JP2009033902A - パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 高い空間利用効率性を実現しながら、簡単な機構により自動車への搭載状態の安定維持を得ることができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 高さ位置の異なる2本の端子板40H,40Lと、同じ高さ位置をすべて有し、その2本の端子板高さ位置の中間高さを、その2本の端子板のそれぞれと高さギャップがあるように交差部を形成して、互いに並行して筐体30を通り抜ける複数本のバスバー11u〜11wとを備え、複数のパワースイッチング素子1a〜1c,2a〜2cは、1つずつ、端子板とバスバーとに挟持されるように位置し、1つまたは2つ以上の振動吸収材70A,70Bは、端子板およびバスバーの一部と、筐体との間に介在することを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 高さ位置の異なる2本の端子板40H,40Lと、同じ高さ位置をすべて有し、その2本の端子板高さ位置の中間高さを、その2本の端子板のそれぞれと高さギャップがあるように交差部を形成して、互いに並行して筐体30を通り抜ける複数本のバスバー11u〜11wとを備え、複数のパワースイッチング素子1a〜1c,2a〜2cは、1つずつ、端子板とバスバーとに挟持されるように位置し、1つまたは2つ以上の振動吸収材70A,70Bは、端子板およびバスバーの一部と、筐体との間に介在することを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、パワーモジュールに関し、より具体的は、ハイブリッドカー(HEV: Hybrid Electric Vehicle)等の電機モータを駆動するために用いられるパワーモジュールに関するものである。
化石燃料の高騰や、地球温暖化防止のためのCO2排出量の規制などを背景に、電気自動車やハイブリッド自動車(HEV)が注目を集めている。HEVにおいては、複数のパワースイッチング素子を備えるインバータ回路を用いて直流電力をスイッチングすることにより、電機モータを交流駆動する。パワースイッチング素子のオンオフは、制御回路によって制御される。
従来のパワーモジュールの構成例として、制御回路、インバータ回路および電機モータが一体化されたパワーモジュールが開示されている(特許文献1)。このパワーモジュールでは、モータハウジングの周壁外周面にプリント基板が固定され、プリント基板上に制御回路とインバータ回路とが実装されている。
また、3相の薄型DCブラシレスモータのステータに配電を行うための円環状バスバーの製造歩留まりを向上させる構造について提案がなされている(特許文献2)。上記円環状バスバーを用いることにより、配電部材は、その製造が比較的簡単となり、低コストでかつ絶縁耐圧を高めることが可能となる。
特開2003−324903号公報
特開2003−134728号公報
しかしながら、制御部を含めて電機モータと一体化する方式(特許文献1)では、制御部およびインバータと一体化された電機モータの全体が所定サイズを超え、車両等への搭載に支障をきたし、空間利用効率がかえって低下する場合を多く生じる。また、上記特許文献2に開示の配電部材によれば、その配電部材中のバスバーの製造歩留り、耐絶縁性能などを向上させることはできるが、小型化または空間利用効率の向上などについて触れていない。
自動車等に搭載されるパワーモジュールでは、空間利用効率の向上を得た上で、さらに自動車等における搭載状態の安定維持を得ることが重要である。本発明は、高い空間利用効率性を実現しながら、簡単な機構により自動車等への搭載状態の安定維持を得ることができる、パワーモジュールを提供することを目的とする。
本発明のパワーモジュールは、筐体内に位置する複数のパワースイッチング素子と、筐体内に位置する1つまたは2つ以上の振動吸収材とを備える。また、筐体に挿入されて並行して延在する、筐体の底面からの距離である高さ位置の異なる2本の直流電源用導体と、同じ高さ位置をすべて有し、その2本の直流電源用導体の高さ位置の中間の高さ位置を、その2本の直流電源用導体のそれぞれと高さギャップがあるように交差部を形成しながら、互いに並行して前記筐体を通り抜ける複数本の交流電力供給用導体とを備える。上記の複数のパワースイッチング素子は、交差部に1つずつ、直流電源用導体と前記交流電源用導体とに挟持されるように位置し、1つまたは2つ以上の振動吸収材は、2つの直流電源用導体および複数本の交流電力供給用導体の少なくとも一部と、筐体との間に介在することを特徴とする。
