JP2009059857A - Ccd型固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直電荷転送の高速化を図ることができるCCD型固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に二次元アレイ状に形成された複数の画素と、画素列毎に該画素列に沿って形成された垂直電荷転送路と、該垂直電荷転送路を構成する垂直転送電極Viに対し絶縁層を介して積層され該垂直転送電極に垂直転送パルスを供給する複数のバスライン配線7―iと、各バスライン配線7―iの各々を該当する垂直転送電極Viに接続するコンタクト8とを備えるCCD型固体撮像素子において、全ての垂直転送電極Viのバスライン配線7―i側の端部をバスライン配線7―iの全てと交差する位置まで延設すると共に、コンタクト8が形成された箇所と前記画素が形成された領域に対し反対側に隣接するバスライン配線7―iとの間で当該垂直転送電極を切断12―iする。
【選択図】図1
【解決手段】 半導体基板上に二次元アレイ状に形成された複数の画素と、画素列毎に該画素列に沿って形成された垂直電荷転送路と、該垂直電荷転送路を構成する垂直転送電極Viに対し絶縁層を介して積層され該垂直転送電極に垂直転送パルスを供給する複数のバスライン配線7―iと、各バスライン配線7―iの各々を該当する垂直転送電極Viに接続するコンタクト8とを備えるCCD型固体撮像素子において、全ての垂直転送電極Viのバスライン配線7―i側の端部をバスライン配線7―iの全てと交差する位置まで延設すると共に、コンタクト8が形成された箇所と前記画素が形成された領域に対し反対側に隣接するバスライン配線7―iとの間で当該垂直転送電極を切断12―iする。
【選択図】図1
Description
本発明はCCD(Charge Coupled Device)型固体撮像素子及びその製造方法に係り、特に、電荷転送電極とこの電荷転送電極に転送パルスを供給するバスラインとの接続部分の構成に関する。
図4は、一般的なCCD型固体撮像素子の表面模式図である。このCCD型固体撮像素子1は、半導体基板表面部に二次元アレイ状に形成された複数の画素(フォトダイオード:PD)2と、各画素列に沿って形成された垂直電荷転送路(VCCD)3と、垂直電荷転送路3を構成する転送電極V1〜V4のうち読出電極兼用電極と隣接画素との間に設けられたトランスファーゲート4と、各垂直電荷転送路3の転送方向端部に沿って設けられた水平電荷転送路(HCCD)5と、水平電荷転送路5の出力端部に設けられ転送されてきた信号電荷の電荷量に応じた電圧値信号を撮像画像信号として出力するアンプ6とを備える。
尚、「垂直」「水平」という用語を用いて説明したが、これは、半導体基板の表面に沿う「1方向」「この1方向に対して略垂直な方向」という意味に過ぎない。
各画素列毎の垂直電荷転送路(VCCD)3を構成する垂直転送電極V1〜V4は、水平方向に、各画素を避ける様にして連続して形成される。電極V1に転送パルスφV1を、電極V2に転送パルスφV2を、電極V3に転送パルスφV3を、電極V4に転送パルスφV4を印加できる構成になっている。
図4に示す例では、転送電極Vi(i=1〜4)を左方向に延出形成し、これらに交差するように、各転送パルスφVi(i=1〜4)を印加するバスライン7―iを垂直方向に形成し、必要箇所でコンタクト8を設けてバスライン7―iと転送電極Viとの電気的に接続を図っている。
図5は、図4の要部上面図を示し、図6は、図5のA―A’線位置における断面模式図である。転送電極Viは、半導体基板表面部に絶縁層9を介して敷設されるが、通常はポリシリコン膜で形成される。転送電極V1の上には絶縁層10が積層され、その上がCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)で平坦化され、その上に、アルミ配線でなるバスライン7―iがスパッタ等で積層される。
従来のCCD型固体撮像素子の転送電極Viとバスライン7―iとの接続部分では、図5に示す様に、転送電極V1はバスライン7―1を越える部分まで延設されるが、バスライン7―2には達しない様に形成され、転送電極V2はバスライン7―2を越える部分まで延設されるが、バスライン7―3には達しない様に形成され、転送電極V3はバスライン7―3を越える部分まで延設されるが、バスライン7―4には達しない様に形成され、転送電極V4はバスライン7―4を越える部分まで延設される。
尚、バスラインと転送電極の接続部の構造に関連する従来技術として、下記の特許文献1〜3等がある。
