JP2009060117A - 半導体回路構造のesd保護の効果を改良するための方法および回路構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 エピタキシャル層(3)の表面に形成された少なくとも1つのESD保護ラテラルバイポーラトランジスタ(5)を備え、エピタキシャル層(3)に覆われた半導体基板に形成された回路構造におけるESD保護の効果を改良するための方法および回路構造であって、基板(2)から隔離されたウェル(4)を前記トランジスタ(5)の下に形成することを特徴とする方法および回路構。バイポーラ(5)は、エピタキシャル層(3)から埋め込みウェル(4)まで下方に延びてそれに接触した第1(10)及び第2(11)のN型のウェルによって、基板(2)から完全に隔離されている。
【選択図】 図4
Description
また、この発明は、半導体基板上にエピタキシャル層が形成され、そのエピタキシャル層の表面に少なくとも1つのラテラルESDプロテクションバイポーラトランジスタが形成されることにより、ESDによって保護された回路構造に関するものである。
これらの構造は、ESDプロテクタとして公知であり、スナップバック(snap-back)という寄生バイポーラの特定の状態においてのみ、活性化するようになっている。このバイポーラは、電界酸化膜(電界バイポーラ)を備えるラテラルnpnトランジスタであり、ベースエミッタ接合間のバイアスが増大すると、コレクタ端子から基板に向かって絶縁破壊が生じる。
この出願の技術分野では、上述した値よりも3桁も低い抵抗率の基板を用いることが要求されている。EPIエピタキシャル層は、上述した抵抗率の低い半導体基板の上に形成される。このEPIエピタキシャル層は、この基板よりも抵抗率が高くなるように、上述したP型の基板と同一の約10Ω/cmとなるように形成される。
エピタキシャル層に覆われる抵抗率の低い基板の使用が拡大すると、静電放電(ESD)に対する素子の強度が低下することになる。低下した強度は、電界酸化層を備えるラテラルバイポーラトランジスタと、寄生npnバイポーラを用いたMOSトランジスタとに影響を及ぼす。
例えば、出願人が行ったストレステストでは、様々な膜厚を有する複数のEPIエピタキシャル層をそれぞれ備える複数の半導体ウェハ上に形成されたラテラルnpnバイポーラトランジスタでは、EPIエピタキシャル層が厚い方が、ESDプロテクション機能が低下することが分かっている。
図2は、膜厚の異なるエピタキシャル層を有する基板にそれぞれ形成された、電界酸化層を有する複数のラテラルバイポーラトランジスタの静特性を示す電圧−電流特性である。
図2の特性には、エピタキシャル層の膜厚が薄くなるに伴い、トリガ電流のレベルが増大することが示されている。この電流の増加は、抵抗率の低い基板に注入されたホールの数が増大したことにより、バイポーラのスナップバック現象が起こり難くなったためである。
この特性の線形領域における抵抗値は、保護ダイナミック抵抗Rdとして公知であり、バイポーラ構造のスムースなパワーオンと同様に、コレクタ及びエミッタの直列抵抗値に依存するものである。
ストレステストは、パワーオン時の過渡状態の間には、回路構造が、エピタキシャル層の膜厚に反比例して増大する保護ダイナミック抵抗Rdを有することを示している。この理由に対する最も可能性の大きな仮定は、バイポーラ構造が、スムースでないパワーオンによる影響を受け、これが主な原因となって、バイポーラ構造のESD保護機能にストレスが掛かったときに、抵抗が低下するということである。
これらの方法および回路構造は、エピタキシャル層の膜厚が4μm以下の場合において従来の解決方法が陥りやすかった欠点を解決するものである。
上述の趣旨に基づき、技術的な課題は、上述した方法及び請求項1の特徴部分に記載した方法によって解決される。
技術的な課題は、上述した回路構造および請求項5の特徴部分に記載した回路構造によっても解決される。
実施の形態1.