上記の構成によれば、振動吸収材により、自動車等のように振動の激しい環境においても振動を吸収して、パワーモジュールの自動車への搭載状態の安定維持を得ることができる。また、電機モータとパワーモジュールを含むインバータとが一体化されて制御部は別体とされるので、プリント基板を用いることなく、電機モータの周縁部にインバータをコンパクトに配置することができる。このため、全体的にみて高い空間利用効率性(小型化)を安価に実現することができる。
上記の筐体は上蓋、その上蓋に対向する底板および上蓋と底板との間に位置する側板を有しており、上記の振動吸収材は、筐体の底板側および上蓋側の両方に位置している。そして、2本の直流電源用導体の一方に平面的にみて重なる交差部を形成する、複数本の交流電力供給用導体の部分と、当該一方の直流電源用導体とに、および/または2本の直流電源用導体の他方に平面的にみて重なる交差部を形成する、複数本の交流電力供給用導体の部分と、当該他方の直流電源用導体とに、上記の振動吸収材が、底板側と上蓋側とから押し当てられる構成とすることができる。これによって、振動吸収材による上下からの挟みつけという簡単な機構により、自動車のように振動の激しい環境においても振動を吸収して、パワーモジュールの自動車への搭載状態の安定維持を得ることができる。
上記の筐体の側板には、直流電源用導体および交流電力供給用導体のそれぞれの高さ位置に対応する底辺を持つ矩形切り欠きが設けられる。そして、直流電源用導体および交流電力供給用導体には、それぞれの導体の相対向する幅両端部に、矩形切り欠きの相対向する両側の壁辺に係合して当該それぞれの導体が矩形切り欠きの底辺で支持されるように、位置決め切り欠きが設けられている構成をとることができる。これによって、直流電源用導体および交流電力供給用導体を、筐体に関係づけて、簡略にかつ容易に、意図したとおりに配置することができる。また、筐体の矩形切り欠きと各導体の位置決め切り欠きとの係合によって、筐体の底板の面に平行な方向(水平方向)の、直流電源用導体および交流電力供給用導体の動きは規制され、その交差方向(上下方向とくに上方向)の動きが主たる動きとなる。このため、上記の上蓋側と底板側からの振動吸収材の押し当ては振動を吸収する上で、効果的に作用する。上記の筐体の矩形切り欠きと各導体の位置決め切り欠きとの係合は、水平方向の動きを規制するので、パワーモジュールにおける各接続部の安定維持に対しても、プラスに作用する。
上記のパワースイッチング素子は、パワースイッチング素子は、第1の面に第1の通電電極を、また該第1の面と表裏関係をなす第2の面に第2の通電電極を有する。その第1の通電電極は、交差部において、当該交差部を形成する直流電源用導体および交流電力供給用導体の一方に導電性固着材で固定される。また、第2の通電電極と、固定がされた導体と交差部を形成する他方の導体との間に、弾性導体を介在させることができる。これによって、パワースイッチング素子の各導体上における位置を安定化しながら、パワースイッチング素子の電極と直流電源用導体または交流電力供給用導体に発生する熱による変位を弾性導体の撓みによって吸収することができる。
本発明のパワーモジュールによれば、高い空間利用効率性を実現しながら、簡単な機構により自動車等への搭載状態の安定維持を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、異なる図面において同一または相応する符号を付した要素は、同一または相応する要素を示すものとする。