アルミ(Al)膜をスパッタによって形成する場合、アルミはカバレッジが悪いため、その下地すなわち図6に示す絶縁層10が平坦であるのが望ましい。しかし、絶縁層10は、図4の画素2が設けられた領域に形成される図示しない層内レンズの形状を決める層と同一層であるため、完全に平坦にすることができない。
従って、従来は、絶縁層10の平坦性はアルミ配線7―iが断線しない範囲に留め、その上にアルミ配線7―iをスパッタで形成している。このため、図6に示す例では、電極V1が設けられていない箇所が凹形状となり、この箇所でアルミ配線7―2が平坦にならなくなっている。
バスライン配線が図6に示す形状になると、絶縁層10が完全な平坦になっている場合と比較してバスラインの実効的な配線長が長くなり、また、実効的な配線膜厚も凹所で薄くなる。従って、配線抵抗が大きくなり、配線の時定数が増大し、この結果、垂直電荷転送の高速化を妨げる要因になっている。
本発明の目的は、垂直電荷転送の高速化を図ることができるCCD型固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明のCCD型固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上に二次元アレイ状に形成された複数の画素と、画素列毎に該画素列に沿って形成された垂直電荷転送路と、該垂直電荷転送路を構成する垂直転送電極に対し絶縁層を介して積層され該垂直転送電極に垂直転送パルスを供給する複数のバスライン配線と、各バスライン配線の各々を該当する前記垂直転送電極に接続するコンタクトとを備えるCCD型固体撮像素子の製造方法において、全ての前記垂直転送電極の前記バスライン配線側の端部を前記バスライン配線の全てと交差する位置まで延設すると共に、前記コンタクトが形成された箇所と前記画素が形成された領域に対し反対側に隣接する前記バスライン配線との間で当該垂直転送電極を切断したことを特徴とする。
本発明のCCD型固体撮像素子の製造方法は、前記切断した箇所の前記垂直転送電極の欠損部の中心位置と、該欠損部を挟んで設けられる2つの前記バスライン配線間の隙間の中心位置とが一致するように製造されることを特徴とする。
本発明のCCD型固体撮像素子の製造方法は、前記切断した箇所の前記垂直転送電極の欠損部の中心位置と、該欠損部を挟んで設けられる2つの前記バスライン配線間の隙間の中心位置とがずらして製造されることを特徴とする。
本発明のCCD型固体撮像素子は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、バスライン配線の時定数の増大が抑制され、更に、垂直転送電極の時定数増大も抑制されるため、垂直転送の高速化を図ることが可能となる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るCCD型固体撮像素子の垂直転送電極と転送パルス印加用のバスラインとの接続部の構成図である。図4〜図6で説明した部材と同一部材には同一符号を付して説明する。
本実施形態に係るCCD型固体撮像素子では、バスライン7―i(i=1〜4)と交差する箇所において、全ての転送電極Vi(i=1〜4)を、先ず図2に示す様に、全てのバスライン7―iと交差する位置まで延設している。
この図2の状態では、各バスライン7―iと交差する位置の全ての転送電極Viがバスライン7―i下に存在し、図5,図6に示したような転送電極が存在しない凹所が無い状態になっている。従って、バスライン配線の時定数が増大することはない。
しかし、図2の状態は、各転送電極Viの長さが図5に示す状態より長くなっているため、転送電極Vi自体の時定数が図5の状態より増大してしまい、この結果、垂直電荷転送の高速化を妨げることになってしまう。
そこで、本実施形態のCCD型固体撮像素子では、図1に示す様に、バスライン7―1とバスライン7―2との間の隙間位置11―1において、転送電極V1を欠損部12―1で切断し、バスライン7―2とバスライン7―3との間の隙間位置11―2において、転送電極V2を欠損部12―2で切断し、バスライン7―3とバスライン7―4との間の隙間位置11―3において、転送電極V3を欠損部12―3で切断している。
この様にすることで、図1に示すCCD型固体撮像素子では、転送電極の時定数増大が抑制され、且つ、バスラインの時定数増大も抑制され、垂直電荷転送の高速化を図ることが可能となる。
尚、欠損部12―i(i=1〜3)は、電極Viをポリシリコン膜で形成した後、必要箇所をエッチングで切断して形成しても良く、また、電極Viを形成するときにマスクを使って必要箇所に欠損部12―iが形成される様にしても良い。
