JP2009053531A - 光電子回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】光電子回路を基板に実装した状態で光電子回路の検査が可能な光電子回路基板を提案する。
【解決手段】光電子回路基板１は、光回路と電子回路を有する第１及び第２の基板１０、１１と、光導波路層とを有し、第１の基板１０には、基板側開口１４が、光導波路層１３０には、光導波路側開口１３５が、開口１５０として形成されている。この開口１５０から、検査用光信号２０，２１の導入、又は取出しすることにより、光電子回路基板１の検査ができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、光電子回路基板に関する。

従来の技術として、レーザ光の反射光量を増大させる金属反射膜が発光部の周囲に形成された光部品と、光部品を実装した基板と、光部品と基板との間に設けられ、レーザ光が伝播する光導波路と、光導波路の端部付近の光部品に対応する位置に設けられ、レーザ光の光路を変換する第１のピラミッド鏡と、光導波路から分岐して設けられた検査用光導波路と、検査用光導波路の端部付近に設けられ、レーザ光の光路を変換する第２のピラミッド鏡とを備えた光導波路基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この光導波路基板に実装された光部品のずれの検出は、レーザ光を出力するレーザ光源と、レーザ光を反射する反射面を有するハーフミラーと、ハーフミラーの反射面によって反射されたレーザ光を検出する光検出器とを備えた検出装置を用いることによって行われる。

まず、検出装置のレーザ光源から第２のピラミッド鏡に向けて出力されたレーザ光は、ハーフミラーを透過した後、第２のピラミッド鏡によってその光路を変換され、検査用光導波路及び光導波路を伝播し、第１のピラミッド鏡によって再び光路が変換される。

光路が変換されたレーザ光は、光部品が所定の位置よりずれて実装されていたとき、光部品の金属反射膜によって反射光量を増大されて反射され、反射したレーザ光は、光路を逆戻りし、ハーフミラーの反射面で反射した後、光検出器によって検出され、光検出器は、レーザ光の光量の大きさに基づいて光部品の実装のずれを検出する。
特開２００３−１８５５２６号公報

本発明の目的は、光素子を基板に実装した状態で光素子及び光導波路の検査が可能な光電子回路基板を提案することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。

（１）電子回路を有し、光信号を第１の面側から第２の面側に通過させる発光側開口、及び前記光信号を前記第２の面側から前記第１の面側へ通過させる受光側開口が形成された基板と、前記基板の前記第１の面側に実装され、前記発光側開口に対向する位置に設けられた発光素子、及び前記受光側開口に対向する位置に設けられた受光素子と、コアと前記コアの周囲に設けられたクラッドからなり、前記基板の前記第２の面側に設けられ、前記発光側開口を前記第１の面側から前記第２の面側に通過する前記光信号の光路を変換する第１の光路変換面、前記第１の光路変換面により変換された前記光信号が前記受光側開口を前記第２の面側から前記第１の面側に通過するように前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面、及び前記コアが露出するように前記クラッドに設けられた検査用開口を有し、前記検査用開口に露出した前記コアから検査用光信号を導入及び取出しされる光導波路とを備えた光電子回路基板。

（２）前記基板は、前記発光側開口と前記受光側開口との間に基板側検査用開口を有し、前記光導波路の前記検査用開口は、前記基板側検査用開口に対応した位置に設けられる前記（１）に記載の光電子回路基板。

（３）更に、前記基板の前記第２の面側に前記光導波路を介して他の基板を備え、
前記他の基板は、前記光導波路の前記検査用開口に対応した位置に基板側検査用開口を備える前記（１）に記載の光電子回路基板。

請求項１の光電子回路基板によると、光素子を基板に実装した状態で光素子及び光導波路の検査ができる。

請求項２の光電子回路基板によると、光素子を基板に実装した状態で光素子及び光導波路の検査が容易にできる。

請求項３の光電子回路基板によると、基板に実装される電子部品等の実装密度を上げることができる。

［第１の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板を示し、図１（ａ）は、斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ線断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ―Ｂ線断面図である。