図1は、本発明のパワーモジュール50を三相交流電機モータ4の端部平面に配置した状態を示す図である。図2は、図1に示すパワーモジュール50の上蓋を除いた状態の平面図である。なお、三相交流モータに電力を供給する導体であるバスリングまたはバスバー11u,11v,11wは、図1に示すように、電機モータ4の周縁に沿うように円環状であるが、直線状としても本発明の説明に支障がないので、複雑化を避けるため、直線状に図示する。この後の図面において直線状の図示がされている場合も、上記のように解することとする。また、図3は、本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。本実施の形態では、図2に示すように、振動吸収材70A,70Bが用いられる点に、一つの特徴がある。図2では、振動吸収材70A,70Bはいずれも、パワーモジュールの筐体30の底板30bに接して置かれている。振動吸収材70Aは、図2示す配置において最も底板30bに近い導体である直流電源用導体のプラス側40Hとその底板30bとの間に介在し、また振動吸収材70Bは、当該位置において底板30bに最も近い導体である三相交流電力供給用のバスバー11u,11v,11wとその底板30bとの間に配置され、振動吸収材70A,70B自体が圧縮力を受ける状態にするのがよい。
図2に示すように、本実施の形態におけるパワーモジュール50において、直流電源用導体40H,40Lと、バスバー11u,11v,11wとの交差部は、筐体30内にあり、各交差部にある高さギャップに、このあと説明するパワースイッチング素子が配置されている。筐体30は直方体であり、底板30bおよび側板30sと、図示していない上蓋(図14参照)とを備える。図2では、底板30bに接して位置する振動吸収材70A,70Bのみを示すが、上蓋に接して位置する振動吸収材も配置され、直流電源用導体40H,40Lおよび、バスバー11u,11v,11wを、底板30bと上蓋側とから挟むようにして、振動を吸収する。直流電源用導体40H,40Lおよびバスバー11u,11v,11wが、筐体30の側板30sを通り抜けるために設ける構造については、後で詳しく説明する。なお、図2では、振動吸収材70A,70Bの表示について、破線で示すべき輪郭線は、図面の複雑化を避けるために省略した。後に説明する図においても、同様の扱いをする。
図2および図3には、パワースイッチング素子として、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが用いられた例が示されている。本実施の形態に係るパワーモジュールは、三相(U相、V相、W相)の電機モータ4と、電機モータ4を駆動するためのインバータ回路8と、インバータ回路8が有するパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cを制御するための制御回路7とを備えている(図3参照)。なお、本発明の本質に影響しないので図示は省略しているが、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cのそれぞれのデバイス内には、ドレイン‐ソース間に寄生ダイオードがあり、転流時の電流がこの寄生ダイオードに流れる。
図3に示すように、パワーMOSFET1a,2aは、正の直流電源電圧VHの直流電源用導体(端子板)40Hと、負の直流電源電圧VLの直流電源用導体(端子板)40Lとの間で、ノード6uを介して直列に接続されている。具体的に、パワーMOSFET1aのドレイン電極は、正の直流電源電圧VHの端子板40Hに接続され、ソース電極はノード6uに接続されている。また、パワーMOSFET2aのドレイン電極はノード6uに接続され、ソース電極は負の直流電源電圧VLの端子板40Lに接続されている。同様に、パワーMOSFET1b,2bは、正の直流電源電圧VHの端子板40Hと、負の電源電圧VLの端子板40Lとの間でノード6vを介して直列に接続されている。また、パワーMOSFET1c,2cは、正の直流電源電圧VHの端子板40Hと、負の直流電源電圧VLの端子板40Lとの間でノード6wを介して直列に接続されている。
パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極は、図2に示すように、信号線61によってコネクタ60の端子に接続され、さらに外部に位置する制御回路に接続される。制御回路7は、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極に電圧パルスを印加することにより、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cをそれぞれ駆動する(図3参照)。