図において、特に、例示的に示す図4において、1は、本発明によるESD保護回路構造である。
ESD保護回路構造1は、本来(未処理)の半導体基板2の内部に形成されている。基板2は、所定量の第1型の不純物としてのP型の不純物が注入されており、数十Ω/cmという高い抵抗率を有している。
EPIエピタキシャル層3は、基板2の上に所定の膜厚を有するように形成されている。
ウェル4は、好ましくは、高いエネルギーで燐を注入(インプラント)することによって形成されるものである。
燐を注入(インプラント)するためのエネルギーは、メガエレクトロンボルト(MeV)レンジに及ぶものである。
これとは反対に、トランジスタ5は、ゲート端子が接地(GND)されたNMOSトランジスタの寄生npnバイポーラであってもよい。しかしながら、ベース領域として機能する埋め込みウェル4は、注入度の低いN−型となっているため、このバイポーラは、垂直型であってはならない。
ベース領域6は、P+型の表面ウェルである。領域7及び8は、N+型の表面ウェルである。
領域6、7及び8は、エピタキシャル層3の表面に形成されており、電界酸化層9によって互いに隔離されている。
このような場合には、図5に明示するように、埋め込みウェル4に接合されたN型のウェル10及び11によって、ラテラルバイポーラは、その周辺部が基板2から完全に隔離された構成となる。
npn型及びpnp型の両方の寄生垂直バイポーラが誤ってパワーオンすることを防止するために、ウェル11は、コンタクト領域13によって基準供給電圧Vddに接続される。
採りうる予防手段の1つは、隣接するバイポーラ5の下に存在する埋め込み層4同士の間に適当な間隔を保つことである。
このような形態では、バイポーラ5の有効幅が縮減される。コレクタ7のN型のウェル10は、バイポーラ5の両側が隔離されるように、P+型のラテラルリング14によって延ばされている。
これらのラテラルリング14は、ラテラルバイポーラトランジスタのベース抵抗を大幅に低減することに寄与している。
第1の接地基準点は、出力バッファのために設けられており、第2の接地基準点は、残りの回路のために設けられている。
上述の事項は、ESD保護電子素子におけるラッチアップ現象を支配するパラメータと実質的に独立して達成されている。
2 基板
3 エピタキシャル層
4 ウェル
5 ESD保護ラテラルバイポーラトランジスタ
7 コレクタ層
10 N型のウェル
11 第2のN型のウェル
12 コンタクト領域
13 コンタクト領域
Claims (10)
- エピタキシャル層(3)の表面に形成された少なくとも1つのESD保護ラテラルバイポーラトランジスタ(5)を備え、エピタキシャル層(3)に覆われた半導体基板に形成された回路構造におけるESD保護の効果を改良するための方法であって、基板(2)から隔離されたウェル(4)を前記トランジスタ(5)の下に形成することを特徴とする方法。
- N型のウェル(10)は、前記トランジスタ(5)のコレクタ領域から埋め込みウェル(4)まで下方に延びてそれに接触していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 第2のN型のウェル(11)は、コンタクト領域(1)から埋め込みウェル(4)まで下方に延びてそれに接触していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ウェル(4)は、高エネルギーで注入(インプラント)を行うことによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- エピタキシャル層に覆われ、エピタキシャル層の表面に形成された少なくとも1つのESDラテラルバイポーラトランジスタ(5)を含む半導体基板に形成されるESD保護回路構造であって、前記トランジスタ(5)の下に存在する基板(2)から隔離するための埋め込みウェル(4)を備えることを特徴とする回路構造。
- 前記トランジスタ(5)のコレクタ領域(7)から埋め込みウェル(4)まで下方に延びてそれに接触するN型のウェル(10)を備えることを特徴とする請求項5に記載の回路構造。
- コンタクト領域(12)から埋め込みウェル(4)まで下方に延びてそれに接触する第2のN型のウェル(11)を備えることを特徴とする請求項6に記載の回路構造。
- 前記隔離ウェル(4)は、コンタクト領域(13)を通じて、基準電圧(Vdd)に接続していることを特徴とする請求項5に記載の回路構造。
- 前記ウェル(4)は、エピタキシャル層(3)に埋め込まれていることを特徴とする請求項5に記載の回路構造。
- 前記ウェル(4)は、高エネルギーで注入(インプラント)を行うことによって形成されることを特徴とする請求項5に記載の回路構造。
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