この光電子回路基板１は、光回路と電子回路を有するものであり、各種の電子部品、電源回路部品等を含む電子回路を有する第１及び第２の基板１０、１１と、第１の基板１０の第１の面側（上側）に実装された第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂと、第１及び第２の基板１０、１１間に設けられ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ間を光学的に接続する光導波路層１３０とを備えて構成されている。

第１の光モジュール１２Ａは、発光素子１２０Ａ及び受光素子１２１Ａを有する。第２の光モジュール１２Ｂは、発光素子１２０Ｂ及び受光素子１２１Ｂを有する。第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂは、それぞれパッケージ化されており、それらの詳細な構成は後述する。

光導波路層１３０は、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ間の光伝送路となる第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂを有する。

（第１の基板）
第１の基板１０は、例えば、厚みが０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板材と、この基板材の上面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。

また、第１の基板１０は、発光素子１２０Ａ、１２０Ｂ及び受光素子１２１Ａ、１２１Ｂにそれぞれ対向した位置に後述する発光側開口及び受光側開口が形成されている。なお、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂに対応して形成される発光側開口と受光側開口は、１つの開口であっても良い。また、第１の基板１０は、図１（ａ）に示すように、検査用の光信号を入出力するための貫通孔による基板側開口１４を有する。基板側開口１４の上面は、例えば、２０×０．４ｍｍである。

（第２の基板）
第２の基板１１は、例えば、厚みが１ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板材と、この基板材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。

（光導波路）
第１の光導波路１３Ａは、図１（ｂ）に示すように、例えば、厚みが０．２ｍｍの光導波路層１３０によって構成されており、その光導波路層１３０は、図１（ｃ）に示すように、断面矩形状を有し、例えば、厚みが５０μｍのコア１３２と、コア１３２の周囲に形成されてコア１３２より屈折率が小さいクラッド１３１とで構成される。第２の光導波路１３Ｂも同様に構成されている。

第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂは、第１の基板１０側に設けられた基板側開口１４に対応した位置に光導波路側開口１３５を有する。光導波路側開口１３５は、第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂのコア１３２が露出するように構成されており、その上面のサイズは、基板側開口１４と同じであり、その深さは、コア１３２上のクラッド１３１の厚み７５μｍと同じである。よって、基板側開口１４と光導波路側開口１３５をまとめて開口１５０とする。

光導波路層１３０の端部は、エポキシ樹脂等の封入剤２００によって基板の縁辺を封止している。封入剤２００による封止は、一部でも良く、これに限定されない。

（光導波路の製造法）
次に、第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂの製造方法について説明する。第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂは、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。以下に、その作製工程を説明する。

まず、コア１３２に対応する凸部が形成された原盤を、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて作製する。次に、原盤の凸部が形成された面に、例えば、５００〜７０００ｍＰａ・ｓ程度の粘度で、紫外領域や可視領域において光透過性を有する硬化性樹脂、例えば、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含む硬化性オルガノポリシロキサンの層を塗布等により設け、その後、硬化させて硬化層を構成する。次に、硬化層を原盤から剥離し、凸部に対応する凹部を有した鋳型を作製する。

次に、鋳型に、この鋳型との密着性に優れる樹脂、例えば、脂環式アクリル樹脂フィルム、脂環式オレフィン樹脂フィルム、三酢酸セルロースフィルム、フッ素樹脂フィルム等からなるクラッド用フィルム基材を密着させる。次に、鋳型の凹部に、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系の紫外線硬化性樹脂等からなる硬化性樹脂を充填する。次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア１３２とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド用フィルム基材上にコア１３２が残される。

次に、クラッド用フィルム基材のコア１３２が形成された面側にコア１３２を覆うようにクラッド１３１を設ける。このとき、第１の基板１０の基板側開口１４に対応した位置に、コア１３２が露出するように、クラッド１３１を形成しない光導波路側開口１３５を設ける。クラッド１３１として、例えば、フィルム、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布し乾燥してなる高分子膜等が挙げられる。