ノード6u,6v,6wは、電機モータ4の各相の電極5u,5v,5wにそれぞれ接続されている。制御回路7によってパワーMOSFET1a〜1cおよびパワーMOSFET2a〜2cのいずれを駆動するかによって、電機モータ4が備える電磁コイル3に流れる電流の向きを制御することができる。また、制御回路7からパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極に印加される電圧パルスのパルス幅によって、電磁コイル3に流れる電流の大きさを制御することができる。
なお、図3には、パワースイッチング素子としてパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが用いられた例が示されているが、パワーMOSFETの代わりにIGBT等の他のパワースイッチング素子を用いてもよい。なお、IGBTでは寄生ダイオードがないので、転流ダイオードを逆並列に接続しておく必要がある。あるいは、SiC,GaN,ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体を用いた、大電力制御可能かつ高温動作可能なトランジスタを使用してもよい。ワイドバンドギャップデバイスを用いた場合には、電機モータ4と同様に高温環境で動作可能なインバータ回路を実現することができる。
また、図3には、U,V,Wの各相のハイサイド及びローサイドに各1個のパワーMOSFETのみが用いられた例が示されているが、電流容量に応じて、それぞれ複数個のパワーMOSFETを用いて構成してもよい。
図4は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える三相交流電力供給用導体のバスバー11の構造の一部を示す上面図である。電機モータ4の外周に沿って(図1参照)、リング状のバスバー11が配設されている。バスバー11は、電機モータ4のU相に対応するバスバー11uと,V相に対応するバスバー11vと、W相に対応するバスバー11wとに分離されている。バスバー11uは図3に示したノード6uと電極5uとの間を接続し、バスバー11vはノード6vと電極5vとの間を接続し、バスバー11wはノード6wと電極5wとの間を接続する。バスバー11u〜11wは、打ち抜き加工された銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。
バスバー11u〜11wは、バスバー筐体19内に収納されている。バスバー筐体19は、PPS(polyphenylene sulfide)等の耐熱性樹脂によって構成されている。ただし、バスバー筐体19は、強度を高めるために、金属部材によって強化されていてもよい。バスバー筐体19の内部には、内壁によって規定される溝が形成されており、その溝部分にバスバー11u〜11wが嵌め込まれている。また、バスバー筐体19が形成されていない領域18が部分的に設けられており、この領域18においてはバスバー11u〜11wが露出している。この領域18が、図2に示すように、パワーモジュール50の筐体30内において、直流電源用導体40H,40Lと交差する部分を構成する。
図5は、領域18におけるバスバー11u〜11wの構造を具体的に示す斜視図である。図5では、リング状のバスバー11u〜11wを直線状に図示している。バスバー11uの表面上には、図2および図3に示したパワーMOSFET2aの半導体チップ(以下、パワーMOSFETと同一の符号を用いる)2aが実装されている。バスバー11uの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ2aを実装することができる。同様に、バスバー11v,11wの表面上の所定の箇所には、パワーMOSFET2b,2cの半導体チップ2b,2cがそれぞれ実装されている。また、バスバー11u,11v,11wには、それぞれ所定の箇所に、位置決め用の切り欠き20u,20v,20wが形成されている。
図6は、半導体チップ2aの構造を示す上面図であり、図7は、図6に示したラインVII−VIIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。図6および図7を参照して、半導体チップ2aは、いわゆる縦型パワーMOSチップであり、半導体チップ2aの表面にはゲート電極(制御電極)Gおよびソース電極(電流流出電極)Sが形成されており、裏面にはドレイン電極(電流流入電極)Dが形成されている。ソース電極S上には、弾性導体10が接合されている。この弾性導体10は、半田付けまたはロウ付けによってこのソース電極S上に接合される。また、弾性導体10は、リン青銅を用いその表面にはスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。また、図示されている弾性導体10は、コ字状の板バネであるが、弦巻バネなどであってもよい。
