…イオ
ンビーム走査制御装置、201…シリコンウェーハ、202…薄膜、76…試料
ホルダ、77…ホルダカセット、78…移送手段、80…ステージ制御装置、2
03…シリコン酸化膜、204…Cuの配線、205…円、206…堆積物、2
07…試料薄膜、208…薄膜、209…TEM試料ホルダ。
Claims (7)
- 基板にガリウムイオンビームを照射して加工する第一イオンビーム照射光学系と、
上記ガリウムイオンビームが照射された加工領域に、アルゴン、窒素、酸素のいずれかを少なくとも含む第二のイオンビームを照射する第二イオンビーム照射光学系と、を備える試料作製装置であって、
上記試料作製装置に取りつけられた電子ビーム照射装置から放出される電子ビームにより上記加工領域の断面部を観察する試料作製装置。 - 請求項1に記載の試料作製装置において、
上記加工により作製されたマイクロサンプルを摘出するプローブを備える試料作製装置。 - 請求項2に記載の試料作製装置において、
上記摘出されたマイクロサンプルを固定する試料ホルダを備える試料作製装置。 - 請求項1に記載の試料作製装置において、
上記第二のイオンビームはアルゴンイオンビームであって、
上記ガリウムイオンビームの照射条件を記憶する計算処理装置を備え、
上記計算処理装置は、上記ガリウムイオンビームの照射条件に基づいて上記第二イオンビーム照射光学系を制御して、上記加工領域に上記アルゴンイオンビームを照射する試料作製装置。 - 請求項4に記載の試料作製装置において、
上記計算処理装置は、上記ガリウムイオンビームの照射条件からガリウムイオンビームの照射量を計算し、上記ガリウムイオンビームの照射量に基づいて上記アルゴンイオンビームの照射量を制御する試料作製装置。 - 基板表面の少なくとも一部に薄膜を形成する工程と、
上記薄膜の上からガリウムイオンビームを照射して加工し、上記基板からマイクロサンプルを作製する工程と、
上記マイクロサンプルを摘出する工程と、
上記薄膜を除去する工程と、を有する試料作製方法。 - 請求項6に記載の試料作製方法であって、
上記加工された領域に、アルゴン、窒素、酸素のいずれかを少なくとも含むイオンビームを照射する工程を有する試料作製方法。
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