最後に、光導波路のコア１３２が露出する面をダイサーによって所定の角度に切削して光路変換面を形成する。更にコア１３２に平行にダイサーで切り出すことにより、クラッド用フィルム基材及びクラッド層をクラッド１３１とした第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂが完成する。

（光モジュール）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、図２（ａ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＤ部分の断面図である。以下において、第１の光モジュール１２Ａの構成について述べるが、第２の光モジュール１２Ｂも同様の構成及び機能を有する。第１の光モジュール１２Ａは、基板１２９と、基板１２９の下面に実装された上述の発光素子１２０Ａ及び上述の受光素子１２１Ａと、基板１２９の上面に実装された制御部１２７Ａと、端子１２４、ワイヤ１２６及び制御部１２７Ａを封止するエポキシ樹脂等の封止樹脂１２８とを備える。

第１の光モジュール１２Ａの受光素子１２１Ａ（発光素子１２０Ａも同様）は、図２（ａ）に示すように、ワイヤ１２２、パッド１２３を介して基板１２９に設けられた制御部１２７Ａに電気的に接続されている。

制御部１２７Ａは、発光素子１２０Ａを駆動する駆動回路、及び受光素子１２１Ａが出力する電気信号を増幅する増幅回路を有し、ワイヤ１２６、端子１２４とハンダボール１２５を介して端子１１０に電気的に接続されており、封止樹脂１２８によって保護されている。

受光素子１２１Ａは、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子１２１Ａとして、高速応答性に優れたＧａＡｓ型のＰＩＮフォトダイオードを用いる。このＰＩＮフォトダイオードは、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層及びＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ型電極と、Ｎ層に形成されたｎ型電極とを備えている。

第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ａは、面型発光ダイオードや面型レーザ等の複数の発光素子（面型光素子）を用いることができる。本実施の形態においては、発光素子１２０Ａとして、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を用いる。

この面発光レーザは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板に、ｎ型上部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型下部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ型電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の表側にｎ型電極を形成したものである。

光電子回路基板１の開口１５０は、発光装置３による検査時に使用されるが、その説明は後述する。

（第１の実施の形態の動作）
以下に、本発明の第１の実施の形態に関する光電子回路基板の動作について図１から図２を参照しつつ説明する。

（光信号の送受信）
ここでは、一例として、画像信号の送信を第１の光モジュール１２Ａから第２の光モジュール１２Ｂに対して行う場合について説明する。第１の光モジュール１２Ａの制御部１２７Ａは、画像信号に基づいた駆動信号を発光素子１２０Ａに送信し、発光素子１２０Ａは、駆動信号に基づいた光信号２を発光側開口１００Ａを介して光路変換面１３３Ａに向けて送信する。

このとき、発光素子１２０Ａのｐ型電極とｎ型電極間に駆動信号の電圧が印加され、発光層の発光領域から例えば、波長８５０ｎｍのレーザ光を光信号２として出力する。

光路変換面１３３Ａは、発光素子１２０Ａから送信された光信号２の光路を変換し、第２の光導波路１３Ｂに光信号２を伝播させる。

第２の光導波路１３Ｂを伝播した光信号２は、光路変換面１３３Ｂによって光路を変換される。

光信号２は、受光側開口１０１Ｂを通過して第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂによって受信される。受光素子１２１Ｂは、受信した光信号２を電気信号に変換して制御部１２７Ｂに出力する。

制御部１２７Ｂは、変換された電気信号を処理して画像信号を生成し、画像信号を第１の基板１０上の所定の電子部品に出力する。

（光電子回路基板の検査）
本実施の形態では、発光装置３から出力した検査用光信号２０を第２の光導波路１３Ｂに導入することによって、光電子回路基板１を検査する場合について説明する。

光ファイバ３０の光出力端にグリス３１を塗布した後、基板側開口１４及び光導波路側開口１３５に光ファイバ３０の光出力端を挿入し、図２（ｂ）に示すように、露出した第２の光導波路１３Ｂのコア１３２にグリス３１を介して光学的に接続する。