半導体チップ2b,2cは、半導体チップ2aと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ2b,2cの各表面にはゲート電極G及びソース電極Sがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Dがそれぞれ形成されている。半導体チップ2a〜2cのソース電極Sには弾性導体10のバネが接合され、各ドレイン電極Dは、導電性固着材である半田付けまたはロウ付けによって、バスバー11u〜11wの各表面にそれぞれ直接的に接合されている。
図8は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える筐体30の構造を示す斜視図である。筐体30は、PPS等の耐熱性樹脂によって構成されている。筐体30の側板30sには、位置決め構造として複数の矩形切り欠きである溝31u,31v,31w,32H,32Lが形成されている。各溝31u,31v,31w,32H,32Lの底辺Kbは、バスバー11u〜11wおよび端子板40H,40Lに当接して、これら導体のそれぞれの筐体の底板30bからの距離である高さ位置を決めることになる。溝32Hは溝31u〜31wよりも深く形成されており、したがって溝32Hの底辺Kbは溝31u〜31wの底辺Kbより、筐体の底板30bに近い位置にある。また、溝32Lは溝31u〜31wよりも浅く形成されており、したがって溝32Lの底辺Kbは溝31u〜31wの底辺Kbより、筐体の底板30bから遠い位置にある。各溝は、矩形の切り欠きなので、2つの相対向する壁辺Ksは平行であり、底辺Kbに直交する。また、溝32Hと溝32Lとの間には、コネクタを挿入するための開口部33が形成されている。
図5および図8を参照して、互いに隣接する溝31u〜31w同士の間隔は、切り欠き20u〜20wが形成されている箇所における、互いに隣接するバスバー11u〜11w同士の間隔を決め、両間隔は等しい。また、溝31u〜31wが形成されている相対向する側板30s同士の間隔は、バスバー11u〜11wが延在する方向において互いに隣接する切り欠き20u同士の間隔に等しい。図5に示す各バスバーの位置決め切り欠き20u,20v,20wは、図8の溝31u,31v,31wに係合するように嵌め合わされて、各バスバーとも溝の底辺Kbで支持される。
図9および図10は、本実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。まず、図9を参照して、図8に示した筐体30の溝32H内に、直流電源用導体としての端子板40Hを嵌め込むのであるが、端子板40Hの直下になるように、筐体30の底板30bに振動吸収材70Aを固定する。振動吸収材70Aは、電気絶縁性材料で構成され、その厚みは、フリーな状態で底板30bと端子板40Hの裏面との間隔より大きくして、装着状態で振動吸収材70Aが圧縮変形状態とするのがよい。振動吸収材70Aは、電気絶縁性があるシート状の、発泡ウレタンやゴムなどの気泡性樹脂、耐久性樹脂などで、振動を緩和または減衰する材料であれば何でもよい。端子板40Hは、上記の振動吸収材70Aに載る形で、筐体の溝32Hに嵌め込まれる。端子板40Hは、図3に示した正の直流電源電圧VHを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板40Hには、バスバー11u〜11wと同様に、所定の箇所に切り欠き20Hが形成されており、この切り欠き20Hを溝32Hの壁辺Ksに嵌合させることによって、筐体30と端子板40Hとの位置決めがなされる。また、その高さ位置(筐体の底板30bとの間の距離)は、溝32Hの底辺Kbによって決められる。
端子板40Hの表面上の所定の箇所には、図3に示したパワーMOSFET1a〜1cの半導体チップ1a〜1cが予め実装されている。端子板40Hの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ1a〜1cを実装することができる。