図3は、本発明の第2実施形態に係るCCD型固体撮像素子の垂直転送電極と転送パルス印加用のバスラインとの接続部の構成図である。図1で説明した部材と同一部材には同一符号を付して説明する。
図1に示す実施形態では、電極Viの欠損部12―i(i=1〜3)の中心位置と、これより若干広いバスライン7―i間の隙間11―iの中心位置とが一致するように、即ち、欠損部12―iの内部にバスライン7―iが入らないようにバスライン7―iが形成されている。
これに対し、図3に示す実施形態では、欠損部12―iの中心位置と、バスライン間7―i間の隙間の中心位置とがずれており、バスライン7―iの左側の側縁が欠損部12―iの中央に架かる様にバスライン7―1が形成されている点が異なる。
図に示す4本のバスライン7―iは、アルミ膜を広い面積で形成した後、隙間位置11―i(i=1〜3)を、エッチングにより削成することで形成される。このエッチング時に、バスライン7―iの両側縁にエッチング残渣が発生する場合があり、この場合、エッチング残渣は、隙間を挟むバスラインのどちらか一方の近くに集中する傾向がある。このため、図3の構成にすると、エッチング残渣によってバスライン配線のショート(短絡)が発生しにくくなるという利点がある。
本発明に係るCCD型固体撮像素子は、垂直電荷転送の高速化を図ることができるため、多画素化の進展した固体撮像素子に適用すると有用である。
1 CCD型固体撮像素子
2 画素(PD)
3 垂直電荷転送路(VCCD)
5 水平電荷転送路(HCCD)
6 出力アンプ
7―i(i=1〜4) 転送パルス印加用のバスライン配線
8 コンタクト
10 絶縁層
11―i(i=1〜3) バスライン配線間の隙間
12―i(i=1〜3) 転送電極の欠損部
Vi(i=1〜4) 転送電極
2 画素(PD)
3 垂直電荷転送路(VCCD)
5 水平電荷転送路(HCCD)
6 出力アンプ
7―i(i=1〜4) 転送パルス印加用のバスライン配線
8 コンタクト
10 絶縁層
11―i(i=1〜3) バスライン配線間の隙間
12―i(i=1〜3) 転送電極の欠損部
Vi(i=1〜4) 転送電極
Claims (4)
- 半導体基板上に二次元アレイ状に形成された複数の画素と、画素列毎に該画素列に沿って形成された垂直電荷転送路と、該垂直電荷転送路を構成する垂直転送電極に対し絶縁層を介して積層され該垂直転送電極に垂直転送パルスを供給する複数のバスライン配線と、各バスライン配線の各々を該当する前記垂直転送電極に接続するコンタクトとを備えるCCD型固体撮像素子の製造方法において、全ての前記垂直転送電極の前記バスライン配線側の端部を前記バスライン配線の全てと交差する位置まで延設すると共に、前記コンタクトが形成された箇所と前記画素が形成された領域に対し反対側に隣接する前記バスライン配線との間で当該垂直転送電極を切断したことを特徴とするCCD型固体撮像素子の製造方法。
- 前記切断した箇所の前記垂直転送電極の欠損部の中心位置と、該欠損部を挟んで設けられる2つの前記バスライン配線間の隙間の中心位置とが一致するように製造されることを特徴とする請求項1に記載のCCD型固体撮像素子の製造方法。
- 前記切断した箇所の前記垂直転送電極の欠損部の中心位置と、該欠損部を挟んで設けられる2つの前記バスライン配線間の隙間の中心位置とがずらして製造されることを特徴とする請求項1に記載のCCD型固体撮像素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とするCCD型固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225334A JP2009059857A (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225334A JP2009059857A (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (1)
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JP2007225334A Withdrawn JP2009059857A (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法 |
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2007
- 2007-08-31 JP JP2007225334A patent/JP2009059857A/ja not_active Withdrawn
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