光ファイバ３０は、図２（ｂ）に示すように、断面円形状を有するコア３０１と、コア３０１の周囲に形成されてコア３０１より屈折率が小さいクラッド３０２とで構成される。光ファイバ３０の光出力端は、例えばダイシングソーを用いて、光導波路側開口１３５に露出したコア１３２に光学的に接続し易い形状に加工され、空気による光信号の散乱を防止するため、コア１３２と屈折率が近いグリス３１が塗布される。

続いて発光装置３は、光ファイバ３０、グリス３１を介して検査用光信号２０を第２の光導波路１３Ｂのコア１３２に導入する。

第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂが、検査用光信号２０に基づいた電気信号を制御部１２７Ｂに出力したとき、第１の光導波路１３Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂの受講素子１２１Ｂは、正常であることが分かる。

第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂが、検査用光信号２０に基づいた電気信号を制御部１２７Ｂに出力しなかったとき、第２の光導波路１３Ｂ及び第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂの何れか１つに異常があることが分かる。

第１の光モジュール１２Ａの受光素子１２１Ａ及び第１の光導波路１３Ａの検査は、上記と同様に、第１の光導波路１３Ａに検査用光信号２０を導入することによって行われる。

検査が終了したのち、開口１５０は、第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂに伝播する光信号２を第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂ内に閉じ込めるため、例えば封入剤２００によって封止される。

なお、図２における発光装置３を受光装置に置き換え、コア１３２に伝播する光信号２を取出しできるか否かによって、第１の光モジュールの発光素子１２０Ａ、第２の光モジュール１２Ｂの発光素子１２０Ｂ、第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂの検査ができる。

［第２の実施の形態］
以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。

図３は、本発明の第２の実施の形態に係る治具を挿入した光電子回路基板の断面図であり、図４は、本発明の第２の実施の形態に係る治具の概略図であり、図３は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線断面図、図４（ａ）は、治具上面の平面図、図４（ｂ）は、治具下面の平面図、図４（ｃ）は、図３のＥ部分の拡大図、図４（ｄ）は、図３のＦ部分の拡大図であり、治具を用いて検査する場合について表している。本実施の形態における光電子回路基板１を検査する検査装置は、発光装置３、受光装置４、光ファイバ３０、４０及び治具５からなる。

（治具）
治具５は、例えば、高さ１ｍｍ、幅０．４ｍｍ、長さ２０ｍｍを有し、断面矩形状を有するコア５１ａ及び５１ｂと、コア５１ａ及び５１ｂの周囲に形成されてコア５１ａ及び５１ｂより屈折率が小さいクラッド５０とで構成される。

コア５１ａは、２つのコアが交差した形状を有し、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、治具５の上部に設けられ、検査用光信号２０が導入される入力面５２ａと、入力面５２ａと対向して治具５の下部に設けられ、グリス３１を介してコア１３２に検査用光信号２０を出力する出力面５２ｂと、治具５の下部に設けられ、第１の光導波路１３Ａを伝播する光信号２が検査用光信号２１としてグリス３１を介して伝播する入力面５３ａと、入力面５３ａと対向して治具５の上部に設けられ、検査用光信号２１が出力する出力面５３ｂとを備えている。

コア５１ｂは、図３に示すように、２つのコアが交差した形状を有し、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、治具５の上部に設けられ、検査用光信号２０が導入される入力面５４ａと、入力面５４ａと対向して治具５の下部に設けられ、グリス３１を介してコア１３２に検査用光信号２０を出力する出力面５４ｂと、治具５の下部に設けられ、第２の光導波路１３Ｂを伝播する光信号２が検査用光信号２１としてグリス３１を介して伝播する入力面５５ａと、入力面５５ａと対向して治具５の上部に設けられ、検査用光信号２１が出力する出力面５５ｂとを備えている。