半導体チップ1a〜1cは、図6および図7に示した半導体チップ2a〜2cと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ1a〜1cの各表面にはゲート電極Gおよびソース電極Sがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Dがそれぞれ形成されている。半導体チップ1a〜1cのソース電極Sには弾性導体10が半田付けまたはロウ付けによって接合され、また、半導体チップ1a〜1cの各ドレイン電極Dは、半田付けまたはロウ付けによって、端子板40Hの表面にそれぞれ直接的に接合されている。
筐体30から外部に突出している端子板40Hの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリまたは昇圧コンバータに接続される。
次に、図10を参照して、筐体30の溝31u〜31w内に、バスバー11u〜11wをそれぞれ嵌め込む。その際に予め、バスバー11u〜11wの下で、当該バスバー11u〜11wを支持するように当該バスバーに交差する方向に延在する振動吸収材70Bを、筐体の底板30bに固定する。バスバー11u〜11wの高さ位置は端子板40Hより高い(底板30bから遠い)ので、当然に振動吸収材70Bは、端子板40Hの直下に位置する振動吸収板70Bよりも厚いものとなる。上記振動吸収材70Bの固定の後に、バスバー11u〜11wをそれぞれ嵌め込むことになる。具体的には、図9に示した構造を図5に示したバスバー11u,11v,11wの下方に位置させた後、溝31u〜31wと切り欠き20u〜20wとをそれぞれ嵌合させながら、図9に示した構造を上方に持ち上げる。これにより、図10に示すように、半導体チップ1a〜1cの各ソース電極S上のコ字状弾性導体10が、バスバー11u〜11wの各裏面にそれぞれ接触する。
要は、半導体チップ1a〜1cは、端子板40Hとバスバー11u〜11wとが形成する高さギャップのある交差部に、1つずつ配置される。高さギャップが、コ字状弾性導体10を含む半導体チップ1a〜1cの装着高さに対応する。その際、コ字状弾性導体の片端を固定されていないので、半導体チップ1a〜1cの各ソース電極S上に接合されている弾性導体10は、バスバー11u〜11wによって押し当てられ撓む。この押し当てられた撓みによって、バスバー11u〜11wの各裏面と圧接され電気的接続状態になる。弾性導体10を介在させることにより、各ソース電極Sとバスバー11u〜11wの裏面とを半田付けまたはロウ付けするよりも簡便に接合することができる。図11は、図10に示すパワーモジュール組立状態を示す平面図である。端子板40Hの直下に振動吸収材70Aが配置され、またバスバー11u〜11wの直下に、これらバスバー11u〜11wに交差する方向に延在する振動吸収材70Bを配置される。上記の構成によって、自動車走行による振動があっても、このあと説明する上蓋側の振動吸収材も含めた振動吸収材の作用および弾性導体10の撓みによって、電気的接続状態を長期に安定維持することができる。
次に、図12および図10を参照して、筐体30の溝32L内に、直流電源用導体としての端子板40Lを嵌め込む。端子板40Lは、図3に示した負の直流電源電圧VLを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板40Lには所定の箇所に切り欠き20Lが形成されており、この切り欠き20Lを溝32Lの壁辺Ksに嵌合させることによって、筐体30と端子板40Lとの位置決めがなされる。
これにより、半導体チップ2a〜2cの各ソース電極S上に接合されている弾性導体10は、端子板40Lによって押し当てられ撓む。この弾性導体10の撓みによる圧接によって、半導体チップ2a〜2cの各ソース電極Sと端子板40Lの裏面とが電気的に接続される。
筐体30から外部に突出している端子板40Lの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリ又は昇圧コンバータに接続される。
