JP2009049167A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗パターン17bとその表面に形成された金属シリサイド層40とで構成される抵抗素子41を備えた半導体装置の製造方法であって、抵抗パターン17bと金属シリサイド層40との接触抵抗Rcを抵抗素子41の設計抵抗値Rdに含めて抵抗素子41を設計するステップS5を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。
【選択図】図18
Description
Claims (6)
- 抵抗パターンとその表面に形成された金属シリサイド層とで構成される抵抗素子を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)前記抵抗パターンと前記金属シリサイド層との接触抵抗を前記抵抗素子の設計抵抗値に含めて前記抵抗素子を設計するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (b)異なるプロセス条件で複数の前記抵抗素子を試作するステップと、
(c)前記試作された複数の抵抗素子のそれぞれの抵抗値を測定するステップとを更に有し、
前記ステップ(a)において、前記ステップ(c)で得られた測定値に基づいて、前記抵抗素子の抵抗値が前記プロセス条件によってどのように変わるかを把握して、前記抵抗素子の抵抗値が前記設計抵抗値の許容範囲に収まるように、前記抵抗素子のプロセス条件を決定することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。 - (d)前記半導体装置の試作段階において前記抵抗素子の抵抗値の実測値を測定するステップと、
(e)前記ステップ(d)で得られた前記実測値が前記設計抵抗値の許容範囲から外れている場合に、前記抵抗パターンの大きさを設計し直して、前記実測値を前記許容範囲内に収めるステップを更に有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - (f)前記半導体装置の量産段階において前記抵抗素子の抵抗値の実測値を測定するステップと、
(g)前記ステップ(f)で得られた前記実測値が前記設計抵抗値の許容範囲から外れている場合に、フォトレジストを露光して前記抵抗パターンに対応したレジストパターンを得る露光工程において、露光時間を変更することにより前記レジストパターンの大きさを調節して、前記実測値を前記許容範囲内に収めるステップを更に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して第1の導電パターンと第2の導電パターンを形成する工程と、
前記第1の導電パターンと前記第2の導電パターンとを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記第1の導電パターンの上面を露出し、該第1の導電パターンの側面を覆うサイドウォールを形成すると共に、前記第2の導電パターンの一部を露出するマスクを形成する工程と、
前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンを覆う金属膜を形成する工程と、
熱処理をすることで、前記第1の導電パターンの少なくとも一部をシリサイド化すると共に、前記第2の導電パターンの少なくとも一部をシリサイド化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の導電パターンは抵抗素子を構成し、前記第2の導電パターンのシリサイド化された部分は、コンタクト領域となることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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2007
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