コア５１ａ及び５１ｂは、検査用光信号２０及び２１の導入及び出力が出来れば良いので、交差していなくても良く、これに限定されない。

（治具の製造法）
治具５は、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を利用した方法で作製可能であるが、本実施の形態においては、第１の実施の形態における第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂと同じ製造法を用い、製造された２つの光導波路を張り合わせることによって製造さる。続いて、コア５１ａ及び５１ｂが露出する面をダイサーによって切削して入力面５２ａ、５３ａ、５４ａ及び５５ａと出力面５２ｂ、５３ｂ、５４ｂ及び５５ｂを形成する。また、クラッド５０及びコア５１ａ、５１ｂは、上記の光導波路層１３０と同じ材料で作製されるが、検査用光信号２０及び２１の導入及び出力が行える材料であえば、その材料は問わない。

（発光装置及び受光装置）
発光装置３は、第１の実施の形態と同様に、検査用光信号２０を光ファイバ３０を介して出力するように構成されている。光ファイバ３０の光出力端には、図４（ｃ）に示すように、レンズ４１が設けられ、治具５の入力面５２ａ及び５４ａとグリス３１を介して光学的に接続されている。

受光装置４は、検査用光信号２１を光ファイバ４０を介して導入するように構成されている。光ファイバ４０は、光ファイバ３０と同様に構成され、その光入力端には、図４（ｄ）に示すように、レンズ４１が設けられ、治具５の出力面５３ｂ及び５５ｂとグリス３１を介して光学的に接続されている。

（光電子回路基板の検査）
（１）発光装置を用いた検査
始めに、発光装置３を用いた光電子回路基板１の検査について説明する。まず、下面にグリス３１を塗布された治具５を開口１５０に挿入する。図３及び図４（ｂ）に示すように、治具５の下部に設けられた入力面５３ａ、及び出力面５２ｂを露出した第１の光導波路１３Ａのコア１３２に、入力面５５ａ及び出力面５４ｂを露出した第２の光導波路１３Ｂのコア１３２に、それぞれグリス３１を介して光学的に接続する。

続いて発光装置３は、光ファイバ３０、レンズ４１及びグリス３１を介して検査用光信号２０を治具５の入力面５４ａから導入する。検査用光信号２０は、入力面５４ａからコア５１ｂに伝播し、図４（ｂ）の出力面５４ｂから第２の光導波路１３Ｂのコア１３２に伝播する。第２の光導波路１３Ｂを伝播した検査用光信号２０は、第２の光導波路１３Ｂに異常がなければ、光路変換面１３３Ｂによって光路を変換され、受光側開口１０１Ｂを通過して、受光素子１２１Ｂに到達する。

第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂが、検査用光信号２０に基づいた電気信号を制御部１２７Ｂに出力したとき、第２の光導波路１３Ｂ及び第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂは、正常であることが分かる。

ここで、第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂが、検査用光信号２０に基づいた電気信号を制御部１２７Ｂに出力しなかったとき、第２の光導波路１３Ｂ及び第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ｂの少なくとも１つに異常があることが分かる。

上記した検査方法と同様に、検査用光信号２０を発光装置３から光ファイバ３０、レンズ４１及びグリス３１を介して入力面５２ａに導入し、第１の光モジュール１２Ａの受光素子１２１Ａが検査用信号２０を受光したか否かによって、第１の光導波路１３Ａ及び第１の光モジュール１２Ａの受光素子１２１Ａの検査ができる。

（２）受光装置を用いた検査
次に受光装置４を用いた光電子回路基板１の検査について説明する。まず、第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ａから光信号２を出力する。出力された光信号２は、発光側開口１００Ａを通過したのち、光路変換面１３３Ａによって光路を変換され、第２の光導波路１３Ｂを伝播する。

第２の光導波路１３Ｂに伝播した光信号２は、光導波路側開口１３５の露出したコア１３２からグリス３１を介して、図４（ｂ）に示す、治具５の入力面５５ａからコア５１ｂにその一部が検査用光信号２１として伝播する。

コア５１ｂを伝播した検査用光信号２１は、グリス３１及びレンズ４１を介して光ファイバ４０に伝播し、受光装置４は、検査用光信号２１を受光し、検査用光信号２１に基づいた電気信号を所定の電子回路等に出力する。

ここで、受光装置４が検査用光信号２１を受光できなかったとき、第２の光導波路１３Ｂ及び第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ａの少なくとも１つに異常があることが分かる。