次に、図13および図10を参照して、筐体30の開口部33にコネクタ60を嵌め込み、ネジ止め等によって固定する。コネクタ60は、図示しない複数の端子を有しており、端子は筐体30内に突出している。コネクタ60には、端子に電気的に接続された信号線61の一端が接続され、他端は各パワースイッチング素子のゲート電極Gに接続されている。コネクタの外部に出た信号線61は、上述のように、図3に示した制御回路7に接続される。
図13において、振動吸収材70Cが、平面的に見て端子板40Hに重なるように、また振動吸収材70Dが、平面的に見て端子板40Lに重なるように、それぞれ配置される。この場合、振動吸収材70C,70Dは、前もって、このあと説明する上蓋に固定するのがよい。振動吸収材70A〜70Dは、シート状のゴムやウレタンを用いるが、すべてが同種の材料で統一しなくてもよい。図14は、上記の上蓋側の振動吸収材70C,70Dを図13に示す位置関係を持ちながら、上蓋30tを筐体30に固定した状態を示す図である。図14に示す状態において、振動吸収材70A〜70Dは、半導体チップ1a〜1c,2a〜2cを挟持する端子板40H,40Lおよびバスバー11u〜11wを、筐体30の底板30bの側および上蓋30tの側から挟むように保持して、振動の緩和をはかることができ、上記の電気的接続状態を安定維持することができる。
上記した本発明の実施の形態のパワーモジュールについて、次のような作用効果および他のパワーモジュール例に注意を払うべきである。
(1)筐体の矩形切り欠きと各導体の位置決め切り欠きとの係合によって、筐体の底板の面に平行な方向(水平方向)の、直流電源用導体および交流電力供給用導体の動きは規制され、その交差方向(上下方向とくに上方向)の動きが主たる動きとなる。このため、上記実施の形態におけるように、上蓋側と底板側とから振動吸収材を挟むように各導体に押し当てることによって、効果的に振動を吸収し、たとえば各導体の位置決め切り欠きのコーナー等に生じやすいクラックを防止することができる。
(2)上記の係合では、筐体の矩形切り欠きの底辺で、各導体は支持されるので、各導体の上下方向の動きといっても、下方向へは上記底辺で阻止されるため、底辺から上方向への動きが主なものとなる。このため、振動吸収材は、上蓋側への配置が効果的であり、筐体の底板側への振動吸収材の配置はあったほうが振動吸収作用は高まるが、なくても所定の効果を得ることはできる。振動吸収材は、少なくとも筐体の上蓋側にあればよい。したがって、上記実施の形態の変形例として、筐体の上蓋側と導体との間にのみ、振動吸収材を配置したパワーモジュールであってもよい。
(3)パワーMOSFETのソース電極上に配置した弾性導体は、その上に位置する導体裏面に撓みながら接することで、熱膨張等を吸収して安定な電気的接続を得ることができる。さらに振動吸収材を上下から押し当てることにより、振動吸収材の圧縮変形内で、弾性導体が撓みによって吸収できない変形を吸収することができ、電気的接続の安定性をさらに向上することができる。
(1)筐体の矩形切り欠きと各導体の位置決め切り欠きとの係合によって、筐体の底板の面に平行な方向(水平方向)の、直流電源用導体および交流電力供給用導体の動きは規制され、その交差方向(上下方向とくに上方向)の動きが主たる動きとなる。このため、上記実施の形態におけるように、上蓋側と底板側とから振動吸収材を挟むように各導体に押し当てることによって、効果的に振動を吸収し、たとえば各導体の位置決め切り欠きのコーナー等に生じやすいクラックを防止することができる。
(2)上記の係合では、筐体の矩形切り欠きの底辺で、各導体は支持されるので、各導体の上下方向の動きといっても、下方向へは上記底辺で阻止されるため、底辺から上方向への動きが主なものとなる。このため、振動吸収材は、上蓋側への配置が効果的であり、筐体の底板側への振動吸収材の配置はあったほうが振動吸収作用は高まるが、なくても所定の効果を得ることはできる。振動吸収材は、少なくとも筐体の上蓋側にあればよい。したがって、上記実施の形態の変形例として、筐体の上蓋側と導体との間にのみ、振動吸収材を配置したパワーモジュールであってもよい。
(3)パワーMOSFETのソース電極上に配置した弾性導体は、その上に位置する導体裏面に撓みながら接することで、熱膨張等を吸収して安定な電気的接続を得ることができる。さらに振動吸収材を上下から押し当てることにより、振動吸収材の圧縮変形内で、弾性導体が撓みによって吸収できない変形を吸収することができ、電気的接続の安定性をさらに向上することができる。