上記した検査方法と同様に、第２の光モジュール１２Ｂの発光素子１２０Ｂから出力された光信号２の一部である検査用信号２１を入力面５３ａ、出力面５３ｂ、グリス３１、レンズ４１及び光ファイバ４０を介して受光装置４が受光するか否かによって、第１の光導波路１３Ａ及び第２の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ｂの検査ができる。

検査が終了したのち、基板側開口１４及び光導波路側開口１３５は、第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂに伝播する光信号２を第１及び第２の光導波路１３Ａ、１３Ｂ内に閉じ込めるため、例えば封入剤２００によって封止される。

上記した第１及び第２の実施の形態は、開口１５０を第１の基板１０に設けたが、第２の基板１１に設けても良く、これに限定されない。

なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。

（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板のＡ―Ａ線断面図であり、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板のＢ―Ｂ線断面図である。 （ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板のＣ−Ｃ線断面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板のＤ部分の断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る治具を挿入した光電子回路基板のＣ−Ｃ線断面図である。 （ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る治具上面の平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る治具下面の平面図であり、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係るＥ部分の拡大図であり、（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係るＦ部分の拡大図である。

符号の説明

１…光電子回路基板、２…光信号、３…発光装置、４…受光装置、５…治具、１０…第１の基板、１１…第２の基板、１２Ａ…第１の光モジュール、１２Ｂ…第２の光モジュール、１３Ａ…第１の光導波路、１３Ｂ…第２の光導波路、１４…基板側開口、２０…検査用光信号、２１…検査用光信号、３０…光ファイバ、３１…グリス、４０…光ファイバ、４１…レンズ、５０…クラッド、５１ａ…コア、５１ｂ…コア、５２ａ…入力面、５２ｂ…出力面、５３ａ…入力面、５３ｂ…出力面、５４ａ…入力面、５４ｂ…出力面、５５ａ…入力面、５５ｂ…出力面、１００Ａ…発光側開口、１０１Ｂ…受光側開口、１１０…端子、１２０Ａ…発光素子、１２０Ｂ…発光素子、１２１Ａ…受光素子、１２１Ｂ…受光素子、１２２…ワイヤ、１２３…パッド、１２４…端子、１２５…ハンダボール、１２６…ワイヤ、１２７Ａ…制御部、１２７Ｂ…制御部、１２８…封止樹脂、１２９…基板、１３０…光導波路層、１３１…クラッド、１３２…コア、１３３Ａ…光路変換面、１３３Ｂ…光路変換面、１３５…光導波路側開口、１５０…開口、２００…封入剤、３０１…コア、３０２…クラッド

Claims (3)

1. 電子回路を有し、光信号を第１の面側から第２の面側に通過させる発光側開口、及び前記光信号を前記第２の面側から前記第１の面側へ通過させる受光側開口が形成された基板と、
   前記基板の前記第１の面側に実装され、前記発光側開口に対向する位置に設けられた発光素子、及び前記受光側開口に対向する位置に設けられた受光素子と、
   コアと前記コアの周囲に設けられたクラッドからなり、前記基板の前記第２の面側に設けられ、前記発光側開口を前記第１の面側から前記第２の面側に通過する前記光信号の光路を変換する第１の光路変換面、前記第１の光路変換面により変換された前記光信号が前記受光側開口を前記第２の面側から前記第１の面側に通過するように前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面、及び前記コアが露出するように前記クラッドに設けられた検査用開口を有し、前記検査用開口に露出した前記コアから検査用光信号を導入及び取出しされる光導波路とを備えた光電子回路基板。
2. 前記基板は、前記発光側開口と前記受光側開口との間に基板側検査用開口を有し、
   前記光導波路の前記検査用開口は、前記基板側検査用開口に対応した位置に設けられる請求項１に記載の光電子回路基板。
3. 更に、前記基板の前記第２の面側に前記光導波路を介して他の基板を備え、
   前記他の基板は、前記光導波路の前記検査用開口に対応した位置に基板側検査用開口を備える請求項１に記載の光電子回路基板。

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