上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
本発明のパワーモジュールでは、自動車等における苛酷な振動が加わる環境において、高い空間利用効率性を実現しながら、簡単な機構により自動車への搭載状態の安定維持を得ることができる。
1a〜1c,2a〜2c パワーMOSFET(半導体チップ)、3 電機モータのコイル、4 電機モータ、5u〜5w 電機モータの各相の電極、6u〜6w ノード、7 制御回路、8 インバータ回路、10 弾性導体、11u,11v,11w バスバー(交流電力供給用導体)、18 バスバー露出領域、19 バスバー筐体、20H,20L 端子板に設けた位置決め切り欠き、20u〜20w バスバーに設けた位置決め切り欠き、30 筐体、30b 筐体の底板、30s 筐体の側板、30t 上蓋、31u〜31w 筐体のバスバー用の溝(矩形切り欠き)、32H,32L 筐体の端子板用の溝(矩形切り欠き)、33 開口部(コネクタ挿入口)、40H プラス側端子板(直流電源用導体)、40L マイナス側端子板(直流電源用導体)、50 パワーモジュール、60 コネクタ、61 信号線、70A〜70D 振動吸収材、Kb 溝の底辺、Ks 溝の壁辺、D ドレイン電極、G ゲート電極、S ソース電極。
Claims (4)
- 筐体内に位置する複数のパワースイッチング素子と、
前記筐体内に位置する1つまたは2つ以上の振動吸収材と、
前記筐体に挿入されて並行して延在する、前記筐体の底面からの距離である高さ位置の異なる2本の直流電源用導体と、
同じ高さ位置をすべて有し、前記2本の直流電源用導体の高さ位置の中間の高さ位置を、前記2本の直流電源用導体のそれぞれと高さギャップがあるように交差部を形成しながら、互いに並行して前記筐体を通り抜ける複数本の交流電力供給用導体とを備え、
前記複数のパワースイッチング素子は、前記交差部に1つずつ、前記直流電源用導体と前記交流電源用導体とに挟持されるように位置し、
前記1つまたは2つ以上の振動吸収材は、前記2つの直流電源用導体および前記複数本の交流電力供給用導体の少なくとも一部と、前記筐体との間に介在することを特徴とする、パワーモジュール。 - 前記筐体は上蓋、その上蓋に対向する底板および前記上蓋と底板との間に位置する側板を有しており、前記振動吸収材は、前記筐体の底板側および上蓋側の両方に位置しており、前記2本の直流電源用導体の一方に沿う交差部を形成する、前記複数本の交流電力供給用導体の部分と、当該一方の直流電源用導体とに、および/または前記2本の直流電源用導体の他方に沿う交差部を形成する、前記複数本の交流電力供給用導体の部分と、当該他方の直流電源用導体とに、前記振動吸収材が前記底板側と上蓋側とから押し当てられることを特徴とする、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記筐体の側板には、前記直流電源用導体および交流電力供給用導体のそれぞれの高さ位置に対応する底辺を持つ矩形切り欠きが設けられ、前記直流電源用導体および交流電力供給用導体には、それぞれの導体の相対向する幅両端部に、前記矩形切り欠きの相対向する両側の壁辺に係合して当該それぞれの導体が前記矩形切り欠きの底辺で支持されるように、位置決め切り欠きが設けられていることを特徴とする、請求項2に記載のパワーモジュール。
- 前記パワースイッチング素子は、第1の面に第1の通電電極を、また該第1の面と表裏関係をなす第2の面に第2の通電電極を有し、その第1の通電電極は、前記交差部において、当該交差部を形成する前記直流電源用導体および前記交流電力供給用導体の一方に導電性固着材で固定され、また、前記第2の通電電極と、前記固定がされた導体と前記交差部を形成する他方の導体との間に、弾性導体を介在させることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のパワーモジュール。
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2007
- 2007-07-28 JP JP2007196811A patent/JP2009033902A/ja active Pending
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